JPH0243701A

JPH0243701A - チップ状ヒューズ抵抗器とその製造方法

Info

Publication number: JPH0243701A
Application number: JP63194236A
Authority: JP
Inventors: Toshihide Narusawa; 鳴沢　俊秀; Masashi Gomi; 五味　正志; Shiro Ota; 嗣郎太田
Original assignee: Koa Corp
Current assignee: Koa Corp
Priority date: 1988-08-03
Filing date: 1988-08-03
Publication date: 1990-02-14
Anticipated expiration: 2014-10-18
Also published as: JP2964478B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は、チップ状ヒユーズ抵抗器並にその製造方法に
関する。

（従来の技術）従来の１ツブ状ヒユーズ抵抗器は、特開昭６２−５５８
３２号公報に記載されているように、チップ状絶縁基板
上の電極間に抵抗皮膜が形成され、この抵抗皮膜にトリ
ミングにより溶断部を形成し、この溶断部と前記基板聞
にガラスよりなる断熱層を介在させ、トリミングによる
負荷集中とガラスの断熱性とによって過電流発生時の抵
抗皮膜の溶断時間を短縮させた構造が知られている。

またチップ状ヒユーズ抵抗器の製造法としては、同上公
報に記載されているように、（１）　　分割溝を有する
絶縁基板上の各単位片ｍに間隔を介して一対の電極を形
成し、（２）　　次に電極の中間部にガラス断熱層を形成し、
（３）　　次にガラス断熱層を合む抵抗皮膜形成部分以
外の全面に耐メッキ塗料によってマスクを施し、（４）
　　次に無電解ニッケルメッキを施して抵抗皮膜を形成
し、次にマスクを剥離し、（５）　　エージング後抵抗皮膜にトリミングを施して
抵抗値の調整と過電流発生的に溶断し易い部分を形成し
、（６）　　以下順次表面保護膜の形成、絶縁基板を中冊
状細長板に分割、ｍ長板の長さ方向に端面電極の形成、
Ｉａｌ艮板を１−ツブ状に分割する方法が採られていた
。

（発明が解決しようどする課題）上述のような特開昭６２−５５８３２号公報に記載の構
造のチップ状ヒユーズ抵抗器では、トリミングによる負
荷集中とガラスの断熱性とによって抵抗皮膜の溶断速度
を短縮することはできるが、溶断後の抵抗皮膜の再接触
を防ぐことは困難である。

さらに上述の特開昭６２−５５８３２号公報に記載の方
法によるときは、絶縁基板に先ず多数の電極を形成し、
次に電極間にガラス所熱層を形成し、さらに抵抗皮膜を
形成している。このため断熱層や′ｒｒ１極と抵抗皮膜
の接続部に段差ができて抵抗皮膜が均一になりにくいと
いう問題がある。

本発明の目的は、上記問題点に鑑み、過電流発生時に抵
抗皮膜が溶断したときの再接触を防止するとともに、均
一な抵抗皮膜を形成するチップ状ヒユーズ抵抗器とその
！Ｉ造Ｉノ法を捉供するものである。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段）本発明のチップ状ヒユーズ抵抗器は、チップｊ１と、こ
のチップ片上に形成された抵抗皮膜と、前記チップ片上
の前記抵抗皮膜を含む両端に相対して形成された上面電
極とからなり、前記上面電極［尼の前記抵抗皮膜にトリ
ミングによって口句集中部を形成し、この負荷集中部上
を低融点物質よりなる溶融材により被覆したものである
。

本発明のチップ状抵抗器の製造方法は、チップ片単位に
分割される絶縁基板の表面の抵抗皮膜形成装置に活性化
処理膜を形成し、次にこの６性化処理股上に無電解メッ
キによる抵抗皮膜を形成し、次に前記各単位１１毎に、
抵抗皮膜上に相対して離間した上面電極を形成し、次に
各中位月毎に前記抵抗皮膜にトリミングによる負荷集中
部を形成し、次にこの負荷集中部ヒを溶融材で被覆し、
抵抗皮膜上を保護コートで被覆し、前記絶縁基板を短凹
状細長板に分割し、この細長板に端面電極を形成し、前
記細長板をチップ状に分割することを特徴とするもので
ある。

（作用）本発明のチップ状ヒユーズ抵抗器は、抵抗皮膜に形成し
たトリミングによる負荷集中部を低融点ガラス被覆部で
被覆し熱集中により過電流発生時の抵抗皮膜の溶断時間
が短縮されるとともに溶融材によって溶断された抵抗皮
膜の再接触が防止される。

本発明のチップ状ヒユーズ抵抗器の”ｌＪ’ｆ？ｚ方法
は、絶縁基板の先ず抵抗皮膜を形成し、次にこの抵抗皮
膜上に一対の電極を対設するため抵抗皮膜と電極との接
続部に段差がなく、抵抗皮膜を均一にすることができる
。

（実施例）本発明のチップ状ヒユーズ抵抗器の一実施例を第１図、
第２図によって説明する。

１は絶縁基板を分割したチップ片で、このチップ片１上
にパラジウム（Ｐｄ）を主成分とした活性化層２が形成
され、この活性化層２上にニッケルーリン（Ｎｉ−Ｐ）
系、ニッケルーボロン（Ｎｉ−８）系、銅（Ｃｕ）、ニ
ッケルータンゲスアン（Ｎｉ−Ｗ）系などの無電解メッ
キによる抵抗皮膜３が形成されている。さらに抵抗皮Ｆ
！３上の両端には、銀（＾ｇ）−樹脂ペーストの焼付け
、または、スパッタ法にて形成されたニッケルークロム
（Ｎｉ−Ｃｒ　）、銅（Ｃｕ）などの上面電極４．４が
形成されている。

また、この上面電極４，４間の抵抗皮膜３には、レーザ
ートリミング等によりダブルリバースカットした切溝５
よりなる負荷集中部６が形成され、この負荷集中部６上
をガラスまたは炭化しない樹脂よりなる溶融材７が被覆
している。さらに、必要に応じて抵抗皮膜３にはレーザ
ートリミング等によって抵抗Ｉｒ１調整用の切溝８も形
成されている。また、溶融材７を含む抵抗皮膜３上には
耐熱エポキシ樹脂よりなる保護コート９が形成され、チ
ップ片１の両端面と裏面の一部並に保護コート９で被覆
されない上１ｌｌｒｉ電極４．４の一部にかけてこの上
面電極４．４と同様な材料よりなる端面電極１０．１０
が形成され、さらに、この−面電極１０゜１０を被ｍｙ
るようにハンダ電極１１．１１が形成されている。

上述の実施例のチップ状ヒユーズ抵抗器をトランジスタ
、ＩＣＷの電子部品回路に実装して用いたとき、過電流
が発生すると、抵抗皮膜３の負荷集中部６が過熱される
とともにこの負荷集中部６を被覆した低融点物質よりな
る溶融材７が熱を集中させ溶断時間を短縮させるととも
に、溶融材７の速やかな溶融により溶断した抵抗皮膜３
の再接触が防止される。

次に本発明のチップ状ヒユーズ抵抗器の’Ｉｎ方法の一
例を第３図ないし第１８図によって説明する。

（１）　　第３図において１２はアルミナ絶縁基板で、
各チップ片単位１ａ毎に表面に縦横に分割溝１３．１４
が形成されている。

第３図、第４図に示すように絶縁基板１２の表面に各チ
ップ片単位１ａの長さ方向に連続して帯状に活性化ペー
ストの印刷を施し次に５００℃〜６２０℃で焼成して各
チップ片単位１ａの表面長さ方向に活性化層２を形成す
る。活性化ペーストは、Ｐｄを主成分とした有機物バイ
ンダーのペースト、または、パラジウム（Ｐｄ）を主成
分としたガラスバインダーペーストが用いられる。

（２）　　次に第５図、第６図に示すように絶縁基板１
２の活性化層２上に無電解メッキを施す。無電解メッキ
は、ニッケルーリン（Ｘｉ−Ｐ）系、ニッケルーボロン
（Ｎｉ−８）系、銅（Ｃｕ）、ニッケルータングステン
（Ｎｉ−Ｗ）系等の無電解メッキ液の何れかに絶縁基板
１２を浸漬することにより活性化層２が形成された部分
に無電解メッキが施され、他の部分はメッキ液を洗い流
すことによりメッキが施されない。次にエージングを施
して各チツプハ甲位１ａの活性化層２上に抵抗皮膜３を
形成する。

（３）　　次に第７図、第８図に示すように抵抗皮膜３
が形成されたチップ片甲Ｑｔａの上面の抵抗皮膜３を含
む両端に上面電極４，４を形成する。

上面電ｗＪ４の形成は、銀（＾ａ）−ｖＡ脂ペーストを
電極形成部分に印刷して１５０℃〜２００℃によって焼
付けを施すか、または、電極形成部分の他を金属マスク
またはレジストによってマスキングし、ｆｆ１ｌ形成部
分にニッケルークロム（Ｎｉ−Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）など
をスパッタすることにより形成される。

（４）次に第９図、第１０図に示すように抵抗皮膜３に
レーザーまたはエツチングによりトリミングを施し、ダ
ブルリバースカットによる負荷集中部６形成用の切溝５
と必要に応じて抵抗値調整用の切溝８を形成する。

（５）次に、第１１図、第１２図に示すように、負荷集
中部６上に、ガラス粉末を含む塗料または、炭化しない
樹脂よりなる塗料を印刷し溶融材７を形成する。

（６）次に第１３図、第１４図に示すように、溶融材７
を含む抵抗皮膜３上を絶縁基板１２上で帯状に連続させ
て耐熱エポキシ樹脂塗料で被覆して１５０℃〜２００℃
で硬化させ、保護コート９を形成する。

（７）　　次に第１５図に示すように、絶縁基板１２を
チップ片単位１ａの長さ方向の分割溝１３から分割して
チップ片単位１ａが中方向に連続した短冊形の細長分割
板１ｂを得る。

（８）次に第１６図に示すように、細長分割板１ｂの両
側面全長とこの両側面に連続するＪ−面と下面の一部に
銀（ＡＱ）−樹脂塗料を塗布して焼付けるか、または、
スパッタによりニッケルークロム（Ｎｉ−ＣＤ）、銅（
Ｃｕ）などの金属膜を形成し、前記上面電極４．４と接
続さけた端面電極１０．１０を形成する。

（９）　　次に細長分割板１ｂをチップ片単位１ａの中
方向の分割溝１４から分割して、第１７図、第１８図に
示すチップ片１を１りる。

６０　　次にチップ片１の端面電極１０．１０にニッケ
ル（Ｎｉ）　、ハンダ祠料錫／鉛（Ｓｎ／Ｐｂ　）をメ
ッキしてハンダ電極１１．１１を形成し、第１図、第２
図に示す製品を（９る。

上述の実施例の方法は、絶縁基板１２に活性化処理を下
地とする無電解メツ４によって先ず抵抗皮ｖ３を形成し
、次にこの抵抗皮膜３」−に上面電極４．４を形成した
から、抵抗皮膜３の上面電極４との接続部に段差がなく
均一・な抵抗皮膜３を形成することができる。また、上
面電極４の形成に先立って活性化処理を下地どづる無電
解メツ１−抵抗皮膜３を形成するため抵抗皮膜３の形成
時（、−絶縁基板１２にマスキングを施す必要が’ｔＺ
　＜製造を簡易化することができる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、抵抗皮膜に形成した負荷集中部とこの
上に形成された溶融材とによって過電流発生時に抵抗皮
膜の溶断時間が短縮されるとともに溶融材の速やかな溶
融によって溶断した抵抗皮膜の再接触を防ぐことができ
る。

また製造に際しては絶縁基板上に抵抗皮膜を形成し、次
に抵抗皮膜上に上面電極を形成するため電極形成後に抵
抗皮膜を形成したものに比べて抵抗皮膜に段差がなく全
体に均一に形成される。

また絶縁基板に最初に活性化処理を前処理Ｔ稈とした無
電解メッキにより抵抗皮膜を形成するため絶縁基板にマ
スキングをＩＭす必要が％　＜　’Ｆｊｊ　造を簡易化
することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のチップ状ヒユーズ賎ＩＡ器の縦断正面
図、第２図は同上平面図、第３図ないし第１８図は同上
製造工程説明図で、第３図（１活性化処理膜を形成した
絶縁基板の一部の平面図、第４図は同上へ−へ線断面図
、第５図は抵抗皮膜を形成した絶縁基板の一部の平面図
、第６図は同上へ−Ａ線所面図、第７図は上面電極を形
成した絶縁基板の一部の平面図、第８図は同上Ｂ−Ｂ線
断面図、第９図、第１０図は抵抗皮膜にトリミングを施
した絶縁基板の一部の平面図、第１１図は溶融材を形成
した絶縁基板の一部の平面図、第１２図は同上Ｂ−８轢
断面図、第１３図は保護コートを隠した絶縁基板の一部
の平面図、第１４図は同上Ａ−Δ線断面図、第１５図は
細艮分ｖｌ板の一部の平面図、第１６図は端面電極を形
成した細長分割板の平面図、第１７図は分割されたチッ
プ片の平面図、第１８図は同上縦断正面図である。１・・デツプ片、１ａ・・チップ片単位、２・・活性化
処理膜、３・・抵抗皮膜、４・・上面電極、６・・負荷
集中部、７・・溶融材、１２・・絶縁基板。１娶り竪１ぐり」

Claims

【特許請求の範囲】

（１）チップ片と、このチップ片上に形成された抵抗皮
膜と、前記チップ片上の前記抵抗皮膜を含む両端に相対
して形成された上面電極とからなり、前記上面電極間の前記抵抗皮膜にトリミングによって負
荷集中部を形成し、この負荷集中部上を低融点物質より
なる溶融材により被覆したことを特徴とするチップ状ヒ
ューズ抵抗器。
（２）チップ片単位に分割される絶縁基板の表面の抵抗
皮膜形成位置に活性化処理膜を形成し、次にこの活性化
処理膜上に無電解メッキによる抵抗皮膜を形成し、次に前記各単位片毎に、抵抗皮膜上に相対して離間した
上面電極を形成し、次に各単位片毎に前記抵抗皮膜にトリミングによる負荷
集中部を形成し、次にこの負荷集中部上を溶融材で被覆し、抵抗皮膜上を保護コートで被覆し、前記絶縁基板を短冊
状細長板に分割し、この細長板に端面電極を形成し、前
記細長板をチップ状に分割することを特徴とするチップ
状ヒューズ抵抗器の製造方法。