JPS63166254A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63166254A JPS63166254A JP30903686A JP30903686A JPS63166254A JP S63166254 A JPS63166254 A JP S63166254A JP 30903686 A JP30903686 A JP 30903686A JP 30903686 A JP30903686 A JP 30903686A JP S63166254 A JPS63166254 A JP S63166254A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- stress
- resin package
- semiconductor device
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 29
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 12
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
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- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 abstract 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/306—Lead-in-hole components, e.g. affixing or retention before soldering, spacing means
- H05K3/308—Adaptations of leads
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にリード部の形状を改善
した半導体装置に関する。
した半導体装置に関する。
従来、この種の樹脂封止型半導体装置の外部リードの形
状は、第5図のように樹脂パッケージ11から突出され
るリード部12を太幅の基部13において角度θでまげ
、その先端に細幅の挿入部14を形成した構成となって
いる。そして、半導体装置の実装に際しては、第6図に
示すようにプリントボード21のスルーホール22にリ
ード部12の挿入部14を基部13位置まで差し込んだ
後、半田23によって接続する構成となっている。
状は、第5図のように樹脂パッケージ11から突出され
るリード部12を太幅の基部13において角度θでまげ
、その先端に細幅の挿入部14を形成した構成となって
いる。そして、半導体装置の実装に際しては、第6図に
示すようにプリントボード21のスルーホール22にリ
ード部12の挿入部14を基部13位置まで差し込んだ
後、半田23によって接続する構成となっている。
なお、前記したリード部12における角度θは、最高1
5度程度の角度をもって外側に広がって形成されており
、その実装に際してはリード部12を狭めてプリントボ
ード21のスルーホール22に挿入する方法がとられて
いる。
5度程度の角度をもって外側に広がって形成されており
、その実装に際してはリード部12を狭めてプリントボ
ード21のスルーホール22に挿入する方法がとられて
いる。
上述した従来のリード部12の形状では、プリントボー
ド21に実装されたときに樹脂パッケージ11にストレ
スが直接に到達し、樹脂パッケージ11とリード部12
の密着性を以下のように著しく劣化させる問題が生じて
いる。
ド21に実装されたときに樹脂パッケージ11にストレ
スが直接に到達し、樹脂パッケージ11とリード部12
の密着性を以下のように著しく劣化させる問題が生じて
いる。
すなわち、デュアルインラインパッケージ等の樹脂封止
型半導体装置のリード部12は、前記したように最高1
5度程度の角度をもって外側に広がって形成されている
。そして、この種の半導体装置をプリントボードに実装
するには、リード部12を縮めてプリントボードに挿入
する必要があり、またリード部12は先端の挿入部14
をプリントボードのスルーホールに挿入しているが実際
には大幅の基部13との境部において半田付けされてい
る。このため、リード部12を縮めて挿入したときに、
前記した半田付は部分から樹脂パッケージ11までの間
で発生したストレスは直接樹脂パッケージ11に到達さ
れ、リード部12と樹脂パッケージ11との間に、第6
図に示すように密着性が劣化された部分15が発生する
。
型半導体装置のリード部12は、前記したように最高1
5度程度の角度をもって外側に広がって形成されている
。そして、この種の半導体装置をプリントボードに実装
するには、リード部12を縮めてプリントボードに挿入
する必要があり、またリード部12は先端の挿入部14
をプリントボードのスルーホールに挿入しているが実際
には大幅の基部13との境部において半田付けされてい
る。このため、リード部12を縮めて挿入したときに、
前記した半田付は部分から樹脂パッケージ11までの間
で発生したストレスは直接樹脂パッケージ11に到達さ
れ、リード部12と樹脂パッケージ11との間に、第6
図に示すように密着性が劣化された部分15が発生する
。
また、半導体装置本体や周囲の温度変化によりプリント
ボードの熱膨張や熱収縮等のストレスは同様にリード部
12から樹脂パッケージ11に伝達されることになるた
め、使用環境によっても樹脂パッケージ11とリード部
12との密着の劣化を引き起こす。このような密着性の
劣化が生じると、劣化部分から水分やイオン性不純物等
が侵入し、半導体装置の耐湿性不良を引き起こす問題が
ある。
ボードの熱膨張や熱収縮等のストレスは同様にリード部
12から樹脂パッケージ11に伝達されることになるた
め、使用環境によっても樹脂パッケージ11とリード部
12との密着の劣化を引き起こす。このような密着性の
劣化が生じると、劣化部分から水分やイオン性不純物等
が侵入し、半導体装置の耐湿性不良を引き起こす問題が
ある。
本発明はリード部と樹脂パンケージとの密着性の劣化を
防止して、信頼性の向上を図ることのできる半導体装置
を提供することを目的としている。
防止して、信頼性の向上を図ることのできる半導体装置
を提供することを目的としている。
本発明の半導体装置は、リード部の長さ方向の中間部に
応力吸収部としての切欠部又はハーフエッチ部を有し、
リード部に生じるストレスをこの応力吸収部の変形によ
り形成してリード部から樹脂パッケージへのストレスの
伝達を防止している。
応力吸収部としての切欠部又はハーフエッチ部を有し、
リード部に生じるストレスをこの応力吸収部の変形によ
り形成してリード部から樹脂パッケージへのストレスの
伝達を防止している。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
(第1実施例)
第1図は本発明の第1実施例の斜視図である。
図において、1は図外の半導体素子をリードの一部とと
もに封止した樹脂パッケージ、2はこの樹脂パンケージ
1から突出されるリード部、3は大幅に形成したリード
部2の基部、4はプリントボードのスルーホールに挿入
して実装を行う細幅に形成した挿入部である。そして、
前記リード部2の基部3の長さ方向の略中間位置には、
リード部2の厚さを局部的にしかも全幅に亘って低減さ
せた応力吸収部としてのハーフエッチ部5が設けられて
いる。
もに封止した樹脂パッケージ、2はこの樹脂パンケージ
1から突出されるリード部、3は大幅に形成したリード
部2の基部、4はプリントボードのスルーホールに挿入
して実装を行う細幅に形成した挿入部である。そして、
前記リード部2の基部3の長さ方向の略中間位置には、
リード部2の厚さを局部的にしかも全幅に亘って低減さ
せた応力吸収部としてのハーフエッチ部5が設けられて
いる。
したがって、第2図のように半導体装置をプリントボー
ド21に実装するに際し、リード部2の挿入部をプリン
トボード21のスルーホール22に挿入し半田23付け
する場合、リード部2に応力が生じても、リード部2は
機械的に弱く形成したハーフエッチ部5に応力が集中さ
れてこの部分で折れ曲がるため、第6図に示したような
樹脂パッケージとリードとの間にギャップを生じること
はない。このため、リード部2の角度θを縮めてプリン
トボード21に挿入したとしても樹脂パッケージlとリ
ード部2の密着性の劣化は認られない。また、プリント
ボード21の熱膨張に関しても、ハーフエッチ部5で応
力を吸収するため樹脂パッケージ1へストレスが伝達す
ることはありえない。
ド21に実装するに際し、リード部2の挿入部をプリン
トボード21のスルーホール22に挿入し半田23付け
する場合、リード部2に応力が生じても、リード部2は
機械的に弱く形成したハーフエッチ部5に応力が集中さ
れてこの部分で折れ曲がるため、第6図に示したような
樹脂パッケージとリードとの間にギャップを生じること
はない。このため、リード部2の角度θを縮めてプリン
トボード21に挿入したとしても樹脂パッケージlとリ
ード部2の密着性の劣化は認られない。また、プリント
ボード21の熱膨張に関しても、ハーフエッチ部5で応
力を吸収するため樹脂パッケージ1へストレスが伝達す
ることはありえない。
したがって、リード部2と樹脂パッケージ1との間から
の水分やイオン性不純物等の侵入を防止でき、耐湿性を
改善して半導体装置の信頼性を向上できる。
の水分やイオン性不純物等の侵入を防止でき、耐湿性を
改善して半導体装置の信頼性を向上できる。
(第2実施例)
第3図は本発明の第2実施例の斜視図であり、第1図と
同一部分には同一符号を付しである。
同一部分には同一符号を付しである。
図において、1は樹脂パッケージ、2はリード部であり
、基部3と挿入部4とからなっている。
、基部3と挿入部4とからなっている。
そして、この基部3の長さ方向の中間位置には、基部3
の両側に切欠6を形成し、この切欠6によってこの部分
の幅寸法を前記挿入部4程度にまで低減させて応力吸収
部を形成している。
の両側に切欠6を形成し、この切欠6によってこの部分
の幅寸法を前記挿入部4程度にまで低減させて応力吸収
部を形成している。
したがって、この構成によれば、実施例1と同様に半導
体装置をプリントボード21に実装する際に、第4図に
示すように挿入部4をプリントボード21のスルーホー
ル22に挿入して半田23で接続を行っても、切欠6の
部分で応力が集中されて折れ曲がるため、リード部2と
樹脂パフケージ1との間にストレスが生じない。このた
め、リード部2と樹脂パッケージ1との密着性の劣化が
生じることはなく、またリード部2におけるストレスが
樹脂パッケージ1に到達されることがない等前記第1実
施例と同じ効果が得られる。
体装置をプリントボード21に実装する際に、第4図に
示すように挿入部4をプリントボード21のスルーホー
ル22に挿入して半田23で接続を行っても、切欠6の
部分で応力が集中されて折れ曲がるため、リード部2と
樹脂パフケージ1との間にストレスが生じない。このた
め、リード部2と樹脂パッケージ1との密着性の劣化が
生じることはなく、またリード部2におけるストレスが
樹脂パッケージ1に到達されることがない等前記第1実
施例と同じ効果が得られる。
ここで、応力吸収部としてのハーフエッチ部や切欠の形
状2寸法及び形成位置等は、リードの太さ、材質、長さ
等に応じて適宜変更調整することが好ましい。
状2寸法及び形成位置等は、リードの太さ、材質、長さ
等に応じて適宜変更調整することが好ましい。
以上説明したように本発明は、樹脂パフケージから突出
されるリード部の長さ方向の中間部にノ\−フエソチま
たは切欠等からなる応力吸収部を設けているので、プリ
ントボードに実装された時のリードと樹脂間のストレス
を緩和して両者の密着性の劣化を防止でき、水分やイオ
ン性不純物等の侵入による耐湿性不良を未然に防止する
ことができる効果がある。
されるリード部の長さ方向の中間部にノ\−フエソチま
たは切欠等からなる応力吸収部を設けているので、プリ
ントボードに実装された時のリードと樹脂間のストレス
を緩和して両者の密着性の劣化を防止でき、水分やイオ
ン性不純物等の侵入による耐湿性不良を未然に防止する
ことができる効果がある。
第1図は本発明の第1実施例の要部の斜視図、第2図は
その実装状態を示す断面図、第3図は本発明の第2実施
例の要部の斜視図、第4図はその実装状態を示す断面図
、第5図は従来の半導体装置の一部の斜視図、第6図は
その実装状態におけるストレスの影響を示す断面図であ
る。 1・・・樹脂パッケージ、2・・・リード部、3・・・
基部、4・・・挿入部、5・・・ハーフエッチ部(応力
吸収部)、6・・・切欠部(応力吸収部)、11・・・
樹脂パッケージ、12・・・リード部、13・・・基部
、14・・・挿入部、15・・・密着性劣化部、21・
・・プリントボード、22・・・スルーホール、23・
・・半田。 代理人 弁理士 鈴 木 章5 芙−1”[7,゛、
テ、2゜第1図 第3図
その実装状態を示す断面図、第3図は本発明の第2実施
例の要部の斜視図、第4図はその実装状態を示す断面図
、第5図は従来の半導体装置の一部の斜視図、第6図は
その実装状態におけるストレスの影響を示す断面図であ
る。 1・・・樹脂パッケージ、2・・・リード部、3・・・
基部、4・・・挿入部、5・・・ハーフエッチ部(応力
吸収部)、6・・・切欠部(応力吸収部)、11・・・
樹脂パッケージ、12・・・リード部、13・・・基部
、14・・・挿入部、15・・・密着性劣化部、21・
・・プリントボード、22・・・スルーホール、23・
・・半田。 代理人 弁理士 鈴 木 章5 芙−1”[7,゛、
テ、2゜第1図 第3図
Claims (3)
- (1)樹脂パッケージからリード部を突出形成した半導
体装置において、前記リード部の長さ方向の中間部に応
力吸収部としての切欠部又はハーフエッチ部を形成した
ことを特徴とする半導体装置。 - (2)ハーフエッチ部はリード部の厚さを局部的に低減
させてなる特許請求の範囲第1項記載の半導体装置。 - (3)切欠部はリード部の両側に夫々形成してリード部
の幅寸法を低減させてなる特許請求の範囲第1項記載の
半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30903686A JPS63166254A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30903686A JPS63166254A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63166254A true JPS63166254A (ja) | 1988-07-09 |
Family
ID=17988107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30903686A Pending JPS63166254A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63166254A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0252356U (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-16 | ||
US7361983B2 (en) | 2002-07-26 | 2008-04-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and semiconductor assembly module with a gap-controlling lead structure |
JP2010232598A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | Teikoku Tsushin Kogyo Co Ltd | 電子部品 |
US7961454B2 (en) | 2005-05-18 | 2011-06-14 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Multi-layered solid electrolytic capacitor and method of manufacturing same |
WO2017000897A1 (zh) * | 2015-06-30 | 2017-01-05 | 瑞侃电子(上海)有限公司 | 可回流焊的正温度系数电路保护器件 |
JP2018117019A (ja) * | 2017-01-17 | 2018-07-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5322030A (en) * | 1976-08-03 | 1978-03-01 | Mikijirou Shida | Weed seed collecter for paddy field and collecter used at irrigation water channel |
-
1986
- 1986-12-27 JP JP30903686A patent/JPS63166254A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5322030A (en) * | 1976-08-03 | 1978-03-01 | Mikijirou Shida | Weed seed collecter for paddy field and collecter used at irrigation water channel |
Cited By (7)
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JP2018117019A (ja) * | 2017-01-17 | 2018-07-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
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