CN205016317U - 可回流焊的正温度系数电路保护器件 - Google Patents

可回流焊的正温度系数电路保护器件 Download PDF

Info

Publication number
CN205016317U
CN205016317U CN201520458963.6U CN201520458963U CN205016317U CN 205016317 U CN205016317 U CN 205016317U CN 201520458963 U CN201520458963 U CN 201520458963U CN 205016317 U CN205016317 U CN 205016317U
Authority
CN
China
Prior art keywords
face profile
joint portion
chip
ptc
protection device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201520458963.6U
Other languages
English (en)
Inventor
胡成
苗传荣
陈建华
傅英松
卜建明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Li Tao Electronics Co., Ltd.
TE Connectivity Corp
Original Assignee
Raychem Electronics Shanghai Ltd
Tyco Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Raychem Electronics Shanghai Ltd, Tyco Electronics Corp filed Critical Raychem Electronics Shanghai Ltd
Priority to CN201520458963.6U priority Critical patent/CN205016317U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN205016317U publication Critical patent/CN205016317U/zh
Priority to PCT/CN2016/087865 priority patent/WO2017000897A1/zh
Priority to KR1020177037796A priority patent/KR20180021738A/ko
Priority to JP2017568438A priority patent/JP2018519670A/ja
Priority to US15/739,928 priority patent/US20180268969A1/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H01C1/144—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals or tapping points being welded or soldered
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H01C1/1406—Terminals or electrodes formed on resistive elements having positive temperature coefficient
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/02—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess current
    • H02H9/026—Current limitation using PTC resistors, i.e. resistors with a large positive temperature coefficient

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

本实用新型提供了一种可回流焊的正温度系数电路保护器件，其包括：导电的片状上端子，其由第一芯片结合部、第一电路结合部和它们之间的连接部组成，其中第一芯片结合部具有第一平面轮廓；导电的片状下端子，其包括具有第二平面轮廓的第二芯片结合部；夹在片状上端子和片状下端子之间并且通过焊锡分别与第一芯片结合部的下表面及第二芯片结合部的上表面结合的正温度系数芯片，其具有第三平面轮廓，其中：第一平面轮廓和第二平面轮廓在第三平面轮廓的内部，并且第三平面轮廓具有未被第一平面轮廓和/或第二平面轮廓覆盖的部分，以允许所述正温度系数芯片具有自由热膨胀空间。该器件可以减小在保护状态下器件内部导致器件失效的由高温热膨胀引起的应力。

Description

可回流焊的正温度系数电路保护器件
技术领域
本实用新型涉及电气器件，尤其涉及一种可回流焊的正温度系数器件。
背景技术
正温度系数(PositiveTemperatureCoefficient，PTC)芯片广泛应用于电路保护。PTC芯片在正常工作状态时具有低电阻。一旦电路中电流过大，PTC芯片将发热并升温。当超过一定温度后，其电阻急剧增加，达到绝缘体状态，从而切断电路。PTC芯片由此起到保护电路的作用。
常见地，PTC芯片器件的构造为简单的层状结构：在PTC芯片的两侧焊接有完全覆盖它的片状导电端子。在使用中，通过在将两个片状导电端子焊接至电路中(例如电路板上)，来将PTC芯片器件安装至电路中。
图1显示了现有技术的一种PTC电路保护器件的示意图。如图1所示，PTC芯片3被夹在导电的上端子1和下端子2之间，通过焊锡(未示出)与上端子1及下端子2结合，实现串行连接。上端子1具有外延的弯曲的结合部103，以及电路结合部105。当安装时，下端子2和上端子1的电路结合部105回流焊至电路中，如电路板上。上端子1和下端子2将PTC芯片3完全覆盖。
图1所示的现有技术的PTC电路保护器件虽然构造简单易行，但存在如下问题。首先，当处于保护状态(即高温状态)时，PTC芯片处于高温，并且将发生热膨胀。但是，完全覆盖PTC芯片的片状导电端子牢固焊接在电路上，难以变形，因此大大限制了PTC芯片热膨胀的空间，并且因此在器件内产生很大的内应力。该应力可能导致PTC芯片发生物理破坏从而烧毁，也可能导致电路结合部105与电路之间的焊接松脱等，从而对电路即电子装置的可靠性产生影响。这在PTC芯片是聚合物正温度系数(PolymericPositiveTemperatureCoefficient，PPTC芯片的情况下尤其严重。总之，在存在热膨胀的情况下，如果使用常规的PTC芯片器件的构造，产生的大应力使得产品可靠性大受影响。其次，在PTC芯片器件的制造中，通常使用回流焊将片状导电端子焊接至PTC芯片，而当将制成的芯片器件安装至电路中时，也通常使用回流焊技术。因此，在类似的回流焊条件(如热风)下，当将图1所示的PTC电路保护器件通过回流焊焊接到电路如电路板上以完成安装时，在上下端子与PTC芯片之间的焊锡会产生再熔融，从而存在锡珠的溢出。由于片状导电端子完全覆盖PTC芯片，溢出的锡珠将向电阻器件的侧面流淌，可能导致两个导电端子之间形成“锡桥”，从而在冷凝后造成端子间短路，影响电路的性能，甚至使PTC芯片器件失效。此外，覆盖PTC芯片的片状上端子与PTC芯片之间的结合力有时不够充分，容易产生剥离。
因此，需要一种改进的正温度系数电路保护器件结构，其能够减轻PTC芯片的热膨胀对器件可靠性的不利影响，同时还可以防止在安装该器件的回流焊期间产生“锡桥”。
实用新型内容
为了解决以上问题，本实用新型提供了以下技术方案。
[1]一种正温度系数电路保护器件，所述正温度系数电路保护器件包括：
导电的片状上端子，所述片状上端子由第一芯片结合部、第一电路结合部和它们之间的连接部组成，其中所述第一芯片结合部具有第一平面轮廓；
导电的片状下端子，所述片状下端子包括第二芯片结合部，其中所述第二芯片结合部具有第二平面轮廓；
夹在所述片状上端子和片状下端子之间并且通过焊锡分别与所述第一芯片结合部的下表面及所述第二芯片结合部的上表面结合的正温度系数芯片，所述正温度系数芯片具有第三平面轮廓，
其特征在于：
所述第一平面轮廓和第二平面轮廓在所述第三平面轮廓的内部，并且所述第三平面轮廓具有未被所述第一平面轮廓和/或第二平面轮廓覆盖的部分，以允许所述正温度系数芯片具有自由热膨胀空间。
[2]根据[1]所述的正温度系数电路保护器件，其特征在于
所述第三平面轮廓未被所述第一平面轮廓覆盖的部分的面积至少为所述第三平面轮廓面积的20％，
和/或
所述第三平面轮廓未被所述第二平面轮廓覆盖的部分的面积至少为所述第三平面轮廓面积的20％。
[3]根据[1]所述的正温度系数电路保护器件，其特征在于所述第三平面轮廓未被所述第一平面轮廓覆盖的部分和未被所述第二平面轮廓覆盖的部分是错开的。
[4]根据[1]所述的正温度系数电路保护器件，其特征在于
在所述第一平面轮廓和第三平面轮廓的边缘之间具有防溢间隙，和/或，在所述第二平面轮廓和第三平面轮廓的边缘之间具有防溢间隙。
[5]根据[1]所述的正温度系数电路保护器件，其特征在于
所述第一芯片结合部和/或第二芯片结合部具有通孔。
[6]根据[5]所述的正温度系数电路保护器件，其特征在于
第一芯片结合部具有多个通孔，优选三个以上通孔。
[7]根据[1]所述的正温度系数电路保护器件，其特征在于所述连接部的两侧边缘具有凹口。
[8]根据[1]所述的正温度系数电路保护器件，其特征在于所述连接部是弯曲的，使得所述第一电路结合部的下表面与所述第二芯片结合部的下表面基本上处于同一平面内。
[9]根据[1]所述的正温度系数电路保护器件，其特征在于所述片状下端子还包括从所述第二芯片结合部外延的电路结合部。
附图说明
图1是现有技术的一种PTC电路保护器件的示意图。
图2A至图2C是显示根据本实用新型的一个实施方案的PTC电路保护器件的外观图。
图3是显示了上端子与PTC芯片之间的结合力与片状上端子中的通孔之间的关系的箱线图。
具体实施方式
下面结合附图，详细说明根据本实用新型的一些实施方案。
图2A至图2C显示根据本实用新型的一个实施方案的PTC电路保护器件的外观图。图2A是从上方的俯视图。图2B是侧视图。图2C是从下方的仰视图。其中，上下端子为导电材料，如金属，例如，镍、铜、镀锡的铜、不锈钢、镀铜的不锈钢。片状端子的厚度通常为0.05mm-0.5mm。PTC芯片可以是PPTC芯片。尽管所示的外观是基本上矩形的，但在不影响本实用新型效果的前提下，可以任选地使用任何形状的端子和芯片材。
图2A显示了，上端子1具有电路结合部105、与PTC芯片结合的部分(称为第一芯片结合部101)，第一芯片结合部101上具有通孔505，以及电路结合部105与第一芯片结合部101之间的连接部103。
第一芯片结合部101的平面轮廓(称为第一平面轮廓)在PTC芯片的轮廓(称为第三平面轮廓)之内。或者说，第一平面轮廓小于第三平面轮廓，并与第三平面轮廓的边缘具有空隙。其中，例如在第三平面轮廓的一端，有一块较大的区域501未被第一平面轮廓所覆盖。该区域501由于未受到上端子1的第一芯片结合部101在空间上的限制，因此在高温时可以自由膨胀，从而不会产生过高的内应力。为了达到较佳的降低应力的效果，区域501优选占第三平面轮廓面积的比例＞20％，更优选＞25％，并且优选＜50％。对区域501的形状，没有特别的规定。
在第一平面轮廓的两侧，与第三平面轮廓的边缘之间存在着间隙503。由于间隙503的存在，当将器件回流焊到电路中时，再融化的器件内的焊锡即使溢出，也将保持在第一平面轮廓周围的PTC芯片上，而不会向侧面溢出进而向下流淌而形成锡桥。能够起到上述作用的间隙在本文中称为“防溢间隙”。
任选地，上端子1的第一芯片结合部101上还可以有任意数量和形状的通孔505，用于容纳溢出的焊锡。在利用回流焊将PTC电路保护器件焊接至电路中时，如果在片状上端子中存在通孔，将有特别有利的效果：上端子与PTC芯片之间的结合力将明显提高。不拘于任何理论，这可能是由于，在上端子与PTC芯片之间的焊锡在回流焊条件下再熔融并进入通孔中，当回流焊结束且焊锡冷凝后，在通孔中形成了焊锡柱。这些焊锡柱一方面增大了焊锡与上端子的粘合面积，一方面起到限制其周围通孔移动的作用，从而总体上提高了上端子与PTC芯片之间的结合力。图3显示了上端子中通孔与结合力之间的关系(90度剥离力vs孔尺寸和数量)。在图中，显示了没有通孔的对照例，以及三个实施例，分别具有一个直径为0.35mm的通孔、一个0.80mm的通孔以及三个0.35mm的通孔。从图中可见，当孔径变大、孔数变多时，结合力明显增大。因此，在可回流焊的正温度系数电路保护器件中，片状上端子中的通孔是特别优选的。
此外，在连接部103处，设置了凹口701。优选地，在连接部两侧对称地设置凹口701。凹口的存在使得在该部分片状上端子变窄，具有较其他部分为佳的挠性。上端子内由于热膨胀产生的应力使凹口处的连接部发生较大的弹性变形，从而减缓了热膨胀引起的片状上端子的其他部分的受力，也减缓了从电路板经由上端子向PTC芯片施加的反作用力，从而保护了PTC芯片、上端子以及电路板。当电路保护器件中没有弯曲的连接部时，也可以设置凹口。但在具有弯曲部的情况下，设置凹口是特别优选的。
图2C显示了，下端子2的与PTC芯片结合的部分(称为第二芯片结合部201)的平面轮廓(称为第二平面轮廓)在PTC芯片的轮廓(称为第三平面轮廓)之内。与上端子类似地，在第三平面轮廓的一端，有一块较大的区域601未被第二平面轮廓所覆盖。该区域601由于基本未受到下端子2的第二芯片结合部201在空间上的限制，因此在高温时可以自由膨胀，从而不会产生过高的内应力。为了达到较佳的降低应力的效果，区域601优选占第三平面轮廓面积的20％，更优选＞25％，并且优选＜50％。对区域601的形状，没有特别的规定。
优选地，不受上下端子限制的区域501和区域601是错开的，从而可以更高效地在不同的部分提供自由膨胀空间。
同样，在第二平面轮廓的两侧，存在着防溢间隙603。当将器件回流焊到电路中时，再融化的器件内的焊锡即使溢出，也将保留在第二平面轮廓周围的PTC芯片下方，而不会向侧面溢出进而向上堆积而形成锡桥。
与上端子1类似地，下端子2的第二芯片结合部201上还可以有任意数量和形状的通孔605，用于容纳溢出的焊锡。
上述构造在PTC芯片是PPTC芯片时尤其有效。
在本实用新型的一个实施例中，PPTC芯片包含PPTC片材，所述PPTC片材包含分散在聚合物中的导电粉末，聚合物和导电粉末的体积比为35∶65至65∶35，其中所述聚合物包括至少一种选自聚烯烃类、至少一种烯烃与至少一种可与其共聚合的非烯烃单体的共聚物和可热成型含氟聚合物的半结晶聚合物，所述导电粉末包括过渡金属碳化物、过渡金属碳硅化物、过渡金属碳铝化物和过渡金属碳锡化物中的至少一种粉末，并且所述导电粉末的尺寸分布满足：20＞D100/D50＞6，其中D50表示一个样品的累计粒度分布百分比达到50％时所对应的粒径，D100表示最大粒径。
在半结晶聚合物中，聚烯烃类包括聚丙烯、聚乙烯(包括高密度聚乙烯、中密度聚乙烯、低密度聚乙烯和线型低密度聚乙烯)、或乙烯和丙烯的共聚物；所述共聚物包括乙烯-醋酸乙烯共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸丁酯共聚物；所述可热成型含氟聚合物包括聚偏氟乙烯，和乙烯/四氟乙烯共聚物等。
导电粉末可以为，例如碳化钛、碳化钨、碳硅化钛、碳铝化钛、碳锡化钛等。碳硅化钛、碳铝化钛、碳锡化钛等具有与碳化钨类似的性质。
上述导电粉末为类球形形状。此处，术语“类球形”包括球形以及与球形类似的形状。
导电粉末的平均颗粒大小可以为0.1至50μm。在一些实施方案中，本发明导电粉末的尺寸满足：D50＜5μm，D100＜50μm。
优选地，为了获得超低的电阻率(低于200μΩ·cm)，导电粉末具有较宽的尺寸分布。优选地，20＞D100/D50＞6，更优选10＞D100/D50。
通过将两种导电粉末混合以满足D100/D50＞6时，也可以得到类似的结论。
另外，由于过渡金属一般具有可变价态，在其碳化物中，可以存在MxC相(M表示过渡金属，x大于1)，这种MxC相的存在会降低碳化物中的总碳含量。以碳化钨(WC)为例，纯WC的理论总碳含量为6.18％，但WC物相中通常含有W2C(W2C是亚稳态相)，WC中含有少量W2C时总碳含量会降低。而在颗粒尺寸分布类似的条件下，具有较低碳含量的碳化物电阻率偏低。例如，碳化钨中碳含量在T.C.＜6.0％时(其中T.C.是以质量计的100％×C/WC)，特别地，T.C.的含量在5.90％左右时可得到低的电阻。而T.C.＞6.0％时，电阻率偏高。因此，优选过渡金属碳化物中的碳含量比纯过渡金属碳化物MC(M为过渡金属元素)的理论总碳含量低一定数值。
优选地，过渡金属碳化物中的碳含量比化学计量比的过渡金属碳化物MC的理论总碳含量低2％至5％，其中M表示过渡金属元素。其中，当导电粉末是碳化钨(WC)时，WC中碳含量T.C.为5.90％至6.00％，其中T.C.是以质量计的100％×C/WC；或当导电粉末是碳化钛(TiC)时，TiC中碳含量T.C.为19.0％至19.5％，其中T.C.是以质量计的100％×C/TiC。
PPTC片材中，为了使导电粉末可以均匀地分散在聚合物中，聚合物与导电粉末的体积比可以为35∶65至65∶35，优选40∶60至60∶40，更优选45∶55至55∶45，即，以大致相等的体积比混合。
PPTC片材可以包含除上述聚合物和导电粉末之外的组分，例如，无机填料或其他聚合物材料，前提是不损害PPTC片材的低电阻和加工性能。
在本实用新型的一个实施例中，PPTC片材在没有处于保护状态(即高温状态)时的电阻率为200μΩ·cm以下。
应当理解，上述实施方案和实施例仅是为了说明本实用新型，而非限制本实用新型的范围。本领域技术人员可以在不脱离本实用新型的精神的前提下进行各种修改和变更。本实用新型的范围由后附的权利要求书限定。

Claims (9)

1.一种正温度系数电路保护器件，所述正温度系数电路保护器件包括：
导电的片状上端子，所述片状上端子由第一芯片结合部、第一电路结合部和它们之间的连接部组成，其中所述第一芯片结合部具有第一平面轮廓；
导电的片状下端子，所述片状下端子包括第二芯片结合部，其中所述第二芯片结合部具有第二平面轮廓；
夹在所述片状上端子和片状下端子之间并且通过焊锡分别与所述第一芯片结合部的下表面及所述第二芯片结合部的上表面结合的正温度系数芯片，所述正温度系数芯片具有第三平面轮廓，
其特征在于：
所述第一平面轮廓和第二平面轮廓在所述第三平面轮廓的内部，并且所述第三平面轮廓具有未被所述第一平面轮廓和/或第二平面轮廓覆盖的部分，以允许所述正温度系数芯片具有自由热膨胀空间。
2.根据权利要求1所述的正温度系数电路保护器件，其特征在于
所述第三平面轮廓未被所述第一平面轮廓覆盖的部分的面积至少为所述第三平面轮廓面积的20％，
和/或
所述第三平面轮廓未被所述第二平面轮廓覆盖的部分的面积至少为所述第三平面轮廓面积的20％。
3.根据权利要求1所述的正温度系数电路保护器件，其特征在于所述第三平面轮廓未被所述第一平面轮廓覆盖的部分和未被所述第二平面轮廓覆盖的部分是错开的。
4.根据权利要求1所述的正温度系数电路保护器件，其特征在于
在所述第一平面轮廓和第三平面轮廓的边缘之间具有防溢间隙，和/或，在所述第二平面轮廓和第三平面轮廓的边缘之间具有防溢间隙。
5.根据权利要求1所述的正温度系数电路保护器件，其特征在于
所述第一芯片结合部和/或第二芯片结合部具有通孔。
6.根据权利要求5所述的正温度系数电路保护器件，其特征在于
第一芯片结合部具有多个通孔。
7.根据权利要求1所述的正温度系数电路保护器件，其特征在于所述连接部的两侧边缘具有凹口。
8.根据权利要求1所述的正温度系数电路保护器件，其特征在于所述连接部是弯曲的，使得所述第一电路结合部的下表面与所述第二芯片结合部的下表面基本上处于同一平面内。
9.根据权利要求1所述的正温度系数电路保护器件，其特征在于所述片状下端子还包括从所述第二芯片结合部外延的电路结合部。
CN201520458963.6U 2015-06-30 2015-06-30 可回流焊的正温度系数电路保护器件 Active CN205016317U (zh)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201520458963.6U CN205016317U (zh) 2015-06-30 2015-06-30 可回流焊的正温度系数电路保护器件
PCT/CN2016/087865 WO2017000897A1 (zh) 2015-06-30 2016-06-30 可回流焊的正温度系数电路保护器件
KR1020177037796A KR20180021738A (ko) 2015-06-30 2016-06-30 리플로우 솔더링이 가능한 정온도 계수 회로 보호 부품
JP2017568438A JP2018519670A (ja) 2015-06-30 2016-06-30 リフローはんだ付け可能な正温度係数電気回路保護部品
US15/739,928 US20180268969A1 (en) 2015-06-30 2016-06-30 Reflow solderable positive temperature coefficient circuit protection device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201520458963.6U CN205016317U (zh) 2015-06-30 2015-06-30 可回流焊的正温度系数电路保护器件

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN205016317U true CN205016317U (zh) 2016-02-03

Family

ID=55214909

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201520458963.6U Active CN205016317U (zh) 2015-06-30 2015-06-30 可回流焊的正温度系数电路保护器件

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20180268969A1 (zh)
JP (1) JP2018519670A (zh)
KR (1) KR20180021738A (zh)
CN (1) CN205016317U (zh)
WO (1) WO2017000897A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017000896A1 (zh) * 2015-06-30 2017-01-05 瑞侃电子(上海)有限公司 可回流焊的正温度系数电路保护器件
WO2017000897A1 (zh) * 2015-06-30 2017-01-05 瑞侃电子(上海)有限公司 可回流焊的正温度系数电路保护器件

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4306217A (en) * 1977-06-03 1981-12-15 Angstrohm Precision, Inc. Flat electrical components
US4414530A (en) * 1981-06-22 1983-11-08 Texas Instruments Incorporated Miniature motor protector apparatus and method for assembling thereof
JPS63166254A (ja) * 1986-12-27 1988-07-09 Nec Corp 半導体装置
TW421413U (en) * 1994-07-18 2001-02-01 Murata Manufacturing Co Electronic apparatus and surface mounting devices therefor
WO1997006537A2 (en) * 1995-08-07 1997-02-20 Philips Electronics N.V. Multiplet ptc resistor
JP2002305101A (ja) * 2001-04-05 2002-10-18 Murata Mfg Co Ltd 表面実装型正特性サーミスタおよびその製造方法
US20030026053A1 (en) * 2001-08-06 2003-02-06 James Toth Circuit protection device
KR101052648B1 (ko) * 2003-05-02 2011-07-28 타이코 일렉트로닉스 코포레이션 회로 보호 장치
US8912876B2 (en) * 2010-06-21 2014-12-16 Koa Corporation Surface mounting varistor
TWM498952U (zh) * 2014-12-05 2015-04-11 Polytronics Technology Corp 過電流保護元件及其保護電路板
CN205016317U (zh) * 2015-06-30 2016-02-03 瑞侃电子(上海)有限公司 可回流焊的正温度系数电路保护器件

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017000896A1 (zh) * 2015-06-30 2017-01-05 瑞侃电子(上海)有限公司 可回流焊的正温度系数电路保护器件
WO2017000897A1 (zh) * 2015-06-30 2017-01-05 瑞侃电子(上海)有限公司 可回流焊的正温度系数电路保护器件
CN106328326A (zh) * 2015-06-30 2017-01-11 瑞侃电子(上海)有限公司 可回流焊的正温度系数电路保护器件

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180021738A (ko) 2018-03-05
WO2017000897A1 (zh) 2017-01-05
JP2018519670A (ja) 2018-07-19
US20180268969A1 (en) 2018-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103797548B (zh) 高分子基导电复合材料及ptc元件
US8044763B2 (en) Surface-mounted over-current protection device
US7701322B2 (en) Surface-mounted over-current protection device
US8558655B1 (en) Positive temperature coefficient polymer composition and positive temperature coefficient circuit protection device
CN1794369B (zh) 改进型高温级高分子ptc热敏电阻器制造方法
KR102044107B1 (ko) 전도성 폴리머 조성물, 전도성 폴리머 시트, 전기 부품 및 이들의 제조 방법
CN102522173B (zh) 电阻正温度效应导电复合材料及过电流保护元件
CN102522172A (zh) 电阻正温度效应导电复合材料及热敏电阻元件
CN104817747A (zh) 聚合物基导电复合材料及过流保护元件
CN205069250U (zh) 一种新型ptc热敏元件
CN104681224A (zh) 大电流过流过温保护元件
CN205016317U (zh) 可回流焊的正温度系数电路保护器件
US9773589B1 (en) PTC circuit protection device
CN106679844A (zh) 高分子ptc温度传感器
CN101026029A (zh) 过电流保护元件
CN104910479A (zh) 聚合物基导电复合材料及电路保护元件
US6806519B2 (en) Surface mountable device
CN106328326A (zh) 可回流焊的正温度系数电路保护器件
CN109215905B (zh) 过电流保护装置
US20160307672A1 (en) Ptc circuit protection device
CN206410798U (zh) 高分子ptc温度传感器
CN106189219A (zh) 一种聚合物基导电复合材料及电路保护元件
CN106898446A (zh) 过电流保护元件
CN1278340C (zh) 一种高分子ptc热敏电阻器及其制造方法
USRE44224E1 (en) Surface-mounted over-current protection device

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: 307 Qinjiang Road, Xuhui District, Shanghai

Co-patentee after: Tailian Corporation

Patentee after: Shanghai Li Tao Electronics Co., Ltd.

Address before: No. 287 Qinjiang Road, Caohejing Development Zone, Shanghai, China, 2003

Co-patentee before: Tyco Electronics Corp.

Patentee before: Raychem Electronics (Shanghai) Co., Ltd.