JP2018142018A - 発光装置及びその作製方法 - Google Patents

Abstract

【課題】破損しにくい発光装置や表示装置を提供する。【解決手段】素子層と、素子層上の基板と、を有し、基板の少なくとも一部は、前記素子層側に曲がっており、基板は、透光性を有し、且つ大気よりも屈折率が高く、素子層は、前記基板側に向けて発光する発光素子を有する発光装置を提供する。または、素子層と、素子層の上面及び少なくとも一つの側面を覆う基板と、を有し、基板は、透光性を有し、且つ大気よりも屈折率が高く、素子層は、基板側に向けて発光する発光素子を有する発光装置を提供する。【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置、表示装置、電子機器、照明装置、又はそれらの作製方法に関する。
特に、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬ
とも記す）現象を利用した発光装置、表示装置、電子機器、照明装置、又はそれらの作製
方法に関する。

近年、発光装置や表示装置は様々な用途への応用が期待されており、多様化が求められて
いる。

例えば、携帯機器用途等の発光装置や表示装置では、薄型であること、軽量であること、
又は破損しにくいこと等が求められている。また、発光装置や表示装置の高機能化、高付
加価値化を実現するために、タッチ操作が可能な発光装置や表示装置が求められている。

ＥＬ現象を利用した発光素子（ＥＬ素子とも記す）は、薄型軽量化が容易である、入力信
号に対し高速に応答可能である、直流低電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し
、発光装置や表示装置への応用が検討されている。

例えば、特許文献１に、フィルム基板上に、スイッチング素子であるトランジスタや有機
ＥＬ素子を備えたフレキシブルなアクティブマトリクス型の発光装置が開示されている。

特開２００３−１７４１５３号公報

本発明の一態様は、新規な発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供する
ことを目的の一とする。または、本発明の一態様は、軽量な発光装置、表示装置、電子機
器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、信
頼性が高い発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一
とする。または、本発明の一態様は、破損しにくい発光装置、表示装置、電子機器、もし
くは照明装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、厚さが薄い
発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。ま
たは、本発明の一態様は、光取り出し効率の高い発光装置、表示装置、電子機器、もしく
は照明装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、消費電力が低
い発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。

なお、本発明の一態様は、上記の課題の全てを解決する必要はないものとする。

本発明の一態様は、素子層と、素子層上の基板と、を有し、基板の少なくとも一部は、素
子層側に曲がっており、基板は透光性を有し、且つ大気よりも屈折率が高く、素子層は、
基板側に向けて発光する発光素子を有する発光装置である。

上記構成において、素子層の少なくとも一部は、基板の素子層側に曲がっている部分と重
なり、同じ方向に曲がっていることが好ましい。

また、本発明の一態様は、素子層と、素子層の上面及び少なくとも一つの側面を覆う基板
と、を有し、基板は透光性を有し、且つ大気よりも屈折率が高く、素子層は、基板側に向
けて発光する発光素子を有する発光装置である。

上記各構成において、素子層と基板の間に接着層を有し、接着層は透光性を有し、且つ大
気よりも屈折率が高いことが好ましい。このとき、接着層は、樹脂と、樹脂と屈折率が異
なる粒子とを有することが特に好ましい。

上記各構成において、素子層は、タッチセンサを有することが好ましい。

上記各構成において、基板は、有機樹脂を用いた基板であることが好ましい。基板にガラ
スを用いず、有機樹脂を用いることで、軽量で、壊れにくい発光装置を実現できる。

また、本発明の一態様は、第１の基板、第１の基板上の第１の接着層、及び第１の接着層
上の発光素子を有する素子層と、素子層上の第２の接着層と、第２の接着層上の第２の基
板と、を有し、第２の基板の少なくとも一部は、素子層側に曲がっており、第２の接着層
及び第２の基板は、それぞれ透光性を有し、且つ大気よりも屈折率が高く、発光素子は、
第２の基板側に向けて発光する発光装置である。

また、本発明の一態様は、第１の基板、第１の基板上の第１の接着層、及び第１の接着層
上の発光素子を有する素子層と、素子層の上面及び少なくとも一つの側面を覆う第２の基
板と、素子層及び第２の基板の間の第２の接着層と、を有し、第２の接着層及び第２の基
板は、それぞれ透光性を有し、且つ大気よりも屈折率が高く、発光素子は、第２の基板側
に向けて発光する発光装置である。

上記各構成において、素子層は、受光素子と、受光素子よりも第１の基板側に位置し、受
光素子と重なる遮光層と、遮光層及び発光素子の間の封止層と、を有し、封止層は、大気
よりも屈折率が高いことが好ましい。

また、本発明の一態様は、第１の基板と、第１の基板上の発光素子と、透光性を有する第
２の基板と、第２の基板上の遮光層と、遮光層と重なる、第２の基板及び遮光層の間の受
光素子と、発光素子及び受光素子を囲むように枠状に配置された、第１の基板及び第２の
基板の間の接着層と、を有し、第１の基板の発光素子を有する面と第２の基板の受光素子
を有する面は対向し、発光素子は、第２の基板側に向けて発光する発光装置である。

また、本発明の一態様は、第１の基板、第１の基板上の第１の接着層、第１の接着層上の
発光素子、発光素子上の封止層、封止層上の遮光層、及び遮光層上の受光素子を有する素
子層と、素子層の上面及び少なくとも一つの側面を覆う第２の基板と、素子層及び第２の
基板の間の第２の接着層と、を有し、封止層、第２の接着層及び第２の基板は、それぞれ
透光性を有し、且つ大気よりも屈折率が高く、発光素子は、第２の基板側に向けて発光す
る発光装置である。

上記構成において、封止層と第２の基板の間に、発光素子と重なる着色層を有することが
好ましい。

上記各構成において、封止層は、樹脂と、樹脂と屈折率が異なる粒子とを有することが特
に好ましい。

また、上記各構成の発光装置を表示部に有する電子機器や、上記各構成の発光装置を発光
部に有する照明装置も本発明の一態様である。

なお、本明細書中における発光装置とは、発光素子を用いた表示装置を含む。また、発光
素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム、もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉ
ｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設
けられたモジュール、又は発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式により
ＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。さらに
、照明器具等に用いられる発光装置も含むものとする。

本発明の一態様では、新規な発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供す
ることができる。または、本発明の一態様では、軽量な発光装置、表示装置、電子機器、
もしくは照明装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、信頼性が高い発
光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することができる。または、本発
明の一態様では、本発明の一態様は、破損しにくい発光装置、表示装置、電子機器、もし
くは照明装置を提供することができる。または、本発明の一態様では、厚さが薄い発光装
置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することができる。または、本発明の
一態様では、光取り出し効率が高い発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を
提供することができる。または、本発明の一態様では、消費電力が低い発光装置、表示装
置、電子機器、もしくは照明装置を提供することができる。

本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。 本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。 本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。 本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。 本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。 本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。 本発明の一態様の発光装置の作製方法の一例を示す図。 本発明の一態様の発光装置の作製方法の一例を示す図。 本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。 実施例の発光装置を示す図。 実施例の発光装置のゲートパッド部の断面観察写真。 実施例の発光装置の作製工程を説明する図。 実施例の発光装置を示す図。 実施例の発光装置を示す図。 本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。 実施例の発光装置を示す図。 本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同
一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の
機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

また、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実
際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必
ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図１及び図２を用いて説明する。

本発明の一態様の発光装置は、素子層と、素子層上の基板と、を有し、基板の少なくとも
一部は素子層側に曲がっており、基板は透光性を有し、且つ大気よりも屈折率が高く、素
子層は基板側に向けて発光する発光素子を有する。

本発明の一態様では、発光装置の光が取り出される面側にある基板の少なくとも一部が、
素子層側に曲がっているため、発光装置が破損しにくい。基板において素子層側に曲がっ
ている領域の広さや位置は特に限定されず、基板中央部に曲げ線があってもよい。

＜構成例１＞
図１（Ａ）に示す発光装置１００は、素子層１０１と、素子層１０１上の基板１０３と、
を有する。

本実施の形態で示す各発光装置では、素子層１０１が基板１０３側に向けて発光する発光
素子を有する。本実施の形態で示す各発光装置では、素子層１０１が有する発光素子の発
光が、基板１０３を介して光取り出し部１０４から取り出される。

図１（Ａ）に示す発光装置１００において、基板１０３の少なくとも一部は素子層１０１
側に曲がっている。具体的には、基板１０３の端部は、素子層１０１側に曲がっている。
ここで、Ａの端部とは、少なくともＡの側面を含む領域であり、さらに発光装置における
光取り出し部を含んでいてもよい。なお、ここでは基板１０３の対向する二つの側面にお
いて、各側面を含む端部が素子層１０１側に曲がっている例を示すが、本発明はこれに限
らない。また、ここでは、曲げ線が基板の辺に平行である例を示すが、本発明はこれに限
らない。つまり、曲げ線は、基板のいずれかの辺に平行であってもよく、基板の長辺に平
行であってもよいし、基板の短辺に平行であってもよい。また、曲げ線が、基板のいずれ
の辺に平行でなくてもよい。

＜構成例２＞
図１（Ｂ）に示す発光装置１１０は、素子層１０１と、素子層１０１上の基板１０３と、
素子層１０１及び基板１０３の間の接着層１０５と、を有する。

基板１０３の少なくとも一部は素子層１０１側に曲がっており、素子層１０１の少なくと
も一部は基板１０３の素子層１０１側に曲がっている部分と重なり、同じ方向に曲がって
いる。言い換えると、基板１０３の端部及び素子層１０１の端部は、発光装置１１０の光
が取り出される面と対向する面側に曲がっている。

＜構成例３＞
図１（Ｃ）に示す発光装置１２０は、光取り出し部１０４の構成以外は、図１（Ｂ）に示
す発光装置１１０と同様である。発光装置１１０では、素子層１０１の非発光部のみが曲
がっている例を示したが、発光装置１２０のように、素子層１０１の発光部の一部を曲げ
てもよい。つまり、発光装置１２０の光取り出し部１０４は曲面を有するといえる。

＜構成例４＞
図１（Ｄ）に示す発光装置１３０は、素子層１０１と、素子層１０１の上面及び少なくと
も一つの側面を覆う基板１０３と、素子層１０１及び基板１０３の間の接着層１０５と、
を有する。

基板１０３の少なくとも一部は素子層１０１側に曲がっており、素子層１０１の２つの側
面の少なくとも一部を覆っている。基板１０３は、素子層１０１の下面（素子層の発光面
と対向する面）の一部を覆っていてもよい。

上記発光装置の構成例１〜４では、それぞれ、発光装置の光が取り出される面側にある基
板１０３の少なくとも一部が、素子層１０１側に曲がっているため、発光装置を破損しに
くくすることができる。

上記発光装置の各構成例に適用できる応用例１〜４を以下に示す。

＜応用例１＞
図２（Ａ）に示す発光装置１４０は、絶縁体１０７を有する以外は、図１（Ｂ）に示す発
光装置１１０と同様である。本発明の一態様の発光装置では、素子層１０１の下面（発光
装置の光が取り出される面と対向する面）側に絶縁体１０７を有する。例えば素子層１０
１の下面で導電層が大気に露出する場合等に、絶縁体１０７を設けることで、本発明の一
態様の発光装置と他の装置とを電気的に絶縁することができる。また、絶縁体１０７は、
素子層１０１、基板１０３、及び接着層１０５の側面が大気に露出しないよう、これら側
面を覆うことが好ましい。これにより、発光装置の内部に水等の不純物が侵入することを
抑制できる。

＜応用例２＞
図２（Ｂ）に示す発光装置１５０は、駆動回路部１０６及びＦＰＣ１０８（Ｆｌｅｘｉｂ
ｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）をそれぞれ１つ有する例である。ここでは、Ｆ
ＰＣ１０８が基板１０３側に設けられる例を示したが、ＦＰＣ１０８を素子層１０１側に
設けてもよい。発光装置１５０は、駆動回路部１０６及びＦＰＣ１０８を有する以外は、
図１（Ｂ）に示す発光装置１１０と同様である。

＜応用例３＞
本発明の一態様では、発光装置の光が取り出される面において、絶縁体１０７が基板１０
３を覆う構成であってもよい（図２（Ｃ））。これにより、発光装置の光が取り出される
面が傷つくこと、さらには素子層１０１に含まれる素子が破壊することを抑制できる。さ
らに、絶縁体１０７が、基板１０３及び素子層１０１の、発光装置の光が取り出される面
と対向する面側に曲がっている側面を覆う構成とすることで、発光装置の内部に水等の不
純物が侵入することを抑制できる。したがって、信頼性が高く、破損しにくい発光装置と
することができる。

＜応用例４＞
本発明の一態様では、素子層１０１の下面（発光装置の光が取り出される面と対向する面
）側に蓄電装置１１１を配置し、蓄電装置１１１を覆う保護層１１５を設けてもよい。

保護層１１５の端部は、基板１０３の素子層１０１側に曲がっている部分と重なる構成（
図２（Ｄ））であってもよいし、基板１０３を介さず素子層１０１と重なる構成（図２（
Ｅ））であってもよい。また、図２（Ｆ）に示すように、素子層１０１と蓄電装置１１１
の間に、絶縁体１０７を有していてもよい。また、図２（Ｇ）に示すように、保護層１１
５の端部は、基板１０３を介さず絶縁体１０７と重なる構成であってもよい。

このとき、基板１０３側又は素子層１０１側に設けられたＦＰＣは、素子層１０１及び保
護層１１５の間に位置するよう折り曲げられていてもよい。

また、本発明の一態様の発光装置は、タッチ操作が可能な発光装置であってもよい。タッ
チセンサとしては、抵抗膜方式、静電容量方式、赤外線方式、光学方式、電磁誘導方式、
表面弾性波方式等、種々の方式を採用することができる。本発明の一態様では、発光装置
を構成する基板の数を増やすことなく、素子層１０１にタッチセンサを設けることができ
るため、発光装置の薄型化、軽量化が実現でき好ましい。

なお、基板１０３における素子層１０１側に曲がっている領域の曲率半径の最小値は、１
ｍｍ以上１５０ｍｍ以下が好ましく、１ｍｍ以上１００ｍｍ以下がより好ましく、１ｍｍ
以上５０ｍｍ以下がさらに好ましく、２ｍｍ以上５ｍｍ以下が特に好ましい。また、素子
層１０１における基板１０３と同じ方向に曲がっている領域の曲率半径の最小値は、１ｍ
ｍ以上１５０ｍｍ以下が好ましく、１ｍｍ以上１００ｍｍ以下がより好ましく、１ｍｍ以
上５０ｍｍ以下がさらに好ましく、２ｍｍ以上５ｍｍ以下が特に好ましい。本発明の一態
様の発光装置は、小さな曲率半径（例えば２ｍｍ以上５ｍｍ以下）で折り曲げても素子が
壊れることがなく、信頼性が高い。小さな曲率半径で折り曲げることで、発光装置を薄型
化することができる。また、光取り出し部１０４を大きな曲率半径（例えば、５ｍｍ以上
１００ｍｍ以下）で折り曲げることで、発光装置の側面に広い表示部（発光部）を設ける
ことができる。

＜材料の一例＞
次に、本発明の一態様の発光装置に用いることができる材料等を説明する。

素子層１０１は、少なくとも発光素子を有する。発光素子としては、自発光が可能な素子
を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでい
る。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いることが
できる。

素子層１０１は、発光素子を駆動するためのトランジスタや、タッチセンサ等をさらに有
していてもよい。

素子層１０１において、発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられているこ
とが好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装
置の信頼性の低下を抑制できる。

透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含
む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸
化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。

例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０^−５［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下
、好ましくは１×１０^−６［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下、より好ましくは１×１０^−７［ｇ
／ｍ^２・ｄａｙ］以下、さらに好ましくは１×１０^−８［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下とする
。

基板１０３は透光性を有し、少なくとも素子層１０１が有する発光素子の発する光を透過
する。基板１０３は可撓性を有していてもよい。また、基板１０３の屈折率は、大気の屈
折率よりも高い。

ガラスに比べて有機樹脂は比重が小さいため、基板１０３として有機樹脂を用いると、ガ
ラスを用いる場合に比べて発光装置を軽量化でき、好ましい。

可撓性及び可視光に対する透過性を有する材料としては、例えば、可撓性を有する程度の
厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（
ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチ
ルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ
）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド
樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが
好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いるこ
とができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に
混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。

基板１０３としては、上記材料を用いた層が、発光装置の表面を傷などから保護するハー
ドコート層（例えば、窒化シリコン層など）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、ア
ラミド樹脂層など）等と積層されて構成されていてもよい。また、水分等による発光素子
の寿命の低下等を抑制するために、前述の透水性の低い絶縁膜を有していてもよい。

接着層１０５は、透光性を有し、少なくとも素子層１０１が有する発光素子の発する光を
透過する。また、接着層１０５の屈折率は、大気の屈折率よりも高い。

接着層１０５には、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬
化性の樹脂などの樹脂を用いることができる。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シ
リコーン樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材
料が好ましい。

また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化
カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いる
ことができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸
着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が発光素子に侵
入することを抑制でき、発光装置の信頼性が向上するため好ましい。

また、上記樹脂に屈折率の高いフィラー（酸化チタン等）を混合することにより、発光素
子からの光取り出し効率を向上させることができ、好ましい。

また、接着層１０５には、光を散乱させる散乱部材を有していてもよい。例えば、接着層
１０５には、上記樹脂と上記樹脂と屈折率が異なる粒子との混合物を用いることもできる
。該粒子は光の散乱部材として機能する。

樹脂と、該樹脂と屈折率の異なる粒子は、屈折率の差が０．１以上あることが好ましく、
０．３以上あることがより好ましい。具体的には樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル
樹脂、イミド樹脂、シリコーン等を用いることができる。また粒子としては、酸化チタン
、酸化バリウム、ゼオライト等を用いることができる。

酸化チタンおよび酸化バリウムの粒子は、光を散乱させる性質が強く好ましい。またゼオ
ライトを用いると、樹脂等の有する水を吸着することができ、発光素子の信頼性を向上さ
せることができる。

散乱部材として十分に機能させるため、粒子の粒径は可視光の波長よりも大きいことが好
ましい。また、一次粒径が可視光の波長より小さくても、これらが凝集した二次粒子を形
成することで散乱部材として機能させてもよい。具体的には粒子の粒径は０．０５μｍ以
上５μｍ以下が好ましく、０．１μｍ以上２μｍ以下がより好ましい。また、接着層１０
５の厚さの１／２より小さいことが好ましい。

接着層１０５のヘイズ値が５０％以下、より好ましくは３０％以下、さらに好ましくは１
０％以下となるように、散乱部材を有することが好ましい。

樹脂と粒子の混合比率は、樹脂の屈折率と、粒子の粒径および屈折率とにより適宜調整す
ることができるが、たとえば樹脂に対して１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下とすることができ
る。

発光素子が有する反射性の導電膜が、等間隔で複数並ぶことになる。高精細化の進んだ発
光装置では、画素密度、すなわち解像度が２５０ｐｐｉ以上、さらには３００ｐｐｉ以上
となることもある。このように微細な幅で、等間隔に反射性の導電膜が並ぶと、外部の光
が該導電膜で反射したとき、その反射光が回折格子の原理で画面に縞模様を発生させると
いう問題が生じる。また外部の景色が該導電膜で反射して画面に写り込んでしまうという
問題も生じる。

接着層１０５が散乱部材を有することで、発光装置の外部の光が発光素子を構成する電極
で反射しても、その反射光は接着層１０５を通過する際に散乱する。そのため本発明の一
態様の発光装置において画面に縞模様を生じにくくさせることができる。また、外部の景
色の写り込みを抑制することができる。

また、接着層１０５が散乱部材を有する構成とすると、基板１０３の外側に光を散乱させ
る構成を設ける場合に比べて、カラーフィルタから近い位置で光を散乱させることができ
る。そのため発光素子から取り出された光がぼけて発光装置の表示が不鮮明になることを
抑制できる。具体的には、カラーフィルタから光が取り出される側に１００μｍ以下、よ
り好ましくは１０μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以下の領域に散乱部材を有する層を
設けることが好ましい。これにより、発光がぼけて発光装置の表示が不鮮明になることを
抑制できる。

このように接着層１０５が散乱部材を有する構成は、隣接する発光素子との距離が近く、
反射光により画面に縞模様が生じやすい高精細な発光装置、具体的には解像度が２５０ｐ
ｐｉ以上、２５６ｐｐｉ以上、または３００ｐｐｉ以上の発光装置により好適である。

絶縁体１０７には、基板１０３や接着層１０５に用いることができる有機樹脂を用いるこ
とができる。また、無機絶縁膜を用いてもよい。絶縁体１０７の透光性の有無は問わない
。ただし、図２（Ｃ）のように、発光装置の光が取り出される面において、絶縁体１０７
が基板１０３を覆う場合は、透光性を有する絶縁材料を用いる。なお、基板１０３と絶縁
体１０７が接着剤等によって貼り合わされていてもよい。

蓄電装置１１１は、電力を蓄える機能を有する蓄電池やコンデンサを有する。例えば、ゲ
ル状電解質を用いるリチウムポリマー電池等のリチウム二次電池、リチウムイオン電池、
ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル
亜鉛電池、銀亜鉛電池などの二次電池や、大容量のコンデンサ（例えば、積層セラミック
コンデンサ、電気二重層コンデンサなど）を有する。

保護層１１５には、例えば基板１０３と同様の材料を用いることができる。また、保護層
１１５の透光性の有無は問わない。厚さの薄い金属材料や合金材料を用いてもよい。

以上に示したように、本発明の一態様の発光装置は、基板の少なくとも一部が素子層側に
曲がっているため、破損しにくい。また、基板に有機樹脂等を用いることで、軽量な発光
装置を実現できる。したがって、本発明の一態様では、携帯性やハンドリング性が高い発
光装置を実現できる。

また、本発明の一態様の発光装置では、接着層１０５に散乱部材を有することで、反射光
により画面に縞模様が発生することを抑制できる。縞模様の発生を抑制するために、円偏
光板等を設けることもできるが、円偏光板を設けると、発光素子から取り出される光量も
大幅に減少してしまう。すると発光装置として必要な輝度を得るためには発光素子の輝度
を上げることになり、発光装置の消費電力が増加する。本発明の一態様では、発光素子か
ら取り出される光量を低下させることなく縞模様の発生を抑制できる。したがって、本発
明の一態様を適用することで、光取り出し効率が高く、消費電力の低い発光装置とするこ
とができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図３〜図８を用いて説明する。

＜具体例１＞
図３（Ａ）に実施の形態１で例示した発光装置１５０（図２（Ｂ））の平面図を示し、図
３（Ａ）における一点鎖線Ａ１−Ａ２間の断面図の一例を図３（Ｂ）に示す。

図３（Ｂ）に示す発光装置は、素子層１０１、接着層１０５、基板１０３を有する。素子
層１０１は、基板２０１、接着層２０３、絶縁層２０５、複数のトランジスタ、導電層１
５７、絶縁層２０７、絶縁層２０９、複数の発光素子、絶縁層２１１、封止層２１３、絶
縁層２６１、着色層２５９、遮光層２５７、及び絶縁層２５５を有する。

導電層１５７は、接続体２１５を介してＦＰＣ１０８と電気的に接続する。

発光素子２３０は、下部電極２３１、ＥＬ層２３３、及び上部電極２３５を有する。下部
電極２３１は、トランジスタ２４０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する。
下部電極２３１の端部は、絶縁層２１１で覆われている。発光素子２３０はトップエミッ
ション構造である。上部電極２３５は透光性を有し、ＥＬ層２３３が発する光を透過する
。

発光素子２３０と重なる位置に、着色層２５９が設けられ、絶縁層２１１と重なる位置に
遮光層２５７が設けられている。着色層２５９及び遮光層２５７は絶縁層２６１で覆われ
ている。発光素子２３０と絶縁層２６１の間は封止層２１３で充填されている。

発光装置は、光取り出し部１０４及び駆動回路部１０６に、トランジスタ２４０等の複数
のトランジスタを有する。トランジスタ２４０は、絶縁層２０５上に設けられている。絶
縁層２０５と基板２０１は接着層２０３によって貼り合わされている。また、絶縁層２５
５と基板１０３は接着層１０５によって貼り合わされている。絶縁層２０５や絶縁層２５
５に透水性の低い膜を用いると、発光素子２３０やトランジスタ２４０に水等の不純物が
侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が高くなるため好ましい。接着層２０３は、
接着層１０５と同様の材料を用いることができる。

具体例１では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層２０５やトランジスタ２４０、発光素子
２３０を作製し、該作製基板を剥離し、接着層２０３を用いて基板２０１上に絶縁層２０
５やトランジスタ２４０、発光素子２３０を転置することで作製できる発光装置を示して
いる。また、具体例１では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層２５５、着色層２５９及び
遮光層２５７を作製し、該作製基板を剥離し、接着層１０５を用いて基板１０３上に絶縁
層２５５、着色層２５９及び遮光層２５７を転置することで作製できる発光装置を示して
いる。

基板に、耐熱性が低い材料（樹脂など）を用いる場合、作製工程で基板に高温をかけるこ
とが難しいため、該基板上にトランジスタや絶縁膜を作製する条件に制限がある。また、
発光装置の基板に透水性が高い材料（樹脂など）を用いる場合、基板と発光素子の間に、
高温をかけて、透水性の低い膜を形成することが好ましい。本実施の形態の作製方法では
、耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて、信頼性
の高いトランジスタや十分に透水性の低い絶縁膜を形成することができる。そして、それ
らを耐熱性の低い基板へと転置することで、信頼性の高い発光装置を作製できる。これに
より、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光装置を実現でき
る。作製方法の詳細は後述する。

基板１０３及び基板２０１には、それぞれ、靱性が高い材料を用いることが好ましい。こ
れにより、耐衝撃性に優れ、破損しにくい発光装置を実現できる。例えば、基板１０３を
有機樹脂基板とし、基板２０１を厚さの薄い金属材料や合金材料を用いた基板とすること
で、基板にガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しにくい発光装置を実現
できる。

金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、発光装置
の局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料や合金材料を用いた基板
の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であるこ
とがより好ましい。

また、基板２０１に、熱放射率が高い材料を用いると発光装置の表面温度が高くなること
を抑制でき、発光装置の破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板２０１を金属基
板と熱放射率の高い層（例えば、金属酸化物やセラミック材料を用いることができる）の
積層構造としてもよい。

＜具体例２＞
図４（Ａ）に本発明の一態様の発光装置における光取り出し部１０４の別の例を示す。図
４（Ａ）の発光装置は、タッチ操作が可能な発光装置である。なお、以下の各具体例では
、具体例１と同様の構成については説明を省略する。

図４（Ａ）に示す発光装置は、素子層１０１、接着層１０５、基板１０３を有する。素子
層１０１は、基板２０１、接着層２０３、絶縁層２０５、複数のトランジスタ、絶縁層２
０７、絶縁層２０９、複数の発光素子、絶縁層２１１、絶縁層２１７、封止層２１３、絶
縁層２６１、着色層２５９、遮光層２５７、複数の受光素子、導電層２８１、導電層２８
３、絶縁層２９１、絶縁層２９３、絶縁層２９５、及び絶縁層２５５を有する。

具体例２では、絶縁層２１１上に絶縁層２１７を有する。絶縁層２１７を設けることで、
基板１０３と基板２０１の間隔を調整することができる。

図４（Ａ）では、絶縁層２５５及び封止層２１３の間に受光素子を有する例を示す。発光
装置の非発光領域（例えばトランジスタや配線が設けられた領域など、発光素子が設けら
れていない領域）に重ねて受光素子を配置することができるため、画素（発光素子）の開
口率を低下させることなく発光装置にタッチセンサを設けることができる。

本発明の一態様の発光装置が有する受光素子には、例えば、ｐｎ型又はｐｉｎ型のフォト
ダイオードを用いることができる。本実施の形態では、受光素子として、ｐ型半導体層２
７１、ｉ型半導体層２７３、及びｎ型半導体層２７５を有するｐｉｎ型のフォトダイオー
ドを用いる。

なお、ｉ型半導体層２７３は、含まれるｐ型を付与する不純物及びｎ型を付与する不純物
がそれぞれ１×１０^２０ｃｍ^−３以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が１００
倍以上である。ｉ型半導体層２７３には、周期表第１３族もしくは第１５族の不純物元素
を有するものもその範疇に含む。すなわち、ｉ型の半導体は、価電子制御を目的とした不
純物元素を意図的に添加しないときに弱いｎ型の電気伝導性を示すので、ｉ型半導体層２
７３は、ｐ型を付与する不純物元素を、成膜時或いは成膜後に、意図的もしくは非意図的
に添加されたものをその範疇に含む。

遮光層２５７は、受光素子よりも基板２０１側に位置しており、受光素子と重なる。受光
素子と封止層２１３との間に位置する遮光層２５７によって、発光素子２３０の発する光
が受光素子に照射されることを抑制できる。

導電層２８１及び導電層２８３は、それぞれ受光素子と電気的に接続する。導電層２８１
は、受光素子に入射する光を透過する導電層を用いることが好ましい。導電層２８３は、
受光素子に入射する光を遮る導電層を用いることが好ましい。

光学式タッチセンサを基板１０３と封止層２１３の間に有すると、発光素子２３０の発光
の影響を受けにくく、Ｓ／Ｎ比を向上させることができるため、好ましい。

＜具体例３＞
図４（Ｂ）に本発明の一態様の発光装置における光取り出し部１０４の別の例を示す。図
４（Ｂ）の発光装置は、タッチ操作が可能な発光装置である。

図４（Ｂ）に示す発光装置は、素子層１０１、接着層１０５、基板１０３を有する。素子
層１０１は、基板２０１、接着層２０３、絶縁層２０５、複数のトランジスタ、絶縁層２
０７、絶縁層２０９ａ、絶縁層２０９ｂ、複数の発光素子、絶縁層２１１、絶縁層２１７
、封止層２１３、着色層２５９、遮光層２５７、複数の受光素子、導電層２８０、導電層
２８１、及び絶縁層２５５を有する。

図４（Ｂ）では、絶縁層２０５及び封止層２１３の間に受光素子を有する例を示す。受光
素子を絶縁層２０５及び封止層２１３の間に設けることで、トランジスタ２４０を構成す
る導電層や半導体層と同一の材料、同一の工程で、受光素子と電気的に接続する導電層や
受光素子を構成する光電変換層を作製できる。したがって、作製工程を大きく増加させる
ことなく、タッチ操作が可能な発光装置を作製できる。

＜具体例４＞
図５（Ａ）に本発明の一態様の発光装置の別の例を示す。図５（Ａ）の発光装置は、タッ
チ操作が可能な発光装置である。

図５（Ａ）に示す発光装置は、素子層１０１、接着層１０５、基板１０３を有する。素子
層１０１は、基板２０１、接着層２０３、絶縁層２０５、複数のトランジスタ、導電層１
５６、導電層１５７、絶縁層２０７、絶縁層２０９、複数の発光素子、絶縁層２１１、絶
縁層２１７、封止層２１３、着色層２５９、遮光層２５７、絶縁層２５５、導電層２７２
、導電層２７４、絶縁層２７６、絶縁層２７８、導電層２９４、及び導電層２９６を有す
る。

図５（Ａ）では、絶縁層２５５及び封止層２１３の間に静電容量式のタッチセンサを有す
る例を示す。静電容量式のタッチセンサは、導電層２７２及び導電層２７４を有する。

導電層１５６及び導電層１５７は、接続体２１５を介してＦＰＣ１０８と電気的に接続す
る。導電層２９４及び導電層２９６は、導電性粒子２９２を介して導電層２７４と電気的
に接続する。したがって、ＦＰＣ１０８を介して静電容量式のタッチセンサを駆動するこ
とができる。

＜具体例５＞
図５（Ｂ）に本発明の一態様の発光装置の別の例を示す。図５（Ｂ）の発光装置は、タッ
チ操作が可能な発光装置である。

図５（Ｂ）に示す発光装置は、素子層１０１、接着層１０５、基板１０３を有する。素子
層１０１は、基板２０１、接着層２０３、絶縁層２０５、複数のトランジスタ、導電層１
５６、導電層１５７、絶縁層２０７、絶縁層２０９、複数の発光素子、絶縁層２１１、絶
縁層２１７、封止層２１３、着色層２５９、遮光層２５７、絶縁層２５５、導電層２７０
、導電層２７２、導電層２７４、絶縁層２７６、及び絶縁層２７８を有する。

図５（Ｂ）では、絶縁層２５５及び封止層２１３の間に静電容量式のタッチセンサを有す
る例を示す。静電容量式のタッチセンサは、導電層２７２及び導電層２７４を有する。

導電層１５６及び導電層１５７は、接続体２１５ａを介してＦＰＣ１０８ａと電気的に接
続する。導電層２７０は、接続体２１５ｂを介してＦＰＣ１０８ｂと電気的に接続する。
したがって、ＦＰＣ１０８ａを介して発光素子２３０やトランジスタ２４０を駆動し、Ｆ
ＰＣ１０８ｂを介して静電容量式のタッチセンサを駆動することができる。

＜具体例６＞
図６（Ａ）に本発明の一態様の発光装置における光取り出し部１０４の別の例を示す。

図６（Ａ）に示す発光装置は、素子層１０１、基板１０３、接着層１０５を有する。素子
層１０１は、基板２０２、絶縁層２０５、複数のトランジスタ、絶縁層２０７、導電層２
０８、絶縁層２０９ａ、絶縁層２０９ｂ、複数の発光素子、絶縁層２１１、封止層２１３
、及び着色層２５９を有する。

発光素子２３０は、下部電極２３１、ＥＬ層２３３、及び上部電極２３５を有する。下部
電極２３１は、導電層２０８を介してトランジスタ２４０のソース電極又はドレイン電極
と電気的に接続する。下部電極２３１の端部は、絶縁層２１１で覆われている。発光素子
２３０はボトムエミッション構造である。下部電極２３１は透光性を有し、ＥＬ層２３３
が発する光を透過する。

発光素子２３０と重なる位置に、着色層２５９が設けられ、発光素子２３０が発する光は
、着色層２５９を介して基板１０３側に取り出される。発光素子２３０と基板２０２の間
は封止層２１３で充填されている。基板２０２は、前述の基板２０１と同様の材料を用い
て作製できる。

＜具体例７＞
図６（Ｂ）に本発明の一態様の発光装置の別の例を示す。

図６（Ｂ）に示す発光装置は、素子層１０１、接着層１０５、基板１０３を有する。素子
層１０１は、基板２０２、絶縁層２０５、導電層３１０ａ、導電層３１０ｂ、複数の発光
素子、絶縁層２１１、導電層２１２、及び封止層２１３を有する。

導電層３１０ａ及び導電層３１０ｂは、発光装置の外部接続電極であり、ＦＰＣ等と電気
的に接続させることができる。

発光素子２３０は、下部電極２３１、ＥＬ層２３３、及び上部電極２３５を有する。下部
電極２３１の端部は、絶縁層２１１で覆われている。発光素子２３０はボトムエミッショ
ン構造である。下部電極２３１は透光性を有し、ＥＬ層２３３が発する光を透過する。導
電層２１２は、下部電極２３１と電気的に接続する。

基板１０３は、光取り出し構造として、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、凹凸構造が
施されたフィルム、光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基板上に上記レ
ンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接着
剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を有する基板１０３を形成することができ
る。

導電層２１２は必ずしも設ける必要は無いが、下部電極２３１の抵抗に起因する電圧降下
を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極２３５と電気
的に接続する導電層を絶縁層２１１上、ＥＬ層２３３上、又は上部電極２３５上などに設
けてもよい。

導電層２１２は、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム
、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする合
金材料等を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層２１２の膜厚は、
例えば０．１μｍ以上３μｍ以下とすることができ、好ましくは、０．１μｍ以上０．５
μｍ以下である。

上部電極２３５と電気的に接続する導電層の材料にペースト（銀ペーストなど）を用いる
と、該導電層を構成する金属が粒状になって凝集する。そのため、該導電層の表面が粗く
隙間の多い構成となり、例えば、絶縁層２１１上に該導電層を形成しても、ＥＬ層２３３
が該導電層を完全に覆うことが難しく、上部電極と該導電層との電気的な接続をとること
が容易になり好ましい。

＜材料の一例＞
次に、本発明の一態様の発光装置に用いることができる材料等を説明する。基板１０３及
び接着層１０５については実施の形態１の記載を参酌できるため説明を省略する。また、
本実施の形態中で先に説明した構成についても説明を省略する。

発光装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、スタガ型のトランジ
スタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又
はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる半導
体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム等が挙げられる。または、Ｉ
ｎ−Ｇａ−Ｚｎ系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一つ
を含む酸化物半導体を用いてもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結
晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域
を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジ
スタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

発光装置が有する発光素子は、一対の電極（下部電極２３１及び上部電極２３５）と、該
一対の電極間に設けられたＥＬ層２３３とを有する。該一対の電極の一方は陽極として機
能し、他方は陰極として機能する。

発光素子は、トップエミッション構造、ボトムエミッション構造、デュアルエミッション
構造のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用
いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好
ましい。

可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉ
ｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加
した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、
ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしく
はチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物（例え
ば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。
また、上記材料の積層膜を導電膜として用いることができる。例えば、銀とマグネシウム
の合金とＩＴＯの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。ま
た、グラフェン等を用いてもよい。

可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングス
テン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又は
これら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタ
ン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタ
ンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミニ
ウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、銀
とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む合
金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金属
酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属
膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可
視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とＩＴＯの
積層膜、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いることができる。

電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、イン
クジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成
することができる。

下部電極２３１及び上部電極２３５の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加する
と、ＥＬ層２３３に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入され
た電子と正孔はＥＬ層２３３において再結合し、ＥＬ層２３３に含まれる発光物質が発光
する。

ＥＬ層２３３は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層２３３は、発光層以外の層として、正
孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質
、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物
質）等を含む層をさらに有していてもよい。

ＥＬ層２３３には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機
化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層２３３を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着
法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができ
る。

絶縁層２０５、絶縁層２５５には、無機絶縁材料を用いることができる。特に、前述の透
水性の低い絶縁膜を用いると、信頼性の高い発光装置を実現できるため好ましい。

絶縁層２０７は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏す
る。絶縁層２０７としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒
化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。

絶縁層２０９、絶縁層２０９ａ、及び絶縁層２０９ｂとしては、それぞれ、トランジスタ
起因等の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁膜を選択するのが好適である
。例えば、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料を用いること
ができる。また、上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いること
ができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜や無機絶縁膜を用いた積層構造として
もよい。

絶縁層２１１は、下部電極２３１の端部を覆って設けられている。絶縁層２１１の上層に
形成されるＥＬ層２３３や上部電極２３５の被覆性を良好なものとするため、絶縁層２１
１の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となることが好ましい。

絶縁層２１１の材料としては、樹脂又は無機絶縁材料を用いることができる。樹脂として
は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキ
シ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に、絶縁層２１１の作製が容易
となるため、ネガ型の感光性樹脂、あるいはポジ型の感光性樹脂を用いることが好ましい
。

絶縁層２１１の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、
蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷
等）等を用いればよい。

絶縁層２１７は、無機絶縁材料又は有機絶縁材料等を用いて形成することができる。例え
ば、有機絶縁材料としては、ネガ型やポジ型の感光性樹脂、非感光性樹脂などを用いるこ
とができる。また、絶縁層２１７にかえて、導電層を形成してもよい。例えば、金属材料
を用いて形成することができる。金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いる
ことができる。絶縁層２１７の代わりに導電層を用い、導電層と上部電極２３５とを電気
的に接続させる構成とすることで、上部電極２３５の抵抗に起因した電位降下を抑制でき
る。また、絶縁層２１７は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。

絶縁層２７６、絶縁層２７８、絶縁層２９１、絶縁層２９３、絶縁層２９５は、それぞれ
、無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いて形成できる。特に絶縁層２７８や絶縁層２９５
は、センサ素子起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁層を用いること
が好ましい。

封止層２１３には、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬
化性の樹脂などの樹脂を用いることができる。例えば、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）
樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビ
ニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を用いることができる
。封止層２１３に乾燥剤が含まれていてもよい。また、封止層２１３を通過して発光素子
２３０の光が発光装置の外に取り出される場合は、封止層２１３に屈折率の高いフィラー
や散乱部材を含むことが好ましい。乾燥剤、屈折率の高いフィラー、散乱部材については
、接着層１０５に用いることができる材料と同様の材料が挙げられる。

導電層１５６、導電層１５７、導電層２９４、及び導電層２９６は、それぞれ、トランジ
スタ又は発光素子を構成する導電層と同一の材料、同一の工程で形成できる。また、導電
層２８０は、トランジスタを構成する導電層と同一の材料、同一の工程で形成できる。

例えば、上記導電層は、それぞれ、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステ
ン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合
金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、上記導電層は、それ
ぞれ、導電性の金属酸化物を用いて形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化イ
ンジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３等）、酸化スズ（ＳｎＯ_２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＴＯ、イ
ンジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ等）又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコ
ンを含ませたものを用いることができる。

また、導電層２０８、導電層２１２、導電層３１０ａ及び導電層３１０ｂも、それぞれ、
上記金属材料、合金材料、又は導電性の金属酸化物等を用いて形成できる。

導電層２７２及び導電層２７４、並びに、導電層２８１及び導電層２８３は、透光性を有
する導電層である。例えば、酸化インジウム、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛
、ガリウムを添加した酸化亜鉛等を用いることができる。また、導電層２７０は導電層２
７２と同一の材料、同一の工程で形成できる。

導電性粒子２９２は、有機樹脂またはシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したもの
を用いる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。
またニッケルをさらに金で被覆するなど、２種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子
を用いることが好ましい。

接続体２１５としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート
状の、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子として
は、例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、２種類以上の金属が層状となった粒子
を用いることが好ましい。

着色層２５９は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の
光を透過する赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色（Ｇ）の
カラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）のカラーフィルタなどを用い
ることができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォト
リソグラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。

また、隣接する着色層２５９の間に、遮光層２５７が設けられている。遮光層２５７は隣
接する発光素子から回り込む光を遮光し、隣接画素間における混色を抑制する。ここで、
着色層２５９の端部を、遮光層２５７と重なるように設けることにより、光漏れを抑制す
ることができる。遮光層２５７は、発光素子の発光を遮光する材料を用いることができ、
金属材料や顔料や染料を含む樹脂材料などを用いて形成することができる。なお、図３（
Ｂ）に示すように、遮光層２５７を駆動回路部１０６などの光取り出し部１０４以外の領
域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。

また、着色層２５９と遮光層２５７を覆う絶縁層２６１を設けると、着色層２５９や遮光
層２５７に含まれる顔料などの不純物が発光素子等に拡散することを抑制できるため好ま
しい。絶縁層２６１は透光性の材料を用い、無機絶縁材料や有機絶縁材料を用いることが
できる。絶縁層２６１に前述の透水性の低い絶縁膜を用いてもよい。なお、絶縁層２６１
は不要であれば設けなくてもよい。

＜作製方法例＞
次に、本発明の一態様の発光装置の作製方法を図７及び図８を用いて例示する。ここでは
、具体例１（図３（Ｂ））の構成の発光装置を例に挙げて説明する。

まず、作製基板３０１上に剥離層３０３を形成し、剥離層３０３上に絶縁層２０５を形成
する。次に、絶縁層２０５上に複数のトランジスタ、導電層１５７、絶縁層２０７、絶縁
層２０９、複数の発光素子、及び絶縁層２１１を形成する。なお、導電層１５７が露出す
るように、絶縁層２１１、絶縁層２０９、及び絶縁層２０７は開口する（図７（Ａ））。

また、作製基板３０５上に剥離層３０７を形成し、剥離層３０７上に絶縁層２５５を形成
する。次に、絶縁層２５５上に遮光層２５７、着色層２５９、及び絶縁層２６１を形成す
る（図７（Ｂ））。

作製基板３０１及び作製基板３０５としては、それぞれ、ガラス基板、石英基板、サファ
イア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。

また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス
、バリウムホウケイ酸ガラス等のガラス材料を用いることができる。後の加熱処理の温度
が高い場合には、歪み点が７３０℃以上のものを用いるとよい。なお、酸化バリウム（Ｂ
ａＯ）を多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。他にも、結晶化ガラ
スなどを用いることができる。

作製基板にガラス基板を用いる場合、作製基板と剥離層との間に、酸化シリコン膜、酸化
窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラス
基板からの汚染を防止でき、好ましい。

剥離層３０３及び剥離層３０７としては、それぞれ、タングステン、モリブデン、チタン
、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム
、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合
金材料、又は該元素を含む化合物材料からなり、単層又は積層された層である。シリコン
を含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。

剥離層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により形成できる。
なお、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。

剥離層が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデ
ンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは酸
化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステン
とモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、タ
ングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当
する。

また、剥離層として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造
を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁膜
を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む層
が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理
、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶
液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処
理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混合
気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層の表面状態を
変えることにより、剥離層と後に形成される絶縁層との密着性を制御することが可能であ
る。

各絶縁層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成する
ことが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以上４００℃
以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。

その後、作製基板３０５の着色層２５９等が設けられた面又は作製基板３０１の発光素子
２３０等が設けられた面に封止層２１３となる材料を塗布し、封止層２１３を介して該面
同士が対向するように、作製基板３０１及び作製基板３０５を貼り合わせる（図７（Ｃ）
）。

そして、作製基板３０１を剥離し、露出した絶縁層２０５と基板２０１を、接着層２０３
を用いて貼り合わせる。また、作製基板３０５を剥離し、露出した絶縁層２５５と基板１
０３を、接着層１０５を用いて貼り合わせる。図８（Ａ）では、基板１０３が導電層１５
７と重ならない構成としたが、導電層１５７と基板１０３が重なっていてもよい。

なお、剥離工程は、様々な方法を適宜用いることができる。例えば、剥離層として、被剥
離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、当該金属酸化膜を結晶化により
脆弱化して、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、耐熱性の高い作製基
板と被剥離層の間に、剥離層として水素を含む非晶質珪素膜を形成した場合はレーザ光の
照射又はエッチングにより当該非晶質珪素膜を除去することで、被剥離層を作製基板から
剥離することができる。また、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層
を形成し、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さらに剥離層の一部を溶液やＮＦ_３
、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等のフッ化ガスを用いたエッチングで除去した後、脆弱化された金
属酸化膜において剥離することができる。さらには、剥離層として窒素、酸素や水素等を
含む膜（例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など）を用
い、剥離層にレーザ光を照射して剥離層内に含有する窒素、酸素や水素をガスとして放出
させ被剥離層と基板との剥離を促進する方法を用いてもよい。また、被剥離層が形成され
た作製基板を機械的に除去又は溶液やＮＦ_３、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等のフッ化ガスによる
エッチングで除去する方法等を用いることができる。この場合、剥離層を設けなくともよ
い。

また、上記剥離方法を複数組み合わせることでより容易に剥離工程を行うことができる。
つまり、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフやメ
スなどによる機械的な除去を行い、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、
物理的な力（機械等による）によって剥離を行うこともできる。

また、剥離層と被剥離層との界面に液体を浸透させて作製基板から被剥離層を剥離しても
よい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。

その他の剥離方法としては、剥離層をタングステンで形成した場合は、アンモニア水と過
酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うとよい。

なお、作製基板と被剥離層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。
例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド、ポリエステル、ポリ
オレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート、アクリル等の有機樹脂を形成し、有機樹脂
上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。この場合、有機樹脂を加熱することにより、作
製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。又は、作製基板と有機樹脂の間に金属
層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥
離を行ってもよい。

最後に、絶縁層２５５及び封止層２１３を開口することで、導電層１５７を露出させる（
図８（Ｂ））。このときの平面図を図１３（Ａ）に示す。なお、基板１０３が導電層１５
７と重なる構成の場合は、導電層１５７を露出させるために、基板１０３及び接着層１０
５も開口する（図８（Ｃ））。開口の手段は特に限定されず、例えばレーザアブレーショ
ン法、エッチング法、イオンビームスパッタリング法などを用いればよい。また、導電層
１５７上の膜に鋭利な刃物等を用いて切り込みを入れ、物理的な力で膜の一部を引き剥が
してもよい。

以上により、本発明の一態様の発光装置を作製することができる。

以上に示したように、本発明の一態様の発光装置は、基板１０３と、基板２０１又は基板
２０２と、の２枚の基板で構成される。さらにタッチセンサを含む構成であっても、２枚
の基板で構成することができる。基板の数を最低限とすることで、光の取り出し効率の向
上や表示の鮮明さの向上が容易となる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図９を用いて説明する。

図９に示す発光装置は、基板４０１、トランジスタ２４０、発光素子２３０、絶縁層２０
７、絶縁層２０９、絶縁層２１１、絶縁層２１７、空間４０５、絶縁層２６１、遮光層２
５７、着色層２５９、受光素子（ｐ型半導体層２７１、ｉ型半導体層２７３、及びｎ型半
導体層２７５を有する）、導電層２８１、導電層２８３、絶縁層２９１、絶縁層２９３、
絶縁層２９５、及び基板４０３を有する。

該発光装置は、基板４０１及び基板４０３の間に、発光素子２３０及び受光素子を囲むよ
うに枠状に配置された接着層（図示しない）を有する。該接着層、基板４０１及び基板４
０３によって、発光素子２３０は封止されている。

本実施の形態の発光装置では、基板４０３が透光性を有する。発光素子２３０の発する光
は、着色層２５９、基板４０３等を介して、大気に取り出される。

本実施の形態の発光装置は、タッチ操作が可能な発光装置である。具体的には、受光素子
を用いて、基板４０３の表面への被検出物の近接又は接触を検知できる。

光学式タッチセンサは、被検出物が接触する表面に傷等がついても検出精度に影響が無い
ため、耐久性が高く好ましい。また、光学式タッチセンサは、非接触によるセンシングが
可能である、表示装置に適用しても画像の鮮明さが低下しない、大型の発光装置や表示装
置への適用が可能である等の利点もある。

光学式タッチセンサを基板４０３と空間４０５の間に有すると、発光素子２３０の発光の
影響を受けにくく、Ｓ／Ｎ比を向上させることができるため、好ましい。

遮光層２５７は受光素子よりも基板４０１側に位置しており、受光素子と重なる。遮光層
２５７によって、発光素子２３０の発する光が受光素子に照射されることを抑制できる。

基板４０１及び基板４０３に用いる材料に特に限定はない。発光素子からの光を取り出す
側の基板には該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファ
イア、有機樹脂などの材料を用いることができる。発光を取り出さない側の基板は、透光
性を有していなくてもよいため、上記に挙げた基板の他に、金属材料や合金材料を用いた
金属基板等を用いることもできる。また、基板４０１及び基板４０３には、先の実施の形
態で例示した基板の材料も用いることができる。

発光装置の封止方法は限定されず、例えば、固体封止であっても中空封止であってもよい
。例えば、封止材として、ガラスフリットなどのガラス材料や、二液混合型の樹脂などの
常温で硬化する樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬化性の樹脂などの樹脂材料を用いることがで
きる。空間４０５は、窒素やアルゴンなどの不活性な気体で充填されていてもよく、封止
層２１３と同様の樹脂等で充填されていてもよい。また、樹脂内に前述の乾燥剤、屈折率
の高いフィラー、又は散乱部材が含まれていてもよい。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

本実施例では、本発明の一態様の発光装置について説明する。

本実施例では、まず、素子層１０１、接着層１０５、及び基板１０３を積層した。これら
の積層構造の厚さは１４０μｍであった。そして、基板１０３の端部及び素子層１０１の
端部を、発光装置の光が取り出される面と対向する面側に曲げた。その後、絶縁体１０７
を設けた。絶縁体１０７が、素子層１０１、基板１０３、及び接着層１０５の側面を覆う
ことで、素子層１０１に水分等の不純物が侵入することを抑制できる。また、絶縁体１０
７により、素子層１０１とＦＰＣ１０８の接続部１１９を補強することで、発光装置の信
頼性を高めることができる。

本実施例で作製した発光装置の平面図を図１０（Ａ）に示し、図１０（Ａ）の一点鎖線Ａ
３−Ａ４間及びＡ５−Ａ６間の断面図を図１０（Ｂ）に示す。

なお、本実施例で作製した発光装置において、実施の形態２で説明した具体例２（図４（
Ａ））と同様の構成については、説明を省略する場合がある。

本実施例の発光装置は、図１０（Ａ）に示すように、光取り出し部１０４、接続部１１２
、ゲート線駆動回路１１３、ゲートパッド部１１４、ソースパッド部１１６、接続部１１
９、ソース線駆動回路用のＩＣ１１８、ＦＰＣ１０８を有する。

図１０（Ｂ）に示す光取り出し部１０４の構成は、図４（Ａ）と同様であるため、説明を
省略する。

図１０（Ｂ）に示す接続部１１２では、発光素子２３０の下部電極２３１と同一の材料、
同一の工程で作製された導電層２３４と上部電極２３５が積層され、電気的に接続してい
る。上部電極２３５は、絶縁層２１１の開口部で導電層２３４と接続している。

図１０（Ｂ）に示すゲートパッド部１１４では、トランジスタ２４０のゲート電極と同一
の材料、同一の工程で作製されたゲートライン２４１と、トランジスタ２４０のソース電
極及びドレイン電極と同一の材料、同一の工程で作製された導電層２４４と、発光素子２
３０の下部電極２３１と同一の材料、同一の工程で作製された導電層２３２と、が積層さ
れ、電気的に接続している。導電層２４４は、ゲート絶縁膜２４２の開口部でゲートライ
ン２４１と接続している。導電層２３２は、絶縁層２０７及び絶縁層２０９の開口部で導
電層２４４と接続している。

ゲートラインの端部に位置するゲートパッド部１１４や、ソースラインの端部に位置する
ソースパッド部１１６は、トランジスタの検査工程や、発光装置の不良解析に用いること
ができる。例えば、ゲートパッド部１１４では、ゲート線駆動回路１１３からゲートライ
ンに信号が正常に入力されているか、を確認することができる。

導電層２３２上には、絶縁層２１１及び絶縁層２１７を介して発光素子２３０の上部電極
２３５が設けられている。ここで、絶縁層２１１及び絶縁層２１７の膜厚が小さいと、導
電層２３２と上部電極２３５が接続し、ショートしてしまう場合がある。したがって、導
電層２３２と上部電極２３５を電気的に絶縁する絶縁層の厚さは十分に大きいことが好ま
しい。

図１１に、ゲートパッド部１１４の断面をＳＴＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｒａｎｓｍｉ
ｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）で観察した結果を示す。

点線で囲った領域に示す通り、導電層２３２と上部電極２３５が、絶縁層２１１及び絶縁
層２１７の積層構造により電気的に絶縁されていることがわかる。これにより、導電層２
３２と上部電極２３５のショートを抑制し、発光装置の線欠陥を低減することができる。
なお、絶縁層２１１と絶縁層２１７に同一の材料を用いたため、図１１では、絶縁層２１
１と絶縁層２１７の境界は不明瞭となっている。絶縁層２１１と絶縁層２１７は異なる材
料で形成されていてもよい。

図１２（Ａ）に示すように、上記発光装置（図１０（Ａ）、（Ｂ））の端部を、素子層１
０１側に曲げた。図１３（Ｂ）に一点鎖線で示すように、曲げ線は基板の辺に平行である
。ここでは、基板１０３、接着層１０５、及び素子層１０１の端部を、素子層１０１側に
曲げた。側面の曲率半径は４ｍｍとした。また、図１３（Ｂ）に示すように、発光部（光
取り出し部１０４）の一部を曲げ、発光装置が側面においても発光する構成とした。

なお、図１３（Ｃ）に示すように、素子層１０１の基板１０３と重ならない領域の幅を基
板１０３よりも狭くし、基板１０３と重なる領域のみ、素子層１０１の端部を曲げてもよ
い。また、素子層１０１全体の幅を基板１０３よりも狭くし、素子層１０１は曲げない構
成としてもよい。

また、図１２（Ａ）に示す発光装置の裏側（つまり光を取り出す側）の平面図を図１３（
Ｄ）に示す。

そして、図１２（Ａ）に示す形状に変形させた発光装置を、図１２（Ｂ）に示す型２９９
に入れて固定した。型は、１つのパーツからなる構成に限定されず、例えば、図１２（Ｃ
）に示すように、複数のパーツで構成されていてもよい。

型２９９に発光装置を入れた状態（図１２（Ｄ））で、型２９９に樹脂を注ぎ、樹脂を硬
化させることで絶縁体１０７を形成した。本実施例では、樹脂として可視光を透過するエ
ポキシ樹脂を用いた。

絶縁体１０７は、図２（Ａ）に示すように、素子層１０１の下面（発光装置の光が取り出
される面と対向する面）側にのみ形成してもよいし、図２（Ｃ）に示すように、発光装置
の光が取り出される面を覆っていてもよい。例えば、発光装置の光が取り出される面では
、発光装置の光取り出し効率の低下を抑制するため、光取り出し部１０４と重なる領域に
は絶縁体１０７を形成しないことが好ましい。

例えば、基板１０３の表面を保護するセパレートフィルムをつけたまま絶縁体１０７を形
成し、その後セパレートフィルムを剥離することで、発光装置の光が取り出される面の、
光取り出し部１０４と重なる領域に絶縁体１０７が形成されることを抑制できる。

また、発光装置の光が取り出される面側にある、ＦＰＣ１０８の圧着部を補強するために
、接続部１１９と重なる領域には絶縁体１０７を形成することが好ましい。なお、絶縁体
１０７とは異なる樹脂やテープ等で圧着部を補強してもよい。

以上により、発光装置の光が取り出される面側にある基板の少なくとも一部が、素子層側
に曲がっている本発明の一態様の発光装置を作製した（図１２（Ｅ））。

図１２（Ｅ）に示す発光装置の光を取り出す側の平面図を図１３（Ｅ）に示す。なお、絶
縁体１０７が発光装置の光が取り出される面を覆う場合の、発光装置の光を取り出す側の
平面図を図１３（Ｆ）に示す。

図１４（Ａ）、（Ｂ）に実際に作製した本発明の一態様の発光装置を示す。該発光装置の
厚さは８０００μｍであった。

また、本発明の一態様の発光装置は、側面を用いた表示と、側面を用いない表示（正面の
みの表示）を切り替えることができる構成としてもよい。また、側面と正面でそれぞれ独
立に表示をしてもよいし、側面と正面で一つの画像を表示してもよいし、これらが切り替
え可能であってもよい。

また、基板１０３の一つの側面において、側面を含む端部が素子層１０１側に曲がってい
る例を図１５に示す。図１５（Ａ）に本発明の一態様の発光装置１６０を３方向から見た
斜視図を示す。

このような発光装置を用いた携帯情報端末３００を図１５（Ｂ）〜（Ｄ）に示す。図１５
（Ｂ）は、携帯情報端末３００の外形を説明する斜視図である。図１５（Ｃ）は、携帯情
報端末３００の上面図である。図１５（Ｄ）は、携帯情報端末３００の使用状態を説明す
る図である。

携帯情報端末３００は、例えば電話機、電子手帳、又は情報閲覧装置等から選ばれた一つ
又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとして用いることができる。

携帯情報端末３００は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。例えば
、３つの操作ボタン１０９を一の面に表示することができる（図１５（Ｂ））。また、破
線の矩形で示す情報１１７を他の面に表示することができる（図１５（Ｃ））。なお、情
報１１７の例としては、ＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）からの通知
内容、電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名、電子メール
などの送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または
、情報１１７が表示されている位置に、情報１１７の代わりに、操作ボタン１０９、アイ
コンなどを表示してもよい。なお、図１５（Ｂ）、（Ｃ）では、上側に情報１１７が表示
される例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、図１７（Ａ）、
（Ｂ）に示すように、横側に表示されていてもよい。

図１５（Ｃ）に示すように、携帯情報端末３００は、側面に表示を行うことができるため
、使用者は、例えば洋服の胸ポケットに携帯情報端末３００を収納した状態で、その表示
を確認することができる（図１５（Ｄ））。

具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末３００の上方
から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末３００をポケットから取り出す
ことなく、表示を確認することができる。これにより、例えば緊急の要件であれば電話を
受け、不要の要件であれば着信を拒否することができる。

なお、携帯情報端末３００は、振動センサ等と、当該振動センサ等に検知された振動に基
づいて、着信を拒否するモードに移行するプログラムを記憶した記憶装置を備えることが
できる。これにより、使用者は携帯情報端末３００を服の上から軽く叩いて振動を与える
ことにより着信を拒否するモードに移行させることができる。

図１６（Ａ）、（Ｂ）に実際に作製した本発明の一態様の発光装置を示す。なお、素子層
１０１、接着層１０５、及び基板１０３の構成は、図１０（Ａ）、（Ｂ）と同様である。

１００ 発光装置
１０１ 素子層
１０３ 基板
１０４ 光取り出し部
１０５ 接着層
１０６ 駆動回路部
１０７ 絶縁体
１０８ ＦＰＣ
１０８ａ ＦＰＣ
１０８ｂ ＦＰＣ
１０９ 操作ボタン
１１０ 発光装置
１１１ 蓄電装置
１１２ 接続部
１１３ ゲート線駆動回路
１１４ ゲートパッド部
１１５ 保護層
１１６ ソースパッド部
１１７ 情報
１１８ ＩＣ
１１９ 接続部
１２０ 発光装置
１３０ 発光装置
１４０ 発光装置
１５０ 発光装置
１５６ 導電層
１５７ 導電層
１６０ 発光装置
２０１ 基板
２０２ 基板
２０３ 接着層
２０５ 絶縁層
２０７ 絶縁層
２０８ 導電層
２０９ 絶縁層
２０９ａ 絶縁層
２０９ｂ 絶縁層
２１１ 絶縁層
２１２ 導電層
２１３ 封止層
２１５ 接続体
２１５ａ 接続体
２１５ｂ 接続体
２１７ 絶縁層
２３０ 発光素子
２３１ 下部電極
２３２ 導電層
２３３ ＥＬ層
２３４ 導電層
２３５ 上部電極
２４０ トランジスタ
２４１ ゲートライン
２４２ ゲート絶縁膜
２４４ 導電層
２５５ 絶縁層
２５７ 遮光層
２５９ 着色層
２６１ 絶縁層
２７０ 導電層
２７１ ｐ型半導体層
２７２ 導電層
２７３ ｉ型半導体層
２７４ 導電層
２７５ ｎ型半導体層
２７６ 絶縁層
２７８ 絶縁層
２８０ 導電層
２８１ 導電層
２８３ 導電層
２９１ 絶縁層
２９２ 導電性粒子
２９３ 絶縁層
２９４ 導電層
２９５ 絶縁層
２９６ 導電層
３０１ 作製基板
３０３ 剥離層
３０５ 作製基板
３０７ 剥離層
３１０ａ 導電層
３１０ｂ 導電層
４０１ 基板
４０３ 基板
４０５ 空間

Claims (4)

1. 第１の基板と、
   前記第１の基板上方のトランジスタと、
   前記トランジスタ上方の発光素子と、
   前記発光素子上方の樹脂層と、
   前記樹脂層上方の第１の導電層と、
   前記第１の導電層上方の絶縁層と、
   前記絶縁層上方の第２の導電層と、
   前記第２の導電層上方の第２の基板と、を有し、
   前記第１の導電層は、前記絶縁層を介して前記第２の導電層と重なる領域を有し、
   前記第２の基板は、平坦な領域と、前記第１の基板側に曲がった第１の領域と、を有し、
   前記第１の導電層と前記第２の導電層とを用いて前記第２の基板の上面への被検出物の近接または接触を検知する機能を有し、
   ＦＰＣを介して前記第１の導電層と前記第２の導電層とを駆動する機能を有し、
   前記ＦＰＣは、第３の導電層に電気的に接続され、
   前記第３の導電層は、前記平坦な領域と重なる領域に位置し、
   前記第３の導電層は、前記第２の導電層と同一の材料を有する発光装置の作製方法であって、
   前記第３の導電層は、前記第２の導電層と同一の工程を経て作製される発光装置の作製方法。
2. 第１の基板と、
   前記第１の基板上方のトランジスタと、
   前記トランジスタ上方の発光素子と、
   前記発光素子上方の樹脂層と、
   前記樹脂層上方の第１の導電層と、
   前記第１の導電層上方の絶縁層と、
   前記絶縁層上方の第２の導電層と、
   前記第２の導電層上方の第２の基板と、を有し、
   前記第１の導電層は、前記絶縁層を介して前記第２の導電層と重なる領域を有し、
   前記第２の基板は、平坦な領域を有し、
   前記第２の基板は、前記第１の基板側に曲がった第１の領域を有し、
   前記第２の基板は、前記第１の基板側に曲がった第２の領域を有し、
   前記平坦な領域は、前記第１の領域と前記第２の領域との間に位置し、
   前記第１の導電層と前記第２の導電層とを用いて前記第２の基板の上面への被検出物の近接または接触を検知する機能を有し、
   ＦＰＣを介して前記第１の導電層と前記第２の導電層とを駆動する機能を有し、
   前記ＦＰＣは、第３の導電層に電気的に接続され、
   前記第３の導電層は、前記平坦な領域と重なる領域に位置し、
   前記第３の導電層は、前記第２の導電層と同一の材料を有する発光装置の作製方法であって、
   前記第３の導電層は、前記第２の導電層と同一の工程を経て作製される発光装置の作製方法。
3. 第１の基板と、
   前記第１の基板上方のトランジスタと、
   前記トランジスタ上方の発光素子と、
   前記発光素子上方の樹脂層と、
   前記樹脂層上方の第１の導電層と、
   前記第１の導電層上方の絶縁層と、
   前記絶縁層上方の第２の導電層と、
   前記第２の導電層上方の第２の基板と、を有し、
   前記第１の導電層は、前記絶縁層を介して前記第２の導電層と重なる領域を有し、
   前記第２の基板は、平坦な領域と、前記第１の基板側に曲がった第１の領域と、を有し、
   前記第１の導電層と前記第２の導電層とを用いて前記第２の基板の上面への被検出物の近接または接触を検知する機能を有し、
   ＦＰＣを介して前記第１の導電層と前記第２の導電層とを駆動する機能を有し、
   前記ＦＰＣは、第３の導電層に電気的に接続され、
   前記第３の導電層は、前記平坦な領域と重なる領域に位置し、
   前記第３の導電層は、前記第２の導電層と同一の材料を有する発光装置。
4. 第１の基板と、
   前記第１の基板上方のトランジスタと、
   前記トランジスタ上方の発光素子と、
   前記発光素子上方の樹脂層と、
   前記樹脂層上方の第１の導電層と、
   前記第１の導電層上方の絶縁層と、
   前記絶縁層上方の第２の導電層と、
   前記第２の導電層上方の第２の基板と、を有し、
   前記第１の導電層は、前記絶縁層を介して前記第２の導電層と重なる領域を有し、
   前記第２の基板は、平坦な領域を有し、
   前記第２の基板は、前記第１の基板側に曲がった第１の領域を有し、
   前記第２の基板は、前記第１の基板側に曲がった第２の領域を有し、
   前記平坦な領域は、前記第１の領域と前記第２の領域との間に位置し、
   前記第１の導電層と前記第２の導電層とを用いて前記第２の基板の上面への被検出物の近接または接触を検知する機能を有し、
   ＦＰＣを介して前記第１の導電層と前記第２の導電層とを駆動する機能を有し、
   前記ＦＰＣは、第３の導電層に電気的に接続され、
   前記第３の導電層は、前記平坦な領域と重なる領域に位置し、
   前記第３の導電層は、前記第２の導電層と同一の材料を有する発光装置。