JP2016191923A - 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016191923A JP2016191923A JP2016095794A JP2016095794A JP2016191923A JP 2016191923 A JP2016191923 A JP 2016191923A JP 2016095794 A JP2016095794 A JP 2016095794A JP 2016095794 A JP2016095794 A JP 2016095794A JP 2016191923 A JP2016191923 A JP 2016191923A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detection
- head
- stage
- exposure
- measurement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 166
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 545
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 231
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 203
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 149
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 110
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 59
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 48
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 45
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 29
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 567
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 443
- 230000008569 process Effects 0.000 description 54
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 54
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 49
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 49
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 40
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 34
- 230000008859 change Effects 0.000 description 31
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 30
- 230000006870 function Effects 0.000 description 26
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 25
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 19
- 238000013461 design Methods 0.000 description 18
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 18
- 101100065246 Mus musculus Enc1 gene Proteins 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 230000036544 posture Effects 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 101150040334 KLHL25 gene Proteins 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 11
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 10
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 9
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 8
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 6
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 5
- PXFBZOLANLWPMH-UHFFFAOYSA-N 16-Epiaffinine Natural products C1C(C2=CC=CC=C2N2)=C2C(=O)CC2C(=CC)CN(C)C1C2CO PXFBZOLANLWPMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 4
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 210000000887 face Anatomy 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006094 Zerodur Substances 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- NJTGANWAUPEOAX-UHFFFAOYSA-N molport-023-220-454 Chemical compound OCC(O)CO.OCC(O)CO NJTGANWAUPEOAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N perfluorotributylamine Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)N(C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 230000014616 translation Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
- G01B21/02—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring length, width, or thickness
- G01B21/04—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring length, width, or thickness by measuring coordinates of points
- G01B21/042—Calibration or calibration artifacts
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
- G03F7/706—Aberration measurement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706843—Metrology apparatus
- G03F7/706845—Calibration, e.g. tool-to-tool calibration, beam alignment, spot position or focus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70758—Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70975—Assembly, maintenance, transport or storage of apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7046—Strategy, e.g. mark, sensor or wavelength selection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】制御装置は、ヘッドに起因して生じるエンコーダシステムの計測誤差を補償しつつ、エンコーダシステムで計測される位置情報に基づいてステージWSTの駆動系を制御する。また、制御装置は、複数の検出領域でそれぞれ基準部材46のマークMが検出されるようにアライメント系(AL1、AL21〜AL24)の下方に基準部材を配置して、複数の検出領域の相対位置情報を取得するとともに、アライメント系によるマークの検出動作において、Y方向に関して位置が異なるウエハWの複数のマークをアライメント系の検出領域の少なくとも一部で検出するために、複数の検出領域に対してウエハWがY方向に相対移動されるようにステージWSTの駆動を制御し、ウエハWの露光動作において、アライメント系によるマークの検出情報が用いられる。
【選択図】図25
Description
前記投影光学系および前記マーク検出系の下方に配置され、前記基板を保持するホルダを有するステージと、前記ステージを駆動するモータを有し、前記基板が前記投影光学系および前記マーク検出系とそれぞれ対向して配置されるように前記ステージを移動する駆動系と、前記ステージに格子部とヘッドとの一方が設けられ、かつ前記格子部と前記ヘッドとの他方が前記ステージと対向するように前記投影光学系および前記マーク検出系の下端側に設けられるとともに、前記ヘッドを介して前記格子部に計測ビームを照射し、前記格子部と対向する複数の前記ヘッドによって前記ステージの位置情報を計測するエンコーダシステムと、前記ヘッドに起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差を補償しつつ、前記エンコーダシステムで計測される位置情報に基づいて前記駆動系を制御する制御装置と、を備え、前記制御装置は、前記複数の検出領域の相対位置情報を取得するために、前記複数の検出領域でそれぞれ前記基準部材のマークが検出されるように前記マーク検出系の下方に前記基準部材を配置するとともに、前記マーク検出系による前記マークの検出動作において、前記所定面内で前記第1方向と交差する第2方向に関して位置が異なる前記基板の複数のマークを前記複数の検出領域の少なくとも一部で検出するために、前記複数の検出領域に対して前記基板が前記第2方向に相対移動されるように前記駆動系を制御し、前記基板の露光動作において、前記複数の検出領域の相対位置情報および前記マーク検出系の検出情報が用いられ、前記検出動作と前記露光動作でそれぞれ、前記エンコーダシステムによって前記ステージの位置情報が計測される露光装置が、提供される。
ΔL2=ΔYo×(1+cosθ)+ΔZo×sinθ …(2)
従って、式(1)、(2)からΔZo及びΔYoは次式(3)、(4)で求められる。
ΔYo=(ΔL1+ΔL2)/{2(1+cosθ)} …(4)
Δθy≒(ΔZoL−ΔZoR)/D …(6)
従って、主制御装置20は、上記式(3)〜式(6)を用いることで、Z干渉計43A、43Bの計測結果に基づいて、ウエハステージWSTの4自由度の変位ΔZo、ΔYo、Δθz、Δθyを算出することができる。
+2KΔZ(cosθb1+cosθb0−cosθa1−cosθa0)…(7)
ここで、KΔLは、2つの光束LB1,LB2の光路差ΔLに起因する位相差、ΔYは、反射型回折格子RGの+Y方向の変位、ΔZは、反射型回折格子RGの+Z方向の変位、pは回折格子のピッチ、nb,naは上述の各回折光の回折次数である。
その場合、式(7)の右辺第3項の括弧内は零になり、同時にnb=−na(=n)を満たすので、次式(9)が得られる。
上式(9)より、位相差φsymは光の波長に依存しないことがわかる。
Δx=g(z,θy,θz)=θy(z−c)+θz(z−d) ……(11)
上式(10)において、aは、図12のグラフの、各直線が交わる点のZ座標であり、bは、Yエンコーダの補正情報の取得のためにヨーイング量を変化させた場合の図12と同様のグラフの、各直線が交わる点のZ座標である。また、上式(11)において、cは、Xエンコーダの補正情報の取得のためにローリング量を変化させた場合の図12と同様のグラフの、各直線が交わる点のZ座標であり、dは、Xエンコーダの補正情報の取得のためにヨーイング量を変化させた場合の図12と同様のグラフの、各直線が交わる点のZ座標である。
CY=r’・ey’ …(12b)
ここで、ex’,ey’は、ウエハステージWSTにのった相対座標系(X’,Y’,θz’)におけるX’,Y’単位ベクトルで、基準座標系(X,Y,θz)におけるX,Y単位ベクトルex,eyと、次式(13)の関係がある。
CY=−(p−X)sinθz+(q−Y)cosθz ……(14b)
C2=−(p2−X)sinθz+(q2−Y)cosθz ……(15b)
C3= (p3−X)cosθz+(q3−Y)sinθz ……(15c)
上式(16)において、p4、q4は、エンコーダEnc4の計測点(検出点)のX座標値、Y座標値である。エンコーダEnc4のY座標値q4として前述のヘッド位置のキャリブレーションの際に取得した計測ビームの照射点の位置情報が、エンコーダEnc4のX座標値p4としては、計測ビームの照射点の設計上の位置情報が、メモリ34内からそれぞれ読み出されて用いられる。
C3= (p3−X)cosθz+(q3−Y)sinθz …(15c)
C4= (p4−X)cosθz+(q4−Y)sinθz …(15d)
なお、4つめのエンコーダがYヘッドの場合には、理論式(15d)の代わりに次の理論式(15e)を用いた連立方程式(15b)(15c)(15e)を用いれば良い。
本実施形態では、ウエハステージWSTの3自由度(X,Y,θz)方向の位置座標を計測するために、常時、エンコーダシステム70A〜70Dを構成するXエンコーダ(ヘッド)及びYエンコーダ(ヘッド)の内、少なくとも1つのXヘッドと少なくとも2つのYヘッドを含む少なくとも3つのヘッドを使用している。そのため、ウエハステージWSTの移動に伴って使用するヘッドを切り換える際には、切り換えの前後でステージ位置の計測結果を連続につなぐために、3つのヘッドの組み合わせから別の3つのヘッドの組み合わせへと切り換える方式を採用している。この方式を、第1方式と呼ぶことにする。
CY4=−(p4−X)sinθz+(q4−Y)cosθz ……(17b)
ここで、(p3,q3),(p4,q4)はYヘッド64C3,64C4のX,Y設置位置(より正確には計測点(検出点)のX,Y位置)である。簡単のため、Yヘッド64C3,64C4のY設置位置は等しい(q3=q4)と仮定する。この仮定の下、上式(17a)(17b)より、次式(18)が得られる。
従って、後に停止される第1ヘッド64C3の計測値を上式(18)の右辺のCY3に代入して、左辺のCY4を求めることにより、新たに使用する第2ヘッド64C4の計測値を予測することができる。
ここで、(pA,qA)はYヘッド64AのX,Y設置位置(より正確には計測点のX,Y位置)である。簡単のため、Yヘッド64AのY設置位置qAは、Yヘッド64C3,64C4のY設置位置q3,q4と等しい(qA=q3=q4)と仮定する。
ただし、定数c=(p3−p4)/(qA−q3)と置いた。従って、Yヘッド64C3,64Aの計測値のそれぞれを上式(19)の右辺のCY3,CYAに代入して左辺のCY4を求めることにより、新たに使用するYヘッド64C4の計測値を予測することができる。
Claims (60)
- 投影光学系を介して照明光で基板を露光する露光装置であって、
前記投影光学系から離れて配置され、前記投影光学系の光軸と直交する所定面内の第1方向に関して位置が異なる複数の検出領域でそれぞれ前記基板のマークを検出可能なマーク検出系と、
前記マーク検出系によって検出可能なマークを有する基準部材と、
前記投影光学系および前記マーク検出系の下方に配置され、前記基板を保持するホルダを有するステージと、
前記ステージを駆動するモータを有し、前記基板が前記投影光学系および前記マーク検出系とそれぞれ対向して配置されるように前記ステージを移動する駆動系と、
前記ステージに格子部とヘッドとの一方が設けられ、かつ前記格子部と前記ヘッドとの他方が前記ステージと対向するように前記投影光学系および前記マーク検出系の下端側に設けられるとともに、前記ヘッドを介して前記格子部に計測ビームを照射し、前記格子部と対向する複数の前記ヘッドによって前記ステージの位置情報を計測するエンコーダシステムと、
前記ヘッドに起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差を補償しつつ、前記エンコーダシステムで計測される位置情報に基づいて前記駆動系を制御する制御装置と、を備え、
前記制御装置は、前記複数の検出領域の相対位置情報を取得するために、前記複数の検出領域でそれぞれ前記基準部材のマークが検出されるように前記マーク検出系の下方に前記基準部材を配置するとともに、前記マーク検出系による前記マークの検出動作において、前記所定面内で前記第1方向と交差する第2方向に関して位置が異なる前記基板の複数のマークを前記複数の検出領域の少なくとも一部で検出するために、前記複数の検出領域に対して前記基板が前記第2方向に相対移動されるように前記駆動系を制御し、
前記基板の露光動作において、前記複数の検出領域の相対位置情報および前記マーク検出系の検出情報が用いられ、
前記検出動作と前記露光動作でそれぞれ、前記エンコーダシステムによって前記ステージの位置情報が計測される露光装置。 - 請求項1に記載の露光装置において、
前記基準部材のマークは、前記複数の検出領域による同時検出が可能となるように前記複数の検出領域をカバーする所定領域に形成される露光装置。 - 請求項1又は2に記載の露光装置において、
前記投影光学系および前記マーク検出系の下方に配置されるとともに、前記基準部材を有し、前記ステージと異なるステージを、さらに備え、
前記複数の検出領域でそれぞれ前記基準部材のマークが検出されるように、前記駆動系によって前記異なるステージが移動されるとともに、前記エンコーダシステムによって前記異なるステージの位置情報が計測される露光装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記ステージはその上面に基準マークを有し、
前記制御装置は、前記マーク検出系による前記基準マークの検出動作において、前記複数の検出領域の1つに前記基準マークが配置されるように前記駆動系を制御し、前記露光動作において前記基準マークの検出情報を用い、
前記基準マークの検出動作において、前記エンコーダシステムによって前記ステージの位置情報が計測される露光装置。 - 請求項4に記載の露光装置において、
前記ステージはその上面にスリットパターンを有し、
前記投影光学系を介して投影されるマーク像を、前記スリットパターンを介して検出する空間像検出部を、さらに備え、
前記制御装置は、前記マーク像の検出動作において、前記マーク像が前記スリットパターン上に投影されるように前記駆動系を制御し、前記露光動作において前記マーク像の検出情報を用い、
前記マーク像の検出動作において、前記エンコーダシステムによって前記ステージの位置情報が計測される露光装置。 - 請求項5に記載の露光装置において、
前記ステージは、前記ホルダが配置される、前記ステージの上面の凹部内で前記基板を保持し、
前記基準マークおよび前記スリットパターンは、前記凹部と異なる前記上面の開口内に配置される計測部材に設けられる露光装置。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記マーク検出系は、少なくとも前記第1方向に関して前記複数の検出領域の間隔又は相対位置関係が可変である露光装置。 - 請求項7に記載の露光装置において、
前記マーク検出系は、前記第2方向に関して前記複数の検出領域の間隔又は相対位置関係が可変である露光装置。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記マーク検出系は、前記複数の検出領域の一部が移動可能であり、前記複数の検出領域の間隔又は相対位置関係が変更されるように、前記複数の検出領域のうち残りの検出領域に対して前記一部の検出領域が相対移動される露光装置。 - 請求項1〜9のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記マーク検出系は、前記複数の検出領域にそれぞれ検出光を照射する複数の光学系と、前記複数の検出領域の間隔又は相対位置関係が変更されるように前記複数の光学系の一部を移動する駆動部とを有する露光装置。 - 請求項10に記載の露光装置において、
前記マーク検出系は、前記駆動部によって移動される前記光学系の位置情報を計測するセンサを有する露光装置。 - 請求項1〜11のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記複数の検出領域に対して前記基板を前記第2方向に相対移動する前記マークの検出動作において、前記第2方向の異なる位置で、前記マークの検出に用いられる前記マーク検出系の検出領域の数が異なる露光装置。 - 請求項1〜12のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記複数の検出領域に対して前記基板を前記第2方向に相対移動する前記マークの検出動作において、前記第2方向の異なる位置で、前記マーク検出系によって検出される前記マークの数が異なる露光装置。 - 請求項1〜13のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記複数の検出領域に対して前記基板を前記第2方向に相対移動する前記マークの検出動作において、前記第2方向の異なる位置でそれぞれ、複数の前記マークが検出される露光装置。 - 請求項1〜14のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系から離れて配置され、前記所定面と直交する第3方向に関する前記基板の位置情報を検出する検出装置を、さらに備え、
前記検出装置による前記基板の検出動作において、前記エンコーダシステムによって前記ステージの位置情報が計測される露光装置。 - 請求項15に記載の露光装置において、
前記マーク検出系および前記検出装置は、前記検出装置による前記基板の検出動作の少なくとも一部が前記マーク検出系による前記マークの検出動作と並行して実行されるように、前記投影光学系に対して前記第2方向の一側に離れて配置される露光装置。 - 請求項15又は16に記載の露光装置において、
前記ステージはその上面の一部に計測部材が設けられ、
前記制御装置は、前記検出装置によって前記計測部材が検出されるように前記駆動系を制御し、前記露光動作において前記計測部材の検出情報を用い、
前記計測部材の検出動作において、前記エンコーダシステムによって前記第3方向に関する前記ステージの位置情報が計測される露光装置。 - 請求項17に記載の露光装置において、
前記計測部材はスリットパターンを有し、
前記投影光学系を介して投影されるマーク像を、前記スリットパターンを介して検出する空間像検出部を、さらに備え、
前記制御装置は、前記第3方向に関して異なる位置でそれぞれ、前記空間像検出部によって前記マーク像が検出されるように前記駆動系を制御し、前記露光動作において前記マーク像の検出情報を用い、
前記マーク像の検出動作において、前記エンコーダシステムによって前記第3方向に関する前記ステージの位置情報が計測される露光装置。 - 請求項15〜18のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系を支持するフレーム部材を、さらに備え、
前記検出装置は、前記投影光学系から離れて前記フレーム部材に設けられる露光装置。 - 請求項1〜19のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系を支持するフレーム部材を、さらに備え、
前記格子部と前記ヘッドとの他方は、前記フレーム部材に設けられる露光装置。 - 請求項1〜20のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記格子部は反射型格子を有し、前記反射型格子が前記所定面と実質的に平行となるように配置され、
前記ステージは、前記ヘッドが設けられるとともに、前記格子部の下方で移動される露光装置。 - 請求項1〜21のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系を支持するフレーム部材を、さらに備え、
前記マーク検出系は、前記投影光学系から離れて前記フレーム部材に設けられる露光装置。 - 請求項1〜22のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系の下端部を取り囲むように設けられ、前記投影光学系の下に液体で液浸領域を形成するノズル部材を、さらに備え、
前記格子部と前記ヘッドとの他方は、前記投影光学系に対して前記ノズル部材の外側に設けられ、
前記基板は、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して露光される露光装置。 - 請求項23に記載の露光装置において、
前記投影光学系を支持するフレーム部材を、さらに備え、
前記ノズル部材は、前記フレーム部材に設けられる露光装置。 - 請求項23に記載の露光装置において、
前記投影光学系を支持するフレーム部材と、
前記ノズル部材が設けられ、前記フレーム部材と異なるフレーム部材と、をさらに備える露光装置。 - 請求項1〜25のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記ステージの移動中、前記格子部と対向する前記複数のヘッドの1つが別のヘッドに切り換えられ、
前記切換後、前記複数のヘッドのうち前記1つのヘッドを除く残りのヘッドと、前記複数のヘッドと異なる前記別のヘッドと、を含む複数のヘッドによって前記ステージの位置情報が計測される露光装置。 - 請求項26に記載の露光装置において、
前記制御装置は、前記切換前に用いられる複数のヘッドによって計測される位置情報に基づいて、前記別のヘッドを含む、前記切換後に用いられる複数のヘッドを使って前記ステージの移動を制御するための補正情報を取得する露光装置。 - 請求項27に記載の露光装置において、
前記切換前、前記格子部と対向する3つの前記ヘッドによって前記ステージの位置情報が計測され、
前記切換後、前記3つのヘッドのうち前記1つのヘッドを除く2つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む3つのヘッドによって前記ステージの位置情報が計測される露光装置。 - 請求項28に記載の露光装置において、
前記補正情報は、前記切換前に用いられる前記3つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む4つのヘッドが前記格子部と対向している間に取得される露光装置。 - 請求項28又は29に記載の露光装置において、
前記切換は、前記切換前に用いられる前記3つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む4つのヘッドが前記格子部と対向している間に行われる露光装置。 - 請求項28〜30のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記格子部は、それぞれ反射型格子が形成される4つのスケール部材を有し、
前記補正情報の取得および前記切換は、前記切換前に用いられる前記3つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む4つのヘッドがそれぞれ前記4つのスケール部材と対向している間に行われる露光装置。 - 請求項31に記載の露光装置において、
少なくとも前記露光動作において、前記4つのスケール部材の3つ又は4つとそれぞれ対向する3つ又は4つの前記ヘッドによって前記ステージの位置情報が計測される露光装置。 - 請求項32に記載の露光装置において、
前記ステージの移動によって、前記格子部と対向するヘッドは、前記3つのヘッドと前記4つのヘッドとの一方から他方に変更される露光装置。 - 請求項1〜33のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記制御装置は、前記ヘッドの変位と光学特性との少なくとも一方に起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差を補償する露光装置。 - デバイス製造方法であって、
請求項1〜34のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 - 投影光学系を介して照明光で基板を露光する露光方法であって、
前記投影光学系から離れて配置され、前記投影光学系の光軸と直交する所定面内の第1方向に関して位置が異なる複数の検出領域でそれぞれ前記基板のマークを検出可能なマーク検出系の下方で、前記所定面内で前記第1方向と交差する第2方向に関して位置が異なる前記基板の複数のマークを前記複数の検出領域の少なくとも一部で検出するために、前記複数の検出領域に対して前記基板が前記第2方向に相対移動されるように、前記基板を保持するホルダを有するステージを移動することと、
前記複数の検出領域の相対位置情報を取得するために、前記複数の検出領域でそれぞれ基準部材のマークが検出されるように前記マーク検出系の下方に前記基準部材を配置することと、
前記ステージに格子部とヘッドとの一方が設けられ、かつ前記格子部と前記ヘッドとの他方が前記ステージと対向するように前記投影光学系および前記マーク検出系の下端側に設けられるとともに、前記ヘッドを介して前記格子部に計測ビームを照射するエンコーダシステムの、前記格子部と対向する複数の前記ヘッドによって、前記ステージの位置情報を計測することと、
前記ヘッドに起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差を補償しつつ、前記エンコーダシステムで計測される位置情報に基づいて前記ステージの移動を制御することと、を含み、
前記基板の露光動作において、前記マーク検出系の検出情報および前記複数の検出領域の相対位置情報が用いられ、
前記マーク検出系による検出動作と前記露光動作でそれぞれ、前記エンコーダシステムによって前記ステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項36に記載の露光方法において、
前記基準部材は、前記ステージと異なるステージに設けられ、
前記複数の検出領域でそれぞれ前記基準部材のマークが検出されるように前記異なるステージが移動されるとともに、前記エンコーダシステムによって前記異なるステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項36又は37に記載の露光方法において、
前記マーク検出系によって前記ステージの上面に配置される基準マークを検出するために、前記複数の検出領域の1つに前記基準マークが配置されるように前記ステージが移動され、前記露光動作において前記基準マークの検出情報が用いられ、
前記基準マークの検出動作において、前記エンコーダシステムによって前記ステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項38に記載の露光方法において、
前記投影光学系を介して投影されるマーク像が、前記ステージの上面に配置されるスリットパターンを介して検出され、前記露光動作において前記マーク像の検出情報が用いられ、
前記マーク像の検出動作において、前記エンコーダシステムによって前記ステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項39に記載の露光方法において、
前記基板は、前記ホルダが配置される、前記ステージの上面の凹部内で保持され、
前記基準マークおよび前記スリットパターンは、前記凹部と異なる前記上面の開口内に配置される計測部材に設けられる露光方法。 - 請求項36〜40のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基板上での前記マークの配置に基づいて、少なくとも前記第1方向に関して前記マーク検出系の前記複数の検出領域の間隔又は相対位置関係が調整される露光方法。 - 請求項36〜41のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記複数の検出領域に対して前記基板を前記第2方向に相対移動する前記マークの検出動作において、前記第2方向の異なる位置で、前記マークの検出に用いられる前記マーク検出系の検出領域の数が異なる露光方法。 - 請求項36〜42のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記複数の検出領域に対して前記基板を前記第2方向に相対移動する前記マークの検出動作において、前記第2方向の異なる位置で、前記マーク検出系によって検出される前記マークの数が異なる露光方法。 - 請求項36〜43のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記複数の検出領域に対して前記基板を前記第2方向に相対移動する前記マークの検出動作において、前記第2方向の異なる位置でそれぞれ、複数の前記マークが検出される露光方法。 - 請求項36〜44のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記投影光学系から離れて配置される検出装置によって、前記所定面と直交する第3方向に関する前記基板の位置情報が検出され、
前記検出装置による前記基板の検出動作において、前記エンコーダシステムによって前記ステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項45に記載の露光方法において、
前記検出装置による前記基板の検出動作はその少なくとも一部が、前記マーク検出系による前記マークの検出動作と並行して実行される露光方法。 - 請求項45又は46に記載の露光方法において、
前記検出装置によって前記ステージの上面に設けられる計測部材が検出されるように前記ステージが移動され、前記露光動作において前記計測部材の検出情報が用いられ、
前記計測部材の検出動作において、前記エンコーダシステムによって前記第3方向に関する前記ステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項47に記載の露光方法において、
前記投影光学系を介して投影されるマーク像が、前記計測部材のスリットパターンを介して検出され、
前記マーク像の検出動作において、前記第3方向に関して異なる位置でそれぞれ前記マーク像が検出されるように前記ステージが移動されるとともに、前記エンコーダシステムによって前記第3方向に関する前記ステージの位置情報が計測され、
前記露光動作において前記マーク像の検出情報が用いられる露光方法。 - 請求項36〜48のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記投影光学系の下端部を取り囲むように設けられるノズルユニットによって、前記投影光学系の下に液体で液浸領域が形成され、前記基板は、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して露光され、
前記格子部と前記ヘッドとの他方は、前記投影光学系に対して前記ノズルユニットの外側に設けられる露光方法。 - 請求項36〜49のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記ステージの移動中、前記格子部と対向する前記複数のヘッドの1つが別のヘッドに切り換えられ、
前記切換後、前記複数のヘッドのうち前記1つのヘッドを除く残りのヘッドと、前記複数のヘッドと異なる前記別のヘッドと、を含む複数のヘッドによって前記ステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項50に記載の露光方法において、
前記切換前に用いられる複数のヘッドによって計測される位置情報に基づいて、前記別のヘッドを含む、前記切換後に用いられる複数のヘッドを使って前記ステージの移動を制御するための補正情報が取得される露光方法。 - 請求項51に記載の露光方法において、
前記切換前、前記格子部と対向する3つの前記ヘッドによって前記ステージの位置情報が計測され、
前記切換後、前記3つのヘッドのうち前記1つのヘッドを除く2つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む3つのヘッドによって前記ステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項52に記載の露光方法において、
前記補正情報は、前記切換前に用いられる前記3つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む4つのヘッドが前記格子部と対向している間に取得される露光方法。 - 請求項52又は53に記載の露光方法において、
前記切換は、前記切換前に用いられる前記3つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む4つのヘッドが前記格子部と対向している間に行われる露光方法。 - 請求項52〜54のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記格子部は、それぞれ反射型格子が形成される4つのスケール部材を有し、
前記補正情報の取得および前記切換は、前記切換前に用いられる前記3つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む4つのヘッドがそれぞれ前記4つのスケール部材と対向している間に行われる露光方法。 - 請求項55に記載の露光方法において、
少なくとも前記露光動作において、前記4つのスケール部材の3つ又は4つとそれぞれ対向する3つ又は4つの前記ヘッドによって前記ステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項56に記載の露光方法において、
前記ステージの移動によって、前記格子部と対向するヘッドは、前記3つのヘッドと前記4つのヘッドとの一方から他方に変更される露光方法。 - 請求項36〜57のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記ヘッドの変位と光学特性との少なくとも一方に起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差が補償される露光方法。 - デバイス製造方法であって、
請求項36〜58のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 - 投影光学系を介して照明光で基板を露光する露光装置であって、
前記投影光学系を支持するフレーム部材と、
前記投影光学系の下方に配置されるベースと、
前記ベース上に配置され、前記基板を保持するステージと、
前記ベース上で非接触に支持される前記ステージを駆動する駆動系と、
前記ステージに格子部とヘッドとの一方が設けられ、かつ前記格子部と前記ヘッドとの他方が前記フレーム部材に支持されるとともに、前記格子部と対向する複数の前記ヘッドによって、前記ステージの位置情報を計測するエンコーダシステムと、
前記計測される位置情報に基づいて、前記ヘッドに起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差を補償しつつ前記ステージの移動を制御する制御装置と、を備え、
前記制御装置により、前記ステージの移動中、前記計測に用いられる前記複数のヘッドの1つが別のヘッドに切り換えられ、
前記切換前、前記格子部と対向する3つの前記ヘッドによって前記ステージの位置情報が計測されるとともに、前記切換後、前記3つのヘッドのうち前記1つのヘッドを除く2つのヘッドと、前記3つのヘッドと異なる前記別のヘッドと、を含む3つのヘッドによって、前記ステージの位置情報が計測され、
前記切換前に用いられる前記3つのヘッドによって計測される位置情報に基づいて、前記切換後に前記別のヘッドを使って前記ステージの移動を制御するための位置情報が取得される露光装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006237692 | 2006-09-01 | ||
JP2006237692 | 2006-09-01 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016004065A Division JP6107979B2 (ja) | 2006-09-01 | 2016-01-13 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018051879A Division JP6531851B2 (ja) | 2006-09-01 | 2018-03-20 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016191923A true JP2016191923A (ja) | 2016-11-10 |
JP6319360B2 JP6319360B2 (ja) | 2018-05-09 |
Family
ID=39157184
Family Applications (9)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008533142A Expired - Fee Related JP5035247B2 (ja) | 2006-09-01 | 2007-09-03 | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、デバイス製造方法、並びにキャリブレーション方法 |
JP2012096227A Expired - Fee Related JP5397841B2 (ja) | 2006-09-01 | 2012-04-20 | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法、 |
JP2013162193A Active JP5729576B2 (ja) | 2006-09-01 | 2013-08-05 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2014127874A Expired - Fee Related JP5842957B2 (ja) | 2006-09-01 | 2014-06-23 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2014258678A Expired - Fee Related JP5896252B2 (ja) | 2006-09-01 | 2014-12-22 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2015190799A Expired - Fee Related JP6191670B2 (ja) | 2006-09-01 | 2015-09-29 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016004065A Expired - Fee Related JP6107979B2 (ja) | 2006-09-01 | 2016-01-13 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016095794A Active JP6319360B2 (ja) | 2006-09-01 | 2016-05-12 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2018051879A Expired - Fee Related JP6531851B2 (ja) | 2006-09-01 | 2018-03-20 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Family Applications Before (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008533142A Expired - Fee Related JP5035247B2 (ja) | 2006-09-01 | 2007-09-03 | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、デバイス製造方法、並びにキャリブレーション方法 |
JP2012096227A Expired - Fee Related JP5397841B2 (ja) | 2006-09-01 | 2012-04-20 | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法、 |
JP2013162193A Active JP5729576B2 (ja) | 2006-09-01 | 2013-08-05 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2014127874A Expired - Fee Related JP5842957B2 (ja) | 2006-09-01 | 2014-06-23 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2014258678A Expired - Fee Related JP5896252B2 (ja) | 2006-09-01 | 2014-12-22 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2015190799A Expired - Fee Related JP6191670B2 (ja) | 2006-09-01 | 2015-09-29 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016004065A Expired - Fee Related JP6107979B2 (ja) | 2006-09-01 | 2016-01-13 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018051879A Expired - Fee Related JP6531851B2 (ja) | 2006-09-01 | 2018-03-20 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (11) | US8134688B2 (ja) |
EP (2) | EP2071613B1 (ja) |
JP (9) | JP5035247B2 (ja) |
KR (8) | KR101660667B1 (ja) |
CN (2) | CN101405838B (ja) |
HK (2) | HK1165018A1 (ja) |
SG (2) | SG183736A1 (ja) |
TW (6) | TWI553704B (ja) |
WO (1) | WO2008029757A1 (ja) |
Families Citing this family (117)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3171220A1 (en) * | 2006-01-19 | 2017-05-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
CN101986209B (zh) * | 2006-02-21 | 2012-06-20 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法及组件制造方法 |
KR101634893B1 (ko) | 2006-08-31 | 2016-06-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
TWI655517B (zh) | 2006-08-31 | 2019-04-01 | 日商尼康股份有限公司 | Exposure apparatus and method, and component manufacturing method |
KR101711323B1 (ko) | 2006-08-31 | 2017-02-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
EP2993523B1 (en) | 2006-09-01 | 2017-08-30 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
KR101660667B1 (ko) | 2006-09-01 | 2016-09-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법, 그리고 캘리브레이션 방법 |
US7886449B2 (en) * | 2007-02-20 | 2011-02-15 | Electro Scientific Industries, Inc. | Flexure guide bearing for short stroke stage |
US7603785B2 (en) * | 2007-02-20 | 2009-10-20 | Electro Scientific Industries, Inc. | Air bearing assembly for guiding motion of optical components of a laser processing system |
US7889322B2 (en) * | 2007-02-20 | 2011-02-15 | Electro Scientific Industries, Inc. | Specimen inspection stage implemented with processing stage coupling mechanism |
US9304412B2 (en) * | 2007-08-24 | 2016-04-05 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and measuring method |
US8218129B2 (en) * | 2007-08-24 | 2012-07-10 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, measuring method, and position measurement system |
US8237919B2 (en) * | 2007-08-24 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads |
US9013681B2 (en) * | 2007-11-06 | 2015-04-21 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9256140B2 (en) * | 2007-11-07 | 2016-02-09 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method with measurement device to measure movable body in Z direction |
US8665455B2 (en) * | 2007-11-08 | 2014-03-04 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8422015B2 (en) | 2007-11-09 | 2013-04-16 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8711327B2 (en) * | 2007-12-14 | 2014-04-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8792079B2 (en) * | 2007-12-28 | 2014-07-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method having encoders to measure displacement between optical member and measurement mount and between measurement mount and movable body |
TWI454851B (zh) | 2007-12-28 | 2014-10-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus, a moving body driving system, a pattern forming apparatus, and an exposure method, and an element manufacturing method |
US8269945B2 (en) | 2007-12-28 | 2012-09-18 | Nikon Corporation | Movable body drive method and apparatus, exposure method and apparatus, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method |
US8237916B2 (en) * | 2007-12-28 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
NL1036662A1 (nl) * | 2008-04-08 | 2009-10-09 | Asml Netherlands Bv | Stage system and lithographic apparatus comprising such stage system. |
US8786829B2 (en) * | 2008-05-13 | 2014-07-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8817236B2 (en) * | 2008-05-13 | 2014-08-26 | Nikon Corporation | Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8228482B2 (en) * | 2008-05-13 | 2012-07-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
EP2131243B1 (en) * | 2008-06-02 | 2015-07-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for calibrating a stage position |
US8325325B2 (en) * | 2008-09-22 | 2012-12-04 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, movable body drive method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8994923B2 (en) * | 2008-09-22 | 2015-03-31 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8508735B2 (en) * | 2008-09-22 | 2013-08-13 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, movable body drive method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
NL2003638A (en) * | 2008-12-03 | 2010-06-07 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
US8902402B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-12-02 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8599359B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-12-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method |
US8760629B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-06-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body |
US8773635B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-07-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP2010205867A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Canon Inc | 位置検出装置及び露光装置 |
US8792084B2 (en) * | 2009-05-20 | 2014-07-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8970820B2 (en) | 2009-05-20 | 2015-03-03 | Nikon Corporation | Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8553204B2 (en) | 2009-05-20 | 2013-10-08 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
EP2264409B1 (en) * | 2009-06-19 | 2015-10-07 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8514395B2 (en) * | 2009-08-25 | 2013-08-20 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8488109B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-07-16 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8493547B2 (en) * | 2009-08-25 | 2013-07-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US20110096312A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
US20110096306A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
US20110096318A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
US20110102761A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-05-05 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method |
US20110075120A1 (en) * | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US20110085150A1 (en) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
NL2005545A (en) * | 2009-11-17 | 2011-05-18 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
US20110123913A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-05-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method |
US20110128523A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
US8488106B2 (en) * | 2009-12-28 | 2013-07-16 | Nikon Corporation | Movable body drive method, movable body apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
NL2006127A (en) * | 2010-02-17 | 2011-08-18 | Asml Netherlands Bv | A substrate table, a lithographic apparatus and a method for manufacturing a device using a lithographic apparatus. |
JP5861858B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2016-02-16 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
NL2006913A (en) | 2010-07-16 | 2012-01-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method. |
US20120064460A1 (en) * | 2010-09-07 | 2012-03-15 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, object processing device, exposure apparatus, flat-panel display manufacturing method, and device manufacturing method |
CN102175133B (zh) * | 2011-02-25 | 2012-07-18 | 清华大学 | 全局金属膜厚度测量装置 |
JP6368453B2 (ja) * | 2011-06-24 | 2018-08-01 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、及び基板処理装置のデータ解析方法並びにプログラム |
KR20140039245A (ko) | 2011-07-06 | 2014-04-01 | 레니쇼우 피엘씨 | 제조 방법 및 제조 장치 |
JP5862857B2 (ja) * | 2011-07-15 | 2016-02-16 | 株式会社ニコン | エンコーダ装置、光学装置、及び露光装置 |
WO2013036498A1 (en) | 2011-09-06 | 2013-03-14 | Nikon Corporation | High contrast encoder head |
KR101829030B1 (ko) | 2011-10-27 | 2018-03-29 | 더 유니버시티 오브 브리티쉬 콜롬비아 | 변위 장치 및 변위 장치의 제조, 사용 그리고 제어를 위한 방법 |
WO2013073538A1 (ja) | 2011-11-17 | 2013-05-23 | 株式会社ニコン | エンコーダ装置、移動量計測方法、光学装置、並びに露光方法及び装置 |
US9207549B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-12-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement |
CN103364757B (zh) * | 2012-03-28 | 2017-07-21 | 富泰华工业(深圳)有限公司 | 便携式电子装置及其测距装置 |
WO2013161428A1 (ja) * | 2012-04-26 | 2013-10-31 | 株式会社ニコン | 計測方法及びエンコーダ装置、並びに露光方法及び装置 |
EP2867683B1 (en) * | 2012-06-28 | 2021-09-01 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | High throughput microscopy device |
US9772564B2 (en) * | 2012-11-12 | 2017-09-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
JP6102230B2 (ja) * | 2012-12-07 | 2017-03-29 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2014143253A (ja) * | 2013-01-22 | 2014-08-07 | Canon Inc | 検出装置、計測装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
KR102080875B1 (ko) | 2013-01-23 | 2020-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스테이지 이송 장치 및 이를 이용한 스테이지 위치 측정 방법 |
JP6243927B2 (ja) | 2013-02-08 | 2017-12-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
US9865494B2 (en) | 2013-05-23 | 2018-01-09 | Nikon Corporation | Substrate holding method, substrate holding apparatus, exposure apparatus and exposure method |
CN105452812B (zh) * | 2013-08-06 | 2019-04-30 | 不列颠哥伦比亚大学 | 移位装置以及用于检测和估计与其相关联的运动的方法和设备 |
JP6109049B2 (ja) | 2013-11-29 | 2017-04-05 | キヤノン株式会社 | 処理装置、位置決め装置の制御方法、物品の製造方法 |
US9136243B2 (en) * | 2013-12-03 | 2015-09-15 | Kulicke And Soffa Industries, Inc. | Systems and methods for determining and adjusting a level of parallelism related to bonding of semiconductor elements |
DE102014205523A1 (de) * | 2014-03-25 | 2015-10-01 | Etel S.A. | Positioniereinrichtung in Portalbauweise |
TWI701514B (zh) * | 2014-03-28 | 2020-08-11 | 日商尼康股份有限公司 | 移動體裝置、曝光裝置、平板顯示器之製造方法、元件製造方法、及移動體驅動方法 |
EP3152822B1 (en) | 2014-06-07 | 2019-08-07 | The University Of British Columbia | Methods and systems for controllably moving multiple moveable stages in a displacement device |
KR102299384B1 (ko) * | 2014-06-13 | 2021-09-08 | 삼성전자주식회사 | 통신 시스템에서 선택적 통신 서비스를 위한 방법 및 장치 |
EP3155712A4 (en) | 2014-06-14 | 2018-02-21 | The University Of British Columbia | Displacement devices, moveable stages for displacement devices and methods for fabrication, use and control of same |
JP6639082B2 (ja) * | 2014-11-13 | 2020-02-05 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、および物品製造方法 |
CN111610696A (zh) | 2015-02-23 | 2020-09-01 | 株式会社尼康 | 基板处理系统及基板处理方法、以及组件制造方法 |
CN111158220A (zh) | 2015-02-23 | 2020-05-15 | 株式会社尼康 | 测量装置及方法、光刻系统、曝光装置及方法 |
EP3742109A1 (en) | 2015-02-23 | 2020-11-25 | Nikon Corporation | Measurement device, lithography system and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9608142B2 (en) * | 2015-02-27 | 2017-03-28 | Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Optoelectronic modules with optics integrated into a cap |
CA2988803C (en) | 2015-07-06 | 2024-01-30 | The University Of British Columbia | Methods and systems for controllably moving one or more moveable stages in a displacement device |
JP6463227B2 (ja) * | 2015-07-07 | 2019-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送方法 |
NL2015170B1 (en) * | 2015-07-15 | 2017-02-01 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Spacer displacement device for a wafer illumination unit and wafer illumination unit. |
JP6727556B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2020-07-22 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにフラットパネルディスプレイ製造方法 |
CN111812949A (zh) * | 2015-09-30 | 2020-10-23 | 株式会社尼康 | 曝光装置及曝光方法、以及平面显示器制造方法 |
US20180329292A1 (en) * | 2015-11-20 | 2018-11-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic Apparatus and Method of Operating a Lithographic Apparatus |
CN205427436U (zh) * | 2016-03-23 | 2016-08-03 | 北京京东方光电科技有限公司 | 显示器件的对位检测设备及曝光工艺系统 |
JP6761279B2 (ja) | 2016-05-16 | 2020-09-23 | キヤノン株式会社 | 位置決め装置、リソグラフィー装置および物品製造方法 |
CN109154782B (zh) | 2016-05-25 | 2021-06-01 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置 |
JP6845305B2 (ja) * | 2016-09-13 | 2021-03-17 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 位置決めシステムおよびリソグラフィ装置 |
JP6307730B1 (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-11 | 株式会社新川 | 半導体装置の製造方法、及び実装装置 |
KR102291903B1 (ko) | 2017-02-03 | 2021-08-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 노광 장치 |
TWI629475B (zh) | 2017-04-18 | 2018-07-11 | 財團法人工業技術研究院 | 非接觸式雙平面定位方法與裝置 |
WO2019058518A1 (ja) * | 2017-09-22 | 2019-03-28 | 株式会社Fuji | 電子部品装着方法及び電子部品装着機 |
CN110361936B (zh) * | 2018-03-26 | 2021-03-12 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 掩模版厚度检测装置、存储机构、传输机构及光刻系统 |
CN110344980B (zh) * | 2018-04-08 | 2021-08-27 | 联合汽车电子有限公司 | 喷油器喷油角度计量数据转换系统及其转换方法 |
US10535495B2 (en) * | 2018-04-10 | 2020-01-14 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Sample manipulation for nondestructive sample imaging |
CN109029189B (zh) * | 2018-06-12 | 2020-05-22 | 汕头市超声检测科技有限公司 | 一种基于双轴编码器的二维空间定位方法 |
JP7111348B2 (ja) * | 2018-06-15 | 2022-08-02 | ミタニマイクロニクス株式会社 | スクリーンマスクの製造方法 |
CN113939773A (zh) * | 2019-06-13 | 2022-01-14 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备 |
US11340179B2 (en) | 2019-10-21 | 2022-05-24 | Bae Systems Information And Electronic System Integration Inc. | Nanofabricated structures for sub-beam resolution and spectral enhancement in tomographic imaging |
US11764111B2 (en) * | 2019-10-24 | 2023-09-19 | Texas Instruments Incorporated | Reducing cross-wafer variability for minimum width resistors |
TWI754194B (zh) * | 2019-12-16 | 2022-02-01 | 頎邦科技股份有限公司 | 電路板 |
CN111816599B (zh) * | 2020-07-14 | 2021-05-18 | 长江存储科技有限责任公司 | 晶粒定位器及晶粒的定位方法 |
KR102622442B1 (ko) | 2020-08-14 | 2024-01-10 | 세메스 주식회사 | Apc 제어 장치 및 apc 제어 방법 |
JP2022121329A (ja) * | 2021-02-08 | 2022-08-19 | 株式会社ミツトヨ | 変位測定装置 |
CN113465514B (zh) * | 2021-06-28 | 2022-08-16 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 六维测量装置及方法 |
US20230068016A1 (en) * | 2021-08-26 | 2023-03-02 | Kla Corporation | Systems and methods for rotational calibration of metrology tools |
JPWO2023100395A1 (ja) * | 2021-12-01 | 2023-06-08 | ||
CN114719706B (zh) * | 2022-03-30 | 2023-07-11 | 东风汽车集团股份有限公司 | 一种带匹配功能的后大灯关键装配尺寸检具和检测方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04265805A (ja) * | 1990-10-22 | 1992-09-22 | Karl Suess Kg Praezisionsgeraete Fuer Wissenschaft & Ind Gmbh & Co | x,y,φ座標テーブル用測定装置 |
JPH05129184A (ja) * | 1991-10-30 | 1993-05-25 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JP2002090114A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-03-27 | Mitsutoyo Corp | 光スポット位置センサ及び変位測定装置 |
JP2002151405A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-05-24 | Asm Lithography Bv | リトグラフィー投影装置 |
JP2002203762A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-19 | Nikon Corp | 露光量設定方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2006128693A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Asml Netherlands Bv | 光学的に位置を評価する機器及び方法 |
WO2006057263A1 (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-01 | Nikon Corporation | 移動体システム、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006201586A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 露光装置 |
Family Cites Families (173)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE221563C (ja) | ||||
US4215938A (en) | 1978-09-28 | 1980-08-05 | Farrand Industries, Inc. | Method and apparatus for correcting the error of a position measuring interferometer |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
JPS60119407A (ja) | 1983-11-30 | 1985-06-26 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 比較検査装置 |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
US4780617A (en) | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
JPS6144429A (ja) | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JPS63292005A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Nikon Corp | 走り誤差補正をなした移動量検出装置 |
US5070250A (en) | 1989-02-28 | 1991-12-03 | Nikon Corporation | Position detection apparatus with adjustable beam and interference fringe positions |
US5489986A (en) | 1989-02-28 | 1996-02-06 | Nikon Corporation | Position detecting apparatus |
US5021649A (en) | 1989-03-28 | 1991-06-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Relief diffraction grating encoder |
JP2784225B2 (ja) * | 1989-11-28 | 1998-08-06 | 双葉電子工業株式会社 | 相対移動量測定装置 |
JP3077149B2 (ja) | 1990-01-22 | 2000-08-14 | 株式会社ニコン | 測定装置、測定方法、及び露光装置、露光方法、及び回路パターンチップ |
US5523843A (en) | 1990-07-09 | 1996-06-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detecting system |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
US5506684A (en) | 1991-04-04 | 1996-04-09 | Nikon Corporation | Projection scanning exposure apparatus with synchronous mask/wafer alignment system |
JP3149472B2 (ja) | 1991-08-30 | 2001-03-26 | 株式会社ニコン | 走査露光装置および物体の移動測定装置 |
DE4219311C2 (de) | 1991-06-13 | 1996-03-07 | Sony Magnescale Inc | Verschiebungsdetektor |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP3316833B2 (ja) | 1993-03-26 | 2002-08-19 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法 |
KR100300618B1 (ko) | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
JP3303386B2 (ja) | 1993-02-03 | 2002-07-22 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法 |
US5461237A (en) | 1993-03-26 | 1995-10-24 | Nikon Corporation | Surface-position setting apparatus |
US5583609A (en) | 1993-04-23 | 1996-12-10 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
JP3375076B2 (ja) | 1993-04-27 | 2003-02-10 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法 |
US5581324A (en) | 1993-06-10 | 1996-12-03 | Nikon Corporation | Thermal distortion compensated projection exposure method and apparatus for manufacturing semiconductors |
JP3319819B2 (ja) | 1993-06-25 | 2002-09-03 | 株式会社リコー | 画像形成装置管理システム |
JPH09223650A (ja) | 1996-02-15 | 1997-08-26 | Nikon Corp | 露光装置 |
US6122036A (en) | 1993-10-21 | 2000-09-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
US5625453A (en) | 1993-10-26 | 1997-04-29 | Canon Kabushiki Kaisha | System and method for detecting the relative positional deviation between diffraction gratings and for measuring the width of a line constituting a diffraction grating |
JPH07190741A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 測定誤差補正法 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JPH07270122A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Canon Inc | 変位検出装置、該変位検出装置を備えた露光装置およびデバイスの製造方法 |
JPH0883753A (ja) | 1994-09-13 | 1996-03-26 | Nikon Corp | 焦点検出方法 |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
KR970067591A (ko) * | 1996-03-04 | 1997-10-13 | 오노 시게오 | 투영노광장치 |
JPH09318321A (ja) * | 1996-05-30 | 1997-12-12 | Olympus Optical Co Ltd | 測長装置 |
JPH1063011A (ja) | 1996-08-14 | 1998-03-06 | Nikon Corp | 走査型露光装置及び走査露光方法 |
US5917580A (en) * | 1996-08-29 | 1999-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Scan exposure method and apparatus |
US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
CN1144263C (zh) | 1996-11-28 | 2004-03-31 | 株式会社尼康 | 曝光装置以及曝光方法 |
JPH10223528A (ja) | 1996-12-30 | 1998-08-21 | Nikon Corp | 投影露光装置及び位置合わせ方法 |
USRE40043E1 (en) | 1997-03-10 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Positioning device having two object holders |
JPH10270535A (ja) | 1997-03-25 | 1998-10-09 | Nikon Corp | 移動ステージ装置、及び該ステージ装置を用いた回路デバイス製造方法 |
JPH10289943A (ja) * | 1997-04-16 | 1998-10-27 | Canon Inc | ステージ装置およびデバイス製造方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
EP1028456A4 (en) * | 1997-09-19 | 2003-03-05 | Nikon Corp | PLATINUM, SCANNING ALIGNMENT DEVICE, AND SCANNING EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURED THEREBY |
US6020964A (en) | 1997-12-02 | 2000-02-01 | Asm Lithography B.V. | Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3809268B2 (ja) | 1997-12-19 | 2006-08-16 | キヤノン株式会社 | デバイス製造方法 |
JPH11191585A (ja) | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Canon Inc | ステージ装置、およびこれを用いた露光装置、ならびにデバイス製造方法 |
US6509953B1 (en) * | 1998-02-09 | 2003-01-21 | Nikon Corporation | Apparatus for exposing a pattern onto an object with controlled scanning |
JPH11233420A (ja) | 1998-02-18 | 1999-08-27 | Nikon Corp | 投影露光装置及び位置検出方法 |
KR100841147B1 (ko) | 1998-03-11 | 2008-06-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 레이저 장치, 자외광 조사 장치 및 방법, 물체의 패턴 검출장치 및 방법 |
US6008610A (en) | 1998-03-20 | 1999-12-28 | Nikon Corporation | Position control apparatus for fine stages carried by a coarse stage on a high-precision scanning positioning system |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
AU3849199A (en) | 1998-05-19 | 1999-12-06 | Nikon Corporation | Aberration measuring instrument and measuring method, projection exposure apparatus provided with the instrument and device-manufacturing method using the measuring method, and exposure method |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
JP2000068192A (ja) | 1998-08-18 | 2000-03-03 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及び位置検出方法 |
US6144118A (en) * | 1998-09-18 | 2000-11-07 | General Scanning, Inc. | High-speed precision positioning apparatus |
AU6122099A (en) * | 1998-10-14 | 2000-05-01 | Nikon Corporation | Shape measuring method and shape measuring device, position control method, stage device, exposure apparatus and method for producing exposure apparatus, and device and method for manufacturing device |
EP1014199B1 (en) | 1998-12-24 | 2011-03-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Stage control apparatus, exposure apparatus and method of manufacturing a semiconductor device |
TW490596B (en) * | 1999-03-08 | 2002-06-11 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the lithographic projection apparatus, device manufactured according to the method and method of calibrating the lithographic projection apparatus |
US6924884B2 (en) | 1999-03-08 | 2005-08-02 | Asml Netherlands B.V. | Off-axis leveling in lithographic projection apparatus |
US6381004B1 (en) | 1999-09-29 | 2002-04-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
JP4428781B2 (ja) | 1999-12-28 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 光学式ロータリエンコーダ及びモータ制御装置 |
KR100755335B1 (ko) * | 2000-01-11 | 2007-09-05 | 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 | 아베 에러 정정 시스템 및 방법 |
JP2001308003A (ja) | 2000-02-15 | 2001-11-02 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
US6771350B2 (en) | 2000-02-25 | 2004-08-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution |
JP2001313250A (ja) | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Nikon Corp | 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法 |
FR2806657B1 (fr) * | 2000-03-21 | 2002-08-16 | Romain Granger | Systeme de reperage positionnel d'une machine tridimensionnelle dans un referentiel fixe |
US6639686B1 (en) | 2000-04-13 | 2003-10-28 | Nanowave, Inc. | Method of and apparatus for real-time continual nanometer scale position measurement by beam probing as by laser beams and the like of atomic and other undulating surfaces such as gratings or the like relatively moving with respect to the probing beams |
US20020041377A1 (en) | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
US6970245B2 (en) * | 2000-08-02 | 2005-11-29 | Honeywell International Inc. | Optical alignment detection system |
US7561270B2 (en) | 2000-08-24 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7289212B2 (en) * | 2000-08-24 | 2007-10-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufacturing thereby |
EP1364257A1 (en) | 2001-02-27 | 2003-11-26 | ASML US, Inc. | Simultaneous imaging of two reticles |
KR100922910B1 (ko) | 2001-03-27 | 2009-10-22 | 캠브리지 메카트로닉스 리미티드 | 사운드 필드를 생성하는 방법 및 장치 |
JP4198338B2 (ja) | 2001-07-09 | 2008-12-17 | 株式会社 東北テクノアーチ | ステージ装置 |
JP2003031474A (ja) | 2001-07-16 | 2003-01-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 露光装置および露光方法 |
TW529172B (en) * | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
JP2003249443A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-09-05 | Nikon Corp | ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2003065428A1 (fr) | 2002-01-29 | 2003-08-07 | Nikon Corporation | Systeme de reglage d'etat de formation d'images, procede d'insolation, appareil d'exposition, programme, et support d'enregistrement d'information |
US6987555B2 (en) | 2002-04-23 | 2006-01-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
JP4168665B2 (ja) | 2002-05-22 | 2008-10-22 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 |
AU2003241737A1 (en) * | 2002-05-31 | 2003-12-22 | Nikon Corporation | Position measurement method, exposure method, exposure device, and device manufacturing method |
US7362508B2 (en) | 2002-08-23 | 2008-04-22 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
JP2004101362A (ja) | 2002-09-10 | 2004-04-02 | Canon Inc | ステージ位置計測および位置決め装置 |
EP2495613B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-07-31 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
CN101424881B (zh) | 2002-11-12 | 2011-11-30 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
DE60335595D1 (de) | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
JP4362867B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2009-11-11 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101036114B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2011-05-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법 |
KR101177330B1 (ko) | 2003-04-10 | 2012-08-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치 |
KR101647934B1 (ko) | 2003-05-06 | 2016-08-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법 |
US7025498B2 (en) | 2003-05-30 | 2006-04-11 | Asml Holding N.V. | System and method of measuring thermal expansion |
EP1500982A1 (en) * | 2003-07-24 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2264534B1 (en) | 2003-07-28 | 2013-07-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus |
JP4492239B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-06-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
TWI295408B (en) | 2003-10-22 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method, and measurement system |
US7423722B2 (en) * | 2004-01-29 | 2008-09-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7102729B2 (en) | 2004-02-03 | 2006-09-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, measurement system, and device manufacturing method |
JP2005252246A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-09-15 | Nikon Corp | 露光装置及び方法、位置制御方法、並びにデバイス製造方法 |
TW200537255A (en) | 2004-02-04 | 2005-11-16 | Nikon Corp | Exposure equipment and method, position control method and device manufacturing method |
JP4429037B2 (ja) | 2004-02-27 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | ステージ装置及びその制御方法 |
JP2005249452A (ja) | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | リニアエンコーダ、画像読取装置及び画像記録装置 |
JP4622340B2 (ja) | 2004-03-04 | 2011-02-02 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法 |
JP2005268608A (ja) | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ステージ装置 |
JP2005283357A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Sendai Nikon:Kk | 光電式エンコーダ |
US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4751032B2 (ja) * | 2004-04-22 | 2011-08-17 | 株式会社森精機製作所 | 変位検出装置 |
US20050241694A1 (en) | 2004-04-29 | 2005-11-03 | Red Flame Hot Tap Services Ltd. | Hot tapping method, system and apparatus |
GB0411837D0 (en) * | 2004-05-27 | 2004-06-30 | Leuven K U Res & Dev | A measurement configuration based on linear scales able to measure to a target also moving perpendicular to the measurement axis |
US7126109B2 (en) | 2004-06-14 | 2006-10-24 | Gsi Group Corporation | Encoder scale error compensation employing comparison among multiple detectors |
WO2005124832A1 (ja) * | 2004-06-17 | 2005-12-29 | Nikon Corporation | 露光装置 |
JP4873242B2 (ja) | 2004-06-22 | 2012-02-08 | 株式会社ニコン | ベストフォーカス検出方法及び露光方法、並びに露光装置 |
WO2006006562A1 (ja) * | 2004-07-12 | 2006-01-19 | Nikon Corporation | 露光条件の決定方法、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US7256871B2 (en) | 2004-07-27 | 2007-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for calibrating the same |
WO2006025386A1 (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Nikon Corporation | 位置合わせ方法、処理システム、基板の投入再現性計測方法、位置計測方法、露光方法、基板処理装置、計測方法及び計測装置 |
SG10201802153XA (en) | 2004-09-17 | 2018-05-30 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing device |
JP4852951B2 (ja) | 2004-09-17 | 2012-01-11 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
KR101266631B1 (ko) * | 2004-09-30 | 2013-05-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 계측 방법, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
EP1794650A4 (en) | 2004-09-30 | 2008-09-10 | Nikon Corp | OPTICAL PROJECTION DEVICE AND EXPOSURE DEVICE |
JP4424739B2 (ja) | 2004-10-19 | 2010-03-03 | キヤノン株式会社 | ステージ装置 |
US7528931B2 (en) * | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060139595A1 (en) | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for determining Z position errors/variations and substrate table flatness |
US7450217B2 (en) * | 2005-01-12 | 2008-11-11 | Asml Netherlands B.V. | Exposure apparatus, coatings for exposure apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
JP2006210570A (ja) | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Nikon Corp | 調整方法、露光装置 |
US7515281B2 (en) | 2005-04-08 | 2009-04-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7161659B2 (en) | 2005-04-08 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7405811B2 (en) | 2005-04-20 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and positioning apparatus |
US7349069B2 (en) | 2005-04-20 | 2008-03-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and positioning apparatus |
US7348574B2 (en) | 2005-09-02 | 2008-03-25 | Asml Netherlands, B.V. | Position measurement system and lithographic apparatus |
US7362446B2 (en) | 2005-09-15 | 2008-04-22 | Asml Netherlands B.V. | Position measurement unit, measurement system and lithographic apparatus comprising such position measurement unit |
JP2007093546A (ja) | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Nikon Corp | エンコーダシステム、ステージ装置及び露光装置 |
US7978339B2 (en) | 2005-10-04 | 2011-07-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus temperature compensation |
EP3171220A1 (en) | 2006-01-19 | 2017-05-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
CN101986209B (zh) | 2006-02-21 | 2012-06-20 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法及组件制造方法 |
EP3327507B1 (en) | 2006-02-21 | 2019-04-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
WO2007097466A1 (ja) | 2006-02-21 | 2007-08-30 | Nikon Corporation | 測定装置及び方法、処理装置及び方法、パターン形成装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
US7602489B2 (en) | 2006-02-22 | 2009-10-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7253875B1 (en) | 2006-03-03 | 2007-08-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7636165B2 (en) | 2006-03-21 | 2009-12-22 | Asml Netherlands B.V. | Displacement measurement systems lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7576832B2 (en) | 2006-05-04 | 2009-08-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7483120B2 (en) | 2006-05-09 | 2009-01-27 | Asml Netherlands B.V. | Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method |
JP4393540B2 (ja) | 2006-08-01 | 2010-01-06 | シャープ株式会社 | 樹脂含有粒子の凝集体の製造方法、トナー、現像剤、現像装置および画像形成装置 |
TWI655517B (zh) | 2006-08-31 | 2019-04-01 | 日商尼康股份有限公司 | Exposure apparatus and method, and component manufacturing method |
KR101711323B1 (ko) | 2006-08-31 | 2017-02-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
KR101634893B1 (ko) | 2006-08-31 | 2016-06-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
EP2993523B1 (en) | 2006-09-01 | 2017-08-30 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
KR101660667B1 (ko) | 2006-09-01 | 2016-09-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법, 그리고 캘리브레이션 방법 |
US7619207B2 (en) | 2006-11-08 | 2009-11-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7903866B2 (en) | 2007-03-29 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Measurement system, lithographic apparatus and method for measuring a position dependent signal of a movable object |
US7710540B2 (en) | 2007-04-05 | 2010-05-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8547527B2 (en) * | 2007-07-24 | 2013-10-01 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and pattern formation apparatus, and device manufacturing method |
TWI454851B (zh) | 2007-12-28 | 2014-10-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus, a moving body driving system, a pattern forming apparatus, and an exposure method, and an element manufacturing method |
-
2007
- 2007-09-03 KR KR1020157027405A patent/KR101660667B1/ko active IP Right Grant
- 2007-09-03 KR KR1020147017373A patent/KR101511929B1/ko active IP Right Grant
- 2007-09-03 KR KR1020167007270A patent/KR101770082B1/ko active IP Right Grant
- 2007-09-03 TW TW102143431A patent/TWI553704B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-09-03 KR KR1020187020603A patent/KR20180085820A/ko active IP Right Grant
- 2007-09-03 CN CN2007800098722A patent/CN101405838B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-09-03 TW TW106117477A patent/TWI622084B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-09-03 TW TW105103727A patent/TWI574304B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-09-03 CN CN201110322431.6A patent/CN102360169B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-09-03 TW TW105139591A patent/TWI596656B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-09-03 SG SG2012060679A patent/SG183736A1/en unknown
- 2007-09-03 TW TW107108200A patent/TWI652720B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-09-03 KR KR1020137021540A patent/KR101444632B1/ko active IP Right Grant
- 2007-09-03 KR KR1020087027273A patent/KR101323530B1/ko active IP Right Grant
- 2007-09-03 KR KR1020177022608A patent/KR101881716B1/ko active IP Right Grant
- 2007-09-03 EP EP07806596.8A patent/EP2071613B1/en not_active Not-in-force
- 2007-09-03 TW TW096132715A patent/TWI434326B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-09-03 SG SG2011061520A patent/SG174102A1/en unknown
- 2007-09-03 EP EP15185017.9A patent/EP2993524B1/en not_active Not-in-force
- 2007-09-03 KR KR1020147036522A patent/KR101626245B1/ko active IP Right Grant
- 2007-09-03 JP JP2008533142A patent/JP5035247B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-09-03 WO PCT/JP2007/067123 patent/WO2008029757A1/ja active Application Filing
- 2007-09-04 US US11/896,579 patent/US8134688B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-01-31 US US13/363,079 patent/US9081301B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-04-13 HK HK12103657.4A patent/HK1165018A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2012-04-20 JP JP2012096227A patent/JP5397841B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-08-05 JP JP2013162193A patent/JP5729576B2/ja active Active
-
2014
- 2014-06-23 JP JP2014127874A patent/JP5842957B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-08-14 US US14/459,883 patent/US9429854B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-12-22 JP JP2014258678A patent/JP5896252B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-05-27 US US14/722,799 patent/US9377698B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-05-27 US US14/722,888 patent/US9760021B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-09-29 JP JP2015190799A patent/JP6191670B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-01-13 JP JP2016004065A patent/JP6107979B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-05-12 JP JP2016095794A patent/JP6319360B2/ja active Active
- 2016-05-31 HK HK16106139.1A patent/HK1218167A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-07-22 US US15/216,840 patent/US9625834B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-02-15 US US15/433,269 patent/US9740114B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2017-07-14 US US15/650,439 patent/US9846374B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2017-11-14 US US15/812,592 patent/US9971253B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-03-20 JP JP2018051879A patent/JP6531851B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2018-04-05 US US15/946,030 patent/US10197924B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2018-12-05 US US16/210,108 patent/US10289012B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04265805A (ja) * | 1990-10-22 | 1992-09-22 | Karl Suess Kg Praezisionsgeraete Fuer Wissenschaft & Ind Gmbh & Co | x,y,φ座標テーブル用測定装置 |
JPH05129184A (ja) * | 1991-10-30 | 1993-05-25 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JP2002090114A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-03-27 | Mitsutoyo Corp | 光スポット位置センサ及び変位測定装置 |
JP2002151405A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-05-24 | Asm Lithography Bv | リトグラフィー投影装置 |
JP2002203762A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-19 | Nikon Corp | 露光量設定方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2006128693A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Asml Netherlands Bv | 光学的に位置を評価する機器及び方法 |
WO2006057263A1 (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-01 | Nikon Corporation | 移動体システム、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006201586A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 露光装置 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6583755B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP6319360B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP6029037B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170315 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170322 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170510 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170908 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171101 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180306 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180319 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6319360 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |