KR101896348B1 - 칩 온 필름 패키지 및 이를 포함하는 장치 어셈블리 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 칩 온 필름 패키지 및 이를 포함하는 장치 어셈블리를 제공한다. 이 패키지는 온도 변화에 따라 형태가 변하는 열변형 부재를 포함한다. 온도가 상승하면, 상기 열변형 부재가 프레임쪽으로 휘어져 상기 칩 온 필름 패키지와 상기 프레임이 서로 접하게 되어 상기 반도체 칩의 열이 상기 프레임으로 전달되어 방출된다.

Description

칩 온 필름 패키지 및 이를 포함하는 장치 어셈블리{Chip-on-film package and device assembly}
본 발명은 반도체 패키지 기술에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 칩 온 필름 패키지 및 이를 포함하는 장치 어셈블리에 관한 것이다.
최근 전자 제품의 소형화, 박형화 및 경량화 추세에 대응하기 위하여, 고밀도 반도체 칩 실장 기술로서, 가요성(flexible) 필름 기판을 이용한 칩 온 필름(chip on film; COF) 패키지 기술이 제안된 바 있다. 상기 COF 패키지 기술은 반도체 다이가 플립 칩 본딩 방식으로 상기 기판에 직접 본딩되고, 짧은 리드에 의해 외부 회로에 접속될 수 있으며, 조밀한 배선 패턴의 형성이 가능하기 때문에, 고집적 패키지 기술로서 주목을 받고 있다.
이러한, COF 패키지는 셀룰러 폰 및 피디에이와 같은 휴대용 단말 장치, 랩탑 컴퓨터 또는 디스플레이 장치에 패널에 적용될 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 방열 성능을 극대화할 수 있는 칩 온 필름 패키지를 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 상기 칩 온 필름 패키지를 포함하는 장치 어셈블리를 제공하는데 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 칩 온 필름 패키지는, 서로 대향되는 제 1 면과 제 2 면을 포함하는 기판 필름; 상기 제 1 면에 배치되는 반도체 칩; 및 상기 제 2 면에 인접하도록 배치되는 열 변형 부재를 포함하되, 상기 열변형 부재는 온도 변화에 따라 형태가 변한다.
상기 열변형 부재는 바이메탈 또는 형상 기억합금일 수 있다.
상기 열변형 부재가 바이메탈일 경우, 상기 바이메탈은 고팽창 부재와 저팽창 부재를 포함하며, 상기 저팽창 부재와 상기 반도체 칩간의 거리는 상기 고팽창 부재와 상기 반도체 칩 간의 거리보다 가까울 수 있다.
일 예에 있어서, 상기 열변형 부재는 상기 제 2 면에 부착될 수 있다.
또는 다른 예에 있어서, 상기 기판 필름은 상기 제 1 면에 인접한 제 1 기판 필름과 상기 제 2면에 인접한 상기 제 2 기판 필름을 포함할 수 있으며, 상기 열변형 부재는 상기 제 1 기판 필름과 상기 제 2 기판 필름 사이에 개재될 수 있다.
상기 반도체 칩은 상기 기판 필름의 중심에 배치될 수 있으며, 상기 열변형 부재는 평면적으로 바(bar) 형태를 가지며, 상기 열변형 부재의 폭은 상기 반도체 칩의 폭보다 바람직하게는 크다.
상기 열변형 부재의 중심과 상기 반도체 칩의 중심은 중첩되어 상기 열변형 부재와 상기 반도체 칩은 평면적으로 십자 형태를 이룰 수 있다.
상기 열변형 부재는 복수개로 서로 이격되며 평행하게 배치될 수 있다.
일 예에 있어서, 상기 열변형 부재는 상기 반도체 칩과 이격되도록 배치될 수 있다.
상기 열변형 부재는 저온시 곡률이 고온시 곡률보다 작을 수 있다.
상기 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 장치 어셈블리는, 표시 패널; 상기 표시 패널의 단부를 지지하는 프레임; 및 상기 표시 패널의 단부와 전기적으로 연결되며 상기 프레임과 상기 표시 패널 사이에 배치되는 상기 칩 온 필름 패키지를 포함한다.
상기 반도체 칩의 온도가 상승하면 상기 열 변형 부재는 상기 프레임쪽으로 휘어져 상기 칩 온 필름 패키지와 상기 프레임이 서로 접할 수 있다.
본 발명의 일 예에 따른 칩 온 필름 패키지는 온도 변화에 따라 형태가 변하는 열변형 부재를 포함한다. 이를 표시 장치와 같은 장치 어셈블리에 장착하고 반도체 칩의 온도가 상승할 경우, 상기 열변형 부재가 프레임쪽으로 휘어져 상기 칩 온 필름 패키지와 상기 프레임이 서로 접하게 되어 상기 반도체 칩의 열이 상기 프레임으로 전달되어 방출되므로, 열방출 효과를 극대화할 수 있다. 또한, 패키지의 방열 특성이 좋아지므로, 반도체 칩의 크기를 줄일 수 있어 수율도 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 예에 따른 칩 온 필름 패키지의 레이아웃이다.
도 2는 도 1을 I-I'선으로 자른 단면도이다.
도 3은 도 2의 일 변형예에 따른 단면도이다.
도 4 및 5는 본 발명의 다른 예들에 따른 칩 온 필름 패키지의 단면도들이다.
도 6 및 7은 또 다른 예들에 따른 칩 온 필름 패키지의 레이아웃들이다.
도 8은 본 발명의 일 예에 따른 장치 어셈블리의 분해 사시도이다.
도 9는 도 8의 장치 어셈블리의 일 단부를 나타내는 결합 단면도이다.
도 10은 반도체 칩의 온도가 상승시 도 9의 변화를 나타내는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 다른 예에 따른 장치 어셈블리의 일 단부를 나타내는 결합 단면도이다.
본 발명의 구성 및 효과를 충분히 이해하기 위하여, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라, 여러가지 형태로 구현될 수 있고 다양한 변경을 가할 수 있다. 단지, 본 실시예들에 대한 설명은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 구성 요소들은 설명의 편의를 위하여 그 크기가 실제보다 확대하여 도시한 것이며, 각 구성 요소의 비율은 과장되거나 축소될 수 있다. 도면상의 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조부호 또는 용어를 사용하고, 동일한 구성 요소에 대해서 중복된 설명은 생략될 수 있다.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "상에" 있다거나 "연결되어" 있다고 기재된 경우, 다른 구성 요소에 상에 직접 맞닿아 있거나 또는 연결되어 있을 수 있지만, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재할 수 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 "바로 위에" 있다거나 "직접 연결되어" 있다고 기재된 경우에는, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 예를 들면, "~사이에"와 "직접 ~사이에" 등도 마찬가지로 해석될 수 있다.
제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제 1 구성요소는 제 2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제 2 구성요소도 제 1 구성요소로 명명될 수 있다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 표현하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. "포함한다" 또는 "가진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하기 위한 것으로, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들이 부가될 수 있는 것으로 해석될 수 있다.
본 발명의 실시예들에서 사용되는 용어들은 다르게 정의되지 않는 한, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 통상적으로 알려진 의미로 해석될 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 예에 따른 칩 온 필름 패키지의 레이아웃이다. 도 2는 도 1을 I-I'선으로 자른 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 예에 따른 칩 온 필름 패키지(100)는 기판 필름(10)을 포함한다. 상기 기판 필름(10)은 수지계 재료, 예를 들면, 폴리이미드 또는 폴리에스터 등으로 형성되어 가요성(flexibility)을 가질 수 있다. 상기 기판 필름(10)은 서로 마주보는 제 1 면(1a)과 제 2 면(1b)을 포함한다. 상기 제 1 면(1a) 상에는 반도체 칩(20)이 배치된다. 상기 반도체 칩(20)은 예를 들면, 평면적으로 제 1 방향(Y)으로 길쭉한 바(bar) 형태를 가질 수 있다. 상기 반도체 칩(20)은 상기 기판 필름(10) 상에 예를 들면, TAB(Tab automated bonding) 법에 의해 플립 칩 본딩될 수 있다. 상기 제 1 면(1a) 상에는 제 1 배선(15a)과 제 2 배선(15b)들이 배치될 수 있다. 자세하게 도시하지는 않았지만, 상기 배선들(15a, 15b)에는 입출력 단자들이 배치될 수 있으며, 상기 입출력 단자들 외의 상기 배선들(15a, 15b)은 절연막으로 덮여 보호될 수 있다.
계속해서, 상기 제 2 면(1b)에는 온도 변화에 따라 형태가 변하는 열변형 부재(30)가 배치된다. 본 예에 있어서, 상기 열변형 부재(30)는 상기 기판 필름(10)의 중심에 위치할 수 있다. 상기 열변형 부재(30)는 평면적으로는 상기 제 1 방향(Y)과 교차하는, 더욱 바람직하게는 직교하는 제 2 방향(X)으로 길쭉한 바(bar) 형태를 가질 수 있다. 상기 반도체 칩(20)의 제 2 방향(X)으로의 폭(W1)은 상기 열변형 부재(30)의 제 2 방향(X)으로의 폭(W2) 보다 좁다. 상기 열변형 부재(30)의 제 2 방향(X)으로의 폭(W2)은 상기 기판 필름(10)의 제 2 방향(X)으로의 폭(W3) 보다 바람직하게는 좁다. 상기 반도체 칩(20)과 상기 열변형 부재(30)는 도 1의 레이아웃 상에서 수직적으로 중첩되어 십자 형태를 이룰 수 있다. 상기 열변형 부재(30)는 바이메탈일 수 있다. 상기 열변형 부재(30)가 바이메탈일 경우, 적어도 고팽창 부재(31)와 저팽창 부재(32)를 포함할 수 있다. 상기 고팽창 부재(31)의 열팽창률은 상기 저팽창 부재(32)의 열팽창률 보다 크다. 상기 고팽창 부재(31)는 예를 들면, 니켈-크롬-철의 합금을 포함할 수 있다. 상기 저팽창 부재(32)는 예를 들면 니켈-철의 합금을 포함할 수 있다. 상기 저팽창 부재(32)는 상기 제 2 면(1b)에 부착되고, 상기 고팽창 부재(31)는 상기 저팽창 부재(32)에 부착된다. 따라서 상기 반도체 칩(20)과 상기 저팽창 부재(32) 사이의 거리(D1)는 상기 반도체 칩(20)과 상기 고팽창 부재(31) 사이의 거리(D2)보다 짧다. 상기 열변형 부재(30)는 온도가 상승하게 되면 가장자리가 상기 반도체 칩(20) 쪽으로 휘게 된다. 상기 열변형 부재(30)는 도 3에서처럼 상온에서 오목하게 휘어진 상태일 수도 있다.
도 4 및 5는 본 발명의 다른 예들에 따른 칩 온 필름 패키지의 단면도들이다.
도 4를 참조하면, 기판 필름(10)은 다층의 막들로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 기판 필름(10)은 제 1 면(1a)에 인접한 제 1 기판 필름(10a)과 제 2 면(1b)에 인접한 제 2 기판 필름(10b)을 포함할 수 있다. 이때 상기 열변형 부재(30)는 상기 제 1 기판 필름(10a)과 상기 제 2 기판 필름(10b) 사이에 개재될 수 있다. 상기 기판 필름(10)의 양 단부에서 상기 제 1 기판 필름(10a)과 상기 제 2 기판 필름(10b)은 서로 접하게 된다. 이 경우, 온도 변화에 따라 상기 열변형 부재(30)의 형태가 반복적으로 변할지라도, 상기 열변형 부재(30)가 상기 제 1 기판 필름(10a)과 제 2 기판 필름(10b) 사이에 개재되므로, 상기 열변형 부재(30)가 상기 기판 필름(10)으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 상기 칩 온 필름 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 5를 참조하면, 열변형 부재(30)는 형상 기억 합금일 수 있다. 이는 바이메탈처럼 다층으로 구성되지 않고, 단일층으로 구성될 수 있다. 상기 형상 기억 합금은 특정 온도에서 기억된 형태로 복원하는 합금으로, 구리, 아연, 알루미늄, 니켈, 티탄 등을 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다. 상기 열변형 부재(30)는 바람직하게는 고온시 곡률이 저온시 곡률보다 크도록 변형된다.
도 5의 형상 기억 합금인 열변형 부재(30)는 상기 기판 필름(10)의 제 2 면(1b)에 부착된다. 그러나, 도 4에서처럼 상기 기판 필름(10)이 제 1 기판 필름(10a)과 제 2 기판 필름(10b)을 포함하며, 형상 기억 합금인 열변형 부재(30)가 상기 제 1 기판 필름(10a)과 상기 제 2 기판 필름(10b) 사이에 개재되는 것도 가능하다.
도 6 및 7은 또 다른 예들에 따른 칩 온 필름 패키지의 레이아웃들이다.
도 6을 참조하면, 열변형 부재(30)는 2개로 서로 평행하게 이격되도록 배치될 수 있다. 도 6에서 상기 열변형 부재(30)는 반도체 칩(20)과 중첩되지 않으며, 상기 반도체 칩(20)의 단부로부터 이격되도록 배치된다. 상기 열 변형 부재(30)는 기판 필름(10)의 양 단부에서 배치될 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 열변형 부재(30)는 3개 이상으로 서로 평행하게 이격되어 배치될 수 있다.
다음은 상기 칩 온 필름 패키지(100)가 장치 어셈블리에 장착된 모습을 설명하기로 한다.
도 8은 본 발명의 일 예에 따른 장치 어셈블리의 분해 사시도이다. 도 9는 도 8의 장치 어셈블리의 일 단부를 나타내는 결합 단면도이다. 도 10은 반도체 칩의 온도가 상승시 도 9의 변화를 나타내는 단면도이다.
도 8 및 9를 참조하면, 본 예에 따른 장치 어셈블리(200)는 액정 표시 장치일 수 있다. 상기 장치 어셈블리(200)는 화상을 표시하는 표시 패널(130), 패널 구동부(100, 140), 백라이트 어셈블리(120), 하부 프레임(110) 및 상부 프레임(150)을 포함한다. 상기 표시 패널(130)은 액정 패널일 수 있다. 상기 표시 패널(130)은 서로 대향되는 박막 트랜지스터 기판(132)과 컬러 필터 기판(131)을 포함할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터 기판(132)과 상기 컬러 필터(131) 사이에 액정(미도시)이 주입되어 스위칭 소자로서 매트릭스 형태로 형성된 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)를 이용하여 액정의 광 투과율을 조절함으로써 화상을 표시하게 된다. 상기 박막 트랜지스터 기판(132)은 게이트 라인 및 데이터 라인이 교차하여 형성된 화소 영역과 각각의 화소 영역에 박막 트랜지스터가 형성된다. 박막 트랜지스터는 게이트 라인으로부터 공급되는 스캔신호에 응답하여 데이터 라인으로부터 공급되는 화상 신호를 화소 전극에 전달한다. 화소 전극은 자신에게 충전된 화상신호를 사용하여 액정에 화소 전압을 인가한다. 여기서 상기 박막 트랜지스터 기판(132)의 일측에는 게이트 라인을 구동하는 게이트 구동 IC가 실장되거나 집적되어 형성될 수 있다.
상기 패널 구동부(100, 140)는 상기 표시 패널(130)을 구동하며, 인쇄회로기판(140)과 칩 온 필름 패키지(100)를 포함할 수 있다. 상기 칩 온 필름 패키지(100)는 상기 인쇄회로 기판(140)과 상기 표시 패널(130) 사이에서 이들을 전기적으로 연결시킨다. 상기 칩 온 필름 패키지(100)는 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명한 바와 동일/유사할 수 있다. 상기 칩 온 필름 패키지(100)에 포함되는 반도체 칩(20)은 게이트 라인을 구동하기 위한 게이트 구동 IC 및/또는 데이터 라인을 구동하기 위한 데이터 구동 IC에 대응될 수 있다. 상기 칩 온 필름 패키지(100)는 테이프 케리어 패키지(Tape carrier package, TCP) 본딩 공정을 통해 상기 인쇄회로 기판(140)과 상기 표시 패널(130) 사이에서 연결될 수 있다. 상기 칩 온 필름 패키지(100)의 제 1 배선(15a)은 상기 박막 트랜지스터 기판(132)의 제 1 단자(135)와 접하여 상기 박막 트랜지스터 기판(132)과 전기적으로 연결되고, 제 2 배선(15b)은 상기 인쇄회로 기판(140)의 제 2 단자(145)와 접하여 상기 인쇄회로 기판(140)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 인쇄회로 기판(140)은 타이밍 신호, 화상 신호 및/또는 전원 신호를 공급한다. 상기 반도체 칩(20)은 상기 제 2 배선(15b)을 통해 상기 인쇄회로 기판(140)으로부터 공급받은 신호를 인가받고, 게이트 구동신호 및/또는 데이터 구동신호를 발생하여 상기 제 1 배선(15a)을 통해 상기 박막 트랜지스터 기판(132)의 게이트 라인 및/또는 데이터 라인에 공급한다.
상기 백라이트 어셈블리(120)는 상기 표시 패널(130)에 광을 공급한다. 상기 백라이트 어셈블리(120)는 광원 유닛(127), 반사시트(122), 도광판(123), 확산시트(124), 프리즘 시트(123) 및 보호시트(126)를 포함할 수 있다. 상기 광원 유닛(127)은 적어도 하나의 램프 또는 발광다이오드(Light emmiting diode, LED)를 구비할 수 있다. 도 8에서는 상기 광원 유닛(127)으로 램프를 예시적으로 도시한 것이며, 이와 같이 상기 광원 유닛(127)이 램프일 경우, 상기 백라이트 어셈블리(120)는 상기 광원 유닛(127)에서 공급되는 광의 효율을 높이고 광원 유닛(127)을 보호하기 위하여 램프 커버(121)를 더 포함할 수 있다. 상기 반사시트(122)는 상기 광원 유닛(127)으로부터 발생하는 빛의 외부 방출을 방지한다. 상기 도광판(123)은 상기 광원 유닛(127)으로부터 발생하는 빛을 가이드한다. 상기 확산시트(124)는 상기 가이드된 빛을 확산시킨다. 상기 프리즘 시트(125)는 상기 확산된 빛을 집광한다. 상기 보호시트(126)는 상기 프리즘 시트(125)의 표면을 보호한다.
상기 하부 프레임(110)은 상기 표시 패널(130), 상기 패널 구동부(100,140) 및 백라이트 어셈블리(120)를 수납한다. 상기 상부 프레임(150)은 상기 표시 패널(130)의 상부의 외곽을 감싸며 상기 표시 패널(130)을 고정한다.
도 10을 참조하면, 상기 장치 어셈블리(200)를 구동시, 상기 반도체 칩(20)의 온도가 상승할 수 있다. 그러면, 열변형 부재(30)의 고팽창 부재(31)의 열팽창률이 저팽창 부재(32)의 열팽창률보다 크므로, 상기 열변형 부재(30)는 상기 상부 프레임(150) 쪽으로 휘게 되고, 상기 열변형 부재(30)는 상기 상부 프레임(150)과 접하게 된다. 이로써, 상기 반도체 칩(20)의 열이 상기 열변형 부재(30)를 통해 상기 상부 프레임(150)으로 전달되어 방출되게 된다. 이로써, 열 방출 효율을 극대화시킬 수 있다.
도 8 내지 10을 참조하여, 본 발명의 상기 칩 온 필름 패키지(100)가 액정 표시 장치에 장착될 수 있음을 살펴보았다. 상기 칩 온 필름 패키지(100)는 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma display pannel) 장치에도 적용될 수 있고, 셀룰러 폰 및 피디에이와 같은 휴대용 단말 장치, 랩탑 컴퓨터에도 적용될 수 있다.
도 9 및 10에는 도 2 또는 도 3에 개시된 칩 온 필름 패키지(100)가 장착된 예를 개시하나, 도 4 또는 도 5에 개시된 칩 온 필름 패키지가 장치 어셈블리(200)에 장착되는 것도 가능하다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10: 기판 필름
15a, 15b: 배선들
20: 반도체 칩
30: 열변형 부재
31: 고팽창 부재
32: 저팽창 부재
100: 칩 온 필름 패키지
110, 150: 프레임
120: 백라이트 어셈블리
140: 인쇄회로기판
130: 표시 패널
200: 장치 어셈블리

Claims (11)

  1. 서로 대향되는 제 1 면과 제 2 면을 포함하는 기판 필름;
    상기 제 1 면에 배치되는 복수개의 서로 평행한 배선들;
    상기 제 1 면에 배치되며 상기 배선들과 전기적으로 연결되는 반도체 칩; 및
    상기 제 2 면에 인접하도록 배치되는 열 변형 부재를 포함하되,
    상기 열변형 부재는 온도 변화에 따라 형태가 변하는 바이메탈이고,
    상기 열변형 부재는 평면적으로 바(bar) 형태를 가지며,
    상기 배선들은 제 1 방향으로 연장되고,
    상기 열변형 부재는 상기 제 1 방향으로 길쭉하고,
    상기 반도체 칩은 상기 기판 필름의 중심에 배치되고 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 길쭉하고,
    상기 반도체 칩의 상기 제 1 방향으로의 폭은 상기 열변형 부재의 상기 제 1 방향으로의 폭 보다 좁은 것을 특징으로 하는 칩 온 필름 패키지.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 바이메탈은 고팽창 부재와 저팽창 부재를 포함하며, 상기 저팽창 부재와 상기 반도체 칩간의 거리는 상기 고팽창 부재와 상기 반도체 칩 간의 거리보다 가까운 것을 특징으로 하는 칩 온 필름 패키지.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 배선들의 단부들은 노출되는 것을 특징으로 하는 칩 온 필름 패키지.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 필름은 상기 제 1 면에 인접한 제 1 기판 필름과 상기 제 2면에 인접한 제 2 기판 필름을 포함하며,
    상기 열변형 부재는 상기 제 1 기판 필름과 상기 제 2 기판 필름 사이에 개재되는 것을 특징으로 하는 칩 온 필름 패키지.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 배선들의 측벽들은 상기 기판 필름의 측벽과 정렬되는 것을 특징으로 하는 칩 온 필름 패키지.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 열변형 부재의 중심과 상기 반도체 칩의 중심은 중첩되어 상기 열변형 부재와 상기 반도체 칩은 평면적으로 십자 형태를 이루는 것을 특징으로 하는 칩 온 필름 패키지.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 열변형 부재는 복수개로 서로 이격되며 평행하게 배치되는 것을 특징으로 하는 칩 온 필름 패키지.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 열변형 부재는 상기 반도체 칩과 평면적으로 이격되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 칩 온 필름 패키지.
  10. 표시 패널;
    상기 표시 패널의 단부를 지지하는 프레임; 및
    상기 표시 패널의 단부와 전기적으로 연결되며 상기 프레임과 상기 표시 패널 사이에 배치되는 칩 온 필름 패키지를 포함하되,
    상기 칩 온 필름 패키지는:
    서로 대향되는 제 1 면과 제 2 면을 포함하는 기판 필름;
    상기 제 1 면에 배치되는 반도체 칩; 및
    상기 제 2 면에 인접하도록 배치되는 열 변형 부재를 포함하고,
    상기 열변형 부재는 온도 변화에 따라 형태가 변하는 바이메탈이며,
    상기 반도체 칩의 온도가 상승하면, 상기 칩 온 필름 패키지는 상기 프레임과 접하는 장치 어셈블리.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 반도체 칩의 온도가 내려가면 상기 칩 온 필름 패키지는 상기 프레임과 이격되는 장치 어셈블리.
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