JPS63276256A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPS63276256A JPS63276256A JP11191787A JP11191787A JPS63276256A JP S63276256 A JPS63276256 A JP S63276256A JP 11191787 A JP11191787 A JP 11191787A JP 11191787 A JP11191787 A JP 11191787A JP S63276256 A JPS63276256 A JP S63276256A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- island
- semiconductor chip
- resin
- semiconductor device
- bends
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 6
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 4
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 abstract 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特にリードフレ
ームを用いる樹脂封止型半導体に関する。
ームを用いる樹脂封止型半導体に関する。
樹脂封止型半導体装置は低価格かつ量産性に優れている
ことから半導体装置の主流となっている。
ことから半導体装置の主流となっている。
第３図は従来の樹脂封止型半導体装置の一例の断面図で
ある。
ある。
第３図に示すように、アイランド２１と複数の外部リー
ド４とを有するリードフレームのアイランド２１に半導
体チップ２を搭載し、半導体チップ２の電極と外部リー
ド４とをＡｕ等の金属線３で接続した後、外部リード４
の金属線３の接続部を含み半導体チップ２の外周を覆っ
てエポキシ等の樹脂５で封止していた。
ド４とを有するリードフレームのアイランド２１に半導
体チップ２を搭載し、半導体チップ２の電極と外部リー
ド４とをＡｕ等の金属線３で接続した後、外部リード４
の金属線３の接続部を含み半導体チップ２の外周を覆っ
てエポキシ等の樹脂５で封止していた。
上述した従来の樹脂封止型半導体装置は、プリント配線
板等に実装する際の熱応力を受け、構成材料の物性の相
違や、半導体装置内に含まれている水分の気化に伴う膨
張から、樹脂とリードフレーム（特にアイランドの端部
）及び樹脂と半導体チップの界面にすきまを生じたり、
樹脂部分に亀裂が発生しやすいので、実装後に界面のす
きまや亀裂から水分又は不純物が半導体チップ内部へ浸
入し、耐湿性を低下させるという欠点がある。
板等に実装する際の熱応力を受け、構成材料の物性の相
違や、半導体装置内に含まれている水分の気化に伴う膨
張から、樹脂とリードフレーム（特にアイランドの端部
）及び樹脂と半導体チップの界面にすきまを生じたり、
樹脂部分に亀裂が発生しやすいので、実装後に界面のす
きまや亀裂から水分又は不純物が半導体チップ内部へ浸
入し、耐湿性を低下させるという欠点がある。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、上面に半導体チップ
を搭載するアイランドと該アイランドの周辺に放射状に
配置される外部リードとを有するリードフレームと、前
記半導体チップの外周を覆って形成されろ樹脂とを備え
る樹脂封止型半導体装置において、前記アイランドの対
向する２辺の端部か前記アイランドの半導体チップ搭載
面と反対側に折曲げられた折曲げ部を有している。
を搭載するアイランドと該アイランドの周辺に放射状に
配置される外部リードとを有するリードフレームと、前
記半導体チップの外周を覆って形成されろ樹脂とを備え
る樹脂封止型半導体装置において、前記アイランドの対
向する２辺の端部か前記アイランドの半導体チップ搭載
面と反対側に折曲げられた折曲げ部を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
第１図に示すように、リードフレームの一部である半導
体チップ搭載面を有するアイランド１に半導体チップ２
を搭載し、アイランド１の周辺に放射状に配置される複
数の外部リード４それぞれと対応する半導体チップ２の
電極のをＡｕ等の金属線３で電気的に接続した後、外部
リード４の金属線３の接続部を含んで半導体チップ２の
外周を覆ってエポキシ等の外装用の樹脂５で封止する。
体チップ搭載面を有するアイランド１に半導体チップ２
を搭載し、アイランド１の周辺に放射状に配置される複
数の外部リード４それぞれと対応する半導体チップ２の
電極のをＡｕ等の金属線３で電気的に接続した後、外部
リード４の金属線３の接続部を含んで半導体チップ２の
外周を覆ってエポキシ等の外装用の樹脂５で封止する。
ここで、アイランド１には、アイランド１の端部を半導
体チップ搭載面と反対側にアイランド１の面とほぼ直角
に哲曲げた折曲げ部６が形成されている。
体チップ搭載面と反対側にアイランド１の面とほぼ直角
に哲曲げた折曲げ部６が形成されている。
このように構成することにより、プリント配線板等への
実装時にアイランドの端部に集中して発生する熱応力を
緩和し分散させることができる。
実装時にアイランドの端部に集中して発生する熱応力を
緩和し分散させることができる。
従って、実装時に加わる急激な熱による界面のすきまや
亀裂の発生を防止して、耐湿性を維持できる。
亀裂の発生を防止して、耐湿性を維持できる。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。
第２図に示すように、第２の実施例では、リードフレー
ムの製作時にアイランド１１の端部を金型で上述した第
１図の第１の実施例の折曲げ部６から更にこの先端をア
イランド１１の面とほぼ水平に内側方向に折曲げた折曲
げた折曲げ部１６を形成している。
ムの製作時にアイランド１１の端部を金型で上述した第
１図の第１の実施例の折曲げ部６から更にこの先端をア
イランド１１の面とほぼ水平に内側方向に折曲げた折曲
げた折曲げ部１６を形成している。
第２の実施例によれば、折曲げ部１６がアイランド１１
と樹脂５との別離を防止する止め金の役目を果し、第１
の実施例と比べて樹脂とアイランドの界面のすきま発生
をより強力に防止できる利点がある。
と樹脂５との別離を防止する止め金の役目を果し、第１
の実施例と比べて樹脂とアイランドの界面のすきま発生
をより強力に防止できる利点がある。
以上説明したように本発明は、アイランドの端部に折曲
げ部を設けることにより、アイランドの端部に集中して
発生する熱応力を緩和することができるので、半導体装
置をプリント配線板等に実装する際の熱による構成材料
の物性の相違と水分の気化に起因する亀裂や界面のすき
まの発生を防止することができると共に、実装後の半導
体装置の耐湿性を向上し高品質レベルを維持できるとい
う効果がある。
げ部を設けることにより、アイランドの端部に集中して
発生する熱応力を緩和することができるので、半導体装
置をプリント配線板等に実装する際の熱による構成材料
の物性の相違と水分の気化に起因する亀裂や界面のすき
まの発生を防止することができると共に、実装後の半導
体装置の耐湿性を向上し高品質レベルを維持できるとい
う効果がある。
第１図及び第２図はそれぞれ本発明の第１及び第２の実
施例の断面図、第３図は従来の樹脂封止型半導体装置の
一例の断面図である。 １．１１．２１・・・アイランド、２・・・半導体チッ
プ、３・・・金属線、４・・・外部リード、５・・・樹
脂、６゜１６・・・折曲げ部。
施例の断面図、第３図は従来の樹脂封止型半導体装置の
一例の断面図である。 １．１１．２１・・・アイランド、２・・・半導体チッ
プ、３・・・金属線、４・・・外部リード、５・・・樹
脂、６゜１６・・・折曲げ部。
Claims (1)
- 上面に半導体チップを搭載するアイランドと該アイラン
ドの周辺に放射状に配置される外部リードとを有するリ
ードフレームと、前記半導体チップの外周を覆って形成
される樹脂とを備える樹脂封止型半導体装置において、
前記アイランドの対向する２辺の端部が前記アイランド
の半導体チップ搭載面と反対側に折曲げられた折曲げ部
を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11191787A JPS63276256A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11191787A JPS63276256A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63276256A true JPS63276256A (ja) | 1988-11-14 |
Family
ID=14573353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11191787A Pending JPS63276256A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63276256A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015041684A (ja) * | 2013-08-21 | 2015-03-02 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置及びリードフレーム |
-
1987
- 1987-05-08 JP JP11191787A patent/JPS63276256A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015041684A (ja) * | 2013-08-21 | 2015-03-02 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置及びリードフレーム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5783861A (en) | Semiconductor package and lead frame | |
| KR900017153A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| KR19980032479A (ko) | 표면 설치 to-220 패키지 및 그의 제조 공정 | |
| JPH0399445A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS63276256A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3134445B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH02156662A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| KR19990034731A (ko) | 리드 온 칩형 리드 프레임과 그를 이용한 패키지 | |
| JPH02278857A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS6336699Y2 (ja) | ||
| JPS6245159A (ja) | 半導体装置 | |
| KR200169976Y1 (ko) | 반도체 패키지 | |
| JPS63307762A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2546056B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0526761Y2 (ja) | ||
| JPS63248155A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0214558A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH03283648A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0327559A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02268449A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH01173747A (ja) | 樹脂封止形半導体装置 | |
| JPH01206652A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01255259A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH01183143A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPS5998549A (ja) | シングルインライン形半導体装置 |