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Abstract
Description
1−1.トランジスタの構造
図1は、本発明の一実施形態に係るトランジスタ100aの構造を断面図で示す。トランジスタ100aは、絶縁表面を有する基板102に設けられた、第1ゲート電極104、第1絶縁層106、酸化物半導体層112、第2絶縁層114、第2ゲート電極116を含む。
トランジスタ100aは、酸化物半導体層112の一方に第1ゲート電極104が配置され、他方に第2ゲート電極116が配置される。この構造において、第1ゲート電極104及び第2ゲート電極116の一方に一定電位(固定電位)を与えることで、バックゲートとして用いることができる。トランジスタ100aは実質的にnチャネル型であるので、例えば、第1ゲート電極104及び第2ゲート電極116の一方にソース電位より低い電位を与え、それをバックゲート電極として機能させることができる。これにより、トランジスタ100aの閾値電圧の制御をすることができる。また、トランジスタ100aは、第1ゲート電極104及び第2ゲート電極116に同じゲート電圧を与えることで、デュアルゲートトランジスタとして動作させることができる。これにより、トランジスタ100aは、オン電流の向上、周波数特性の向上を図ることができる。
酸化物半導体層112は、元素として、インジウム(In)、亜鉛(Zn)、ガリウム(Ga)、スズ(Sn)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)から選ばれた一種又は複数種を含む。例えば、酸化物半導体層112を形成する酸化物半導体材料としては、半導体特性を示す、三元系酸化物材料、二元系酸化物材料、および一元系酸化物材料が適用される。例えば、四元系酸化物材料として、In2O3−Ga2O3−SnO2−ZnO系酸化物材料、三元系酸化物材料としてIn2O3−Ga2O3−ZnO系酸化物材料、In2O3−SnO2−ZnO系酸化物材料、In2O3−Al2O3−ZnO系酸化物材料、Ga2O3−SnO2−ZnO系酸化物材料、Ga2O3−Al2O3−ZnO系酸化物材料、SnO2−Al2O3−ZnO系酸化物材料、二元系酸化物材料としてIn2O3−ZnO系酸化物材料、SnO2−ZnO系酸化物材料、Al2O3−ZnO系酸化物材料、MgO−ZnO系酸化物材料、SnO2−MgO系酸化物材料、In2O3−MgO系酸化物材料、一元系酸化物材料として、In2O3系金属酸化物材料、SnO2系金属酸化物材料、ZnO系金属酸化物材料等を用いることができる。また、上記酸化物半導体にシリコン(Si)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、ハフニウム(Hf)、チタン(Ti)が含まれていてもよい。なお、例えば、上記で示すIn−Ga−Zn−O系酸化物材料は、少なくともInとGaとZnを含む酸化物材料であり、その組成比に特に制限はない。また、他の表現をすれば、酸化物半導体層112は、化学式InMO3(ZnO)m(m>0)で表記される薄膜を用いることができる。ここで、Mは、Ga、Al、Mg、Ti、Ta、W、HfおよびSiから選ばれた一つ、または複数の金属元素を示す。なお、上記の四元系酸化物材料、三元系酸化物材料、二元系酸化物材料、一元系酸化物材料は、含まれる酸化物が化学量論的組成のものに限定されず、化学量論的組成からずれた組成を有する酸化物材料によって構成されてもよい。
第1透明導電層108a及び第2透明導電層108bは、導電性を有する金属酸化物材料、金属窒化物材料又は金属酸窒化物材料を用いて作製される。金属酸化物材料としては、例えば、酸化インジウムスズ(In2O3・SnO2:ITO)、酸化インジウム亜鉛(In2O3・ZnO:IZO)、酸化スズ(SnO2)を用いることができる。このような金属酸化物材料は、酸化物半導体層112と良好なオーミック接触を形成することができる。
第1絶縁層106及び第2絶縁層114は、無機絶縁材料を用いて形成される。無機絶縁材料としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム等を適用することができる。第1絶縁層106及び第2絶縁層114は、これらの無機絶縁材料でなる膜の単層又は複数の膜が積層された構造を有する。例えば、第1絶縁層106として、基板102側から、窒化シリコン膜と酸化シリコン膜が積層された構造を適用することができる。また、第2絶縁層114は、酸化物半導体層112側から、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜が積層された構造を適用することができる。第1絶縁層106及び第2絶縁層114は、このように複数種の無機絶縁膜を積層することで、内部応力の作用を緩和することができ、また水蒸気等に対するバリア性を高めることができる。
第1ゲート電極104及び第2ゲート電極116は、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、ジルコニウム(Zr)等の金属材料を用いて作製される。例えば、第1ゲート電極104及び第2ゲート電極116は、アルミニウム(Al)、モリブデン・タングステン(MoW)合金等の膜を用いて作製される。また、第1ゲート電極104及び第2ゲート電極116は、アルミニウム合金、銅合金、または銀合金を用いて作製されてもよい。アルミニウム合金としては、アルミニウム・ネオジム合金(Al−Nd)、アルミニウム・ネオジム・ニッケル合金(Al−Nd−Ni)、アルミニウム・カーボン・ニッケル合金(Al−C−Ni)、銅・ニッケル合金(Cu−Ni)等を適用することができる。さらに、第1ゲート電極104及び第2ゲート電極116は、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化亜鉛(ZnO)等の透明導電膜で形成することもできる。
第1配線110a及び第2配線110bは、アルミニウム(Al)、銅(Cu)等の導電率の高い金属材料が用いられる。例えば、第1配線110a及び第2配線110bは、アルミニウム合金、銅合金、または銀合金を用いて作製される。アルミニウム合金としては、アルミニウム・ネオジム合金(Al−Nd)、アルミニウム・チタン合金(Al−Ti)、アルミニウム・シリコン合金(Al−Si)、アルミニウム・ネオジム・ニッケル合金(Al−Nd−Ni)、アルミニウム・カーボン・ニッケル合金(Al−C−Ni)、銅・ニッケル合金(Cu−Ni)等を適用することができる。このような金属材料を用いれば、耐熱性を有すると共に、配線抵抗を低減することができる。
次に、トランジスタ100aの製造工程について説明する。図2(A)は、基板102の上にゲート電極104を形成する段階を示す。基板102としては、例えば、透明絶縁物基板が用いられる。透明絶縁物基板としては、アルミノケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等で例示される無アルカリガラス基板、石英基板が用いられる。
本実施形態は、第1実施形態で示すトランジスタと同様の構造を有するトランジスタにより構成される表示装置の一例を示す。図6に示すように、表示装置120は、複数の画素122を含む表示領域121、走査線駆動回路123、データ線駆動回路125を含む。図6では図示されないが、複数の画素122には、表示素子として有機EL素子と、この有機EL素子を駆動するトランジスタが設けられている。
図7は、本実施形態に係る表示装置の画素122の等価回路を示す。画素122は、選択トランジスタ124、駆動トランジスタ126、容量素子128、有機EL素子130を含む。選択トランジスタ124及び駆動トランジスタ126は、第1実施形態で示すトランジスタ100aと同様の構成を有する。すなわち、図7はデュアルゲート構造のトランジスタを示し、選択トランジスタ124は、第1ゲート電極104b及び第2ゲート電極116bを有し、駆動トランジスタ126は、第1ゲート電極104a及び第2ゲート電極116aを有している。
図7に示す等価回路に対応する画素122aの平面構造の一例を図8に示す。また、図8に示すA1−A2線及びB1−B2線に対応する断面構造を図9(A)及び図9(B)にそれぞれ示す。図9(A)は、駆動トランジスタ126及び有機EL素子130の断面構造を示し、図9(B)は選択トランジスタ124及び容量素子128の断面構造を示す。以下の説明では、図8、図9(A)及び図9(B)を適宜参照して説明する。なお、図8で示す画素122aの平面図において、有機EL素子130の構造は省略されている。
駆動トランジスタ126は、第1実施形態で示すトランジスタ100aと同様の構成を有する。すなわち、駆動トランジスタ126は、第1ゲート電極104a、第1絶縁層106、第1酸化物半導体層112a、第2絶縁層114、第2ゲート電極116aが積層された構造を有する。第1ゲート電極104aは、基板102と第1絶縁層106との間に設けられる。第2ゲート電極116aは、第2絶縁層114の上層(基板102と反対側の面)に設けられる。
選択トランジスタ124は、第1実施形態で示すトランジスタ100aと同様の構成を有する。すなわち、選択トランジスタ124は、第1ゲート電極104b、第1絶縁層106、第2酸化物半導体層112b、第2絶縁層114、第2ゲート電極116bが積層された構造を有する。選択トランジスタ124は、第2酸化物半導体層112bが第1ゲート電極104b及び第2ゲート電極116bと重畳する領域にチャネルが形成される。第1絶縁層106と第2酸化物半導体層112bとの間に、第3透明導電層108c及び第4透明導電層108dが設けられる。第3透明導電層108c及び第4透明導電層108dは、第2酸化物半導体層112bと接して設けられることで、ソース領域、ドレイン領域として機能する。第3透明導電層108cと第4透明導電層108dとは、平面視において第1ゲート電極104b及び第2ゲート電極116bを両側から挟むように設けられる。
容量素子128は、第1容量電極160a、第1絶縁層106、第4透明導電層108d、第2容量電極160bが積層された構造を有する。第1容量電極160aは第1ゲート電極104と同じ層構造で形成され、第2容量電極160bはデータ信号線134と同じ層構造で形成される。第4透明導電層108dは、第2容量電極160bと電気的に接続された状態にあるので、実質的に容量素子128の他方の電極として機能する。
有機EL素子130は、基板102の側から、陰極に相当する第1電極146、電子輸送層148、電子注入層150、発光層152、正孔輸送層154、正孔注入層156、陽極に相当する第2電極158が積層された構造を有する。ここで、有機EL素子130は、積層順が基板102に近接した陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、陰極と順次積層される構造を順積み構造と呼ばれるが、本実施形態に係る有機EL素子130は基板102に近接した陰極側から電子輸送層、発光層、正孔輸送層等が積層される構造を有するので、逆積み構造とも呼ばれる。本実施形態においては、駆動トランジスタ126がnチャネル型であるので、有機EL素子が順積み構造の場合、ソースが陽極と接続することとなる。その場合駆動トランジスタのドレイン電流は有機EL素子の特性変動により変化してしまうことが問題となる。しかしながら、本実施形態におけるように、有機EL素子を逆積み構造とすると、nチャネル型の駆動トランジスタはドレインが有機EL素子の陰極と接続されるので、ドレイン電流が有機EL素子の特性変動の影響を受けにくい回路構成とすることができる。
有機EL素子の陰極材料としては、従来、アルミニウム・リチウム合金(AlLi)、マグネシウム・銀合金(MgAg)等の材料が用いられている。しかし、これらの材料は、大気中の酸素や水分の影響を受けて劣化しやすく、取扱が困難な材料である。また、これらの陰極材料は金属材料であるので、逆積み構造で、かつボトムエミッション型の有機EL素子を構成するには適していない。
電子輸送層148は、金属酸化物材料を用いて形成される。金属酸化物材料としては、第1実施形態で述べたものと同様の、三元系酸化物材料、二元系酸化物材料、および一元系酸化物材料が適用される。これらの金属酸化物材料は、アモルファスの形態であっても良く、結晶質の形態であっても良く、あるいはアモルファスと結晶質相の混合相の形態であっても良い。例えば、電子輸送層148、インジウム酸化物、亜鉛酸化物、ガリウム(Ga)酸化物、スズ(Sn)酸化物から選ばれた一種又は複数種を含んで構成される。これらの金属酸化物材料は可視光を吸収せず透明である必要があるので、バンドギャップは30.eV以上であることが求められる。さらに、電子輸送層148は、可能な限り膜厚を大きくすることで、陰極と陽極との短絡を防止することができる。このような電子輸送層148は、スパッタリング法、真空蒸着法、塗布法等により作製することができる。電子輸送層148は、このような成膜方法により、50nm〜1000nmの膜厚で作製される。
有機EL素子において、電子注入層は、陰極から電子輸送材料へ電子を注入するためのエネルギー障壁を小さくするために用いられる。本実施形態では、酸化物半導体で形成される電子輸送層148から発光層152へ電子が注入されやすくするために、電子注入層150が用いられる。すなわち、電子注入層150は、電子輸送層148と発光層152との間に設けられる。
発光層152としては種々の材料を用いることができる。例えば、蛍光を発光する蛍光性化合物、燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。
正孔輸送層154は、正孔輸送性を有する材料を用いて形成される。正孔輸送層154は、例えば、アリールアミン系化合物、カルバゾール基を含むアミン化合物、およびフルオレン誘導体を含むアミン化合物などであっても良い。正孔輸送層154は、例えば、4,4’−ビス[N−(ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD)、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(TPD)、2−TNATA、4,4’,4”−トリス(N−(3−メチルフェニル)N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(MTDATA)、4,4’−N,N’−ジカルバゾールビフェニル(CBP)、4,4’−ビス[N−(9,9−ジメチルフルオレン−2−イル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(DFLDPBi)、4,4’−ビス[N−(スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル)−N―フェニルアミノ]ビフェニル(BSPB)、スピロ−NPD、スピロ−TPD、スピロ−TAD、TNB等の有機材料が用いられる。
正孔注入層156は、有機層に対して正孔注入性の高い物質を含む。正孔注入性の高い物質としては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いることができる。また、フタロシアニン(H2Pc)、銅(II)フタロシアニン(略称:CuPc)、バナジルフタロシアニン(VOPc)、4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(MTDATA)、4,4’−ビス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(DPAB)、4,4’−ビス(N−{4−[N’−(3−メチルフェニル)−N’−フェニルアミノ]フェニル}−N−フェニルアミノ)ビフェニル(DNTPD)、1,3,5−トリス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ベンゼン(DPA3B)、3−[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(PCzPCA1)、3,6−ビス[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(PCzPCA2)、3−[N−(1−ナフチル)−N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)アミノ]−9−フェニルカルバゾール(PCzPCN1)、2,3,6,7,10,11−ヘキサシアノ−1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレン(HAT−CN)等の有機化合物を用いることができる。
陽極に相当する第2電極158としては、仕事関数の大きい(具体的には4.0eV以上)金属、合金、導電性化合物で作製される。陽極に相当する第2電極158には、例えば、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム(IWZO)などが用いられる。これらの導電性金属酸化物材料が用いられる陽極に相当する第2電極158は、真空蒸着法、スパッタリング法により作製される。本実施形態において、有機EL素子130はボトムエミッション型であるため、陽極に相当する第2電極158は光反射性を有しているか、光反射面を有していることが好ましい。酸化インジウムスズ(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)などの導電性金属酸化物の被膜は透光性を有するので、正孔注入層156と反対側の面に、アルミニウム(Al)、銀(Ag)などの金属膜が積層されていてもよい。なお、図8、図9(A)及び図9(B)では省略されているが、陽極に相当する第2電極158の上層には、酸素(O2)や水分(H2O)の透過を遮断するパッシベーション層が、表示領域121の略全面に設けられていてもよい。
図9(A)及び(B)で示すように、本実施形態に係る画素122aの構造は、陽極158が駆動トランジスタ126及び選択トランジスタ124の全面を覆う構造となる。そして、駆動トランジスタ126及び選択トランジスタ124は、チャネルが形成される酸化物半導体層112が、第1ゲート電極104と第2ゲート電極116とに挟まれたデュアルゲート構造を有している。
本発明の一実施形態に係る表示装置120の製造方法の一例を説明する。なお、以下の説明では、第1実施形態で述べるトランジスタ100aの製造方法に係る説明と重複する部分は適宜省略し、相違する部分について述べる。
本実施形態は、本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の他の一例を示す。以下においては、第2実施形態と相違する部分について説明する。
本実施形態は、画素の構造が、第2実施形態で例示されるものと異なる態様を示す。以下の説明においては、第2実施形態と相違する部分について説明する。
図24(A)は及び(B)は、本実施形態に係る表示装置の画素122bの構成を示す。図24(A)は、図8に示す画素の平面図におけるA1−A2線に対応する断面構造を示し、図24(B)は、同じくB1−B2線に対応する断面構造を示す。
なお、電子輸送層148と電子注入層150の2層を、リソグラフィ工程とエッチング工程により加工してもよい。図25(A)は及び(B)は、そのような場合の画素122bの構成を示す。図25(A)は、図8に示す画素の平面図におけるA1−A2線に対応する断面構造を示し、図25(B)は、同じくB1−B2線に対応する断面構造を示す。
本実施形態は、電子輸送層、又は電子輸送層と電子注入層の双方が、各画素で個別に形成される場合において、第4実施形態で例示されるものとは異なる態様を示す。以下の説明においては、第4実施形態と相違する部分を中心に説明する。
本実施形態に係る表示装置の画素122cの平面構造の一例を図26に示す。また、図26に示すA3−A4線及びB3−B4線に対応する断面構造を図27(A)及び図27(B)にそれぞれ示す。図27(A)は、駆動トランジスタ126及び有機EL素子130の断面構造を示し、図27(B)は選択トランジスタ124及び容量素子128の断面構造を示す。以下の説明では、図26、図27(A)及び図27(B)を適宜参照して説明する。なお、図26で示す画素122cの平面図において、有機EL素子130の構造は省略されている。
なお、電子輸送層148と電子注入層150の2層を、酸化物半導体層112a上で個別に設けられるようにしてもよい。図28(A)及び(B)は、そのような場合の画素122cの構成を示す。図28(A)は、図26に示す画素の平面図におけるA13−A14線に対応する断面構造を示し、図26(B)は、同じくB9−B10線に対応する断面構造を示す。
本実施形態に係る表示装置の製造方法を、図面を参照して説明する。以下の説明においては、第2実施形態と相違する部分を中心に説明する。
図30(A)及び図30(B)で示す段階において、電子輸送層148に上に電子注入層150をさらに積層させて、4−3−1と同様の工程を行ってもよい。すなわち、多階調マスクを用いて、電子輸送層148と電子注入層150をエッチング処理してもよい。これにより、図37(A)及び図37(B)に示すように、第1半導体層112aの上に電子輸送層148及び電子注入層150を選択的に形成することができる。
本実施形態は、有機EL素子130の発光が基板102とは反対側に出射される、所謂トップエミッション型の表示装置の画素の一例を示す。以下においては、第2実施形態と相違する部分について説明する。
本実施形態は、第2実施形態とは異なる画素の構造について例示する。図40は、画素122eの平面図を示し、A7−A8線に沿った断面構造を図41(A)に示し、B5−B6線に沿った断面構造を図41(B)に示す。なお、画素122eの等価回路は、図7に示すものと同様である。本実施形態では、第2実施形態と相違する部分について説明する。
本実施形態は、有機EL素子130の発光が基板102とは反対側に出射される、所謂トップエミッション型の表示装置の画素の一例を示す。以下においては、第4実施形態と相違する部分について説明する。
本実施形態は、第4実施形態とは異なる画素の構造について例示する。図44は、画素122gの平面図を示し、A11−A12線に沿った断面構造を図45(A)に示し、B7−B8線に沿った断面構造を図45(B)に示す。なお、画素122gの等価回路は、図7に示すものと同様である。本実施形態では、第2実施形態と相違する部分について説明する。
図46は、第1ゲート電極104、第1絶縁層106、酸化物半導体層112、第2絶縁層114、および第2ゲート電極116を有するトランジスタ100bの製造工程において、酸化物半導体層112に、チャネル領域に比較して低抵抗のソース・ドレイン領域118を形成する段階を示す。
本実施形態は、第7実施形態で示すトランジスタの構造を表示装置120に適用した一例を示す。
図49は、本実施形態に係る表示装置120の画素122hの平面図を示し、A13−A14線に対応する断面構造を図50(A)に示し、B9−B10線に対応する断面構造を図50(B)に示す。以下の説明では、図49、図50(A)及び図50(B)を参照するものとする。
第4実施形態で示すように、電子輸送層148は、各画素において個別に設けられていてもよい。この場合における画素の構成を図51、図52(A)及び図52(B)に示す。図51は、本実施形態に係る表示装置120の画素122hの平面図を示し、A15−A16線に対応する断面構造を図52(A)に示し、B11−B12線に対応する断面構造を図52(B)に示す。
第4実施形態で示すように、電子輸送層148と電子注入層150の2層を、リソグラフィ工程とエッチング工程により加工してもよい。図53(A)及び図53(B)は、そのような場合の画素122hの構成を示す。図53(A)は、図51に示す画素の平面図におけるA15−A16線に対応する断面構造を示し、図53(B)は、同じくB11−B12線に対応する断面構造を示す。
12−1.画素の構成1
第11実施形態で示す画素122iの構成において、有機EL素子130に反射電極164が設けられていてもよい。図54、図55(A)及び図55(B)は、第1電極146と電子輸送層148との間に反射電極164が設けられた画素122iを示す。なお、図54は、画素122iの第1の構成を示し、平面図を示し、A17−A18線に対応する断面構造を図55(A)に示し、B13−B14線に対応する断面構造を図55(B)に示す。
図56(A)及び図56(B)は、画素122iの第2の構成を示し、図54の画素122iの平面図に対応する断面構造において、第11実施形態と同様に電子輸送層148及び電子注入層150を各画素に対応して設けた態様を示す。電子輸送層148及び電子注入層150を各画素で個別に設ける場合においても、有機EL素子130に反射電極164を設けることができる。
図57は、画素122iの第3の構成の平面図を示し、A19−A20線に対応する断面構造を図58(A)に示し、B15−B16線に対応する断面構造を図58(B)に示す。第3の構成において、反射電極164は、第2絶縁層114の下層側に設けられている。このような反射電極164は、基板102の略全面に酸化物半導体層112、第1金属層166a及び第2金属層116bを形成し、第5実施形態で述べる工程に従い、多階調マスクを用いて形成される。
本実施形態は、第5実施形態と同様に、酸化物半導体層112aの上に電子輸送層148が設けられた構成を示す。図59は、本実施形態に係る画素122jの平面図を示し、A21−A22線に対応する断面構造を図60(A)に示し、B17−B18線に対応する断面構造を図60(B)に示す。
Claims (22)
- 基板上に複数の画素を有し、
前記複数の画素のそれぞれは、駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタと電気的に接続される有機EL素子と、を含み、
前記駆動トランジスタは、
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と重なる領域を有し、前記酸化物半導体層の前記基板側の面に配置された第1ゲート電極と、
前記第1ゲート電極と前記酸化物半導体層との間の第1絶縁層と、
前記酸化物半導体層及び前記第1ゲート電極と重なる領域を有し、前記酸化物半導体層の前記基板側とは反対の面に配置された第2ゲート電極と、
前記第2ゲート電極と前記酸化物半導体層との間の第2絶縁層と、
前記酸化物半導体層と前記第1絶縁層との間に配置され、前記酸化物半導体層と接する領域を含む第1透明導電層及び第2透明導電層と、を有し、
前記有機EL素子は、
透光性を有する第1電極と、
前記第1電極に対向して配置される第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間の発光層と、
前記発光層と前記第1電極との間の電子輸送層と、を含み、
前記第1電極は、前記第1透明導電層から連続して設けられている、
ことを特徴とする表示装置。 - 基板上に複数の画素を有し、
前記複数の画素のそれぞれは、駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタと電気的に接続される有機EL素子と、を含み、
前記駆動トランジスタは、
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と重な領域を有し、前記酸化物半導体層の前記基板側の面に配置された第1ゲート電極と、
前記第1ゲート電極と前記酸化物半導体層との間の第1絶縁層と、
前記酸化物半導体層及び前記第1ゲート電極と重なる領域を有し、前記酸化物半導体層の前記基板側とは反対の面に配置された第2ゲート電極と、
前記第2ゲート電極と前記酸化物半導体層との間の第2絶縁層と、を有し、
前記有機EL素子は、
透光性を有する第1電極と、
前記第1電極に対向して配置される第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間の発光層と、
前記発光層と前記第1電極との間の電子輸送層と、を含み、
前記第1電極は、前記酸化物半導体層から連続して設けられている、
ことを特徴とする表示装置。 - 前記第2ゲート電極のチャネル長方向の幅は、前記第1ゲート電極のチャネル長方向の幅より広い、請求項1又は2に記載の表示装置。
- 前記第2ゲート電極が前記酸化物半導体層と重畳する面積は、前記第1ゲート電極が前記酸化物半導体層と重畳する面積より大きい、請求項1又は2に記載の表示装置。
- 前記第1透明導電層及び前記第2透明導電層の一端は、前記第1ゲート電極及び前記第2ゲート電極と重畳する、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1電極と前記電子輸送層との間に、前記酸化物半導体層が延伸されている、請求項1に記載の表示装置。
- 前記酸化物半導体層と前記電子輸送層とが接している、請求項6に記載の表示装置。
- 前記電子輸送層のキャリア濃度は、前記酸化物半導体層のキャリア濃度よりも高い、請求項2又は7に記載の表示装置。
- 前記電子輸送層のバンドギャップは3.4eV以上であり、前記酸化物半導体層のバンドギャップは3.0eV以上である、請求項2又は7に記載の表示装置。
- 前記電子輸送層と前記発光層との間に電子注入層を有する、請求項1又は2に記載の表示装置。
- 前記電子注入層がC12A7(12CaO・7Al2O3)エレクトライドである、請求項10に記載の表示装置。
- 前記電子輸送層はスズ(Sn)を含有しない亜鉛(Zn)系の酸化物半導体であり、前記酸化物半導体層は亜鉛(Zn)及びマグネシウム(Mg)が含有されていないスズ(Sn)系の酸化物半導体である、請求項1又は2に記載の表示装置。
- 前記電子輸送層は、酸化亜鉛と、酸化シリコン、酸化マグネシウム及び酸化ガリウムから選ばれた少なくとも一種と、を含み、
前記酸化物半導体層は、酸化スズ及び酸化インジウムと、酸化ガリウム、酸化タングステン及び酸化シリコンから選ばれた少なくとも一種と、を含む、請求項12に記載の表示装置。 - 前記駆動トランジスタを埋設する平坦化層を有し、
前記平坦化層は、前記第1電極の上面を開口する開口部を有し、
前記電子輸送層、前記発光層、前記第2電極は、前記第1電極の上層側から、前記開口部の内壁面及び前記平坦化層の上面に沿って設けられている、請求項1又は2に記載の表示装置。 - 前記発光層と前記第2電極との間に、正孔輸送層及び正孔注入層を有し、
前記正孔輸送層及び正孔注入層は、前記複数の画素に亘って連続して設けられ、
前記電子輸送層は、前記複数の画素のそれぞれに対応して、孤立して設けられている、請求項14に記載の表示装置。 - 前記発光層と前記第2電極との間に、正孔輸送層及び正孔注入層を有し、
前記正孔輸送層及び正孔注入層は、前記複数の画素に亘って連続して設けられ、
前記電子輸送層及び前記電子注入層は、前記複数の画素のそれぞれに対応して、孤立して設けられている、請求項14に記載の表示装置。 - 前記電子輸送層の端部は、前記開口部より外側であって、かつ前記発光層の端部より内側に配置されている、請求項15に記載の表示装置。
- 前記電子輸送層及び電子注入層の端部は、前記開口部より外側であって、かつ前記発光層の端部より内側に配置されている、請求項16に記載の表示装置。
- 前記第1絶縁層の前記第1電極とは反対の面に、前記第1電極と重なる反射層が配置されている、請求項1に記載の表示装置。
- 前記反射層は、前記第1ゲート電極と同じ層に配置される、請求項19に記載の表示装置。
- 前記第1電極と前記電子輸送層との間に反射電極が設けられている、請求項2に記載の表示装置。
- 前記反射電極は、前記第2ゲート電極と同じ層構造で設けられている、請求項21に記載の表示装置。
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