JPWO2016132909A1 - 静電チャック装置及び半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
Description
貫通孔における静電チャック部と冷却ベース部との間の接着層は、貫通孔に侵入したプラズマに曝されることになり、接着層の組成成分が損傷等を受けるので、接着層の消耗や接着高度の劣化を生ずる恐れがある。接着層が劣化すると、静電チャック部と冷却ベース部との間の熱伝達率を均一に制御することが難しくなる。また、プラズマと冷却ベース部とが導通し絶縁破壊を起こすことがある。
しかし、高品質の板状試料を製造するために、静電チャック部と冷却ベース部との間の熱伝達率をより均一に制御することができる静電チャック装置が求められている。
前記静電チャック部は、前記静電チャック部の前記冷却ベース部側における前記チャック部貫通孔の開口の周囲を囲繞する静電チャック部内側周囲面と、前記静電チャック部の前記冷却ベース部側における前記静電チャック部内側周囲面を囲繞する静電チャック部外側周囲面とを有する。前記冷却ベース部の前記ベース部貫通孔の前記静電チャック部側には、冷却ベース凹部が形成されている。前記絶縁碍子は、前記静電チャック部側に開口を有する碍子貫通孔が形成された内側絶縁碍子と、前記内側絶縁碍子を囲繞する外側絶縁碍子とを有する。前記貫通孔から入ったプラズマの浸入を阻止するように、前記内側絶縁碍子と前記静電チャック部内側周囲面とを接触させ又は前記内側絶縁碍子と前記静電チャック部内側周囲面との間の隙間に前記接着層を延在させ、前記絶縁碍子の前記静電チャック部側に形成された絶縁碍子内側端面と、前記静電チャック部外側周囲面に対向するように、前記絶縁碍子の前記静電チャック部側に形成された絶縁碍子外側端面とを有する。前記外側絶縁碍子の前記静電チャック部とは反対側は、前記冷却ベース凹部内にある。
なお、同じ構成については同じ符号を付して説明を省略する。
静電チャック装置10は、静電チャック部20と、冷却ベース部60と、接着層50と、貫通孔30と、絶縁碍子700とを備える。
静電チャック部20は、セラミックスで形成されている。静電チャック部20は、図示はしないが、載置板と、支持板と、静電吸着用内部電極と、絶縁材層とを有する。
一主面22は、板状試料が載置される載置面である。
他主面24には、後述する静電チャック部内側周囲面26及び静電チャック部外側周囲面28がある。後述するように、静電チャック部20には、一主面22及び他主面24のそれぞれに開口するように、静電チャック部20を貫通するチャック部貫通孔32が形成されている。チャック部貫通孔32の両端は、それぞれ、一主面22及び他主面24に開口している。
静電チャック部内側周囲面26は、静電チャック部20の冷却ベース部60側におけるチャック部貫通孔32の開口の周囲を囲繞している。
静電チャック部外側周囲面28は、静電チャック部20の冷却ベース部60側における静電チャック部内側周囲面26を囲繞している。
静電チャック部最外側周囲面29は、静電チャック部20の冷却ベース部60側における静電チャック部外側周囲面28を囲繞している。
静電チャック部内側周囲面26、静電チャック部外側周囲面28及び静電チャック部最外側周囲面29は、いずれも、他主面24の一部である。
所定の温度及び流量の冷却媒体が冷却用流路を流れることによって、冷却ベース部60の温度が調整され、ひいては、静電チャック部20の温度が所望温度に調整される。冷却ベース部60を構成する材料は、熱伝導性、導電性及び加工性に優れた金属、又はこれらの金属を含む複合材であることが好ましく、アルミニウム又はチタンで形成されていることがさらに好ましい。
冷却ベース部60は、第1実施形態及び第2実施形態において、さらに、冷却ベース凹部65を有する。冷却ベース凹部65は、ベース部貫通孔34の静電チャック部20側の開口が広がるように、冷却ベース部60の静電チャック部20側に形成されている。
接着層50は弾性材料を組成物としているので、接着層50は温度変化に伴う静電チャック部20の温度変位と冷却ベース部60の温度変位との差による熱応力を緩和させる作用を有する。
接着層50は、例えば、シリコーン系樹脂組成物を加熱硬化した硬化体又はアクリル樹脂で形成され、熱伝導性などの特性を向上させるためセラミックスなどのフィラーを添加してあるものを使用してもよい。なお、フィラーが接着層50に添加されると、接着層50の熱伝達率は変化する。
チャック部貫通孔32は、静電チャック部20を貫通する貫通孔である。チャック部貫通孔32の両端は、それぞれ、一主面22及び他主面24に開口している。
ベース部貫通孔34は、冷却ベース部60を貫通する貫通孔である。ベース部貫通孔34の両端は、それぞれ、上面62及び下面64に開口している。ベース部貫通孔34は、チャック部貫通孔32に連通している。ベース部貫通孔34は円柱側面形状を有する。他主面24におけるチャック部貫通孔32の開口の周囲面がベース部貫通孔34から露出するように、ベース部貫通孔34はチャック部貫通孔32より大径とされる。
外周側面78は絶縁碍子本体79の側面である。外周側面78がベース部貫通孔34に密接するように、外周側面78は外周側面78の円柱側面形状と同じ形状を有する。外周側面78がベース部貫通孔34に密接するように、絶縁碍子700はベース部貫通孔34内に設けられている。
内側絶縁碍子700aは、絶縁碍子内側端面72と、絶縁碍子外側端面74とを有する。絶縁碍子内側端面72は、静電チャック部内側周囲面26に接触し又は内側絶縁碍子700aと静電チャック部20との間の隙間に接着層50が延在するように、かつ、静電チャック部内側周囲面26と対向するように、絶縁碍子本体79の静電チャック部20側に形成されている。絶縁碍子外側端面74は、静電チャック部外側周囲面28に対向するように、絶縁碍子本体79の静電チャック部20側に形成されている。
絶縁碍子外側端面74は、絶縁碍子内側端面72を囲繞するリング状の端面である。
絶縁碍子外側端面74は、絶縁碍子本体79の円柱の軸方向において、静電チャック部20から絶縁碍子内側端面72より離れている。つまり、絶縁碍子700の静電チャック部20側の端部は、碍子貫通孔71の周囲がそれの周囲より高い凸形状を有する。
なお、静電チャック部内側周囲面26と絶縁碍子内側端面72との間には、チャック部貫通孔32から浸入したプラズマが接着層50に浸食しない程度の隙間はあっても良いし、接着層80が設けられていても良い。接着層80は、接着層50と同じであっても良いし、耐プラズマ性接着剤層90と同じであっても良い。
静電チャック部外側周囲面28と、絶縁碍子本体79の静電チャック部20側に形成された絶縁碍子外側端面74とは、所定の間隔をおいて対向している。
また、静電チャック部内側周囲面26と絶縁碍子内側端面72との間から冷却ベース部60の上面62までの距離を長くすることができるので、浸入してくるプラズマが絶縁碍子内側端面72と静電チャック部内側周囲面26との間の狭い隙間を通っての冷却ベース部60の上面62への到達は難く、絶縁破壊を阻止することができる。
また、絶縁碍子内側端面72と静電チャック部内側周囲面26との間の隙間が狭いので、チャック部貫通孔32から浸入してくるプラズマによる接着層50の劣化を抑制することができるので、静電チャック部20と冷却ベース部60との間の熱伝達率をより均一に制御することができる。
また、内側絶縁碍子700aの外側を囲繞する外側絶縁碍子700bを備えているので、沿面距離を長くすることができる。さらに、チャック部貫通孔32から静電チャック部20の他主面24や冷却ベース部60の上面62の広がる方向(図1の紙面において左右、前後方向)における、絶縁碍子内側端面72と静電チャック部内側周囲面26とが対向している範囲の距離を、静電チャック部最外側周囲面29と絶縁碍子本体79の上面709aとが対向している範囲の距離とは別に設定することができる。
静電チャック装置11は、さらに、耐プラズマ性接着剤層90を備えること以外は、静電チャック装置10と同じである。
耐プラズマ性接着剤層90は、リング状接着剤部92を有する。リング状接着剤部92は、チャック部貫通孔32から浸入したプラズマが接着層50に浸食しないように、静電チャック部外側周囲面28と絶縁碍子外側端面74との間に形成されている。
耐プラズマ性接着剤層90は、例えば、アクリル系、フッ素系の接着剤である。
静電チャック装置1は、静電チャック部20と、冷却ベース部60と、接着層50と、貫通孔30と、絶縁碍子70と、耐プラズマ性接着剤層90とを備える。
絶縁碍子外側端面74は、絶縁碍子内側端面72を囲繞するリング状の端面である。
絶縁碍子外側端面74は、絶縁碍子本体79の円柱の軸方向において、静電チャック部20から絶縁碍子内側端面72より離れている。つまり、絶縁碍子70の静電チャック部20側の端部は、碍子貫通孔71の周囲がそれの周囲より高い凸形状を有する。
なお、静電チャック部内側周囲面26と絶縁碍子内側端面72との間には、チャック部貫通孔32から侵入したプラズマが接着層50に到達しない程度の隙間を設けてもよいし、チャック部貫通孔32から侵入したプラズマが接着層50に侵食しないように、接着層80を設けてもよい。接着層80は、接着層50と同じであってもよいし、耐プラズマ性接着剤層90と同じであってもよい。
静電チャック部外側周囲面28と、絶縁碍子本体79の静電チャック部20側に形成された絶縁碍子外側端面74とは、所定の間隔をおいて対向している。
耐プラズマ性接着剤層90は、例えば、アクリル系、フッ素系の接着剤である。
静電チャック装置2は、耐プラズマ性接着剤層90の形状が異なること、絶縁碍子70は、冷却ベース部60のベース部貫通孔34より若干小径の外周側面78を有すること以外は、静電チャック装置1と同じである。
耐プラズマ性接着剤層90は、静電チャック部外側周囲面28と絶縁碍子外側端面74との間にあるリング状接着剤部92と、絶縁碍子70の外周側面78と冷却ベース部60のベース部貫通孔34との間に形成された筒状接着剤部94とを有する。すなわち、耐プラズマ性接着剤層90は、静電チャック部外側周囲面28と絶縁碍子外側端面74との間から絶縁碍子70の外周側面78と冷却ベース部60のベース部貫通孔34との間に延在している。
また、碍子貫通孔71に侵入したプラズマ(ラジカル)が絶縁碍子本体79の下面から外周側面78と絶縁碍子本体79との間を通り上面62に向けて侵入しようとしても、絶縁碍子70の外周側面78とベース部貫通孔34との間にある筒状接着剤部94がその侵入を阻止することができるので、プラズマと冷却ベース部との間の短絡による絶縁破壊を阻止することができる。
また、絶縁碍子70の外周側面78とベース部貫通孔34との間に筒状接着剤部94があるので、絶縁碍子70の外周側面78とベース部貫通孔34との間の寸法許容値を大きくすることができる。
静電チャック装置3は、静電チャック部20には、冷却ベース部60側に静電チャック部凹部23が形成され、静電チャック部内側周囲面26及び静電チャック部外側周囲面28は、静電チャック部凹部23の底面とされていること以外は、静電チャック装置1と同じである。静電チャック部凹部23の底面、静電チャック部内側周囲面26及び静電チャック部外側周囲面28は、いずれも、静電チャック部20の冷却ベース部60側にある。
また、静電チャック部外側周囲面28と絶縁碍子外側端面74との距離が近いと、耐プラズマ性接着剤層90のリング状接着剤部92は、静電チャック部凹部23と絶縁碍子外側端面74とに囲まれた断面が中空矩形のリング内に形成されたことになる。このため、静電チャック部凹部23の側面の絶縁碍子70側の一部と外周側面78の静電チャック部20側の一部とが接触するように重なり、その重なった部分にはわずかな隙間が形成される。そして、その隙間によってプラズマの侵入を抑止することができるので、接着層50の劣化をより抑止することができる。
静電チャック装置4は、以下の点を除いて静電チャック装置1と同じである。
冷却ベース部60側の静電チャック部20には、静電チャック部凹部23aが形成されている。静電チャック部内側周囲面26は、静電チャック部凹部23aの底面とされる。静電チャック部外側周囲面28は、静電チャック部凹部23aの開口の周囲とされる。なお、静電チャック部凹部23aの底面、静電チャック部内側周囲面26及び静電チャック部外側周囲面28は、いずれも、静電チャック部20の冷却ベース部60側にある。
静電チャック装置5は、以下の点を除いて、静電チャック装置1又は静電チャック装置4と同じである。
冷却ベース部60は、静電チャック部20側に冷却ベース凹部61を有する。
冷却ベース凹部61は、ベース部貫通孔34の静電チャック部20側の開口を広げるように、冷却ベース部60の静電チャック部20側に形成されている。ベース部貫通孔34は冷却ベース凹部61の側面34aと下側ベース部貫通孔34bとで構成される。
絶縁碍子70の静電チャック部20とは反対側の絶縁碍子端部75には、絶縁碍子凹部75aが形成されている。絶縁碍子端部75の端面のうち絶縁碍子凹部75aの開口の周囲を囲繞している端面は、絶縁碍子下側端面75cとされる。
碍子貫通孔71の静電チャック部20とは反対側は、絶縁碍子凹部75aの底面75bに開口している。
絶縁碍子70の静電チャック部20とは反対側の絶縁碍子端部75は、冷却ベース凹部61内にある。
下側絶縁碍子70aは、絶縁碍子70の静電チャック部20とは反対側に配置されている。絶縁碍子70が冷却ベース凹部61内にあるので、下側絶縁碍子70aは、下側ベース部貫通孔34b内に配置される。
下側絶縁碍子70aは、下側絶縁碍子本体79aと、下側絶縁碍子内側端面72aと、下側絶縁碍子外側端面74aとを有する。
下側絶縁碍子本体79aは、碍子貫通孔71に連通し碍子貫通孔71の開口の周囲を囲繞する下側碍子貫通孔71aを有する。
下側絶縁碍子内側端面72aは、絶縁碍子凹部75aの底面75bに接触するように、下側絶縁碍子本体79aの絶縁碍子70側に形成されている。
下側絶縁碍子外側端面74aは、絶縁碍子下側端面75cに対向するように、下側絶縁碍子本体79aの静電チャック部20側に形成されている。下側絶縁碍子外側端面74aは、下側絶縁碍子本体79aの円柱の軸方向において、絶縁碍子70から下側絶縁碍子内側端面72aより離れている。つまり、下側絶縁碍子70aの絶縁碍子70側の端部は、下側碍子貫通孔71aの周囲がそれの周囲より高い凸形状を有する。
下側絶縁碍子内側端面72aと下側絶縁碍子外側端面74aとの間には、凸状部側面74cが形成されている。凸状部側面74cは、絶縁碍子凹部75aの側面と対向している。
下側耐プラズマ性接着剤層95は、絶縁碍子70と下側絶縁碍子70aとの間に形成されている。具体的には、下側耐プラズマ性接着剤層95は、絶縁碍子端部75の絶縁碍子下側端面75cと下側絶縁碍子外側端面74aとの間に形成されている。また、下側耐プラズマ性接着剤層95は、絶縁碍子端部75の絶縁碍子下側端面75cと下側絶縁碍子外側端面74aとの間から絶縁碍子凹部75aの側面と下側絶縁碍子70aの凸状部側面74cとの間に延在してもよい。
静電チャック装置6は、以下の点を除いて、静電チャック装置1〜3と同じである。
絶縁碍子70は、碍子貫通孔71bが形成された内側絶縁碍子70bと、内側絶縁碍子70bを囲繞する外側絶縁碍子70cとを有する。絶縁碍子内側端面72は、内側絶縁碍子70bの静電チャック部20側の端面72bと、外側絶縁碍子70cの静電チャック部20側の端面74bとで形成されている。
耐プラズマ性接着剤層90は、リング状接着剤部92と、円筒側面状接着部96とを有する。円筒側面状接着部96は、内側絶縁碍子70bの側面78bと外側絶縁碍子70cの内側面79bとの間にある円筒側面状の空間に形成され、外側絶縁碍子70cの静電チャック部20側の端面74bと他主面24との間の隙間を介して、リング状接着剤部92に延在している。すなわち、耐プラズマ性接着剤層90は、静電チャック部外側周囲面28と絶縁碍子外側端面74との間から、外側絶縁碍子70cの端面74bと他主面24との間の隙間を介して、内側絶縁碍子70bと外側絶縁碍子70cとの間に延在している。
また、碍子貫通孔71bに進入したプラズマ(ラジカル)が、冷却ベース部60の下面64から内側絶縁碍子70bの側面78bと外側絶縁碍子70cの内側面79bとの間に侵入しようとしても、内側絶縁碍子70bの側面78bと外側絶縁碍子70cの内側面79bとの間には円筒側面状接着部96があるので、その侵入を阻止することができ、プラズマと冷却ベース部とが短絡することによる絶縁破壊を阻止できる。
20 静電チャック部
22 静電チャック部の一主面
23、23a 静電チャック部凹部
24 静電チャック部の他主面
26 静電チャック部内側周囲面
28 静電チャック部外側周囲面
29 静電チャック部最外側周囲面
30 貫通孔
32 チャック部貫通孔
34 ベース部貫通孔
34a 冷却ベース凹部の側面
34b 下側ベース部貫通孔
50 接着層
60 冷却ベース部
61 冷却ベース凹部
62 冷却ベース部の上面
64 冷却ベース部の下面
65 冷却ベース凹部
70、700 絶縁碍子
700a 内側絶縁碍子
700b 外側絶縁碍子
70a 下側絶縁碍子
70b 内側絶縁碍子
70c 外側絶縁碍子
71 碍子貫通孔
71a 下側碍子貫通孔
71b 碍子貫通孔
72 絶縁碍子内側端面
72a 下側絶縁碍子内側端面
72b 絶縁碍子内側端面の端面(絶縁碍子内側端面の一部)
74 絶縁碍子外側端面
74a 下側絶縁碍子外側端面
74b 外側絶縁碍子の端面(絶縁碍子内側端面の一部)
74c 凸状部側面
75 絶縁碍子端部
75a 絶縁碍子凹部
75b 絶縁碍子凹部の底面
75c 絶縁碍子下側端面
78 絶縁碍子の外周側面
78b 内側絶縁碍子の側面
79 絶縁碍子本体
79a 下側絶縁碍子本体
79b 外側絶縁碍子の内側面
80 接着層
90 耐プラズマ性接着剤層
92 リング状接着剤部
94 筒状接着剤部
95 下側耐プラズマ性接着剤層
96 円筒側面状接着部
Claims (9)
- 板状試料が載置される載置面を有する静電チャック部と、
前記静電チャック部を冷却する冷却ベース部と、
前記静電チャック部と前記冷却ベース部とが接着するように、前記静電チャック部と前記冷却ベース部との間に形成された接着層と、
前記静電チャック部を貫通するチャック部貫通孔と前記チャック部貫通孔に連通するように前記冷却ベース部を貫通する前記チャック部貫通孔より大径のベース部貫通孔とを有する貫通孔と、
前記ベース部貫通孔内に設けられた絶縁碍子と、を備え、
前記静電チャック部は、前記静電チャック部の前記冷却ベース部側における前記チャック部貫通孔の開口の周囲を囲繞する静電チャック部内側周囲面と、前記静電チャック部の前記冷却ベース部側における前記静電チャック部内側周囲面を囲繞する静電チャック部外側周囲面とを有し、
前記冷却ベース部の前記ベース部貫通孔の前記静電チャック部側には、冷却ベース凹部が形成されており、
前記絶縁碍子は、前記静電チャック部側に開口を有する碍子貫通孔が形成された内側絶縁碍子と、前記内側絶縁碍子を囲繞する外側絶縁碍子とを有し、
前記貫通孔から入ったプラズマの浸入を阻止するように、前記内側絶縁碍子と前記静電チャック部内側周囲面とを接触させ又は前記内側絶縁碍子と前記静電チャック部内側周囲面との間の隙間に前記接着層を延在させ、前記絶縁碍子の前記静電チャック部側に形成された絶縁碍子内側端面と、前記静電チャック部外側周囲面に対向するように、前記絶縁碍子の前記静電チャック部側に形成された絶縁碍子外側端面とを有し、
前記外側絶縁碍子の前記静電チャック部とは反対側は、前記冷却ベース凹部内にある、静電チャック装置。 - さらに、前記静電チャック部外側周囲面と前記絶縁碍子外側端面との間に配置された耐プラズマ性接着剤層を備える、請求項1に記載の静電チャック装置。
- 板状試料が載置される載置面を有する静電チャック部と、
前記静電チャック部を冷却する冷却ベース部と、
前記静電チャック部と前記冷却ベース部とが接着するように、前記静電チャック部と前記冷却ベース部との間に形成された接着層と、
前記静電チャック部を貫通するチャック部貫通孔と前記チャック部貫通孔に連通するように前記冷却ベース部を貫通する前記チャック部貫通孔より大径のベース部貫通孔とを有する貫通孔と、
前記ベース部貫通孔内に設けられた絶縁碍子と、
前記絶縁碍子と前記静電チャック部との間に配置された耐プラズマ性接着剤層とを備え、
前記静電チャック部は、前記静電チャック部の前記冷却ベース部側における前記チャック部貫通孔の開口の周囲を囲繞する静電チャック部内側周囲面と、前記静電チャック部の前記冷却ベース部側における前記静電チャック部内側周囲面を囲繞する静電チャック部外側周囲面とを有し、
前記絶縁碍子は、前記静電チャック部側に開口を有する碍子貫通孔が形成された絶縁碍子本体と、前記絶縁碍子本体の前記静電チャック部側に形成された絶縁碍子内側端面と、前記静電チャック部外側周囲面に対向するように、前記絶縁碍子本体の前記静電チャック部側に形成された絶縁碍子外側端面とを有し、
前記貫通孔から入ったプラズマの侵入を阻止するように、前記絶縁碍子内側端面と前記静電チャック部内側周囲面とが接触し、又は、前記絶縁碍子内側端面と前記静電チャック部内側周囲面との間の隙間に前記接着層又は前記耐プラズマ性接着剤層が延在し、
前記耐プラズマ性接着剤層は、前記静電チャック部外側周囲面と前記絶縁碍子外側端面との間に形成されている、静電チャック装置。 - 前記耐プラズマ性接着剤層は、前記静電チャック部外側周囲面と前記絶縁碍子外側端面との間から前記絶縁碍子の外周側面と前記冷却ベース部との間に延在している、請求項3に記載の静電チャック装置。
- 前記静電チャック部には、前記冷却ベース部側に静電チャック部凹部が形成され、
前記静電チャック部内側周囲面及び前記静電チャック部外側周囲面は、前記静電チャック部凹部の底面とされる、請求項3又は4に記載の静電チャック装置。 - 前記冷却ベース部側の前記静電チャック部には、静電チャック部凹部が形成され、
前記静電チャック部内側周囲面は、前記静電チャック部凹部の底面とされ、
前記静電チャック部外側周囲面は、前記静電チャック部凹部の開口の周囲とされる、請求項3に記載の静電チャック装置。 - 前記冷却ベース部は、前記静電チャック部側に冷却ベース凹部を有し、
前記絶縁碍子の前記静電チャック部とは反対側の絶縁碍子端部には、絶縁碍子凹部を有し、
前記絶縁碍子の前記静電チャック部とは反対側は、前記冷却ベース凹部内にあり、
当該静電チャック装置は、さらに、前記絶縁碍子の前記静電チャック部とは反対側に配置された下側絶縁碍子と、
前記絶縁碍子と前記下側絶縁碍子との間に形成された下側耐プラズマ性接着剤層とを備え、
前記下側絶縁碍子は、前記碍子貫通孔に連通し前記碍子貫通孔の開口の周囲を囲繞する下側碍子貫通孔を有する下側絶縁碍子本体と、前記絶縁碍子凹部の底面に接触するように、前記下側絶縁碍子本体の前記静電チャック部側に形成された下側絶縁碍子内側端面と、前記絶縁碍子端部の端面に対向するように、前記下側絶縁碍子本体の前記静電チャック部側に形成された下側絶縁碍子外側端面とを有し、
前記下側耐プラズマ性接着剤層は、前記絶縁碍子端部の端面と前記下側絶縁碍子外側端面との間に形成されている、請求項3又は6に記載の静電チャック装置。 - 前記絶縁碍子は、前記碍子貫通孔が形成された内側絶縁碍子と、前記内側絶縁碍子を囲繞する外側絶縁碍子とを有し、
前記絶縁碍子内側端面は、前記内側絶縁碍子の前記静電チャック部側の端面と、前記外側絶縁碍子の前記静電チャック部側の端面とで形成され、
前記耐プラズマ性接着剤層は、前記静電チャック部外側周囲面と前記絶縁碍子外側端面との間から、前記外側絶縁碍子の前記静電チャック部側の端面を介して、前記内側絶縁碍子と前記外側絶縁碍子との間に延在している、請求項3から5のいずれか1項に記載の静電チャック装置。 - 請求項1から8のいずれか1項に記載の静電チャック装置を備えた半導体製造装置。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015029274 | 2015-02-18 | ||
JP2015029274 | 2015-02-18 | ||
JP2015044587 | 2015-03-06 | ||
JP2015044587 | 2015-03-06 | ||
PCT/JP2016/053263 WO2016132909A1 (ja) | 2015-02-18 | 2016-02-03 | 静電チャック装置及び半導体製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016132909A1 true JPWO2016132909A1 (ja) | 2017-11-24 |
JP6658509B2 JP6658509B2 (ja) | 2020-03-04 |
Family
ID=56692207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016510531A Active JP6658509B2 (ja) | 2015-02-18 | 2016-02-03 | 静電チャック装置及び半導体製造装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10475688B2 (ja) |
JP (1) | JP6658509B2 (ja) |
KR (1) | KR102508955B1 (ja) |
WO (1) | WO2016132909A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10475688B2 (en) * | 2015-02-18 | 2019-11-12 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrostatic chuck device, and semiconductor manufacturing device |
WO2018230446A1 (ja) * | 2017-06-13 | 2018-12-20 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用部材 |
JP2019040998A (ja) * | 2017-08-25 | 2019-03-14 | 京セラ株式会社 | 試料保持具 |
US10688750B2 (en) | 2017-10-03 | 2020-06-23 | Applied Materials, Inc. | Bonding structure of E chuck to aluminum base configuration |
JP7020238B2 (ja) * | 2018-03-29 | 2022-02-16 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
US10847402B2 (en) * | 2018-04-02 | 2020-11-24 | Applied Materials, Inc. | Bond protection around porous plugs |
US11456161B2 (en) * | 2018-06-04 | 2022-09-27 | Applied Materials, Inc. | Substrate support pedestal |
US11367597B2 (en) * | 2018-07-05 | 2022-06-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electrostatic chuck and plasma processing apparatus including the same |
JP2020072176A (ja) * | 2018-10-31 | 2020-05-07 | 京セラ株式会社 | 試料保持具 |
CN113169108A (zh) * | 2018-11-30 | 2021-07-23 | 京瓷株式会社 | 试样保持工具 |
JP7083923B2 (ja) * | 2019-01-24 | 2022-06-13 | 京セラ株式会社 | 静電チャック |
KR102255246B1 (ko) * | 2019-05-20 | 2021-05-25 | (주)케이에스티이 | 정전척 및 그 제조방법 |
WO2020242661A1 (en) | 2019-05-24 | 2020-12-03 | Applied Materials, Inc. | Substrate support carrier with improved bond layer protection |
JP7349855B2 (ja) * | 2019-09-09 | 2023-09-25 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
JP7458195B2 (ja) * | 2020-02-10 | 2024-03-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台、プラズマ処理装置及びクリーニング処理方法 |
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JP2023105892A (ja) | 2022-01-20 | 2023-08-01 | 新光電気工業株式会社 | 基板固定装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP5049891B2 (ja) * | 2008-06-13 | 2012-10-17 | 新光電気工業株式会社 | 基板温調固定装置 |
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JP5829509B2 (ja) * | 2011-12-20 | 2015-12-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
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US10475688B2 (en) * | 2015-02-18 | 2019-11-12 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrostatic chuck device, and semiconductor manufacturing device |
WO2016158110A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
-
2016
- 2016-02-03 US US15/550,205 patent/US10475688B2/en active Active
- 2016-02-03 JP JP2016510531A patent/JP6658509B2/ja active Active
- 2016-02-03 KR KR1020177021578A patent/KR102508955B1/ko active IP Right Grant
- 2016-02-03 WO PCT/JP2016/053263 patent/WO2016132909A1/ja active Application Filing
Patent Citations (4)
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180025933A1 (en) | 2018-01-25 |
JP6658509B2 (ja) | 2020-03-04 |
KR20170113560A (ko) | 2017-10-12 |
US10475688B2 (en) | 2019-11-12 |
KR102508955B1 (ko) | 2023-03-13 |
WO2016132909A1 (ja) | 2016-08-25 |
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Legal Events
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