JPH0327559A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0327559A JPH0327559A JP16170489A JP16170489A JPH0327559A JP H0327559 A JPH0327559 A JP H0327559A JP 16170489 A JP16170489 A JP 16170489A JP 16170489 A JP16170489 A JP 16170489A JP H0327559 A JPH0327559 A JP H0327559A
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- JP
- Japan
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- lead
- mounting part
- semiconductor device
- internal
- bonding wire
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はトランジスタ等の小信号用平面実装型の樹脂封
止型半導体装置に関する。
止型半導体装置に関する。
従来、この種の半導体装置は、第４図（ａ）及び（ｂ）
にそれぞれ内部構造の平面図及びその正面図を示すよう
に、１枚の金属板を加工したリードフレームを有してお
り、このリードフレームは半導体素子ｌ１を搭載する搭
載部１２ど、この搭載部１２の両側に配置した一対の内
部リード１３とを形威している。また、搭載部１２，内
部リードｌ３にはそれぞれ外部リード１４を一体的に形
威している。そして、搭載部１２に搭載した半導体素子
１１と各内部リード１３とをボンディングワイヤ１５で
電気接続し、その上でこれらを樹脂■６でバッゲージし
、このパッケージから外部リード１４を突出させている
。
にそれぞれ内部構造の平面図及びその正面図を示すよう
に、１枚の金属板を加工したリードフレームを有してお
り、このリードフレームは半導体素子ｌ１を搭載する搭
載部１２ど、この搭載部１２の両側に配置した一対の内
部リード１３とを形威している。また、搭載部１２，内
部リードｌ３にはそれぞれ外部リード１４を一体的に形
威している。そして、搭載部１２に搭載した半導体素子
１１と各内部リード１３とをボンディングワイヤ１５で
電気接続し、その上でこれらを樹脂■６でバッゲージし
、このパッケージから外部リード１４を突出させている
。
〔発明が解決しようとする課題］
上述した従来の半導体装置では、リードフレームの搭載
部１２と内部リード１３とを同一平面位置に構成してい
るため、ボンディングワイヤ１５に弛み等が生したとき
に、該ボンディングワイヤ１５の一部が半導体素子１１
や搭載部１２の端部に接触し、電気的な短絡が生じると
いう問題がある。
部１２と内部リード１３とを同一平面位置に構成してい
るため、ボンディングワイヤ１５に弛み等が生したとき
に、該ボンディングワイヤ１５の一部が半導体素子１１
や搭載部１２の端部に接触し、電気的な短絡が生じると
いう問題がある。
また、搭載部１２と内部リードｌ３との電気的な絶縁を
確保するために、両者の間に０．３ｍｍ以上の間隙を確
保する必要があり、このため半導体装置の横方向の長さ
を小さくして半導体装置の小型化を図る上での障害とな
っている。
確保するために、両者の間に０．３ｍｍ以上の間隙を確
保する必要があり、このため半導体装置の横方向の長さ
を小さくして半導体装置の小型化を図る上での障害とな
っている。
本発明はボンディングワイヤの短絡を肪止するとともに
小型化を実現した半導体装置を提供することを目的とす
る。
小型化を実現した半導体装置を提供することを目的とす
る。
本発明の半導体装置は、半導体素子を固着したリードフ
レームの搭載部よりも、この半導体素子にボンディング
ワイヤで電気接続される内部リードの平面位置が高くな
るように配置している。
レームの搭載部よりも、この半導体素子にボンディング
ワイヤで電気接続される内部リードの平面位置が高くな
るように配置している。
この構威では、ボンディングワイヤに弛みが生じた場合
でもボンディングワイヤが半導体素子や搭載部に接触し
て短絡することができ、かつ搭載部と内部リードとの平
面寸法を低減した場合でも両者間の絶縁を確保すること
が可能となる。
でもボンディングワイヤが半導体素子や搭載部に接触し
て短絡することができ、かつ搭載部と内部リードとの平
面寸法を低減した場合でも両者間の絶縁を確保すること
が可能となる。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１実施例を示しており、同図（ａ）
は内部構造の平面図、同図（ｂ）はその正面図である。
は内部構造の平面図、同図（ｂ）はその正面図である。
また、第２図はその概略斜視図である。
これらの図において、リードフレームは金属板を加工し
て形成しており、半導体素子１を搭載ずる搭載部２と、
その両側に配置した一対の内部リード３とを備え、これ
ら搭載部２と内部リード３には外部リード４を一体に設
けている。そして、ここでは各内部リード３の平面位置
を搭載部２の平面位置よりも高い位置に設定している。
て形成しており、半導体素子１を搭載ずる搭載部２と、
その両側に配置した一対の内部リード３とを備え、これ
ら搭載部２と内部リード３には外部リード４を一体に設
けている。そして、ここでは各内部リード３の平面位置
を搭載部２の平面位置よりも高い位置に設定している。
この高さは、搭載部２に搭載した半導体素子１の表面高
さよりも内部リード３の上面高さが高くなるように設定
している。この構或は、例えば内部リード３につながる
外部リード４の一部を上方に曲げ形威し、或いは逆に搭
載部２につながる外部リード４を下、方に曲げ形威する
ことで構威できる。
さよりも内部リード３の上面高さが高くなるように設定
している。この構或は、例えば内部リード３につながる
外部リード４の一部を上方に曲げ形威し、或いは逆に搭
載部２につながる外部リード４を下、方に曲げ形威する
ことで構威できる。
しかる上で、前記半導体素子１と内部リード３とをボン
ディングワイヤ５で相互に電気接続し、かつこれらを樹
脂６で封止してパッケージを構成し、このパッケージか
ら外部リード４を突出させている。
ディングワイヤ５で相互に電気接続し、かつこれらを樹
脂６で封止してパッケージを構成し、このパッケージか
ら外部リード４を突出させている。
この構威によれば、内部リード３が半導体素子ｌの表面
よりも高い位置にあるため、ボンディングワイヤ５に弛
みが生じた場合でも、ボンディングワイヤ５が半導体素
子１の端部や搭載部２に接触することが防止できる。
よりも高い位置にあるため、ボンディングワイヤ５に弛
みが生じた場合でも、ボンディングワイヤ５が半導体素
子１の端部や搭載部２に接触することが防止できる。
また、搭載部２に対して内部リード３の平面間隔寸法を
低減しても、両者の間には充分な寸法を確保でき、両者
間の絶縁性を高めかつパッケージの小型化が実現できる
。
低減しても、両者の間には充分な寸法を確保でき、両者
間の絶縁性を高めかつパッケージの小型化が実現できる
。
第３図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２実施例の内部構
造の平面図及びその正面図である。なお、第１実施例と
同一部分には同一符号を付してある。
造の平面図及びその正面図である。なお、第１実施例と
同一部分には同一符号を付してある。
この実施例では、搭載部２Ａを、その左右端が各内部リ
ード３の内側端に略一致する程度にまで大きく形威して
いる。そして、この搭載部２Ａに対して内部リード３の
高さを高い位置に設定している点は第１実施例と同じで
ある。
ード３の内側端に略一致する程度にまで大きく形威して
いる。そして、この搭載部２Ａに対して内部リード３の
高さを高い位置に設定している点は第１実施例と同じで
ある。
これにより、第１実施例と同様に半導体素子１と内部リ
ード３とを接続するボンディングワイヤ５の弛みによる
短絡を防止できる。これに加えて、この構或では、搭載
部２Ａの横方向寸法をできる限り大きく形威しても、内
部リード３との間に充分な間隔を確保でき、両者間の絶
縁を保持させる。
ード３とを接続するボンディングワイヤ５の弛みによる
短絡を防止できる。これに加えて、この構或では、搭載
部２Ａの横方向寸法をできる限り大きく形威しても、内
部リード３との間に充分な間隔を確保でき、両者間の絶
縁を保持させる。
したがって、より大型の半導体素子の搭載が可能となり
、大信号用半導体装置への適用を可能とする。
、大信号用半導体装置への適用を可能とする。
以上説明したように本発明は、半導体素子を固着した搭
載部よりも、内部リードの平面位置を高くしているので
、ボンディングワイヤに弛みが生した場合でもボンディ
ングワイヤが半導体素子や搭載部に接触して短絡するこ
とができる。また、搭載部と内部リードとの平面寸法を
低減した場合でも両者間の絶縁を確保することができ、
パッケージの小型化が実現できる。
載部よりも、内部リードの平面位置を高くしているので
、ボンディングワイヤに弛みが生した場合でもボンディ
ングワイヤが半導体素子や搭載部に接触して短絡するこ
とができる。また、搭載部と内部リードとの平面寸法を
低減した場合でも両者間の絶縁を確保することができ、
パッケージの小型化が実現できる。
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第ｌ実施例の内部構
造の平面図及びその正面図、第２図はその概略斜視図、
第３図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２実施例の内部構
造の平面図及びその正面図、第４図（ａ）及び（ｂ）は
従来の半導体装置の内部構造の平面図及びその正面図で
ある。 １・・・半導体素子、２，２Ａ・・・搭載部、３・・・
内部リード、４・・・外部リード、５・・・ボンディン
グワイヤ、６・・・樹脂、１１・・・半導体素子、１２
・・・搭載部、１３・・・内部リード、１４・・・外部
リード、ｌ５・・ホンディングワイヤ、ｌ６・・・樹脂
。
造の平面図及びその正面図、第２図はその概略斜視図、
第３図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２実施例の内部構
造の平面図及びその正面図、第４図（ａ）及び（ｂ）は
従来の半導体装置の内部構造の平面図及びその正面図で
ある。 １・・・半導体素子、２，２Ａ・・・搭載部、３・・・
内部リード、４・・・外部リード、５・・・ボンディン
グワイヤ、６・・・樹脂、１１・・・半導体素子、１２
・・・搭載部、１３・・・内部リード、１４・・・外部
リード、ｌ５・・ホンディングワイヤ、ｌ６・・・樹脂
。
Claims (1)
- １、リードフレームの搭載部に固着した半導体素子と、
この搭載部の両側に配置した内部リードとをボンディン
グワイヤで電気接続し、これらを樹脂等で封止してなる
半導体装置において、前記内部リードを搭載部の平面位
置よりも高い位置に配置したことを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16170489A JPH0327559A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16170489A JPH0327559A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0327559A true JPH0327559A (ja) | 1991-02-05 |
Family
ID=15740290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16170489A Pending JPH0327559A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0327559A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6548536B2 (en) | 1998-08-31 | 2003-04-15 | Kyowa Hakko Kogyo Co., Ltd. | Agent for inducing apoptosis |
| CN102560480A (zh) * | 2010-12-07 | 2012-07-11 | 财团法人工业技术研究院 | 隔热材料及其制造方法 |
-
1989
- 1989-06-23 JP JP16170489A patent/JPH0327559A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6548536B2 (en) | 1998-08-31 | 2003-04-15 | Kyowa Hakko Kogyo Co., Ltd. | Agent for inducing apoptosis |
| CN102560480A (zh) * | 2010-12-07 | 2012-07-11 | 财团法人工业技术研究院 | 隔热材料及其制造方法 |
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