JP3606672B2 - チップ型過電流保護素子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ化した過電流保護用正特性サーミスタに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
過電流保護用の正特性サーミスタは、図6に示すように正特性サーミスタ素子9aの両面に電極9bを形成し、リード線9cをはんだ付け接続後、樹脂により外装したものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の形状は挿入方式であるため面実装部品が多く使われている回路基板ではチップマウンタによる実装ができず、生産効率が低下し、また高さが高いためセットの小型化ができないといった欠点があった。
【0004】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するため、本発明のチップ型過電流保護素子はリード端子を樹脂ケースにインサート成型し、その中に素子を挿入した後、樹脂ケースで中空部を形成し密閉することを特徴とするものである。
【0005】
すなわち、両面に電極を形成した板状の正特性サーミスタ素子1を、リード端子4−1をインサート成型した凹部を有する樹脂ケース2に収納し、別途リード端子4−2をインサート成型した蓋部樹脂ケース3を上記樹脂ケース2に嵌合させることにより、上記正特性サーミスタ素子1両面の電極と、インサート成型されたリード端子4−1,4−2とを押圧接触導通させると共に、上記正特性サーミスタ素子1を中空で保持させたチップ型過電流保護素子であり、
【0006】
更に別の形態として、両面に電極を形成した板状の正特性サーミスタ素子1を、1本のリード端子4−1を内部底面にインサート成型した凹部を有する樹脂ケース7で、周縁端部には他の1本のリード端子4−2が導出するようインサート成型された樹脂ケース7に収納し、上記正特性サーミスタ素子1上面にバネ端子6を配し、蓋部樹脂ケース8を上記樹脂ケース7に嵌合させることにより、上記正特性サーミスタ素子1下面の電極と底面のリード端子4−1とを押圧接触導通させると同時にバネ端子6を介して正特性サーミスタ素子1の上面の電極と端部のリード端子4−2とを押圧接触導通させると共に、上記正特性サーミスタ素子1を中空で保持させたチップ型過電流保護素子である。
【0007】
【発明の実施の形態】
リード端子をインサート成型した樹脂ケースに正特性サーミスタを収納し、チップマウンタによる実装ができるチップ型過電流保護素子を構成することができるようにする。また、リード端子をインサート成型した凹部を有する樹脂ケースに正特性サーミスタ素子を挿入し、上記樹脂ケースに蓋部樹脂ケースを嵌合させて中空部を形成した密閉構造としているので、放熱が抑えられ、過電流に対する応答性が向上する。
【0008】
【実施例1】
次に図1〜4に基づき実施例1について説明する。リード端子をインサート成型した樹脂ケース2及び3の空間部に、両面に電極を形成した正特性サーミスタ素子1を収納し、樹脂ケース2及び3を嵌合ツメ2a及び3aで嵌合させ、樹脂ケース3の押圧突起3bで樹脂ケース3にインサート成型したリード端子4−2を押圧することにより、樹脂ケース2の凹部内底面に露出させたリード端子4−1の接点4aと樹脂ケース3にインサート成型した端子4−2の接点4aとをそれぞれ正特性サーミスタ素子1の両電極に押圧接触導通させ、正特性サーミスタ素子を中空部5に保持させている。
【0009】
【実施例2】
更に図5を参照しながら、実施例2について説明する。図4によると両面に電極を持つ正特性サーミスタ素子1は下方からはインサート成型されたリード端子接点部4aと、上方からはバネ端子6のバネ接点部6aと、更にこのバネ端子6はインサート成型されたリード端子接点部4bと電流が流れるよう接触しており、この接点圧は樹脂ケース8の押圧突起8a、8bで押さえることで確保され、樹脂ケース7は樹脂ケース8との間に中空部5を持つよう成型されており、樹脂ケース7と樹脂ケース8の密閉性は4箇所の嵌合ツメ8cで保たれている。
【0010】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば樹脂で構成したケースに両面電極を形成した正特性サーミスタ素子を封止するのみで内部に中空部をもたせ、チップ部品として成立させ、この結果チップマウンタによる実装を実現し、生産効率の向上と、セットの小型化ができるようになった。
また、正特性サーミスタ素子は過電流が流れた場合、自己発熱するが、中空部で保持されているため正特性サーミスタ素子からの放熱が小さくかつ熱容量も小さくできるため、過電流に対する応答速度を正確かつ速くすることができる。リード端子は熱電導率の低い金属(例えば、鉄−ニッケル合金等)が好ましい。また、プリント基板に実装する際、リード端子と樹脂ケースの間隙がないので、はんだ付け用フラックスが樹脂ケース内に侵入することがなく、信頼性の向上が図れる。尚、実施例1及び2でははんだ付け用リード端子はガルウィング型としたがこれに限るものではなく、樹脂ケース内側へ折り曲げた矩形端子型やJベント型でもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1、2によるチップ型過電流保護素子の外観斜視図である。
【図2】本発明の実施例1によるチップ型過電流保護素子の組立図である。
【図3】実施例1の図1のA−A線上における断面図である。
【図4】実施例1の図1のB−B線上における断面図である。
【図5】実施例2の図1のB−B線上における断面図である。
【図6】従来の過電流保護素子の斜視図および側面図である。
【符号の説明】
1・・・・・正特性サーミスタ素子
2・・・・・樹脂ケース
2a・・・・嵌合ツメ
3・・・・・樹脂ケース
3a・・・・嵌合ツメ
3b・・・・押圧突起
4−1・・・リード端子
4−2・・・リード端子
4a・・・・リード端子接点部
4b・・・・リード端子接点部
5・・・・・中空部
6・・・・・バネ端子
6a・・・・リード端子接点部
7・・・・・樹脂ケース
8・・・・・樹脂ケース
8a・・・・押圧突起
8b・・・・押圧突起
8c・・・・嵌合ツメ
9・・・・・従来型過電流保護素子
9a・・・・正特性サーミスタ素子
9b・・・・メッキ電極
9c・・・・リード線
9d・・・・外装樹脂
Claims (2)
- 両面に電極を形成した板状の正特性サーミスタ素子(1)を、リード端子(4−1)をインサート成型した凹部を有する樹脂ケース(2)に収納し、別途リード端子(4−2)をインサート成型した蓋部樹脂ケース(3)を上記樹脂ケース(2)に嵌合させることにより、上記正特性サーミスタ素子(1)両面の電極と、インサート成型されたリード端子(4−1,4−2)とを押圧接触導通させると共に、上記正特性サーミスタ素子(1)を中空で保持させることを特徴とするチップ型過電流保護素子。
- 両面に電極を形成した板状の正特性サーミスタ素子(1)を、1本のリード端子(4−1)を内部底面にインサート成型した凹部を有する樹脂ケース(7)で、周縁端部には他の1本のリード端子(4−2)が導出するようインサート成型された樹脂ケース(7)に収納し、上記正特性サーミスタ素子(1)上面にバネ端子(6)を配し、蓋部樹脂ケース(8)を上記樹脂ケース(7)に嵌合させることにより、上記正特性サーミスタ素子(1)下面の電極と底面のリード端子(4−1)とを押圧接触導通させると同時にバネ端子(6)を介して正特性サーミスタ素子(1)の上面の電極と端部のリード端子(4−2)とを押圧接触導通させると共に、上記正特性サーミスタ素子(1)を中空で保持させることを特徴とするチップ型過電流保護素子。
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JP03987596A JP3606672B2 (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | チップ型過電流保護素子 |
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JP03987596A Expired - Fee Related JP3606672B2 (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | チップ型過電流保護素子 |
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1996
- 1996-02-27 JP JP03987596A patent/JP3606672B2/ja not_active Expired - Fee Related
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