KR100312734B1 - 부특성 서미스터 - Google Patents

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KR100312734B1
KR100312734B1 KR1019990018463A KR19990018463A KR100312734B1 KR 100312734 B1 KR100312734 B1 KR 100312734B1 KR 1019990018463 A KR1019990018463 A KR 1019990018463A KR 19990018463 A KR19990018463 A KR 19990018463A KR 100312734 B1 KR100312734 B1 KR 100312734B1
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미하라겐지로
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무라타 야스타카
가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

본 발명은, 평면 부특성(NTC) 서미스터 소자, 한 쌍의 전원-공급 단자들 및 상기 서미스터 소자 및 상기 단자들이 내부에 수납되는 케이스로 구성된 부특성 서미스터를 제공한다. 상기 평면 부특성 서미스터는, 서로 대향하는 한 쌍의 측면상에 형성되고, 상기 전원-공급 단자들 중 하나와 각각 접속되는 전극들을 갖는다. 상기 평면 부특성 서미스터의 주면 중 적어도 하나는 상기 케이스의 내벽과 면 접촉(surface-to-surface contact)되어, 상기 서미스터 소자의 유효 열용량을 증가시킨다. 이러한 부특성 서미스터는, 전자 복사기의 전원과 전기적 열원 사이에 직렬로 삽입되면, 상기 전원이 스위치-온될 때, 돌입 전류(rush current)를 효과적으로 억제할 수 있다.

Description

부특성 서미스터{NTC Thermistors}
본 발명은 돌입 전류(rush current) 억제용 부특성 서미스터에 관한 것이다.
부특성 서미스터는 상온에서의 저항치 보다 상승된 온도에서 더 낮은 저항치를 갖는 특성이 있다. 이러한 독특한 특성 때문에, 부특성 서미스터들은, 장치용 전원 스위치가 턴-온되는 순간에 전원 회로에 흐르는 돌입 전류 억제용 전원 회로에 결합된 회로 소자로서 종종 활용된다.
도 6에 도시한 바와 같이, 케이스 내에 수납되고 돌입 전류를 억제하기 위해 사용되는 형태의 종래의 부특성 서미스터 1은, 일반적으로, 원판-모양 서미스터 소자 2의 서로 대향하는 2개의 주면 상에 설치된 전극들 3,4에 접속되는 전원-공급 단자들 5,6이 연장되도록 구성되고, 서미스터 소자 2 및 전원-공급 단자들 5,6 모두는 내열성 수지 케이스 7 내부에 수납된다. 서미스터 소자 2는 수지 케이스 7의 빈 내부 공간 안쪽에 단자들 5,6의 일단들에 의해 지지되고 그 사이에 개재되는 한편, 단자들 5,6의 타단은 수지 케이스 7의 본체를 관통하여 외부로 연장된다.
부특성 서미스터 1이 돌입 전류를 억제하는 효과를 개선하는 방법들 중 하나는, 상기 서미스터의 열용량을 증가시키고, 열방출에 의한 상기 부특성 서미스터의 온도 상승은 제한될 것이며, 상기 부특성 서미스터의 저항 감소를 줄일 수 있도록, 부특성 서미스터 소자 2의 체적을 증가시키는 것이다. 그러나, 이러한 방법은, 상기 부특성 서미스터 소자의 가격이 제품 전체 가격의 많은 부분을 차지하고, 상기 부특성 서미스터 소자의 체적 또는 크기가 증가하면, 그 가격이 증가 하기 때문에, 실용적인 방법은 아니다.
따라서, 본 발명의 목적은, 큰 부피를 갖는 부특성 서미스터 소자를 사용하지 않고, 케이스 내에 수납되는 형태이고 돌입 전류를 효과적으로 억제할 수 있는 부특성 서미스터들을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 제 1실시예의 부특성 서미스터의 분해도이다.
도 2는 본 발명에 따른 부특성 서미스터들을 평가하기 위한 회로도이다.
도 3은 부하 전류와 열 방출 온도 사이의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 4는 본 발명에 따른 제 2실시예의 부특성 서미스터의 사시도이다.
도 5는 본 발명에 따른 제 3실시예의 부특성 서미스터의 사시도이다.
도 6은 종래 부특성 서미스터의 단면도이다.
<도면의 주요 부호에 대한 설명>
11, 20 ... 부특성 서미스터 12 ... 부특성 서미스터 소자
13, 14 ... 전극 15, 16 ... 전원-공급 단자
17 ... 케이스 17a ... 케이스 본체
17b ... 덮개 18 ... 전원
19 ... 열원
본 발명에 실시되고, 상기 및 다른 목적들을 이룰 수 있는 부특성 서미스터는, 평면 부특성 서미스터 소자의 서로 대향하는 한 쌍의 측면에 형성된 전극들 및 개별적으로 접속된 전원-공급 단자들을 포함하고, 상기 부특성 서미스터 소자 및 상기 단자들이 수납되는 케이스를 가지는 특징뿐 아니라, 상기 부특성 서미스터 소자의 주면 중 적어도 하나는 상기 케이스의 내벽과 면 접촉(surface-to-surface contact)되는 특징을 가질 수 있다. 상기 부특성 서미스터 소자는, 사각형, 더 일반적으로는 다각형일 수 있고, LaCo계 산화물과 같은 희토류 천이원소 산화물을 포함할 수 있다. 상기 전원-공급 단자들은 Cu 금속계 또는 Cu-Ti계 합금과 같은 금속 재료를 포함할 수 있다. 상기 케이스는 세라믹 재료를 포함할 수 있다.
본 발명에 실시된 부특성 서미스터는, 편이상 전원과 히터용 열-방출 소자, 즉, 전자 복사기의 복사 용지에 카본(carbon)을 정착시키도록 공급되는 열-방출 소자 사이에 직렬로 삽입될 수 있다. 복사기가 이런 식으로 구성되면, 돌입 전류들이 더 효과적으로 억제될 수 있을 뿐 아니라, 정격 전류 값이 증가될 수 있다.
본 명세서에 일체로 되고, 그 일부를 형성하는 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 설명하고, 이에 대한 상세한 설명함으로써, 본 발명의 원리를 설명하고자 한다.
도면 전체에 걸쳐, 동일 또는 유사 구성요소들은 편이상 동일 참조부호들로표시되고, 다른 서미스터의 구성요소들인 경우에도 이에 대한 반복적인 설명을 피하였다.
이하, 본 발명을, 도면을 참조한 실시예에 의해 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명에 따른 제 1실시예(시험예)의 부특성 서미스터 11을 도시하고, 상기 부특성 서미스터는, 다각형 평면 부특성 서미스터 소자 12, 한 쌍의 연장된 전원-공급 단자 15,16 및 케이스 17을 포함한다. 부특성 서미스터 소자 12는, B-정수(B(25/50))가 약 4000K인 LaCo계 희토류 천이원소 산화물을 포함하는 세라믹 재료를 평면 다각형 형상으로 주조하고, 이것을 소성 공정을 거쳐 세라믹체를 얻으며, 상기 세라믹체의 서로 대항하는 한 쌍의 측면에 Ag 페이스트를 도포하여 전극들 13,14를 형성한 다음, 상기 도포된 Ag 페이스트를 베이킹(baking)하여 얻는다. 일예로서, 부특성 서미스터 소자 12는, 서로 대항하며 길이 20㎜, 폭 15㎜인 주면 및 상기 주면들에 접속되고 두께 5㎜인 측면들을 갖는 사각형으로 만들어진다. 상온에서 그 저항치는 20Ω이다.
전원-공급 단자들 15,16은, 탄성체 Cu-Ti계 합금을 포함하고, 접속부들 15a, 16a를 각각 갖는다.
케이스 17은, 알루미나로 구성되며, 일반적으로 빈 내부를 갖는 상자-모양의 주본체 17a 및 상기 빈 내부에 개방된 주면 뿐 아니라, 상기 개방 주면을 덮는 덮개 17b를 갖는다. 케이스 17의 상자-모양 주본체 17a의 측벽 17c는 단자들 15,16이 통과될 수 있는 슬릿(slit) 17d와 함께 설치된다.
부특성 서미스터 소자 12는, 단자들 15,16 사이에 개재되도록 케이스 17의주본체 17a의 내부에 배치되고, 상기 단자의 접속부들 15a,16a는 전극들 13,14가 형성된 부특성 서미스터 소자 12의 서로 대향하는 한 쌍의 측벽들에 접속되어, 단자들 15,16의 일부는 주본체 17a의 측벽 17c 슬릿 17d로 삽입된다. 이후에, 덮개 17b는, 주본체 17a와 맞물리고, 고온 내열성 실리콘(silicone) 수지 재료(미도시)와 함께 밀봉함으로써 부특성 서미스터 11이 얻어진다.
케이스 17의 주본체 17a의 빈 내부 깊이는 대략적으로 부특성 서미스터 소자 12의 두께와 동일하도록 설계되므로, 상기 주면들 중 하나는 주본체 17a의 내저벽과 면 접촉 관계가 되는 한편, 다른 주면은 유사하게 덮개 17b의 내면과 면 접촉된다.
도 6에 도시한 바와같이, 종래기술 부특성 서미스터들의 2 종류가 비교예 1,2로 준비된다. 비교예 1의 종래기술 부특성 서미스터들은, Mn, Ni와 같은 2-4 천이원소 산화물을 포함하고 B-정수 3000K를 갖는 세라믹 재료를 사용하며, 대략적으로 시험예의 부특성 서미스터와 동일한 체적이 되도록 직경 20㎜ 및 두께 5㎜를 갖는 원형으로 베이킹되고, 실온에서 20Ω의 저항을 갖는 부특성 서미스터 소자 2를 제작하기 위하여 양 주면에서 베이킹함으로써 Ag 페이스트 전극들 3,4,를 형성하며, 전원-공급 단자들 5,6과 함께 개재되고, PPS 수지 케이스 내부에 넣음으로써 제작된다.
비교예 2의 종래기술 부특성 서미스터는, 위에서 설명한 것과 유사하며, 단지 Mn 및 Ni 산화물 조성비 또는 첨가물을 변화함으로써 제작된다. 요약하면, 종래기술 1,2의 종래기술 부특성 서미스터들은 대략 동일한 B-정수에 대하여 실온에서다른 저항치를 갖는다. 시험예 및 비교예 1,2의 부특성 서미스터들은 모두 동일 체적을 갖도록 제작되어 열용량이 동일하므로 본 발명의 효과는 더욱 분명하게 설명된다.
시험예 및 비교예 1,2 각 10개 샘플들이 시험용으로 준비되고, 상기 각 샘플들에 대한 부하 전류와 열-방출 소자의 온도 사이 관계는 도 2에 도시된 회로를 사용함으로써 결정되며, 도 2는, 전자 복사기의 할로겐 램프용 보호 회로를 나타내고, 정착용 히터를 제공하며, 25℃에서 돌입 전류를 측정하기 위하여 샘플들 20이 100V 전원 18 및 750W(램프) 부하 19에 각각 직렬로 접속됨을 나타낸다. 안정된 교류원은 전원 18로 사용되고, 오실로스코프 21과 병렬로 접속된 0.1Ω 고정 저항 22은, 전압 변동으로 인한 오차를 제거하기 위하여 직렬로 접속된다. 오실로스코프 21로 관측된 파형의 최대 전류는 상기 돌입 전류로서 측정되고, 10개의 측정된 전류 값의 평균이 기록된다. 그 결과는 표 1에 도시된다.
재 료 25℃에서 저항치 돌입 전류(A)
시험예비교예 1비교예 2 LaCoMnNiMnNi 20Ω20Ω6Ω 25.337.954.2
표 1은, 상기 저항치가 6Ω에서 20Ω으로 증가할 때, 상기 돌입 전류는 감소함을 보여준다. 이것은, 돌입 전류 억제를 개선하는 효과적인 방법은 상기 저항치를 증가시키는 것임을 나타낸다. 시험예 및 비교예 1을 비교하면, 동일한 저항치, 즉, 열 방출은 동일하지만, 상기 돌입 전류는 시험예가 더 작음을 알 수 있다. 다시 말하면, 상기 부특성 서미스터 소자가 상기 케이스와 면 접촉하여, 상기 부특성서미스터 소자 및 상기 케이스가 함께 큰 열용량을 제공한다면, 상기 부특성 서미스터 소자의 크기를 증가할 필요없이 돌입 전류의 효과적인 억제를 개선할 수 있음을 나타낸다. 상기 돌입 전류는, 시험예가 비교예 2 보다 큰 저항치를 가질뿐 아니라, 효과적인 열용량을 증가시키기 위해 상기 케이스와 면 접촉 관계를 갖는 상기 부특성 서미스터 소자를 보유하기 때문에, 시험예의 경우가 비교예 2의 경우 보다 훨씬 작다.
표 1에 대하여, 상기 돌입 전류를 억제하는 효력의 차이는, 시험예 및 비교예들의 부특성 서미스터 소자를 만드는 LaCo계 산화물과 MnNi계 산화물 사이의 상기 B-정수값 차이 때문이 아니다. 표 1에 도시된 결과는 오직 상기 부특성 서미스터 소자의 저항치와 열용량에 기인한다.
다음, 시험예 및 비교예 1,2의 샘플들은, 2A, 4A, 6A, 8A 및 10A의 정전류가 샘플들을 통해 흐르게 되고, 그 온도를 측정하여 정격전류 값들을 산출하는 다른 실험에 사용되었다. 돌입 전류들을 측정하기 위해 위에서 설명한 바와같은 동일 전원이 본 실험에 사용되고, 또한, 동일 온도에서 측정된다. 본 실험의 결과는 도 3에 도시된다.
10A 부하전류에서, 도 3은, 상기 소자의 온도가, 시험예에 대하여 약 200℃이지만 비교예 1의 경우에는 약 250℃임을 나타낸다. 보통은, 수지 케이스에 수납되는 형태의 부특성 서미스터 소자가 도달하도록 허용되는 최대 온도는 약 200℃로 설정된다. 이것은, 약 10A 전류가 시험예의 부특성 서미스터 소자에 인가될 수 있지만, 약 5A만이 비교예 1의 부특성 서미스터 소자에 인가될 수 있음을 의미한다.바꿔 말하면, 상기 정격전류 값은, 상기 부특성 서미스터 소자 제작용 재료를 MnNi 금속계 산화물에서 높은 B-정수를 갖는 LaCo 금속계 산화물로 변경함으로써, 상기 부특성 서미스터 소자로부터의 방출열을 줄일 수 있기 때문에, 개선 될 수 있다. 또한, 이와 같은 방법에서, 상기 부하 전류가 동일하더라도 작은 열방출 때문에, 상기 서미스터 자체 및/또는 상기 서미스터가 배치된 기판의 열방출을 제어할 수 있다.
시험예 및 비교예 2를 도 3에서 비교하면, 상기 소자들은 10A에서 동일 온도를 나타내지만, 비교예 2의 소자는 낮은 저항(6Ω)을 갖는 한편, 시험예의 소자는 3배 보다 큰 저항치(20Ω)를 나타낸다. 다시 말하면, 상기 저항이 3배보다 크더라도, 상기 정격전류 값은, 상기 부특성 서미스터 소자용 재료를 MnNi 금속계 산화물에서 저항의 온도 특성을 제어하는 높은 B-정수를 갖는 LaCo 금속계 산화물로 변경함으로써, 대략 같게 만들수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 제 2실시예를 도시한다. 편이상, 도 1을 참조하여 설명되고 도시된 구성요소들과 실질적으로 유사하거나 또는, 적어도 등가인 구성요소들은 동일 참조부호들로 표시되며, 이에 대해 각각 설명하고자 한다.
예를들어, 도 4의 부특성 서미스터 11a는, 금속 재료로 만들어진 주본체 17a 지지용 홀더(holder) 23 및 케이스 17의 덮개 17b를 함께 포함하는 특징이 있다. 이러한 목적으로, 홀더 23은, 케이스 17의 주면들 중 하나로부터 상기 주면들의 다른면에 이르는 측면에 걸쳐 각각 연장되어 있는 복수개의 연장부재 23a을 가지므로, 덮개 17b는 주본체 17a에 안전하게 지지될 수 있다.
도 5는, 도 4에 도시된 제 2실시예와 유사한 본 발명에 따른 제 3실시예를 도시한다. 도 5에서, 주본체 17a 및 케이스 17의 덮개 17b는, 제 2실시예와 다르지만 유사한 복수개의 연장부재 24a를 갖는 홀더 24에 의해 함께 지지되고, 홀더 24 자체는, 접속 단자 24b를 형성하기 위하여, 상기 부특성 서미스터 소자 내부에 접속되는 영역보다 더 연장된다. 접속 단자 24b를 형성하는 홀더 24의 일부는 인쇄 회로 기판 위에 상기 서미스터의 장착이 용이하도록 굽혀질 수 있다.
본 발명은, 단지 제한된 수의 실시예를 참조하여 설명하였지만, 세 실시예들은 본 발명의 범위를 제한하도록 의도되지 않는다. 많은 변형예들 및 변화들은 본 발명의 범위내에서 가능하다. 예를 들면, 단지 사변형의 부특성 서미스터 소자들이 위에서 도시되었지만, 본 발명에 따른 부특성 서미스터 소자의 평면 모양은 사변형인 것에 제한되지 않으며, 다각형 모양이 제안되었지만, '다각형'이란 표현은, 넓게 해석되도록 180°보다 큰 내각을 갖는 모서리를 갖는 다각형의 모양도 포함된다. 그러나, 일반적으로, 전류들이 상기 전극 표면 전체에 균일하게 흐르므로 돌입 전류들이 좀 더 효과적으로 억제될 수 있기 때문에, 전극들 사이가 소정의 거리로 떨어지도록 전극들을 형성되게 하는 적어도 두변을 갖는 다각형 모양들이 제안된다.
케이스 17은 반드시 알루미나로 만들어질 필요는 없다. 상기 케이스는, 열, 연소 및 전기전도에 대하여 높은 내성이 있는한은, 뮬라이트(mullite) 또는 다른 세라믹 재료 또는 비-세라믹 재료로 만들어 질 수 있고, 열에 의한 재료의 열화(degradation) 손실을 피할 수 있으며, 부특성 서미스터의 열용량을 증가 시킬수 있다.
개재된 실시예에서 도시한 바와같이, 부특성 서미스터 소자 12는,두 주면들의 양면에서 케이스 17의 내벽과 함께 각각 면 접촉하는 것이 바람직하지만, 상기 부특성 서미스터 소자가 상기 두 주면 중 단지 하나만 케이스 17의 내벽과 면 접촉하는 예들(미도시)도 또한, 본 발명의 범위내에서 고려될 수 있다. 상기 부특성 서미스터 소자의 두 주면들의 한면 또는 양면에 더하여, 전극들이 형성되지 않은 상기 부특성 서미스터 소자의 측면들은 케이스 17의 내벽과 면 접속되도록 설계될 수 있다.
전원-공급 단자들 15,16에 대하여, 상기 전원-공급 단자들은 Cu와 비슷한 열팽창을 갖는 탄성체 금속 재료를 포함하는 것이 좋을 수 있다. Ni와 같은 높은 비저항을 갖는 금속 재료들은 또한, 전기-도전 도금하여 사용될 수 있다.
상기 부특성 서미스터용 단자들은 Ag를 포함할 필요가 없다. 둘 이상의 합금들뿐아니라, Pd, Pt, Au와 같은 귀금속들은 인쇄 및 페이스트 베이킹에 사용될 수 있다. 본 발명의 유사한 효과들은 스퍼터링, 이온 주입 및 상기 부특성 서미스터 소자와 옴접촉을 할 수 있는 금속 또는 합금을 사용한 다른 방법들에 의해 얻어질 수 있다.
본 발명에 따르면 , 전극이 부특성 서미스터 소자의 측면에 형성되고, 부특성 서미스터 소자 주면과 케이스 내벽이 면 접촉되며, 부특성 서미스터 소자의 열용량이 크게 된다. 이것에 의해, 돌입 전류에 부특성 서미스터 소자의 순간 발열을케이스 내에 열전달시키고, 부특성 서미스터 소자의 저항치 감소를 억제할 수 있다. 따라서, 부특성 서미스터의 크기를 크게할 필요없이, 돌입 전류 억제 효과를 향상시킬 수 있다.
또한, 부특성 서미스터 소자가, B-정수가 큰 LaCo계 희토류 천이원소 산화물로 구성되는 것에 의해, 부특성 서미스터 소자의 저항치가 크지 않더라도, 부특성 서미스터 소자의 자기 발열이 억제되고, 정격 전류치를 크게 하는 것이 가능하다.
본 발명에 따른 부특성 서미스터들은, 전자 복사기에 일체로 되면 유용하다. 정착 공정에서, 전자 복사기들은 종이에 카본들을 정착시키는 열 롤러를 사용한다. 활로겐 램프가 열 롤러의 열원으로서 통상적으로 사용되고, 전류는 정착 공정동안 스위치-온 및 스위치-오프된다. 부특성 서미스터는, 상기 회로가 스위치-온 되면, 돌입 전류에 의한 상기 활로겐 램프의 파괴를 방지하기 위하여 상기 활로겐 램프 및 전원 사이에 직렬로 삽입된다. 이러한 응용에서, 본원 발명의 부특성 서미스터들은, 돌입 전류를 억제하는 능력을 개선하기 위해 특히 유용하다.

Claims (16)

  1. 한 쌍의 주면들, 및 상기 한 쌍의 주면들 사이에 연장된, 서로 대향하는 한쌍의 측면 상에 형성된 전극들을 갖는 평면 부특성(NTC) 서미스터 소자;
    상기 전극들 중 서로 다른 전극에 각각 전기적으로 접속된 전원-공급 단자들; 및
    상기 부특성 서미스터 및 상기 전원-공급 단자들이 수납되는 내벽들을 가진 케이스로서, 상기 부특성 서미스트 소자의 상기 주면들 중 적어도 하나가 상기 케이스의 상기 내벽들 중 대응하는 하나에 면 접촉(surface-to-surface contact)되고 있는 케이스;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 부특성 서미스터.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 평면 부특성 서미스터 소자가 다각형인 것을 특징으로 하는 부특성 서미스터.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 평면 부특성 서미스터 소자가 사각형인 것을 특징으로 하는 부특성 서미스터.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 평면 부특성 서미스터 소자가 희토류 천이원소 산화물(oxide of a rare earth transition metal)을 포함하는 것을 특징으로 하는 부특성 서미스터.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 희토류 천이원소 산화물이 LaCo계 희토류 천이원소 산화물인 것을 특징으로 하는 부특성 서미스터.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 전원-공급 단자들이 Cu 금속계 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 부특성 서미스터.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 금속 재료가 Cu-Ti계 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 부특성 서미스터.
  8. 제 1항에서, 상기 케이스가 세라믹 재료로 만들어지는 것을 특징으로 하는 부특성 서미스터.
  9. 전자 복사기용 회로 소자로서, 상기 회로 소자는;
    (a) 전원 장치;
    (b) 히터용 전기 열원; 및
    (C)상기 전원 장치와 상기 열원 사이에 직렬 접속된 부특성 서미스터로서, 상기 부특성 서미스터가,
    한 쌍의 주면들, 및 상기 한 쌍의 주면들 사이에 연장된, 서로 대향하는 한쌍의 측면 상에 형성된 전극들을 갖는 평면 부특성 서미스터 소자;
    상기 전극들 중 서로 다른 전극에 각각 전기적으로 접속된 전원-공급 단자들; 및
    상기 부특성 서미스터 및 상기 전원-공급 단자들이 수납되는 내벽들을 가진 케이스로서, 상기 부특성 서미스트 소자의 상기 주면들 중 적어도 하나가 상기 케이스의 상기 내벽들 중 대응하는 하나에 면 접촉되고 있는 케이스;를 포함하는 부특성 서미스터;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 소자.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 평면 부특성 서미스터가 다각형인 것을 특징으로 하는 회로 소자.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 평면 부특성 서미스터가 사각형인 것을 특징으로 하는 회로 소자.
  12. 제 9항에 있어서, 상기 평면 부특성 서미스터 소자가 희토류 천이원소 산화물인 것을 특징으로 하는 회로 소자.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 희토류 천이원소 산화물이 LaCo계 희토류 천이원소 산화물인 것을 특징으로 하는 회로 소자.
  14. 제 9항에 있어서, 상기 전원-공급 단자들이 Cu계 금속 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 소자.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 금속 재료가 Cu-Ti계 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 소자.
  16. 제 9항에 있어서, 상기 케이스가 세라믹 재료로 만들어지는 것을 특징으로 하는 회로 소자.
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