JPH09115413A - チップ型ヒューズ抵抗器およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 優れた断線特性を有し、かつ自動実装機での
吸着ミスの少ない実装性の良いものを提供することを目
的とするものである。 【解決手段】 絶縁基板２１の上面に設けた凹部２２の
近傍にパターン幅が他の部分より狭くなるように抵抗膜
２３と、この抵抗膜２３を覆う絶縁保護膜２５と、絶縁
基板２１の側面に抵抗膜２３と電気的に接続する端面電
極２６とを備えることにより、優れた断線特性を有しか
つ吸着ミスの少ないものが提供できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子回路において
過電流による部品の性能劣化や損傷を防止するためのチ
ップ型ヒューズ抵抗器およびその製造方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】以下、従来のチップ型ヒューズ抵抗器お
よびその製造方法について、図面を参照しながら説明す
る。

【０００３】従来のチップ型ヒューズ抵抗器およびその
製造方法としては、特開平２−４３７０１号公報に、基
板の表面に抵抗膜と上面電極とを備え、前記抵抗膜にト
リミングによって負荷集中部を形成し、この負荷集中部
を溶融剤により被覆したものが開示されている。

【０００４】図５（ａ）は従来のチップ型ヒューズ抵抗
器の上面を透視した図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−
Ａ断面図である。

【０００５】図において、１はアルミナ等からなる絶縁
基板である。２は絶縁基板１の上面に設けられたパラジ
ウムを主成分とした活性化層である。３は活性化層２の
上面に設けられた無電解めっきによる抵抗膜である。４
は負荷集中部５を形成するために設けられた第１の切り
溝である。６は抵抗膜３を所望の抵抗値にするために設
けられた第２の切り溝である。７は絶縁基板１の抵抗膜
３の上面に設けられた一対の上面電極である。８は負荷
集中部５を覆うように設けられたガラスまたは炭化しな
い樹脂よりなる溶融材である。９は少なくとも抵抗膜３
および溶融材８を覆うように設けられた耐熱エポキシ樹
脂からなる保護膜である。１０は上面電極７と電気的に
接続するように、絶縁基板１の対向する側面に設けられ
た端面電極である。１１は端面電極１０を覆うように設
けられたニッケルめっき、１２はニッケルめっき１１を
覆うように設けられたはんだめっきである。

【０００６】以上のように構成された従来のチップ型ヒ
ューズ抵抗器について、以下にその製造方法について説
明する。

【０００７】図６は、従来のチップ型ヒューズ抵抗器の
製造方法を示す工程図である。図において、まず、縦横
に分割溝を形成したアルミナ絶縁基板１の上面に、帯状
にパラジウムを主成分とした活性化ペーストを印刷し、
５００〜６２０℃で焼成して、活性化層２を形成する。

【０００８】次に、活性化層２の上面にニッケルリン等
の無電解めっきを施して、抵抗膜３を形成する。

【０００９】次に、抵抗膜３の上面に、対向するように
樹脂−銀ペーストを印刷・乾燥して上面電極７を形成す
る。

【００１０】次に、抵抗膜３をレーザートリミングでダ
ブルリバースカットし、第１の切り溝４を形成して、電
流の負荷集中部５を形成する。

【００１１】次に、抵抗膜３に、所望の抵抗値を得るた
め、レーザートリミングで第２の切り溝６を形成する。

【００１２】次に、少なくとも負荷集中部５を覆うよう
にガラス粉末を含む塗料を印刷・乾燥し、溶融材８を形
成する。

【００１３】次に、耐熱エポキシ樹脂により少なくとも
抵抗膜３および溶融材８を被覆し、１５０〜２００℃で
乾燥して保護膜９を形成する。

【００１４】次に、絶縁基板１の上面電極７を設けた側
から、短冊状に絶縁基板１を分割（一次分割）する。

【００１５】次に、一次分割した絶縁基板１の上面電極
７を設けた側の両側面に、樹脂−銀ペーストを塗布・乾
燥して端面電極１０を形成する。

【００１６】次に、短冊状の絶縁基板１を個片に分割し
（二次分割）、上面電極７および端面電極１０を覆うよ
うに、ニッケルめっき１１とはんだめっき１２とを施し
て従来のチップ型ヒューズ抵抗器を製造していた。

【００１７】以上のように製造された従来のチップ型ヒ
ューズ抵抗器について、以下にその動作を説明する。

【００１８】従来のチップ型ヒューズ抵抗器が、各種電
子部品が実装されるプリント基板に実装され、過電流等
の影響を受けて、抵抗膜３の負荷集中部５が過熱され、
抵抗膜３を形成する樹脂−銀ペーストおよび負荷集中部
５を覆う溶融材８が、それぞれの融点以上の温度になる
と、抵抗膜３が溶融し、断線していた。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
特開平２−４３７０１号では、抵抗膜３および溶融材８
は、そのそれぞれの材料の融点以上の高温にならなけれ
ば溶融して断線しないため、溶融までに時間がかかり、
溶断するまでにチップ型ヒューズ抵抗器が高温となり、
各種電子部品が実装されているプリント基板や、近接す
る電子部品も高温になり、それぞれの電子部品に影響を
与えるという課題を有していた。

【００２０】また、負荷集中部５が溶融材８で被覆され
ているため、保護膜９表面が溶融材８分、上面に盛り上
がり、表面が平滑にならないので、チップ型ヒューズ抵
抗器を自動実装機で実装する際、吸着ミスが発生すると
いう課題を有していた。

【００２１】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、優れた断線特性を有し、かつ自動実装機での吸着ミ
スの少ない実装性の良いチップ型ヒューズ抵抗器および
その製造方法を提供することを目的とするものである。

【００２２】

【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明のチップ型ヒューズ抵抗器は、上面に凹部を有
する絶縁基板と、前記絶縁基板の凹部の近傍にパターン
幅が他の部分より狭くなるように前記絶縁基板の上面に
設けられた抵抗膜と、少なくとも前記絶縁基板の凹部を
覆うように設けられた絶縁保護膜と、前記抵抗膜と電気
的に接続するように前記絶縁基板の対向する側面に設け
られた端面電極とを備えた構成を有するものである。

【００２３】また、上面に凹部を有する絶縁基板と、前
記絶縁基板の凹部の近傍にパターン幅が他の部分より狭
くなるように前記絶縁基板の上面に設けられた抵抗膜
と、この抵抗膜の上面に設けられためっき膜と、少なく
とも前記絶縁基板の凹部を覆うように設けられた絶縁保
護膜と、前記めっき膜と電気的に接続するように前記絶
縁基板の対向する側面に設けられた端面電極とを備えた
構成を有するものである。

【００２４】また、上面に凹部を有する絶縁基板の上面
の全体に抵抗膜を形成し、前記絶縁基板の凹部の近傍で
パターン幅が狭くなるとともに前記絶縁基板の凹部内の
前記抵抗膜を除去し、少なくとも前記絶縁基板の凹部を
覆うように絶縁保護膜を形成し、前記抵抗膜と電気的に
接続するように前記絶縁基板の対向する側面に端面電極
を形成する製造方法を有するものである。

【００２５】また、上面に凹部を有する絶縁基板の上面
の全体に抵抗膜を形成し、前記絶縁基板の凹部の近傍で
パターン幅が狭くなるとともに前記絶縁基板の凹部内の
前記抵抗膜を除去し、前記抵抗膜の上面にめっき膜を形
成し、少なくとも前記絶縁基板の凹部を覆うように絶縁
保護膜を形成し、前記抵抗膜と電気的に接続するように
前記絶縁基板の対向する側面に端面電極を形成する製造
方法を有するものである。

【００２６】

【発明の実施の形態】本発明の請求項に記載の発明によ
り、抵抗膜は凹部近傍で負荷集中し、高温になるように
形成されかつ凹部内に空気が残るように絶縁保護膜で被
覆されているため、負荷集中部が高温になった際、凹部
内の空気中の酸素によって抵抗膜が酸化する。この酸化
した抵抗膜は絶縁物で導電性がないため、電流を遮断す
ることができる。

【００２７】また、以上のような製造方法によって、絶
縁基板の上面に抵抗膜を形成し、その上面に絶縁保護膜
を直接形成するため、保護膜表面を容易に平滑にするこ
とができる。

【００２８】（実施の形態１）以下、本発明の一実施の
形態におけるチップ型ヒューズ抵抗器およびその製造方
法について、図面を参照しながら説明する。

【００２９】図１（ａ）は本発明の一実施の形態におけ
るチップ型ヒューズ抵抗器の上面を透視した図、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。

【００３０】図において、２１はガラスアルミナ、アル
ミナ、ガラス、ガラスエポキシ、窒化アルミナ等のいず
れかからなる絶縁基板である。２２は絶縁基板２１の上
面に設けられた凹部である。２３は絶縁基板２１の上面
の凹部２２の近傍でパターン幅を他の部分より狭くして
なる負荷集中部２４を有するように絶縁基板２１の上面
に設けられた抵抗膜で、ＮｉまたはＣｒまたはＴａまた
はＴｉまたはＣｕ等の単一金属薄膜、またはこれらのう
ち二種類以上を含む合金薄膜からなるものである。２５
は少なくとも絶縁基板２１の上面の凹部２２を覆うよう
に設けられた絶縁保護膜で、難燃性のエポキシ系の樹脂
またはフェノール系の樹脂からなるものである。２６は
抵抗膜２３と電気的に接続するように絶縁基板２１の対
向する側面に設けられた端面電極で、ＮｉまたはＣｒま
たはＴａまたはＴｉまたはＣｕ等の単一金属薄膜、また
はこれらのうち二種類以上を含む合金薄膜、または樹脂
−銀ペースト等の導電ペーストからなるものである。２
７は少なくとも端面電極２６を覆うように設けられたニ
ッケルめっき、２８はニッケルめっき２７を覆うように
設けられたはんだめっきである。

【００３１】以上のように構成されたチップ型ヒューズ
抵抗器について、以下にその製造方法を、図面を参照し
ながら説明する。

【００３２】図２は、本発明の一実施の形態におけるチ
ップ型ヒューズ抵抗器の製造方法を示す工程図である。

【００３３】まず、ガラスアルミナ、アルミナ、ガラ
ス、ガラスエポキシ、窒化アルミナ等のいずれかからな
る絶縁基板２１の上面に、個片に分割するための縦横ス
リットと、凹部２２とを金型により形成する。

【００３４】次に、絶縁基板２１の上面の全体に、蒸着
法やスパッタリング法やＣＶＤ法等の着膜工法により、
ＮｉまたはＣｒまたはＴａまたはＴｉまたはＣｕ等の単
一金属もしくはこれらのうち二種類以上を含む合金を着
膜し、抵抗膜２３を形成する。

【００３５】次に、抵抗膜２３の上面全体にネガタイプ
のレジスト３０をスピンコータまたはロールコータを用
いて均一に塗布し、８０℃で２０分間乾燥させる。

【００３６】次に凹部２２の近傍で幅を狭くし負荷集中
部２４を形成する抵抗膜２３のパターンの形状をしたフ
ォトマスクを通し、凹部２２を除くパターンを露光後、
現像液で凹部２２の内部と抵抗膜２３のパターンで露光
されていない部分とのレジスト３０を除去する現像を行
う。

【００３７】次に、凹部２２の内部と、凹部２２の近傍
で幅を狭くし負荷集中部２４を形成する抵抗膜２３のパ
ターン以外の部分の抵抗膜２３を、エッチングにより除
去する。

【００３８】次に、硝酸、硫酸等の強酸の溶液等を用い
て、凹部２２の近傍で幅を狭くし負荷集中部を形成する
抵抗膜２３のパターン部分のレジスト３０を完全に除去
する。

【００３９】次に、高粘度でかつチキソトロピーを大き
くしたエポキシ系またはフェノール系の難燃性樹脂をス
クリーン印刷・乾燥によって少なくとも凹部２２を覆う
ように絶縁保護膜２５を形成する。この難燃性樹脂の乾
燥方法としては、急激に温度を上げると樹脂の粘度が下
がりチキソトロピーが急激に小さくなるため、まず７０
〜１００℃で１５分間予備乾燥を行い、その後、３０分
程度で１５０〜２５０℃になるように徐々に温度を上げ
て本乾燥を行う。

【００４０】次に、絶縁基板２１の抵抗膜２３を設けた
側を短冊状に分割（一次分割）する。

【００４１】次に、抵抗膜２３と電気的に接続するよう
に、絶縁基板２１の対向する側面に蒸着法またはスパッ
タリング法またはＣＶＤ法等の着膜工法により、Ｎｉま
たはＣｒまたはＴａまたはＴｉまたはＣｕ等の単一金属
薄膜、もしくはこれらのうちの二種類以上を含む合金薄
膜を着膜し、端面電極２６を形成する。

【００４２】次に、一次分割した絶縁基板２１を個片に
分割（二次分割）する。次に、少なくとも端面電極２６
を覆うように、ニッケルめっき２７と、ニッケルめっき
２７を覆うようにはんだめっき２８とを形成して、チッ
プ型ヒューズ抵抗器を製造するものである。

【００４３】以上のように構成および製造された本発明
のチップ型ヒューズ抵抗器について、以下にその動作に
ついて説明する。

【００４４】本実施の形態で説明したチップ型ヒューズ
抵抗器を各種電子部品が実装されるプリント基板に実装
し、過電流等の影響を受けると、抵抗膜２３の負荷集中
部２４が過熱され、絶縁基板２１の上面に設けられた凹
部２２に閉じこめられた空気も過熱される。この空気の
温度が上がると、凹部２２の近傍の抵抗膜２３が酸化さ
れ、絶縁物となるため、電流が遮断され断線するもので
ある。

【００４５】また、絶縁保護膜２５として、難燃性樹脂
の粘度およびチキソトロピーを更に大きくし、テープ状
にしたものを抵抗膜２３上に貼って被覆しても良く、端
面電極２６には、樹脂−銀ペースト等の導電性ペースト
を塗布し、乾燥することによって形成しても良い。

【００４６】また、絶縁保護膜２５となる樹脂を凹部２
２に被覆する際、凹部２２の内部に樹脂が入らない大き
さであれば、凹部２２の形状は丸形、方形、楕円形、細
長形等どのような形状でも良いが、樹脂により被覆する
場合は、高粘度化と高チクソ化に限界があるため、凹部
２２の寸法は０．１〜０．５ｍｍ程度が望ましい。ま
た、凹部２２の深さは基板の抗折強度を落とさず、かつ
空気を蓄えるために、基板厚の１／２〜１／５が望まし
い。

【００４７】なお、本実施例では、絶縁保護膜で覆われ
ていない抵抗膜を電極として使用しているが、抵抗膜の
パターン形成後、抵抗膜の上面に蒸着法またはスパッタ
リング法またはＣＶＤ法の着膜工法により、単一金属薄
膜もしくは合金薄膜を着膜するか、または、樹脂−銀ペ
ースト等の導電ペーストを塗布−乾燥することにより電
極を形成しても同様の効果が得られる。また、電極とし
ては抵抗膜を形成する前に、絶縁基板の上面に金属有機
化合物ペーストを印刷・焼成により形成しても良い。

【００４８】（実施の形態２）以下、本発明の他の実施
の形態におけるチップ型ヒューズ抵抗器およびその製造
方法について、図面を参照しながら説明する。

【００４９】図３（ａ）は本発明の他の実施の形態にお
けるチップ型ヒューズ抵抗器の上面を透視した図、図３
（ｂ）は図３（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。

【００５０】図において、３１はガラスアルミナ、アル
ミナ、ガラス、ガラスエポキシ、窒化アルミナ等のいず
れかからなる絶縁基板である。３２は絶縁基板３１の上
面に設けられた凹部である。３３はＮｉまたはＣｒまた
はＴａまたはＴｉまたはＣｕ等の単一金属薄膜、または
これらのうち二種類以上を含む合金薄膜によって絶縁基
板３１の上面に設けられた抵抗膜である。３４は凹部３
２の近傍で、抵抗膜３３のパターン幅を他の部分より狭
くしてなる負荷集中部である。３５は抵抗膜３３の上面
にニッケルまたはニッケル−リンまたはニッケル−ボロ
ンまたはニッケル−タングステンまたは銅またはニッケ
ル−銅等のいずれかからなる無電解めっきによるめっき
膜である。３６は少なくとも絶縁基板３１の上面の凹部
３２を覆うように設けられた絶縁保護膜で、難燃性のエ
ポキシ系の樹脂またはフェノール系の樹脂からなるもの
である。３７は抵抗膜３３と電気的に接続するように絶
縁基板３１の対向する側面に設けられた端面電極で、Ｎ
ｉまたはＣｒまたはＴａまたはＴｉまたはＣｕ等の単一
金属薄膜、またはこれらのうちの二種類以上を含む合金
薄膜、または樹脂−銀ペースト等の導電ペーストからな
るものである。３８は少なくとも端面電極３７を覆うよ
うに設けられたニッケルめっき、３９はニッケルめっき
３８を覆うように設けられたはんだめっきである。

【００５１】以上のように構成されたチップ型ヒューズ
抵抗器について、以下にその製造方法について、図面を
参照しながら説明する。

【００５２】図４は、本発明の他の実施の形態における
チップ型ヒューズ抵抗器の製造方法を示す工程図であ
る。

【００５３】まず、ガラスアルミナ、アルミナ、ガラ
ス、ガラスエポキシ、窒化アルミナ等のいずれかからな
る絶縁基板３１の上面に、個片に分割するための縦横ス
リットと、凹部３２とを金型により形成する。

【００５４】次に、絶縁基板３１の上面の全体に、蒸着
法やスパッタリング法やＣＶＤ法等の着膜工法により、
ＮｉまたはＣｒまたはＴａまたはＴｉまたはＣｕ等の単
一金属もしくはこれらのうち二種類以上を含む合金を着
膜し、抵抗膜３３を形成する。

【００５５】次に、抵抗膜３３の上面の全体にネガタイ
プのレジスト４０をスピンコータまたはロールコータを
用いて均一に塗布し、８０℃で２０分間乾燥させる。

【００５６】次に、凹部３２の近傍で幅を狭くし負荷集
中部３４を形成する抵抗膜３３のパターンの形状をした
フォトマスクを通し、凹部３２を除くパターンを露光
後、現像液で凹部３２の内部と抵抗膜３３のパターンで
露光されていない部分とのレジスト４０を除去する現像
を行う。

【００５７】次に、凹部３２の内部と、凹部３２の近傍
で幅を狭くし負荷集中部３４を形成する抵抗膜３３のパ
ターン以外の部分の抵抗膜３３を、エッチングにより除
去する。

【００５８】次に、硝酸、硫酸等の強酸の溶液等を用い
て、凹部３２の近傍で幅を狭くし負荷集中部を形成する
抵抗膜３３のパターン部分のレジスト４０を完全に除去
する。

【００５９】次に、抵抗膜３３の上面の全体にニッケル
またはニッケル−リンまたはニッケル−ボロンまたはニ
ッケル−タングステンまたは銅またはニッケル−銅等の
いずれかによる無電解めっきを行い、めっき膜３５を形
成する。

【００６０】次に、高粘度でかつチキソトロピーを大き
くしたエポキシ系またはフェノール系の難燃性樹脂をス
クリーン印刷・乾燥によって少なくとも凹部３２を覆う
ように絶縁保護膜３６を形成する。この難燃性樹脂の乾
燥方法としては、急激に温度を上げると樹脂の粘度が下
がりチキソトロピーが急激に小さくなるため、まず７０
〜１００℃で１５分間予備乾燥を行い、その後、３０分
程度で１５０〜２５０℃になるように徐々に温度を上げ
て本乾燥を行う。

【００６１】次に、絶縁基板３１の抵抗膜３３を設けた
側を短冊状に分割（一次分割）する。

【００６２】次に、抵抗膜３３と電気的に接続するよう
に、絶縁基板３１の対向する側面に蒸着法またはスパッ
タリング法またはＣＶＤ法等の着膜工法により、Ｎｉま
たはＣｒまたはＴａまたはＴｉまたはＣｕ等の単一金属
薄膜、もしくはこれらのうちの二種類以上を含む合金薄
膜を着膜し、端面電極３７を形成する。

【００６３】次に、一次分割した絶縁基板３１を個片に
分割（二次分割）する。次に、少なくとも端面電極３７
を覆うように、ニッケルめっき３８と、ニッケルめっき
３８を覆うようにはんだめっき３９とを形成して、チッ
プ型ヒューズ抵抗器を製造するものである。

【００６４】この工法では、抵抗膜３３がめっき膜３５
の下地となり、すでに抵抗膜３３がパターン形成されて
いる上面に形成するため、めっき膜３３のパターン精度
が良く、１μｍの精度でのめっき膜の形成が可能であ
る。

【００６５】さらにめっき膜３３の厚みを変えることに
よって、抵抗膜３３の膜厚を自由に調整することができ
るため、めっき膜を形成しないものに比べて、０．５Ω
／□以下の低抵抗値に対応できるチップ型ヒューズ抵抗
器を得ることができる。

【００６６】

【発明の効果】以上のように本発明は、絶縁基板の凹部
に閉じこめられた空気が、その周囲の抵抗膜を酸化させ
ることにより、絶縁基板の凹部の近傍の抵抗膜が絶縁物
となり断線するので、断線時間が短く、他の実装部品等
に影響の少ないチップ型ヒューズ抵抗器を提供するもの
である。

【００６７】また、負荷集中部に溶融材を用いず、抵抗
膜の上面に絶縁保護膜を形成するため、絶縁保護膜の上
面を、凹凸のない平滑な面にすることができ、プリント
基板に実装する際、吸着がしやすくなり、実装性の良い
チップ型ヒューズ抵抗器およびその製造方法を提供でき
るものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）本発明の一実施の形態におけるチップ型
ヒューズ抵抗器の上面を透視した図 （ｂ）同図１（ａ）のＢ−Ｂ断面図

【図２】同工程図

【図３】（ａ）本発明の他の実施の形態におけるチップ
型ヒューズ抵抗器の上面を透視した図 （ｂ）同図３（ａ）のＣ−Ｃ断面図

【図４】同工程図

【図５】（ａ）従来のチップ型ヒューズ抵抗器の上面を
透視した図 （ｂ）同図５（ａ）のＡ−Ａ断面図

【図６】同工程図

【符号の説明】

２１ 絶縁基板 ２２ 凹部 ２３ 抵抗膜 ２５ 絶縁保護膜 ２６ 端面電極

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 上面に凹部を有する絶縁基板と、前記絶
   縁基板の凹部の近傍にパターン幅が他の部分より狭くな
   るように前記絶縁基板の上面に設けられた抵抗膜と、少
   なくとも前記絶縁基板の凹部を覆うように設けられた絶
   縁保護膜と、前記抵抗膜と電気的に接続するように前記
   絶縁基板の対向する側面に設けられた端面電極とからな
   るチップ型ヒューズ抵抗器。
2. 【請求項２】 上面に凹部を有する絶縁基板と、前記絶
   縁基板の凹部の近傍にパターン幅が他の部分より狭くな
   るように前記絶縁基板の上面に設けられた抵抗膜と、こ
   の抵抗膜の上面に設けられためっき膜と、少なくとも前
   記絶縁基板の凹部を覆うように設けられた絶縁保護膜
   と、前記めっき膜と電気的に接続するように前記絶縁基
   板の対向する側面に設けられた端面電極とからなるチッ
   プ型ヒューズ抵抗器。
3. 【請求項３】 まず上面に凹部を有する絶縁基板の上面
   の全体に抵抗膜を形成し、次に前記絶縁基板の凹部の近
   傍でパターン幅が狭くなるとともに前記絶縁基板の凹部
   内の前記抵抗膜を除去し、次に少なくとも前記絶縁基板
   の凹部を覆うように絶縁保護膜を形成し、次に前記抵抗
   膜と電気的に接続するように前記絶縁基板の対向する側
   面に端面電極を形成してなるチップ型ヒューズ抵抗器の
   製造方法。
4. 【請求項４】 まず上面に凹部を有する絶縁基板の上面
   の全体に抵抗膜を形成し、次に前記絶縁基板の凹部の近
   傍でパターン幅が狭くなるとともに前記絶縁基板の凹部
   内の前記抵抗膜を除去し、次に前記抵抗膜の上面にめっ
   き膜を形成し、次に少なくとも前記絶縁基板の凹部を覆
   うように絶縁保護膜を形成し、次に前記抵抗膜と電気的
   に接続するように前記絶縁基板の対向する側面に端面電
   極を形成してなるチップ型ヒューズ抵抗器の製造方法。