JP2019207241A - センサ素子およびセンサ素子を製造するための方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】回路基板への取り付け、長時間の安定性、より広い範囲の温度への適用において改善された特性を備えるセンサ素子を提示する。【解決手段】センサ素子1は、1つのセラミック担体2、および少なくとも1つの電極3を備え、担体2は、上面および下面を備え、担体2の上面上および下面上にはそれぞれ、1つのNTC層4が配設されており、そしてそれぞれのNTC層4の抵抗は、それぞれのNTC層4の厚さおよび/または幾何形状で決定される。【選択図】図1
Description
本発明はセンサ素子に関する。このセンサ素子は、特に温度の測定用に用いることができる。たとえばこのセンサ素子は、NTCセンサ素子(negative temperature coefficient)、すなわち高温導体(Heissleiter)である。さらに本発明は、センサ素子を製造するための方法に関する。
従来技術では、様々なアプリケーションにおけるモニタリングおよび制御のために主にセラミック高温導体サーミスタ素子(NTC),シリコン温度センサ(KTY),白金温度センサ(PRTD),または熱電対(TC)を用いて、温度が測定されていた。この際その低い製造コストのために、NTCサーミスタが最も広く普及している。NTCサーミスタ素子のもう1つの利点は、熱電対またはたとえばPt素子のような金属抵抗素子とは逆に、顕著に負の抵抗温度特性を有していることである。
パワーモジュールにおける使用の場合には、主に表面実装デバイスのNTC温度センサ(複数)が用いられ、これらははんだ付けされる。低パワー用の制御モジュールでは、この代替として、NTCチップ(複数)も用いられ、これらはその下面で銀焼結ペースト,はんだ,または接着を用いて取り付けられており、そしてその上面でボンディングワイヤを介して接続される。
このNTCセラミックの電気的接続のためには、金属電極が取り付けられなければならない。このため従来技術では、主に銀ペーストまたは金ペーストから成る厚膜電極がシルクスクリーン印刷とこれに続く焼成によって取り付けられる。
銀メタライジングは、とりわけはんだ接続に適している。増大する技術的な要求のため、ボンディングおよび溶接のような、最近の信頼性のある外部接続に関して、特に金ワイヤ、アルミニウムワイヤ、あるいは銅ワイヤを用いたボンディングの際には、もう1つの電極が必要であるが、これは銀への接続が充分な信頼性を全く備えないからである。
金メタライジングの場合には、接続ワイヤへのはんだ付けは実現することができない。ボンディング接続は、費用的な理由から、金の細いワイヤを用いてのみ実現されている。金電極へのアルミニウムボンディングワイヤ接続は、上記の必要とされる信頼性を達成しない。
使用温度および信頼性に関して増大する要求のため、さらにはんだ付け無しに回路基板へ取り付けることができ、かつ高い長時間安定性を備えるとともに、より広い範囲の温度での使用に適しているか、あるいは異なる使用温度に適用することができるNTC温度センサが求められている。
本発明の課題は、改善された特性を備えるセンサ素子を提示することである。
この課題は独立請求項に記載のセンサ素子によって解決される。
1つの態様によれば、温度測定用の1つのセンサ素子が提示される。このセンサ構成体は、好ましくは1つのセラミックのセンサ材料を備える。このセンサ素子は、好ましくは1つのNTCセンサチップである。このセンサ材料は、たとえば少なくとも1つのNTC層の形態で構成されている。このセンサ素子は、少なくとも1つのセラミックの担体を備える。さらにこのセンサ素子は、少なくとも1つの電極を備える。好ましくはこのセンサ素子は、2つ以上の電極を備える。
上記の担体は、1つの上面および1つの下面を備える。この担体の上面上およぶ下面上には、それぞれセンサ材料が、たとえば1つのNTC層の形態で配設されている。好ましくは上記のセンサ素子は1つのNTC厚膜ダブルセンサ(Doppel-NTC-Dickschichtsensor)である。好ましくはこの上面および下面は上記のセンサ材料を用いて印刷されている。この担体の上面および下面は、それぞれ全面的に、または部分的のみにでも上記のセンサ材料を用いて印刷されていてよい。この印刷の幾何形状は異なってよい。換言すれば、この上面のセンサ材料を用いた印刷の幾何形状は下面と異なっていてよい。これらのNTC層は、たとえば個別に駆動することができ、および/または異なるR−T特性曲線を備えることができる。それぞれのNTC層の抵抗は、好ましくはこのそれぞれのNTC層の厚さおよび/または幾何形状によって決定される。
このそれぞれ対応した設計によって、安価なNTC温度センサが提供され、同時にこのNTC温度センサは、2つの特性曲線を備え、そしてこうしてそれぞれ対応するように調整されたR−T特性曲線で、その測定領域における温度精度が向上される。さらに、1つの単一のデバイスにおいて2つの特性曲線を実現することによって、取り付けの際のスペースを節約することができる。
1つの実施形態によれば、上記のNTC層(複数)の各々の上にはすくなくとも1つの電極が取り付けられている。たとえばこれらのNTC層の各々の上には、少なくとも2つの電極が取り付けられている。これらの電極は、1つの空き領域によって互いに離間されている。たとえばこの空き領域は、1つのウェブの形態で形成されている。これらの電極は、このウェブによって互いに離間されている。この空き領域は電極材料が無くなっているか、あるいは保護層により充填されていてよい。
1つの面上に並んで配設されている電極は、接続がたった1つの面によって可能であるという利点を有している。たとえば回路基板への接続を1つの面で、接着、はんだ付け、または銀焼結によって行うことができる。同様にして上記の上面上では、並んで配設されている電極によって、1つの面での接続が、たとえば接続ワイヤ(複数)の溶接、ボンディング、またははんだ付けによって可能となっている。
1つの実施形態例によれば、上記のセラミックの担体上に直接、好ましくはこの担体の上面上に、1つの第1の電極が取り付けられていてよい。この第1の電極の少なくとも1つの部分領域上には、1つのNTC層が取り付けられている。このNTC層上には、もう1つの、すなわち第2の電極層あるいは電極が配設されている。このもう1つの、すなわち第2の電極は、このNTC層を好ましくは完全に覆っている。
上記の担体のたとえば下面上には、もう1つのNTC層が配設されている。このNTC層上には、少なくとも1つの電極が取り付けられている。たとえばこのNTC層上には、少なくとも2つの電極が取り付けられている。これらの電極は、1つの空き領域によって互いに離間されている。この空き領域は電極材料が無くなっているか、あるいは保護層により充填されていてよい。
上記の下面上に並んで配設されている電極は、接続がたった1つの面によって可能であるという利点を有している。これによりたとえば回路基板への接続を1つの面で、接着、はんだ付け、または銀焼結によって行うことができる。上記の上面上には、第1の電極、NTC層、およびさらなる電極を層状に配設することによって、上記のセンサ材料の非常に大きな断面が利用可能となり、これはより小さな抵抗を可能とする。
1つの実施形態例によれば、それぞれの上記の電極は、少なくとも1つのスパッタリングされた層を備える。これらの電極は、たとえば薄膜電極である。このスパッタリングされた層は、好ましくは上記のそれぞれのNTC層上に直接取り付けられている。この少なくとも1つのスパッタリングされた層は、好ましくはニッケルを含む。さらにこの少なくとも1つのスパッタリングされた層は、バナジウム成分を含んでよい。もう1つの実施形態においては、上記の電極は2つの層を備え、ここで第1すなわち下側の層はクロムまたはチタンを含み、そして第2すなわち上側の層はニッケルを含み、ここでこの第2の層はまたバナジウム成分を含んでよい。上述の実施形態には、上記のニッケル層上に1つのカバー層を取り付けると有利である。このカバー層は、たとえば銀または金のような1つの酸化しにくい金属から成っている。
1つの実施形態によれば、それぞれの上記の電極は、少なくとも1つの印刷された層を備える。これらの電極は、たとえば厚膜電極である。この印刷された層は、好ましくは直接それぞれの上記のNTC層上に印刷されている。この印刷処理によって、より厚い電極層を実現することができる。
極めてバラつきの少ない抵抗とする場合には、定格温度での抵抗の調整のために、いわゆるトリミング処理が行われてよい。この際部分的なレーザーアブレーションによって、1つの部分領域、たとえば上記のNTC層(複数)の1つまたは両方の1つの部分領域が除去され、こうして1つの凹部が生成される。このトリミング処理によって、このNTC層の幾何形状が変更され、そしてその抵抗が所定の値に対応して調整される。
1つの態様によれば、1つのセンサ素子を製造するための方法が示される。好ましくは、この方法によって上述のセンサ素子が製造される。本センサ素子または本方法に関して開示された全ての特徴は、これに対応してそれぞれの他の態様に関しても開示されているものであり、そしてこの逆も成り立っている。またそれぞれの特徴がそれぞれの態様に関連して顕わに示されていない場合でこれらは成り立っているものである。
本方法は、以下の処理ステップを備える。
− 少なくとも1つのセラミック層を形成するためのNTC粉末を製造するステップ。このNTC粉末は、様々なドーピングを含むY−Ca−Cr−Al−O系のペロブスカイトをベースにしたもの、または様々なドーピングを含むNi−Co−Mn−O系のスピネルをベースにしたものから成っている。
−1つのセラミックの担体材料を準備するステップ。担体材料として、たとえばAl2O3,ZrO2,ATZ材料,またはZTA材料,またはMgOをベースにしたセラミック基板が用いられる。
−この担体材料の第1の表面を、NTCペーストを用いて第1の印刷幾何形状で印刷するステップ。この第1の表面、たとえば上記の下面の印刷は、1回の印刷処理において、または複数回の印刷処理において行われる。たとえば2回、3回、5回、または10回の印刷処理が行われる。上記の第1の表面は、一部が、すなわち部分的にNTCペーストを用いて印刷されてよい。このNTCペーストは、所定の厚さ(後のNTC層の厚さ)でこの第1の表面上に印刷されてよい。
−担体材料およびNTC層からなる系を焼結するステップ。
−この担体材料の第2の表面を、NTCペーストを用いて第2印刷の幾何形状で印刷するステップ。この第2の表面、たとえば上記の上面の印刷は、1回の印刷処理において、または複数回の印刷処理において行われる。たとえば2回、3回、5回、または10回の印刷処理が行われる。上記の第2の表面は、一部が、すなわち部分的にNTCペーストを用いて印刷されてよい。この第2の印刷の幾何形状は、上記の第1の印刷の幾何形状と同一であってよい。代替として、上記の第1の印刷の幾何形状および上記の第2の印刷の幾何形状は、互いに異なっていてもよい。たとえば上記の第2のNTC層は、上記の第2の表面上に空き縁部が残るように印刷されていてよい。上記のNTCペーストは、所定の厚さ(後のNTC層の厚さ)でこの第2の表面上に印刷されてよい。これらの第1および第2のNTC層の厚さは異なっていてよい。たとえばこの第1のNTC層は、この第2のNTC層よりも大きな厚さを備えてよく、またはこの逆であってよい。代替として、これらのNTC層の厚さは同一であってもよい。追加的に、上記の第2の表面上に取り付けられているNTC層は、上記の第1の表面上に取り付けられているNTC層と同じセラミック組成であってよく、または別のセラミック組成であってよい。これにより同じまたは異なる電気的特性に設定することができる。
−上記の系を焼結するステップ。
この代替として、上記の第1の焼結のステップの前に、まず上記の担体材料の第2の表面がNTCペーストを用いて印刷されてもよい。この場合、1つの共通な焼結処理を実施することができる。
次のステップにおいて、少なくとも1つのNTC層の部分的な除去がレーザーアブレーション、グラインディング、またはソーイングを用いて行われ、この幾何形状変更によって上記の抵抗が調整される。たとえば上記の2つのNTC層から部分的な領域(複数)が除去されてもよい。
− 少なくとも1つのセラミック層を形成するためのNTC粉末を製造するステップ。このNTC粉末は、様々なドーピングを含むY−Ca−Cr−Al−O系のペロブスカイトをベースにしたもの、または様々なドーピングを含むNi−Co−Mn−O系のスピネルをベースにしたものから成っている。
−1つのセラミックの担体材料を準備するステップ。担体材料として、たとえばAl2O3,ZrO2,ATZ材料,またはZTA材料,またはMgOをベースにしたセラミック基板が用いられる。
−この担体材料の第1の表面を、NTCペーストを用いて第1の印刷幾何形状で印刷するステップ。この第1の表面、たとえば上記の下面の印刷は、1回の印刷処理において、または複数回の印刷処理において行われる。たとえば2回、3回、5回、または10回の印刷処理が行われる。上記の第1の表面は、一部が、すなわち部分的にNTCペーストを用いて印刷されてよい。このNTCペーストは、所定の厚さ(後のNTC層の厚さ)でこの第1の表面上に印刷されてよい。
−担体材料およびNTC層からなる系を焼結するステップ。
−この担体材料の第2の表面を、NTCペーストを用いて第2印刷の幾何形状で印刷するステップ。この第2の表面、たとえば上記の上面の印刷は、1回の印刷処理において、または複数回の印刷処理において行われる。たとえば2回、3回、5回、または10回の印刷処理が行われる。上記の第2の表面は、一部が、すなわち部分的にNTCペーストを用いて印刷されてよい。この第2の印刷の幾何形状は、上記の第1の印刷の幾何形状と同一であってよい。代替として、上記の第1の印刷の幾何形状および上記の第2の印刷の幾何形状は、互いに異なっていてもよい。たとえば上記の第2のNTC層は、上記の第2の表面上に空き縁部が残るように印刷されていてよい。上記のNTCペーストは、所定の厚さ(後のNTC層の厚さ)でこの第2の表面上に印刷されてよい。これらの第1および第2のNTC層の厚さは異なっていてよい。たとえばこの第1のNTC層は、この第2のNTC層よりも大きな厚さを備えてよく、またはこの逆であってよい。代替として、これらのNTC層の厚さは同一であってもよい。追加的に、上記の第2の表面上に取り付けられているNTC層は、上記の第1の表面上に取り付けられているNTC層と同じセラミック組成であってよく、または別のセラミック組成であってよい。これにより同じまたは異なる電気的特性に設定することができる。
−上記の系を焼結するステップ。
この代替として、上記の第1の焼結のステップの前に、まず上記の担体材料の第2の表面がNTCペーストを用いて印刷されてもよい。この場合、1つの共通な焼結処理を実施することができる。
次のステップにおいて、少なくとも1つのNTC層の部分的な除去がレーザーアブレーション、グラインディング、またはソーイングを用いて行われ、この幾何形状変更によって上記の抵抗が調整される。たとえば上記の2つのNTC層から部分的な領域(複数)が除去されてもよい。
1つの態様によれば、以下のものを備える温度測定用の1つのセンサ素子が提示される。
−1つのセラミック担体。
−少なくとも1つの電極。
ここでこの担体は、上面および下面を備え、この担体の上面上および下面上にはそれぞれ、1つのNTC層が配設されており、そしてそれぞれのNTC層の抵抗は、それぞれのNTC層の厚さおよび/または幾何形状で決定される。代替としてまたは追加的に、この抵抗はセラミック組成の選択によって決定することができる。
−1つのセラミック担体。
−少なくとも1つの電極。
ここでこの担体は、上面および下面を備え、この担体の上面上および下面上にはそれぞれ、1つのNTC層が配設されており、そしてそれぞれのNTC層の抵抗は、それぞれのNTC層の厚さおよび/または幾何形状で決定される。代替としてまたは追加的に、この抵抗はセラミック組成の選択によって決定することができる。
実施形態例とこれに付随する図を参照して、本発明によるセンサ素子を以下に詳細に説明する。
以下に説明する図面は、寸法を正確に示すものではない。むしろより見易いように、個々の寸法は、拡大、縮小、または歪んで表示されていることがあり得る。
互いに同じ要素、または同じ機能を担う要素は、同じ参照番号で示されている。
図1は、1つのセンサ素子1、具体的には1つのセンサチップを示す。このセンサ素子1は、好ましくは温度の測定用に構成されている。このセンサ素子1は、1つのセラミックのセンサ材料(NTC層4)を備える。具体的にはこのセンサ材料は1つのNTCセラミックである。例えばこのセラミックは1つのペロブスカイト構造を備える。具体的にはこのセラミックは、様々なドーピングを含むY−Ca−Cr−Al−O系をベースにするものであってよい。このようなセンサ素子1は、高温のアプリケーションにとりわけ適している。代替としてこのセンサ素子1は、特に適用温度が低い場合には、スピネル構造を有するセラミックを備えてよい。たとえばこのセラミックは、様々なドーピングを含むNi−Co−Mn−O系をベースにするものであってよい。
従来技術によるNTC温度センサのR−T特性曲線のために、広い温度領域に渡って同様に高い精度で測定することは不可能であった。上記の抵抗の定格温度から離れると、その誤差は大きくなる。したがって、この抵抗の定格温度から離れた非常に高い温度または非常に低い温度では、温度検出の精度は大幅に低下する。使用温度が狭い範囲に限定できる場合には、定格温度が使用温度の近くにあるように、そしてこうしてこれにより正確な測定が可能となるように仕様を調整することができる。他の温度領域がもっと高い精度で検出されるためには、さらに、異なる特性曲線または定格温度を有する2つ以上のNTC温度センサが使用されなければならない。これはしばしば、DCB基板あるいはプリント基板への取り付けの際にスペースの問題をもたらす。
このため図1は、1つのデバイスに2つの特性曲線が実現されている1つのセンサ素子1を示す。このセンサ素子1は、上述のセンサ材料を備える。このセンサ材料は、1つのNTC層4であり、すなわち少なくとも1つのNTC層4の形態で組込まれている。さらにこのセンサ素子1は、1つのセラミック担体2を備える。担体2として、たとえばAl2O3,ZrO2,ATZ材料,またはZTA材料,またはMgOをベースにしたセラミック基板が用いられる。上記のNTCペーストは、様々なドーピングを含むY−Ca−Cr−Al−O系のペロブスカイト、または様々なドーピングを含むNi−Co−Mn−O系のスピネルをベースにしている。
この担体2は、両面にNTC層4が印刷されている。具体的には、担体2の1つの第1の外面あるいは表面(たとえば上面)に1つの第1のNTC層4が印刷されている。担体2の1つの第2の外面あるいは表面(たとえば下面)に1つの第2のNTC層4が印刷されている。この結果このセンサ素子1は、1つのNTC厚膜ダブルセンサである。
上記のNTC層(複数)4は、上記の担体2の上面および下面をそれぞれ完全に覆っている。これらのNTC層4上には、焼結処理によって電極(複数)3が取り付けられる。後で詳細に記載されるように、これらの電極3は、これらのNTC層4上に厚膜技術または薄膜技術を用いて取り付けられる。
さらに、極めてバラつきの少ない抵抗とする場合には、定格温度での抵抗の調整のために、いわゆるトリミング処理が、部分的なレーザーアブレーションによって行われてよく、図3および4に示すように行われてよい。
上記のセンサのDCB基板またはプリント基板への接続は、銀焼結、はんだ付け、または接着を用いて行うことができる。上記の上面上にはワイヤをはんだ付け、ボンディング、または溶接によって取り付けることができる。
図2は、1つの空き縁部6を有する1つのNTC厚膜ダブルセンサ1を示す。図1に示すセンサ素子1と異なり、この図2のセンサ素子1では、担体2を周回する縁部領域にはセンサ材料が無くなっている、すなわちNTC層4が無くなっている。具体的には上記のNTC層(複数)4は、この担体2の上面あるいは下面を完全には覆っていない。実際この担体2の周回する縁部領域はセンサ材料で覆われていないことが見て取れる。この実施形態例においては、この担体2の上面および下面上に空き縁部6が設けられている。
この結果この空き縁部6は、この担体2の両面上に存在していてよい。この代替として、この空き縁部6は、この担体2の1つの面上にのみ存在していてもよい。換言すれば、上記のNTC層(複数)は、異なる印刷幾何形状を備えてよい。たとえば1つの第1のNTC層4は、この担体の1つの第1の外面または表面(たとえばこの担体2の上面)を完全に覆ってよい。1つの第2のNTC層(4)は、担体2の1つの第2の外面または表面(たとえばこの担体2の下面)を部分的にのみ覆ってよく、こうして好ましくはこの担体2の縁部領域にはこのNTC層が無くなっている。以上によりこれらのNTC層4に対して異なる抵抗を実現することができる。これらのNTC層4の厚さも異なっていてよい。これらのNTC層4の異なる厚さによって、これらのNTC層4に対して異なる抵抗値を実現することができる。
図3は、トリミングされた1つのNTC厚膜ダブルセンサ1を示す。
このトリミングは、定格温度での抵抗値の調整のために、部分的なレーザーアブレーションによって行われる。この実施形態においては、このトリミングは、センサ素子1の上面上でもまた下面上でも行われている。
ここでNTC層(複数)4は、それぞれ1つの凹部7を備える。この凹部7は、電極(複数)3の間の中間領域に配設されている。これはそれぞれのNTC層4の幾何形状の変更をもたらし、これによってそれぞれのNTC層の抵抗が調整される。その他は図3のセンサ素子1の構造は、図1のセンサ素子1の構造と実質的に同等である。
1つの代替の実施形態例(不図示)においては、2つのNTC層4の1つのみがトリミングされてもよい。この場合、ただ1つのNTC層4が1つの凹部7を備える。この代替として、これらのNTC層4は異なったトリミングがなされてよい。この場合には、これらのNTC層4は、異なる大きさの凹部7を備える。
図4は、空き縁部6を有する、トリミングされた1つのNTC厚膜ダブルセンサ1を示す。図3のセンサ素子1でのように、ここでは部分的な除去がレーザーによって行われている(凹部7)。この凹部7は、2つのNTC層4に設けられている。しかしながらこの凹部7は、図3を参照して説明したように、1つのNTC層4にのみ設けられていてもよく、またはこれら2つのNTC層4が異なる大きさの凹部を備えていてもよい。
さらに担体2を周回する縁部領域は、センサ材料(NTC層4)によって覆われていないことが見て取れる。この空き縁部6は、この担体2の上面上および下面上に配設されている。この代替として、この空き領域6は、この担体2の1つの外面あるいは表面にのみ形成されていてもよく、たとえば上記の上面または下面に形成されていてもよい。この代替として、この空き縁部は、周回するように形成されていなくともよく、むしろ部分的にのみ設けられていてもよい。
まとめると、図1〜4に示すセンサ素子は、以下のように形成されている。
先ずNTCペーストを用いた担体材料の両面の印刷が行われる。この印刷は全面的または部分的に行われてよい。この際このセンサの2つのNTC厚膜層4は同じ印刷幾何形状を備えていなくともよい。これらのNTC厚膜層4は、同じ特性曲線または異なる特性曲線を備えてよく、そして個別に駆動することができ、より大きな使用領域および異なるアプリケーションをカバーする。これらのNTC層4の抵抗は、それぞれのNTC層4の厚さおよびその幾何形状によって、個別に調整することができる。
先ずNTCペーストを用いた担体材料の両面の印刷が行われる。この印刷は全面的または部分的に行われてよい。この際このセンサの2つのNTC厚膜層4は同じ印刷幾何形状を備えていなくともよい。これらのNTC厚膜層4は、同じ特性曲線または異なる特性曲線を備えてよく、そして個別に駆動することができ、より大きな使用領域および異なるアプリケーションをカバーする。これらのNTC層4の抵抗は、それぞれのNTC層4の厚さおよびその幾何形状によって、個別に調整することができる。
上記の電極(複数)3の取り付けの際には、薄膜技術と厚膜技術とが区別されてよい。薄膜電極の製造は、スパッタリングまたは蒸着によって行うことができる。この際1つの第1の実施例においては、このベース電極はニッケル層から成っており、このニッケル層はバナジウム成分を含んでよく、または1つの第2の実施形態においては、2つの層から成っていてよく、ここでこの下側の層はクロムまたはチタンを含み、そして上側の第2の層はニッケルから成っており、これらの層も同様にバナジウムの成分を含んでよい。このベース電極は、たとえば銀、金、銅、アルミニウム等の1つの酸化しにくい金属から成るカバー層によって保護されてよい。このベース電極は、純粋にニッケルのベース電極の腐食保護(酸化)用に用いられてよく、または接続用に有利なものあるいはむしろ必要なものであってもよい。微細分散した銀ペーストでの銀焼結を用いた結合の場合には、たとえば銀のカバー電極は有利である。1つのとりわけマイグレーション耐性のある、鉛フリーの銀結合とするために、1つの金カバー層が取り付けられてよい。
このベース電極の厚さは、後の銀焼結またははんだ付けを用いた接続処理に依存して、10μmより小さく、さらに有利には3μmより小さく、理想的には0.5μmより小さい。上記のカバー電極の厚さは1μmまでであってよく、特別な場合は20μmまでであってよい。
厚膜電極の製造は、シルクスクリーン印刷処理とこれに続く焼成によって行うことができる。ここに使用されるペーストは、銀あるいは金または適当な混合物を含んでよい。
上記の電極(複数)3の構築は、3つの異なる変形例に従って行うことができる。
1つの第1の変形例によれば、上記のNTC厚膜層4上に、2つの電極パッドが取り付けられ、これらは1つの空き領域5によって互いに離間されている。これは両方のNTC層4上で行われてよい。
(変形例2)
下側のNTC厚膜層4のメタライジングは、変形例1で説明したように、2つの互いに離間された電極パッドを有するように行われる。上面上では、電極が担体材料上で全面的に取り付けられる。続いてこれはNTCペーストを用いて全面的または部分的に印刷され、これには今度は1つの電極が設けられる。焼結処理はこれら3つの層に対して一緒に行われてよく、またはこれらの個々の層の中間焼成を用いて行われてよい。上側のNTC厚膜層4の接続は、たとえばワイヤのはんだ付け、ボンディング、または溶接によって行われてよい。セラミック担体2の上面上に全面的に取り付けられたこの電極3は、1つの導電性の材料または1つの導電性の複合材料を備えなければならず、この材料あるいは複合材料は、この上にあるNTC層4を一緒に1400℃までの温度で焼結するために適合している。ここで通常はこの導電性の材料は、PdまたはPtを含む銀ペーストである。
下側のNTC厚膜層4のメタライジングは、変形例1で説明したように、2つの互いに離間された電極パッドを有するように行われる。上面上では、電極が担体材料上で全面的に取り付けられる。続いてこれはNTCペーストを用いて全面的または部分的に印刷され、これには今度は1つの電極が設けられる。焼結処理はこれら3つの層に対して一緒に行われてよく、またはこれらの個々の層の中間焼成を用いて行われてよい。上側のNTC厚膜層4の接続は、たとえばワイヤのはんだ付け、ボンディング、または溶接によって行われてよい。セラミック担体2の上面上に全面的に取り付けられたこの電極3は、1つの導電性の材料または1つの導電性の複合材料を備えなければならず、この材料あるいは複合材料は、この上にあるNTC層4を一緒に1400℃までの温度で焼結するために適合している。ここで通常はこの導電性の材料は、PdまたはPtを含む銀ペーストである。
抵抗の調整のため、上記のメタライジングされた基板が電気的に予備測定される。この予備測定データを参照して、上記のNTC厚膜ダブルセンサの幾何形状が画定される。長さが固定されているので、調整パラメータとしては幅が、変化可能な寸法として残されている。定格温度でとりわけバラつきの少ない抵抗とするためには、追加的なトリミング処理を用いて個々のデバイスの抵抗を調整することができる。この際セラミック材料または電極材料が、たとえばレーザー切断、グラインディング、ソーイングによって、部分的に除去されて、この抵抗の幾何形状の変更によって調整される。
セラミックの長期安定性を改善するために、メタライジングされていない領域に渡って、たとえばセラミック,ガラス,プラスチック,または金属酸化物から成る、1つの薄い、非導電性の保護層が取り付けられてよい。これらは、スパッタリング,蒸着,リソグラフィー,または印刷および焼成によって実現されてよい。
プリント基板上での使用のため、上記の3つの変形例のセンサは、導電路上に接着、はんだ付け、または焼結されてよい。この銀焼結処理は、加圧下または無圧で行われてよい。はんだ付け、溶接、またはボンディングを用いて、このセンサの上面がワイヤ(複数)で接続されてよい。
図1〜4に示すセンサ素子1の新しい構造によって、1つのデバイスにおいて2つの特性曲線が実現される。以上によりDCB基板あるいはプリント基板への取り付けの際のスペースを節約することができる。たとえばAl2O3,ZrO2,ATZ材料,またはZTA材料,またはMgOをベースにした、セラミック担体材料を使用することにより、センサ素子1の機械的剛性が高められる。
本発明によるNTC厚膜ダブルセンサの製造プロセスが以下に例示的に詳細に示される。
第1のステップにおいて、NTC粉末が製造される。このステップには、計量、湿式の一次造粒、乾燥、ふるい分け、か焼、湿式の二次造粒、乾燥、ふるい分けが含まれる。これに続いて、ペースト製造のために、このNTC粉末の計量が行われる。さらに続いて、このペースト用の有機成分の計量が行われる。
次のステップにおいて、上記のペースト成分が撹拌によって予備均質化される。続いてこれらのペースト成分が3ローラを用いて均質化される。
これに続くステップにおいて、セラミック担体材料の片面の印刷が、NTCペーストを用いて行われる。たとえばこのステップにおいて、この担体材料の下面が、NTCペーストを用いて印刷される。この代替として、上面が、NTCペーストを用いて印刷されてもよい。この印刷は、1つの特定の印刷の幾何形状、すなわち第1の印刷の幾何形状で行われる。たとえばこの際該当する担体表面は、部分的にのみ印刷されるか、またはしかしながら全面的にも印刷される。たとえば、この担体材料の1つの縁部領域が、印刷の際に空白とされてよい。しかしながら別の印刷の幾何形状も考えられる。さらに、このステップにおいては、後のNTC層の厚さが調整されてよい。このNTC層が厚いほど、その抵抗は大きくなる。
この後このセラミック担体材料およびNTC層から成る系が脱炭される。続いてこのセラミック担体材料およびNTC層から成る系は焼結される。
これに続くステップにおいて、上記の担体材料の第2の面の印刷が、NTCペーストを用いて行われる。たとえばこのステップにおいて、この担体材料の上面が、NTCペーストを用いて印刷される。この代替として、この下面が、NTCペーストを用いて印刷されてもよい。この担体材料の、上記の片面の印刷処理の際に空白とされていた外面あるいは表面が印刷される。
この印刷は、1つの特定の印刷幾何形状、すなわち第2の印刷幾何形状で行われる。この第2の印刷の幾何形状は、上記の第1の印刷の幾何形状と同じであってよい。この代替として、上記の第1の印刷の幾何形状および上記の第2の印刷の幾何形状は、異なっていてよい。たとえば該当する担体表面は、部分的にのみ印刷されるか、またはしかしながら全面的にも印刷される。たとえば、この担体材料の1つの縁部領域が、印刷の際に空白とされてよい。しかしながらこの第2の印刷の幾何形状には、別の印刷の幾何形状も考えられる。さらに、このステップにおいては、後のNTC層の厚さが調整されてよい。このNTC層が厚いほど、その抵抗は大きくなる。上記の2つのNTC層の厚さは同じであってよい。この代替として、これらのNTC層は、異なる厚さを備えてもよい。
この後上記の系は脱炭される。続いてこの系は焼結される。この代替として、上記の2つのNTC層は、次々に印刷されてよく、そしてこの系は続いて1つの共通な処理において脱炭されそして焼結されてよい。この場合、脱炭および焼結の繰り返しは、不要である。
次のステップにおいて、スパッタリング技術を用いた上記の2つの面へのNi/Agの薄膜電極の取り付けが、焼結されたセンサ上で行われる。この代替として、これらの電極は、印刷されてもよい(厚膜電極)。これらの電極は、上述の変形例1〜3に倣って取り付けられる。
次のステップにおいては、定格温度での個々のセンサ面の抵抗の電気的測定が、まだ裁断されていない担体材料上で行われる。
続いてこれらの個々のNTC層が要求されている抵抗値となるように、レーザーアブレーションによってトリミングされる。
続いてこの担体材料のソーイングによってセンサチップの個々の分離が、印刷されたNTC領域(複数)の間で行われる。この裁断処理によって、最終的な幾何形状が生成される。
最後に、目視検査および抜き取り検査のような試験測定が行われる。
ここで提示した物の記載は、個々の特定の実施形態に限定されるものではない。むしろこれらの個々の実施形態の特徴は、技術的に意味がある限り、任意に互いに組み合わせることができる。
1 : センサ素子
2 : 担体
3 : 電極
4 : NTC層
5 : 空き領域
6 : 空き縁部
7 : 凹部
2 : 担体
3 : 電極
4 : NTC層
5 : 空き領域
6 : 空き縁部
7 : 凹部
Claims (13)
- 温度測定用のセンサ素子(1)であって、
1つのセラミック担体(2)と、
少なくとも1つの電極(3)と、
を備え、
前記担体(2)は、上面および下面を備え、当該担体(2)の上面上および下面上にはそれぞれ、1つのNTC層(4)が配設されており、そしてそれぞれの当該NTC層(4)の抵抗は、それぞれの当該NTC層(4)の厚さおよび/または幾何形状で決定され、
各々の前記電極(3)は、少なくとも1つのスパッタリングされた層を備える、
ことを特徴とするセンサ素子。 - 前記担体(2)には、複数の前記NTC層(4)が印刷されており、そして複数の前記NTC層(4)は、異なる印刷幾何形状を備えることを特徴とする、請求項1に記載のセンサ素子。
- 前記担体(2)には、複数の前記NTC層(4)が印刷されており、そして前記担体(2)の上面および下面のそれぞれのNTC層(4)の印刷が全面的または部分的に行われていることを特徴とする、請求項1または2に記載のセンサ素子。
- 前記NTC層(4)上には、少なくとも1つの電極(3)が取り付けられていることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のセンサ素子。
- 複数の前記NTC層(4)の各々の上には、少なくとも2つの電極(3)が取り付けられており、そして複数の前記電極(3)は、1つの空き領域(5)によって互いに離間されていることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか1項に記載のセンサ素子。
- 請求項1乃至4のいずれか1項に記載のセンサ素子において、
前記担体(2)の上面上に、1つの第1の電極(3)が取り付けられており、当該第1の電極(3)の1つの部分領域上には、1つのNTC層(4)が取り付けられており、当該NTC層(4)上には、第2の電極(3)が配設されており、
前記担体(2)の下面上に、もう1つのNTC層(4)が配設されており、当該NTC層(4)上には、2つの電極(3)が取り付けられており、2つの当該電極(3)は、1つの空き領域(5)によって互いに離間されている、
ことを特徴とするセンサ素子。 - 前記第1の電極(3)は、前記担体(2)の上面上に取り付けられていることを特徴とする、請求項6に記載のセンサ素子。
- 前記第2の電極(3)は、前記NTC層(4)を、前記担体(2)の上面上で完全に覆っていることを特徴とする、請求項6または7に記載のセンサ素子。
- 各々の前記NTC層(4)は、2つの反対側にある側面を備え、2つの当該側面にはそれぞれ1つの電極(3)が配設されていることを特徴とする、請求項1乃至5のいずれか1項に記載のセンサ素子。
- 前記スパッタリングされた層は、各々のNTC層(4)上に直接取り付けられていることを特徴とする、請求項1乃至9のいずれか1項に記載のセンサ素子。
- 複数の前記NTC層(4)の少なくとも1つは、1つの凹部(7)を備え、そして当該凹部(7)は、当該NTC層(4)の抵抗を調整するために設けられていることを特徴とする、請求項1乃至10のいずれか1項に記載のセンサ素子。
- センサ素子(1)を製造するための方法であって、
少なくとも1つのNTC層(4)を形成するためのNTC粉末を製造するステップと、
1つのセラミックの担体材料を準備するステップと、
前記担体材料の第1の表面を、NTCペーストを用いて第1の印刷幾何形状で印刷するステップと、
前記担体材料および前記NTC層からなる系を焼結するステップと、
前記担体材料の第2の表面を、NTCペーストを用いて第2の印刷幾何形状で印刷するステップと、
前記系を焼結するステップと、
を備え、
前記担体材料のそれぞれの表面は、NTCペーストを用いて全面的または部分的に印刷される、
ことを特徴とする方法。 - 前記方法はさらに、複数の前記NTC層(4)の少なくとも1つを、1つの所定の抵抗値に調整するために、部分的に除去するステップを備えることを特徴とする、請求項12に記載の方法。
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