JP2015106638A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2015106638A5
JP2015106638A5 JP2013247862A JP2013247862A JP2015106638A5 JP 2015106638 A5 JP2015106638 A5 JP 2015106638A5 JP 2013247862 A JP2013247862 A JP 2013247862A JP 2013247862 A JP2013247862 A JP 2013247862A JP 2015106638 A5 JP2015106638 A5 JP 2015106638A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
solder
via hole
barrier metal
reaction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013247862A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2015106638A (ja
JP6277693B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from JP2013247862A external-priority patent/JP6277693B2/ja
Priority to JP2013247862A priority Critical patent/JP6277693B2/ja
Priority to US14/465,884 priority patent/US9355937B2/en
Priority to DE102014221620.6A priority patent/DE102014221620B4/de
Priority to KR1020140164164A priority patent/KR101596232B1/ko
Priority to CN201410709725.8A priority patent/CN104681541B/zh
Publication of JP2015106638A publication Critical patent/JP2015106638A/ja
Publication of JP2015106638A5 publication Critical patent/JP2015106638A5/ja
Publication of JP6277693B2 publication Critical patent/JP6277693B2/ja
Application granted granted Critical
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2013247862A 2013-11-29 2013-11-29 半導体装置 Active JP6277693B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013247862A JP6277693B2 (ja) 2013-11-29 2013-11-29 半導体装置
US14/465,884 US9355937B2 (en) 2013-11-29 2014-08-22 Semiconductor device
DE102014221620.6A DE102014221620B4 (de) 2013-11-29 2014-10-24 Halbleitervorrichtung
KR1020140164164A KR101596232B1 (ko) 2013-11-29 2014-11-24 반도체장치
CN201410709725.8A CN104681541B (zh) 2013-11-29 2014-11-28 半导体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013247862A JP6277693B2 (ja) 2013-11-29 2013-11-29 半導体装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2015106638A JP2015106638A (ja) 2015-06-08
JP2015106638A5 true JP2015106638A5 (enExample) 2016-11-10
JP6277693B2 JP6277693B2 (ja) 2018-02-14

Family

ID=53058633

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013247862A Active JP6277693B2 (ja) 2013-11-29 2013-11-29 半導体装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9355937B2 (enExample)
JP (1) JP6277693B2 (enExample)
KR (1) KR101596232B1 (enExample)
CN (1) CN104681541B (enExample)
DE (1) DE102014221620B4 (enExample)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107980171B (zh) * 2016-12-23 2022-06-24 苏州能讯高能半导体有限公司 半导体芯片、半导体晶圆及半导体晶圆的制造方法
JP6863574B2 (ja) * 2017-02-22 2021-04-21 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体装置の製造方法
JP2019145546A (ja) * 2018-02-16 2019-08-29 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体装置の製造方法
US10967463B2 (en) * 2018-04-11 2021-04-06 The University Of Toledo Sn whisker growth mitigation using NiO sublayers
CN113228256B (zh) * 2018-12-27 2024-03-22 株式会社大真空 压电振动器件
CN109920757B (zh) * 2019-01-31 2020-08-25 厦门市三安集成电路有限公司 一种提高化合物半导体器件可靠性能的背段工艺
US10861792B2 (en) * 2019-03-25 2020-12-08 Raytheon Company Patterned wafer solder diffusion barrier
CN113809030B (zh) * 2021-11-16 2022-03-15 深圳市时代速信科技有限公司 半导体器件和半导体器件的制备方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63127550A (ja) * 1986-11-17 1988-05-31 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US4827610A (en) * 1987-08-31 1989-05-09 Texas Instruments Incorporated Method of creating solder or brazing barriers
US5156998A (en) 1991-09-30 1992-10-20 Hughes Aircraft Company Bonding of integrated circuit chip to carrier using gold/tin eutectic alloy and refractory metal barrier layer to block migration of tin through via holes
JP3350152B2 (ja) * 1993-06-24 2002-11-25 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JPH0766384A (ja) 1993-08-23 1995-03-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPH07193214A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Mitsubishi Electric Corp バイアホール及びその形成方法
JP3724110B2 (ja) * 1997-04-24 2005-12-07 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
US6541301B1 (en) * 1999-02-12 2003-04-01 Brook David Raymond Low RF loss direct die attach process and apparatus
JP2003045877A (ja) * 2001-08-01 2003-02-14 Sharp Corp 半導体装置およびその製造方法
US6764810B2 (en) * 2002-04-25 2004-07-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method for dual-damascene formation using a via plug
US20030203210A1 (en) * 2002-04-30 2003-10-30 Vitex Systems, Inc. Barrier coatings and methods of making same
JP2007095853A (ja) 2005-09-27 2007-04-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP5162909B2 (ja) * 2006-04-03 2013-03-13 豊田合成株式会社 半導体発光素子
JP5553504B2 (ja) 2008-12-26 2014-07-16 キヤノン株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
DE102009044086A1 (de) 2009-09-23 2011-03-24 United Monolithic Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils und nach diesem Verfahren hergestelltes elektronisches Bauteil
CN102237339B (zh) * 2010-04-28 2013-07-03 中国科学院微电子研究所 一种芯片背面金属起镀层结构及其制备方法
KR101781620B1 (ko) * 2010-09-01 2017-09-25 삼성전자주식회사 모오스 트랜지스터의 제조방법
TWI497602B (zh) * 2011-02-15 2015-08-21 Tzu Hsiung Chen 溝渠式蕭基二極體及其製作方法
US20120273948A1 (en) * 2011-04-27 2012-11-01 Nanya Technology Corporation Integrated circuit structure including a copper-aluminum interconnect and method for fabricating the same
JP2013128062A (ja) * 2011-12-19 2013-06-27 Elpida Memory Inc 半導体装置の製造方法
US8754531B2 (en) * 2012-03-14 2014-06-17 Nanya Technology Corp. Through-silicon via with a non-continuous dielectric layer
JP6002447B2 (ja) 2012-05-30 2016-10-05 株式会社Ｆｕｊｉｙａ 樹脂発泡ボード

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2015106638A5 (enExample)
JP6277693B2 (ja) 半導体装置
TWI627721B (zh) 半導體裝置之製造方法
JP2023054250A (ja) 半導体装置
JP6104858B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP7234432B2 (ja) 半導体装置
JP2018129475A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2016225466A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP5846178B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP5988489B2 (ja) 半導体素子およびその製造方法
JP2010118637A5 (ja) 半導体装置
US20150097275A1 (en) Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
JP2017201675A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2023174895A (ja) 半導体素子および半導体装置
JP2010278181A5 (enExample)
JP2003045965A (ja) 半導体装置及び製造方法
JP5806608B2 (ja) 半導体発光装置
JP2011193007A (ja) 半導体チップおよびこれを用いた半導体装置
JP6099591B2 (ja) 半導体装置、および半導体装置の製造方法
JP2008091457A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
TWI587418B (zh) 半導體裝置及其製造方法
JP6558969B2 (ja) 半導体チップ、半導体装置およびそれらの製造方法
JP6034747B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP6159125B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2014222742A (ja) 半導体装置