CN108351256A - 传感器元件和用于制造传感器元件的方法 - Google Patents

传感器元件和用于制造传感器元件的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108351256A
CN108351256A CN201680063938.5A CN201680063938A CN108351256A CN 108351256 A CN108351256 A CN 108351256A CN 201680063938 A CN201680063938 A CN 201680063938A CN 108351256 A CN108351256 A CN 108351256A
Authority
CN
China
Prior art keywords
ntc
sensor element
electrode
carrier
layers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201680063938.5A
Other languages
English (en)
Inventor
J.伊勒
A.魏登费尔德
C.L.米德
G.克洛伊贝尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Electronics AG
Original Assignee
Epcos AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epcos AG filed Critical Epcos AG
Publication of CN108351256A publication Critical patent/CN108351256A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28B—SHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS; SHAPING SLAG; SHAPING MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
    • B28B11/00—Apparatus or processes for treating or working the shaped or preshaped articles
    • B28B11/24—Apparatus or processes for treating or working the shaped or preshaped articles for curing, setting or hardening
    • B28B11/243—Setting, e.g. drying, dehydrating or firing ceramic articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28B—SHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS; SHAPING SLAG; SHAPING MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
    • B28B3/00—Producing shaped articles from the material by using presses; Presses specially adapted therefor
    • B28B3/02—Producing shaped articles from the material by using presses; Presses specially adapted therefor wherein a ram exerts pressure on the material in a moulding space; Ram heads of special form
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/18—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
    • H01C17/08—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
    • H01C17/12—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
    • H01C17/281—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals by thick film techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
    • H01C17/281—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals by thick film techniques
    • H01C17/283—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/008—Thermistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
    • H01C7/042—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient mainly consisting of inorganic non-metallic substances
    • H01C7/043—Oxides or oxidic compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Measuring Oxygen Concentration In Cells (AREA)

Abstract

描述一种用于温度测量的传感器元件。该传感器元件（1）具有：陶瓷载体（2）；和至少一个电极，其中该载体（2）具有上侧和下侧，其中在载体（2）的上侧上和下侧上分别布置NTC层（4），并且其中相应的NTC层（4）的电阻通过相应的NTC层（4）的厚度和/或几何结构来确定。此外，描述用于制造传感器元件（1）的方法。

Description

传感器元件和用于制造传感器元件的方法
技术领域
说明一种传感器元件。该传感器元件尤其是可以用于测量温度。例如涉及NTC（负温度系数）传感器元件，也即涉及热变阻器。此外，说明一种用于制造传感器元件的方法。
背景技术
根据现有技术，为了在最不同的应用中的监控和调节，主要利用陶瓷热变阻器热敏电阻元件（NTC）、硅温度传感器（KTY）、铂温度传感器（PRTD）或者热电偶元件（TC）来测量温度。在此由于小的制造成本，NTC热敏电阻是最普遍的。相对于热电偶元件和金属电阻元件、诸如Pt元件，另外的优点例如在于，突出的负电阻温度特性。
为了在功率模块中的使用，主要使用钎焊上的SMD NTC温度传感器。在用于小功率的控制模块的情况下，代替于此也使用NTC芯片，其借助Ag烧结膏、钎焊或者粘接被安装在下侧上并且经由接合导线来接触其上侧。
为了NTC陶瓷的电接触，必须施加金属电极。根据现有技术，厚层电极为此主要由银或金膏通过具有随后的焊透（Einbrand）的丝网印刷工艺来施加。
银金属化物尤其适合于钎焊连接。由于鉴于新的可靠的端子接触、例如接合和熔焊方面的提高的技术要求，特别在与金或铝或铜导线接合的情况下需要另外的电极，因为对银的连接不具有足够的可靠性。
在金-金属化物的情况下，不能实现与端子导线的钎焊连接。接合连接出于成本原因只能用金细导线来实现。在金电极上的铝接合导线连接不能达到可靠性要求。
由于关于使用温度和可靠性方面的提高的要求，另外存在对NTC温度传感器的要求，这些温度传感器具有高的长期稳定性以及适合于使用温度的更大范围或者可以被应用于不同的使用温度。
发明内容
待解决的任务在于，说明一种传感器元件，该传感器元件具有经改善的特性。
所述任务通过根据独立权利要求的传感器元件得以解决。
根据一方面，说明用于温度测量的传感器元件。该传感器元件优选地具有陶瓷的传感器材料。该传感器元件优选是NTC传感器芯片。该传感器材料优选以至少一个NTC层的形式来构造。该传感器元件具有陶瓷载体。该传感器元件此外具有至少一个电极。优选地，该传感器元件具有两个或更多个电极。
该载体具有上侧和下侧。在载体的上侧和下侧上分别布置传感器材料，例如以NTC层的形式。优选地，该传感器元件是双NTC厚层传感器。优选地，用传感器材料来印刷该上侧和下侧。载体的上侧和下侧可以分别全面地或者也可以仅局部地用传感器材料来印刷。印刷几何结构可以不同。换言之，上侧可以具有与下侧不同的带有传感器材料的印刷几何结构。NTC层可以例如单独地被操控和/或具有不同的R-T特性曲线。相应的NTC层的电阻优选通过相应的NTC层的厚度和/或几何结构来确定。
通过相应的设计，提供低成本的NTC温度传感器，该温度传感器同时具有两个特性曲线并且因此在相应适配的R-T特性曲线情况下在测量范围内扩展温度精确度。此外，可以通过在唯一的构件中两个特性曲线的实现来节省在装配中的空间。
根据一种实施例，将至少一个电极施加到NTC层其中的每个上。例如，在NTC层其中的每个上施加至少两个电极。这些电极通过自由区域相互分离。例如，该自由区域以接片（Stege）的形式来构造。这些电极通过接片相互分离。该自由区域并没有电极材料或者可以用保护层来填充。
在一侧上相邻布置的电极具有的好处是：仅能够由一侧进行接触。例如，在单面通过粘接、钎焊或Ag烧结来进行电路板上的接触。在上侧上，通过相邻布置的电极同样地能够通过例如熔焊、接合或钎焊连接导线（Anschlussdraht）来进行单面接触。
根据一种实施例可以直接在陶瓷载体上、优选在载体的上侧上施加第一电极。在所述第一电极的至少一个部分区域上施加NTC层。另一个或第二电极层或电极处于该NTC层上。另一个或第二电极优选完全地覆盖该NTC层。
在载体的例如下侧上布置另一个NTC层。在该NTC层上施加至少一个电极。例如，在NTC层上施加至少两个电极。这些电极通过自由区域相互分离。该自由区域没有电极材料或者可以用保护层来填充。
在下侧上相邻布置的电极具有的好处是：仅能够由一侧进行接触。例如，在单面通过粘接、钎焊或Ag烧结来由此进行电路板上的接触。在上侧上，通过第一电极、NTC层和另外的电极的层状布置使得能够利用传感器材料的明显更大的横截面，这实现更小的电阻。
根据一种实施例，相应的电极具有至少一个已溅射的层。这些电极例如是薄层电极。已溅射的层优选直接被施加到相应的NTC层上。至少一个已溅射的层优选具有镍。至少一个已溅射的层此外可以具有钒的成分。在另一种实施方式中，电极具有两个层，其中第一层或下层具有铬或钛并且第二层或上层具有镍并且同样地可以具有钒的成分。有利地，针对所描述的实施方式，将覆盖层施加到镍层上。所述覆盖层由抗氧化的金属、诸如银或金组成。
根据一种实施例，相应的电极具有至少一个已加印（aufdrucken）的层。这些电极例如是厚层电极。已加印的层优选被直接加印到相应的NTC层上。通过该印刷过程可以实现更厚的电极层。
在非常低容差的电阻的情况下，可以进行所谓的微调过程，用于进行对额定温度下的电阻的调整。在此，通过局部激光剥蚀来去除例如一个或两个NTC层的部分区域，使得产生空隙。通过微调过程，改变NTC层的几何结构并且与规定值相应地适配电阻。
根据一方面，描述用于制造传感器元件的方法。优选地，通过该方法来制造上述的传感器元件。关于该传感器元件或该方法所公开的所有特性也相应地关于相应的其他方面被公开并且反之亦然，即便是当相应的特性并没有详尽地在相应方面的上下文中被提及的情况下。
该方法具有以下步骤：
- 制造NTC粉末，用于构造至少一个NTC层。该NTC粉末基于具有不同掺杂的Y-Ca-Cr-Al-O系的钙钛矿的或基于具有不同掺杂的Ni-Co-Mn-O系的尖晶石组成。
- 提供陶瓷的载体材料。基于例如Al2O3、 ZrO2、ATZ或ZTA材料或MgO的陶瓷的基板用作载体材料。
- 以第一印刷几何结构用NTC膏来印刷载体材料的第一表面。第一表面、例如下侧的印刷在一个印刷过程中或在多个印刷过程中进行。例如执行两个、三个、五个或十个印刷过程。第一表面可以局部地或部分地用NTC膏来印刷。NTC膏可以以预先确定的厚度（之后的NTC层的厚度）被印刷到第一表面上。
- 烧结由载体材料和NTC层组成的系统。
- 以第二印刷几何结构用NTC膏来印刷载体材料的第二表面。第二表面、例如上侧的印刷在一个印刷过程中或在多个印刷过程中进行。例如执行两个、三个、五个或十个印刷过程。第二表面可以局部地或部分地用NTC膏来印刷。第二印刷几何结构可以与第一印刷几何结构相同。可替代地，第一印刷几何结构和第二印刷几何结构也可以彼此不同。例如，第二NTC层这样被加印，使得在第二表面上留有自由边缘。NTC膏可以以以预先确定的厚度（之后的NTC层的厚度）被印刷到第二表面上。第一NTC层和第二NTC层的厚度可以不同。例如，第一NTC层可以具有比第二NTC层更大的厚度或者反之。对此可替代地，这些NTC层的厚度也可以相同。附加地，被施加到第二表面上的 NTC层可以具有与被施加到第一表面上的NTC层相同的陶瓷组分或者不同的陶瓷组分。由此，能够调整相同的或不同的电特性。
- 烧结该系统。
对此可替代地，也可以在第一次烧结之前首先用NTC膏来印刷载体材料的第二表面。在该情况下，可以执行共同的烧结过程。
在接下来的步骤中，可以借助激光切割、磨削或锯割来这样进行对至少一个NTC层的局部剥蚀，使得通过几何结构的变化来适配该电阻。例如也可以从这两个NTC层去除局部区域。
根据一方面，说明用于温度测量的传感器元件，该传感器元件具有：
- 陶瓷载体；
- 至少一个电极；
其中该载体具有上侧和下侧，其中在载体的上侧上和下侧上分别布置NTC层，并且其中通过相应的NTC层的厚度和/或几何结构来确定相应的NTC层的电阻。可替代地或附加地，电阻可以通过对陶瓷组分的选择来确定。
附图说明
该传感器元件在下文中根据实施例和所属图进一步阐述。
接下来所描述的附图并不是以符合比例的方式来理解的。而是可以为了更好地示出而以被放大、缩小的方式或者也可以以被扭曲的方式来示出各个尺寸。
彼此相同的元件或者承担相同功能的元件用相同的附图标记来表示。其中:
图1 示出第一实施方式中的传感器元件；
图2 示出在另一种实施方式中的传感器元件；
图3 示出在另一种实施方式中的传感器元件；
图4 示出在另一种实施方式中的传感器元件。
具体实施方式
图1示出传感器元件1，尤其是传感器芯片。传感器元件1优选被构造用于测量温度。传感器元件1具有陶瓷传感器材料（NTC层4）。传感器材料尤其是NTC陶瓷。例如，该陶瓷具有钙钛矿结构。尤其是，该陶瓷可以基于具有不同掺杂的Y-Ca-Cr-Al-O系。这种传感器元件1特别适合于高温应用。可替代地，该传感器元件1尤其是在较低应用温度情况下具有带尖晶石结构的陶瓷。例如，该陶瓷可以基于具有不同掺杂的Ni-Co-Mn-O系。
由于根据现有技术的NTC温度传感器的R-T特性曲线，不可能经由宽的温度范围以保持相同高的精确度来测量。从电阻的额定温度出发，其容差增大。因此，在非常高或低的温度情况下（以远离电阻的额定温度的方式），温度检测的精确度明显更小。在能够窄地限定的使用高温度的情况下，现在可以这样适配该规范（Spezifikation），使得额定温度接近使用温度并且因此对此实现精确测量。但是，如果应以高精确度来检测宽的温度范围，对此必须使用两个或更多个具有不同特性曲线或额定温度的NTC温度传感器。这常常导致在装配在DCB板或电路板上的情况下的空间问题。
图1因此示出传感器元件1，在该传感器元件的情况下在一个构件中实现两个特性曲线。传感器元件1具有上述传感器材料。该传感器材料是NTC层4或以至少一个NTC层的形式安装（verbauen）。传感器元件1此外具有陶瓷载体2。基于例如Al2O3、 ZrO2、ATZ或ZTA材料或MgO的陶瓷基板用作载体2。NTC膏如上述那样要么基于具有不同掺杂的Y-Ca-Cr-Al-O系的钙钛矿，要么基于具有不同掺杂的Ni-Co-Mn-O系的尖晶石。
载体2在双面以NTC层4印刷。尤其是，载体2的第一外面或表面（例如上侧）用第一NTC层4来印刷。载体2的第二外面或表面（例如下侧）用第二NTC层4来印刷。传感器元件1因此是双NTC厚层传感器。
NTC层4分别完全覆盖载体2的上侧和下侧。在烧结过程之后将电极3施加到NTC层4上。电极3借助厚层或薄层技术来施加到NTC层4上，如之后详细描述的那样。
在非常窄容差的电阻情况下，另外可以通过局部激光剥蚀来进行所谓的微调过程，用于调整在额定温度下的电阻，如结合图3和4还要进一步讲述的那样。
传感器与DCB板或电路板的接触可以借助Ag烧结、钎焊或粘合来进行。在上侧上可以通过钎焊、接合或熔焊来装配导线。
图2示出双NTC厚层传感器1，其具有自由边缘6。与在图1中所示出的传感器元件1不同，在图2的传感器元件1的情况下使载体2的环形的边缘区域没有传感器材料或者没有NTC层4。尤其是，NTC层4不完全地覆盖载体2的上侧或下侧。相反，能够识别载体2的环形的边缘区域，其没有被传感器材料所覆盖。在该实施例中，自由边缘6在载体2的上侧和下侧上实施。
自由边缘6因此可以在载体2的双面上存在。对此可替代地，自由边缘6也可以在载体2的仅一侧上存在。换言之，NTC层4可以具有不同的印刷几何结构。例如，第一NTC层4可以完全地覆盖载体的第一外面或表面（例如载体2的上侧）。第二NTC层4可以仅部分地覆盖载体2的第二外面或表面（例如载体2的下侧），使得载体2的边缘区域优选地没有NTC层4。由此，可以实现NTC层4的不同电阻值。NTC层4的厚度也可以不同。通过NTC层4的不同厚度，可以实现NTC层4不同的电阻值。
图3示出已微调的双NTC厚层传感器1。
所述微调用于通过局部激光剥蚀来调整在额定温度下的电阻。因此，在该实施例中不仅在传感器元件1的上侧上进行了而且也在传感器元件的下侧上进行了所述微调。
NTC层4在此分别具有空隙7。该空隙7被布置在电极3之间的中间区域中。这导致相应的NTC层4的经改变的几何结构，由此来调整相应的NTC层4的电阻。在其他方面，图3中的传感器元件1的构造与图1中的传感器元件1的构造基本相应。
在一种可替代的实施例中（未详尽示出），也可以对这两个NTC层4其中的仅一个进行微调。在该情况下，仅仅一个NTC层4具有空隙7。对此可替代地，NTC层4可以以不同的方式被微调。在该情况下，NTC层4具有不同大的空隙7。
图4示出具有自由边缘6的经微调的双NTC厚层传感器。如在图3中的传感器元件1的情况下，在此情况下通过激光来进行局部剥蚀（空隙7）。空隙7处于两个NTC层4上。但是，空隙7也可以以结合图3所阐述的方式仅在NTC层4的情况下被实施或者NTC层4可以具有不同大的空隙。
此外，能够识别载体2的环形的边缘区域，其没有被传感器材料（NTC层4）覆盖。该自由边缘6被布置在载体2的上侧和下侧上。对此可替代地，自由边缘6也可以仅被构造在载体2的外面或表面处，例如上侧或下侧处。对此可替代地，自由边缘6也不需要环形地构造，而是可以仅局部地实施。
总而言之，根据图1至图4的传感器元件以如下方式构造：
首先，用NTC膏进行载体材料的双面印刷。所述印刷可以全面地或局部地进行。在此，传感器的这两个NTC厚层4不需要具有相同的印刷几何结构。NTC厚层4可以要么具有相同的特性曲线要么具有不同的特性曲线，并且单独地被操控，以便覆盖更大的使用范围和不同的应用。NTC层4的电阻可以单独地通过NTC层4的相应厚度及其几何结构来调整。
在施加电极3的情况下，可以在薄层和厚层技术之间进行区分。薄层电极的制造可以通过溅射或蒸镀来进行。在此，基本电极在第一种实施方案中由镍层组成，其可以具有钒的成分；或者在第二种实施方式中由两个层组成，其中下层具有铬或钛，并且第二层由镍组成，其同样可以具有钒的成分。基本电极可以通过由抗氧化的金属、诸如银、金、铜、铝等组成的覆盖层来保护。这种覆盖电极可以要么用于镍基本电极的纯抗蚀保护（氧化），要么也对于接触是有利的、或者说甚至是必需的。在借助用细分散银膏的Ag烧结进行连接的情况下，例如银覆盖电极是有利的。对于抗迁移的（migrationsbeständig）、不含银和铅的连接，可以施加金覆盖层。
基本电极的厚度根据之后的借助Ag烧结或钎焊的接触法为小于10μm，有利地小于3μm，理想地小于0.5μm。覆盖电极的厚度可以为直至1μm，在例外情况下为直至20μm。
厚层电极的制造可以通过具有随后的焊透的丝网印刷工艺来进行。所使用的膏可以包含Ag或Au或可能的混合物。
电极3的设计可以根据三种不同的变型方案来进行：
根据第一变型方案，在NTC厚层4上施加两个电极垫，其通过自由区域5来在空间上相互分离。这可以在这两个NTC厚层4上进行。
变型方案2：下NTC厚层4的金属化如在变型方案1中所描述的那样以两个相互分离的电极垫来进行。在上侧上，将电极全面地施加到载体材料上。随后，其利用NTC膏来全面地或局部地被印刷，其又配备有电极。烧结过程可以对于所有三个层共同地进行或者以各个层的中间焊透（Zwischeneinbränden）来进行。上NTC厚层4的接触可以例如通过导线的钎焊、接合或熔焊来实现。在陶瓷载体2的上侧上全面地施加的电极3必须具有电传导材料或电传导材料复合体，该电传导材料或该电传导材料复合体适合用于，在直至1400℃的温度下对处于其上的NTC层4的共同烧结。通常，在此涉及含有Pd或Pt的Ag膏。
为了调整电阻，以电气的方式来预先测量金属化的基板。根据预先测量数据，双NTC厚层传感器的几何结构被限定。因为长度被固定，作为可变参量，宽度保留作为调整参数。对于在额定温度下特别窄容差的电阻，可以利用附加的微调过程来调整各个器件的电阻。在此，陶瓷材料或电极材料通过例如激光切割、磨削、锯割来被局部去除，使得通过几何结构变化来适配所述电阻。
为了改善陶瓷的长期稳定性，可以经由非金属化的区域来施加薄的、不传导的保护层，其例如由陶瓷、玻璃、塑料或金属氧化物组成。其可以通过溅射、蒸镀、光刻或加印和烧刻（Einbrennen）来实现。
针对于在电路板上的使用，可以将传感器的三个变型粘接、钎焊或烧结到导体线路上。Ag烧结过程可以在压力下或者以没有压力的方式进行。借助钎焊、熔焊或接合，可以使传感器的上侧与导线接触。
通过根据图1至4的对传感器元件1的新设计，在一个构件中实现两个特性曲线。由此可以节省在DCB板或电路板上装配的情况下的空间。传感器元件1的机械稳定性通过使用例如基于Al2O3、 ZrO2、ATZ或ZTA材料或MgO的陶瓷的载体材料来提高。
根据本发明的双NTC厚层传感器的制造过程在下文中示例性地进一步被讲述：
在第一步骤中制造NTC粉末。其中包括：称量、湿式预先碾磨、干燥、筛选、煅烧、湿式再碾磨、干燥并且再次筛选。接着是为了膏制造来对NTC粉末的称量。此外，称量膏的有机组分。
在接下来的步骤中，通过搅拌来预先均匀化膏组分。随后，以三辊轧机来对膏组分均匀化。
在随后的步骤中，借助丝网印刷用NTC膏进行陶瓷的载体材料的单面印刷。例如，在该步骤中，用NTC膏印刷载体材料的下侧。对此可替代地，也可以用NTC膏印刷上侧。该印刷以特殊的或第一印刷几何结构来进行。在此，例如仅仅局部地但是也可以完全地印刷相应的载体表面。例如可以在印刷中留空载体材料的边缘区域。但是也能够设想其他印刷几何结构。此外，在该步骤中可以调整之后的NTC层的厚度。NTC层越厚，其电阻就越高。
之后，由陶瓷的载体材料和NTC层组成的系统被脱碳。随后，由陶瓷的载体材料和NTC层组成的系统被烧结。
在随后的步骤中，借助丝网印刷用NTC膏对第二载体材料侧进行印刷。例如，在该步骤中，载体材料的上侧用NTC膏印刷。对此可替代地，也可以用NTC膏对下侧印刷。对载体材料的如下外面或表面印刷，其中所述外面或表面在单面印刷过程中已被留空。
所述印刷以特殊的或第二印刷几何结构来进行。第二印刷几何结构可以与第一印刷几何结构相应。对此可替代地，第一和第二印刷几何结构可以不同。例如，仅局部地或者也可以完全地印刷相应的载体表面。例如，载体材料的边缘区域在印刷过程中被留空。但是，针对第二印刷几何结构，也能够设想其他印刷几何结构。此外，在该步骤中，可以调整之后的NTC层的厚度。NTC层越厚，其电阻就越高。这两个NTC层的厚度可以相同。对此可替代地，NTC层也可以具有不同厚度。
之后，该系统被脱碳。随后，该系统被烧结。对此可替代地，也可以相继地印刷这两个NTC层，并且该系统随后可以在共同过程中被脱碳和烧结。在该情况下，脱碳和烧结的重复可以是多余的。
在接下来的步骤中，借助溅射技术进行Ni/Ag薄层电极到已烧结的传感器上的双面施加。对此可替代地，电极也可以被加印（厚层电极）。这些电极根据上述的变型方案1至3来被施加。
在接下来的步骤中，在还没有被分离的载体材料上进行在额定温度下各个传感器侧的电阻的电测量。
接下来，通过激光剥蚀来将各个NTC层微调成所要求的电阻值。
接着是通过在经印刷的NTC区域之间锯割载体材料进行的传感器芯片的分开。通过分离过程，制造最终几何结构。
最后，进行目测检查和抽样方式的控制测量。
在这里所说明的主题的描述并不限制于各个特殊的实施方式。而是只要在技术上有意义就可以将各个实施方式的特征任意相互组合。
附图标记列表
1 传感器元件
2 载体
3 电极
4 NTC层
5 自由区域
6 自由边缘
7 空隙

Claims (16)

1.用于温度测量的传感器元件（1），所述传感器元件具有：
- 陶瓷载体（2）
- 至少一个电极（3）；
其中所述载体（2）具有上侧和下侧，其中在所述载体（2）的所述上侧上和所述下侧上分别布置NTC层（4），并且其中通过相应的所述NTC层（4）的厚度和/或几何结构来确定相应的所述NTC层（4）的电阻。
2.根据权利要求1所述的传感器元件（1），其中所述载体（2）用所述NTC层（4）来印刷，并且其中所述NTC层（4）具有不同的印刷几何结构。
3.根据权利要求1或2所述的传感器元件（1），其中所述载体（2）用所述NTC层（4）来印刷，并且其中所述载体（2）的所述上侧和所述下侧的印刷利用相应的所述NTC层（4）来全面地或局部地实施。
4.根据权利要求1至3之一所述的传感器元件（1），其中，至少一个电极（3）被施加到所述NTC层（4）其中的每个上。
5.根据权利要求1至4之一所述的传感器元件（1），其中，至少两个电极（3）被施加到所述NTC层（4）其中的每个上，并且其中所述电极（3）通过自由区域（5）被相互分离。
6.根据权利要求1至4之一所述的传感器元件（1），其中，
- 在所述载体（2）的所述上侧上施加第一电极（3），其中在所述第一电极（3）的部分区域上施加NTC层（4），其中在所述NTC层（4）上布置第二电极（3），并且其中
- 在所述载体（2）的所述下侧（3）上布置其他的NTC层（4），其中在所述NTC层（4）上施加两个电极（3），其中，所述电极（3）通过自由区域（5）被相互分离。
7.根据权利要求6所述的传感器元件（1），
其中所述第一电极（3）被直接施加在所述载体（2）的所述上侧上。
8.根据权利要求6或7所述的传感器元件（1），其中所述第二电极（3）完全覆盖所述载体（2）的所述上侧上的所述NTC层（4）。
9.根据权利要求1至5之一所述的传感器元件（1），其中相应的所述NTC层（4）具有两个相对置的侧面，并且其中，在所述侧面上分别布置电极（3）。
10.根据权利要求1至9之一所述的传感器元件（1），其中，相应的所述电极（3）具有至少一个已溅射的层。
11.根据权利要求10所述的传感器元件（1），其中，所述已溅射的层被直接施加到相应的所述NTC层（4）上。
12.根据权利要求1至9之一所述的传感器元件（1），其中，相应的所述电极（3）具有至少一个已加印的层。
13.根据权利要求11所述的传感器元件（1），其中，所述已加印的层被直接施加到相应的所述NTC层（4）上。
14.根据权利要求1至13之一所述的传感器元件（1），其中所述NTC层（4）其中至少之一具有空隙（7），并且其中所述空隙（7）被设置用于，调整所述NTC层（4）的所述电阻。
15.用于制造传感器元件（1）的方法，所述方法具有以下步骤：
- 制造NTC粉末，用于构造至少一个NTC层（4）；
- 提供陶瓷的载体材料；
- 以第一印刷几何结构用NTC膏来印刷所述载体材料的第一表面；
- 烧结由所述载体材料和NTC层（4）组成的系统；
- 以第二印刷几何结构用NTC膏来印刷所述载体材料的第二表面；
- 烧结所述系统；
其中，用NTC膏来全面地或局部地印刷所述载体材料的相应的所述表面。
16.根据权利要求15所述的方法，所述方法具有其他步骤：
- 局部地剥蚀所述NTC层（4）其中至少之一，用于调整预先确定的电阻值。
CN201680063938.5A 2015-11-02 2016-10-18 传感器元件和用于制造传感器元件的方法 Pending CN108351256A (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015118720.5 2015-11-02
DE102015118720 2015-11-02
DE102016101249.1A DE102016101249A1 (de) 2015-11-02 2016-01-25 Sensorelement und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements
DE102016101249.1 2016-01-25
PCT/EP2016/074944 WO2017076632A1 (de) 2015-11-02 2016-10-18 Sensorelement und verfahren zur herstellung eines sensorelements

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108351256A true CN108351256A (zh) 2018-07-31

Family

ID=58545722

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680063937.0A Pending CN108139276A (zh) 2015-11-02 2016-10-18 传感器元件和用于制造传感器元件的方法
CN201680063938.5A Pending CN108351256A (zh) 2015-11-02 2016-10-18 传感器元件和用于制造传感器元件的方法
CN201680063955.9A Pending CN108351258A (zh) 2015-11-02 2016-10-18 传感器装置和用于制造传感器装置的方法
CN201680063945.5A Pending CN108351257A (zh) 2015-11-02 2016-10-18 传感器元件和用于制造传感器元件的方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680063937.0A Pending CN108139276A (zh) 2015-11-02 2016-10-18 传感器元件和用于制造传感器元件的方法

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680063955.9A Pending CN108351258A (zh) 2015-11-02 2016-10-18 传感器装置和用于制造传感器装置的方法
CN201680063945.5A Pending CN108351257A (zh) 2015-11-02 2016-10-18 传感器元件和用于制造传感器元件的方法

Country Status (6)

Country Link
US (4) US10908030B2 (zh)
EP (4) EP3371564A1 (zh)
JP (5) JP6585844B2 (zh)
CN (4) CN108139276A (zh)
DE (4) DE102016101249A1 (zh)
WO (4) WO2017076638A1 (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016101249A1 (de) 2015-11-02 2017-05-04 Epcos Ag Sensorelement und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements
JP7091249B2 (ja) * 2016-03-02 2022-06-27 ワットロー・エレクトリック・マニュファクチャリング・カンパニー ヒータ作動フローバイパス
DE102017116533A1 (de) * 2017-07-21 2019-01-24 Tdk Electronics Ag Anlegetemperaturmessfühler
CN107819293B (zh) * 2017-11-30 2024-02-27 杭州泽济电子科技有限公司 具有小型化电子标签的动触头
DE102019127915A1 (de) 2019-10-16 2021-04-22 Tdk Electronics Ag Sensorelement und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements
DE102019127924B3 (de) * 2019-10-16 2021-01-21 Tdk Electronics Ag Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
WO2021095818A1 (ja) 2019-11-15 2021-05-20 ビークルエナジージャパン株式会社 リチウムイオン二次電池用正極、及びリチウムイオン二次電池
DE102019131306A1 (de) * 2019-11-20 2021-05-20 Tdk Electronics Ag Sensorelement und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements
DE102020122923A1 (de) * 2020-09-02 2022-03-03 Tdk Electronics Ag Sensorelement und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements
DE102020133985A1 (de) 2020-12-17 2022-06-23 Tdk Electronics Ag Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN86108011A (zh) * 1986-11-15 1988-01-06 国营宏明无线电器材厂 线性厚膜负温度系数热敏电阻器
JPH0562806A (ja) * 1991-08-30 1993-03-12 Ngk Spark Plug Co Ltd サーミスタ及びその製造方法
JPH0682315A (ja) * 1992-09-01 1994-03-22 Nippondenso Co Ltd サーミスタ式温度センサ
US6368734B1 (en) * 1998-11-06 2002-04-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. NTC thermistors and NTC thermistor chips
CN101022048A (zh) * 2007-03-23 2007-08-22 上海维安热电材料股份有限公司 一种新型片式ntc及其制造方法
CN102034580A (zh) * 2010-11-02 2011-04-27 肇庆爱晟电子科技有限公司 表面贴装高精度大功率ntc热敏电阻及其制作方法
CN102052972A (zh) * 2010-11-02 2011-05-11 肇庆爱晟电子科技有限公司 快速反应ntc温度传感器及其制作方法
CN104124014A (zh) * 2014-01-09 2014-10-29 华东理工大学 双层ntc热敏电阻及其制备方法

Family Cites Families (93)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3477055A (en) * 1967-12-22 1969-11-04 Gen Motors Corp Thermistor construction
DE1802132A1 (de) 1968-10-09 1970-04-16 Siemens Ag Halbleiteranordnung mit zwei Halbleiterwiderstaenden
US3547835A (en) * 1969-06-09 1970-12-15 Du Pont Processes of producing and applying silver compositions,and products therefrom
GB1387415A (en) * 1971-07-28 1975-03-19 Lucas Industries Ltd Method of and apparatus for producing a hot pressed component
US4160227A (en) * 1977-03-18 1979-07-03 Hitachi, Ltd. Thermistor composition and thick film thermistor
US4230731A (en) * 1978-05-25 1980-10-28 Robertshaw Controls Company Microwave cooking method and control means
AU524439B2 (en) * 1979-10-11 1982-09-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Sputtered thin film thermistor
DE3129862A1 (de) * 1981-07-29 1983-02-17 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Widerstandsanordnung
CA1200583A (en) 1982-03-03 1986-02-11 Shunichi Taguchi High-frequency heating apparatus with wireless temperature probe
JPS603102A (ja) 1983-06-20 1985-01-09 トキコ株式会社 サ−ミスタの製造方法
US4743881A (en) 1985-05-08 1988-05-10 Motorola, Inc. Ceramic temperature sensor
US5140393A (en) 1985-10-08 1992-08-18 Sharp Kabushiki Kaisha Sensor device
JPS6283641A (ja) * 1985-10-08 1987-04-17 Sharp Corp 電界効果型半導体センサ
US5161893A (en) * 1987-10-13 1992-11-10 Respiratory Support Products, Inc. Temperature measurement
FR2645642B1 (fr) * 1989-04-06 1994-01-21 Jaeger Capteur de temperature a thermistance et procede de fabrication de celui-ci
DE4025715C1 (zh) 1990-08-14 1992-04-02 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De
JPH067204U (ja) 1992-06-23 1994-01-28 株式会社芝浦電子製作所 チップサーミスタ
JPH06160204A (ja) * 1992-11-26 1994-06-07 Hitachi Ltd 吸気温センサ
US20010001205A1 (en) 1993-02-05 2001-05-17 Terunobu Ishikawa Semiconductor ceramics having negative temperature coefficients of resistance
JPH07174635A (ja) * 1993-10-27 1995-07-14 Matsushita Electric Works Ltd センサ回路及びそのセンサ回路に用いるセンサ素子
JPH08115804A (ja) 1994-10-14 1996-05-07 Murata Mfg Co Ltd 表面実装型セラミック電子部品とその製造方法
JPH08292102A (ja) 1995-04-20 1996-11-05 Mitsubishi Materials Corp 輻射センサ及びその製造方法
JPH0921707A (ja) 1995-07-05 1997-01-21 Canon Inc 温度検出手段、その製造方法、及び加熱体
DE19621001A1 (de) 1996-05-24 1997-11-27 Heraeus Sensor Nite Gmbh Sensoranordnung zur Temperaturmessung und Verfahren zur Herstellung der Anordnung
JPH1073498A (ja) 1996-08-30 1998-03-17 Matsushita Electric Works Ltd 熱的センサ
JPH10242394A (ja) 1997-02-27 1998-09-11 Matsushita Electron Corp 半導体装置の製造方法
DE59805019D1 (de) 1997-07-01 2002-09-05 Tyco Electronics Logistics Ag Hybridschaltungsanordnung mit überlastsicherung
EP1018750A4 (en) 1997-07-03 2008-02-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd RESISTANCE AND ITS MANUFACTURING PROCESS
JPH1126204A (ja) 1997-07-09 1999-01-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 抵抗器およびその製造方法
TW412755B (en) 1998-02-10 2000-11-21 Murata Manufacturing Co Resistor elements and methods of producing same
US6354736B1 (en) 1999-03-24 2002-03-12 Honeywell International Inc. Wide temperature range RTD
MXPA01004944A (es) * 2000-05-15 2003-02-18 Maxcess Technologies Inc Sistema de acceso a piso.
JP2002048655A (ja) 2000-05-24 2002-02-15 Ngk Spark Plug Co Ltd 温度センサ及びその製造管理方法
JP3589174B2 (ja) * 2000-10-24 2004-11-17 株式会社村田製作所 表面実装型正特性サーミスタおよびその実装方法
US6498561B2 (en) 2001-01-26 2002-12-24 Cornerstone Sensors, Inc. Thermistor and method of manufacture
JP4780689B2 (ja) 2001-03-09 2011-09-28 ローム株式会社 チップ抵抗器
JP2002305101A (ja) 2001-04-05 2002-10-18 Murata Mfg Co Ltd 表面実装型正特性サーミスタおよびその製造方法
EP1417483B1 (en) 2001-07-16 2012-05-23 Sensor Tech, Inc. Sensor device and method for qualitative and quantitative analysis of gas phase substances
CN1433030A (zh) 2002-01-14 2003-07-30 陈富强 金属板型电阻的制法及结构
US6875950B2 (en) * 2002-03-22 2005-04-05 Gsi Lumonics Corporation Automated laser trimming of resistors
CA2436497A1 (en) 2002-08-09 2004-02-09 Bombardier Inc. Drive sprocket for a tracked vehicle
US7306967B1 (en) 2003-05-28 2007-12-11 Adsem, Inc. Method of forming high temperature thermistors
US20050101843A1 (en) * 2003-11-06 2005-05-12 Welch Allyn, Inc. Wireless disposable physiological sensor
US7292132B1 (en) 2003-12-17 2007-11-06 Adsem, Inc. NTC thermistor probe
JP4476701B2 (ja) 2004-06-02 2010-06-09 日本碍子株式会社 電極内蔵焼結体の製造方法
DE102004031402A1 (de) 2004-06-29 2006-02-09 Siemens Ag Piezoelektrisches Bauteil mit Sollbruchstelle, Verfahren zum Herstellen des Bauteils und Verwendung des Bauteils
US20060122473A1 (en) 2004-10-13 2006-06-08 Kill Robert A Wireless patch temperature sensor system
JP2007093453A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Mitsubishi Materials Corp 表面実装型温度センサ
US7595716B2 (en) * 2006-02-03 2009-09-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component and method for manufacturing the same
JP4777817B2 (ja) 2006-04-04 2011-09-21 釜屋電機株式会社 チップサーミスタの製造方法
US7969323B2 (en) 2006-09-14 2011-06-28 Siemens Energy, Inc. Instrumented component for combustion turbine engine
US7312690B1 (en) 2006-12-21 2007-12-25 General Electric Company Temperature sensor
US20080219319A1 (en) 2007-01-05 2008-09-11 Jay Buckalew Biological parameter monitoring system and method therefor
DE102007005341A1 (de) 2007-02-02 2008-08-07 Epcos Ag Vielschichtbauelement sowie Verfahren zur Herstellung eines Vielschichtbauelements
TW200915357A (en) 2007-09-19 2009-04-01 Cyntec Co Ltd Thermistor chip and method of fabricating the same
US8519866B2 (en) 2007-11-08 2013-08-27 Siemens Energy, Inc. Wireless telemetry for instrumented component
US20110068890A1 (en) * 2008-03-12 2011-03-24 University Of Electronic Science And Technology Of China Ntc thin film thermal resistor and a method of producing it
US7891870B2 (en) * 2008-04-29 2011-02-22 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Temperature sensor element and method of manufacturing the same
DE102008042035A1 (de) 2008-09-12 2010-03-18 Robert Bosch Gmbh Halbleiteranordnung sowie Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
US8228160B2 (en) 2008-11-14 2012-07-24 Epcos Ag Sensor element and process for assembling a sensor element
EP2472529B1 (en) * 2009-08-28 2017-09-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Thermistor and method for producing same
US8400257B2 (en) * 2010-08-24 2013-03-19 Stmicroelectronics Pte Ltd Via-less thin film resistor with a dielectric cap
WO2012059401A2 (de) * 2010-11-03 2012-05-10 Epcos Ag Keramisches vielschichtbauelement und verfahren zur herstellung eines keramischen vielschichtbauelements
DE102010050315C5 (de) 2010-11-05 2014-12-04 Danfoss Silicon Power Gmbh Verfahren zur Herstellung von gesinterten, elektrischen Baugruppen und damit hergestellte Leistungshalbleitermodule
JP5240286B2 (ja) 2010-12-15 2013-07-17 Ｔｄｋ株式会社 チップサーミスタ及びチップサーミスタの製造方法
DE102011107193A1 (de) 2011-07-13 2013-01-17 Epcos Ag Elektrische Vorrichtung
CN102288320B (zh) * 2011-07-22 2013-03-13 肇庆爱晟电子科技有限公司 基于金属片的ntc热敏电阻温度传感器的制作方法
JPWO2013073324A1 (ja) * 2011-11-15 2015-04-02 株式会社村田製作所 サーミスタおよびその製造方法
TWI433169B (zh) * 2012-01-20 2014-04-01 Polytronics Technology Corp 表面黏著型熱敏電阻元件
DE102012207761A1 (de) 2012-05-09 2013-11-14 Continental Automotive Gmbh Sensorelement
CN102674820B (zh) 2012-06-04 2013-11-27 惠州市富济电子材料有限公司 一种绝缘材料、含有其的陶瓷加热元件、制备及应用
JP5509393B1 (ja) 2012-07-13 2014-06-04 Ｓｅｍｉｔｅｃ株式会社 薄膜サーミスタ素子およびその製造方法
DE102012110849A1 (de) 2012-11-12 2014-05-15 Epcos Ag Temperaturfühler und Verfahren zur Herstellung eines Temperaturfühlers
US20140137401A1 (en) 2012-11-19 2014-05-22 Frederick W. Lannert Kit for Improving the Efficiency of a HVAC System and for Securing a Heat Pump from Theft or Damage
WO2014129069A1 (ja) 2013-02-22 2014-08-28 株式会社村田製作所 センサタグ、センサタグの製造方法
CN104078173A (zh) 2013-03-29 2014-10-01 三星电机株式会社 片式电阻器
JP6094422B2 (ja) 2013-08-09 2017-03-15 三菱マテリアル株式会社 温度センサ
JP2015129731A (ja) * 2014-01-09 2015-07-16 株式会社村田製作所 温度センサ
JP5880583B2 (ja) * 2014-01-16 2016-03-09 株式会社村田製作所 温度センサおよび製造方法
EP2899518A1 (de) 2014-01-27 2015-07-29 Technische Universität Chemnitz Temperaturmesseinrichtung
CN203707180U (zh) 2014-02-18 2014-07-09 深圳市安培盛科技有限公司 具有温感功能的陶瓷基板
DE102014110553A1 (de) 2014-07-25 2016-01-28 Epcos Ag Sensorelement, Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements
DE102014110560A1 (de) 2014-07-25 2016-01-28 Epcos Ag Sensorelement, Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements und einer Sensoranordnung
CN204007925U (zh) 2014-07-28 2014-12-10 肇庆爱晟电子科技有限公司 一种快速响应高可靠热敏芯片
CN104167269B (zh) 2014-07-30 2018-04-27 广东爱晟电子科技有限公司 一种快速响应热敏芯片及其制作方法
CN107072551B (zh) 2014-11-07 2021-06-04 3M创新有限公司 无线感测装置以及用于检测水合的方法
FR3034248B1 (fr) * 2015-03-27 2017-04-14 Commissariat Energie Atomique Dispositif a resistance thermosensible
DE102015107322A1 (de) 2015-05-11 2016-11-17 Borgwarner Ludwigsburg Gmbh Heizwiderstand und Verfahren zur Herstellung eines Heizwiderstands
KR20170135950A (ko) 2015-05-11 2017-12-08 델피 테크놀로지스 인코포레이티드 자기장 주파수를 가변시켜 바람직한 전압-전류 위상 관계를 유지하는 무선 배터리 충전 시스템
ES2804535T3 (es) * 2015-06-25 2021-02-08 Apption Labs Ltd Termómetro para alimentos
DE102016101249A1 (de) * 2015-11-02 2017-05-04 Epcos Ag Sensorelement und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements
DE102015121982A1 (de) 2015-12-16 2017-06-22 Epcos Ag NTC-Keramik, elektronisches Bauelement zur Einschaltstrombegrenzung und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
CN108109789B (zh) * 2017-12-20 2020-01-21 广东爱晟电子科技有限公司 一种复合热敏电阻芯片及其制备方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN86108011A (zh) * 1986-11-15 1988-01-06 国营宏明无线电器材厂 线性厚膜负温度系数热敏电阻器
JPH0562806A (ja) * 1991-08-30 1993-03-12 Ngk Spark Plug Co Ltd サーミスタ及びその製造方法
JPH0682315A (ja) * 1992-09-01 1994-03-22 Nippondenso Co Ltd サーミスタ式温度センサ
US6368734B1 (en) * 1998-11-06 2002-04-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. NTC thermistors and NTC thermistor chips
CN101022048A (zh) * 2007-03-23 2007-08-22 上海维安热电材料股份有限公司 一种新型片式ntc及其制造方法
CN102034580A (zh) * 2010-11-02 2011-04-27 肇庆爱晟电子科技有限公司 表面贴装高精度大功率ntc热敏电阻及其制作方法
CN102052972A (zh) * 2010-11-02 2011-05-11 肇庆爱晟电子科技有限公司 快速反应ntc温度传感器及其制作方法
CN104124014A (zh) * 2014-01-09 2014-10-29 华东理工大学 双层ntc热敏电阻及其制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
刘仲娥等: "《敏感元器件与应用》", 30 June 1993, 青岛海洋大学出版社 *
速水凉三: "《陶瓷粘结与接合技术》", 31 January 1990, 苏省陶瓷研究所 *

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017076631A1 (de) 2017-05-11
US20180306646A1 (en) 2018-10-25
EP3371563B1 (de) 2020-01-01
JP6564533B2 (ja) 2019-08-21
EP3371563A1 (de) 2018-09-12
EP3371562B1 (de) 2020-05-13
WO2017076638A1 (de) 2017-05-11
JP2018535412A (ja) 2018-11-29
DE102016101248A1 (de) 2017-05-04
CN108351257A (zh) 2018-07-31
CN108139276A (zh) 2018-06-08
US20180306647A1 (en) 2018-10-25
JP2019502898A (ja) 2019-01-31
US10908030B2 (en) 2021-02-02
JP6585844B2 (ja) 2019-10-02
WO2017076632A1 (de) 2017-05-11
JP2019500589A (ja) 2019-01-10
WO2017076639A1 (de) 2017-05-11
DE102016101247A1 (de) 2017-05-04
JP2019207241A (ja) 2019-12-05
EP3371565A1 (de) 2018-09-12
DE102016101249A1 (de) 2017-05-04
EP3371562A1 (de) 2018-09-12
US20190204162A1 (en) 2019-07-04
US20180321091A1 (en) 2018-11-08
EP3371564A1 (de) 2018-09-12
JP2018535413A (ja) 2018-11-29
EP3371565B1 (de) 2020-01-01
DE102016101246A1 (de) 2017-05-04
CN108351258A (zh) 2018-07-31
US10788377B2 (en) 2020-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108351256A (zh) 传感器元件和用于制造传感器元件的方法
US7746212B2 (en) Temperature sensor and method for its production
US5896081A (en) Resistance temperature detector (RTD) formed with a surface-mount-device (SMD) structure
US20150016487A1 (en) Flexible Temperature and Strain Sensors
EP3702722A1 (en) Strain gauge and sensor module
JPH0682315A (ja) サーミスタ式温度センサ
CN107209135B (zh) 传感器基板以及传感器装置
JP2015534082A (ja) 温度プローブおよび温度プローブの製造方法
US20220357214A1 (en) Sensor Element and Method for Producing a Sensor Element
US12033774B2 (en) NTC thin film thermistor and method for producing an NTC thin film thermistor
CN112703567A (zh) 应变传感电阻器
KR101832185B1 (ko) 배선 기판 및 측온체
JPH1196871A (ja) 抵抗・温度ヒュ−ズ及びその製作方法
JP6659915B2 (ja) 温度センサおよび温度測定装置
US20220283040A1 (en) Sensor Element and Method for Manufacturing a Sensor Element
JP4693381B2 (ja) 配線基板およびその製造方法
JPH113807A (ja) チップ型サーミスタ
JPH0521495A (ja) 半導体装置
JP2002286570A (ja) 圧力検出装置用パッケージ

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180731

RJ01 Rejection of invention patent application after publication