JPH01164054A - 集積回路 - Google Patents
集積回路Info
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- JPH01164054A JPH01164054A JP32123187A JP32123187A JPH01164054A JP H01164054 A JPH01164054 A JP H01164054A JP 32123187 A JP32123187 A JP 32123187A JP 32123187 A JP32123187 A JP 32123187A JP H01164054 A JPH01164054 A JP H01164054A
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 21
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は集積回路に関し、特に半田リフローや半田デイ
ツプ時の耐熱性を向上させた、表面実装形集積回路に関
する。
ツプ時の耐熱性を向上させた、表面実装形集積回路に関
する。
従来のこの種の集積回路としては１例えば、特開昭６１
−１８４８５５号公報に開示されているものが知られて
いる。この回路は、第３図に示す如く、チップ４を搭載
するリードフレーム５の周縁部をパッケージの樹脂厚の
厚い方向に向けて折曲げて。
−１８４８５５号公報に開示されているものが知られて
いる。この回路は、第３図に示す如く、チップ４を搭載
するリードフレーム５の周縁部をパッケージの樹脂厚の
厚い方向に向けて折曲げて。
応力集中を避け、半田デイツプ時の熱による樹脂１のク
ラック発生を防止するようにしている。
ラック発生を防止するようにしている。
上記従来技術は、樹脂が吸湿した水分が、半田デイツプ
時に蒸発する際の応力は緩和できるが、リードフレーム
に曲げ加工を行うため、曲げ部分に残留応力が残り、そ
の影響により、樹脂のクラックが発生する可能性がある
という問題がある。
時に蒸発する際の応力は緩和できるが、リードフレーム
に曲げ加工を行うため、曲げ部分に残留応力が残り、そ
の影響により、樹脂のクラックが発生する可能性がある
という問題がある。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、従来の集積回路における上述の如き問題
を解消し、リードフレームに曲げ加工を行うことなしに
半田付は時の耐熱性を向上させることが可能な、表面実
装形集積回路を提供することにある。
するところは、従来の集積回路における上述の如き問題
を解消し、リードフレームに曲げ加工を行うことなしに
半田付は時の耐熱性を向上させることが可能な、表面実
装形集積回路を提供することにある。
本発明の上記目的は、チップを搭載したリードフレーム
とボンディングワイヤとリードを外装樹脂で成形して成
る表面実装形集積回路において、前記リードフレームを
、応力を分散させる如き形状としたことを特徴とする集
積回路によって達成される。
とボンディングワイヤとリードを外装樹脂で成形して成
る表面実装形集積回路において、前記リードフレームを
、応力を分散させる如き形状としたことを特徴とする集
積回路によって達成される。
上記「応力を分散させる如き形状」には、後述する如く
、二通りの方法が有る。一つは、リードフレームのチッ
プ搭載面とは反対の面にスリットを設け、これにより応
力が上記スリットで仕切られた個々の部分に分散される
ことを利用する方法である。他の一つは、リードフレー
ムの端面、コーナ一部のエツジをなくし、円弧形状とす
る方法である。
、二通りの方法が有る。一つは、リードフレームのチッ
プ搭載面とは反対の面にスリットを設け、これにより応
力が上記スリットで仕切られた個々の部分に分散される
ことを利用する方法である。他の一つは、リードフレー
ムの端面、コーナ一部のエツジをなくし、円弧形状とす
る方法である。
前述のクラック発生のメカニズムを、第４図に基づいて
説明する。第４図は、従来の表面実装形集積回路の断面
図であり、１は外装樹脂５２はボンディングワイヤ、３
はリード、４はチップ、５はリードフレームを、それぞ
れ示している。
説明する。第４図は、従来の表面実装形集積回路の断面
図であり、１は外装樹脂５２はボンディングワイヤ、３
はリード、４はチップ、５はリードフレームを、それぞ
れ示している。
樹脂１が吸湿すると、半田付は時の熱で水分が蒸、発し
、その蒸発時の応力により樹脂１にクラックが入り、集
積回路の耐湿性を劣化させるわけである。このときの発
生応力σは、次式で表わされることか知られている。
、その蒸発時の応力により樹脂１にクラックが入り、集
積回路の耐湿性を劣化させるわけである。このときの発
生応力σは、次式で表わされることか知られている。
ａ＝に−ａ”／ｈ” ・・・・（１）
ここで、Ｋは樹脂材質や吸湿量によって決まる定数、ｈ
はリードフレーム５下部の厚み、ａはリードフレーム長
さである。このように構成された集積回路において、上
記クラックの発生する位置は、図のＸ部分、すなわち、
リードフレーム５のコーナ一部分である。
ここで、Ｋは樹脂材質や吸湿量によって決まる定数、ｈ
はリードフレーム５下部の厚み、ａはリードフレーム長
さである。このように構成された集積回路において、上
記クラックの発生する位置は、図のＸ部分、すなわち、
リードフレーム５のコーナ一部分である。
本発明においては、リードフレーム長を等価的に短くす
るか、または、応力の集中するリードフレームコーナ一
部を無くすることにより、上記目的を達成しているもの
である。
るか、または、応力の集中するリードフレームコーナ一
部を無くすることにより、上記目的を達成しているもの
である。
上記リードフレームの長さａを等価的に短くすることは
、前記式（１）から明らかなように、二乗に比例して、
水分蒸発時の応力を小さくすることができ、また、リー
ドフレーム５のコーナ一部をなくすことは、応力の集中
を避けることになり、いずれも、外装樹脂クラックを防
止する効果があることである。
、前記式（１）から明らかなように、二乗に比例して、
水分蒸発時の応力を小さくすることができ、また、リー
ドフレーム５のコーナ一部をなくすことは、応力の集中
を避けることになり、いずれも、外装樹脂クラックを防
止する効果があることである。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
第１図（ａ）は、本発明の一実施例を示す表面実装形集
積回路の断面図、同（ｂ）は、その要部であるリードフ
レームの、第１図（ａ）のＣ方向矢視図である。図にお
いて、記号１〜５は、先に示した各図と同じ構成要素を
示している。本実施例に示す集積回路は、リードフレー
ム５のチップ搭載面とは反対の面に、スリットＡを設け
たことを特徴としている。
積回路の断面図、同（ｂ）は、その要部であるリードフ
レームの、第１図（ａ）のＣ方向矢視図である。図にお
いて、記号１〜５は、先に示した各図と同じ構成要素を
示している。本実施例に示す集積回路は、リードフレー
ム５のチップ搭載面とは反対の面に、スリットＡを設け
たことを特徴としている。
上記スリットＡを設けることにより、リードフレーム５
の長さは、第４図に示したａから、第１図においては、
スリットＡで仕切られた寸法Ｑとみなすことができる。
の長さは、第４図に示したａから、第１図においては、
スリットＡで仕切られた寸法Ｑとみなすことができる。
従って、第４図でリードフレーム５端面に集中していた
応力が、スリットＡで仕切られた個々の部分に分散され
、この個々の部分の応力は、前述の如く、リードフレー
ムの長さａの二乗に比例するため、大幅に小さくなる。
応力が、スリットＡで仕切られた個々の部分に分散され
、この個々の部分の応力は、前述の如く、リードフレー
ムの長さａの二乗に比例するため、大幅に小さくなる。
同時に、スリットＡ部には樹脂が充填され、部分°的に
樹脂厚を厚くしているため、樹脂クラックはより発生し
にくくなっている。
樹脂厚を厚くしているため、樹脂クラックはより発生し
にくくなっている。
第２図は、本発明の第二の実施例を示す表面実装形集積
回路の断面図、同（ｂ）は、その要部であるリードフレ
ームの、第２図（ａ）のＣ方向矢視図である。図におい
て、記号１〜５は、先に示した各回と同じ構成要素を示
している。本実施例に示す集積回路は、リードフレーム
５の端面部のコーナ一部のエツジをなくし、円弧形状と
したことを特徴としている。
回路の断面図、同（ｂ）は、その要部であるリードフレ
ームの、第２図（ａ）のＣ方向矢視図である。図におい
て、記号１〜５は、先に示した各回と同じ構成要素を示
している。本実施例に示す集積回路は、リードフレーム
５の端面部のコーナ一部のエツジをなくし、円弧形状と
したことを特徴としている。
この構造においても、前述の第一の実施例と同様に、リ
ードフレーム５の下部長さａを両端の円弧分だけ短くシ
、また、応力が集中する端面コーナ一部の樹脂厚みを厚
くすることにより、応力を小さくすることができる。更
に、コーナ一部がないため、応力集中を避けることがで
きる。
ードフレーム５の下部長さａを両端の円弧分だけ短くシ
、また、応力が集中する端面コーナ一部の樹脂厚みを厚
くすることにより、応力を小さくすることができる。更
に、コーナ一部がないため、応力集中を避けることがで
きる。
上記実施例に示した集積回路は、いずれも、リードフレ
ーム５を曲げ加工することなく、また。
ーム５を曲げ加工することなく、また。
外形寸法を大きくすることなく、応力を小さくできる効
果がある。
果がある。
なお、上記二つの考え方を組合わせて用いても良いこと
は言うまでもない。
は言うまでもない。
以上述べた如く、本発明によれば、チップを搭載したリ
ードフレームとボンディングワイヤとリードを外装樹脂
で成形して成る表面実装形集積回路において、リードフ
レームのチップ搭載面とは反対の面にスリットを設け、
これにより応力が上記スリットで仕切られた個々の部分
に分散されることを利用する方法、または、リードフレ
ームの端面、コーナ一部のエツジをなくし、円弧形状と
する方法のいずれかにより、前記リードフレームを、応
力を分散させる如き形状としたので、リードフレームに
曲げ加工を行うことなしに半田付は時の耐熱性を向上さ
せることが可能な１表面実装形の集積回路を実現できる
という顕著な効果を奏するものである。
ードフレームとボンディングワイヤとリードを外装樹脂
で成形して成る表面実装形集積回路において、リードフ
レームのチップ搭載面とは反対の面にスリットを設け、
これにより応力が上記スリットで仕切られた個々の部分
に分散されることを利用する方法、または、リードフレ
ームの端面、コーナ一部のエツジをなくし、円弧形状と
する方法のいずれかにより、前記リードフレームを、応
力を分散させる如き形状としたので、リードフレームに
曲げ加工を行うことなしに半田付は時の耐熱性を向上さ
せることが可能な１表面実装形の集積回路を実現できる
という顕著な効果を奏するものである。
第１図（ａ）は本発明の一実施例を示す集積回路の断面
図、同（ｂ）はその要部であるリードフレームの同図（
ａ）のＣ方向矢視図、第２図は本発明の第二の実施例を
示す集積回路の断面図、同（ｂ）はその要部であるリー
ドフレームの同図（ａ）のＣ方向矢視図、第３図、第４
図は従来の集積回路の構成例を示す断面図である。 １：外装樹脂、２：ボンディングワイヤ、３：リード、
４：チップ、５：リードフレーム、Ａニスリット。 第 １ 図 （ａ） 第 ２ 図
図、同（ｂ）はその要部であるリードフレームの同図（
ａ）のＣ方向矢視図、第２図は本発明の第二の実施例を
示す集積回路の断面図、同（ｂ）はその要部であるリー
ドフレームの同図（ａ）のＣ方向矢視図、第３図、第４
図は従来の集積回路の構成例を示す断面図である。 １：外装樹脂、２：ボンディングワイヤ、３：リード、
４：チップ、５：リードフレーム、Ａニスリット。 第 １ 図 （ａ） 第 ２ 図
Claims (1)
- １、チップを搭載したリードフレームとボンディングワ
イヤとリードを外装樹脂で成形して成る表面実装形集積
回路において、前記リードフレームを、応力を分散させ
る如き形状としたことを特徴とする集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32123187A JPH01164054A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | 集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32123187A JPH01164054A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | 集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01164054A true JPH01164054A (ja) | 1989-06-28 |
Family
ID=18130277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32123187A Pending JPH01164054A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | 集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01164054A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5659952A (en) * | 1994-09-20 | 1997-08-26 | Tessera, Inc. | Method of fabricating compliant interface for semiconductor chip |
| US5915170A (en) * | 1994-09-20 | 1999-06-22 | Tessera, Inc. | Multiple part compliant interface for packaging of a semiconductor chip and method therefor |
| US6046076A (en) * | 1994-12-29 | 2000-04-04 | Tessera, Inc. | Vacuum dispense method for dispensing an encapsulant and machine therefor |
| US6169328B1 (en) | 1994-09-20 | 2001-01-02 | Tessera, Inc | Semiconductor chip assembly |
| US6686015B2 (en) | 1996-12-13 | 2004-02-03 | Tessera, Inc. | Transferable resilient element for packaging of a semiconductor chip and method therefor |
| US6870272B2 (en) | 1994-09-20 | 2005-03-22 | Tessera, Inc. | Methods of making microelectronic assemblies including compliant interfaces |
| US7112879B2 (en) | 1995-10-31 | 2006-09-26 | Tessera, Inc. | Microelectronic assemblies having compliant layers |
-
1987
- 1987-12-21 JP JP32123187A patent/JPH01164054A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5659952A (en) * | 1994-09-20 | 1997-08-26 | Tessera, Inc. | Method of fabricating compliant interface for semiconductor chip |
| US5915170A (en) * | 1994-09-20 | 1999-06-22 | Tessera, Inc. | Multiple part compliant interface for packaging of a semiconductor chip and method therefor |
| US6133639A (en) * | 1994-09-20 | 2000-10-17 | Tessera, Inc. | Compliant interface for semiconductor chip and method therefor |
| US6169328B1 (en) | 1994-09-20 | 2001-01-02 | Tessera, Inc | Semiconductor chip assembly |
| US6521480B1 (en) | 1994-09-20 | 2003-02-18 | Tessera, Inc. | Method for making a semiconductor chip package |
| US6525429B1 (en) | 1994-09-20 | 2003-02-25 | Tessera, Inc. | Methods of making microelectronic assemblies including compliant interfaces |
| US6723584B2 (en) | 1994-09-20 | 2004-04-20 | Tessera, Inc. | Methods of making microelectronic assemblies including compliant interfaces |
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| US7112879B2 (en) | 1995-10-31 | 2006-09-26 | Tessera, Inc. | Microelectronic assemblies having compliant layers |
| US6686015B2 (en) | 1996-12-13 | 2004-02-03 | Tessera, Inc. | Transferable resilient element for packaging of a semiconductor chip and method therefor |
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