JPH05315520A - 表面実装型半導体装置及びそのアウターリードの折り曲げ加工方法 - Google Patents
表面実装型半導体装置及びそのアウターリードの折り曲げ加工方法Info
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- JPH05315520A JPH05315520A JP4117600A JP11760092A JPH05315520A JP H05315520 A JPH05315520 A JP H05315520A JP 4117600 A JP4117600 A JP 4117600A JP 11760092 A JP11760092 A JP 11760092A JP H05315520 A JPH05315520 A JP H05315520A
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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- H05K3/3421—Leaded components
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】複数のインナーリード３、これらとそれぞれ対
応して形成されたアウターリード４などからなるリード
フレーム１の、前記インナーリード３に半導体チップ１
を電気的に接続し、封止部材７で封止した表面実装型半
導体装置において、前記アウターリード４を封止部材７
に接触しないように折り曲げ、そのアウターリード４の
中間部及び自由端部を外部電極８ａ及び８ｂとし、それ
らが前記封止部材７の表裏両面より突出するように封止
部材７の表裏両面側に形成した。 【効果】高度な折り曲げ加工技術を必要とせず、そして
発生する熱応力を外部電極で吸収し易いので、基板への
実装の信頼性も向上する。
応して形成されたアウターリード４などからなるリード
フレーム１の、前記インナーリード３に半導体チップ１
を電気的に接続し、封止部材７で封止した表面実装型半
導体装置において、前記アウターリード４を封止部材７
に接触しないように折り曲げ、そのアウターリード４の
中間部及び自由端部を外部電極８ａ及び８ｂとし、それ
らが前記封止部材７の表裏両面より突出するように封止
部材７の表裏両面側に形成した。 【効果】高度な折り曲げ加工技術を必要とせず、そして
発生する熱応力を外部電極で吸収し易いので、基板への
実装の信頼性も向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、複数のインナーリー
ド、これらのインナーリードと対応して形成されたアウ
ターリードなどから構成されたリードフレームの、前記
インナーリードの内端部に半導体チップを電気的に接続
し、前記半導体チップなどを樹脂などの封止部材で封止
した表面実装型半導体装置（以下、単に「半導体装置」
と記す）のアウターリードの構造及びその加工方法に関
するものである。
ド、これらのインナーリードと対応して形成されたアウ
ターリードなどから構成されたリードフレームの、前記
インナーリードの内端部に半導体チップを電気的に接続
し、前記半導体チップなどを樹脂などの封止部材で封止
した表面実装型半導体装置（以下、単に「半導体装置」
と記す）のアウターリードの構造及びその加工方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来技術の半導体装置のアウターリード
の構造を図７乃至図１１を用いて説明する。図７は従来
技術の半導体装置の第１の例を示した断面図であり、図
７は従来技術の半導体装置の第２の例を示した断面図で
ある。そして図１１はこれら従来技術の半導体装置を重
ねた状態を示した側面図である。
の構造を図７乃至図１１を用いて説明する。図７は従来
技術の半導体装置の第１の例を示した断面図であり、図
７は従来技術の半導体装置の第２の例を示した断面図で
ある。そして図１１はこれら従来技術の半導体装置を重
ねた状態を示した側面図である。
【０００３】先ず、図７に示した２種類の従来技術の半
導体装置Ｓｇ及びＳｈの構成を説明する。同図Ａに示し
た半導体装置Ｓｇは、ダイパッド２、複数のインナーリ
ード３、これらのインナーリード３とそれぞれ対応して
形成されたアウターリード４などを、一枚の、例えば、
厚さ０．１〜０．３ｍｍの４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金を打ち
抜き、或いはエッチングして構成されたリードフレーム
の、前記ダイパッド２に半導体チップ１を搭載し、その
表面に形成された電極をワイヤ５でインナーリード３の
内端部に電気的に接続するか、同図Ｂに示した半導体装
置Ｓｈは各インナーリード３の内端部、あるいは半導体
チップ１の各電極に形成したバンプ６によって両者を電
気的に接続し、その接続部及び前記半導体チップ部を樹
脂などの封止部材７で封止して構成されている。
導体装置Ｓｇ及びＳｈの構成を説明する。同図Ａに示し
た半導体装置Ｓｇは、ダイパッド２、複数のインナーリ
ード３、これらのインナーリード３とそれぞれ対応して
形成されたアウターリード４などを、一枚の、例えば、
厚さ０．１〜０．３ｍｍの４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金を打ち
抜き、或いはエッチングして構成されたリードフレーム
の、前記ダイパッド２に半導体チップ１を搭載し、その
表面に形成された電極をワイヤ５でインナーリード３の
内端部に電気的に接続するか、同図Ｂに示した半導体装
置Ｓｈは各インナーリード３の内端部、あるいは半導体
チップ１の各電極に形成したバンプ６によって両者を電
気的に接続し、その接続部及び前記半導体チップ部を樹
脂などの封止部材７で封止して構成されている。
【０００４】以下、前者のワイヤ５で電気的接続を行っ
た半導体装置Ｓｇを代表例にして説明する。図７Ａに示
した半導体装置Ｓｇは、そのアウターリード４を前記封
止部材７の外部に導出された所で封止部材７の裏面１３
側に折り曲げて外部電極８を形成するように構成されて
おり、また図８に示したように、封止部材７の表面１２
側に折り曲げて外部電極８を形成するように構成されて
いる。
た半導体装置Ｓｇを代表例にして説明する。図７Ａに示
した半導体装置Ｓｇは、そのアウターリード４を前記封
止部材７の外部に導出された所で封止部材７の裏面１３
側に折り曲げて外部電極８を形成するように構成されて
おり、また図８に示したように、封止部材７の表面１２
側に折り曲げて外部電極８を形成するように構成されて
いる。
【０００５】アウターリード４をこのように構成した半
導体装置Ｓｇ及びＳｉの使用態様は、図９Ａ及びＢに示
したように、実装基板９に搭載する時の電気的特性用途
により使い分けられるものであって、半導体チップ１が
表裏反転された状態で実装基板９上に形成された電気配
線１０に半田１１で半田付けされる。
導体装置Ｓｇ及びＳｉの使用態様は、図９Ａ及びＢに示
したように、実装基板９に搭載する時の電気的特性用途
により使い分けられるものであって、半導体チップ１が
表裏反転された状態で実装基板９上に形成された電気配
線１０に半田１１で半田付けされる。
【０００６】アウターリード４がこれら２形態の形状に
形成された半導体装置Ｓｇ及びＳｉは、半導体チップ１
を封止部材７で封止した後、それぞれに分けて、別々に
折り曲げ加工をする必要があり、管理が複雑になるとい
う欠点があった。
形成された半導体装置Ｓｇ及びＳｉは、半導体チップ１
を封止部材７で封止した後、それぞれに分けて、別々に
折り曲げ加工をする必要があり、管理が複雑になるとい
う欠点があった。
【０００７】そこで、この欠点をなくすために発明され
た他の形態の半導体装置Ｓｊが特許公開公報、特開平２
−３１０９５７「半導体装置」の明細書に開示されてい
る。それらは、図１０に示したように、アウターリード
４を封止部材７の表裏両面からそれぞれ導出し、突出さ
せ、これら突出させたアウターリード４を前記封止部材
７の側面に沿って、前記突出させた面とは反対側の面に
向かって折り曲げ、これらアウターリード４の自由端を
折り曲げ、それら反対側の面からも突出させて、封止部
材７の表裏両面共に外部電極８ａ及び８ｂを形成するよ
うに構成されたものである。なお、同図Ａの半導体装置
Ｓｊはダイパッド２とインナーリード３とが同一平面上
に形成されたリードフレームを使用したものであり、同
図Ｂの半導体装置Ｓｊはダイパッド２の両端でインナー
リード３が互いに反対方向に折り曲げられたリードフレ
ームを使用したものである。
た他の形態の半導体装置Ｓｊが特許公開公報、特開平２
−３１０９５７「半導体装置」の明細書に開示されてい
る。それらは、図１０に示したように、アウターリード
４を封止部材７の表裏両面からそれぞれ導出し、突出さ
せ、これら突出させたアウターリード４を前記封止部材
７の側面に沿って、前記突出させた面とは反対側の面に
向かって折り曲げ、これらアウターリード４の自由端を
折り曲げ、それら反対側の面からも突出させて、封止部
材７の表裏両面共に外部電極８ａ及び８ｂを形成するよ
うに構成されたものである。なお、同図Ａの半導体装置
Ｓｊはダイパッド２とインナーリード３とが同一平面上
に形成されたリードフレームを使用したものであり、同
図Ｂの半導体装置Ｓｊはダイパッド２の両端でインナー
リード３が互いに反対方向に折り曲げられたリードフレ
ームを使用したものである。
【０００８】このような半導体装置Ｓｊは、図１１に示
したように、多段に積み重ねて実装基板に実装でき、実
装密度の向上が計れるという利点がある。しかし、図１
０に示したような形状のように、アウターリード４を封
止部材７の外形に沿って折り曲げ加工を施すことは、ア
ウターリード４が備える弾性域内での戻りバネ力が在る
ために、高度の加工技術を必要とする欠点がある。
したように、多段に積み重ねて実装基板に実装でき、実
装密度の向上が計れるという利点がある。しかし、図１
０に示したような形状のように、アウターリード４を封
止部材７の外形に沿って折り曲げ加工を施すことは、ア
ウターリード４が備える弾性域内での戻りバネ力が在る
ために、高度の加工技術を必要とする欠点がある。
【０００９】それ故、この発明は、図１０に示した半導
体装置Ｓｊの利点、即ち、アウターリード４の異なる半
導体装置を製作しなければならないといった管理上の難
点がなく、しかも表裏両面の基板への実装及び多段重ね
実装が可能という利点を保ちながら、高度な折り曲げ加
工の技術を必要としない半導体装置を提供することを課
題とするものである。
体装置Ｓｊの利点、即ち、アウターリード４の異なる半
導体装置を製作しなければならないといった管理上の難
点がなく、しかも表裏両面の基板への実装及び多段重ね
実装が可能という利点を保ちながら、高度な折り曲げ加
工の技術を必要としない半導体装置を提供することを課
題とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】それ故、この発明では、
複数のインナーリード、これらのインナーリードとそれ
ぞれ対応して形成されたアウターリードなどからなるリ
ードフレームの、前記インナーリードの内端部に半導体
チップを電気的に接続し、その接続部及び前記半導体チ
ップ部を樹脂などの封止部材で封止した表面実装型半導
体装置において、前記アウターリードを前記封止部材に
接触しないように折り曲げ、そのアウターリードの中間
部及び自由端部を外部電極とし、それらが前記封止部材
の表面または裏面より突出するように封止部材の表裏両
面に形成した。
複数のインナーリード、これらのインナーリードとそれ
ぞれ対応して形成されたアウターリードなどからなるリ
ードフレームの、前記インナーリードの内端部に半導体
チップを電気的に接続し、その接続部及び前記半導体チ
ップ部を樹脂などの封止部材で封止した表面実装型半導
体装置において、前記アウターリードを前記封止部材に
接触しないように折り曲げ、そのアウターリードの中間
部及び自由端部を外部電極とし、それらが前記封止部材
の表面または裏面より突出するように封止部材の表裏両
面に形成した。
【００１１】また、前記外部電極は、前記アウターリー
ドが前記封止部材から導出した基部を先に前記封止部材
の表面或いは裏面に折り曲げ、次にその先を反対側の面
に折り曲げて形成するようにした。
ドが前記封止部材から導出した基部を先に前記封止部材
の表面或いは裏面に折り曲げ、次にその先を反対側の面
に折り曲げて形成するようにした。
【００１２】
【作用】従って、アウターリードを封止部材に接触しな
いで折り曲げ加工をするようにしたので、この折り曲げ
加工する際に発生する、アウターリードが備える弾性域
内での戻り分を吸収することができ、高度な折り曲げ加
工技術を必要としない。
いで折り曲げ加工をするようにしたので、この折り曲げ
加工する際に発生する、アウターリードが備える弾性域
内での戻り分を吸収することができ、高度な折り曲げ加
工技術を必要としない。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の半導体装置及びそのアウタ
ーリードの折り曲げ加工方法を図１乃至図６を用いて説
明する。これらの説明には、アウターリードが封止部材
の二辺から導出されている型式の半導体装置を例に挙げ
て説明するが、この発明はこのような二辺からアウター
リードが導出されている型式の半導体装置に限定される
ものではなく、封止部材の四辺からも導出されている型
式の半導体装置にも適用できることは言うまでもない。
なお、図７乃至図１１に示した従来技術の構成部分と同
一の構成部分には同一の符号を付し、それらの説明を省
略する。
ーリードの折り曲げ加工方法を図１乃至図６を用いて説
明する。これらの説明には、アウターリードが封止部材
の二辺から導出されている型式の半導体装置を例に挙げ
て説明するが、この発明はこのような二辺からアウター
リードが導出されている型式の半導体装置に限定される
ものではなく、封止部材の四辺からも導出されている型
式の半導体装置にも適用できることは言うまでもない。
なお、図７乃至図１１に示した従来技術の構成部分と同
一の構成部分には同一の符号を付し、それらの説明を省
略する。
【００１４】先ず、図１を用いてこの発明の半導体装置
の第１の実施例を説明する。この半導体装置Ｓａは、ダ
イパッド２と、このダイパッド２と平行な面に形成され
た複数のインナーリード３と、これらのインナーリード
３とそれぞれ対応して形成されたアウターリード４など
で構成されたリードフレームの、前記ダイパッド２に半
導体チップ１を搭載し、その表面に形成された電極をワ
イヤ５でインナーリード３の内端部に電気的に接続し、
その接続部及び前記半導体チップ部を、前記ダイパッド
２及びインナーリード３と平行な表面１２及び裏面１３
が形成されるように樹脂などの封止部材７で封止して構
成されている。
の第１の実施例を説明する。この半導体装置Ｓａは、ダ
イパッド２と、このダイパッド２と平行な面に形成され
た複数のインナーリード３と、これらのインナーリード
３とそれぞれ対応して形成されたアウターリード４など
で構成されたリードフレームの、前記ダイパッド２に半
導体チップ１を搭載し、その表面に形成された電極をワ
イヤ５でインナーリード３の内端部に電気的に接続し、
その接続部及び前記半導体チップ部を、前記ダイパッド
２及びインナーリード３と平行な表面１２及び裏面１３
が形成されるように樹脂などの封止部材７で封止して構
成されている。
【００１５】アウターリード４は前記封止部材７から導
出された基部の所で、その封止部材７に接触しないよう
に、先ず、その封止部材７の裏面１３の側にクランク状
に折り曲げて、アウターリード４の中間部で第１の外部
電極８ａを形成し、次に、その先端部を更に逆向きに、
即ち、封止部材７の表面１２に向かって折り曲げ、アウ
ターリード４の自由端で第２の外部電極８ｂを形成す
る。
出された基部の所で、その封止部材７に接触しないよう
に、先ず、その封止部材７の裏面１３の側にクランク状
に折り曲げて、アウターリード４の中間部で第１の外部
電極８ａを形成し、次に、その先端部を更に逆向きに、
即ち、封止部材７の表面１２に向かって折り曲げ、アウ
ターリード４の自由端で第２の外部電極８ｂを形成す
る。
【００１６】従って、このように折り曲げられたアウタ
ーリード４は、あたかもＺ字状の形状に構成されたこと
になり、前記両外部電極８ａ及び８ｂは直線状に形成さ
れる。この半導体装置Ｓａのアウターリード４は予め先
端を切断しておいたアウターリード４を折り曲げ加工し
てもよく、或いはアウターリード４をそのままの状態で
折り曲げ加工し、その後アウターリード４の先端部の余
分な部分を切断してもよい。
ーリード４は、あたかもＺ字状の形状に構成されたこと
になり、前記両外部電極８ａ及び８ｂは直線状に形成さ
れる。この半導体装置Ｓａのアウターリード４は予め先
端を切断しておいたアウターリード４を折り曲げ加工し
てもよく、或いはアウターリード４をそのままの状態で
折り曲げ加工し、その後アウターリード４の先端部の余
分な部分を切断してもよい。
【００１７】いずれの場合にも、外部電極８ａ及び８ｂ
は、電気配線基板の表面へ良好に半田付け実装できるよ
うに、封止部材７の表裏両面１２、１３から少し外方に
突出するように形成する。
は、電気配線基板の表面へ良好に半田付け実装できるよ
うに、封止部材７の表裏両面１２、１３から少し外方に
突出するように形成する。
【００１８】図２に示した、この発明の第２の実施例で
ある半導体装置Ｓｂは、図１に示した第１の半導体装置
Ｓａのアウターリード４の折り曲げ加工方法と同様の折
り曲げ加工方法で、アウターリード４をＳ字状に折り曲
げたものである。
ある半導体装置Ｓｂは、図１に示した第１の半導体装置
Ｓａのアウターリード４の折り曲げ加工方法と同様の折
り曲げ加工方法で、アウターリード４をＳ字状に折り曲
げたものである。
【００１９】図３に示した、この発明の第３の実施例で
ある半導体装置Ｓｃは、図１の半導体装置Ｓａのアウタ
ーリード４の折り曲げ方向とは反対方向に、そのアウタ
ーリード４を前記封止部材７から導出された基部の所
で、その封止部材７に接触しないように、先ず、その封
止部材７の表面１２の側にクランク状に折り曲げて、ア
ウターリード４の中間部で第１の外部電極８ａを形成
し、次に、その先端部を更に逆向きに、即ち、封止部材
７の裏面１３に向かって折り曲げ、アウターリード４の
自由端で第２の外部電極８ｂを形成し、全体としてＺ字
状に構成したものである。
ある半導体装置Ｓｃは、図１の半導体装置Ｓａのアウタ
ーリード４の折り曲げ方向とは反対方向に、そのアウタ
ーリード４を前記封止部材７から導出された基部の所
で、その封止部材７に接触しないように、先ず、その封
止部材７の表面１２の側にクランク状に折り曲げて、ア
ウターリード４の中間部で第１の外部電極８ａを形成
し、次に、その先端部を更に逆向きに、即ち、封止部材
７の裏面１３に向かって折り曲げ、アウターリード４の
自由端で第２の外部電極８ｂを形成し、全体としてＺ字
状に構成したものである。
【００２０】図４に示した、この発明の第４の実施例で
ある半導体装置Ｓｄは、図３に示した第３の半導体装置
Ｓｃのアウターリード４の折り曲げ加工方法と同様の折
り曲げ加工方法で、アウターリード４をＳ字状に折り曲
げたものである。
ある半導体装置Ｓｄは、図３に示した第３の半導体装置
Ｓｃのアウターリード４の折り曲げ加工方法と同様の折
り曲げ加工方法で、アウターリード４をＳ字状に折り曲
げたものである。
【００２１】前記第３及び第４の実施例である半導体装
置Ｓｃ及びＳｄがそれぞれ第１及び第２の実施例である
半導体装置Ｓａ及びＳｂと異なる点は封止されている半
導体チップ１の向きが天地逆向きになっている点だけ
で、他の構成は同一である。
置Ｓｃ及びＳｄがそれぞれ第１及び第２の実施例である
半導体装置Ｓａ及びＳｂと異なる点は封止されている半
導体チップ１の向きが天地逆向きになっている点だけ
で、他の構成は同一である。
【００２２】図５及び図６にそれぞれ示した、この発明
の第５及び第６の実施例である半導体装置Ｓｅ及びＳｆ
は、図１及び図２に示した各実施例のアウターリード４
の折り曲げ加工方法と同様の折り曲げ加工方法で、アウ
ターリード４をそれぞれコ字状及びＣ字状に折り曲げ
て、外部電極８ａ及び８ｂを形成したものである。
の第５及び第６の実施例である半導体装置Ｓｅ及びＳｆ
は、図１及び図２に示した各実施例のアウターリード４
の折り曲げ加工方法と同様の折り曲げ加工方法で、アウ
ターリード４をそれぞれコ字状及びＣ字状に折り曲げ
て、外部電極８ａ及び８ｂを形成したものである。
【００２３】前記各実施例の半導体装置の外部電極８ａ
及び８ｂは同一の形状に形成されているが、前記各実施
例の半導体装置の外部電極８ａ及び８ｂで示したような
Ｚ字状、Ｓ字状、コ字状、Ｃ字状の形状を一つの半導体
装置で併用して形成してもよい。例えば、図１に示した
半導体装置Ｓａの第１の外部電極８ａはそのまま直線状
の電極とし、第２の外部電極８ｂを図２に示したような
曲線状に形成してもよい。
及び８ｂは同一の形状に形成されているが、前記各実施
例の半導体装置の外部電極８ａ及び８ｂで示したような
Ｚ字状、Ｓ字状、コ字状、Ｃ字状の形状を一つの半導体
装置で併用して形成してもよい。例えば、図１に示した
半導体装置Ｓａの第１の外部電極８ａはそのまま直線状
の電極とし、第２の外部電極８ｂを図２に示したような
曲線状に形成してもよい。
【００２４】
【発明の効果】以上、説明したように、この発明によれ
ば、アウターリードを封止部材に接触しないで折り曲げ
加工をするようにしたので、この折り曲げ加工する際に
発生する、アウターリードが備える弾性域内での戻り分
を吸収することができる。
ば、アウターリードを封止部材に接触しないで折り曲げ
加工をするようにしたので、この折り曲げ加工する際に
発生する、アウターリードが備える弾性域内での戻り分
を吸収することができる。
【００２５】従って、前記特開平２−３１０９５７「半
導体装置」の明細書に開示された半導体装置のように、
アウターリードの異なる半導体装置を製作しなければな
らないといった管理上の複雑さがなく、しかも表裏両面
の電気配線基板への実装及び多段重ねで電気配線基板へ
の実装ができるという利点を備えながら、高度な折り曲
げ加工技術を必要としない半導体装置を実現できる。
導体装置」の明細書に開示された半導体装置のように、
アウターリードの異なる半導体装置を製作しなければな
らないといった管理上の複雑さがなく、しかも表裏両面
の電気配線基板への実装及び多段重ねで電気配線基板へ
の実装ができるという利点を備えながら、高度な折り曲
げ加工技術を必要としない半導体装置を実現できる。
【００２６】また、封止部材から導出された直後のアウ
ターリードの部分を先ず封止部材の裏面或いは表面の方
向に折り曲げ加工し、その先の中間部を反対側の面に折
り曲げ加工して、それぞれ外部電極を形成しているの
で、半田付けされた後の、熱による電気配線基板と半導
体装置との伸び方の違いにより発生する熱応力を第２の
外部電極８ｂは吸収しやすく、半田付けの信頼性も良く
なるという、数々の優れた効果が得られる。
ターリードの部分を先ず封止部材の裏面或いは表面の方
向に折り曲げ加工し、その先の中間部を反対側の面に折
り曲げ加工して、それぞれ外部電極を形成しているの
で、半田付けされた後の、熱による電気配線基板と半導
体装置との伸び方の違いにより発生する熱応力を第２の
外部電極８ｂは吸収しやすく、半田付けの信頼性も良く
なるという、数々の優れた効果が得られる。
【図１】この発明の表面実装型半導体装置の第１の実施
例を示した断面図である。
例を示した断面図である。
【図２】この発明の表面実装型半導体装置の第２の実施
例を示した断面図である。
例を示した断面図である。
【図３】この発明の表面実装型半導体装置の第３の実施
例を示した断面図である。
例を示した断面図である。
【図４】この発明の表面実装型半導体装置の第４の実施
例を示した断面図である。
例を示した断面図である。
【図５】この発明の表面実装型半導体装置の第５の実施
例を示した断面図である。
例を示した断面図である。
【図６】この発明の表面実装型半導体装置の第６の実施
例を示した断面図である。
例を示した断面図である。
【図７】従来技術の表面実装型半導体装置の第１の例を
示し、同図Ａは半導体チップをワイヤボンディングした
もの、同図Ｂは半導体チップをバンプで表面実装したも
のの断面図である。
示し、同図Ａは半導体チップをワイヤボンディングした
もの、同図Ｂは半導体チップをバンプで表面実装したも
のの断面図である。
【図８】従来技術の表面実装型半導体装置の第２の例を
示した断面図である。
示した断面図である。
【図９】図７Ａまたは図８に示した表面実装型半導体装
置を電気配線基板に表面実装した状態を示した側面図で
ある。
置を電気配線基板に表面実装した状態を示した側面図で
ある。
【図１０】従来技術の表面実装型半導体装置の第３の例
を示し、同図Ａはダイパッドとインナーリードとを平行
に形成したもの、同図Ｂはダイパッドとインナーリード
とを異なる面内に形成したものの断面図である。
を示し、同図Ａはダイパッドとインナーリードとを平行
に形成したもの、同図Ｂはダイパッドとインナーリード
とを異なる面内に形成したものの断面図である。
【図１１】図１０に示した表面実装型半導体装置を多段
に重ねた状態を示した側面図である。
に重ねた状態を示した側面図である。
１ 半導体チップ ２ ダイパッド ３ インナーリード ４ アウターリード ５ ワイヤ ７ 封止部材 ８ 外部電極 ８ａ 第１の外部電極 ８ｂ 第２の外部電極 １２ 表面 １３ 裏面
Claims (3)
- 【請求項１】複数のインナーリード、これらのインナー
リードとそれぞれ対応して形成されたアウターリードな
どからなるリードフレームの、前記インナーリードの内
端部に半導体チップを電気的に接続し、その接続部及び
前記半導体チップ部を樹脂などの封止部材で封止した表
面実装型半導体装置において、前記アウターリードを前
記封止部材に接触しないように折り曲げ、そのアウター
リードの中間部及び自由端部を外部電極とし、それらが
前記封止部材の表面または裏面より突出するように封止
部材の表裏両面に形成したことを特徴とする表面実装型
半導体装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記外部電極の形状が
直線状或いは曲線状に形成されていることを特徴とする
表面実装型半導体装置。 - 【請求項３】請求項１において、前記アウターリードの
前記封止部材から導出した基部を先に前記封止部材の表
面或いは裏面に折り曲げ、次にその先を反対側の面に折
り曲げて前記外部電極を形成することを特徴とする表面
実装型半導体装置のアウターリードの折り曲げ加工方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4117600A JPH05315520A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | 表面実装型半導体装置及びそのアウターリードの折り曲げ加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4117600A JPH05315520A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | 表面実装型半導体装置及びそのアウターリードの折り曲げ加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315520A true JPH05315520A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14715816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4117600A Pending JPH05315520A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | 表面実装型半導体装置及びそのアウターリードの折り曲げ加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315520A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5723903A (en) * | 1992-05-25 | 1998-03-03 | Hitachi, Ltd. | Thin type semiconductor device, module structure using the device and method of mounting the device on board |
| US6114759A (en) * | 1998-04-23 | 2000-09-05 | Nec Corporation | Semiconductor package |
| CN113555196A (zh) * | 2018-11-02 | 2021-10-26 | 台达电子企业管理（上海）有限公司 | 变压器模块及功率模块 |
| US11450480B2 (en) | 2018-11-02 | 2022-09-20 | Delta Electronics (Shanghai) Co., Ltd. | Transformer module and power module |
| US11664157B2 (en) | 2018-11-02 | 2023-05-30 | Delta Electronics (Shanghai) Co., Ltd. | Magnetic element and method for manufacturing same |
-
1992
- 1992-05-11 JP JP4117600A patent/JPH05315520A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5723903A (en) * | 1992-05-25 | 1998-03-03 | Hitachi, Ltd. | Thin type semiconductor device, module structure using the device and method of mounting the device on board |
| US5895969A (en) * | 1992-05-25 | 1999-04-20 | Hitachi, Ltd. And Hitachi Vlsi Engineering Corp. | Thin type semiconductor device, module structure using the device and method of mounting the device on board |
| US6114759A (en) * | 1998-04-23 | 2000-09-05 | Nec Corporation | Semiconductor package |
| CN113555196A (zh) * | 2018-11-02 | 2021-10-26 | 台达电子企业管理（上海）有限公司 | 变压器模块及功率模块 |
| US11450480B2 (en) | 2018-11-02 | 2022-09-20 | Delta Electronics (Shanghai) Co., Ltd. | Transformer module and power module |
| US11664157B2 (en) | 2018-11-02 | 2023-05-30 | Delta Electronics (Shanghai) Co., Ltd. | Magnetic element and method for manufacturing same |
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