JPH1196871A - 抵抗・温度ヒュ−ズ及びその製作方法 - Google Patents
抵抗・温度ヒュ−ズ及びその製作方法Info
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- JPH1196871A JPH1196871A JP27509197A JP27509197A JPH1196871A JP H1196871 A JPH1196871 A JP H1196871A JP 27509197 A JP27509197 A JP 27509197A JP 27509197 A JP27509197 A JP 27509197A JP H1196871 A JPH1196871 A JP H1196871A
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- Japan
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- resistance
- temperature fuse
- ceramic substrate
- substrate
- film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板型抵抗・温度ヒュ−ズにおいて、抵抗の通
電発熱電力が大であっても、薄い基板厚さのもとで、基
板の熱亀裂を良好に防止できる抵抗・温度ヒュ−ズ及び
その製作方法を提供する。 【解決手段】二枚のセラミックス基板１１，１２が焼成
により積層一体化され、その積層界面に抵抗取付用膜電
極２１，２２と膜抵抗２０とがセラミックス基板１１，
１２に焼結一体化されて配設され、上記膜電極２１，２
２が積層一体板の表面にスルホ−ル２１１，２２１によ
り電気的に導出され、積層一体板の上面にヒュ−ズ取付
用膜電極３１，３２が設けられ、これらの膜電極間に温
度ヒュ−ズエレメント３０が接続されている。
電発熱電力が大であっても、薄い基板厚さのもとで、基
板の熱亀裂を良好に防止できる抵抗・温度ヒュ−ズ及び
その製作方法を提供する。 【解決手段】二枚のセラミックス基板１１，１２が焼成
により積層一体化され、その積層界面に抵抗取付用膜電
極２１，２２と膜抵抗２０とがセラミックス基板１１，
１２に焼結一体化されて配設され、上記膜電極２１，２
２が積層一体板の表面にスルホ−ル２１１，２２１によ
り電気的に導出され、積層一体板の上面にヒュ−ズ取付
用膜電極３１，３２が設けられ、これらの膜電極間に温
度ヒュ−ズエレメント３０が接続されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】回路保護素子の一つとして、
温度ヒュ−ズエレメントと抵抗エレメントとを近接配置
でユニット化した抵抗・温度ヒュ−ズが使用されてお
り、回路に異常検出器と共に組み込み、回路の異常発生
時、異常検出器による回路の異常検出で抵抗エレメント
を通電発熱させ、その発生熱で温度ヒュ−ズエレメント
を溶断させて回路を電源から遮断している。かかる抵抗
・温度ヒュ−ズとして、セラミックス基板の片面に膜抵
抗と低融点可溶合金片とを併設し、その片面をエポキシ
樹脂等の封止材で封止した、基板型が公知である。
温度ヒュ−ズエレメントと抵抗エレメントとを近接配置
でユニット化した抵抗・温度ヒュ−ズが使用されてお
り、回路に異常検出器と共に組み込み、回路の異常発生
時、異常検出器による回路の異常検出で抵抗エレメント
を通電発熱させ、その発生熱で温度ヒュ−ズエレメント
を溶断させて回路を電源から遮断している。かかる抵抗
・温度ヒュ−ズとして、セラミックス基板の片面に膜抵
抗と低融点可溶合金片とを併設し、その片面をエポキシ
樹脂等の封止材で封止した、基板型が公知である。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この基
板型抵抗・温度ヒュ−ズでは、セラミックス基板の片面
に膜抵抗を設けてあり、膜抵抗の通電発熱時、セラミッ
クス基板が不均一に加熱されるため、セラミックス基板
に熱曲げモ−メントが作用し、膜抵抗の通電電力が大き
い場合は、セラミックス基板に反りによる亀裂が発生し
破片が周囲に飛散して危険である。
板型抵抗・温度ヒュ−ズでは、セラミックス基板の片面
に膜抵抗を設けてあり、膜抵抗の通電発熱時、セラミッ
クス基板が不均一に加熱されるため、セラミックス基板
に熱曲げモ−メントが作用し、膜抵抗の通電電力が大き
い場合は、セラミックス基板に反りによる亀裂が発生し
破片が周囲に飛散して危険である。
【０００３】抵抗・温度ヒュ−ズとして、図３の（イ）
に示すように未焼成セラミックス基板１１’上に膜抵抗
パタ−ン２０’と膜電極パタ−ン２１’，２２’とを印
刷して第１構体１ａ’を成形し、図３の（ロ）に示すよ
うに上記膜電極パタ−ン２１’，２２’を露出させるよ
うに切り欠いた未焼成セラミックス基板１２’上にヒュ
−ズ取付用膜電極３１’，３２’を印刷して第２構体１
ｂ’を成形し、図３の（ハ）に示すように第１構体１
ａ’に第２構体１ｂ’を加圧積層し焼成して両構体を焼
結一体化し、而るのち、図３の（ニ）に示すように、ヒ
ュ−ズ取付用膜電極間に低融点可溶合金片３０’を接続
し、各膜電極にリ−ド線ｅを接続し、低融点可溶合金片
３０’にフラックス４’を塗布し、その上に封止材層
（図示せず）を設けたものが提案されている（特開平９
−６３４４２号）。しかしながら、このようにして製作
された抵抗・温度ヒュ−ズでも、第２構体の切り欠け部
の部分が第１構体のセラミックス板のみの一枚部分とな
っており、この一枚部分における膜抵抗近傍箇所が膜抵
抗の通電発熱で亀裂し易い。
に示すように未焼成セラミックス基板１１’上に膜抵抗
パタ−ン２０’と膜電極パタ−ン２１’，２２’とを印
刷して第１構体１ａ’を成形し、図３の（ロ）に示すよ
うに上記膜電極パタ−ン２１’，２２’を露出させるよ
うに切り欠いた未焼成セラミックス基板１２’上にヒュ
−ズ取付用膜電極３１’，３２’を印刷して第２構体１
ｂ’を成形し、図３の（ハ）に示すように第１構体１
ａ’に第２構体１ｂ’を加圧積層し焼成して両構体を焼
結一体化し、而るのち、図３の（ニ）に示すように、ヒ
ュ−ズ取付用膜電極間に低融点可溶合金片３０’を接続
し、各膜電極にリ−ド線ｅを接続し、低融点可溶合金片
３０’にフラックス４’を塗布し、その上に封止材層
（図示せず）を設けたものが提案されている（特開平９
−６３４４２号）。しかしながら、このようにして製作
された抵抗・温度ヒュ−ズでも、第２構体の切り欠け部
の部分が第１構体のセラミックス板のみの一枚部分とな
っており、この一枚部分における膜抵抗近傍箇所が膜抵
抗の通電発熱で亀裂し易い。
【０００４】本発明の目的は、基板型抵抗・温度ヒュ−
ズにおいて、抵抗の通電発熱電力が大であっても、薄い
基板厚さのもとで、基板の熱亀裂を良好に防止できる抵
抗・温度ヒュ−ズ及びその製作方法を提供することにあ
る。
ズにおいて、抵抗の通電発熱電力が大であっても、薄い
基板厚さのもとで、基板の熱亀裂を良好に防止できる抵
抗・温度ヒュ−ズ及びその製作方法を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る抵抗・温度
ヒュ−ズは、二枚のセラミックス基板が焼成により積層
一体化され、その積層界面に抵抗取付用膜電極と膜抵抗
とがセラミックス基板に焼結一体化されて配設され、上
記膜電極が積層一体板の表面にスルホ−ルにより電気的
に導出され、積層一体板の上面にヒュ−ズ取付用膜電極
が設けられ、これらの膜電極間に温度ヒュ−ズエレメン
トが接続されていることを特徴とする構成である。本発
明に係る抵抗・温度ヒュ−ズの製作方法は、未焼成セラ
ミックス基板ａの片面に抵抗取付用膜電極パタ−ンを導
電ペ−ストにより、膜抵抗パタ−ンを抵抗ペ−ストによ
りそれぞれ印刷し、該未焼成セラミックス基板ａの片面
に同基板ａと同一寸法の未焼成セラミックス基板ｂを積
層し、該基板ｂにヒュ−ズ取付用膜電極パタ−ンを導電
ペ−ストにより印刷し、而るのち、基板ａ，ｂを焼成し
て焼結すると共に各基板と各電極と膜抵抗との相互間を
焼結し、更に、ヒュ−ズ取付用膜電極間に温度ヒュ−ズ
エレメントを接続することを特徴とする構成である。
ヒュ−ズは、二枚のセラミックス基板が焼成により積層
一体化され、その積層界面に抵抗取付用膜電極と膜抵抗
とがセラミックス基板に焼結一体化されて配設され、上
記膜電極が積層一体板の表面にスルホ−ルにより電気的
に導出され、積層一体板の上面にヒュ−ズ取付用膜電極
が設けられ、これらの膜電極間に温度ヒュ−ズエレメン
トが接続されていることを特徴とする構成である。本発
明に係る抵抗・温度ヒュ−ズの製作方法は、未焼成セラ
ミックス基板ａの片面に抵抗取付用膜電極パタ−ンを導
電ペ−ストにより、膜抵抗パタ−ンを抵抗ペ−ストによ
りそれぞれ印刷し、該未焼成セラミックス基板ａの片面
に同基板ａと同一寸法の未焼成セラミックス基板ｂを積
層し、該基板ｂにヒュ−ズ取付用膜電極パタ−ンを導電
ペ−ストにより印刷し、而るのち、基板ａ，ｂを焼成し
て焼結すると共に各基板と各電極と膜抵抗との相互間を
焼結し、更に、ヒュ−ズ取付用膜電極間に温度ヒュ−ズ
エレメントを接続することを特徴とする構成である。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。図１の（イ）は本発明に
係る抵抗・温度ヒュ−ズの一例を示す平面図、図１の
（ロ）は図１の（イ）におけるロ−ロ断面を示す図面、
図１の（ハ）は図１の（ロ）におけるハ−ハ断面を示す
図面である。図１において、１は同一平面寸法の二枚の
セラミックス基板１１，１２の積層体であり、焼成によ
り積層界面が焼結一体化されている。２１，２２は積層
界面に設けた抵抗取付用膜電極、２０はこれらの膜電極
２１，２２間に橋設した膜抵抗である。２１１，２２１
は各膜電極２１，２２を積層体１の裏面に電気的に導出
するために設けたスルホ−ルであり、導電材が充填され
ている。このスルホ−ル充填導電材は膜電極２１，２２
と同一材質、別材質の何れであってもよい。３１，３２
は上側セラミックス基板１２の上面に設けたヒュ−ズ取
付用膜電極であり、一方の膜電極３３が一方の抵抗取付
用膜電極２２に導電材充填のスルホ−ル３２１により電
気的に導通されている。３０はヒュ−ズ取付用膜電極３
１，３２間に橋設した温度ヒュ−ズエレメントとしての
低融点可溶合金片、４は低融点可溶合金片３０上に塗布
したフラックスである。３３は上側セラミックス基板１
２に設けた補助膜電極である。３１０，３２０及び３３
０は実装はんだ付着用電極、例えば銀電極である。５は
積層体の上面に温度ヒュ−ズエレメント３０を覆って被
覆したエポキシ樹脂等の封止材であり、この封止材に代
え、キャップ、例えばセラミックスキャップで封止する
こともでき、キャップ内を封止材で充填することもでき
る。
実施の形態について説明する。図１の（イ）は本発明に
係る抵抗・温度ヒュ−ズの一例を示す平面図、図１の
（ロ）は図１の（イ）におけるロ−ロ断面を示す図面、
図１の（ハ）は図１の（ロ）におけるハ−ハ断面を示す
図面である。図１において、１は同一平面寸法の二枚の
セラミックス基板１１，１２の積層体であり、焼成によ
り積層界面が焼結一体化されている。２１，２２は積層
界面に設けた抵抗取付用膜電極、２０はこれらの膜電極
２１，２２間に橋設した膜抵抗である。２１１，２２１
は各膜電極２１，２２を積層体１の裏面に電気的に導出
するために設けたスルホ−ルであり、導電材が充填され
ている。このスルホ−ル充填導電材は膜電極２１，２２
と同一材質、別材質の何れであってもよい。３１，３２
は上側セラミックス基板１２の上面に設けたヒュ−ズ取
付用膜電極であり、一方の膜電極３３が一方の抵抗取付
用膜電極２２に導電材充填のスルホ−ル３２１により電
気的に導通されている。３０はヒュ−ズ取付用膜電極３
１，３２間に橋設した温度ヒュ−ズエレメントとしての
低融点可溶合金片、４は低融点可溶合金片３０上に塗布
したフラックスである。３３は上側セラミックス基板１
２に設けた補助膜電極である。３１０，３２０及び３３
０は実装はんだ付着用電極、例えば銀電極である。５は
積層体の上面に温度ヒュ−ズエレメント３０を覆って被
覆したエポキシ樹脂等の封止材であり、この封止材に代
え、キャップ、例えばセラミックスキャップで封止する
こともでき、キャップ内を封止材で充填することもでき
る。
【０００７】図２は図１に示した抵抗・温度ヒュ−ズの
使用形態を示している。図２において、Ａは本発明に係
る温度ヒュ−ズ・抵抗体を、３０は温度ヒュ−ズエレメ
ントとしての低融点可溶合金片を、２０は抵抗エレメン
トとしての膜抵抗を、３１０〜３３０は実装用電極をそ
れぞれ示し、回路ｚと電源ｓとの間に上記温度ヒュ−ズ
・抵抗体Ａと過電圧検出通電器Ｆ（トランジスタ−Ｔｒ
のベ−ス側にツエナダイオ−ドＤを接続）とを挿入し、
回路ｚにツエナダイオ−ドＤの降伏電圧以上の逆電圧が
作用すると、ベ−ス電流が流れ、このベ−ス電流に応じ
てコレクタ電流が流れて抵抗エレメント２０が通電発熱
され、この発生熱が温度ヒュ−ズエレメント３０に伝達
されて温度ヒュ−ズエレメントとしての低融点可溶合金
片３０が溶断され、回路ｚが電源ｓから遮断されるに至
る。
使用形態を示している。図２において、Ａは本発明に係
る温度ヒュ−ズ・抵抗体を、３０は温度ヒュ−ズエレメ
ントとしての低融点可溶合金片を、２０は抵抗エレメン
トとしての膜抵抗を、３１０〜３３０は実装用電極をそ
れぞれ示し、回路ｚと電源ｓとの間に上記温度ヒュ−ズ
・抵抗体Ａと過電圧検出通電器Ｆ（トランジスタ−Ｔｒ
のベ−ス側にツエナダイオ−ドＤを接続）とを挿入し、
回路ｚにツエナダイオ−ドＤの降伏電圧以上の逆電圧が
作用すると、ベ−ス電流が流れ、このベ−ス電流に応じ
てコレクタ電流が流れて抵抗エレメント２０が通電発熱
され、この発生熱が温度ヒュ−ズエレメント３０に伝達
されて温度ヒュ−ズエレメントとしての低融点可溶合金
片３０が溶断され、回路ｚが電源ｓから遮断されるに至
る。
【０００８】この場合、温度ヒュ−ズ・抵抗体Ａのセラ
ミックス積層体１が加熱されるが、発熱源である膜抵抗
２０が積層体１の厚さのほぼ中央に存在しているので、
セラミックス積層体１がその中央位置を基準として上下
対称的に加熱され、熱曲げモ−メントの作用が充分に抑
えられること、セラミックス基板１１，１２の積層体の
積層界面が焼結一体化されかつ全体が二枚板構造とされ
て全体の曲げ剛性が充分に大きくされていること等のた
めに、反りによる亀裂の発生をよく防止できる。
ミックス積層体１が加熱されるが、発熱源である膜抵抗
２０が積層体１の厚さのほぼ中央に存在しているので、
セラミックス積層体１がその中央位置を基準として上下
対称的に加熱され、熱曲げモ−メントの作用が充分に抑
えられること、セラミックス基板１１，１２の積層体の
積層界面が焼結一体化されかつ全体が二枚板構造とされ
て全体の曲げ剛性が充分に大きくされていること等のた
めに、反りによる亀裂の発生をよく防止できる。
【０００９】本発明に係る温度ヒュ−ズ・抵抗体おい
て、電極やスルホ−ル、温度ヒュ−ズエレメントや抵抗
エレメントの個数や配置は、使用形態に応じて設定され
る。また、本発明に係る抵抗・温度ヒュ−ズの上記の例
は、実装面に実装はんだ付用電極において直接はんだ付
けする構成とされているが、リ−ド線を取付けてラジア
ルまたはアクシャルタイプで使用することもできる。
て、電極やスルホ−ル、温度ヒュ−ズエレメントや抵抗
エレメントの個数や配置は、使用形態に応じて設定され
る。また、本発明に係る抵抗・温度ヒュ−ズの上記の例
は、実装面に実装はんだ付用電極において直接はんだ付
けする構成とされているが、リ−ド線を取付けてラジア
ルまたはアクシャルタイプで使用することもできる。
【００１０】本発明に係る上記抵抗・温度ヒュ−ズは次
ぎのようにして製作できる。 積層下側用の未焼成セラミックス基板にスルホ−ルを
形成し、上面に抵抗取付用膜電極パタ−ンを導電ペ−ス
トでスクリ−ン印刷すると共にそのスルホ−ルを導電ペ
−ストで充填し、更に上面に膜抵抗パタ−ンを抵抗ペ−
ストでスクリ−ン印刷する。更に、の各種パタ−ン
印刷の積層下側用の未焼成セラミックス基板に積層上側
用の未焼成セラミックス基板を積層加圧し、この上側用
未焼成セラミックス基板にスルホ−ルを形成し、ヒュ−
ズ取付用膜電極及び補助膜電極パタ−ンを導電ペ−スト
で印刷すると共にスルホ−ルを導電ペ−ストで充填す
る。 而るのち、積層体を焼成する。この焼成により各基板
が焼結されると共に積層界面が焼結一体化され、各電極
パタ−ンや膜抵抗ペ−ストと各基板との間が焼結一体化
される。更に、実装用のはんだ付け用電極を形成す
る。更に、ヒュ−ズ取付用膜電極間に温度ヒュ−ズエ
レメントとしての低融点可溶合金片を橋設し、この低融
点可溶合金片上にフラックスを塗布し、封止材を塗着す
るかキャップを装着し、これにて、抵抗・温度ヒュ−ズ
の製作を終了する。上記において、積層上側用の未焼成
セラミックス基板にスルホ−ルを形成し、上面にヒュ−
ズ取付用膜電極及び補助膜電極パタ−ンを導電ペ−スト
で印刷すると共にスルホ−ルを導電ペ−ストで充填した
のち、この上側用未焼成セラミックス基板を上記の未
焼成セラミックス基板上に積層加圧し、而るのち、焼成
することもできる。
ぎのようにして製作できる。 積層下側用の未焼成セラミックス基板にスルホ−ルを
形成し、上面に抵抗取付用膜電極パタ−ンを導電ペ−ス
トでスクリ−ン印刷すると共にそのスルホ−ルを導電ペ
−ストで充填し、更に上面に膜抵抗パタ−ンを抵抗ペ−
ストでスクリ−ン印刷する。更に、の各種パタ−ン
印刷の積層下側用の未焼成セラミックス基板に積層上側
用の未焼成セラミックス基板を積層加圧し、この上側用
未焼成セラミックス基板にスルホ−ルを形成し、ヒュ−
ズ取付用膜電極及び補助膜電極パタ−ンを導電ペ−スト
で印刷すると共にスルホ−ルを導電ペ−ストで充填す
る。 而るのち、積層体を焼成する。この焼成により各基板
が焼結されると共に積層界面が焼結一体化され、各電極
パタ−ンや膜抵抗ペ−ストと各基板との間が焼結一体化
される。更に、実装用のはんだ付け用電極を形成す
る。更に、ヒュ−ズ取付用膜電極間に温度ヒュ−ズエ
レメントとしての低融点可溶合金片を橋設し、この低融
点可溶合金片上にフラックスを塗布し、封止材を塗着す
るかキャップを装着し、これにて、抵抗・温度ヒュ−ズ
の製作を終了する。上記において、積層上側用の未焼成
セラミックス基板にスルホ−ルを形成し、上面にヒュ−
ズ取付用膜電極及び補助膜電極パタ−ンを導電ペ−スト
で印刷すると共にスルホ−ルを導電ペ−ストで充填した
のち、この上側用未焼成セラミックス基板を上記の未
焼成セラミックス基板上に積層加圧し、而るのち、焼成
することもできる。
【００１１】上記の未焼成セラミックス基板にはアルミ
ナ粉末にバインダ−、例えばブチラ−ルやアクリル樹脂
を加えてテ−プ状に成形した、いわゆるグリ−ンシ−ト
を使用でき、抵抗ペ−ストには酸化ルテニウム等のペ−
ストを使用でき、導電ぺ−ストにはＡｇペ−スト、Ａｇ
−Ｐｄペ−スト、Ａｕペ−スト、Ｃｕペ−スト等を使用
できる。
ナ粉末にバインダ−、例えばブチラ−ルやアクリル樹脂
を加えてテ−プ状に成形した、いわゆるグリ−ンシ−ト
を使用でき、抵抗ペ−ストには酸化ルテニウム等のペ−
ストを使用でき、導電ぺ−ストにはＡｇペ−スト、Ａｇ
−Ｐｄペ−スト、Ａｕペ−スト、Ｃｕペ−スト等を使用
できる。
【００１２】
【発明の効果】本発明に係る抵抗・温度ヒュ−ズにおい
ては、積層セラミックス基板の厚さのほぼ中央に膜抵抗
を設けてあるから、膜抵抗の通電発熱による積層セラミ
ックス基板の加熱を厚さ中央を基準として上下対称に行
なわせ得て熱曲げ応力を充分に抑制でき、更に、積層セ
ラミックス基板の積層界面とその界面の膜抵抗及び膜電
極との焼結一体化により全体の曲げ剛性が充分に高くさ
れているから、熱曲げモ−メントによるセラミックス基
板の亀裂発生をよく防止できる。従って、本発明によれ
ば、充分に薄い基板厚さの大電力用の抵抗・温度ヒュ−
ズを提供できる。
ては、積層セラミックス基板の厚さのほぼ中央に膜抵抗
を設けてあるから、膜抵抗の通電発熱による積層セラミ
ックス基板の加熱を厚さ中央を基準として上下対称に行
なわせ得て熱曲げ応力を充分に抑制でき、更に、積層セ
ラミックス基板の積層界面とその界面の膜抵抗及び膜電
極との焼結一体化により全体の曲げ剛性が充分に高くさ
れているから、熱曲げモ−メントによるセラミックス基
板の亀裂発生をよく防止できる。従って、本発明によれ
ば、充分に薄い基板厚さの大電力用の抵抗・温度ヒュ−
ズを提供できる。
【図１】本発明に係る抵抗・温度ヒュ−ズを示す図面で
ある。
ある。
【図２】本発明に係る抵抗・温度ヒュ−ズの使用状態を
示す図面である。
示す図面である。
【図３】従来の抵抗・温度ヒュ−ズを示す図面である。
１ セラミックス基板積層体 １１ セラミックス基板 １２ セラミックス基板 ２０ 膜抵抗 ２１ 抵抗取付用膜電極 ２２ 抵抗取付用膜電極 ２１１ スルホ−ル ２２１ スルホ−ル ３０ 温度ヒュ−ズエレメント ３１ ヒュ−ズ取付用膜電極 ３２ ヒュ−ズ取付用膜電極 ３２１ スルホ−ル ４ フラックス ５ 封止材層
Claims (2)
- 【請求項１】二枚のセラミックス基板が焼成により積層
一体化され、その積層界面に抵抗取付用膜電極と膜抵抗
とがセラミックス基板に焼結一体化されて配設され、上
記膜電極が積層一体板の外面にスルホ−ルにより電気的
に導出され、積層一体板の上面にヒュ−ズ取付用膜電極
が設けられ、これらの膜電極間に温度ヒュ−ズエレメン
トが接続されていることを特徴とする抵抗・温度ヒュ−
ズ。 - 【請求項２】未焼成セラミックス基板ａの片面に抵抗取
付用膜電極パタ−ンを導電ペ−ストにより、膜抵抗パタ
−ンを抵抗ペ−ストによりそれぞれ印刷し、該未焼成セ
ラミックス基板ａの片面に同基板ａと同一寸法の未焼成
セラミックス基板ｂを積層し、該基板ｂにヒュ−ズ取付
用膜電極パタ−ンを導電ペ−ストにより印刷し、而るの
ち、基板ａ，ｂを焼成して焼結すると共に各基板と各電
極と膜抵抗との相互間を焼結し、更に、ヒュ−ズ取付用
膜電極間に温度ヒュ−ズエレメントを接続することを特
徴とする抵抗・温度ヒュ−ズの製作方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27509197A JP4036933B2 (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 抵抗・温度ヒュ−ズ及びその製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27509197A JP4036933B2 (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 抵抗・温度ヒュ−ズ及びその製作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1196871A true JPH1196871A (ja) | 1999-04-09 |
| JP4036933B2 JP4036933B2 (ja) | 2008-01-23 |
Family
ID=17550676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27509197A Expired - Fee Related JP4036933B2 (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 抵抗・温度ヒュ−ズ及びその製作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4036933B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007305512A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Yamatake Corp | Ｌｅｄ照明装置 |
| JP2009212007A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Uchihashi Estec Co Ltd | 保護素子 |
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