JPS6314402A - チツプ抵抗器の製造方法 - Google Patents
チツプ抵抗器の製造方法Info
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- JPS6314402A JPS6314402A JP61157598A JP15759886A JPS6314402A JP S6314402 A JPS6314402 A JP S6314402A JP 61157598 A JP61157598 A JP 61157598A JP 15759886 A JP15759886 A JP 15759886A JP S6314402 A JPS6314402 A JP S6314402A
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- Pending
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Landscapes
- Details Of Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕 ・
本発明は種々の電子機器等に使用されるチップ抵抗器の
製造方法に関する。
製造方法に関する。
本発明は種々の電子機器等に使用されるチップ抵抗器の
製造方法に於いて、絶縁基板上に抵抗膜を付着させ、こ
の抵抗膜を所定の形状となるようにエツチング又はトリ
ミングした後、この抵抗股上を含みこの絶縁基板上に電
子ビーム法、スパッタ法等により金属酸化物、金属窒化
物等の保護膜を生成させた後、この絶縁基板の端部にＣ
ｕ−Ｎｉ合金皮腺をスパッター法により形成し、更にそ
の表面に半田メッキ膜を被着して、電極端子を形成した
ことにより、少ない工程で安定したチップ抵抗器を得る
ことができる。
製造方法に於いて、絶縁基板上に抵抗膜を付着させ、こ
の抵抗膜を所定の形状となるようにエツチング又はトリ
ミングした後、この抵抗股上を含みこの絶縁基板上に電
子ビーム法、スパッタ法等により金属酸化物、金属窒化
物等の保護膜を生成させた後、この絶縁基板の端部にＣ
ｕ−Ｎｉ合金皮腺をスパッター法により形成し、更にそ
の表面に半田メッキ膜を被着して、電極端子を形成した
ことにより、少ない工程で安定したチップ抵抗器を得る
ことができる。
従来のチップ抵抗器に於いては、この電極端子を形成す
るのに絶縁基板の所定部に無電解メッキで銅Ｃｕ−ニッ
ケルＮｉ等の導電体を付着した上に半田メッキ膜を形成
するのが一般的であったが、この無電解メッキは化学的
エツチング、活性化等の前処理工程が必要で工程数がそ
れだけ多い上に、この前処理工程の化学薬品により抵抗
膜の１％蝕。
るのに絶縁基板の所定部に無電解メッキで銅Ｃｕ−ニッ
ケルＮｉ等の導電体を付着した上に半田メッキ膜を形成
するのが一般的であったが、この無電解メッキは化学的
エツチング、活性化等の前処理工程が必要で工程数がそ
れだけ多い上に、この前処理工程の化学薬品により抵抗
膜の１％蝕。
劣化等が生じ特性の安定したチップ抵抗器が得られない
不都合があった。
不都合があった。
本発明は斯る点に鑑み少ない工程で安定した特性のチッ
プ抵抗器を得ることを目的とする。
プ抵抗器を得ることを目的とする。
本発明チップ抵抗器の製造方法は図面に示す如く絶縁基
板（１１上に抵抗膜（３）を付着させ、この抵抗膜（３
）を所定の形状となるようにエツチング又はトリミング
した後、この抵抗Ｍ（３１上を含みこの絶縁基板（１１
上に電子ビーム法、スパッター法等により金属酸化物、
金属窒化物等の保護膜（５）を生成させた後、この絶縁
基板＋１１の端部にＣｕ−Ｎｉ合金皮膜（１０）をスパ
ッター法により形成し、更にその表面に半田メッキ膜（
１１）を被着して電極端子を形成したものである。
板（１１上に抵抗膜（３）を付着させ、この抵抗膜（３
）を所定の形状となるようにエツチング又はトリミング
した後、この抵抗Ｍ（３１上を含みこの絶縁基板（１１
上に電子ビーム法、スパッター法等により金属酸化物、
金属窒化物等の保護膜（５）を生成させた後、この絶縁
基板＋１１の端部にＣｕ−Ｎｉ合金皮膜（１０）をスパ
ッター法により形成し、更にその表面に半田メッキ膜（
１１）を被着して電極端子を形成したものである。
本発明に依れば抵抗膜（３）に対する電極端子（７ａ）
（７ｂ）を形成するのに、Ｃｕ−Ｎｉ合金皮ＩＱ（１０
）をスパッター法により形成し、その表面に半田メッキ
ＩＱ（１１）を付着しているので少ない工程で特性の安
定したチップ抵抗器を得ることができる。
（７ｂ）を形成するのに、Ｃｕ−Ｎｉ合金皮ＩＱ（１０
）をスパッター法により形成し、その表面に半田メッキ
ＩＱ（１１）を付着しているので少ない工程で特性の安
定したチップ抵抗器を得ることができる。
以下図面を参照しながら本発明チップ抵抗器の製造方法
の一実施例につき説明しよう。
の一実施例につき説明しよう。
本例に於いては先ず第１図に示すように耐熱性及び電気
的絶縁性を有する絶縁基板（１）を用意し、この絶縁基
板（１１の下面に縦横に延長してそれぞれ複数の７字状
の溝（２ａ）及び（２ｂ）を形成する。
的絶縁性を有する絶縁基板（１）を用意し、この絶縁基
板（１１の下面に縦横に延長してそれぞれ複数の７字状
の溝（２ａ）及び（２ｂ）を形成する。
各１Ａ（２ａ）の間隔は抵抗器の長手方向の長さとなる
もので例えば３．２Ｂであり、また各ｍ（２ｂ）の間隔
は抵抗器の横幅となるもので例えば１．６ｍｓである。
もので例えば３．２Ｂであり、また各ｍ（２ｂ）の間隔
は抵抗器の横幅となるもので例えば１．６ｍｓである。
このような絶縁基１（１１の上面の全面に、ＮｉＣｒや
ＴａＮ等の抵抗膜（金属膜）（３）を蒸着又はスパッタ
ー等により被着し、続いて電極となる金属１！Ｊ （４
）も被着する。
ＴａＮ等の抵抗膜（金属膜）（３）を蒸着又はスパッタ
ー等により被着し、続いて電極となる金属１！Ｊ （４
）も被着する。
次に第２図に示すように、谷溝（２ａ）と（２ａ）との
中間部に対応する部分の電極金属膜（４）を、溝（２ａ
）の延長方向に沿ってエツチング除去し、よって電極金
！ 膜（４１を、溝（２ａ）に対応した部分のみに、こ
の溝（２ａ）の延長方向に沿って延長するように、帯状
に残す。
中間部に対応する部分の電極金属膜（４）を、溝（２ａ
）の延長方向に沿ってエツチング除去し、よって電極金
！ 膜（４１を、溝（２ａ）に対応した部分のみに、こ
の溝（２ａ）の延長方向に沿って延長するように、帯状
に残す。
その後、図示しないが抵抗膜（３）をエツチングして又
はトリミングによりこれを必要な形状に残す。
はトリミングによりこれを必要な形状に残す。
即ち必要な抵抗値となす。この工程としてはレーザー光
線を使用したトリミング法等が用いられる。
線を使用したトリミング法等が用いられる。
次に第３図に示すように電極金属Ｍ （４１及び抵抗膜
（３）を含む絶縁基板（１）上にマスク（８）を当てか
う。
（３）を含む絶縁基板（１）上にマスク（８）を当てか
う。
このマスク（８）には電極金ＤＡ 膜（４１の除去され
た部分と対向する部分に窓孔（９）を有する。
た部分と対向する部分に窓孔（９）を有する。
このようなマスク（８）を当てがった絶縁基板（１１を
ベルジャ（図示しない）内に入れ、従来周知の電子ビー
ム法により、抵抗膜（３）上にＡ１２０＝を生成させ保
護膜（５）を形成する（第４図参照）。
ベルジャ（図示しない）内に入れ、従来周知の電子ビー
ム法により、抵抗膜（３）上にＡ１２０＝を生成させ保
護膜（５）を形成する（第４図参照）。
次に、絶縁基板（１）を、その溝（２ａ）を利用して折
り、複数の短■１片（６）を得る。第５図はこのうちの
１個の短冊片（６）を示したものである。これより明ら
かなように、電極金属膜（４）が両端に対となって形成
されるごとになり、第５図以ドにおいてはこれを！ｉ極
（４ａ）及び（４ｂ） と称することにする。
り、複数の短■１片（６）を得る。第５図はこのうちの
１個の短冊片（６）を示したものである。これより明ら
かなように、電極金属膜（４）が両端に対となって形成
されるごとになり、第５図以ドにおいてはこれを！ｉ極
（４ａ）及び（４ｂ） と称することにする。
上述した短冊片（６）の延長方向に沿う左右両端部に対
して、第６図に示すように電極端子（７ａ）及び（７ｂ
）を形成する。これらの形成に際しては、かかる電極端
子（７ａ）及び（７ｂ）を形成する以外の部分を予め治
具に挿入してＣｕ−Ｎｉ合金が付着しないように施して
先ずスパッター法によりＣｕ−Ｎｉ合金皮膜（１０）を
被着し、その上に更に電気メッキにより ０．８〜２０
μｍの厚さの半田メッキＩＱ（１１）を被着する。この
場合、これにより電極端子（７ａ）は’ｆ！ａ＠ｓ （
４ａ）と、又電極端子（７ｂ）は電極（４ｂ）とそれぞ
れ電気的に接続される。
して、第６図に示すように電極端子（７ａ）及び（７ｂ
）を形成する。これらの形成に際しては、かかる電極端
子（７ａ）及び（７ｂ）を形成する以外の部分を予め治
具に挿入してＣｕ−Ｎｉ合金が付着しないように施して
先ずスパッター法によりＣｕ−Ｎｉ合金皮膜（１０）を
被着し、その上に更に電気メッキにより ０．８〜２０
μｍの厚さの半田メッキＩＱ（１１）を被着する。この
場合、これにより電極端子（７ａ）は’ｆ！ａ＠ｓ （
４ａ）と、又電極端子（７ｂ）は電極（４ｂ）とそれぞ
れ電気的に接続される。
このようにして電極端子（７ａ）及び（７ｈ）が形成さ
れた後、これを絶縁基板（１１の上面に予め形成されて
いる溝（２ｂ）に沿って折り曲げて切断し、個々のチッ
プ抵抗体を得る。
れた後、これを絶縁基板（１１の上面に予め形成されて
いる溝（２ｂ）に沿って折り曲げて切断し、個々のチッ
プ抵抗体を得る。
斯る本例に於いては抵抗膜（３）に対する電極端子（７
ａ） （７ｂ）を形成するのに、Ｃｕ−Ｎｉ合金皮膜
（１０）をスパッター法により形成し、その表面に０．
８〜２０μｍの半田メッキＩＱ（１１）を付着している
ので、この）１（抗膜（３）に対する電極端子（７ａ）
（７ｂ）を形成する際に抵抗膜（３）の腐蝕、劣化等が
生じることがなく、安定した特性のチップ抵抗器を得る
ことができると共に無電解メッキを使用していないので
前処理工程を必要とせずそれだけ工程数が少なくなる利
益がある。
ａ） （７ｂ）を形成するのに、Ｃｕ−Ｎｉ合金皮膜
（１０）をスパッター法により形成し、その表面に０．
８〜２０μｍの半田メッキＩＱ（１１）を付着している
ので、この）１（抗膜（３）に対する電極端子（７ａ）
（７ｂ）を形成する際に抵抗膜（３）の腐蝕、劣化等が
生じることがなく、安定した特性のチップ抵抗器を得る
ことができると共に無電解メッキを使用していないので
前処理工程を必要とせずそれだけ工程数が少なくなる利
益がある。
尚、上述実施例に於いては保護膜（５）としてＡ１２（
ｈを使用したが、この代りにその他の金属酸化物。
ｈを使用したが、この代りにその他の金属酸化物。
金属窒化物等が使用できることは勿論である。また本発
明は上述実施例に限らず本発明の要旨を逸脱することな
くその他種々の構成が取り得ることは勿論である。
明は上述実施例に限らず本発明の要旨を逸脱することな
くその他種々の構成が取り得ることは勿論である。
本発明に依れば抵抗膜（３）に対する電極端子（７ａ）
（７ｂ）を形成する際に抵抗膜（３）の腐蝕、劣化等が
生じることがなく安定な特性のチップ抵抗器を得ること
ができると共に無電解メッキを使用していないので前処
理工程等を必要とせずそれだけ工程数を少なくできる利
益がある。
（７ｂ）を形成する際に抵抗膜（３）の腐蝕、劣化等が
生じることがなく安定な特性のチップ抵抗器を得ること
ができると共に無電解メッキを使用していないので前処
理工程等を必要とせずそれだけ工程数を少なくできる利
益がある。
第１図１〜第６ｔ１４は本発明によるチップ抵抗器の製
造工程の一例を示すもので、第１図は絶縁基板に抵抗膜
及び電極金属膜を被着した状態の一部分の斜視図、第２
図は電極金属膜の一部分を除去した状態の断面図、第３
図は全面にマスクを被せた状態の断面図、第４図は保護
膜を被着した状態の断面図、第５図は溝（２ａ）に沿っ
て折って得られた短冊片の一例を示す斜視図、第６し！
は完成されたチップ抵抗器の断面図である。 （１１は絶縁基板、（３）は抵抗膜、（５）は保護膜、
（７ａ）（７ｂ）は電極端子、（１０）はＣｕ−Ｎｉ合
金皮股、（１１）は半田メッキ膜である。
造工程の一例を示すもので、第１図は絶縁基板に抵抗膜
及び電極金属膜を被着した状態の一部分の斜視図、第２
図は電極金属膜の一部分を除去した状態の断面図、第３
図は全面にマスクを被せた状態の断面図、第４図は保護
膜を被着した状態の断面図、第５図は溝（２ａ）に沿っ
て折って得られた短冊片の一例を示す斜視図、第６し！
は完成されたチップ抵抗器の断面図である。 （１１は絶縁基板、（３）は抵抗膜、（５）は保護膜、
（７ａ）（７ｂ）は電極端子、（１０）はＣｕ−Ｎｉ合
金皮股、（１１）は半田メッキ膜である。
Claims (1)
- 絶縁基板上に抵抗膜を付着させ、該抵抗膜を所定の形
状となるようにエッチング又はトリミングした後上記抵
抗膜上を含み上記絶縁基板上に電子ビーム法、スパッタ
ー法等により金属酸化物、金属窒化物等の保護膜を生成
させた後、上記絶縁基板の端部にＣｕ−Ｎｉ合金被膜を
スパッター法により形成し、更にその表面に半田メッキ
膜を被着して電極端子を形成したことを特徴とするチッ
プ抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61157598A JPS6314402A (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | チツプ抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61157598A JPS6314402A (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | チツプ抵抗器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6314402A true JPS6314402A (ja) | 1988-01-21 |
Family
ID=15653210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61157598A Pending JPS6314402A (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | チツプ抵抗器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6314402A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01189102A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-28 | Tdk Corp | 回路部品の電極製造方法 |
| JPH0243701A (ja) * | 1988-08-03 | 1990-02-14 | Koa Corp | チップ状ヒューズ抵抗器とその製造方法 |
| JP2019096834A (ja) * | 2017-11-27 | 2019-06-20 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 抵抗器 |
-
1986
- 1986-07-04 JP JP61157598A patent/JPS6314402A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01189102A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-28 | Tdk Corp | 回路部品の電極製造方法 |
| JPH0243701A (ja) * | 1988-08-03 | 1990-02-14 | Koa Corp | チップ状ヒューズ抵抗器とその製造方法 |
| JP2019096834A (ja) * | 2017-11-27 | 2019-06-20 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 抵抗器 |
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