JP2000150116A - セラミックヒ―タ - Google Patents

セラミックヒ―タ

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JP2000150116A
JP2000150116A JP22717599A JP22717599A JP2000150116A JP 2000150116 A JP2000150116 A JP 2000150116A JP 22717599 A JP22717599 A JP 22717599A JP 22717599 A JP22717599 A JP 22717599A JP 2000150116 A JP2000150116 A JP 2000150116A
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JP
Japan
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alumina
ceramic heater
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ceramic
heater
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JP22717599A
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Makoto Shirai
白井  誠
Masayuki Kobayashi
正幸 小林
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Denso Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 優れた耐久性を維持しつつ,高い発熱特性が
得られるセラミックヒータを提供すること。 【解決手段】 アルミナを主成分とするセラミック基板
11〜13と,セラミック基板11〜13上に設けら
れ,タングステン又はモリブデンの少なくとも1種と,
7μm以下の平均粒径を有するアルミナとを含有する原
料成分を焼成してなる発熱体2とを有する。発熱体2の
原料成分は,電気伝導性を有する導体成分全体を100
重量%とした場合に,1〜50重量%のアルミナを含有
していることが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【技術分野】本発明は,例えば内燃機関用のガスセンサ
の加熱用に用いられるセラミックヒータに関する。
【0002】
【従来技術】内燃機関用のガスセンサ8は,後述する図
4に示すごとく,例えばコップ状の固体電解質素子80
を用い,測定ガスに曝される外側には測定電極801
を,その内側には基準電極802をそれぞれ設けてガス
感知部800を構成してなる。このガス感知部800
は,高温で活性化することによりガス感知能が生じる。
そのため,通常,早期にガス感知能を得るために,ガス
感知部800の加熱用としてセラミックヒータ1を上記
固体電界質素子80内に挿入している。
【0003】また,このとき,セラミックヒータ1は,
ガス感知性能の観点から,加熱すべき位置は,固体電界
質に設けられた測定電極の測定位置のみでよい。例え
ば,図4に示すごとき形式のガスセンサ8においては,
固体電界質素子81の先端部のみを加熱すれば,効率よ
くガス感知をすることができる。そのため,セラミック
ヒータ1には,所望位置,例えば先端部のみを重点的に
加熱する(発熱密度を高くする)ことが求められる。ま
た,セラミックヒータは,ガスセンサに要求される特
性,固体電界質の大きさ,流通するガス量等により決定
される必要発熱量や,通電回路,電流供給源の容量等を
考慮して,ヒータ抵抗値が設計される。
【0004】ここで,従来用いられていたセラミックヒ
ータは,発熱体を設けたシートを丸棒に巻き付けた丸棒
タイプである。そのため,発熱体を設けるシートの表面
積を広くすることができ,所望のヒータ抵抗値を有する
発熱密度の高い発熱体のパターン設計を比較的自由に行
うことができる。ところが,特開平7−35723号公
報等に示される角板タイプのヒータは,発熱体を形成す
る面積が狭いため,特にヒータ抵抗値を高くすることが
要求された場合,発熱体の設計自由度が非常に狭くな
る。
【0005】ヒータ抵抗値を高くする方法としては,以
下の〜の方法がある。 発熱体のパターン線幅・膜厚を小さくする。 発熱長さを長くする。 発熱体材料の比抵抗又は抵抗率を増加させる。
【0006】の場合,通常,発熱体はマイグレーショ
ン等高温条件下において生じる消耗により消耗するが,
この消耗によるダメージが大きくなり,耐久性が低下す
る。の場合,発熱密度の高い部分が広がった発熱分布
となるので,ガスセンサの固体電界質の先端を有効に加
熱することができず,所望のヒータ供給電力で固体電界
質先端部の温度を上げることができない。また,仮に供
給電力を増加させて固体電界質先端部の温度を上げよう
とした場合,発熱部からの伝熱によりヒータ電極部の温
度が上昇するので,電極部の耐久性の観点より好ましく
ない。
【0007】また,上記の場合の例としては,発熱体
の成分としてセラミック基材と同組成か,あるいはSi
2,MgO等の焼成助材を添加することが知られてい
る。しかしながら,多少なりともイオン化の原因となる
成分を含有するため,高温時には発熱体中のイオン化し
易い成分が電界により低電位方向へ移動する。すなわ
ち,マイグレーションが発生することにより低電位側の
低温部で酸化物等が蓄積し,この部分の抵抗値が増加す
ることによって発熱体の断線が生じるという問題があ
る。このように,従来の積層型のヒータにおいては,所
望の耐久性を維持しながら高い発熱特性を得ることは困
難であった。
【0008】本発明は,かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので,優れた耐久性を維持しつつ,高い発熱特
性が得られるセラミックヒータを提供しようとするもの
である。
【0009】
【課題の解決手段】請求項1に記載の発明は,アルミナ
を主成分とするセラミック基板と,該セラミック基板上
に設けられ,タングステン又はモリブデンの少なくとも
1種と,7μm以下の平均粒径を有するアルミナとを含
有する原料成分を焼成してなる発熱体とを有することを
特徴とするセラミックヒータにある。
【0010】本発明において最も注目すべきことは,上
記発熱体は,平均粒径が7μm以下という特定の平均粒
径を有するアルミナを原料成分に加えていることであ
る。上記アルミナ(Al)の平均粒径が7μmを
超える場合には,局部的に非常に高い抵抗値を有する部
分が生じ,局部発熱により断線するおそれがある。一
方,上記平均粒径が小さすぎる場合には,アルミナが発
熱体中において凝集して均一に分散しにくくなり,局部
的な高抵抗値部分を生ずるおそれがある。そのため,上
記平均粒径の下限値は,0.2μmであることが好まし
い。
【0011】次に,本発明の作用効果につき説明する。
本発明においては,上記のごとく,発熱体の原材料とし
て上記特定の平均粒径を有するアルミナを含有してい
る。そのため,上記原材料を焼成して得られる発熱体
は,アルミナを含有していない場合よりも電気的な抵抗
値を上昇させることができる。
【0012】一方,従来においてアルミナを添加した問
題であった局部的な高抵抗値部分の形成であるが,この
原因は発熱体に添加したアルミナ粒子自体が絶縁体とな
ることによりこの粒子付近のパス抵抗が増加する現象で
ある。一般的なセラミックヒータでは発熱体パターン形
成時の欠陥,高温での使用時に凝集により発生する欠陥
を防止するために発熱体の膜厚を10μm以上,好まし
くは20μm程度が必要なことが知られている。本発明
では上記特定の範囲(7μm以下)に限定しているので
上述の範囲のセラミックヒータでは局部的な高抵抗の発
生を充分防止することができる。
【0013】それ故,本発明において得られる発熱体
は,優れた耐久性を維持したまま高い抵抗値を得ること
ができる。また,このような高抵抗の発熱体を用いるこ
とにより,面積の狭いセラミック基板上における発熱体
の形成パターンの自由度(設計の自由度)を大幅に向上
させることもできる。
【0014】このように,本発明によれば,優れた耐久
性を維持しつつ,高い発熱特性が得られるセラミックヒ
ータを提供することができる。
【0015】次に,請求項2に記載の発明のように,上
記発熱体の上記原料成分は,電気伝導性を有する導体成
分全体を100重量%とした場合に,1〜50重量%の
アルミナを含有していることが好ましい。アルミナの添
加量が1重量%未満の場合には,アルミナ添加による抵
抗値上昇の効果があまり得られないという問題がある
他,発熱体とセラミック基材との界面の焼結性が低下す
るため密着性が悪化し,セラミック基材と発熱体との界
面に隙間が発生し易くなる。一体焼成後に発生した隙間
部にメッキ・洗浄液が侵入すると隙間部が破損し易くな
る。その他にも,発熱体の大気への暴露により発熱時に
酸化断線,また,セラミック基材への熱拡散が妨げられ
ることにより発熱体温度が上昇し,著しいヒータ寿命の
低下が発生する。一方,アルミナの添加量が50重量%
を超える場合には,発熱体中に占める絶縁体の体積割合
が非常に大きくなるため,局部的な高抵抗値部分の形成
の確率が増加して局部発熱により著しくヒータ寿命が低
下するという問題がある。
【0016】また,請求項3に記載の発明のように,上
記発熱体の導体成分には,レニウムが30重量%以下含
有されていることが好ましい。レニウムの添加は,発熱
体の耐酸化性を向上させる効果が得られるので添加する
ことが好ましい。一方,30重量%以上のレニウムの添
加は,タングステン又はモリブデンを中心として構成さ
れる導体成分へのレニウムの固溶限の関係から,レニウ
ムが十分に固溶せずに組織的に不安定となるという問題
がある。なお,レニウムによる耐酸化性向上のために
は,0.5重量%以上の添加が好ましい。
【0017】それ故,本発明において得られる発熱体
は,優れた耐久性を維持したまま高い抵抗値を得ること
ができる。このように,本発明によれば,優れた耐久性
を維持しつつ,高い発熱特性が得られるセラミックヒー
タを提供することができる。
【0018】次に,請求項4に記載の発明のように,上
記セラミック基板は,アルミナの含有量が92重量%以
下であることが好ましい。セラミック基板のアルミナ含
有量が92重量%を超える場合には,金属端子部のセラ
ミック基板との接合強度を確保するにあたり金属成分以
外にセラミック材料を添加することが必要となるので,
外部リード線とのろう付接合性が悪くなるという問題が
ある。なお,アルミナ含有量の下限値は,ヒータ寿命の
観点より90重量%であることが好ましい。
【0019】また,請求項5に記載の発明のように,上
記セラミックヒータは,ガスセンサ素子の加熱用に使用
することができる。この場合には,特に,上記作用効果
を有効に発揮させることができる。また,請求項6に記
載の発明のように,上記セラミックヒータは,コップ状
の固体電解質素子内に挿入配置することもできる。即
ち,コップ状の固体電解質素子を有するタイプのガスセ
ンサにおいても上記構成のセラミックヒータを用いるこ
とにより,優れた耐久性等を得ることができる。
【0020】
【発明の実施の形態】実施形態例1 本発明の実施形態例にかかるセラミックヒータにつき,
図1〜図3を用いて説明する。本例のセラミックヒータ
1は,アルミナを主成分とするセラミック基板11と,
該セラミック基板11上に設けられ,タングステン又は
モリブデンの少なくとも1種と,7μm以下の平均粒径
を有するアルミナとを含有する原料成分を焼成してなる
発熱体2とを有する。
【0021】以下,これを詳説する。本例のセラミック
ヒータ1は,図1,図2に示すごとく,積層型の角板タ
イプであって,第1〜第3の3枚のセラミック基板11
〜13を積層すると共に各セラミック基板の間に発熱体
2を配設してなる本体部10を有する。また,各発熱体
2は,図3に示すごとく,電圧の印加により発熱する発
熱部21と,これに電力を供給するリード部22とより
構成されている。そして,この発熱体2としては,上記
のごとく,その出発原料の原料成分に平均粒径7μm以
下のアルミナを用いた。
【0022】また,各リード部への電気的導通は,図1
(b),図2に示すごとく,セラミック基板11〜13
に設けたスルーホール41〜44に充填したスルーホー
ル導体5を介して行う。また,スルーホール41〜44
の開口部には,金属端子部6を設け,これにろう材75
を用いて外部リード線7を接続してある。そのため,発
熱体2の発熱部21への電流導入経路は,外部リード線
7,金属端子部6,スルーホール導体5,リード部2
2,発熱部21という順に形成される。なお,図1
(b)に示すごとく,外部リード線7の接続部分には,
Niメッキ78を施してある。
【0023】次に,上記セラミックヒータ1の製造手順
について,図3を用いて説明する。セラミックヒータ1
を製造するに当たっては,まず,上記セラミック基板の
成分組成となるように,Al,SiO,Ca
O,MgO,ZrOの原料粉末を準備し,これを用い
てスラリーを作製する。また,これら原料の配合は,得
られるセラミック基板11〜13が,Al:9
0.7重量%,SiO:6.1重量%,CaO:1.
0.5重量%,MgO:0.6重量%,ZrO:1.
1重量%の成分組成となる割合で行った。
【0024】次いで,上記スラリーをドクターブレード
法によって処理し,グリーンシートを成形した。次い
で,該セラミックシートに打ち抜きプレスを施し,厚み
0.31mmの第1,第3セラミック基板11,13用
のグリーンシート101と,厚み1.38mmの第2セ
ラミック基板12用のグリーンシート102を作製し
た。また,各グリーンシート101,102には,スル
ーホール41〜44を設けた。なお,これらのグリーン
シート101,102の作製は,押出成形法等により行
うこともできる。
【0025】次いで,各スルーホール41〜44には,
スルーホール導体5を圧入した。具体的には,上記成分
組成となるように調整したスルーホール用ペーストを作
製し,これを各スルーホール41〜44に圧入した。
【0026】次に,発熱体2の原料成分を用いて発熱体
用ペーストを作製した。具体的な成分としては,タング
ステン(W)75重量%とレニウム(Re)25重量%
よりなる導体成分と,これらを100重量%とした場
合,その外に5重量%のアルミナを添加して発熱体用ペ
ーストを作製した。また,添加したアルミナの平均粒径
は1.2μmとした。
【0027】そして,図3(a)に示すごとく,この発
熱体用ペーストを第1,第3のセラミック基板11,1
3となるグリーンシート101の一方の面にそれぞれ印
刷し,発熱部21及びリード部22よりなる発熱体2を
複数形成した。また,上記第1,第3のセラミック基板
11,13となるグリーンシート101には,図3
(a)に示すごとく,上記発熱体2を設けた面の反対面
に,金属端子部形成用の端子部用ペーストを印刷し,金
属端子部6を複数設けた。この金属端子部形成用の端子
部用ペーストとしては,Wを主成分とした導電性ペース
トを用いた。なお,この導電性ペーストは,上記発熱体
2の場合と同じ成分でもよいし,異なる成分でもよい。
【0028】次に,2枚のグリーンシート101の金属
端子部6をそれぞれ外方にして向かい合わせ,これらの
間にグリーンシート102を挟んで積層した。その後,
この積層体を焼成して中間体を作製した。また上記焼成
は,上記積層体をN及びH ガスよりなる還元雰囲気
において,1400〜1600℃の温度に加熱すること
により行った。
【0029】次いで,図3(b)に示すごとく,上記中
間体の複数の金属端子部6に外部リード線7をろう材7
5により接合した。接合は,ろう材75と外部リード線
7を金属端子部6上に配置して,1000〜1200℃
の温度に加熱することにより行った。次に,外部リード
線7の接合部分の最外表面はNiメッキ8により被覆し
た(図1(b)参照)。
【0030】次いで,図3(c)に示すごとく,上記中
間体を切断してセラミックヒータ1を個片化した。その
後,セラミックヒータ1の先端部を研磨装置を使用して
所望形状に研磨した。これにより,図1に示すごときセ
ラミックヒータ1が得られた。
【0031】次に,本例の作用効果につき説明する。本
例のセラミックヒータ1においては,上記のごとく,発
熱体2の原材料として上記特定の平均粒径を有するアル
ミナを含有している。そのため,得られる発熱体2は,
アルミナを含有していない場合よりも電気的な抵抗値を
適度に上昇させることができる。一方,添加したアルミ
ナの平均粒径は1.2μm(7μm以下)である。その
ため,従来問題であった局部的な高抵抗値部分の形成を
十分に防止することができ,アルミナ添加による耐久性
の劣化を回避することができる。
【0032】それ故,本例において得られる発熱体2
は,優れた耐久性を維持したまま高い抵抗値を得ること
ができる。したがって,本例のセラミックヒータ1は,
優れた耐久性を維持しつつ,高い発熱特性を有するもの
となる。
【0033】なお,上記実施形態例においては,アルミ
ナの平均粒径が1.2μmのものを例としてあげたが,
本願発明はこれに限定されるものではない。本願発明
は,後述するごとく,アルミナの平均粒径が7μm以下
であれば,アルミナ粒子を十分に発熱体中において均一
に分散させることができ,耐久性に優れたセラミックヒ
ータを提供することができる。
【0034】なお,本実施形態例においては,アルミナ
添加量を10重量%以下の例を示したが,本願発明は,
これに限定されるものではない。本願発明は,後述する
ごとく,アルミナの添加量が50重量%以下であれば,
耐久性に優れたセラミックヒータを提供できるものであ
る。
【0035】実施形態例2 本例においては,実施形態例1におけるセラミックヒー
タの耐久性試験を行った。即ち,表1に示すごとく,上
記アルミナの粒径,添加量を変更した本発明品E11〜
E53と,比較のための従来品C2を準備し,通電試験
を行った。本発明品は,いずれも7μm以下の平均粒径
を有するアルミナを含有している。一方,従来品C2は
アルミナを含有するがその粒径が7μmを超える10μ
mのものである。その他は実施形態例1と同様である。
【0036】通電試験は,試験による抵抗値変化が生じ
ても設定した試験温度を保持できるように投入電圧を自
動的に変更できる装置を使用し,試験温度を一定に保つ
という条件により行った。そして,試験開始直後の初期
抵抗値を基準として,抵抗値変化が±10%以上となる
までの時間を耐久時間とした。また,試験温度は,12
00℃,1150℃,1100℃という3種類の温度と
した。
【0037】試験結果を表1に示す。表1より知られる
ごとく,本発明品E11〜E53は,いずれも従来品C
2よりも優れた耐久性を示した。以上の結果から,アル
ミナ粒径が7μm以下であれば,アルミナ粒子を十分に
発熱体中において均一に分散させることができ,耐久性
に優れたセラミックヒータを提供することができるとい
うことがわかる。また,アルミナの添加量についても,
これが50重量%以下であれば,耐久性に優れたセラミ
ックヒータを提供することができるということもわか
る。
【0038】
【表1】
【0039】実施形態例3 本例は,図4に示すごとく,スルーホールを有していな
い積層型のセラミックヒータ100における例である。
即ち,図4(b)に示すごとく,リード部22を本体部
10の側面15側に露出させ,これに直接金属端子部6
及び外部リード線7を設けた例である。したがって,本
例のセラミックヒータ100は,スルーホール及びスル
ーホール導体を有していない。その他は実施形態例1と
同様である。
【0040】この場合においても,発熱体2の原料成分
を実施形態例1と同様にして,上記特定の平均粒径を有
するアルミナを添加してある。そのため,実施形態例1
と同様の作用効果が得られる。
【0041】実施形態例4 本例は,図5に示すごとく,実施形態例1におけるセラ
ミックヒータ1をガスセンサ(酸素センサ)8における
ガスセンサ素子の加熱用に使用した例である。ガスセン
サ8は,ハウジング81内に内蔵された酸素センサ素子
としての固体電界質素子80を有している。この固体電
界質素子80はコップ状の形状を有しており,その内部
に上記セラミックヒータ1が挿入配置されている。
【0042】なお,図5における,符号82は被測定ガ
ス室であり,これを加工用に2重のカバー83,84を
設けてある。また,ハウジング81の上方には,大気側
カバー85が配設されており,その上端からはリード線
88が突出している。また,リード線88と大気側カバ
ー85との間の間隙には,弾性絶縁部材87が充填され
ている。本例のガスセンサ8においては,上記セラミッ
クヒータの優れた加熱性能および耐久性によって,正確
なガス検出性能を長期にわたり維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態例1における,(a)セラミックヒー
タの斜視図,(b)A−A線矢視断面図。
【図2】実施形態例1における,セラミックヒータの展
開斜視図。
【図3】実施形態例1における,セラミックヒータの製
造手順を示す説明図。
【図4】実施形態例3における,(a)セラミックヒー
タの斜視図,(b)A−A線矢視断面図。
【図5】実施形態例3における,ガスセンサの構成を示
す説明図。
【符号の説明】
1...セラミックヒータ, 2...発熱体, 21...発熱部, 22...リード部, 41〜44...スルーホール, 5...スルーホール導体, 6...金属端子部, 7...外部リード線, 8...ガスセンサ,

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アルミナを主成分とするセラミック基板
    と,該セラミック基板上に設けられ,タングステン又は
    モリブデンの少なくとも1種と,7μm以下の平均粒径
    を有するアルミナとを含有する原料成分を焼成してなる
    発熱体とを有することを特徴とするセラミックヒータ。
  2. 【請求項2】 請求項1において,上記発熱体の上記原
    料成分は,電気伝導性を有する導体成分全体を100重
    量%とした場合に,1〜50重量%のアルミナを含有し
    ていることを特徴とするセラミックヒータ。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2において,上記発熱体の
    導体成分には,レニウムが30重量%以下含有されてい
    ることを特徴とするセラミックヒータ。
  4. 【請求項4】 請求項1〜3のいずれか1項において,
    上記セラミック基板は,アルミナの含有量が92重量%
    以下であることを特徴とするセラミックヒータ。
  5. 【請求項5】 請求項1〜4のいずれか1項において,
    上記セラミックヒータは,ガスセンサ素子の加熱用に使
    用することを特徴とするセラミックヒータ。
  6. 【請求項6】 請求項5において,上記セラミックヒー
    タは,コップ状の固体電解質素子内に挿入配置されるこ
    とを特徴とするセラミックヒータ。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2005117493A1 (ja) * 2004-05-27 2008-04-03 京セラ株式会社 セラミックヒータとそれを用いた酸素センサ及びヘアアイロン

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JPWO2005117493A1 (ja) * 2004-05-27 2008-04-03 京セラ株式会社 セラミックヒータとそれを用いた酸素センサ及びヘアアイロン

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