JP2015138596A - スイッチ素子、スイッチ回路、及び警報回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁基板10と、 絶縁基板10上に形成された第1、第2の電極11,12と、第1、第2の電極11,12間に跨って接続された可溶導体13と、絶縁基板10に形成され、可溶導体13よりも融点の高い高融点金属体15とを有し、高融点金属体15に流れる定格電流以上の過電流に伴う発熱により、可溶導体13を溶融させて第1、第2の電極11,12間を遮断させた後、高融点金属体15が溶断する。
【選択図】図1
Description
絶縁基板10は、例えば、アルミナ、ガラスセラミックス、ムライト、ジルコニアなどの絶縁性を有する部材を用いて形成されている。スイッチ素子1は、絶縁基板10を介して高融点金属体15の熱を第1、第2の電極及び可溶導体13に伝達するために、絶縁基板10としては、セラミックス基板等の耐熱性に優れ、かつ熱伝導率の高い材料により形成することが好ましい。なお、絶縁基板10は、その他にも、ガラスエポキシ基板、フェノール基板等のプリント配線基板に用いられる材料を用いてもよいが、高融点金属体15や可溶導体13の溶断時の温度に留意する必要がある。
第1、第2の電極11,12は、絶縁基板10の表面10a上に、対向配置されるとともに離間されることにより開放されている。また、第1、第2の電極11,12の対向する先端部11b,12b間には、後述する可溶導体13が跨って搭載されている。第1、第2の電極11,12は、可溶導体13を介して電気的に接続され、高融点金属体15が通電に伴って発熱すると、この熱により加熱され、溶融導体13を溶断させることにより、開放される。
高融点金属体15は、通電すると発熱する導電性を有する部材であって、たとえばW、Mo、Ru、Cu、Ag、あるいはこれらを主成分とする合金等からなる。高融点金属体15は、これらの合金あるいは組成物、化合物の粉状体を樹脂バインダ等と混合して、ペースト状にしたものをスクリーン印刷技術を用いてパターン形成して、焼成する等によって形成することができる。
第1、第2の電極11,12及び高融点金属体15は、絶縁基板10の表面10a上において絶縁層16に被覆されている。絶縁層16は、第1、第2の電極11,12及び高融点金属体15の保護及び絶縁を図るとともに、高融点金属体15の溶断時におけるアーク放電を抑制するために設けられ、例えばガラス層からなる。
絶縁層16を介して第1、第2の電極11,12上に搭載される可溶導体13は、高融点金属体15の発熱により速やかに溶融されるいずれの金属を用いることができ、例えば、ハンダや、Pbを主成分とする260℃リフロー実装時に溶融しないハンダ等の低融点金属を好適に用いることができる。
以上のようなスイッチ素子1は、図1(C)に示すような回路構成を有する。すなわち、スイッチ素子1は、第1の電極11と第2の電極12とが、正常時には可溶導体13を介して接続され(図1(C))、高融点金属体15の発熱により可溶導体13が溶融すると、開放される。(図2(C))。
スイッチ素子1は、絶縁基板10上に内部を保護するカバー部材20が取り付けられている。スイッチ素子1は、絶縁基板10がカバー部材20に覆われることによりその内部が保護されている。カバー部材20は、スイッチ素子1の側面を構成する側壁21と、スイッチ素子1の上面を構成する天面部22とを有し、側壁21が絶縁基板10上に接続されることにより、スイッチ素子1の内部を閉塞する蓋体となる。このカバー部材20は、例えば、熱可塑性プラスチック,セラミックス,ガラスエポキシ基板等の絶縁性を有する部材を用いて形成されている。
なお、本発明が適用されたスイッチ素子は、絶縁基板の表面上において、高融点金属体と第1の電極又は第2の電極とを重畳させてもよい。なお、以下の説明において、上述したスイッチ素子1と同様の構成については、同じ符号を付してその詳細を省略する。このスイッチ素子40は、図7に示すように、絶縁基板10の表面10aの相対向する側縁10d,10e間にわたって高融点金属体15が形成される。また、スイッチ素子40は、第1、第2の電極11,12が絶縁基板10の表面10aの相対向する側縁10b,10cに形成される。
また、本発明が適用されたスイッチ素子は、絶縁基板の表面に第1、第2の電極を形成し、絶縁基板の裏面に高融点金属体を形成することにより、高融点金属体と第1の電極又は第2の電極とを重畳させてもよい。なお、以下の説明において、上述したスイッチ素子1と同様の構成については、同じ符号を付してその詳細を省略する。このスイッチ素子50は、図8に示すように、絶縁基板10の裏面10fの相対向する側縁10d,10e間にわたって高融点金属体15が形成される。また、スイッチ素子50は、第1、第2の電極11,12が絶縁基板10の表面10aの相対向する側縁10b,10cに形成されている。
上述したように、可溶導体13のいずれか又は全部は、低融点金属と高融点金属とを含有してもよい。高融点金属層60はAg、Cu又はこれらを主成分とする合金等からなり、低融点金属層61はハンダや、Snを主成分とするPbフリーハンダ等からなる。このとき、可溶導体13は、図9(A)に示すように、内層として高融点金属層60が設けられ、外層として低融点金属層61が設けられた可溶導体を用いてもよい。この場合、可溶導体13は、高融点金属層60の全面が低融点金属層61によって被覆された構造としてもよく、相対向する一対の側面を除き被覆された構造であってもよい。高融点金属層60や低融点金属層61による被覆構造は、メッキ等の公知の成膜技術を用いて形成することができる。
Claims (37)
- 第1、第2の電極と、
上記第1、第2の電極間に跨って接続された可溶導体と、
上記可溶導体よりも融点の高い高融点金属体とを有し、
上記高融点金属体に流れる定格電流以上の過電流に伴う発熱により、上記可溶導体を溶融させるスイッチ素子。 - 上記高融点金属体は、上記第1、第2の電極間を遮断させた後、定格電流以上の過電流に伴う自己発熱(ジュール熱)により溶断する請求項1に記載のスイッチ素子。
- 上記高融点金属体及び上記第1、第2の電極は、絶縁基板の面上に積層された電極パターンである請求項1又は2に記載のスイッチ素子。
- 上記高融点金属体及び上記第1、第2の電極は、銀、銅又は銀若しくは銅を主成分とする高融点金属がパターン形成されてなる請求項3に記載のスイッチ素子。
- 上記高融点金属体の電極パターンは、上記可溶導体に近接する位置が相対的に細くなり、電流が集中することにより局部的に高温に発熱する発熱部が形成されている請求項3又は4に記載のスイッチ素子。
- 上記第1又は第2の電極の上記可溶導体が搭載されている先端部の一方と、上記発熱部とが近接されている請求項5に記載のスイッチ素子。
- 上記第1又は第2の電極の上記可溶導体が搭載されている先端部のうち、上記発熱部と近接する一方の面積が他方の面積よりも広く、他方の電極よりも多くの上記可溶導体を保持する請求項6に記載のスイッチ素子。
- 上記第1又は第2の電極のうち、上記発熱部と近接する一方の電極と、上記高融点金属体とが接続されている請求項6又は請求項7に記載のスイッチ素子。
- 上記高融点金属体が絶縁層に被覆されている請求項1〜8のいずれか1項に記載のスイッチ素子。
- 上記高融点金属体と上記絶縁基板の間に絶縁層が形成されている請求項3〜9のいずれか1項に記載のスイッチ素子。
- 上記第1、第2の電極は、上記可溶導体が搭載されている先端部を除き、絶縁層で被覆されている請求項1〜10のいずれか1項に記載のスイッチ素子。
- 上記絶縁層は、ガラス又はガラスを主成分とする絶縁材料からなる請求項9〜11のいずれか1項に記載のスイッチ素子。
- 上記高融点金属体は、銅若しくは銀を主成分とする箔若しくはワイヤーである請求項1又は2に記載のスイッチ素子。
- 上記第1、第2の電極と上記高融点金属体とが、上記絶縁基板の同一平面に並んで配置されている請求項1〜13のいずれか1項に記載のスイッチ素子。
- 上記絶縁基板の一方の面において、上記第1の電極又は第2の電極の一方及び当該一方の電極に搭載されている上記可溶導体が、上記高融点金属体上に、絶縁層を介して積層されている請求項3〜7のいずれか1項に記載のスイッチ素子。
- 上記絶縁基板の一方の面に上記第1、第2の電極が配置され、上記絶縁基板の他方の面に上記高融点金属体が配置され、上記高融点金属体と、上記第1の電極又は第2の電極の一方及び当該一方の電極に搭載されている上記可溶導体と重畳されている請求項3〜7のいずれか1項に記載のスイッチ素子。
- 上記高融点金属体と上記絶縁基板の間に絶縁層が形成されている請求項15又は16に記載のスイッチ素子。
- 上記第1、第2の電極は、上記可溶導体が搭載されている先端部を除き、上記絶縁層で被覆されている請求項15〜17のいずれか1項に記載のスイッチ素子。
- 上記絶縁層は、ガラス又はガラスを主成分とする絶縁材料からなる請求項15〜18のいずれか1項に記載のスイッチ素子。
- 上記絶縁基板は、セラミックス基板である請求項3〜19のいずれか1項に記載のスイッチ素子。
- 上記可溶導体は、ハンダである請求項1〜20のいずれか1項に記載のスイッチ素子。
- 上記可溶導体は、低融点金属と高融点金属とを含有し、
上記低融点金属が上記高融点金属体の発熱により溶融し、上記高融点金属を溶食する請求項1〜20のいずれか1項に記載のスイッチ素子。 - 上記低融点金属はハンダであり、
上記高融点金属は、Ag、Cu又はAg若しくはCuを主成分とする合金である請求項22記載のスイッチ素子。 - 上記可溶導体は、内層が高融点金属であり、外層が低融点金属の被覆構造である請求項22又は23に記載のスイッチ素子。
- 上記可溶導体は、内層が低融点金属であり、外層が高融点金属の被覆構造である請求項22又は23に記載のスイッチ素子。
- 上記可溶導体は、低融点金属と、高融点金属とが積層された積層構造である請求項22又は23に記載のスイッチ素子。
- 上記可溶導体は、低融点金属と、高融点金属とが交互に積層された4層以上の多層構造である請求項22又は23に記載のスイッチ素子。
- 上記可溶導体は、内層を構成する低融点金属の表面に形成された高融点金属に、開口部が設けられている請求項22又は23に記載のスイッチ素子。
- 上記可溶導体は、多数の開口部を有する高融点金属層と、上記高融点金属層上に形成された低融点金属層とを有し、上記開口部に低融点金属が充填されている請求項22又は23に記載のスイッチ素子。
- 上記可溶導体は、低融点金属の体積が、高融点金属の体積よりも多い請求項22〜29のいずれか1項に記載のスイッチ素子。
- 上記可溶導体の上にフラックスがコーティングされている請求項1〜30のいずれか1項に記載のスイッチ素子。
- 上記第1及び第2の電極表面に、Ni/Auメッキ、Ni/Pdメッキ、Ni/Pd/Auメッキのいずれかが被覆されている請求項1〜31のいずれか1項に記載のスイッチ素子。
- 上記絶縁基板上に設けられ、内部を保護するカバー部材を備え、
上記カバー部材は、上記第1及び第2の電極のいずれか一方と重畳する位置に、カバー部電極が設けられている請求項3〜32のいずれか1項に記載のスイッチ素子。 - 第1のヒューズが搭載されることにより接続されるとともに外部回路と接続された第1及び第2の電極を有し、上記第1及び第2の電極が開放することにより上記外部回路への給電を停止させるスイッチ部と、
上記第1のヒューズの融点よりも高い融点を有し、上記スイッチ部と電気的に独立して形成された機能回路に接続される第2のヒューズとを備え、
上記第2のヒューズに流れる定格電流以上の過電流に伴う発熱により、上記第1のヒューズを溶融させて上記第1、第2の電極間を遮断させ上記外部回路への給電を停止させるスイッチ回路。 - 上記第2のヒューズが、上記第1のヒューズを遮断させた後、定格電流以上の過電流に伴う自己発熱(ジュール熱)により溶断する請求項34記載のスイッチ回路。
- 互いに開放されるとともに、第1のヒューズが搭載されることにより接続された第1、第2の電極を有し、上記第1、第2の電極が開放することにより警報器への給電を停止する作動回路と、
上記作動回路と電気的に独立して形成され、上記第1のヒューズの融点よりも高い融点を有する第2のヒューズと、上記第2のヒューズが電源に直列に繋がる機能回路を有する制御回路とを備え、
上記機能回路の異常時に上記第2のヒューズに流れる定格電流以上の過電流に伴う発熱により、上記第1のヒューズを溶融させて上記第1、第2の電極間を遮断させ上記警報器への給電を停止させる警報回路。 - 上記第2のヒューズが、上記第1のヒューズを遮断させた後、定格電流以上の過電流に伴う自己発熱(ジュール熱)により溶断する請求項36に記載の警報回路。
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