WO2024058183A1 - 吸着基板 - Google Patents

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WO2024058183A1
WO2024058183A1 PCT/JP2023/033252 JP2023033252W WO2024058183A1 WO 2024058183 A1 WO2024058183 A1 WO 2024058183A1 JP 2023033252 W JP2023033252 W JP 2023033252W WO 2024058183 A1 WO2024058183 A1 WO 2024058183A1
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recess
adsorption
plan
conductive layer
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柾貴 伊東
和彦 藤尾
保典 川邊
Original Assignee
京セラ株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Definitions

  • the disclosed embodiments relate to an adsorption substrate.
  • the electrostatic chuck includes an adsorption substrate.
  • the adsorption substrate includes a base body.
  • the base has insulating properties.
  • the base body is provided with electric power inside.
  • An adsorption substrate includes a base, an adsorption conductive layer, a lead-out portion, and a recess.
  • the substrate has a first surface that holds the object to be processed and a second surface located on the opposite side of the first surface.
  • the base is made of an insulator.
  • the adsorption conductive layer is located inside the base and extends along the first surface.
  • the lead-out portion leads out from the adsorption conductive layer to the second surface side.
  • the recess is located on the second surface.
  • the lead-out portion is exposed on the bottom surface of the recess.
  • the adsorption conductive layer has a penetrating portion through which the insulator penetrates, at least either inside the recess or around the recess in plan view.
  • FIG. 1 is a sectional view showing the configuration of an electrostatic chuck having a suction substrate according to a first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II shown in FIG.
  • FIG. 3 is an enlarged view of the penetrating portion forming region III shown in FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV shown in FIG.
  • FIG. 5 is an enlarged view of the penetrating portion forming region according to the second embodiment.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI shown in FIG.
  • FIG. 7 is an enlarged view of the penetrating portion forming region according to the third embodiment.
  • FIG. 8 is an enlarged view of the penetrating portion forming region according to the fourth embodiment.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line IX-IX shown in FIG.
  • FIG. 10 is an enlarged view of the penetrating portion forming region according to the fifth embodiment.
  • FIG. 11 is a sectional view taken along the line XI-XI shown in FIG.
  • FIG. 12 is an enlarged view of the penetrating portion forming region according to the sixth embodiment.
  • FIG. 13 is a sectional view taken along line XIII-XIII shown in FIG. 12.
  • suction substrates used in electrostatic chucks that hold objects to be processed such as semiconductor wafers have sometimes had delamination at the interface between the base and electrodes of the suction substrate. Therefore, it is expected to provide an adsorption substrate with reduced delamination.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing the configuration of an electrostatic chuck having a suction substrate according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II shown in FIG.
  • FIG. 3 is an enlarged view of the penetrating portion forming region III shown in FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV shown in FIG.
  • the electrostatic chuck 1 includes an adsorption substrate 10, a heat exchanger 20, and a bonding material 30.
  • the electrostatic chuck 1 uses electrostatic force generated on the surface of the suction substrate 10 to suction an object to be processed, such as a semiconductor wafer.
  • the suction substrate 10 may have a substantially disk shape, for example.
  • the suction substrate 10 may have a disk shape, for example, with a diameter of 50 mm to 400 mm and a thickness of 2 mm to 15 mm.
  • the suction substrate 10 may have a first surface 111 and a second surface 112 that face each other in the thickness direction.
  • the first surface 111 may be a holding surface that holds the object to be processed.
  • the second surface 112 may be located on the opposite side of the first surface 111.
  • the second surface 112 may be bonded to the heat exchanger 20 using the bonding material 30.
  • the adsorption substrate 10 has a base body 11 , an adsorption conductive layer 12 , a lead-out portion 13 , a recess 113 , and a penetration portion 114 .
  • the base 11 may have insulation properties.
  • the base 11 may be made of an insulator.
  • the base 11 may be, for example, a ceramic material containing inorganic particles such as aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), or yttria (Y 2 O 3 ) as a main component.
  • the adsorption conductive layer 12 is located inside the base 11.
  • the adsorption conductive layer 12 extends along the first surface 111 in the vicinity of the first surface 111 .
  • the adsorption conductive layer 12 has, for example, a semicircular bipolar structure in which a substantially circular shape is divided into two along a diameter parallel to the Y axis when viewed from above.
  • the adsorption conductive layer 12 can have a semicircular diameter of 30 mm to 398 mm when seen through a plane, for example.
  • the adsorption conductive layer 12 may contain, for example, a noble metal such as platinum (Pt) or palladium (Pd) as a main component.
  • the adsorption conductive layer 12 is not limited to noble metals, and may be made mainly of, for example, tungsten (W) or molybdenum (Mo).
  • the present disclosure exemplifies the case of a bipolar structure having two adsorption conductive layers 12.
  • the number of attracting conductive layers 12 is not limited to two, and may have a monopolar structure having one attracting conductive layer 12.
  • the lead-out portion 13 may be located inside the base body 11.
  • the lead-out portion 13 may be led out from the adsorption conductive layer 12 toward the second surface 112 side.
  • the lead-out portion 13 may be a columnar via that is approximately circular in plan view. Note that the shape of the deriving portion 13 seen through the plane is not limited to a substantially circular shape, but may be an elliptical shape or a polygonal shape.
  • the material of the derivation part 13 may be the same as that of the adsorption conductive layer 12. As a result, the suction substrate 10 can be manufactured even if the material for the lead-out portion 13 is not separately prepared. Note that the material of the lead-out portion 13 may be different from that of the adsorption conductive layer 12 as long as it is a conductive material.
  • the lead-out portion 13 may be made of, for example, a metal material, a carbon material, or the like.
  • the recess 113 may be located on the second surface 112 side.
  • One end of the lead-out portion 13 may be in contact with the adsorption conductive layer 12 .
  • the other end of the lead-out portion 13 may be exposed on the bottom surface 113a of the recess 113 shown in FIG.
  • the other end of the lead-out part 13 may be connected to a power supply terminal 40 drawn out to the outside, and in that case, power is supplied to the adsorption conductive layer 12 from the power supply terminal 40 through the lead-out part 13 .
  • a heater, a high frequency electrode, etc. may be arranged inside the base 11, for example.
  • the heat exchanger 20 may have a function of receiving the heat of the adsorption substrate 10 and radiating the heat to the outside.
  • the heat exchanger 20 may be bonded to the second surface 112 of the adsorption substrate 10 with a bonding material 30 such as silicone.
  • the heat exchanger 20 may have a flow path 21 through which a cooling medium flows.
  • the heat exchanger 20 according to the first embodiment may be made of metal such as aluminum.
  • Heat exchanger 20 may be made of ceramic such as alumina or silicon carbide.
  • the heat exchanger 20 when the heat exchanger 20 is made of metal, the heat exchanger 20 may be used as the RF electrode of the adsorption substrate 10. Further, when the heat exchanger 20 is made of ceramic, a metal layer may be formed on the outer surface of the heat exchanger 20. In this case, such a metal layer may be used as the RF electrode of the electrostatic chuck 1.
  • the recess 113 may be formed by excavating the base 11 from a predetermined position on the second surface 112 of the base 11 to a depth at which the other end of the lead-out portion 13 is exposed.
  • the interface between the adsorbing conductive layer 12 and the base 11 located near the recess 113 is damaged due to vibration or impact when the base 11 is excavated. delamination may occur.
  • the suction substrate 10 is prepared by preparing a plurality of sheet-like molded bodies printed with a conductive paste to serve as a conductive layer and sheet-like molded bodies without printed conductive paste, stacked, degreased, and fired. It may be manufactured by polishing later as needed.
  • it is sufficient to laminate sheet-shaped molded bodies in advance in which the part that will become the recessed part 113 is missing. When such a forming process is used, the molded body becomes dense and shrinks in the firing process, which tends to cause deformation around the recess 113, and there is a risk that delamination will occur around the lead-out part. .
  • the adsorption conductive layer 12 has a through part 114 through which the insulator of the base 11 passes, on at least one of the inside of the recess 113 and the periphery of the recess 113 in plan view.
  • the periphery of the recess 113 may be, for example, a region 100 extending a predetermined distance W1 outward from the outer edge of the recess 113 shown in FIG. 3 .
  • the predetermined distance W1 may be, for example, 5 mm. Further, the predetermined distance W1 may be, for example, 3 mm. Further, the predetermined distance W1 may be, for example, 1 mm.
  • planar perspective does not mean visually viewing a visible image of the suction substrate 10 taken from the first surface 111 side, but for example, It may also mean a case where a line image is visually observed. That is, the planar perspective here may mean a case where the inside of the suction substrate 10 is seen through from the first surface 111 side.
  • the penetrating portion forming region III in which the penetrating portion 114 is provided may be provided at the center of the attraction conductive layer 12, which has a semicircular shape when viewed from above.
  • the penetrating portion forming region III may be provided at a position near the center of gravity of the attracting conductive layer 12, which has a semicircular shape when viewed from above.
  • the suction substrate 10 separates the insulator located on the first surface 111 side from the suction conductive layer 12 and the insulator located on the second surface 112 side from the suction conductive layer 12 in the penetrating portion 114 . It can be firmly attached to the body.
  • the suction conductive layer 10 located in the vicinity of the concave portions 113 may It is possible to prevent delamination from occurring at the interface between the substrate 11 and the substrate 11.
  • the lead-out portion 13 may be located inside the recess 113 in plan view.
  • four lead-out portions 13 each having a substantially circular columnar shape in plan view are provided at equal intervals around the center of the bottom surface 113a of the recess 113 when seen in plan view.
  • the diameter of the lead-out portion 13 in plan view may be, for example, 0.5 to 1.0 mm.
  • the number of deriving units 13 may be three or less, or five or more.
  • the planar perspective shape of the deriving portion 13 is not limited to a substantially circular shape, but may be an elliptical shape or a polygonal shape.
  • the penetrating portion 114 may have a predetermined width W3 in plan view, and may have an arc shape in which a part of the circumference surrounding the derivation portion 13 is opened by a predetermined distance W4.
  • the predetermined width W3 may be, for example, 2.0 mm or more.
  • the predetermined distance W4 may be, for example, 0.5 to 3.0 mm.
  • the inner periphery of the penetrating portion 114 is located inside the recessed portion 113 .
  • the outer periphery of the penetrating portion 114 may be located outside the recess 113.
  • the shortest distance from the lead-out portion 13 to the inner periphery of the penetrating portion 114 may be, for example, 0.5 to 1.0 mm.
  • the lead-out portion 13 located inside the inner periphery of the penetrating portion 114 and the adsorption conductive layer 12 located outside the outer periphery of the penetrating portion 114 are connected to each other with a width of a predetermined distance W4 located at the open portion of the penetrating portion 114. 121.
  • power is supplied from the power supply terminal 40 to the entire adsorption conductive layer 12 via the lead-out portion 13 and the connection portion 121.
  • the insulator of the penetrating portion 114 located inside and around the concave portion 113 in plan view allows the insulator to be located closer to the first surface 111 than the adsorption conductive layer 12. and the insulator located closer to the second surface 112 than the adsorption conductive layer 12 are firmly connected. Thereby, the suction substrate 10 can suppress delamination from occurring at the interface between the suction conductive layer 12 and the base 11.
  • the shape and arrangement of the lead-out part 13 and the penetration part 114 are not limited to the shapes and arrangement of the lead-out part 13 and the penetration part 114 shown in FIGS. 1 to 4, and various modifications are possible. You can.
  • the shape and arrangement of the lead-out portion 13 and the penetration portion 114 according to the second to sixth embodiments will be explained.
  • the penetration part formation region in the adsorption conductive layer 12 may be provided at the same position as the penetration part formation region III shown in FIG.
  • FIG. 5 is an enlarged view of the penetrating portion forming region according to the second embodiment.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI shown in FIG. As shown in FIGS. 5 and 6, the penetrating portion 114 according to the second embodiment may be located inside the recess 113 in plan view.
  • the penetrating portion 114 according to the second embodiment may have a substantially circular shape in plan view.
  • the planar perspective shape of the penetrating portion 114 according to the second embodiment is not limited to a substantially circular shape, but may be an elliptical shape or a polygonal shape.
  • the lead-out portion 13 is located outside the outer periphery of the penetrating portion 114 and inside the recess 113 in plan view.
  • the four lead-out portions 13 may be provided at equal intervals around the center of the bottom surface 113a of the recessed portion 113 in plan view.
  • the four lead-out portions 13 may have a substantially circular columnar shape when viewed from above.
  • the diameter of the lead-out portion 13 according to the second embodiment in plan view may be, for example, 0.5 to 1.0 mm.
  • the number of deriving units 13 may be three or less, or five or more.
  • the planar perspective shape of the deriving portion 13 according to the second embodiment is not limited to a substantially circular shape, but may be an elliptical shape or a polygonal shape.
  • the shortest distance from the penetration part 114 to the lead-out part 13 according to the second embodiment may be, for example, 0.5 to 1.0 mm.
  • the insulator of the penetrating portion 114 located inside the recess 113 in plan view allows the insulator to be located closer to the first surface 111 than the adsorption conductive layer 12; It is firmly connected to the insulator located closer to the second surface 112 than the adsorption conductive layer 12 .
  • the adsorption substrate 10 can be made less likely to cause delamination at the interface between the adsorption conductive layer 12 and the base 11.
  • FIG. 7 is an enlarged view of the penetrating portion forming region according to the third embodiment.
  • a cross-sectional view taken along the line VI-VI shown in FIG. 7 of the through-hole forming region according to the third embodiment is the same as the cross-sectional view shown in FIG. 6, and therefore is not shown here.
  • the penetrating portion 114 according to the third embodiment may have an X-shape in which two line portions 114a having a predetermined width intersect in plan view.
  • the predetermined width may be, for example, 2 mm or more.
  • the intersection portion 114b of the two wire portions 114a is located in the center of the recess 113, and both ends of the two wire portions 114a are located outside the recess 113. good. Both ends of the two wire portions 114a may protrude outward from the outer periphery of the recessed portion 113 by a maximum of 2 mm, for example, in plan view.
  • the lead-out portion 13 according to the third embodiment is located inside the recess 113 in a plan view and in a region surrounded in two directions by the two line portions 114a of the penetrating portion 114.
  • the four lead-out portions 13 may be provided at equal intervals around the center of the bottom surface 113a of the recessed portion 113 in plan view.
  • the four lead-out portions 13 may have a substantially circular columnar shape when viewed from above.
  • the diameter of the lead-out portion 13 according to the third embodiment in plan view may be, for example, 0.5 to 1.0 mm.
  • the number of deriving units 13 according to the third embodiment may be three or less, or may be five or more.
  • the planar perspective shape of the deriving portion 13 is not limited to a substantially circular shape, but may be an elliptical shape or a polygonal shape.
  • the shortest distance from the lead-out portion 13 to the intersection 114b of the two wire portions 114a in the penetration portion 114 according to the third embodiment may be, for example, 0.5 to 1.0 mm.
  • the insulator of the penetrating portion 114 located inside and around the concave portion 113 in plan view allows the insulator to be located closer to the first surface 111 than the adsorption conductive layer 12. and the insulator located closer to the second surface 112 than the adsorption conductive layer 12 are firmly connected.
  • the adsorption substrate 10 can be made less likely to cause delamination at the interface between the adsorption conductive layer 12 and the base 11.
  • FIG. 8 is an enlarged view of the penetrating portion forming region according to the fourth embodiment.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line IX-IX shown in FIG.
  • the penetrating portion 114 according to the fourth embodiment may be located inside the recess 113 in plan view.
  • the distance from the outer periphery of the penetrating portion 114 to the outer periphery of the recess 113 according to the fourth embodiment may be, for example, 0.5 to 2.0 mm.
  • the penetrating portion 114 according to the fourth embodiment may have a substantially circular shape in plan view.
  • the planar perspective shape of the penetrating portion 114 according to the fourth embodiment is not limited to a substantially circular shape, but may be an elliptical shape or a polygonal shape.
  • the derivation unit 13 may include a first portion 131 and a second portion 132.
  • the first portion 131 may have a substantially circular shape when seen in a plan view, with a portion thereof being exposed on the bottom surface 113a of the recess 113 and an outer periphery extending to the outside of the recess 113.
  • the planar perspective shape of the first portion 131 is not limited to a substantially circular shape, but may be an elliptical shape or a polygonal shape.
  • the second portion 132 may be a via.
  • the via is located outside the recess 113 and inside the outer periphery of the first portion 131 in plan view, and has one end connected to the first portion 131 and the other end connected to the adsorption conductive layer 12. May be connected.
  • the diameter of the second portion 132 in plan view may be, for example, 0.5 to 1.0 mm.
  • the distance from the second portion 132 to the outer periphery of the recess 113 may be, for example, 0.5 to 1.0 mm.
  • the distance from the second portion 132 to the outer periphery of the first portion 131 may be, for example, 0.5 to 1.0 mm.
  • the insulator of the penetrating portion 114 located inside the recess 113 in plan view allows the insulator to be located closer to the first surface 111 than the adsorption conductive layer 12; It is firmly connected to the insulator located closer to the second surface 112 than the adsorption conductive layer 12 .
  • the adsorption substrate 10 can be made less likely to cause delamination at the interface between the adsorption conductive layer 12 and the base 11.
  • FIG. 10 is an enlarged view of the penetrating portion forming region according to the fifth embodiment.
  • FIG. 11 is a sectional view taken along the line XI-XI shown in FIG.
  • the lead-out portion 13 according to the fifth embodiment may be located inside the recess 113 in plan view.
  • the four lead-out portions 13 may be provided at equal intervals around the center of the bottom surface 113a of the recessed portion 113 in plan view.
  • the four lead-out portions 13 may have a substantially circular columnar shape when viewed from above.
  • the diameter of the lead-out portion 13 according to the fifth embodiment in plan view may be, for example, 0.5 to 1.0 mm.
  • the number of deriving units 13 according to the fifth embodiment may be three or less, or five or more.
  • the planar perspective shape of the deriving portion 13 according to the fifth embodiment is not limited to a substantially circular shape, but may be an elliptical shape or a polygonal shape.
  • the penetrating portion 114 according to the fifth embodiment is located outside the recess 113 in plan view.
  • a plurality of penetration parts 114 according to the fifth embodiment may be arranged so as to surround the four lead-out parts 13.
  • the six penetrating portions 114 may be arranged around the center of the bottom surface 113a of the recessed portion 113 so as to surround the four lead-out portions 13 in plan view.
  • the six penetrating portions 114 may have a substantially circular shape when viewed from above.
  • the planar perspective shape of the penetrating portion 114 according to the fifth embodiment is not limited to a substantially circular shape, but may be an elliptical shape or a polygonal shape.
  • the number of penetration parts 114 according to the fifth embodiment may be five or less, or may be seven or more.
  • the diameter of the penetrating portion 114 according to the fifth embodiment in plan view may be, for example, 2.0 to 4.0 mm.
  • the distance from the recess 113 to the penetrating portion 114 according to the fifth embodiment may be, for example, 0 to 2.0 mm.
  • the insulator of the penetrating portion 114 located around the concave portion 113 in plan view allows the insulator to be located closer to the first surface 111 than the adsorption conductive layer 12; It is firmly connected to the insulator located closer to the second surface 112 than the adsorption conductive layer 12 .
  • the adsorption substrate 10 can be made less likely to cause delamination at the interface between the adsorption conductive layer 12 and the base 11.
  • FIG. 12 is an enlarged view of the penetrating portion forming region according to the sixth embodiment.
  • FIG. 13 is a sectional view taken along line XIII-XIII shown in FIG. 12.
  • the lead-out portion 13 according to the sixth embodiment is located inside the recess 113 in plan view.
  • the four lead-out portions 13 may be provided at equal intervals around the center of the bottom surface 113a of the recessed portion 113 in plan view.
  • the four lead-out portions 13 may have a substantially circular columnar shape when viewed from above.
  • the diameter of the lead-out portion 13 according to the sixth embodiment in plan view may be, for example, 0.5 to 1.0 mm.
  • the number of deriving units 13 according to the sixth embodiment may be three or less, or may be five or more.
  • the planar perspective shape of the deriving portion 13 according to the sixth embodiment is not limited to a substantially circular shape, but may be an elliptical shape or a polygonal shape.
  • the penetrating portion 114 according to the sixth embodiment has a predetermined width when seen in plan view, and has an arc shape in which a part of the circumference surrounding the derivation portion 13 is opened by a predetermined distance. Good too.
  • the predetermined width may be, for example, 2.0 mm or more.
  • the predetermined distance may be, for example, 0.5 to 3.0 mm.
  • the inner periphery of the penetrating portion 114 according to the sixth embodiment is located outside the recess 113. In plan view, the distance from the inner periphery of the penetrating portion 114 to the outer periphery of the recess 113 according to the sixth embodiment may be 0 to 2.0 mm.
  • the insulator of the penetrating portion 114 located around the recess 113 in plan view allows the insulator to be located closer to the first surface 111 than the adsorption conductive layer 12; It is firmly connected to the insulator located closer to the second surface 112 than the adsorption conductive layer 12 .
  • the adsorption substrate 10 can be made less likely to cause delamination at the interface between the adsorption conductive layer 12 and the base 11.
  • Electrostatic chuck 10 Adsorption substrate 11 Base 111 First surface 112 Second surface 113 Recess 113a Bottom surface of recess 114 Penetrating portion 114a Line portion 114b Intersection 12 Adsorption conductive layer 121 Connection portion 13 Output portion 20 Heat exchanger 21 Flow path 30 Bonding material 40 Power supply terminal 131 First part 132 Second part

Abstract

本開示による吸着基板は、基体と、吸着導電層と、導出部と、凹部とを有する。基体は、被処理体を保持する第１面および該第１面の反対側に位置する第２面を有する。基体は絶縁体からなる。吸着導電層は、基体の内部に位置し、第１面に沿って広がる。導出部は、吸着導電層から第２面側へ導出する。凹部は、第２面に位置する。導出部は、凹部の底面に露出している。吸着導電層は、平面透視における凹部の内側および凹部の周囲の少なくともいずれか一方に、絶縁体が貫通する貫通部を有する。

Description

吸着基板
　開示の実施形態は、吸着基板に関する。
　半導体ウェハなどの被処理体を保持する静電チャックが知られている。静電チャックは、吸着基板を備える。吸着基板は、基体を備える。基体は、絶縁性を有する。基体は、内部に電力が設けられる。
特開２０１５－１６２４８１号公報 特開２０２０－２５１０１号公報
　実施形態の一態様に係る吸着基板は、基体と、吸着導電層と、導出部と、凹部とを有する。基体は、被処理体を保持する第１面および該第１面の反対側に位置する第２面を有する。基体は絶縁体からなる。吸着導電層は、前記基体の内部に位置し、前記第１面に沿って広がる。導出部は、前記吸着導電層から前記第２面側へ導出する。凹部は、前記第２面に位置する。前記導出部は、前記凹部の底面に露出している。前記吸着導電層は、平面透視における前記凹部の内側および前記凹部の周囲の少なくともいずれか一方に、前記絶縁体が貫通する貫通部を有する。
図１は、第１の実施形態に係る吸着基板を有する静電チャックの構成を示す断面図である。 図２は、図１に示すII－II線に沿った断面図である。 図３は、図２に示す貫通部形成領域ＩＩＩの拡大図である。 図４は、図３に示すＩＶ－ＩＶ線に沿った断面図である。 図５は、第２の実施形態に係る貫通部形成領域の拡大図である。 図６は、図５に示すＶＩ－ＶＩ線に沿った断面図である。 図７は、第３の実施形態に係る貫通部形成領域の拡大図である。 図８は、第４の実施形態に係る貫通部形成領域の拡大図である。 図９は、図８に示すＩＸ－ＩＸ線に沿った断面図である。 図１０は、第５の実施形態に係る貫通部形成領域の拡大図である。 図１１は、図１０に示すＸＩ－ＸＩ線に沿った断面図である。 図１２は、第６の実施形態に係る貫通部形成領域の拡大図である。 図１３は、図１２に示すＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿った断面図である。
　以下、添付図面を参照して、本願の開示する吸着基板の実施形態について説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの開示が限定されるものではない。
　従来、半導体ウェハなどの被処理体を保持する静電チャックに使用される吸着基板は、吸着基板が有する基体と電極との界面にデラミネーションが存在する場合があった。そこで、デラミネーションが低減された吸着基板の提供が期待されている。
　図１は、第１の実施形態に係る吸着基板を有する静電チャックの構成を示す断面図である。図２は、図１に示すII－II線に沿った断面図である。図３は、図２に示す貫通部形成領域ＩＩＩの拡大図である。図４は、図３に示すＩＶ－ＩＶ線に沿った断面図である。
　静電チャック１は、吸着基板１０と、熱交換器２０と、接合材３０とを備えている。静電チャック１は、吸着基板１０の表面に生じる静電力を利用して例えば半導体ウェハなどの被処理体を吸着する。
　吸着基板１０は、例えば、略円板状を有していてもよい。吸着基板１０は、例えば、直径が５０ｍｍ～４００ｍｍ、厚みが２ｍｍ～１５ｍｍの円板状であってもよい。吸着基板１０は、厚み方向に向かい合う第１面１１１と第２面１１２とを有していてもよい。第１面１１１は、被処理体を保持する保持面であってもよい。第２面１１２は、第１面１１１の反対側に位置していてもよい。第２面１１２は、接合材３０を用いて熱交換器２０に接合されていてもよい。
　吸着基板１０は、基体１１と、吸着導電層１２と、導出部１３と、凹部１１３と、貫通部１１４を有する。基体１１は、絶縁性を有していてもよい。基体１１は絶縁体からなっていてもよい。基体１１は、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、イットリア（Ｙ２Ｏ３）などの無機粒子を主成分として含有するセラミックスであってもよい。
　吸着導電層１２は、基体１１の内部に位置している。吸着導電層１２は、第１面１１１の近傍において、かかる第１面１１１に沿って延びている。また、図２に示すように、吸着導電層１２は、例えば、平面透視で略円形状がＹ軸に平行な直径に沿って２分割された半円形状をした双極構造である。吸着導電層１２は、例えば、平面透視した半円形状の直径を３０ｍｍ～３９８ｍｍとすることができる。吸着導電層１２は、例えば、白金（Ｐｔ）やパラジウム（Ｐｄ）などの貴金属を主成分として含んでいてもよい。吸着導電層１２は、貴金属に限らず、例えば、タングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）を主成分とするものであってもよい。
　なお、本開示では、２つの吸着導電層１２を有する双極構造である場合について例示している。吸着導電層１２は、２つに限られず、１つの吸着導電層１２を有する単極構造であってもよい。
　導出部１３は、基体１１の内部に位置していてもよい。導出部１３は、吸着導電層１２から第２面１１２側へ導出していてもよい。導出部１３は、平面透視で略円形状をした柱状のビアであってもよい。なお、平面透視した導出部１３の形状は、略円形状に限られず、楕円形状または多角形状であってもよい。
　導出部１３の材料は、吸着導電層１２と同じであってもよい。これにより、導出部１３の材料が別途用意されなくても、吸着基板１０は、作製される。なお、導出部１３の材料は、導電性を有する材料であれば、吸着導電層１２とは異なってもよい。導出部１３は、例えば、金属材料、炭素材料などを材料としてもよい。
　凹部１１３は、第２面１１２側に位置していてもよい。導出部１３は、一端が吸着導電層１２に当接していてもよい。導出部１３は、他端が図４に示される凹部１１３の底面１１３ａに露出していてもよい。導出部１３の他端は、外部に引き出された給電端子４０に接続されてもよく、その場合には吸着導電層１２には、給電端子４０から導出部１３を介して給電される。また、基体１１の内部には、例えば、ヒータや高周波電極などが配置されていてもよい。
　熱交換器２０は、吸着基板１０が有する熱を受け取り、外部に放熱する機能を有していてもよい。熱交換器２０は、シリコーンなどの接合材３０によって吸着基板１０の第２面１１２に接合されていてもよい。熱交換器２０は、冷却媒体を流す流路２１を有してもよい。第１の実施形態に係る熱交換器２０は、アルミニウムなどの金属製であってもよい。熱交換器２０は、アルミナや炭化珪素などのセラミック製であってもよい。
　なお、熱交換器２０が金属で構成される場合、かかる熱交換器２０は、吸着基板１０のＲＦ電極として用いられてもよい。また、熱交換器２０がセラミックで構成される場合、熱交換器２０は、外表面に金属層が形成されてもよい。この場合、かかる金属層は、静電チャック１のＲＦ電極として用いられてもよい。
　上記のように、吸着基板１０の導出部１３は、一端が吸着導電層１２に当接していてもよい。導出部１３は、他端が図４に示される凹部１１３の底面１１３ａに露出していいてもよい。ここで、凹部１１３の形成工程では、基体１１の第２面１１２における所定位置から、導出部１３の他端が露出する深さまで、基体１１を掘削することによって、凹部１１３を形成してもよい。
　このような形成工程を用いた場合には、凹部１１３の形成工程では、基体１１が掘削される際の振動や衝撃などによって、凹部１１３の近傍に位置する吸着導電層１２と基体１１との界面にデラミネーションが発生する恐れがある。
　また、吸着基板１０は、導電層となる導体ペーストを印刷したシート状の成形体と、導体ペーストが印刷されていないシート状の成形体を複数枚準備し、それらを積層し、脱脂、焼成した後に必要に応じて研磨することによって、作製してもよい。なお、凹部１１３のある吸着基板１０を作製する場合には、あらかじめ、凹部１１３となる部分が欠損したシート状の成形体を積層すればよい。このような形成工程を用いた場合には、焼成工程において、成形体が緻密化し、収縮することで、凹部１１３の周囲で変形が生じやすく、導出部の周辺でデラミネーションが発生する恐れがある。
　そこで、第１の実施形態に係る吸着導電層１２は、平面透視における凹部１１３の内側および凹部１１３の周囲の少なくともずれか一方に、基体１１の絶縁体が貫通する貫通部１１４を有していてもよい。凹部１１３の周囲とは、例えば、図３に示す凹部１１３の外縁から外側に所定距離Ｗ１までの領域１００であってもよい。所定距離Ｗ１は、例えば、５ｍｍであってもよい。また、所定距離Ｗ１は、例えば、３ｍｍであってもよい。また、所定距離Ｗ１は、例えば、１ｍｍであってもよい。
　なお、ここでの平面透視とは、吸着基板１０を第１面１１１側から撮像した可視画像を目視した場合を意味するのではなく、例えば、吸着基板１０を第１面１１１側から撮像したＸ線画像を目視した場合を意味していてもよい。つまり、ここでの平面透視とは、吸着基板１０の内部を第１面１１１側から透視した場合を意味していてもよい。
　図２に示すように、貫通部１１４が設けられる貫通部形成領域ＩＩＩは、平面透視で半円形状をした吸着導電層１２の中央の位置に設けられてもよい。貫通部形成領域ＩＩＩは、平面透視で半円形状をした吸着導電層１２の重心近傍の位置に設けられてもよい。
　これにより、吸着基板１０は、吸着導電層１２よりも第１面１１１側に位置する絶縁体と、吸着導電層１２よりも第２面１１２側に位置する絶縁体とを、貫通部１１４の絶縁体によって、強固に繋ぎ止めることができる。
　したがって、吸着基板１０によれば、凹部１１３の形成工程において、基体１１が掘削される際に、基体１１が振動したり衝撃を受けたりしても、凹部１１３の近傍に位置する吸着導電層１２と基体１１との界面にデラミネーションを生じさせにくくできる。
　図３および図４に示すように、導出部１３は、平面透視において、凹部１１３の内側に位置していてもよい。図３および図４に示す例では、平面透視において凹部１１３の底面１１３ａにおける中心の周りに、平面透視略円形状の柱状をした４個の導出部１３が等間隔を空けて設けられる。導出部１３の平面透視における直径は、例えば、０．５～１．０ｍｍであってもよい。なお、導出部１３の個数は、３個以下であってもよく、５個以上であってもよい。また、導出部１３の平面透視形状は、略円形状に限られず、楕円形状であってもよく、多角形状であってもよい。
　貫通部１１４は、平面透視において、所定の幅Ｗ３を有し、且つ、導出部１３の周囲を囲む円周の一部が所定距離Ｗ４だけ開放された円弧形状をしていてもよい。所定の幅Ｗ３は、例えば、２．０ｍｍ以上であってもよい。所定距離Ｗ４は、例えば、０．５～３．０ｍｍであってもよい。貫通部１１４は、内周が凹部１１３の内側に位置する。貫通部１１４は、外周が凹部１１３の外側に位置していてもよい。導出部１３から貫通部１１４の内周までの最短距離は、例えば、０．５～１．０ｍｍであってもよい。
　貫通部１１４の内周の内側に位置する導出部１３と、貫通部１１４の外周の外側に位置する吸着導電層１２とは、貫通部１１４の開放部に位置する幅が所定距離Ｗ４の接続部１２１によって接続されてもよい。これにより、給電端子４０から導出部１３および接続部１２１を介して、吸着導電層１２全体に給電される。
　図１～図４に示す貫通部１１４によれば、平面透視において凹部１１３の内側および周囲に位置する貫通部１１４の絶縁体によって、吸着導電層１２よりも第１面１１１側に位置する絶縁体と、吸着導電層１２よりも第２面１１２側に位置する絶縁体とは強固に繋ぎ止められる。これにより、吸着基板１０は、吸着導電層１２と基体１１との界面にデラミネーションが発生することを抑制できる。
　なお、導出部１３および貫通部１１４の形状と配置とは、図１～図４に示す導出部１３および貫通部１１４の形状と配置とに限定されるものではなく、種々の変形が可能であってもよい。以下、第２～第６の実施形態に係る導出部１３および貫通部１１４の形状と配置とについて説明する。以下に説明する第２～第６の実施形態において、吸着導電層１２における貫通部形成領域は、図２に示す貫通部形成領域ＩＩＩと同様の位置に設けられてもよい。
　図５は、第２の実施形態に係る貫通部形成領域の拡大図である。図６は、図５に示すＶＩ－ＶＩ線に沿った断面図である。図５および図６に示すように、第２の実施形態に係る貫通部１１４は、平面透視において、凹部１１３の内側に位置していてもよい。
　第２の実施形態に係る貫通部１１４は、平面透視において、略円形状であってもよい。第２の実施形態に係る貫通部１１４の平面透視形状は、略円形状に限られず、楕円形状または多角形状であってもよい。
　第２の実施形態に係る導出部１３は、平面透視において、貫通部１１４の外周よりも外側であり、且つ、凹部１１３の内側に位置する。図５に示す例では、４個の導出部１３は、平面透視において凹部１１３の底面１１３ａにおける中心の周りに等間隔を空けて設けられていてもよい。４個の導出部１３は、平面透視略円形状の柱状をしていてもよい。
　第２の実施形態に係る導出部１３の平面透視における直径は、例えば、０．５～１．０ｍｍであってもよい。なお、導出部１３の個数は、３個以下であってもよく、５個以上であってもよい。また、第２の実施形態に係る導出部１３の平面透視形状は、略円形状に限られず、楕円形状または多角形状であってもよい。第２の実施形態に係る貫通部１１４から導出部１３までの最短距離は、例えば、０．５～１．０ｍｍであってもよい。
　第２の実施形態に係る貫通部１１４によれば、平面透視において凹部１１３の内側に位置する貫通部１１４の絶縁体によって、吸着導電層１２よりも第１面１１１側に位置する絶縁体と、吸着導電層１２よりも第２面１１２側に位置する絶縁体とは強固に繋ぎ止められる。これにより、吸着基板１０は、吸着導電層１２と基体１１との界面にデラミネーションを生じさせにくくできる。
　図７は、第３の実施形態に係る貫通部形成領域の拡大図である。第３の実施形態に係る貫通部形成領域の図７に示すＶＩ－ＶＩ線に沿った断面図は、図６に示す断面図と同様であるため、ここでは、図示を省略する。
　図７に示すように、第３の実施形態に係る貫通部１１４は、平面透視において、所定の幅を有する２本の線部１１４ａが交差したＸ字形状をしていてもよい。所定の幅は、例えば、２ｍｍ以上であってもよい。第３の実施形態に係る貫通部１１４は、２本の線部１１４ａの交差部１１４ｂが凹部１１３の中央に位置し、２本の線部１１４ａの両端が凹部１１３の外側に位置していてもよい。２本の線部１１４ａの両端は、例えば、平面透視において、凹部１１３の外周から外側へ最大で２ｍｍ突出していてもよい。
　第３の実施形態に係る導出部１３は、平面透視において、凹部１１３の内側であり、且つ、貫通部１１４の２本の線部１１４ａによって２方向が囲まれる領域に位置する。図７に示す例では、４個の導出部１３は、平面透視において凹部１１３の底面１１３ａにおける中心の周りに、等間隔を空けて設けられていてもよい。４個の導出部１３は、平面透視略円形状の柱状をしていてもよい。第３の実施形態に係る導出部１３の平面透視における直径は、例えば、０．５～１．０ｍｍであってもよい。
　なお、第３の実施形態に係る導出部１３の個数は、３個以下であってもよく、５個以上であってもよい。また、導出部１３の平面透視形状は、略円形状に限られず、楕円形状でまたは多角形状であってもよい。第３の実施形態に係る導出部１３から貫通部１１４における２本の線部１１４ａの交差部１１４ｂまでの最短距離は、例えば、０．５～１．０ｍｍであってもよい。
　第３の実施形態に係る貫通部１１４によれば、平面透視において凹部１１３の内側および周囲に位置する貫通部１１４の絶縁体によって、吸着導電層１２よりも第１面１１１側に位置する絶縁体と、吸着導電層１２よりも第２面１１２側に位置する絶縁体とは強固に繋ぎ止められる。これにより、吸着基板１０は、吸着導電層１２と基体１１との界面にデラミネーションを生じさせにくくできる。
　図８は、第４の実施形態に係る貫通部形成領域の拡大図である。図９は、図８に示すＩＸ－ＩＸ線に沿った断面図である。図８および図９に示すように、第４の実施形態に係る貫通部１１４は、平面透視において、凹部１１３の内側に位置していてもよい。第４の実施形態に係る貫通部１１４の外周から凹部１１３の外周までの距離は、例えば、０．５～２．０ｍｍであってもよい。
　第４の実施形態に係る貫通部１１４は、平面透視において略円形状をしていてもよい。第４の実施形態に係る貫通部１１４の平面透視形状は、略円形状に限られず、楕円形状または多角形状であってもよい。
　第４の実施形態に係る導出部１３は、第１部分１３１と、第２部分１３２とを有していてもよい。第１部分１３１は、平面透視において、一部が凹部１１３の底面１１３ａに露出し、外周が凹部１１３の外側まで伸びる平面透視略円形状をしていてもよい。第１部分１３１の平面透視形状は、略円形状に限られず、楕円形状または多角形状であってもよい。
　第２部分１３２は、ビアであってもよい。この場合、ビアは、平面透視において、凹部１１３より外側であり、且つ、第１部分１３１の外周よりも内側に位置し、一端が第１部分１３１に接続され、他端が吸着導電層１２に接続されてもよい。平面透視における第２部分１３２の直径は、例えば、０．５～１．０ｍｍであってもよい。第２部分１３２から凹部１１３の外周までの距離は、例えば、０．５～１．０ｍｍであってもよい。第２部分１３２から第１部分１３１の外周までの距離は、例えば、０．５～１．０ｍｍであってもよい。
　第４の実施形態に係る貫通部１１４によれば、平面透視において凹部１１３の内側に位置する貫通部１１４の絶縁体によって、吸着導電層１２よりも第１面１１１側に位置する絶縁体と、吸着導電層１２よりも第２面１１２側に位置する絶縁体とは強固に繋ぎ止められる。これにより、吸着基板１０は、吸着導電層１２と基体１１との界面にデラミネーションを生じさせにくくできる。
　図１０は、第５の実施形態に係る貫通部形成領域の拡大図である。図１１は、図１０に示すＸＩ－ＸＩ線に沿った断面図である。図１０および図１１に示すように、第５の実施形態に係る導出部１３は、平面透視において、凹部１１３の内側に位置していてもよい。図１０に示す例では、４個の導出部１３は、平面透視において凹部１１３の底面１１３ａにおける中心の周りに、等間隔を空けて設けられていてもよい。４個の導出部１３は、平面透視略円形状の柱状をしていてもよい。
　第５の実施形態に係る導出部１３の平面透視における直径は、例えば、０．５～１．０ｍｍであってもよい。なお、第５の実施形態に係る導出部１３の個数は、３個以下であってもよく、５個以上であってもよい。また、第５の実施形態に係る導出部１３の平面透視形状は、略円形状に限られず、楕円形状または多角形状であってもよい。
　第５の実施形態に係る貫通部１１４は、平面透視において、凹部１１３の外側に位置する。第５の実施形態に係る貫通部１１４は、４個の導出部１３を囲むように複数配置されてもよい。図１０に示す例では、６個の貫通部１１４は、平面透視において凹部１１３の底面１１３ａにおける中心の周りに、４個の導出部１３を囲むように配置されていてもよい。６個の貫通部１１４は、平面透視略円形状をしていてもよい。
　第５の実施形態に係る貫通部１１４の平面透視形状は、略円形状に限られず、楕円形状または多角形状であってもよい。第５の実施形態に係る貫通部１１４の個数は、５個以下であってもよく、７個以上であってもよい。第５の実施形態に係る貫通部１１４の平面透視における直径は、例えば、２．０～４．０ｍｍであってもよい。凹部１１３から第５の実施形態に係る貫通部１１４までの距離は、例えば、０～２．０ｍｍであってもよい。
　第５の実施形態に係る貫通部１１４によれば、平面透視において凹部１１３の周囲に位置する貫通部１１４の絶縁体によって、吸着導電層１２よりも第１面１１１側に位置する絶縁体と、吸着導電層１２よりも第２面１１２側に位置する絶縁体とは強固に繋ぎ止められる。これにより、吸着基板１０は、吸着導電層１２と基体１１との界面にデラミネーションを生じさせにくくできる。
　図１２は、第６の実施形態に係る貫通部形成領域の拡大図である。図１３は、図１２に示すＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿った断面図である。図１３および図１４に示すように、第６の実施形態に係る導出部１３は、平面透視において、凹部１１３の内側に位置する。図１２に示す例では、４個の導出部１３は、平面透視において凹部１１３の底面１１３ａにおける中心の周りに等間隔を空けて設けられていてもよい。４個の導出部１３は、平面透視略円形状の柱状をしていてもよい。
　第６の実施形態に係る導出部１３の平面透視における直径は、例えば、０．５～１．０ｍｍであってもよい。なお、第６の実施形態に係る導出部１３の個数は、３個以下であってもよく、５個以上であってもよい。また、第６の実施形態に係る導出部１３の平面透視形状は、略円形状に限られず、楕円形状または多角形状であってもよい。
　第６の実施形態に係る貫通部１１４は、平面透視において、所定の幅を有し、且つ、導出部１３の周囲を囲む円周の一部が所定距離だけ開放された円弧形状をしていてもよい。所定の幅は、例えば、２．０ｍｍ以上であってもよい。所定距離は、例えば、０．５～３．０ｍｍであってもよい。第６の実施形態に係る貫通部１１４は、内周が凹部１１３の外側に位置する。平面透視において、第６の実施形態に係る貫通部１１４の内周から凹部１１３の外周までの距離は、０～２．０ｍｍであってもよい。
　第６の実施形態に係る貫通部１１４によれば、平面透視において凹部１１３の周囲に位置する貫通部１１４の絶縁体によって、吸着導電層１２よりも第１面１１１側に位置する絶縁体と、吸着導電層１２よりも第２面１１２側に位置する絶縁体とは強固に繋ぎ止められる。これにより、吸着基板１０は、吸着導電層１２と基体１１との界面にデラミネーションを生じさせにくくできる。
　１　静電チャック
　１０　吸着基板
　１１　基体
　１１１　第１面
　１１２　第２面
　１１３　凹部
　１１３ａ　凹部の底面
　１１４　貫通部
　１１４ａ　線部
　１１４ｂ　交差部
　１２　吸着導電層
　１２１　接続部
　１３　導出部
　２０　熱交換器
　２１　流路
　３０　接合材
　４０　給電端子
　１３１　第１部分
　１３２　第２部分

Claims (7)

  1. 　基体と、
    　吸着導電層と、
    　導出部と、を備え、
    　前記基体は、絶縁性を有する絶縁体からなり、被処理体を保持する第１面および該第１面の反対側に位置する第２面を有し、該第２面に凹部を有し、
    　前記吸着導電層は、前記基体の内部に位置し、前記第１面に沿って広がっており、
    　前記導出部は、前記吸着導電層から前記第２面側へ導出し、前記凹部の底面に露出しており、
    　前記吸着導電層は、平面透視における前記凹部の内側および前記凹部の周囲の少なくともいずれか一方に、前記絶縁体が貫通する貫通部を有する、吸着基板。
  2. 　前記導出部は、
    　平面透視において、前記凹部の内側に位置し、
    　前記貫通部は、
    　平面透視において、所定の幅を有し、且つ、前記導出部の周囲を囲む円周の一部が開放された円弧形状をしており、内周が前記凹部の内側に位置し、外周が前記凹部の外側に位置する、
    　請求項１に記載の吸着基板。
  3. 　前記貫通部は、
    　平面透視において、前記凹部の内側に位置し、
    　前記導出部は、
    　平面透視において、前記貫通部の外周よりも外側であり、且つ、前記凹部の内側に位置する、
    　請求項１に記載の吸着基板。
  4. 　前記貫通部は、
    　平面透視において、所定の幅を有する２本の線部が交差したＸ字形状をしており、前記２本の線部の交差部が前記凹部の中央に位置し、前記２本の線部の両端が前記凹部の外側に位置し、
    　前記導出部は、
    　平面透視において、前記凹部の内側であり、且つ、前記２本の線部によって２方向が囲まれる領域に位置する、
    　請求項１に記載の吸着基板。
  5. 　前記貫通部は、
    　平面透視において、前記凹部の内側に位置し、
    　前記導出部は、
    　平面透視において、一部が前記凹部の底面に露出し、外周が前記凹部の外側まで延びる第１部分と、
    　平面透視において、前記凹部より外側であり、且つ、前記第１部分の外周よりも内側に位置し、一端が前記第１部分に接続され、他端が前記吸着導電層に接続される第２部分と、を有する、
    　請求項１に記載の吸着基板。
  6. 　前記導出部は、
    　平面透視において、前記凹部の内側に位置し、
    　前記貫通部は、
    　平面透視において、前記凹部の外側に位置し、前記導出部を囲むように複数配置される
    　請求項１に記載の吸着基板。
  7. 　前記導出部は、
    　平面透視において、前記凹部の内側に位置し、
    　前記貫通部は、
    　平面透視において、所定の幅を有し、且つ、前記導出部の周囲を囲む円周の一部が開放された円弧形状をしており、内周が前記凹部の外側に位置する、
    　請求項１に記載の吸着基板。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001345372A (ja) * 2000-05-31 2001-12-14 Kyocera Corp ウエハ支持部材及びその製造方法
JP2006005295A (ja) * 2004-06-21 2006-01-05 Sodick Co Ltd セラミック素子内部電極の引出し電極及びその製造方法
JP2016076646A (ja) * 2014-10-08 2016-05-12 日本特殊陶業株式会社 静電チャック
JP2016213237A (ja) * 2015-04-30 2016-12-15 日本特殊陶業株式会社 静電チャックおよびその製造方法
WO2018159687A1 (ja) * 2017-03-02 2018-09-07 日本碍子株式会社 ウエハ加熱装置
JP2019175995A (ja) * 2018-03-28 2019-10-10 京セラ株式会社 試料保持具
JP2019220503A (ja) * 2018-06-15 2019-12-26 新光電気工業株式会社 静電チャック及びその製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001345372A (ja) * 2000-05-31 2001-12-14 Kyocera Corp ウエハ支持部材及びその製造方法
JP2006005295A (ja) * 2004-06-21 2006-01-05 Sodick Co Ltd セラミック素子内部電極の引出し電極及びその製造方法
JP2016076646A (ja) * 2014-10-08 2016-05-12 日本特殊陶業株式会社 静電チャック
JP2016213237A (ja) * 2015-04-30 2016-12-15 日本特殊陶業株式会社 静電チャックおよびその製造方法
WO2018159687A1 (ja) * 2017-03-02 2018-09-07 日本碍子株式会社 ウエハ加熱装置
JP2019175995A (ja) * 2018-03-28 2019-10-10 京セラ株式会社 試料保持具
JP2019220503A (ja) * 2018-06-15 2019-12-26 新光電気工業株式会社 静電チャック及びその製造方法

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