JP2018101711A - 静電チャック - Google Patents

Abstract

【課題】セラミックス板の内部電極に導通する電極パッドとベース部材との間の短絡の発生を抑制する。【解決手段】静電チャックは、第１の方向に直交する第１の表面と第１の表面とは反対側の第２の表面とを有するセラミックス板と、端子用貫通孔が形成された金属製のベース部材とを備える。セラミックス板の第２の表面における第１の方向視で端子用貫通孔に重なる第１の領域には、セラミックス板内の内部電極に導通する電極パッドが配置される。端子用貫通孔内には、電極パッドと接合された電極端子と、電極端子を取り囲む絶縁部材とが配置される。セラミックス板の第１の領域には、電極パッドが配置された位置より内部電極側に凹んだ凹部と電極パッドが配置された位置より内部電極から離れる側に突出した凸部との少なくとも一方が、電極パッドを取り囲むように連続的に形成されている。【選択図】図５

Description

本明細書に開示される技術は、静電チャックに関する。

例えば半導体を製造する際にウェハを保持するために、静電チャックが用いられる。静電チャックは、金属製のベース部材と、ベース部材に接合されたセラミックス板とを備えており、セラミックス板の内部に配置されたチャック電極に電圧が印加されることにより発生する静電引力を利用して、セラミックス板の表面（以下、「吸着面」という）にウェハを吸着して保持する。

静電チャックは、チャック電極への給電のための構成を備えている。具体的には、ベース部材の内部に、ベース部材におけるセラミックス板に対向する表面（以下、「上面」という）に開口する端子用貫通孔が形成されており、端子用貫通孔内に、柱状の電極端子が配置されている。また、セラミックス板におけるベース部材に対向する表面（以下、「下面」という）の内の所定の領域には、チャック電極に導通する電極パッドが配置されている。なお、セラミックス板の下面における上記所定領域は、吸着面に略直交する方向（以下、「第１の方向」という）視で端子用貫通孔に重なる領域である。ベース部材の端子用貫通孔内に配置された電極端子は、例えばロウ付けによって電極パッドに接合されている。また、電極端子と金属製のベース部材との間を絶縁するため、ベース部材の端子用貫通孔内には、電極端子と端子用貫通孔の表面との間に介在するように電極端子を連続的に取り囲む絶縁部材が配置される。静電チャックの使用時には、チャック電極に、電源から電極端子および電極パッドを介してチャック電極に至る導通経路を介して、電圧が印加される（例えば、特許文献１参照）。

特開２００７−２５８６１５号公報

従来の静電チャックでは、セラミックス板の下面に沿って電極パッドからベース部材に至るまでの沿面距離が短く、電極パッドとベース部材との間の短絡が発生するおそれがある。

なお、このような短絡の課題は、チャック電極に導通する電極パッドとベース部材との間に限らず、例えばヒータ電極等のようにセラミックス板の内部に配置された内部電極に導通する電極パッドとベース部材との間においても同様に発生し得る課題である。

本明細書では、上述した課題を解決することが可能な技術を開示する。

本明細書に開示される技術は、例えば、以下の形態として実現することが可能である。

（１）本明細書に開示される静電チャックは、第１の方向に略直交する平面状の第１の表面と、前記第１の表面とは反対側の第２の表面と、を有する板状のセラミックス板と、第３の表面を有し、前記第３の表面が前記セラミックス板の前記第２の表面に対向するように配置され、冷媒流路と前記第３の表面に開口する端子用貫通孔とが内部に形成された金属製のベース部材と、前記セラミックス板と前記ベース部材との間に配置された第１の接着材と、前記セラミックス板の内部に配置された内部電極と、前記セラミックス板の前記第２の表面における第１の領域であって、前記第１の方向視で前記端子用貫通孔に重なる前記第１の領域に配置され、前記内部電極に導通する電極パッドと、前記端子用貫通孔内に配置され、前記電極パッドと接合された柱状の電極端子と、前記端子用貫通孔内に配置され、前記電極端子と前記端子用貫通孔の表面との間に介在するように前記電極端子を連続的に取り囲む絶縁部材と、前記絶縁部材の周りに配置された第２の接着材と、を備え、前記セラミックス板の前記第１の表面上に対象物を保持する静電チャックにおいて、前記セラミックス板の前記第２の表面における前記第１の領域には、前記第１の方向において前記電極パッドが配置された位置より前記内部電極側に凹んだ凹部と、前記第１の方向において前記電極パッドが配置された位置より前記内部電極から離れる側に突出した凸部と、の少なくとも一方が、前記第１の方向視で前記電極パッドを取り囲むように連続的に形成されている。本静電チャックによれば、セラミックス板の第２の表面（ベース部材に対向する側の表面）における第１の領域（第１の方向視で端子用貫通孔に重なる領域）に、第１の方向において電極パッドが配置された位置より内部電極側に凹んだ凹部と、第１の方向において電極パッドが配置された位置より内部電極から離れる側に突出した凸部と、の少なくとも一方が、第１の方向視で電極パッドを取り囲むように連続的に形成されているため、セラミックス板の第２の表面に沿って電極パッドからベース部材に至るまでの沿面距離を長くすることができ、電極パッドとベース部材との間の短絡の発生を抑制することができる。

（２）上記静電チャックにおいて、前記絶縁部材には、前記凹部に嵌合する絶縁部材側凸部と、前記凸部に嵌合する絶縁部材側凹部と、の少なくとも一方が形成されている構成としてもよい。本静電チャックによれば、絶縁部材に、セラミックス板の凹部に嵌合する絶縁部材側凸部と、セラミックス板の凸部に嵌合する絶縁部材側凹部と、の少なくとも一方が形成されているため、セラミックス板の凹部内やセラミックス板の凸部周りが空間である構成と比較して、電極パッドとベース部材との間の短絡の発生をより効果的に抑制することができると共に、セラミックス板の凹部や凸部廻りにおけるセラミックス板からベース部材への熱移動が促進されることによって、セラミックス板の凹部や凸部の存在に起因する第１の表面の均熱性の低下を抑制することができる。

（３）上記静電チャックにおいて、前記セラミックス板の前記第２の表面における前記第１の領域には、前記凹部と前記凸部との少なくとも一方が、２つ以上形成されている構成としてもよい。本静電チャックによれば、セラミックス板の第２の表面に沿って電極パッドからベース部材に至るまでの沿面距離を大幅に長くすることができ、電極パッドとベース部材との間の短絡の発生をより効果的に抑制することができる。

（４）上記静電チャックにおいて、前記セラミックス板の熱伝導率は、前記絶縁部材の熱伝導率以上であり、前記セラミックス板の前記第２の表面における前記第１の領域には、前記凹部が、前記絶縁部材の肉厚を２等分する仮想面より内側の位置に形成されており、前記絶縁部材には、前記凹部に嵌合する前記絶縁部材側凸部が形成されている構成としてもよい。本静電チャックによれば、セラミックス板に凹部が形成され絶縁部材に絶縁部材側凸部が形成されることによるセラミックス板の体積減少の程度（絶縁部材の体積増加の程度）を小さくすることができ、第１の表面の均熱性の低下をより効果的に抑制することができる。

（５）上記静電チャックにおいて、前記セラミックス板の熱伝導率は、前記絶縁部材の熱伝導率以上であり、前記セラミックス板の前記第２の表面における前記第１の領域には、前記凸部が、前記絶縁部材の肉厚を２等分する仮想面より外側の位置に形成されており、前記絶縁部材には、前記凸部に嵌合する前記絶縁部材側凹部が形成されている構成としてもよい。本静電チャックによれば、セラミックス板に凸部が形成され絶縁部材に絶縁部材側凹部が形成されることによるセラミックス板の体積増加の程度（絶縁部材の体積減少の程度）を大きくすることができ、第１の表面の均熱性の低下をより効果的に抑制することができる。

（６）上記静電チャックにおいて、前記セラミックス板の熱伝導率は、前記絶縁部材の熱伝導率より低く、前記セラミックス板の前記第２の表面における前記第１の領域には、前記凹部が、前記絶縁部材の肉厚を２等分する仮想面より外側の位置に形成されており、前記絶縁部材には、前記凹部に嵌合する前記絶縁部材側凸部が形成されている構成としてもよい。本静電チャックによれば、セラミックス板に凹部が形成され絶縁部材に絶縁部材側凸部が形成されることによるセラミックス板の体積減少の程度（絶縁部材の体積増加の程度）を大きくすることができ、第１の表面の均熱性の低下をより効果的に抑制することができる。

（７）上記静電チャックにおいて、前記セラミックス板の熱伝導率は、前記絶縁部材の熱伝導率より低く、前記セラミックス板の前記第２の表面における前記第１の領域には、前記凸部が、前記絶縁部材の肉厚を２等分する仮想面より内側の位置に形成されており、前記絶縁部材には、前記凸部に嵌合する前記絶縁部材側凹部が形成されている構成としてもよい。本静電チャックによれば、セラミックス板に凸部が形成され絶縁部材に絶縁部材側凹部が形成されることによるセラミックス板の体積増加の程度（絶縁部材の体積減少の程度）を小さくすることができ、第１の表面の均熱性の低下をより効果的に抑制することができる。

なお、本明細書に開示される技術は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、静電チャックおよびその製造方法等の形態で実現することが可能である。

第１実施形態における静電チャック１０の外観構成を概略的に示す斜視図である。 第１実施形態における静電チャック１０のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。 第１実施形態における静電チャック１０のＸＹ断面構成（図２のＩＩＩ−ＩＩＩの位置における断面構成）を概略的に示す説明図である。 第１実施形態における静電チャック１０のＸＹ断面構成（図２のＩＶ−ＩＶの位置における断面構成）を概略的に示す説明図である。 静電チャック１０の一部分（図２のＸ１部）のＸＺ断面構成を拡大して示す説明図である。 図５のＶＩ−ＶＩの位置における静電チャック１０の一部分のＸＹ断面構成を拡大して示す説明図である。 図５のＶＩＩ−ＶＩＩの位置における静電チャック１０の一部分のＸＹ断面構成を拡大して示す説明図である。 第１実施形態における静電チャック１０の製造方法を示すフローチャートである。 比較例の静電チャック１０Ｘの構成を概略的に示す説明図である。 第２実施形態の静電チャック１０ａの構成（ＸＺ断面構成）を概略的に示す説明図である。 第２実施形態の静電チャック１０ａの構成（ＸＹ断面構成）を概略的に示す説明図である。 第３実施形態の静電チャック１０ｂの構成（ＸＺ断面構成）を概略的に示す説明図である。 第３実施形態の静電チャック１０ｂの構成（ＸＹ断面構成）を概略的に示す説明図である。

Ａ．第１実施形態：
Ａ−１．静電チャック１０の構成：
図１は、第１実施形態における静電チャック１０の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図２は、第１実施形態における静電チャック１０のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図であり、図３および図４は、第１実施形態における静電チャック１０のＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。図２には、図３および図４のＩＩ−ＩＩの位置における静電チャック１０のＸＺ断面構成が示されており、図３には、図２のＩＩＩ−ＩＩＩの位置における静電チャック１０のＸＹ断面構成が示されており、図４には、図２のＩＶ−ＩＶの位置における静電チャック１０のＸＹ断面構成が示されている。各図には、方向を特定するための互いに直交するＸＹＺ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Ｚ軸正方向を上方向といい、Ｚ軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック１０は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。

静電チャック１０は、対象物（例えばウェハＷ）を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内でウェハＷを固定するために使用される。静電チャック１０は、所定の配列方向（本実施形態では上下方向（Ｚ軸方向））に並べて配置されたセラミックス板１００およびベース部材２００を備える。セラミックス板１００とベース部材２００とは、セラミックス板１００の下面Ｓ２（図２参照）とベース部材２００の上面Ｓ３とが上記配列方向に対向するように配置される。セラミックス板１００の下面Ｓ２は、特許請求の範囲における第２の表面に相当し、ベース部材２００の上面Ｓ３は、特許請求の範囲における第３の表面に相当する。

セラミックス板１００は、例えば円形平面の板状部材であり、セラミックス（例えば、アルミナや窒化アルミニウム等）により形成されている。セラミックス板１００の直径は例えば５０ｍｍ〜５００ｍｍ程度（通常は２００ｍｍ〜３５０ｍｍ程度）であり、セラミックス板１００の厚さは例えば１ｍｍ〜１０ｍｍ程度である。

図２および図４に示すように、セラミックス板１００の内部には、導電性材料（例えば、タングステンやモリブデン等）により形成されたチャック電極４００が設けられている。Ｚ軸方向視でのチャック電極４００の形状は、例えば略円形である。チャック電極４００に電源（図示せず）から電圧が印加されると、静電引力が発生し、この静電引力によってウェハＷがセラミックス板１００における下面Ｓ２とは反対側の表面（以下、「吸着面Ｓ１」という）に吸着固定される。セラミックス板１００の吸着面Ｓ１は、上述した配列方向（Ｚ軸方向）に略直交する平面状の表面である。セラミックス板１００の吸着面Ｓ１は、特許請求の範囲における第１の表面に相当し、Ｚ軸方向は、特許請求の範囲における第１の方向に相当し、チャック電極４００は、特許請求の範囲における内部電極に相当する。また、本明細書では、Ｚ軸に直交する方向（すなわち、吸着面Ｓ１に平行な方向）を「面方向」という。

図２および図３に示すように、セラミックス板１００の内部には、導電性材料（例えば、タングステンやモリブデン等）により形成された抵抗発熱体で構成されたヒータ電極５００が設けられている。Ｚ軸方向視でのヒータ電極５００の形状は、例えば略螺旋状である。ヒータ電極５００に電源（図示せず）から電圧が印加されると、ヒータ電極５００が発熱することによってセラミックス板１００が温められ、セラミックス板１００の吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷが温められる。これにより、ウェハＷの温度制御が実現される。

ベース部材２００は、例えばセラミックス板１００と同径の、または、セラミックス板１００より径が大きい円形平面の板状部材であり、金属（アルミニウムやアルミニウム合金等）により形成されている。ベース部材２００の直径は例えば２２０ｍｍ〜５５０ｍｍ程度（通常は２２０ｍｍ〜３５０ｍｍ）であり、ベース部材２００の厚さは例えば２０ｍｍ〜４０ｍｍ程度である。

ベース部材２００の内部には冷媒流路２１０が形成されている。冷媒流路２１０に冷媒（例えば、フッ素系不活性液体や水等）が流されると、ベース部材２００が冷却され、後述する接着層３００を介したベース部材２００とセラミックス板１００との間の伝熱によりセラミックス板１００が冷却され、セラミックス板１００の吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷが冷却される。これにより、ウェハＷの温度制御が実現される。

セラミックス板１００とベース部材２００とは、セラミックス板１００の下面Ｓ２とベース部材２００の上面Ｓ３との間に配置された接着層３００によって互いに接合されている。接着層３００は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着材により構成されている。接着層３００の厚さは、例えば０．１ｍｍ〜１ｍｍ程度である。接着層３００は、特許請求の範囲における第１の接着材に相当する。

次に、チャック電極４００への給電のための構成について説明する。図５は、静電チャック１０の一部分（図２のＸ１部）のＸＺ断面構成を拡大して示す説明図であり、図６は、図５のＶＩ−ＶＩの位置における静電チャック１０の一部分のＸＹ断面構成を拡大して示す説明図であり、図７は、図５のＶＩＩ−ＶＩＩの位置における静電チャック１０の一部分のＸＹ断面構成を拡大して示す説明図である。

図２、図５および図６に示すように、ベース部材２００の内部には、ベース部材２００の上面Ｓ３に開口する端子用貫通孔２２が形成されている。本実施形態では、端子用貫通孔２２は、断面（面方向に平行な断面）が円形であり、ベース部材２００をＺ軸方向に貫通する孔である。

また、図５に示すように、セラミックス板１００の下面Ｓ２には、円形凹部１２が形成されている。円形凹部１２は、静電チャック１０の下面Ｓ２の内、Ｚ軸方向視で端子用貫通孔２２に重なる領域（以下、「第１の領域Ｒ１」という）が、全体的にチャック電極４００側に凹んだものである。上述したように、本実施形態では、端子用貫通孔２２の断面は円形であるため、第１の領域Ｒ１も円形である。従って、円形凹部１２の断面（面方向に平行な断面）も円形である。

また、ベース部材２００に形成された端子用貫通孔２２とセラミックス板１００に形成された円形凹部１２との間の位置において、接着層３００には、接着層３００をＺ軸方向に貫通する貫通孔３２が形成されている。そのため、ベース部材２００に形成された端子用貫通孔２２とセラミックス板１００に形成された円形凹部１２とは、接着層３００に形成された貫通孔３２を介して互いに連通した一体の孔を構成している。

図２および図５に示すように、セラミックス板１００の下面Ｓ２における第１の領域Ｒ１には、ビア４１を介してチャック電極４００に導通する電極パッド４２が配置されている。本実施形態では、Ｚ軸方向視での電極パッド４２の形状は、略円形である。電極パッド４２およびビア４１は、導電性材料（例えば、タングステンやモリブデン等）により形成されている。なお、電極パッド４２は、図５に示すように、厚さ方向（Ｚ軸方向）の全体がセラミックス板１００から露出している。ただし、電極パッド４２の下面がセラミックス板１００から露出している限りにおいて、電極パッド４２における厚さ方向の一部分または全体が、セラミックス板１００に埋設されていてもよい。このような構成であっても、電極パッド４２は、セラミックス板１００の下面Ｓ２に配置されていると言える。

ベース部材２００に形成された端子用貫通孔２２内には、Ｚ軸方向に延びる柱状の電極端子４４が配置されている。本実施形態では、電極端子４４の断面（面方向に平行な断面）は、円形である。電極端子４４の上端は、電極パッド４２まで達しており、電極端子４４は、例えば金属ろう材による接合部４３によって電極パッド４２に接合されている。

ベース部材２００とベース部材２００の端子用貫通孔２２内に配置された電極端子４４との間を絶縁するため、ベース部材２００の端子用貫通孔２２内には絶縁部材６０が配置されている。絶縁部材６０は、電極端子４４と端子用貫通孔２２の表面との間に介在するように、電極端子４４を連続的に取り囲んでいる。絶縁部材６０は、例えば、樹脂やセラミックス等の絶縁材料により構成されている。本実施形態では、絶縁部材６０の熱伝導率は、セラミックス板１００の熱伝導率より低い（すなわち、セラミックス板１００の熱伝導率は、絶縁部材６０の熱伝導率より高い）。なお、絶縁部材６０の周り、具体的には、絶縁部材６０と電極端子４４との間や、絶縁部材６０とセラミックス板１００との間、絶縁部材６０とベース部材２００との間には、接着材７０が配置されている。接着材７０は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着材により構成されており、絶縁部材６０を電極端子４４やセラミックス板１００、ベース部材２００に接合する。

チャック電極４００への給電のための構成は上述の通りである。静電チャック１０の使用時には、チャック電極４００に、電源（図示せず）から、電極端子４４、電極パッド４２およびビア４１を介してチャック電極４００に至る導通経路を介して、電圧が印加される。これにより、ウェハＷを吸着面Ｓ１に吸着固定するための静電引力が発生する。

なお、ヒータ電極５００への給電のための構成も、チャック電極４００への給電のための構成と同様である。すなわち、図２に示すように、ベース部材２００の内部には、ベース部材２００の上面Ｓ３に開口する端子用貫通孔２４が形成されており、セラミックス板１００の下面Ｓ２には、円形凹部１６が形成されており、ベース部材２００に形成された端子用貫通孔２４とセラミックス板１００に形成された円形凹部１６とは、接着層３００に形成された貫通孔３２を介して互いに連通した一体の孔を構成している。また、セラミックス板１００の下面Ｓ２には、ビア５１を介してヒータ電極５００に導通する電極パッド５２が配置されている。ベース部材２００に形成された端子用貫通孔２４内には、柱状の電極端子５４が配置されており、この電極端子５４は電極パッド５２に接合されている。また、ベース部材２００の端子用貫通孔２４内には、電極端子５４と端子用貫通孔２４の表面との間に介在するように電極端子５４を連続的に取り囲む絶縁部材８０が配置されている。静電チャック１０の使用時には、ヒータ電極５００に、電源（図示せず）から、電極端子５４、電極パッド５２およびビア５１を介してヒータ電極５００に至る導通経路を介して、電圧が印加される。これにより、ヒータ電極５００が発熱する。

ここで、図５に示すように、本実施形態の静電チャック１０では、セラミックス板１００の下面Ｓ２における第１の領域Ｒ１に、Ｚ軸方向において電極パッド４２が配置された位置よりチャック電極４００側に凹んだ環状凹部１４が形成されている。なお、この環状凹部１４は、セラミックス板１００の下面Ｓ２における第１の領域Ｒ１が全体的にチャック電極４００側に凹んだ上述の円形凹部１２とは異なり、第１の領域Ｒ１の一部分がチャック電極４００側に凹んだものである。図７に示すように、環状凹部１４は、Ｚ軸方向視で電極パッド４２を取り囲むように連続的に形成されている。なお、本実施形態では、環状凹部１４は、絶縁部材６０の肉厚Ｔ１を２等分する仮想面ＶＳより内側の位置に形成されている。環状凹部１４は、特許請求の範囲における凹部に相当する。

また、図５に示すように、本実施形態の静電チャック１０では、絶縁部材６０の上側の表面に、セラミックス板１００に形成された環状凹部１４に嵌合する絶縁部材側凸部６２が形成されている。図７に示すように、絶縁部材側凸部６２は、Ｚ軸方向視で電極パッド４２を取り囲むように連続的に形成されている。なお、セラミックス板１００に形成された環状凹部１４と絶縁部材６０に形成された絶縁部材側凸部６２との間にも、上述した接着材７０が配置されている。また、上述した絶縁部材６０の肉厚Ｔ１とは、絶縁部材側凸部６２が形成された部分の肉厚ではなく、絶縁部材６０の上端部における絶縁部材側凸部６２を除く部分の肉厚を意味する。

Ａ−２．静電チャック１０の製造方法：
図８は、第１実施形態における静電チャック１０の製造方法を示すフローチャートである。はじめに、セラミックス板１００とベース部材２００とを準備する（Ｓ１１０）。セラミックス板１００およびベース部材２００は、公知の製造方法によって製造可能である。例えば、セラミックス板１００は以下の方法で製造される。すなわち、複数のセラミックスグリーンシート（例えばアルミナグリーンシート）を準備し、各セラミックスグリーンシートに、チャック電極４００やヒータ電極５００、ビア４１、電極パッド４２等を構成するためのメタライズインクの印刷や孔開け加工等を行い、その後、複数のセラミックスグリーンシートを積層して熱圧着し、所定の円板形状にカットした上で焼成し、最後に研磨加工等を行うことにより、セラミックス板１００が製造される。なお、セラミックス板１００の下面Ｓ２における円形凹部１２や環状凹部１４は、焼成前のセラミックスグリーンシートへの孔開け加工によって形成されてもよいし、焼成後の研磨加工によって形成されてもよい。

次に、電極端子４４を電極パッド４２に接合する（Ｓ１２０）。具体的には、セラミックス板１００の下面Ｓ２側に、上述した絶縁部材６０と同様の略円筒形状の治具（図示せず）を設置し、該治具の中空孔内に電極端子４４を挿入することによって電極端子４４を位置決めした状態で、電極端子４４を電極パッド４２に例えばロウ付けによる接合する。このとき使用される治具の上端には凸部が形成されており、治具の設置の際には、該凸部をセラミックス板１００の環状凹部１４に嵌合させることによって治具の位置決めを行う。電極端子４４と電極パッド４２との接合が完了した後、治具を取り外す。

次に、電極端子４４の周囲に絶縁部材６０を設置する（Ｓ１３０）。具体的には、絶縁部材６０の絶縁部材側凸部６２をセラミックス板１００の環状凹部１４に嵌合させることによって絶縁部材６０を位置決めし、接着材７０によって、絶縁部材６０と電極端子４４との間や絶縁部材６０とセラミックス板１００との間を接合する。このように、電極端子４４を電極パッド４２に接合する際に使用される治具の位置決めと、絶縁部材６０を設置する際の絶縁部材６０の位置決めとを、共にセラミックス板１００の環状凹部１４を基準として行うことにより、電極端子４４と絶縁部材６０との相対位置の精度を向上させることができる。

次に、セラミックス板１００とベース部材２００とを接合する（Ｓ１４０）。具体的には、ベース部材２００の端子用貫通孔２２に電極端子４４および絶縁部材６０を挿通させた状態で、セラミックス板１００の下面Ｓ２とベース部材２００の上面Ｓ３とを対向させ、セラミックス板１００とベース部材２００との間を接着層３００によって接合する。また、接着材７０によって、絶縁部材６０とベース部材２００との間を接合する。以上の工程により、上述した構成の静電チャック１０の製造が完了する。

Ａ−３．第１実施形態の効果：
以上説明したように、第１実施形態の静電チャック１０は、Ｚ軸方向に略直交する平面状の吸着面Ｓ１と、吸着面Ｓ１とは反対側の下面Ｓ２と、を有する板状のセラミックス板１００と、上面Ｓ３を有し、上面Ｓ３がセラミックス板１００の下面Ｓ２に対向するように配置され、冷媒流路２１０と上面Ｓ３に開口する端子用貫通孔２２とが内部に形成された金属製のベース部材２００と、セラミックス板１００とベース部材２００との間に配置された接着層３００と、セラミックス板１００の内部に配置されたチャック電極４００と、セラミックス板１００の下面Ｓ２における第１の領域Ｒ１であって、Ｚ軸方向視で端子用貫通孔２２に重なる第１の領域Ｒ１に配置され、チャック電極４００に導通する電極パッド４２と、端子用貫通孔２２内に配置され、電極パッド４２と接合された柱状の電極端子４４と、端子用貫通孔２２内に配置され、電極端子４４と端子用貫通孔２２の表面との間に介在するように電極端子４４を連続的に取り囲む絶縁部材６０と、絶縁部材６０の周りに配置された接着材７０とを備える。また、本実施形態の静電チャック１０では、セラミックス板１００の下面Ｓ２における第１の領域Ｒ１に、Ｚ軸方向において電極パッド４２が配置された位置よりチャック電極４００側に凹んだ環状凹部１４が、Ｚ軸方向視で電極パッド４２を取り囲むように連続的に形成されている。

第１実施形態の静電チャック１０は、上記構成であるため、以下に説明するように、電極パッド４２とベース部材２００との間の短絡の発生を抑制することができる。

図９は、比較例の静電チャック１０Ｘの構成を概略的に示す説明図である。図９には、比較例の静電チャック１０Ｘの構成の内、図５に示す部分（Ｘ１部）と同等の部分の構成が拡大して示されている。図９に示す比較例の静電チャック１０Ｘは、図５に示す第１実施形態の静電チャック１０と比較して、セラミックス板１００の下面Ｓ２の形状と、絶縁部材６０の形状とが異なる。具体的には、比較例の静電チャック１０Ｘでは、セラミックス板１００の下面Ｓ２における第１の領域Ｒ１に凹部は形成されていない。また、比較例の静電チャック１０Ｘでは、絶縁部材６０の上側の表面に凸部は形成されていない。比較例の静電チャック１０Ｘは、このような構成であるため、セラミックス板１００の下面Ｓ２に沿って電極パッド４２が配置された位置からベース部材２００に至るまでの沿面距離ＣＤが短く、電極パッド４２とベース部材２００との間で短絡が発生するおそれがある。

これに対し、図５に示すように、本実施形態の静電チャック１０では、セラミックス板１００の下面Ｓ２における第１の領域Ｒ１に環状凹部１４が形成されているため、図９に示す比較例の静電チャック１０Ｘと比較して、セラミックス板１００の下面Ｓ２に沿って電極パッド４２が配置された位置からベース部材２００に至るまでの沿面距離ＣＤを長くすることができる。従って、本実施形態の静電チャック１０によれば、電極パッド４２とベース部材２００との間の短絡の発生を抑制することができ、静電チャック１０の絶縁破壊の発生を抑制することができる。また、静電チャック１０内部のチャック電極４００に規定電圧が（漏れなく）印加されるため、安定した静電引力を発生させることができ、ウェハＷの安定的な吸着固定が可能となる。なお、セラミックス板１００の下面Ｓ２における第１の領域Ｒ１に環状凹部１４が連続的には形成されておらず、第１の領域Ｒ１に凹部が一部形成された構成では、リーク電流は凹部が形成されていない箇所、すなわち沿面距離が短い箇所を通る。そのため、電極パッド４２とベース部材２００との間の短絡の発生を抑制することができない。本実施形態の静電チャック１０では、セラミックス板１００の下面Ｓ２における第１の領域Ｒ１に、環状凹部１４が電極パッド４２を取り囲むように連続的に形成されているため、電極パッド４２とベース部材２００との間の短絡の発生を効果的に抑制することができる。

さらに、本実施形態の静電チャック１０では、上述したように、セラミックス板１００の環状凹部１４を、電極端子４４を電極パッド４２に接合する際に使用される治具の位置決めと、絶縁部材６０を設置する際の絶縁部材６０の位置決めとの両方の基準として用いることができ、その結果、電極端子４４と絶縁部材６０との相対位置の精度を向上させることができる。

また、本実施形態の静電チャック１０では、絶縁部材６０に、セラミックス板１００に形成された環状凹部１４に嵌合する絶縁部材側凸部６２が形成されている。そのため、本実施形態の静電チャック１０によれば、セラミックス板１００の環状凹部１４内が空間である構成と比較して、電極パッド４２とベース部材２００との間の絶縁性を向上させることができ、電極パッド４２とベース部材２００との間の短絡の発生をより効果的に抑制することができる。さらに、本実施形態の静電チャック１０によれば、セラミックス板１００の環状凹部１４内が空間である構成と比較して、セラミックス板１００の環状凹部１４周りにおけるセラミックス板１００からベース部材２００への熱移動が促進されるため、セラミックス板１００の環状凹部１４の存在に起因する吸着面Ｓ１の均熱性の低下を抑制することができる。

なお、環状凹部１４のＺ軸方向の高さは、高ければ高いほど、セラミックス板１００の下面Ｓ２に沿って電極パッド４２が配置された位置からベース部材２００に至るまでの沿面距離ＣＤを長くすることができる。しかしながら、本実施形態の静電チャック１０では、セラミックス板１００の熱伝導率は絶縁部材６０の熱伝導率より高いため、セラミックス板１００に環状凹部１４が形成され、絶縁部材６０に絶縁部材側凸部６２が形成されると、環状凹部１４および絶縁部材側凸部６２が形成されていない構成と比較して、熱伝導率の高いセラミックス板１００の体積が減少し、その分、セラミックス板１００より熱伝導率の低い絶縁部材６０の体積が増加し、その結果、セラミックス板１００からベース部材２００への熱移動量が低下する。本実施形態の静電チャック１０では、環状凹部１４（およびそれに嵌合する絶縁部材側凸部６２）の位置が、絶縁部材６０の肉厚Ｔ１を２等分する仮想面ＶＳより内側の位置であるため、環状凹部１４（およびそれに嵌合する絶縁部材側凸部６２）が仮想面ＶＳより外側に位置する構成と比較して、環状凹部１４が形成されることによるセラミックス板１００の体積減少の程度（絶縁部材側凸部６２が形成されることによる絶縁部材６０の体積増加の程度）を小さくすることができ、セラミックス板１００からベース部材２００への熱移動量の低下を抑制して吸着面Ｓ１の均熱性の低下をより効果的に抑制することができる。

Ｂ．第２実施形態：
図１０および図１１は、第２実施形態の静電チャック１０ａの構成を概略的に示す説明図である。図１０には、第２実施形態の静電チャック１０ａの構成の内、図５に示す部分（Ｘ１部）と同等の部分の構成が拡大して示されている。また、図１１には、図１０のＸＩ−ＸＩの位置における静電チャック１０ａの一部分のＸＹ断面構成が拡大して示されている。以下では、第２実施形態の静電チャック１０ａの構成の内、上述した第１実施形態の静電チャック１０の構成（図５および図７等参照）と同一の構成については、同一の符号を付すことによってその説明を適宜省略する。

図１０および図１１に示すように、第２実施形態の静電チャック１０ａは、セラミックス板１００の下面Ｓ２の形状と、絶縁部材６０の形状とが、上述した第１実施形態の静電チャック１０の構成と異なる。具体的には、第２実施形態の静電チャック１０ａでは、セラミックス板１００の下面Ｓ２における第１の領域Ｒ１に、２つの環状凹部１４が形成されている。２つの環状凹部１４は、共に、Ｚ軸方向において電極パッド４２が配置された位置よりチャック電極４００側に凹んだ凹部であり、Ｚ軸方向視で電極パッド４２を取り囲むように連続的に形成されている。なお、本実施形態では、２つの環状凹部１４の内の一方は、絶縁部材６０の肉厚Ｔ１を２等分する仮想面ＶＳより内側の位置に形成されており、２つの環状凹部１４の内の他方は、仮想面ＶＳより外側の位置に形成されている。

また、第２実施形態の静電チャック１０ａでは、絶縁部材６０の上側の表面に、セラミックス板１００に形成された２つの環状凹部１４に嵌合する２つの絶縁部材側凸部６２が形成されている。２つの絶縁部材側凸部６２は、共に、Ｚ軸方向視で電極パッド４２を取り囲むように連続的に形成されている。

このように、第２実施形態の静電チャック１０ａでは、セラミックス板１００の下面Ｓ２における第１の領域Ｒ１に２つの環状凹部１４が形成されているため、上述した第１実施形態の静電チャック１０と比較して、セラミックス板１００の下面Ｓ２に沿って電極パッド４２が配置された位置からベース部材２００に至るまでの沿面距離ＣＤを大幅に長くすることができる。従って、第２実施形態の静電チャック１０ａによれば、電極パッド４２とベース部材２００との間の短絡の発生を極めて効果的に抑制することができる。

なお、第２実施形態の静電チャック１０ａでは、上述した第１実施形態と同様に、セラミックス板１００の２つの環状凹部１４を、電極端子４４を電極パッド４２に接合する際に使用される治具の位置決めと、絶縁部材６０を設置する際の絶縁部材６０の位置決めとの両方の基準として用いることができ、その結果、電極端子４４と絶縁部材６０との相対位置の精度を向上させることができる。

また、第２実施形態の静電チャック１０ａでは、絶縁部材６０に、セラミックス板１００に形成された２つの環状凹部１４に嵌合する２つの絶縁部材側凸部６２が形成されている。そのため、第２実施形態の静電チャック１０ａによれば、セラミックス板１００の２つの環状凹部１４内が空間である構成と比較して、電極パッド４２とベース部材２００との間の絶縁性を向上させることができ、電極パッド４２とベース部材２００との間の短絡の発生をより効果的に抑制することができる。さらに、第２実施形態の静電チャック１０ａによれば、セラミックス板１００の２つの環状凹部１４内が空間である構成と比較して、セラミックス板１００の環状凹部１４周りにおけるセラミックス板１００からベース部材２００への熱移動が促進されるため、セラミックス板１００の２つの環状凹部１４の存在に起因する吸着面Ｓ１の均熱性の低下を抑制することができる。

Ｃ．第３実施形態：
図１２および図１３は、第３実施形態の静電チャック１０ｂの構成を概略的に示す説明図である。図１２には、第３実施形態の静電チャック１０ｂの構成の内、図５に示す部分（Ｘ１部）と同等の部分の構成が拡大して示されている。また、図１３には、図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩの位置における静電チャック１０ｂの一部分のＸＹ断面構成が拡大して示されている。以下では、第３実施形態の静電チャック１０ｂの構成の内、上述した第１実施形態の静電チャック１０の構成（図５および図７等参照）と同一の構成については、同一の符号を付すことによってその説明を適宜省略する。

図１２および図１３に示すように、第３実施形態の静電チャック１０ｂは、セラミックス板１００の下面Ｓ２の形状と、絶縁部材６０の形状とが、上述した第１実施形態の静電チャック１０の構成と異なる。具体的には、第３実施形態の静電チャック１０ｂでは、セラミックス板１００の下面Ｓ２における第１の領域Ｒ１に、環状凹部１４ではなく、環状凸部１８が形成されている。環状凸部１８は、Ｚ軸方向において電極パッド４２が配置された位置よりチャック電極４００から離れる側に突出した凸部である。環状凸部１８は、Ｚ軸方向視で電極パッド４２を取り囲むように連続的に形成されている。なお、本実施形態では、環状凸部１８は、絶縁部材６０の肉厚Ｔ１を２等分する仮想面ＶＳより外側の位置に形成されている。

また、第３実施形態の静電チャック１０ｂでは、絶縁部材６０の上側の表面に、セラミックス板１００に形成された環状凸部１８に嵌合する絶縁部材側凹部６４が形成されている。絶縁部材側凹部６４は、Ｚ軸方向視で電極パッド４２を取り囲むように連続的に形成されている。

このように、第３実施形態の静電チャック１０ｂでは、セラミックス板１００の下面Ｓ２における第１の領域Ｒ１に環状凸部１８が形成されているため、図９に示す比較例の静電チャック１０Ｘと比較して、セラミックス板１００の下面Ｓ２に沿って電極パッド４２が配置された位置からベース部材２００に至るまでの沿面距離ＣＤを長くすることができる。従って、第３実施形態の静電チャック１０ｂによれば、電極パッド４２とベース部材２００との間の短絡の発生を抑制することができる。

なお、第３実施形態の静電チャック１０ｂでは、上述した第１実施形態と同様に、セラミックス板１００の環状凸部１８を、電極端子４４を電極パッド４２に接合する際に使用される治具の位置決めと、絶縁部材６０を設置する際の絶縁部材６０の位置決めとの両方の基準として用いることができ、その結果、電極端子４４と絶縁部材６０との相対位置の精度を向上させることができる。

また、第３実施形態の静電チャック１０ｂでは、絶縁部材６０に、セラミックス板１００に形成された環状凸部１８に嵌合する絶縁部材側凹部６４が形成されている。そのため、第３実施形態の静電チャック１０ｂによれば、セラミックス板１００の環状凸部１８の周りに空間が存在する構成と比較して、電極パッド４２とベース部材２００との間の絶縁性を向上させることができ、電極パッド４２とベース部材２００との間の短絡の発生をより効果的に抑制することができる。さらに、第３実施形態の静電チャック１０ｂによれば、セラミックス板１００の環状凸部１８の周りに空間が存在する構成と比較して、セラミックス板１００の環状凸部１８周りにおけるセラミックス板１００からベース部材２００への熱移動が促進されるため、セラミックス板１００の環状凸部１８の存在に起因する吸着面Ｓ１の均熱性の低下を抑制することができる。

また、第３実施形態の静電チャック１０ｂでは、セラミックス板１００の熱伝導率は、絶縁部材６０の熱伝導率より高いため、セラミックス板１００に環状凸部１８が形成され、絶縁部材６０に絶縁部材側凹部６４が形成されると、環状凸部１８および絶縁部材側凹部６４が形成されていない構成と比較して、熱伝導率の高いセラミックス板１００の体積が増加し、その分、セラミックス板１００より熱伝導率の低い絶縁部材６０の体積が減少し、その結果、セラミックス板１００からベース部材２００への熱移動量が増加する。第３実施形態の静電チャック１０ｂでは、環状凸部１８（およびそれに嵌合する絶縁部材側凹部６４）の位置が、絶縁部材６０の肉厚Ｔ１を２等分する仮想面ＶＳより外側の位置であるため、環状凸部１８（およびそれに嵌合する絶縁部材側凹部６４）が仮想面ＶＳより内側に位置する構成と比較して、環状凸部１８が形成されることによるセラミックス板１００の体積増加の程度（絶縁部材側凹部６４が形成されることによる絶縁部材６０の体積減少の程度）を大きくすることができ、セラミックス板１００からベース部材２００への熱移動量を増加させて吸着面Ｓ１の均熱性の低下をより効果的に抑制することができる。

Ｄ．変形例：
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。

上記各実施形態における静電チャック１０の構成は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記第１，２実施形態において、必ずしも絶縁部材６０に絶縁部材側凸部６２が形成されている必要はなく、同様に、上記第３実施形態において、必ずしも絶縁部材６０に絶縁部材側凹部６４が形成されている必要はない。

また、上記第２実施形態では、セラミックス板１００の下面Ｓ２に２つの環状凹部１４が形成されているが、セラミックス板１００の下面Ｓ２に３つ以上の環状凹部１４が形成されていてもよい。また、上記第３実施形態では、セラミックス板１００の下面Ｓ２に１つの環状凸部１８が形成されているが、セラミックス板１００の下面Ｓ２に２つ以上の環状凸部１８が形成されていてもよい。

また、上記各実施形態では、セラミックス板１００の熱伝導率が絶縁部材６０の熱伝導率より高いとしているが、セラミックス板１００の熱伝導率が絶縁部材６０の熱伝導率と等しいとしてもよい。また、セラミックス板１００の熱伝導率が絶縁部材６０の熱伝導率より低いとしてもよい。

また、上記各実施形態において、仮想面ＶＳに対する環状凹部１４や環状凸部１８の位置は、任意に変更可能である。なお、セラミックス板１００の熱伝導率が絶縁部材６０の熱伝導率より低い場合には、上記第１実施形態とは反対に、環状凹部１４（およびそれに嵌合する絶縁部材側凸部６２）が絶縁部材６０の肉厚Ｔ１を２等分する仮想面ＶＳより外側に形成されることが好ましい。セラミックス板１００に環状凹部１４が形成され、絶縁部材６０に絶縁部材側凸部６２が形成されると、環状凹部１４および絶縁部材側凸部６２が形成されていない構成と比較して、熱伝導率の低いセラミックス板１００の体積が減少し、その分、セラミックス板１００より熱伝導率の高い絶縁部材６０の体積が増加し、その結果、セラミックス板１００からベース部材２００への熱移動量が増加する。環状凹部１４（およびそれに嵌合する絶縁部材側凸部６２）の位置を、絶縁部材６０の肉厚Ｔ１を２等分する仮想面ＶＳより外側の位置とすることにより、環状凹部１４（およびそれに嵌合する絶縁部材側凸部６２）が仮想面ＶＳより内側に位置する構成と比較して、環状凹部１４が形成されることによるセラミックス板１００の体積減少の程度（絶縁部材側凸部６２が形成されることによる絶縁部材６０の体積増加の程度）を大きくすることができ、セラミックス板１００からベース部材２００への熱移動量を増加させて吸着面Ｓ１の均熱性の低下をより効果的に抑制することができる。

また、セラミックス板１００の熱伝導率が絶縁部材６０の熱伝導率より低い場合には、上記第３実施形態とは反対に、環状凸部１８（およびそれに嵌合する絶縁部材側凹部６４）が絶縁部材６０の肉厚Ｔ１を２等分する仮想面ＶＳより内側に形成されることが好ましい。セラミックス板１００に環状凸部１８が形成され、絶縁部材６０に絶縁部材側凹部６４が形成されると、環状凸部１８および絶縁部材側凹部６４が形成されていない構成と比較して、熱伝導率の低いセラミックス板１００の体積が増加し、その分、セラミックス板１００より熱伝導率の高い絶縁部材６０の体積が減少し、その結果、セラミックス板１００からベース部材２００への熱移動量が低下する。環状凸部１８（およびそれに嵌合する絶縁部材側凹部６４）の位置を、絶縁部材６０の肉厚Ｔ１を２等分する仮想面ＶＳより内側の位置とすることにより、環状凸部１８（およびそれに嵌合する絶縁部材側凹部６４）が仮想面ＶＳより外側に位置する構成と比較して、環状凸部１８が形成されることによるセラミックス板１００の体積増加の程度（絶縁部材側凹部６４が形成されることによる絶縁部材６０の体積減少の程度）を小さくすることができ、セラミックス板１００からベース部材２００への熱移動量の低下を抑制して吸着面Ｓ１の均熱性の低下をより効果的に抑制することができる。

また、上記各実施形態では、セラミックス板１００の下面Ｓ２に環状凹部１４と環状凸部１８とのいずれか一方が形成されているが、セラミックス板１００の下面Ｓ２に環状凹部１４と環状凸部１８との両方が形成されていてもよい。同様に、上記各実施形態では、絶縁部材６０に絶縁部材側凸部６２と絶縁部材側凹部６４とのいずれか一方が形成されているが、絶縁部材６０に絶縁部材側凸部６２と絶縁部材側凹部６４との両方が形成されていてもよい。

また、上記各実施形態では、セラミックス板１００の下面Ｓ２に円形凹部１２が形成されているが、必ずしもセラミックス板１００の下面Ｓ２に円形凹部１２が形成されている必要はない。なお、セラミックス板１００の下面Ｓ２に円形凹部１２が形成されていると、セラミックス板１００の下面Ｓ２に沿って電極パッド４２が配置された位置からベース部材２００に至るまでの沿面距離ＣＤを長くすることができるため好ましい。

また、上記各実施形態では、静電チャック１０がヒータ電極５００を備えているが、静電チャック１０がヒータ電極５００を備えなくてもよい。 また、上記各実施形態では、冷媒流路２１０がベース部材２００の内部に形成されるとしているが、冷媒流路２１０が、ベース部材２００の内部ではなく、ベース部材２００の表面（例えばベース部材２００と接着層３００との間）に形成されるとしてもよい。

また、上記各実施形態では、セラミックス板１００の内部に１つのチャック電極４００が設けられた単極方式が採用されているが、セラミックス板１００の内部に一対のチャック電極４００が設けられた双極方式が採用されてもよい。また、上記各実施形態の静電チャック１０における各部材を形成する材料は、あくまで例示であり、各部材が他の材料により形成されてもよい。

また、上記各実施形態における静電チャック１０の製造方法はあくまで一例であり、種々変形可能である。

また、本発明は、チャック電極４００への給電のための構成に限らず、セラミックス板１００の内部に配置された他の内部電極（例えば、ヒータ電極５００）への給電のための構成にも同様に適用可能である。例えば、ヒータ電極５００に導通する電極パッド５２が、セラミックス板１００の下面Ｓ２におけるＺ軸方向視で端子用貫通孔２４に重なる第１の領域に配置され、電極パッド５２と接合された柱状の電極端子５４と、電極端子５４と端子用貫通孔２４の表面との間に介在するように電極端子５４を連続的に取り囲む絶縁部材８０と、が端子用貫通孔２４内に配置され、絶縁部材８０の周りに接着材が配置された構成の静電チャックにおいて、セラミックス板１００の下面Ｓ２における第１の領域に、Ｚ軸方向において電極パッド５２が配置された位置よりヒータ電極５００側に凹んだ凹部と、Ｚ軸方向において電極パッド５２が配置された位置よりヒータ電極５００から離れる側に突出した凸部と、の少なくとも一方が、Ｚ軸方向視で電極パッド５２を取り囲むように連続的に形成されているとしてもよい。このようにすれば、電極パッド５２とベース部材２００との間の短絡の発生を抑制することができる。

１０：静電チャック １２：円形凹部 １４：環状凹部 １６：円形凹部 １８：環状凸部 ２２：端子用貫通孔 ２４：端子用貫通孔 ３２：貫通孔 ４１：ビア ４２：電極パッド ４３：接合部 ４４：電極端子 ５１：ビア ５２：電極パッド ５４：電極端子 ６０：絶縁部材 ６２：絶縁部材側凸部 ６４：絶縁部材側凹部 ７０：接着材 ８０：絶縁部材 １００：セラミックス板 ２００：ベース部材 ２１０：冷媒流路 ３００：接着層 ４００：チャック電極 ５００：ヒータ電極

Claims (7)

1. 第１の方向に略直交する平面状の第１の表面と、前記第１の表面とは反対側の第２の表面と、を有する板状のセラミックス板と、
   第３の表面を有し、前記第３の表面が前記セラミックス板の前記第２の表面に対向するように配置され、冷媒流路と前記第３の表面に開口する端子用貫通孔とが内部に形成された金属製のベース部材と、
   前記セラミックス板と前記ベース部材との間に配置された第１の接着材と、
   前記セラミックス板の内部に配置された内部電極と、
   前記セラミックス板の前記第２の表面における第１の領域であって、前記第１の方向視で前記端子用貫通孔に重なる前記第１の領域に配置され、前記内部電極に導通する電極パッドと、
   前記端子用貫通孔内に配置され、前記電極パッドと接合された柱状の電極端子と、
   前記端子用貫通孔内に配置され、前記電極端子と前記端子用貫通孔の表面との間に介在するように前記電極端子を連続的に取り囲む絶縁部材と、
   前記絶縁部材の周りに配置された第２の接着材と、
   を備え、前記セラミックス板の前記第１の表面上に対象物を保持する静電チャックにおいて、
   前記セラミックス板の前記第２の表面における前記第１の領域には、前記第１の方向において前記電極パッドが配置された位置より前記内部電極側に凹んだ凹部と、前記第１の方向において前記電極パッドが配置された位置より前記内部電極から離れる側に突出した凸部と、の少なくとも一方が、前記第１の方向視で前記電極パッドを取り囲むように連続的に形成されていることを特徴とする、静電チャック。
2. 請求項１に記載の静電チャックであって、
   前記絶縁部材には、前記凹部に嵌合する絶縁部材側凸部と、前記凸部に嵌合する絶縁部材側凹部と、の少なくとも一方が形成されていることを特徴とする、静電チャック。
3. 請求項１または請求項２に記載の静電チャックであって、
   前記セラミックス板の前記第２の表面における前記第１の領域には、前記凹部と前記凸部との少なくとも一方が、２つ以上形成されていることを特徴とする、静電チャック。
4. 請求項２に記載の静電チャックであって、
   前記セラミックス板の熱伝導率は、前記絶縁部材の熱伝導率以上であり、
   前記セラミックス板の前記第２の表面における前記第１の領域には、前記凹部が、前記絶縁部材の肉厚を２等分する仮想面より内側の位置に形成されており、
   前記絶縁部材には、前記凹部に嵌合する前記絶縁部材側凸部が形成されていることを特徴とする、静電チャック。
5. 請求項２に記載の静電チャックであって、
   前記セラミックス板の熱伝導率は、前記絶縁部材の熱伝導率以上であり、
   前記セラミックス板の前記第２の表面における前記第１の領域には、前記凸部が、前記絶縁部材の肉厚を２等分する仮想面より外側の位置に形成されており、
   前記絶縁部材には、前記凸部に嵌合する前記絶縁部材側凹部が形成されていることを特徴とする、静電チャック。
6. 請求項２に記載の静電チャックであって、
   前記セラミックス板の熱伝導率は、前記絶縁部材の熱伝導率より低く、
   前記セラミックス板の前記第２の表面における前記第１の領域には、前記凹部が、前記絶縁部材の肉厚を２等分する仮想面より外側の位置に形成されており、
   前記絶縁部材には、前記凹部に嵌合する前記絶縁部材側凸部が形成されていることを特徴とする、静電チャック。
7. 請求項２に記載の静電チャックであって、
   前記セラミックス板の熱伝導率は、前記絶縁部材の熱伝導率より低く、
   前記セラミックス板の前記第２の表面における前記第１の領域には、前記凸部が、前記絶縁部材の肉厚を２等分する仮想面より内側の位置に形成されており、
   前記絶縁部材には、前記凸部に嵌合する前記絶縁部材側凹部が形成されていることを特徴とする、静電チャック。

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