JP2014209615A - 静電チャック - Google Patents

Abstract

【課題】ガス導入路内での放電に対して高い絶縁耐圧を得ることができる、あるいは、吸着の対象物に対してウェーハ温度均一性の高い温度制御を行うことができる静電チャックを提供することを目的とする。
【解決手段】吸着の対象物を載置する第１主面と、第１主面とは反対側の第２主面と、第２主面から第１主面にかけて設けられた貫通孔と、を有するセラミック誘電体基板と、セラミック誘電体基板を支持し、貫通孔と連通するガス導入路を有する金属製のベースプレートと、ガス導入路に設けられたセラミック多孔体と、セラミック多孔体とガス導入路との間に設けられセラミック多孔体よりも緻密なセラミック絶縁膜と、を有する絶縁体プラグと、を備え、セラミック絶縁膜は、セラミック多孔体の表面からセラミック多孔体の内部に食い込んだことを特徴とする静電チャックが提供される。
【選択図】図１

Description

本発明の態様は、静電チャックに関し、セラミック誘電体基板の絶縁耐圧を向上することができる静電チャックに関する。

アルミナ等のセラミック誘電体基板のあいだに電極を挟み込み、焼成することで作製されるセラミック製の静電チャックは、内蔵する電極に静電吸着用電力を印加し、シリコンウェーハ等の基板を静電力によって吸着するものである。このような静電チャックにおいては、セラミック誘電体基板の表面と、吸着対象物である基板の裏面と、の間にヘリウム（Ｈｅ）等の不活性ガスを流し、吸着対象物である基板の温度をコントロールしている。

例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置、スパッタリング装置、イオン注入装置、エッチング装置など、基板に対する処理を行う装置において、処理中に基板の温度上昇を伴うものがある。このような装置に用いられる静電チャックでは、セラミック誘電体基板と吸着対象物である基板との間にＨｅ等の不活性ガスを流し、基板に不活性ガスを接触させることで基板の温度上昇を抑制している。

Ｈｅ等の不活性ガスによる基板温度の制御を行う静電チャックにおいては、セラミック誘電体基板及びセラミック誘電体基板を支持するベースプレートに、Ｈｅ等の不活性ガスを導入するための穴（ガス導入路）が設けられる。

ここで、装置内で基板を処理する際、ガス導入路内において放電が発生することがある。特許文献１には、ガス導入路内にセラミック焼結多孔体を設け、セラミック焼結多孔体の構造及び膜孔をガス流路にすることで、ガス導入路内での絶縁性を向上させた静電チャックが開示されている。また、特許文献２には、ガス拡散用空隙内に、セラミックス多孔体からなり放電を防止するための処理ガス流路用の放電防止部材を設けた静電チャックが開示されている。また、特許文献３には、アルミナのような多孔質誘電体として誘電体インサートを設け、アーク放電を低減する静電チャックが開示されている。

しかしながら、ガス導入路内にセラミック多孔体を設けただけでは十分な絶縁耐圧を得ることはできない。処理装置における様々な条件に対応した静電チャックを提供するには、更なる絶縁耐圧の向上が必要である。

また、多孔体は気孔率が高いため、セラミック多孔体からセラミック誘電体基板への熱伝達率は、金属製のベースプレートからセラミック誘電体基板への熱伝導率よりも低い。このため、ガス導入路から伝導ガスを流して基板を冷却した場合の基板の温度と、流さない場合の基板の温度との、温度差が大きくなりやすい。つまり、基板の全体において、セラミック多孔体に近い部分にウェーハ面内温度差の大きな領域（いわゆるホットスポットやコールドスポット）が発生し、ウェーハ温度均一性の高い温度制御が行えないという問題が生じる。

特開２０１０−１２３７１２号公報 特開２００３−３３８４９２号公報 特開平１０−５０８１３号公報

本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、ガス導入路内での放電に対して高い絶縁耐圧を得ることができる、あるいは、ガス導入路内にセラミック多孔体を設けた構造であっても吸着の対象物に対してウェーハ温度均一性の高い温度制御を行うことができる静電チャックを提供することを目的とする。

第１の発明は、吸着の対象物を載置する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、前記第２主面から前記第１主面にかけて設けられた貫通孔と、を有するセラミック誘電体基板と、前記セラミック誘電体基板を支持し、前記貫通孔と連通するガス導入路を有する金属製のベースプレートと、前記ガス導入路に設けられたセラミック多孔体と、前記セラミック多孔体と前記ガス導入路との間に設けられ前記セラミック多孔体よりも緻密なセラミック絶縁膜と、を有する絶縁体プラグと、を備え、前記セラミック絶縁膜は、前記セラミック多孔体の表面から前記セラミック多孔体の内部に食い込んだことを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、ガス導入路に設けられたセラミック多孔体だけでなくセラミック絶縁膜によって貫通孔及びガス導入路での絶縁耐圧を向上させることができる。
また、セラミック多孔体とセラミック絶縁膜との間の境界面に断熱層が存在しないため、対象物の温度分布が均一化され、貫通孔の上の対象物にいわゆるホットスポットが発生することを抑えることができる。また、セラミック絶縁膜がセラミック多孔体から剥離することを抑え、絶縁耐圧の向上を図ることができる。さらに、セラミック多孔体が封止されることを抑え、ガスの流量が低減することを抑えることができる。

第２の発明は、第１の発明において、前記セラミック絶縁膜の熱膨張率は、前記セラミック多孔体の熱膨張率および前記セラミック誘電体基板の熱膨張率のそれぞれと同じであることを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、セラミック多孔体とセラミック絶縁膜との間の境界面に断熱層が存在しないため、対象物の温度分布が均一化され、貫通孔の上の対象物にいわゆるホットスポットが発生することを抑えることができる。また、セラミック絶縁膜がセラミック多孔体から剥離することを抑え、絶縁耐圧の向上を図ることができる。さらに、セラミック多孔体が封止されることを抑え、ガスの流量が低減することを抑えることができる。

第３の発明は、第１または２の発明において、前記セラミック絶縁膜の表面の算術平均粗さは、前記セラミック多孔体の表面の算術平均粗さよりも小さく、前記セラミック誘電体基板の表面の算術平均粗さよりも大きいことを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、セラミック多孔体とセラミック絶縁膜との間の境界面に断熱層が存在しないため、対象物の温度分布が均一化され、貫通孔の上の対象物にいわゆるホットスポットが発生することを抑えることができる。また、セラミック絶縁膜がセラミック多孔体から剥離することを抑え、絶縁耐圧の向上を図ることができる。さらに、セラミック多孔体が封止されることを抑え、ガスの流量が低減することを抑えることができる。

第４の発明は、第１〜３のいずれか１つの発明において、前記セラミック絶縁膜の気孔率は、１０パーセント以下であり、前記セラミック多孔体の気孔率は、３０パーセント以上６０パーセント以下であることを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、セラミック絶縁膜は、応力緩和層となる。

第５の発明は、第１〜４のいずれか１つの発明において、前記セラミック絶縁膜の密度は、３．０グラム／立方センチメートル以上４．０グラム／立方センチメートル以下であり、前記セラミック多孔体の密度は、１．５グラム／立方センチメートル以上３．０グラム／立方センチメートル以下であることを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、セラミック絶縁膜は、応力緩和層となる。

第６の発明は、第１〜５のいずれか１つの発明において、前記セラミック多孔体の熱膨張率を基準とした場合において、前記セラミック多孔体の熱膨張率と前記セラミック絶縁膜の熱伝導率との差の比率は、１００％以下であることを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、セラミック多孔体およびセラミック絶縁膜が破壊することを抑え、プロセス中において安定した冷却性能を維持することができる。

第７の発明は、第１〜６のいずれか１つの発明において、前記セラミック多孔体および前記セラミック絶縁膜のそれぞれの熱膨張率は、７．０×１０^−６／℃以上１０．０×１０^−６／℃以下であることを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、セラミック多孔体およびセラミック絶縁膜が破壊することを抑え、プロセス中において安定した冷却性能を維持することができる。

第８の発明は、第１〜７のいずれか１つの発明において、前記セラミック多孔体および前記セラミック絶縁膜のそれぞれの熱伝導率は、０．３ワット／メートル・ケルビン以上１０ワット／メートル・ケルビン以下であることを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、対象物の温度分布が均一化され、貫通孔の上の対象物にいわゆるホットスポットが発生することを抑えることができる。

第９の発明は、第３の発明において、前記セラミック絶縁膜の表面の前記算術平均粗さは、０．５マイクロメートル以上４マイクロメートル以下であり、前記セラミック多孔体の表面の前記算術平均粗さは、５マイクロメートル以上２０マイクロメートル以下であることを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、適度に空気を含む構造を有するセラミック絶縁膜が、応力緩和層となる。

第１０の発明は、第１〜９のいずれか１つの発明において、前記セラミック絶縁膜は、前記セラミック多孔体の側面に設けられたセラミックの溶射膜であることを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、セラミックの溶射膜であるセラミック絶縁膜によって、セラミック多孔体及びセラミック絶縁膜を有する絶縁体プラグによって高い絶縁性を得ることができる。

第１１の発明は、第１〜１０のいずれか１つの発明において、前記セラミック多孔体の外径に対する長さの比率は、０．６以上であることを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、セラミック多孔体及びセラミック絶縁膜を有する絶縁体プラグにおいて、絶縁体プラグの外径に対する長さの比率を、０．６以上にすることで、高い絶縁性を得ることができる。

第１２の発明は、第１１の発明において、前記セラミック多孔体の外径は、１ミリメートル以上であることを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、吸着する対象物のコールドスポットを１℃以下にすることができる。

第１３の発明は、第１１の発明において、前記セラミック多孔体の長さは、３ミリメートル以上であることを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、セラミック多孔体の長さを３ミリメートル以上にすれば、高い絶縁性を得ることができる。

第１４の発明は、第１〜１３のいずれか１つ発明において、前記貫通孔の内径をＤ、前記貫通孔の中心から前記セラミック多孔体の外周までの距離をＬとした場合、Ｌ／Ｄは、５以上であることを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、Ｌ／Ｄを５以上にすることで、貫通孔及びガス導入路での絶縁耐圧を向上させることができる。

第１５の発明は、第１〜１４のいずれか１つの発明において、前記貫通孔の１つ当たりから流出するＨｅガスの流量は、前記Ｈｅガスの圧力差を３０Ｔｏｒｒとした場合、０．５ｓｃｃｍ以上１４ｓｃｃｍ以下であることを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、ガス導入路内にセラミック多孔体が設けられ、セラミック多孔体の上にガスが放出される貫通孔が設けられた静電チャックにおいて、貫通孔の直上の吸着対象物に、いわゆるホットスポットやコールドスポットが発生し難くなる。

第１６の発明は、第１〜１４のいずれか１つの発明において、前記セラミック多孔体の１つ当たりから流出するＨｅガスの流量は、前記Ｈｅガスの圧力差を３０Ｔｏｒｒとした場合、３ｓｃｃｍ以上２４ｓｃｃｍ以下であることを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、ガス導入路内にセラミック多孔体が設けられ、セラミック多孔体の上にガスが放出される貫通孔が設けられた静電チャックにおいて、貫通孔の直上の吸着対象物に、いわゆるホットスポットやコールドスポットが発生し難くなる。

第１７の発明は、第１〜１６のいずれか１つの発明において、前記貫通孔の内径は、０．０５ミリメートル以上１ミリメートル以下であることを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、ガス導入路内にセラミック多孔体が設けられ、セラミック多孔体の上にガスが放出される貫通孔が設けられた静電チャックにおいて、貫通孔の直上の吸着対象物に、いわゆるホットスポットやコールドスポットが発生し難くなる。

第１８の発明は、第１〜１７のいずれか１つの発明において、前記セラミック多孔体の外径は、７ミリメートル以下であることを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、ガス導入路内にセラミック多孔体が設けられ、セラミック多孔体の上にガスが放出される貫通孔が設けられた静電チャックにおいて、貫通孔の直上の吸着対象物に、いわゆるホットスポットやコールドスポットが発生し難くなる。

本発明の態様によれば、ガス導入路内での放電に対して高い絶縁耐圧を得ることができる、あるいは、ガス導入路内にセラミック多孔体を設けた構造であっても吸着の対象物に対してウェーハ温度均一性の高い温度制御を行うことができる静電チャックが提供される。

図１は、本実施形態に係る静電チャックの構成を例示する模式的断面図である。 図２は、本実施形態に係る静電チャックの他の構成を例示する模式的断面図である。 図３は、図１および図２に示すＡ部の模式的拡大断面図である。 図４は、図１および図２に示すＡ部の変形例を表す模式的拡大断面図である。 図５は、セラミック絶縁膜の例を表す図である。 図６（ａ）及び（ｂ）は、絶縁体プラグと貫通孔との関係を例示する模式的斜視図である。 図７（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態の絶縁体プラグの近傍を表す模式図である。 図８（ａ）〜（ｆ）は、本実施形態の絶縁体プラグの変形例を例示する模式的断面図である。 図９は、本実施形態の絶縁体プラグの近傍の他の例を表す模式図である。 図１０（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態のセラミック絶縁膜の応力緩和を説明する模式的断面図である。 図１１は、気孔率と耐電圧（耐圧）との関係を例示するグラフ図である。 図１２は、気孔率と伝達ガスの流量との関係を例示するグラフ図である。 図１３は、熱伝導率と冷却性能との関係を例示するグラフ図である。 図１４（ａ）及び（ｂ）は、気孔率とセラミック多孔体の熱伝導率との関係、および気孔率とセラミック多孔体の密度との関係を例示するグラフ図である。 図１５は、気孔率とセラミック絶縁膜の熱伝導率との関係、および気孔率とセラミック絶縁膜の密度との関係を例示するグラフ図である。 図１６は、熱膨張率の差の比率と応力との関係を例示するグラフ図である。 図１７は、材料の熱膨張率の一例を表す表である。 図１８は、表面粗さと密着性との関係を例示するグラフ図である。 図１９は、表面粗さと、耐圧、流量、応力および冷却性能のそれぞれと、関係を例示するグラフ図である。 図２０は、アスペクト比と絶縁耐圧との関係を例示する図である。 図２１は、セラミック多孔体の外径と絶縁耐圧との関係を例示する図である。 図２２は、セラミック多孔体の長さと絶縁耐圧との関係を例示する図である。 図２３は、セラミック多孔体の比率（Ｌ／Ｄ）と絶縁耐圧との関係を例示する図である。 図２４（ａ）及び（ｂ）は、内径Ｄ及び距離Ｌを例示する模式的平面図である。 図２５（ａ）〜（ｄ）は、吸着の対象物の温度変化を例示する図である。 図２６は、ガス流量と温度変化との関係を例示する図である。 図２７は、ガス流量と温度変化との関係を例示する図である。 図２８は、貫通孔の内径と温度変化との関係を例示する図である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

図１は、本実施形態に係る静電チャックの構成を例示する模式的断面図である。
図２は、本実施形態に係る静電チャックの他の構成を例示する模式的断面図である。
図３は、図１および図２に示すＡ部の模式的拡大断面図である。
図４は、図１および図２に示すＡ部の変形例を表す模式的拡大断面図である。

図１に表したように、本実施形態に係る静電チャック１１０は、セラミック誘電体基板１１と、ベースプレート５０と、絶縁体プラグ７０と、を備える。

セラミック誘電体基板１１は、例えば焼結セラミックによる平板状の基材であり、シリコンウェーハなどの半導体基板等の吸着の対象物Ｗを載置する第１主面１１ａと、この第１主面１１ａとは反対側の第２主面１１ｂと、を有する。

セラミック誘電体基板１１には、電極１２が設けられる。電極１２は、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａと、第２主面１１ｂと、のあいだに介設されている。すなわち、電極１２は、セラミック誘電体基板１１の中に挿入されるように形成されている。静電チャック１１０は、この電極１２に吸着保持用電圧８０を印加することによって、電極１２の第１主面１１ａ側に電荷を発生させ、静電力によって対象物Ｗを吸着保持する。

ここで、本実施形態の説明においては、第１主面１１ａと第２主面１１ｂとを結ぶ方向（第１方向）をＺ方向、Ｚ方向と直交する方向の１つ（第２方向）をＹ方向、Ｚ方向及びＹ方向に直交する方向（第３方向）をＸ方向ということにする。

電極１２は、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａ及び第２主面１１ｂに沿って薄膜状に設けられている。電極１２は、対象物Ｗを吸着保持するための吸着電極である。電極１２は、単極型でも双極型でもよい。図１に表した電極１２は双極型であり、同一面上に２極の電極１２が設けられている。

電極１２には、セラミック誘電体基板１１の第２主面１１ｂ側に延びる接続部２０が設けられている。接続部２０は、電極１２と導通するビア（中実型）やビアホール（中空型）、もしくは金属端子をロウ付けなどの適切な方法で接続したものである。

ベースプレート５０は、セラミック誘電体基板１１を支持する部材である。セラミック誘電体基板１１は、図３に表した接着部材６０によってベースプレート５０の上に固定される。接着部材６０としては、例えばシリコーン接着剤が用いられる。

ベースプレート５０は、例えば、アルミニウム製の上部５０ａと下部５０ｂとに分けられており、上部５０ａと下部５０ｂとのあいだに連通路５５が設けられている。連通路５５は、一端側が入力路５１に接続され、他端側が出力路５２に接続される。

ベースプレート５０は、静電チャック１１０の温度調整を行う役目も果たす。例えば、静電チャック１１０を冷却する場合には、入力路５１から冷却媒体を流入し、連通路５５を通過させ、出力路５２から流出させる。これにより、冷却媒体によってベースプレート５０の熱を吸収し、その上に取り付けられた静電チャック１１０を冷却することができる。一方、静電チャック１１０を保温する場合には、連通路５５内に保温媒体を入れることも可能である。または、静電チャック１１０やベースプレート５０に発熱体を内蔵させることも可能である。このように、ベースプレート５０を介して静電チャック１１０の温度が調整されると、静電チャック１１０で吸着保持される対象物Ｗの温度を調整することができる。

また、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａ側には、必要に応じてドット１３が設けられており、ドット１３の間に溝１４が設けられている。この溝１４は連通していて、静電チャック１１０に搭載された対象物Ｗの裏面と溝１４とのあいだに空間が形成される。

溝１４には、セラミック誘電体基板１１に設けられた貫通孔１５が接続される。貫通孔１５は、セラミック誘電体基板１１の第２主面１１ｂから第１主面１１ａにかけてセラミック誘電体基板１１を貫通して設けられる。

ドット１３の高さ（溝１４の深さ）、ドット１３及び溝１４の面積比率、形状等を適宜選択することで、対象物Ｗの温度や対象物Ｗに付着するパーティクルを好ましい状態にコントロールすることができる。
一方、ベースプレート５０には、ガス導入路５３が設けられる。ガス導入路５３は、ベースプレート５０を例えば貫通するように設けられる。ガス導入路５３は、ベースプレート５０を貫通せず、他のガス導入路５３の途中から分岐してセラミック誘電体基板１１側まで設けられていてもよい。また、ガス導入路５３は、ベースプレート５０の複数箇所に設けられていてもよい。

ガス導入路５３は、貫通孔１５と連通する。対象物Ｗを吸着保持した状態でガス導入路５３からヘリウム（Ｈｅ）等の伝達ガスを導入すると、対象物Ｗと溝１４との間に設けられた空間に伝達ガスが流れ、対象物Ｗを伝達ガスによって直接冷却することができるようになる。

図２に表したように、例えば、伝達ガスの供給量は、制御部９０によって制御される。図２に表した静電チャック１１０ａは、図１に表した静電チャック１１０と比較して、制御部９０をさらに備える。制御部９０は、伝達ガスの圧力差や伝達ガスの流量を制御する。

絶縁体プラグ７０は、ベースプレート５０に設けられたガス導入路５３に設けられる。絶縁体プラグ７０は、ガス導入路５３のセラミック誘電体基板１１側に嵌め込まれる。図２に表したように、例えば、ガス導入路５３のセラミック誘電体基板１１側には、座ぐり部５３ａが設けられる。座ぐり部５３ａは、筒状に設けられる。座ぐり部５３ａの内径を適切に設計することで、絶縁体プラグ７０は、座ぐり部５３ａに嵌合される。

絶縁体プラグ７０は、セラミック多孔体７１と、セラミック絶縁膜７２と、を有する。セラミック多孔体７１は、筒状（例えば、円筒形）に設けられ、座ぐり部５３ａに嵌合される。絶縁体プラグ７０の形状は、円筒形が望ましいが、円筒形に限定されるものではない。セラミック多孔体７１には、絶縁性を有する材料が用いられる。セラミック多孔体７１の材料としては、例えばＡｌ_２Ｏ_３やＹ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、ＭｇＯ、ＳｉＣ、ＡｌＮ，Ｓｉ_３Ｎ_４であったりＳｉＯ_２などのガラスでもよい。あるいは、セラミック多孔体７１の材料は、Ａｌ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２やＡｌ_２Ｏ_３−ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２、Ａｌ_６Ｏ_１３Ｓｉ_２、ＹＡＧ、ＺｒＳｉＯ_４などでもよい。

セラミック多孔体７１の気孔率は、例えば３０パーセント（％）以上６０％以下である。セラミック多孔体７１の密度は、例えば１．５グラム／立方センチメートル（ｇ／ｃｍ^３）以上３．０ｇ／ｃｍ^３以下である。このような気孔率によって、ガス導入路５３を流れてきたＨｅ等の伝達ガスは、セラミック多孔体７１の多数の気孔を通過してセラミック誘電体基板１１に設けられた貫通孔１５から溝１４へ送られることになる。

セラミック絶縁膜７２は、セラミック多孔体７１とガス導入路５３との間に設けられる。セラミック絶縁膜７２は、セラミック多孔体７１よりも緻密である。図５に関して後述するように、セラミック絶縁膜７２は、例えば溶射によって形成される。セラミック絶縁膜７２の気孔率は、例えば１０％以下である。セラミック絶縁膜７２の密度は、例えば３．０ｇ／ｃｍ^３以上４．０ｇ／ｃｍ^３以下である。セラミック絶縁膜７２は、セラミック多孔体７１の側面に設けられる。セラミック絶縁膜７２には、例えばＡｌ_２Ｏ_３やＹ_２Ｏ_３などのセラミックの溶射膜が用いられる。

セラミック誘電体基板１１の気孔率は、例えば１％以下である。セラミック誘電体基板１１の密度は、例えば４．２ｇ／ｃｍ^３である。
気孔率は、ＪＩＳ Ｃ ２１４１に基づいてレーザ顕微鏡により測定される。密度は、ＪＩＳ Ｃ ２１４１ ５．４．３に基づいて測定される。

図３に表したように、絶縁体プラグ７０がガス導入路５３の座ぐり部５３ａに嵌合されると、セラミック絶縁膜７２とベースプレート５０とが接する状態になる。すなわち、Ｈｅ等の伝達ガスを溝１４に導く貫通孔１５と、金属製のベースプレート５０との間に、絶縁性の高いセラミック多孔体７１及びセラミック絶縁膜７２が介在することになる。このような絶縁体プラグ７０を用いることで、セラミック多孔体７１のみをガス導入路５３に設ける場合に比べて、高い絶縁性を発揮できるようになる。

図４に表したように、セラミック多孔体７１の上部には、貫通孔１５が設けられていなくともよい。この場合、図３に表した例と比較して、セラミック多孔体７１の上に設けられた接着部材６０の領域が低減されていることが望ましい。これにより、セラミック多孔体７１の上方に設けられた貫通孔１５からプラズマ照射されダメージを受け、接着部材６０がパーティクル源となることが抑制できる。また、絶縁体プラグ７０は、セラミック誘電体基板１１の側に設けられた座ぐり部５３ａに嵌合されてもよい。

図５は、セラミック絶縁膜の例を表す図である。
図５に表したように、セラミック絶縁膜７２の材料としては、例えばＡｌ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、ＭｇＯなどが用いられる。あるいは、Ａｌ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２やＡｌ_２Ｏ_３−ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２、Ａｌ_６Ｏ_１３Ｓｉ_２、ＹＡＧ、ＺｒＳｉＯ_４などが用いられてもよい。

セラミック絶縁膜７２は、セラミック多孔体７１の側面に溶射によって形成される。溶射とは、コーティング材料を、加熱により溶融または軟化させ、微粒子状にして加速し、セラミック多孔体７１の側面に衝突させて、偏平に潰れた粒子を凝固・堆積させることにより皮膜を形成する方法のことをいう。セラミック絶縁膜７２は、例えばＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）やＣＶＤ、ゾルゲル法、エアロゾルデポジション法などで作製されても良い。

セラミック絶縁膜７２として、セラミックを溶射によって形成する場合、膜厚は例えば０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である。この場合、絶縁耐圧は、例えば５．３ｋＶ／ｍｍ以上７．７ｋＶ／ｍｍ以下である。セラミック絶縁膜７２の膜厚が０．０５ｍｍ未満である場合には、セラミック絶縁膜７２の膜厚にばらつきが生じることによって局所的に膜厚の薄い箇所ができることがある。この場合には、耐電圧が低下することがある。これにより、セラミック絶縁膜７２の膜厚は、０．０５ｍｍ以上であることが望ましい。一方で、セラミック絶縁膜７２の膜厚が０．５ｍｍよりも厚い場合には、製造上、セラミック絶縁膜７２に欠けが生ずることがある。この場合には、断熱層が増えるため、対象物Ｗにいわゆるホットスポットが発生することがある。これにより、セラミック絶縁膜７２の膜厚は、０．５ｍｍ以下であることが望ましい。

参考例として、セラミック多孔体７１とベースプレート５０との間に１０ｍｍ以下の空間を設けた場合、絶縁耐圧は、例えば１ｋＶ／ｍｍである。

図６（ａ）及び（ｂ）は、絶縁体プラグと貫通孔との関係を例示する模式的斜視図である。
図６（ａ）及び（ｂ）では、絶縁体プラグ７０と貫通孔１５との位置関係を例示している。貫通孔１５は二点鎖線で表される。図６（ａ）に表した例では、１つの絶縁体プラグ７０の上に１つの貫通孔１５が配置される。貫通孔１５は、例えば絶縁体プラグ７０の中心付近の上に配置される。

図６（ｂ）に表した例では、１つの絶縁体プラグ７０の上に複数の貫通孔１５が配置される。図６（ｂ）には、３つの貫通孔１５が配置された例が表される。１つの絶縁体プラグ７０の上に複数の貫通孔１５を配置した場合、複数の貫通孔１５のうち最もセラミック多孔体７１の外周に近い貫通孔１５において絶縁破壊が発生しやすい。
なお、本実施形態では、図６（ａ）に表したような１つの絶縁体プラグ７０の上に１つの貫通孔１５が配置された場合を例として説明することがある。

図７（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態の絶縁体プラグの近傍を表す模式図である。
図７（ａ）は、本実施形態の絶縁体プラグを表した模式的断面図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）に表した領域Ｂを拡大した写真図である。

図７（ｂ）に表したように、本実施形態の絶縁体プラグ７０では、セラミック絶縁膜７２がセラミック多孔体７１の表面から内部に食い込んでいる。「内部に食い込んでいる」とは、セラミック絶縁膜７２とセラミック多孔体７１との間の境界部が層状になっているのではなく、表面に凹凸があり、断面ではセラミック多孔体７１の最外周から一定長さの内部までセラミック絶縁膜７２が入り込んでいるように見られ、実際の三次元形状では、セラミック絶縁膜７２とセラミック多孔体７１との間の境界部が入り組んだ波状となっていることを示す。より具体的には、セラミック絶縁膜７２は、セラミック多孔体７１の表面から内部へ向かって１００μｍ以下の部分に存在する。より好ましくは、セラミック絶縁膜７２は、セラミック多孔体７１の表面から内部へ向かって５０μｍ以下の部分に存在する。

本願明細書において、「セラミック多孔体の表面」あるいは「セラミック多孔体とセラミック絶縁膜との間の境界面」とは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）で絶縁体プラグの断面を観察したときに、異なる組成の界面に存在する５μｍ以下の境界部、あるいはセラミック多孔体のうちで最も外側（セラミック絶縁膜の側）に存在する点から選択した複数の点（例えば２点）を結ぶ境界線７５（図７（ｂ）参照）をいう。

セラミック絶縁膜７２がセラミック多孔体７１の表面から内部に食い込んだ量は、ＳＥＭにより観察した断面写真により計測可能である。ＳＥＭによる観察においてセラミック絶縁膜７２の材料が延伸する場合には、ＣＰ（Cross Section Polisher：クロスセクションポリッシャ（登録商標））研磨などを用いて断面の観察を行うことができる。

樹脂およびガラスは、セラミックと比較して熱を伝えにくい。そのため、絶縁膜として、例えば、樹脂あるいはガラスを用いると、貫通孔１５の上の対象物Ｗにいわゆるホットスポットが発生するおそれがある。また、絶縁膜として樹脂あるいはゴムをスリーブによって形成すると、セラミック多孔体７１と絶縁膜との間の境界部に断熱層（空気層）が形成される。すると、貫通孔１５の上の対象物Ｗにいわゆるホットスポットが発生するおそれがある。

これに対して、本実施形態の絶縁体プラグ７０は、セラミック絶縁膜７２がセラミック多孔体７１の表面から内部に食い込んだ構造を有する。セラミック絶縁膜７２は、空気（緩衝層）を含む一方で、セラミック多孔体７１およびベースプレート５０と接触する。セラミック絶縁膜７２とセラミック多孔体７１との接触形態は、例えば接触部が食い込んだ形の点接触である。セラミック絶縁膜７２とベースプレート５０との接触形態は、例えば点接触である。そのため、セラミック多孔体７１とセラミック絶縁膜７２との間の境界に層状の断熱層（空気層）が存在しない。これにより、対象物Ｗの温度分布が均一化され、貫通孔１５の上の対象物Ｗにいわゆるホットスポットが発生することを抑えることができる。

絶縁膜として例えば熱収縮チューブなどのゴムを用いて形成すると、セラミック絶縁膜７２としてセラミックを溶射によって形成する場合と比較して、ゴムがセラミック多孔体７１に食い込まずセラミック多孔体７１の表面だけに存在する。すると、絶縁膜がセラミック多孔体７１から剥離するおそれがある。絶縁膜がセラミック多孔体７１から剥離すると、絶縁耐圧が低下するおそれがある。また、層状の断熱層が含まれるため、貫通孔１５の上の対象物Ｗにいわゆるホットスポットが発生することを抑えることができない。

これに対して、本実施形態の絶縁体プラグ７０は、セラミック絶縁膜７２がセラミック多孔体７１の表面から内部に食い込んだ構造を有する。そのため、セラミック絶縁膜７２がアンカー効果によりセラミック多孔体７１から剥離し難い。これにより、絶縁耐圧の向上を図ることができる。

絶縁膜として、例えばセラミックを接着によって形成すると、セラミック絶縁膜７２としてセラミックを溶射によって形成する場合と比較して、接着剤がセラミック多孔体７１のより内部まで入り込む。すると、接着剤がセラミック多孔体７１や多孔体内部の空隙を封止し、伝達ガスの流量が低減するおそれがある。

これに対して、本実施形態の絶縁体プラグ７０は、セラミック絶縁膜７２がセラミック多孔体７１の表面から内部に食い込んだ構造を有する。そのため、絶縁体プラグ７０をガス導入路５３に設置する際に、セラミック多孔体７１の側面あるいは内部が接着剤などにより封止されることを抑えることができる。これにより、ガス導入路５３から貫通孔１５へ流れる伝達ガスの流量が低減することを抑えることができる。

本実施形態では、セラミック絶縁膜７２の熱膨張率は、セラミック多孔体７１の熱膨張率と略同じである。また、セラミック絶縁膜７２の熱膨張率は、セラミック誘電体基板１１の熱膨張率と略同じである。セラミック絶縁膜７２、セラミック多孔体７１およびセラミック誘電体基板１１のそれぞれの熱膨張率は、２５℃以上８００℃以下の環境において、例えば７．０×１０^−６／℃以上１０．０×１０^−６／℃以下である。熱膨張率は、熱膨張率がすでに知られた素材と、セラミック絶縁膜７２と、を組み合わせて伸びを測定することで算出される。あるいは、熱膨張率は、ＳＥＭまたは熱膨張計（ＴＭＡ（Thermal Mechanical Analysis））により算出される。

セラミック多孔体７１の熱膨張率がセラミック絶縁膜７２の熱膨張率と略同じであるため、セラミック多孔体７１およびセラミック絶縁膜７２は、温度変化に対して互いに追従することができる。そのため、セラミック多孔体７１およびセラミック絶縁膜７２が破壊することを抑えることができる。これにより、プロセス中において安定した冷却性能を維持することができる。

また、セラミック多孔体７１の熱伝導率は、セラミック絶縁膜７２の熱伝導率と略同じである。セラミック多孔体７１およびセラミック絶縁膜７２のそれぞれの熱伝導率は、例えば０．３ワット／メートル・ケルビン（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上１０Ｗ／ｍ・Ｋ以下である。

セラミック絶縁膜７２を溶射によって形成する場合には、絶縁膜をスリーブによって形成する場合と比較して、絶縁体プラグ７０の外径をより小さくすることができる。絶縁膜をスリーブによって形成する場合には、スリーブの厚さとして約１ミリメートル（ｍｍ）が必要である。つまり、セラミック絶縁膜７２を溶射によって形成する場合には、セラミック絶縁膜７２の厚さをより薄くすることができる。これにより、伝達ガスの流れが阻害されることを抑え、または空気の断熱層が形成されることを抑制でき、貫通孔１５の上の対象物Ｗにいわゆるホットスポットが発生することを抑えることができる。

図８（ａ）〜（ｆ）は、本実施形態の絶縁体プラグの変形例を例示する模式的断面図である。
図８（ａ）および図８（ｂ）に表したように、セラミック絶縁膜７２は、絶縁体プラグ７０の断面において曲面を有していてもよい。図８（ａ）に表した例では、セラミック絶縁膜７２のＺ方向における中央部がセラミック多孔体７１の内側へ向かって湾曲している。図８（ｂ）に表した例では、セラミック絶縁膜７２のＺ方向における中央部がセラミック多孔体７１の外側へ向かって湾曲している。

図８（ｃ）および図８（ｄ）に表したように、セラミック絶縁膜７２は、絶縁体プラグ７０の断面においてテーパ形状を有していてもよい。図８（ｃ）に表した例では、セラミック絶縁膜７２のＺ方向における中央部がセラミック多孔体７１の内側へ向かって傾斜している。図８（ｄ）に表した例では、セラミック絶縁膜７２のＺ方向における中央部がセラミック多孔体７１の外側へ向かって傾斜している。

図８（ｅ）および図８（ｆ）に表したように、セラミック絶縁膜７２は、絶縁体プラグ７０の断面において段形状を有していてもよい。図８（ｅ）に表した例では、セラミック絶縁膜７２のＺ方向における下部に段差が設けられている。図８（ｆ）に表した例では、セラミック絶縁膜７２のＺ方向における上部に段差が設けられている。

図９は、本実施形態の絶縁体プラグの近傍の他の例を表す模式図である。
図９に表したように、例えば溶射によって形成されるセラミック絶縁膜は、セラミック多孔体７１の側面だけではなく、ベースプレート５０の上部５０ａの表面に設けられていてもよい。ベースプレート５０の上部５０ａの表面にセラミック絶縁膜７３が設けられた場合には、セラミック絶縁膜７３の表面粗さが金属のベースプレート５０の表面粗さよりも大きいため、ベースプレート５０とセラミック誘電体基板１１との接着力を向上させることができる。

また、ベースプレート５０の上部５０ａの表面に設けられたセラミック絶縁膜７３は、高周波電圧を電極１２に印加する際の絶縁耐圧を向上させ、セラミック多孔体７１の側面に設けられたセラミック絶縁膜７２の端部の絶縁耐圧が低下することを抑えることができる。

さらに、ベースプレート５０の上部５０ａの表面に設けられたセラミック絶縁膜７３は、ベースプレート５０の熱膨張とセラミック誘電体基板１１の熱膨張との間の差を緩和する。そのため、ベースプレート５０の上部５０ａの表面に設けられたセラミック絶縁膜７３は、熱が加わることで発生する応力を緩和することができる。応力を緩和することは、セラミック多孔体７１の側面に設けられたセラミック絶縁膜７２においても同様である。

応力緩和について、図面を参照しつつさらに説明する。
図１０（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態のセラミック絶縁膜の応力緩和を説明する模式的断面図である。
図１０（ａ）は、熱がベースプレートに加わったときに生ずる応力の一例を例示する模式的断面図である。図１０（ｂ）は、プロセス中の気圧変化によって生ずる応力の一例を例示する模式的断面図である。

プラズマプロセスにおいては、例えば高出力化や高温化が進んでいる。また、スループットの高速化が望まれている。ここで、図１０（ａ）に表した矢印Ａ１のように、プロセス中において熱がベースプレート５０に加わると、ベースプレート５０は伸びる。すると、絶縁体プラグ７０の伸び率がベースプレート５０の伸び率と異なるので、図１０（ａ）に表した矢印Ａ２〜矢印Ａ５のように、絶縁体プラグ７０の内側およびガス導入路５３の内側へ向かって応力が生ずる。すると、例えば図１０（ａ）に表した矢印Ａ２および矢印Ａ３のように、絶縁体プラグ７０には、絶縁体プラグ７０の内側へ向かって応力が生ずる。

また、プロセス中においては、例えばチャンバの内部は、大気状態にされたり、あるいは真空状態にされたりする。すると、図１０（ｂ）に表した矢印Ａ６および矢印Ａ７のように、絶縁体プラグ７０には、Ｚ方向に応力が生ずる。

これに対して、本実施形態の絶縁体プラグ７０は、セラミック絶縁膜７２を有する。セラミック絶縁膜７２は、セラミック多孔体７１とガス導入路５３との間に設けられ、セラミック多孔体７１よりも緻密である。そのため、セラミック絶縁膜７２は、外部から加わる応力を緩和する応力緩和層として機能する。

これにより、セラミック多孔体７１が外部から加わる応力により破壊することを抑えることができる。また、絶縁耐圧が低下することを抑えることができる。また、伝達ガスがベースプレート５０に流れ、放電が生ずることを抑えることができる。そのため、セラミック絶縁膜７２が樹脂あるいはテープなどによって形成された場合と比較して、信頼性が低下することを抑えることができる。また、セラミック絶縁膜７２は、溶射により形成されるため、セラミック絶縁膜７２の厚さをより容易に制御することができる。

次に、セラミック多孔体７１およびセラミック絶縁膜７２の例について、図面を参照しつつ説明する。
図１１は、気孔率と耐電圧（耐圧）との関係を例示するグラフ図である。
図１２は、気孔率と伝達ガスの流量との関係を例示するグラフ図である。
図１１および図１２に表したグラフ図の横軸は、気孔率（％）を表す。図１１に表したグラフ図の縦軸は、耐圧の基準に対する比率を表す。図１２に表したグラフ図の縦軸は、伝達ガスの流量の基準に対する比率を表す。

図１１に表したように、セラミック多孔体７１の気孔率が６０％よりも高くなると、耐圧の基準に対する比率（安全率）が５未満となる。耐圧が基準値以下である場合には、絶縁耐圧は向上しない。そのため、セラミック多孔体７１の気孔率は、６０％以下であることが望ましい。

図１２に表したように、セラミック多孔体７１の気孔率が３０％よりも低くなると、伝達ガスの流量の基準に対する比率が５未満となる。伝達ガスの流量が基準値以下である場合には、伝達ガスの流量が低減し、貫通孔１５の上の対象物Ｗにいわゆるホットスポットが発生するおそれがある。そのため、セラミック多孔体７１の気孔率は、３０％以上であることが望ましい。
したがって、セラミック多孔体７１の気孔率は、３０％以上６０％以下であることが望ましい。

図１１に表したように、セラミック絶縁膜７２の気孔率が１０％よりも高くなると、耐圧の基準に対する比率（安全率）が１７未満となる。耐圧が基準値以下である場合には、絶縁耐圧は向上しない。そのため、セラミック絶縁膜７２の気孔率は、１０％以下であることが望ましい。

図１３は、熱伝導率と冷却性能との関係を例示するグラフ図である。
図１４（ａ）及び（ｂ）は、気孔率とセラミック多孔体の熱伝導率との関係、および気孔率とセラミック多孔体の密度との関係を例示するグラフ図である。
図１５は、気孔率とセラミック絶縁膜の熱伝導率との関係、および気孔率とセラミック絶縁膜の密度との関係を例示するグラフ図である。
図１４（ａ）は、セラミック多孔体７１の材料としてＡｌ_２Ｏ_３（アルミナ）が用いられた場合を例示するグラフ図である。図１４（ｂ）は、セラミック多孔体７１の材料としてＹ_２Ｏ_３（イットリア）が用いられた場合を例示するグラフ図である。

図１３に表したグラフ図の横軸は、熱伝導率（Ｗ／ｍ・Ｋ）を表す。図１３に表したグラフ図の縦軸は、冷却性能の基準に対する比率を表す。
図１４および図１５に表したグラフ図の横軸は、気孔率（％）を表す。図１４に表したグラフ図の縦軸は、セラミック多孔体の熱伝導率（右軸）と、セラミック多孔体の密度（左軸）と、を表す。図１５に表したグラフ図の縦軸は、セラミック絶縁膜の熱伝導率（右軸）と、セラミック絶縁膜の密度（左軸）と、を表す。

図１３に表したように、熱伝導率が０．３Ｗ／ｍ・Ｋよりも小さくなると、冷却性能の基準に対する性能が１０未満となる。冷却性能が基準値以下である場合には、絶縁体プラグ７０の上の対象物Ｗにいわゆるホットスポットが発生するおそれがある。そのため、セラミック多孔体７１の熱伝導率は、０．３Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが望ましい。また、セラミック絶縁膜７２の熱伝導率は、０．３Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが望ましい。

図１１および図１２に関して前述したように、セラミック多孔体７１の気孔率は、３０％以上６０％以下であることが望ましい。すると、図１４（ａ）に表したように、アルミナが用いられたセラミック多孔体７１の熱伝導率は、３Ｗ／ｍ・Ｋ以上１０Ｗ／ｍ・Ｋ以下であることが望ましい。また、アルミナが用いられたセラミック多孔体７１の密度は、１．５ｇ／ｃｍ^３以上３．０ｇ／ｃｍ^３以下であることが望ましい。図１４（ｂ）に表したように、イットリアが用いられたセラミック多孔体７１の熱伝導率は、０．３Ｗ／ｍ・Ｋ以上１．０Ｗ／ｍ・Ｋ以下であることが望ましい。また、イットリアが用いられたセラミック多孔体７１の密度は、４．５ｇ／ｃｍ^３以上９．０ｇ／ｃｍ^３以下であることが望ましい。これにより、セラミック多孔体７１の熱伝導率は、０．３Ｗ／ｍ・Ｋ以上１０Ｗ／ｍ・Ｋ以下であることが望ましい。また、セラミック多孔体７１の密度は、１．５ｇ／ｃｍ^３以上３．０ｇ／ｃｍ^３以下であることが望ましい。

図１１に関して前述したように、セラミック絶縁膜７２の気孔率は、１０％以下であることが望ましい。すると、図１５に表したように、セラミック絶縁膜７２の熱伝導率は、３Ｗ／ｍ・Ｋ以上８Ｗ／ｍ・Ｋ以下であることが望ましい。また、セラミック絶縁膜７２の密度は、３ｇ／ｃｍ^３以上４ｇ／ｃｍ^３以下であることが望ましい。

図１６は、熱膨張率の差の比率と応力との関係を例示するグラフ図である。
図１６に表したグラフ図の横軸は、セラミック多孔体７１の熱膨張率を基準としたときのセラミック多孔体７１の熱膨張率とセラミック絶縁膜７２の熱伝導率との差の比率を表す。図１６に表したグラフ図の縦軸は、応力の基準に対する比率を表す。

図１６に表したように、セラミック多孔体７１の熱膨張率を基準とした場合において、セラミック多孔体７１の熱膨張率とセラミック絶縁膜７２の熱伝導率との差の比率が１００％よりも高くなると、応力の基準に対する比率が１０よりも高くとなる。応力が基準値以上である場合には、セラミック多孔体７１が破損するおそれがある。そのため、セラミック多孔体７１の熱膨張率を基準とした場合において、セラミック多孔体７１の熱膨張率とセラミック絶縁膜７２の熱伝導率との差の比率は、１００％以下であることが望ましい。セラミック多孔体７１の熱膨張率とセラミック絶縁膜７２の熱伝導率との差の比率は、５０％以下であることがさらに望ましい。

図１７は、材料の熱膨張率の一例を表す表である。
２５℃以上８００℃以下の環境において、Ａｌ_２Ｏ_３（アルミナ）の熱膨張率は、例えば７．０×１０^−６／℃である。Ｙ_２Ｏ_３の熱膨張率は、例えば７．２×１０^−６／℃である。ＴｉＣ−ＴｉＮの熱膨張率は、例えば７．４×１０^−６／℃である。Ａｌ_２Ｏ_３（サファイア）の熱伝導率は、例えば７．７×１０^−６／℃である。ＭｇＯ−ＳｉＯ_２の熱膨張率は、例えば７．７×１０^−６／℃である。２ＭｇＯ−ＳｉＯ_２の熱膨張率は、例えば１０．０×１０^−６／℃である。

セラミック多孔体７１の材料は、図１〜図４に関して前述した通りである。セラミック多孔体７１の熱膨張率は、７．０×１０^−６／℃以上１０．０×１０^−６／℃以下であることが望ましい。
セラミック絶縁膜７２の材料は、図５に関して前述した通りである。セラミック絶縁膜７２の熱膨張率は、７．０×１０^−６／℃以上１０．０×１０^−６／℃以下であることが望ましい。

図１８は、表面粗さと密着性との関係を例示するグラフ図である。
図１９は、表面粗さと、耐圧、流量、応力および冷却性能のそれぞれと、関係を例示するグラフ図である。

図１８に表したように、アンカー効果により、表面粗さが増加すると密着性が増加する。つまり、表面粗さと密着性との間には相関がある。密着性と、耐圧、流量、応力および冷却性能のそれぞれと、の相関を表すグラフは、図１９に表した通りである。
本願明細書において、「表面粗さ」とは、算術平均粗さＲａをいうものとする。表面粗さは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１に基づいて表面粗さ計により測定される。セラミック多孔体７１の表面粗さを測定する位置は、セラミック多孔体７１の側面のＺ方向における中央部（例えば図３に表した位置Ｐ１）である。セラミック絶縁膜７２の表面粗さを測定する位置は、セラミック絶縁膜７２の側面のＺ方向における中央部（例えば図３に表した位置Ｐ２）である。

図１９に表したように、流量（基準比）は、表面粗さが増加すると増加する。また、冷却性能（基準比）は、表面粗さが増加すると増加する。表面粗さが４μｍよりも大きくなると、耐圧（基準比）が２未満となる。耐圧が基準値以下である場合には、絶縁耐圧は向上しない。そのため、セラミック絶縁膜７２の表面粗さは、４μｍ以下であることが望ましい。一方で、セラミック絶縁膜７２の粒子には空気が含まれるため、セラミック絶縁膜７２の表面粗さが０．５μｍよりも小さくなると、表面仕上げ加工に必要以上の手間およびコストがかかる。そのため、セラミック絶縁膜７２の表面粗さは、０．５μｍ以上であることが望ましい。したがって、セラミック絶縁膜７２の表面粗さは、０．５μｍ以上４μｍ以下であることが望ましい。

表面粗さが５μｍ以上になると、伝達ガスの流量の増加が大きくなる。そのため、セラミック多孔体７１の表面粗さは、５μｍ以上であることが望ましい。
表面粗さが２０μｍよりも大きくなると、応力（圧縮、引張り）の低下が大きくなる。そのため、セラミック多孔体７１の表面粗さは、２０μｍ以下であることが望ましい。したがって、セラミック多孔体７１の表面粗さは、５μｍ以上２０μｍ以下であることが望ましい。
なお、セラミック誘電体基板１１の表面粗さは、０．１μｍ以上１μｍ以下である。

セラミック誘電体基板１１、セラミック多孔体７１およびセラミック絶縁膜７２に関する他の物性値としては、残留応力、硬度（ビッカース硬さ：ＨＶ）およびヤング率が挙げられる。
セラミック多孔体７１の残留応力は、１５０メガパスカル（ＭＰａ）以下である。セラミック多孔体７１の硬度（ＨＶ）は、２ギガパスカル（ＧＰａ）以上１０ＧＰａ以下である。セラミック多孔体７１のヤング率は、５０ＧＰａ以上２００ＧＰａ以下である。
セラミック絶縁膜７２の残留応力は、１５００ＭＰａ以下である。セラミック絶縁膜７２の硬度（ＨＶ）は、０．１ＧＰａ以上５ＧＰａ以下である。セラミック絶縁膜７２のヤング率は、４０ＧＰａ以上１００ＧＰａ以下である。
セラミック誘電体基板１１の残留応力は、７００ＭＰａ以下である。セラミック誘電体基板１１の硬度（ＨＶ）は、５ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下である。セラミック誘電体基板１１のヤング率は、１５０ＧＰａ以上５００ＧＰａ以下である。

次に、セラミック多孔体７１の例について説明する。
図２０は、アスペクト比と絶縁耐圧との関係を例示する図である。
図２０の横軸はアスペクト比を表し、縦軸は絶縁耐圧（％）を表している。ここで、横軸のアスペクト比は、セラミック多孔体７１の外径に対する長さ（Ｚ方向の長さ）の比率である。また、縦軸の絶縁耐圧の１００％とは、絶縁体プラグ７０を設けない場合の絶縁耐圧である。

図２０に表したように、アスペクト比が０．６以上になると、絶縁耐圧が１００％を超える。したがって、セラミック多孔体７１のアスペクト比は０．６以上であることが望ましい。

図２１は、セラミック多孔体の外径と絶縁耐圧との関係を例示する図である。
図２１の横軸はセラミック多孔体７１の外径（ｍｍ）を表し、縦軸は絶縁耐圧（％）を表している。ここで、縦軸の絶縁耐圧の１００％とは、絶縁体プラグ７０を設けない場合の絶縁耐圧である。

図２１に表したように、セラミック多孔体７１の外径が１ｍｍ以上になると、絶縁耐圧が１００％を超える。したがって、セラミック多孔体７１の外径は１ｍｍ以上であることが望ましい。また、セラミック多孔体７１の外径を１ｍｍ以上にすると、吸着する対象物Ｗのコールドスポットでの温度差（貫通孔１５の直上における対象物Ｗの位置とその周辺との温度差）を１℃以下にすることができる。

図２２は、セラミック多孔体の長さと絶縁耐圧との関係を例示する図である。
図２２の横軸はセラミック多孔体７１の長さ（ｍｍ）を表し、縦軸は絶縁耐圧（％）を表している。ここで、縦軸の絶縁耐圧の１００％とは、絶縁体プラグ７０を設けない場合の絶縁耐圧である。

図２２に表したように、セラミック多孔体７１の長さが３ｍｍ以上になると、絶縁耐圧が１００％を超える。したがって、セラミック多孔体７１の長さは３ｍｍ以上であることが望ましい。

図２３は、セラミック多孔体の比率（Ｌ／Ｄ）と絶縁耐圧との関係を例示する図である。
図２３の横軸はセラミック多孔体７１の比率（Ｌ／Ｄ）を表し、縦軸は絶縁耐圧（％）を表している。ここで、横軸の比率（Ｌ／Ｄ）は、貫通孔１５の内径をＤ、貫通孔１５の中心からセラミック多孔体７１の外周までの距離をＬとした場合の比率（Ｌ／Ｄ）である。また、縦軸の絶縁耐圧の１００％とは、絶縁体プラグ７０を設けない場合の絶縁耐圧である。

ここで、比率（Ｌ／Ｄ）について説明する。
図２４（ａ）及び（ｂ）は、内径Ｄ及び距離Ｌを例示する模式的平面図である。
図２４（ａ）及び（ｂ）には、貫通孔１５及び絶縁体プラグ７０をＺ方向にみた模式的な平面図が表される。

図２４（ａ）には、１つの絶縁体プラグ７０の上に１つの貫通孔１５が配置された例が表される。この例では、貫通孔１５の中心は、絶縁体プラグ７０の中心と一致している。貫通孔１５が１つの場合には、この貫通孔１５の内径をＤ、この貫通孔１５の中心からセラミック多孔体７１の外周までの距離をＬとする。なお、貫通孔１５の中心が、絶縁体プラグ７０の中心と一致しない場合には、貫通孔１５の中心からセラミック多孔体７１の外周までの距離のうち最も短い距離をＬとする。

図２４（ｂ）には、１つの絶縁体プラグ７０の上に複数の貫通孔１５が配置された例が表される。この場合、複数の貫通孔１５のうち、セラミック多孔体７１の外周に最も近い貫通孔１５の内径をＤとする。また、この貫通孔１５の中心からセラミック多孔体７１の外周までの距離をＬとする。

図２３に表したように、セラミック多孔体７１の比率（Ｌ／Ｄ）が５以上になると、絶縁耐圧が１００％を超える。したがって、セラミック多孔体７１の比率（Ｌ／Ｄ）は５以上であることが望ましい。

図２０〜図２３に表したセラミック多孔体７１の望ましい条件は、図２０〜図２３のうち少なくとも１つを満たしていればよく、図２０〜図２３のうち２つ以上満たしていることがより望ましい。また、図２０〜図２３の全てを満たしていることが最も望ましい。

次に、伝達ガスの供給と対象物の温度変化との関係について説明する。
図２５（ａ）〜（ｄ）は、吸着の対象物の温度変化を例示する図である。
図２５（ａ）〜（ｄ）には、伝達ガスとしてＨｅガスを用いた場合の対象物の温度変化が表されている。

図２５（ａ）及び（ｂ）には、貫通孔１５からＨｅガスを放出していない状態が表される。図２５（ｂ）は、セラミック誘電体基板１１の上に対象物Ｗを吸着させた状態を表す模式的断面図である。図２５（ａ）は、対象物Ｗの温度分布を例示する模式図である。図２５（ａ）の横軸は対象物Ｗの位置を表し、縦軸は貫通孔１５の直上とその周辺との温度差（ｄｅｌｔａ＿Ｔ）を表している。

図２５（ａ）及び（ｂ）に表したように、貫通孔１５からＨｅガスを放出しない場合、対象物Ｗにおける貫通孔１５の直上の温度が周辺の温度よりも高くなる。セラミック多孔体７１の部分は金属製のベースプレート５０の部分に比べて熱伝達率が低い。このため、Ｈｅガスを放出しない場合には、金属製のベースプレート５０の上の部分の温度は低下しやすく、セラミック多孔体７１の上、特に貫通孔１５の直上の部分の温度は低下し難い。したがって、対象物Ｗにおいて貫通孔１５の直上の部分の温度は、金属製のベースプレート５０の上の部分の温度よりも高くなる。

図２５（ａ）及び（ｂ）に表したように、対象物Ｗにおいて貫通孔１５の直上の周辺の温度を基準にして貫通孔１５の直上の温度が高い場合の温度差（ｄｅｌｔａ＿Ｔ）は、正（＋）のｄｅｌｔａ＿Ｔとなる。

図２５（ｃ）及び（ｄ）には、貫通孔１５からＨｅガスを放出している状態が表される。図２５（ｄ）は、セラミック誘電体基板１１の上に対象物Ｗを吸着させた状態を表す模式的断面図である。図２５（ｃ）は、対象物Ｗの温度分布を例示する模式図である。図２５（ｃ）の横軸は対象物Ｗの位置を表し、縦軸は貫通孔１５の直上とその周辺との温度差（ｄｅｌｔａ＿Ｔ）を表している。

ここで、図２５（ｄ）に表したように、ガス導入路５３からＨｅガスを導入した場合、Ｈｅガスはガス導入路５３からセラミック多孔体７１の気孔内を通過して貫通孔１５に送り込まれる。Ｈｅガスは、貫通孔１５を通過して対象物Ｗの下方の溝１４内に送られる。Ｈｅガスが接触することで、対象物Ｗの温度は低下する。

図２５（ｃ）及び（ｄ）に表したように、貫通孔１５からＨｅガスを放出した場合、対象物Ｗにおける貫通孔１５の直上の温度が周辺の温度よりも低くなる。セラミック多孔体７１の部分は金属製のベースプレート５０の部分に比べて熱伝達率が低い。このため、Ｈｅガスを放出して、セラミック多孔体７１の上、特に貫通孔１５の直上の部分の温度が低下すると、金属製のベースプレート５０の上の部分の温度よりも低い状態が維持されやすい。したがって、対象物Ｗにおいて貫通孔１５の直上の部分の温度は、金属製のベースプレート５０の上の部分の温度よりも低くなる。

図２５（ｃ）及び（ｄ）に表したように、対象物Ｗにおいて貫通孔１５の直上の周辺の温度を基準にして貫通孔１５の直上の温度が低い場合の温度差（ｄｅｌｔａ＿Ｔ）は、負（−）のｄｅｌｔａ＿Ｔとなる。

ここで、静電チャック１１０により対象物Ｗを吸着する場合の、Ｈｅガス等の伝達ガスの導入タイミングについて説明する。
先ず、対象物Ｗをセラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａに吸着保持する。対象物Ｗを吸着保持する際には、伝達ガスは導入されない。制御部９０は、伝達ガスを導入しないよう制御する。

対象物Ｗがセラミック誘電体基板１１に吸着保持されると、静電チャック１１０の吸着力により、対象物Ｗの下面は、セラミック誘電体基板１１の周縁に設けられたシールリング部１６と接触する。対象物Ｗの下面と、溝１４との間には、ドット１３で区切られた空間が形成される。

対象物Ｗを吸着保持した後、伝達ガスが導入される。制御部９０は、伝達ガスの圧力差及び流量を制御する。制御部９０の制御によって、伝達ガスは所定の圧力差でガス導入路５３に送り込まれる。伝達ガスはガス導入路５３からセラミック多孔体７１及び貫通孔１５を通過して、溝１４内に送られる。

溝１４内に所定量の伝達ガスが充填された後、対象物Ｗとセラミック誘電体基板１１との間の空間が所定量の伝達ガスで満たされる。対象物Ｗが吸着保持されている間、伝達ガスは、対象物Ｗとシールリング部１６との隙間から漏れ出る分だけ補充される。溝１４内に充填された伝達ガスは、対象物Ｗと接触することで、対象物Ｗの温度を低下させることができる。

その後、対象物Ｗの吸着保持を解除するタイミングで、制御部９０は、伝達ガスの供給を停止し、対象物Ｗとセラミック誘電体基板１１との間の空間から伝達ガスを抜く。その後、対象物Ｗをセラミック誘電体基板１１から引き離す。実際のプロセスでは、対象物Ｗを搬送し、次の対象物Ｗを処理するまでの時間（スループット）を短縮することができる。

このような伝達ガスの導入タイミングにおいて、対象物Ｗを吸着保持した直後で伝達ガスが導入される前の段階では、対象物Ｗの温度分布は図２５（ａ）に表すようになる。一方、対象物Ｗを吸着保持した後、伝達ガスを導入した後の段階では、対象物Ｗの温度分布は図２５（ｃ）に表すようになる。

図２６は、ガス流量と温度変化との関係を例示する図である。
図２６の横軸は、１つの貫通孔１５から放出されるＨｅガスの流量（ｓｃｃｍ：standard cubic centimeter per minute）を表し、縦軸は対象物Ｗの温度差ｄｅｌｔａ＿Ｔ（℃）を表している。ここで、供給されるＨｅガスの圧力差は、３０Ｔｏｒｒである。１つの貫通孔１５から放出されるＨｅガスの流量が増加すると、温度差ｄｅｌｔａ＿Ｔは低下する。

本実施形態に係る静電チャック１１０において、１つの貫通孔１５からＨｅガスを放出する下限の流量は０．５ｓｃｃｍである。一方、１つの貫通孔１５から放出されるＨｅガスの流量が多すぎると、温度差ｄｅｌｔａ＿Ｔが低下しすぎて温度分布の均一化が難しくなる。対象物Ｗの温度分布を均一化するため、温度差ｄｅｌｔａ＿Ｔの絶対値は５℃以下であることが望ましい。したがって、１つの貫通孔１５から放出されるＨｅガスの流量は、１４ｓｃｃｍ以下が好ましく、望ましくは１２ｓｃｃｍ以下、さらに望ましくは１０ｓｃｃｍ以下である。

１つの貫通孔１５から放出されるＨｅガスの流量を１４ｓｃｃｍ以下にすると、温度差ｄｅｌｔａ＿Ｔの絶対値は５℃以下になる。また、１つの貫通孔１５から放出されるＨｅガスの流量を１２ｓｃｃｍ以下にすると、温度差ｄｅｌｔａ＿Ｔの絶対値は４℃以下になる。また、１つの貫通孔１５から放出されるＨｅガスの流量を１０ｓｃｃｍ以下にすると、温度差ｄｅｌｔａ＿Ｔの絶対値は３℃以下になる。

図２７は、ガス流量と温度変化との関係を例示する図である。
図２７の横軸は、１つのセラミック多孔体７１から放出されるＨｅガスの流量（ｓｃｃｍ）を表し、縦軸は対象物Ｗの温度差ｄｅｌｔａ＿Ｔ（℃）を表している。ここで、供給されるＨｅガスの圧力差は、３０Ｔｏｒｒである。１つのセラミック多孔体７１から放出されるＨｅガスの流量が増加すると、温度差ｄｅｌｔａ＿Ｔは低下する。

本実施形態に係る静電チャック１１０において、１つのセラミック多孔体７１からＨｅガスを放出する下限の流量は３ｓｃｃｍである。これは、Ｈｅガスが流れ、対象物Ｗを冷やす（ｄｅｌｔａ＿Ｔが０℃未満）ための下限の流量である。一方、１つのセラミック多孔体７１から放出されるＨｅガスの流量が多すぎると、温度差ｄｅｌｔａ＿Ｔが低下しすぎて温度分布の均一化が難しくなる。対象物Ｗの温度分布を均一化するため、温度差ｄｅｌｔａ＿Ｔの絶対値は５℃以下であることが望ましい。したがって、１つのセラミック多孔体７１から放出されるＨｅガスの流量は、２４ｓｃｃｍ以下が好ましく、望ましくは２２ｓｃｃｍ以下、さらに望ましくは１７ｓｃｃｍ以下である。

１つのセラミック多孔体７１から放出されるＨｅガスの流量を２４ｓｃｃｍ以下にすると、温度差ｄｅｌｔａ＿Ｔの絶対値は５℃以下になる。また、１つのセラミック多孔体７１から放出されるＨｅガスの流量を２２ｓｃｃｍ以下にすると、温度差ｄｅｌｔａ＿Ｔの絶対値は４℃以下になる。また、１つのセラミック多孔体７１から放出されるＨｅガスの流量を１７ｓｃｃｍ以下にすると、温度差ｄｅｌｔａ＿Ｔの絶対値は３℃以下になる。

図２８は、貫通孔の内径と温度変化との関係を例示する図である。
図２８の横軸は、１つの貫通孔１５の内径（ｍｍ）を表し、縦軸は対象物Ｗの温度差ｄｅｌｔａ＿Ｔ（℃）を表している。ここで、供給されるＨｅガスの圧力差は、３０Ｔｏｒｒである。１つの貫通孔１５の内径が大きくなると、温度差ｄｅｌｔａ＿Ｔは低下する。

本実施形態に係る静電チャック１１０において、１つの貫通孔１５を形成できる内径の下限は０．０５ｍｍである。一方、１つの貫通孔１５の内径が大きすぎると、温度差ｄｅｌｔａ＿Ｔが低下しすぎて温度分布の均一化が難しくなる。対象物Ｗの温度分布を均一化するため、温度差ｄｅｌｔａ＿Ｔの絶対値は５℃以下であることが望ましい。したがって、１つの貫通孔１５の内径は、１ｍｍ以下が好ましく、望ましくは０．９ｍｍ以下、さらに望ましくは０．８ｍｍ以下である。

１つの貫通孔１５の内径を１ｍｍ以下にすると、温度差ｄｅｌｔａ＿Ｔの絶対値は５℃以下になる。また、１つの貫通孔１５の内径を０．９ｍｍ以下にすると、温度差ｄｅｌｔａ＿Ｔの絶対値は４℃以下になる。また、１つの貫通孔１５の内径を０．８ｍｍ以下にすると、温度差ｄｅｌｔａ＿Ｔの絶対値は３℃以下になる。

本実施形態に係る静電チャック１１０において、１つのセラミック多孔体７１が円筒形に設けられている場合、セラミック多孔体７１の外径は、７ｍｍ以下であることが好ましい。セラミック多孔体７１の外径を７ｍｍ以下にすることで、温度差ｄｅｌｔａ＿Ｔの絶対値が５℃以下になる。また、セラミック多孔体７１の外径を６ｍｍ以下にすると、温度差ｄｅｌｔａ＿Ｔの絶対値が４℃以下になる。さらに、セラミック多孔体７１の外径を５ｍｍ以下にすると、温度差ｄｅｌｔａ＿Ｔの絶対値が３℃以下になる。

以上説明したように、本実施形態によれば、セラミック誘電体基板１１に設けられた伝達ガスの導入用の貫通孔１５及びベースプレート５０に設けられたガス導入路５３における絶縁耐圧を向上させることができ、信頼性の高い静電チャック１１０を提供することができるようになる。
また、本実施形態によれば、ガス導入路５３内にセラミック多孔体７１を設けた構造であっても吸着の対象物Ｗに対して均一性の高い温度制御を行うことができる静電チャック１１０を提供することができるようになる。

以上、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。例えば、静電チャック１１０として、クーロン力を用いる構成を例示したが、ジョンソン・ラーベック力を用いる構成であっても適用可能である。また、前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。また、前述した各実施の形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。

１１ セラミック誘電体基板、 １１ａ 第１主面、 １１ｂ 第２主面、 １２ 電極、 １３ ドット、 １４ 溝、 １５ 貫通孔、 １６ シールリング部、 ２０ 接続部、 ５０ ベースプレート、 ５０ａ 上部、 ５０ｂ 下部、 ５１ 入力路、 ５２ 出力路、 ５３ ガス導入路、 ５３ａ 座ぐり部、 ５５ 連通路、 ６０ 接着部材、 ７０ 絶縁体プラグ、 ７１ セラミック多孔体、 ７２、７３ セラミック絶縁膜、 ７５ 境界線、 ８０ 吸着保持用電圧、 ９０ 制御部、 １１０、１１０ａ 静電チャック

第６の発明は、第１〜５のいずれか１つの発明において、前記セラミック多孔体の熱膨張率を基準とした場合において、前記セラミック多孔体の熱膨張率と前記セラミック絶縁膜の熱膨張率との差の比率は、１００％以下であることを特徴とする静電チャックである。

図１６は、熱膨張率の差の比率と応力との関係を例示するグラフ図である。
図１６に表したグラフ図の横軸は、セラミック多孔体７１の熱膨張率を基準としたときのセラミック多孔体７１の熱膨張率とセラミック絶縁膜７２の熱膨張率との差の比率を表す。図１６に表したグラフ図の縦軸は、応力の基準に対する比率を表す。

図１６に表したように、セラミック多孔体７１の熱膨張率を基準とした場合において、セラミック多孔体７１の熱膨張率とセラミック絶縁膜７２の熱膨張率との差の比率が１００％よりも高くなると、応力の基準に対する比率が１０よりも高くなる。応力が基準値以上である場合には、セラミック多孔体７１が破損するおそれがある。そのため、セラミック多孔体７１の熱膨張率を基準とした場合において、セラミック多孔体７１の熱膨張率とセラミック絶縁膜７２の熱膨張率との差の比率は、１００％以下であることが望ましい。セラミック多孔体７１の熱膨張率とセラミック絶縁膜７２の熱膨張率との差の比率は、５０％以下であることがさらに望ましい。

図１７は、材料の熱膨張率の一例を表す表である。
２５℃以上８００℃以下の環境において、Ａｌ_２Ｏ_３（アルミナ）の熱膨張率は、例えば７．０×１０^−６／℃である。Ｙ_２Ｏ_３の熱膨張率は、例えば７．２×１０^−６／℃である。ＴｉＣ−ＴｉＮの熱膨張率は、例えば７．４×１０^−６／℃である。Ａｌ_２Ｏ_３（サファイア）の熱膨張率は、例えば７．７×１０^−６／℃である。ＭｇＯ−ＳｉＯ_２の熱膨張率は、例えば７．７×１０^−６／℃である。２ＭｇＯ−ＳｉＯ_２の熱膨張率は、例えば１０．０×１０^−６／℃である。

Claims (18)

1. 吸着の対象物を載置する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、前記第２主面から前記第１主面にかけて設けられた貫通孔と、を有するセラミック誘電体基板と、
   前記セラミック誘電体基板を支持し、前記貫通孔と連通するガス導入路を有する金属製のベースプレートと、
   前記ガス導入路に設けられたセラミック多孔体と、前記セラミック多孔体と前記ガス導入路との間に設けられ前記セラミック多孔体よりも緻密なセラミック絶縁膜と、を有する絶縁体プラグと、
   を備え、
   前記セラミック絶縁膜は、前記セラミック多孔体の表面から前記セラミック多孔体の内部に食い込んだことを特徴とする静電チャック。
2. 前記セラミック絶縁膜の熱膨張率は、前記セラミック多孔体の熱膨張率および前記セラミック誘電体基板の熱膨張率のそれぞれと同じであることを特徴とする請求項１記載の静電チャック。
3. 前記セラミック絶縁膜の表面の算術平均粗さは、前記セラミック多孔体の表面の算術平均粗さよりも小さく、前記セラミック誘電体基板の表面の算術平均粗さよりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の静電チャック。
4. 前記セラミック絶縁膜の気孔率は、１０パーセント以下であり、
   前記セラミック多孔体の気孔率は、３０パーセント以上６０パーセント以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の静電チャック。
5. 前記セラミック絶縁膜の密度は、３．０グラム／立方センチメートル以上４．０グラム／立方センチメートル以下であり、
   前記セラミック多孔体の密度は、１．５グラム／立方センチメートル以上３．０グラム／立方センチメートル以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の静電チャック。
6. 前記セラミック多孔体の熱膨張率を基準とした場合において、前記セラミック多孔体の熱膨張率と前記セラミック絶縁膜の熱伝導率との差の比率は、１００％以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の静電チャック。
7. 前記セラミック多孔体および前記セラミック絶縁膜のそれぞれの熱膨張率は、７．０×１０^−６／℃以上１０．０×１０^−６／℃以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の静電チャック。
8. 前記セラミック多孔体および前記セラミック絶縁膜のそれぞれの熱伝導率は、０．３ワット／メートル・ケルビン以上１０ワット／メートル・ケルビン以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の静電チャック。
9. 前記セラミック絶縁膜の表面の前記算術平均粗さは、０．５マイクロメートル以上４マイクロメートル以下であり、
   前記セラミック多孔体の表面の前記算術平均粗さは、５マイクロメートル以上２０マイクロメートル以下であることを特徴とする請求項３記載の静電チャック。
10. 前記セラミック絶縁膜は、前記セラミック多孔体の側面に設けられたセラミックの溶射膜であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１つに記載の静電チャック。
11. 前記セラミック多孔体の外径に対する長さの比率は、０．６以上であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１つに記載の静電チャック。
12. 前記セラミック多孔体の外径は、１ミリメートル以上であることを特徴とする請求項１１記載の静電チャック。
13. 前記セラミック多孔体の長さは、３ミリメートル以上であることを特徴とする請求項１１記載の静電チャック。
14. 前記貫通孔の内径をＤ、前記貫通孔の中心から前記セラミック多孔体の外周までの距離をＬとした場合、Ｌ／Ｄは、５以上であることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１つに記載の静電チャック。
15. 前記貫通孔の１つ当たりから流出するＨｅガスの流量は、前記Ｈｅガスの圧力差を３０Ｔｏｒｒとした場合、０．５ｓｃｃｍ以上１４ｓｃｃｍ以下であることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１つに記載の静電チャック。
16. 前記セラミック多孔体の１つ当たりから流出するＨｅガスの流量は、前記Ｈｅガスの圧力差を３０Ｔｏｒｒとした場合、３ｓｃｃｍ以上２４ｓｃｃｍ以下であることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１つに記載の静電チャック。
17. 前記貫通孔の内径は、０．０５ミリメートル以上１ミリメートル以下であることを特徴とする請求項１〜１６のいずれか１つに記載の静電チャック。
18. 前記セラミック多孔体の外径は、７ミリメートル以下であることを特徴とする請求項１〜１７のいずれか１つに記載の静電チャック。