JPH11220011A - 端子構造 - Google Patents
端子構造Info
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- JPH11220011A JPH11220011A JP1840698A JP1840698A JPH11220011A JP H11220011 A JPH11220011 A JP H11220011A JP 1840698 A JP1840698 A JP 1840698A JP 1840698 A JP1840698 A JP 1840698A JP H11220011 A JPH11220011 A JP H11220011A
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- terminal
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ろう付けによりセラミック基体内部に内在す
る応力のため、内部電極と端子電極部材との電気的接続
が損なわれてしまう。 【解決手段】 内部電極２ａ・２ｂが埋設されたセラミ
ック基体１に内部電極２ａ・２ｂの一部を露出させる凹
部１ａ・１ｂを形成し、凹部１ａ・１ｂ内に棒状の端子
電極部材３ａ・３ｂを凹部１ａ・１ｂの内壁との間に隙
間を有するようにして挿入するとともに端子電極部材３
ａ・３ｂの端面を凹部１ａ・１ｂ底面に端子電極部材３
ａ・３ｂと内部電極２ａ・２ｂとが電気的に接続される
ようにして取着し、さらに端子電極部材３ａ・３ｂに凹
部１ａ・１ｂの開口を塞ぐ平板状のフランジ部材５ａ・
５ｂを接合するとともに、フランジ部材５ａ・５ｂをセ
ラミック基体１の開口部周囲に取着した端子構造とす
る。ろう付けによる熱応力が良好に吸収緩和され、端子
電極部材３ａ・３ｂと内部電極２ａ・２ｂとを長期間に
わたり確実に電気的に接続できる。
る応力のため、内部電極と端子電極部材との電気的接続
が損なわれてしまう。 【解決手段】 内部電極２ａ・２ｂが埋設されたセラミ
ック基体１に内部電極２ａ・２ｂの一部を露出させる凹
部１ａ・１ｂを形成し、凹部１ａ・１ｂ内に棒状の端子
電極部材３ａ・３ｂを凹部１ａ・１ｂの内壁との間に隙
間を有するようにして挿入するとともに端子電極部材３
ａ・３ｂの端面を凹部１ａ・１ｂ底面に端子電極部材３
ａ・３ｂと内部電極２ａ・２ｂとが電気的に接続される
ようにして取着し、さらに端子電極部材３ａ・３ｂに凹
部１ａ・１ｂの開口を塞ぐ平板状のフランジ部材５ａ・
５ｂを接合するとともに、フランジ部材５ａ・５ｂをセ
ラミック基体１の開口部周囲に取着した端子構造とす
る。ろう付けによる熱応力が良好に吸収緩和され、端子
電極部材３ａ・３ｂと内部電極２ａ・２ｂとを長期間に
わたり確実に電気的に接続できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック基体に
埋設された内部電極に外部からの電圧や電力を供給する
ための端子電極部材を接続する端子構造に関するもので
ある。
埋設された内部電極に外部からの電圧や電力を供給する
ための端子電極部材を接続する端子構造に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】セラミック基体の内部に内部電極を埋設
し、その内部電極に端子電極部材を接続して外部から給
電する端子構造を採用するものとして、従来より、例え
ば内部電極として発熱抵抗体を用いたセラミックヒータ
や、あるいはＬＳＩ等の半導体集積回路素子の製造工程
においてシリコンウエハ等にＣＶＤ法や真空蒸着法・フ
ォトリソグラフィ法等の種々の加工を施こす際にウエハ
を保持固定するために用いられる、内部電極として静電
吸着用電極を備える静電チャック等がある。
し、その内部電極に端子電極部材を接続して外部から給
電する端子構造を採用するものとして、従来より、例え
ば内部電極として発熱抵抗体を用いたセラミックヒータ
や、あるいはＬＳＩ等の半導体集積回路素子の製造工程
においてシリコンウエハ等にＣＶＤ法や真空蒸着法・フ
ォトリソグラフィ法等の種々の加工を施こす際にウエハ
を保持固定するために用いられる、内部電極として静電
吸着用電極を備える静電チャック等がある。
【０００３】この静電チャックは、図４に断面図で示す
ように、例えば窒化アルミニウム質焼結体から成る円板
状のセラミック基体11の内部にタングステンやモリブデ
ン等の高融点金属材料のメタライズ層から成る静電気発
生用の略平板形状のメタライズパターン等から成る第１
の内部電極12ａを埋設して成り、この静電気発生用の内
部電極12ａに外部から電圧を印加することによりセラミ
ック基体11の表面に静電気を発生させ、この静電気によ
りシリコンウエハ等（図示せず）をセラミック基体11表
面に吸着保持するようになしたものである。
ように、例えば窒化アルミニウム質焼結体から成る円板
状のセラミック基体11の内部にタングステンやモリブデ
ン等の高融点金属材料のメタライズ層から成る静電気発
生用の略平板形状のメタライズパターン等から成る第１
の内部電極12ａを埋設して成り、この静電気発生用の内
部電極12ａに外部から電圧を印加することによりセラミ
ック基体11の表面に静電気を発生させ、この静電気によ
りシリコンウエハ等（図示せず）をセラミック基体11表
面に吸着保持するようになしたものである。
【０００４】さらに、この静電チャックには、セラミッ
ク基体11の内部に例えばタングステンやモリブデン等の
高融点金属材料のメタライズ層から成る発熱抵抗体用の
メタライズパターン等から成る第２の内部電極12ｂが例
えば蛇行形状に埋設されており、この発熱抵抗体用の内
部電極12ｂに外部から電力を供給してジュール発熱させ
ることによって、セラミック基体11表面に吸着されたウ
エハ等をセラミック基体11を介して加熱し得るようにな
っている。
ク基体11の内部に例えばタングステンやモリブデン等の
高融点金属材料のメタライズ層から成る発熱抵抗体用の
メタライズパターン等から成る第２の内部電極12ｂが例
えば蛇行形状に埋設されており、この発熱抵抗体用の内
部電極12ｂに外部から電力を供給してジュール発熱させ
ることによって、セラミック基体11表面に吸着されたウ
エハ等をセラミック基体11を介して加熱し得るようにな
っている。
【０００５】なお、セラミック基体11の内部に埋設され
た静電気発生用の内部電極12ａに外部から電圧を印加し
たり、あるいは発熱抵抗体用の内部電極12ｂに外部から
電力を供給するには、その端子構造として、絶縁基体11
に、静電気発生用の内部電極12ａに到達して内部電極12
ａの一部をその底面に露出させる凹部11ａおよび発熱抵
抗体用の内部電極12ｂに到達して内部電極12ｂの一部を
その底面に露出させる凹部11ｂを形成しておくととも
に、これらの凹部11ａ・11ｂの内壁にタングステンやモ
リブデン・モリブデン−マンガン等の高融点金属メタラ
イズ層や銀−銅−チタン等の活性金属メタライズ層から
成るメタライズ金属層13ａ・13ｂを被着させておき、こ
れらの凹部11ａ・11ｂ内に鉄−ニッケル−コバルト合金
等の金属から成る棒状の端子電極部材14ａ・14ｂを嵌入
させるとともに、凹部11ａ・11ｂの内壁のメタライズ金
属層13ａ・13ｂおよび静電気発生用の内部電極12ａ・発
熱抵抗体用の内部電極12ｂにろう付けすることにより、
凹部11ａ・11ｂ内に端子電極部材14ａ・14ｂを取付け、
これら端子電極部材14ａ・14ｂを介して内部電極12ａに
外部から電圧を印加したり、内部電極12ｂに外部から電
力を供給するようになしている。
た静電気発生用の内部電極12ａに外部から電圧を印加し
たり、あるいは発熱抵抗体用の内部電極12ｂに外部から
電力を供給するには、その端子構造として、絶縁基体11
に、静電気発生用の内部電極12ａに到達して内部電極12
ａの一部をその底面に露出させる凹部11ａおよび発熱抵
抗体用の内部電極12ｂに到達して内部電極12ｂの一部を
その底面に露出させる凹部11ｂを形成しておくととも
に、これらの凹部11ａ・11ｂの内壁にタングステンやモ
リブデン・モリブデン−マンガン等の高融点金属メタラ
イズ層や銀−銅−チタン等の活性金属メタライズ層から
成るメタライズ金属層13ａ・13ｂを被着させておき、こ
れらの凹部11ａ・11ｂ内に鉄−ニッケル−コバルト合金
等の金属から成る棒状の端子電極部材14ａ・14ｂを嵌入
させるとともに、凹部11ａ・11ｂの内壁のメタライズ金
属層13ａ・13ｂおよび静電気発生用の内部電極12ａ・発
熱抵抗体用の内部電極12ｂにろう付けすることにより、
凹部11ａ・11ｂ内に端子電極部材14ａ・14ｂを取付け、
これら端子電極部材14ａ・14ｂを介して内部電極12ａに
外部から電圧を印加したり、内部電極12ｂに外部から電
力を供給するようになしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の端子構造によれば、セラミック基体11を構成する窒
化アルミニウム質焼結体の熱膨張係数および端子電極部
材14ａ・14ｂを構成する鉄−ニッケル−コバルト合金の
熱膨張係数がそれぞれ室温〜800 ℃において5.4×10-6
／℃および10×10-6／℃と大きく相違することから、端
子電極部材14ａ・14ｂをセラミック基体11に設けた凹部
11ａ・11ｂ内にろう付けする際に両者の熱膨張係数の相
違に起因する熱応力がセラミック基体11と端子電極部材
14ａ・14ｂとの間に発生し、この応力がセラミック基体
11の凹部11ａ・11ｂ近傍に大きく内在してしまい、これ
にウエハを加熱する際などの熱による熱応力が繰り返し
印加されると、その熱応力とセラミック基体11に内在す
る熱応力とがあいまってセラミック基体11にクラックを
発生させてしまうこととなり、その結果、端子電極部材
14ａ・14ｂと内部電極12ａ・12ｂとの電気的接続が損な
われたり、端子電極部材14ａ・14ｂがセラミック基体11
から外れてしまうことがあるという問題点を有してい
た。
来の端子構造によれば、セラミック基体11を構成する窒
化アルミニウム質焼結体の熱膨張係数および端子電極部
材14ａ・14ｂを構成する鉄−ニッケル−コバルト合金の
熱膨張係数がそれぞれ室温〜800 ℃において5.4×10-6
／℃および10×10-6／℃と大きく相違することから、端
子電極部材14ａ・14ｂをセラミック基体11に設けた凹部
11ａ・11ｂ内にろう付けする際に両者の熱膨張係数の相
違に起因する熱応力がセラミック基体11と端子電極部材
14ａ・14ｂとの間に発生し、この応力がセラミック基体
11の凹部11ａ・11ｂ近傍に大きく内在してしまい、これ
にウエハを加熱する際などの熱による熱応力が繰り返し
印加されると、その熱応力とセラミック基体11に内在す
る熱応力とがあいまってセラミック基体11にクラックを
発生させてしまうこととなり、その結果、端子電極部材
14ａ・14ｂと内部電極12ａ・12ｂとの電気的接続が損な
われたり、端子電極部材14ａ・14ｂがセラミック基体11
から外れてしまうことがあるという問題点を有してい
た。
【０００７】本発明は上記問題点に鑑み案出されたもの
であり、その目的は、加熱による熱応力が繰り返し印加
されてもセラミック基体にクラックを発生させることが
なく、端子電極部材とセラミック基体内部に埋設された
内部電極とを長期間にわたり確実に電気的に接続でき
る、信頼性が高い端子構造を提供することにある。
であり、その目的は、加熱による熱応力が繰り返し印加
されてもセラミック基体にクラックを発生させることが
なく、端子電極部材とセラミック基体内部に埋設された
内部電極とを長期間にわたり確実に電気的に接続でき
る、信頼性が高い端子構造を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の端子構造は、内
部電極が埋設されたセラミック基体に前記内部電極の一
部を露出させる凹部を形成し、この凹部内に棒状の端子
電極部材を前記凹部の内壁との間に隙間を有するように
して挿入するとともにこの端子電極部材の端面を前記凹
部底面に、前記端子電極部材と前記内部電極とが電気的
に接続されるようにして取着し、さらに前記端子電極部
材に前記凹部の開口を塞ぐ平板状のフランジ部材を接合
させるとともにこのフランジ部材を前記セラミック基体
の開口部周囲に取着したことを特徴とするものである。
部電極が埋設されたセラミック基体に前記内部電極の一
部を露出させる凹部を形成し、この凹部内に棒状の端子
電極部材を前記凹部の内壁との間に隙間を有するように
して挿入するとともにこの端子電極部材の端面を前記凹
部底面に、前記端子電極部材と前記内部電極とが電気的
に接続されるようにして取着し、さらに前記端子電極部
材に前記凹部の開口を塞ぐ平板状のフランジ部材を接合
させるとともにこのフランジ部材を前記セラミック基体
の開口部周囲に取着したことを特徴とするものである。
【０００９】本発明の端子構造によれば、端子電極部材
は、セラミック基体に形成した凹部の内壁との間に隙間
を有するようにして凹部内に挿入されるとともにその端
面が凹部内に露出させた内部電極に電気的に接続される
ように取着されており、さらに、セラミック基体に形成
した凹部の開口を塞ぐようにセラミック基体の開口部周
囲に取着させた平板状のフランジ部材に接合させている
ので、凹部内において端子電極部材がセラミック基体の
凹部内壁からの束縛を受けずに変形可能であるとともに
端子電極部材に接合された板状のフランジ部材も変形可
能であり、端子電極部材をセラミック基体の凹部内に挿
入してろう付けにより取着する際に両者間に熱応力が発
生しても、この熱応力は端子電極部材およびフランジ部
材が変形することによって良好に吸収緩和されることと
なるので、凹部近傍のセラミック基体の内部に熱応力が
大きく内在してしまうことはない。
は、セラミック基体に形成した凹部の内壁との間に隙間
を有するようにして凹部内に挿入されるとともにその端
面が凹部内に露出させた内部電極に電気的に接続される
ように取着されており、さらに、セラミック基体に形成
した凹部の開口を塞ぐようにセラミック基体の開口部周
囲に取着させた平板状のフランジ部材に接合させている
ので、凹部内において端子電極部材がセラミック基体の
凹部内壁からの束縛を受けずに変形可能であるとともに
端子電極部材に接合された板状のフランジ部材も変形可
能であり、端子電極部材をセラミック基体の凹部内に挿
入してろう付けにより取着する際に両者間に熱応力が発
生しても、この熱応力は端子電極部材およびフランジ部
材が変形することによって良好に吸収緩和されることと
なるので、凹部近傍のセラミック基体の内部に熱応力が
大きく内在してしまうことはない。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の端子構造を添付の
図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の端子構
造を静電チャックに適用した場合の実施の形態の一例を
示す断面図であり、図２は図１に示す端子構造の要部拡
大断面図である。
図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の端子構
造を静電チャックに適用した場合の実施の形態の一例を
示す断面図であり、図２は図１に示す端子構造の要部拡
大断面図である。
【００１１】これらの図において、１はセラミック基
体、２ａ・２ｂはセラミック基体１に埋設された内部電
極、３ａ・３ｂは端子電極部材であり、主にこれらで静
電チャックを構成している。
体、２ａ・２ｂはセラミック基体１に埋設された内部電
極、３ａ・３ｂは端子電極部材であり、主にこれらで静
電チャックを構成している。
【００１２】セラミック基体１は、例えば窒化アルミニ
ウム質焼結体等の良熱伝導性のセラミック材料から成る
略円板状体であり、その上面にシリコンウエハ（図示せ
ず）を支持するための支持体として機能する。
ウム質焼結体等の良熱伝導性のセラミック材料から成る
略円板状体であり、その上面にシリコンウエハ（図示せ
ず）を支持するための支持体として機能する。
【００１３】セラミック基体１は、例えば窒化アルミニ
ウム質焼結体から成る場合であれば、窒化アルミニウム
・酸化イットリウム・酸化カルシウム等の原料粉末に適
当な有機バインダや溶剤を添加混合して泥漿状となすと
ともにこれを従来周知のドクターブレード法を採用して
シート状となすことにより複数枚のセラミックグリーン
シートを得て、これらに適当な打ち抜き加工を施すとと
もに上下に積層してセラミックグリーンシート積層体と
なし、最後にこのセラミックグリーンシート積層体を還
元雰囲気中約1600℃の温度で焼成することによって製作
される。
ウム質焼結体から成る場合であれば、窒化アルミニウム
・酸化イットリウム・酸化カルシウム等の原料粉末に適
当な有機バインダや溶剤を添加混合して泥漿状となすと
ともにこれを従来周知のドクターブレード法を採用して
シート状となすことにより複数枚のセラミックグリーン
シートを得て、これらに適当な打ち抜き加工を施すとと
もに上下に積層してセラミックグリーンシート積層体と
なし、最後にこのセラミックグリーンシート積層体を還
元雰囲気中約1600℃の温度で焼成することによって製作
される。
【００１４】セラミック基体１は、その内部にシリコン
ウエハ等を吸着するための静電気発生用の内部電極２ａ
およびシリコンウエハ等を加熱するための発熱抵抗体用
の内部電極２ｂが埋設されている。
ウエハ等を吸着するための静電気発生用の内部電極２ａ
およびシリコンウエハ等を加熱するための発熱抵抗体用
の内部電極２ｂが埋設されている。
【００１５】セラミック基体１に埋設された静電気発生
用の内部電極２ａは、セラミック基体１の上面近傍に配
置された略平板状のメタライズパターンや金属板・金属
メッシュ等から成り、これに外部から所定の電圧を印加
することによりセラミック基体１の上面に静電気を発生
させる作用をなし、これによりセラミック基体１の上面
にシリコンウエハ等が静電気により吸着保持される。
用の内部電極２ａは、セラミック基体１の上面近傍に配
置された略平板状のメタライズパターンや金属板・金属
メッシュ等から成り、これに外部から所定の電圧を印加
することによりセラミック基体１の上面に静電気を発生
させる作用をなし、これによりセラミック基体１の上面
にシリコンウエハ等が静電気により吸着保持される。
【００１６】また、セラミック基体１に埋設された発熱
抵抗体用の内部電極２ｂは、セラミック基体１の厚み方
向の略中央部に例えば蛇行するパターンの抵抗体電極と
して配置され、これに外部から所定の電力を供給するこ
とによりジュール発熱してセラミック基体１を加熱する
作用をなし、これによりセラミック基体１の上面に吸着
保持されるシリコンウエハ等をセラミック基体１を介し
て加熱する。
抵抗体用の内部電極２ｂは、セラミック基体１の厚み方
向の略中央部に例えば蛇行するパターンの抵抗体電極と
して配置され、これに外部から所定の電力を供給するこ
とによりジュール発熱してセラミック基体１を加熱する
作用をなし、これによりセラミック基体１の上面に吸着
保持されるシリコンウエハ等をセラミック基体１を介し
て加熱する。
【００１７】セラミック基体１に埋設された静電気発生
用の内部電極２ａおよび発熱抵抗体用の内部電極２ｂ
は、例えばメタライズパターンから成る場合であれば、
タングステン粉末やモリブデン粉末等の高融点金属粉末
に適当な有機バインダや溶剤を添加混合して得た金属ペ
ーストをセラミック基体１となるセラミックグリーンシ
ートに所定のパターンに印刷塗布しておくことによっ
て、セラミック基体１の所定位置に所定形状に形成され
る。
用の内部電極２ａおよび発熱抵抗体用の内部電極２ｂ
は、例えばメタライズパターンから成る場合であれば、
タングステン粉末やモリブデン粉末等の高融点金属粉末
に適当な有機バインダや溶剤を添加混合して得た金属ペ
ーストをセラミック基体１となるセラミックグリーンシ
ートに所定のパターンに印刷塗布しておくことによっ
て、セラミック基体１の所定位置に所定形状に形成され
る。
【００１８】セラミック基体１は、またその下面側に、
内部電極２ａ・２ｂに到達してそれらの一部を露出させ
る凹部１ａ・１ｂが形成されており、この凹部１ａ・１
ｂ内には鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る
棒状の端子電極部材３ａ・３ｂが凹部１ａ・１ｂの内壁
との間に隙間を有するようにして挿入され、この例であ
れば凹部１ａ・１ｂの底面に露出させた内部電極２ａ・
２ｂに端子電極部材３ａ・３ｂの上端面を当接させて、
端子電極部材３ａ・３ｂと内部電極２ａ・２ｂとがろう
付け等により取着されている。
内部電極２ａ・２ｂに到達してそれらの一部を露出させ
る凹部１ａ・１ｂが形成されており、この凹部１ａ・１
ｂ内には鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る
棒状の端子電極部材３ａ・３ｂが凹部１ａ・１ｂの内壁
との間に隙間を有するようにして挿入され、この例であ
れば凹部１ａ・１ｂの底面に露出させた内部電極２ａ・
２ｂに端子電極部材３ａ・３ｂの上端面を当接させて、
端子電極部材３ａ・３ｂと内部電極２ａ・２ｂとがろう
付け等により取着されている。
【００１９】セラミック基体１の凹部１ａ・１ｂに挿入
されて内部電極２ａ・２ｂの露出部に電気的に接続され
るようにして取着された端子電極部材３ａ・３ｂは、内
部電極２ａ・２ｂに外部から電圧や電力を印加するため
の端子として機能し、セラミック基体１の凹部１ａ・１
ｂ内にこの凹部１ａ・１ｂ内壁との間に隙間を有するよ
うにして挿入されるとともに、その上端面がこの例であ
れば凹部１ａ・１ｂ底面に露出させた内部電極２ａ・２
ｂの露出部に銀−銅ろう等のろう材４ａ・４ｂを介して
ろう付けにより取着されている。
されて内部電極２ａ・２ｂの露出部に電気的に接続され
るようにして取着された端子電極部材３ａ・３ｂは、内
部電極２ａ・２ｂに外部から電圧や電力を印加するため
の端子として機能し、セラミック基体１の凹部１ａ・１
ｂ内にこの凹部１ａ・１ｂ内壁との間に隙間を有するよ
うにして挿入されるとともに、その上端面がこの例であ
れば凹部１ａ・１ｂ底面に露出させた内部電極２ａ・２
ｂの露出部に銀−銅ろう等のろう材４ａ・４ｂを介して
ろう付けにより取着されている。
【００２０】このような静電チャックによれば、端子電
極部材３ａを介して内部電極２ａに所定の電圧を印加す
ることによってセラミック基体１の上面にシリコンウエ
ハ等を吸着するための静電気が発生し、また端子電極部
材３ｂを介して内部電極２ｂに電力を供給することによ
って、内部電極２ｂがジュール発熱してセラミック基体
１が加熱される。
極部材３ａを介して内部電極２ａに所定の電圧を印加す
ることによってセラミック基体１の上面にシリコンウエ
ハ等を吸着するための静電気が発生し、また端子電極部
材３ｂを介して内部電極２ｂに電力を供給することによ
って、内部電極２ｂがジュール発熱してセラミック基体
１が加熱される。
【００２１】端子電極部材３ａ・３ｂはさらに、その下
端側にセラミック基体１の凹部１ａ・１ｂの開口を塞ぐ
平板状のフランジ部材５ａ・５ｂが銀−銅ろう等のろう
材６ａ・６ｂを介して接合されており、このフランジ部
材５ａ・５ｂはセラミック基体１の凹部１ａ・１ｂの開
口部周囲に銀−銅ろう等のろう材７ａ・７ｂによりろう
付けする等の方法により取着されている。
端側にセラミック基体１の凹部１ａ・１ｂの開口を塞ぐ
平板状のフランジ部材５ａ・５ｂが銀−銅ろう等のろう
材６ａ・６ｂを介して接合されており、このフランジ部
材５ａ・５ｂはセラミック基体１の凹部１ａ・１ｂの開
口部周囲に銀−銅ろう等のろう材７ａ・７ｂによりろう
付けする等の方法により取着されている。
【００２２】フランジ部材５ａ・５ｂは、例えば鉄−ニ
ッケル−コバルト合金等の金属から成る平板であり、そ
の中央部に端子電極部材３ａ・３ｂを挿通可能な貫通孔
を有しており、この貫通孔内に端子電極部材３ａ・３ｂ
の下端部等が挿通ろう付けされて接合されているととも
に、上面外周部がセラミック基体１下面の凹部１ａ・１
ｂの開口部周囲に、その部分に被着された金属層８ａ・
８ｂにろう付けすること等により取着されている。この
フランジ部材５ａ・５ｂは、セラミック基体１の凹部１
ａ・１ｂ内に挿入された端子電極部材３ａ・３ｂを所定
位置に支持固定する固定部材として機能する。
ッケル−コバルト合金等の金属から成る平板であり、そ
の中央部に端子電極部材３ａ・３ｂを挿通可能な貫通孔
を有しており、この貫通孔内に端子電極部材３ａ・３ｂ
の下端部等が挿通ろう付けされて接合されているととも
に、上面外周部がセラミック基体１下面の凹部１ａ・１
ｂの開口部周囲に、その部分に被着された金属層８ａ・
８ｂにろう付けすること等により取着されている。この
フランジ部材５ａ・５ｂは、セラミック基体１の凹部１
ａ・１ｂ内に挿入された端子電極部材３ａ・３ｂを所定
位置に支持固定する固定部材として機能する。
【００２３】そして、端子電極部材３ａ・３ｂの上端面
と内部電極２ａ・２ｂの凹部１ａ・１ｂの露出部とを、
および端子電極部材３ａ・３ｂとフランジ部材５ａ・５
ｂとを、ならびにフランジ部材５ａ・５ｂとセラミック
基体１とを、それぞれ銀−銅ろう等のろう材４ａ・４ｂ
および６ａ・６ｂならびに７ａ・７ｂを介して取着あま
いは接合するには、例えば先ず、端子電極部材３ａ・３
ｂの下端部をフランジ部材５ａ・５ｂの貫通孔に挿通さ
せてこれらを銀−銅ろう材等のろう材６ａ・６ｂを介し
て接合し、次に端子電極部材３ａ・３ｂをセラミック基
体１の凹部１ａ・１ｂ内に、この凹部１ａ・１ｂの内壁
との間に隙間を有するようにして挿入するとともに端子
電極部材３ａ・３ｂの上端面と内部電極２ａ・２ｂの露
出部とを、およびフランジ部材５ａ・５ｂとセラミック
基体１とを、それぞれ銀−銅ろう等のろう材４ａ・４ｂ
および６ａ・６ｂならびに７ａ・７ｂを介して取着ある
いは接合する方法が採用される。
と内部電極２ａ・２ｂの凹部１ａ・１ｂの露出部とを、
および端子電極部材３ａ・３ｂとフランジ部材５ａ・５
ｂとを、ならびにフランジ部材５ａ・５ｂとセラミック
基体１とを、それぞれ銀−銅ろう等のろう材４ａ・４ｂ
および６ａ・６ｂならびに７ａ・７ｂを介して取着あま
いは接合するには、例えば先ず、端子電極部材３ａ・３
ｂの下端部をフランジ部材５ａ・５ｂの貫通孔に挿通さ
せてこれらを銀−銅ろう材等のろう材６ａ・６ｂを介し
て接合し、次に端子電極部材３ａ・３ｂをセラミック基
体１の凹部１ａ・１ｂ内に、この凹部１ａ・１ｂの内壁
との間に隙間を有するようにして挿入するとともに端子
電極部材３ａ・３ｂの上端面と内部電極２ａ・２ｂの露
出部とを、およびフランジ部材５ａ・５ｂとセラミック
基体１とを、それぞれ銀−銅ろう等のろう材４ａ・４ｂ
および６ａ・６ｂならびに７ａ・７ｂを介して取着ある
いは接合する方法が採用される。
【００２４】このとき、端子電極部材３ａ・３ｂは、セ
ラミック基体１の凹部１ａ・１ｂの内壁との間に隙間を
有するようにして挿入されていることから、凹部１ａ・
１ｂ内壁から束縛されることはないので、ろう付け時に
発生する熱応力は端子電極部材３ａ・３ｂが変形するこ
とによって良好に吸収され、さらに、平板状のフランジ
部材５ａ・５ｂも、その外周部のみがセラミック基体１
に接合されているので、その中央部が変形することによ
ってろう付け時に発生する熱応力を良好に吸収緩和す
る。従って、セラミック基体１の凹部１ａ・１ｂ近傍に
ろう付け時に発生する応力が大きく内在することはな
く、このため、これにシリコンウエハ等を加熱する際な
どの熱による熱応力が繰り返し印加されても、この応力
がセラミック基体１に内在する応力とあいまってセラミ
ック基体１にクラックを発生させることはなく、端子電
極部材３ａ・３ｂと内部電極２ａ・２ｂとの電気的接続
を長期間にわたり確実なものとすることが可能となる。
ラミック基体１の凹部１ａ・１ｂの内壁との間に隙間を
有するようにして挿入されていることから、凹部１ａ・
１ｂ内壁から束縛されることはないので、ろう付け時に
発生する熱応力は端子電極部材３ａ・３ｂが変形するこ
とによって良好に吸収され、さらに、平板状のフランジ
部材５ａ・５ｂも、その外周部のみがセラミック基体１
に接合されているので、その中央部が変形することによ
ってろう付け時に発生する熱応力を良好に吸収緩和す
る。従って、セラミック基体１の凹部１ａ・１ｂ近傍に
ろう付け時に発生する応力が大きく内在することはな
く、このため、これにシリコンウエハ等を加熱する際な
どの熱による熱応力が繰り返し印加されても、この応力
がセラミック基体１に内在する応力とあいまってセラミ
ック基体１にクラックを発生させることはなく、端子電
極部材３ａ・３ｂと内部電極２ａ・２ｂとの電気的接続
を長期間にわたり確実なものとすることが可能となる。
【００２５】なお、セラミック基体１の凹部１ａ・１ｂ
の開口部周囲には、例えばタングステンやモリブデン等
の高融点金属メタライズ層や銀−銅−チタン等の活性金
属メタライズ層等から成るメタライズ金属層８ａ・８ｂ
が被着されており、このメタライズ金属層８ａ・８ｂと
フランジ部材５ａ・５ｂとをろう材７ａ・７ｂによりろ
う付けすること等により、フランジ部材５ａ・５ｂがセ
ラミック基体１に取着されている。
の開口部周囲には、例えばタングステンやモリブデン等
の高融点金属メタライズ層や銀−銅−チタン等の活性金
属メタライズ層等から成るメタライズ金属層８ａ・８ｂ
が被着されており、このメタライズ金属層８ａ・８ｂと
フランジ部材５ａ・５ｂとをろう材７ａ・７ｂによりろ
う付けすること等により、フランジ部材５ａ・５ｂがセ
ラミック基体１に取着されている。
【００２６】かくして本発明の端子構造によれば、セラ
ミック基体１の凹部１ａ・１ｂ内に金属製の端子電極部
材３ａ・３ｂをセラミック基体１に大きな熱応力を内在
させることなく取り付けることができ、セラミック基体
１内部に埋設された内部電極２ａ・２ｂと端子電極部材
３ａ・３ｂとを長期間にわたり確実に電気的に接続する
ことができる、信頼性の高い端子構造となる。
ミック基体１の凹部１ａ・１ｂ内に金属製の端子電極部
材３ａ・３ｂをセラミック基体１に大きな熱応力を内在
させることなく取り付けることができ、セラミック基体
１内部に埋設された内部電極２ａ・２ｂと端子電極部材
３ａ・３ｂとを長期間にわたり確実に電気的に接続する
ことができる、信頼性の高い端子構造となる。
【００２７】なお、本発明の端子構造は上述の実施の形
態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱
しない範囲であれば種々の変更を加えることは何ら差し
支えない。
態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱
しない範囲であれば種々の変更を加えることは何ら差し
支えない。
【００２８】例えば、上述の実施の形態の例ではセラミ
ック基体１の凹部１ａ・１ｂは内部電極２ａ・２ｂに到
達してその底面に内部電極２ａ・２ｂの一部を露出させ
ていたが、凹部１ａ・１ｂは、図３に図２と同様の拡大
断面図で示すように、内部電極２ａ・２ｂを貫通してそ
の内壁に内部電極２ａ・２ｂを露出させていてもよい。
このような場合には、例えば凹部１ａ・１ｂの底面から
内部電極２ａ・２ｂが露出した内壁にかけて銀−銅−チ
タン等から成る活性金属メタライズ層９ａ・９ｂを被着
させておき、これに端子電極部材３ａ・３ｂの端面を直
接、あるいは銀−銅ろう等のろう材を介して接合するよ
うな構成等により、端子電極部材３ａ・３ｂの端面と内
部電極２ａ・２ｂとが電気的に接続されるようにして取
着させればよい。
ック基体１の凹部１ａ・１ｂは内部電極２ａ・２ｂに到
達してその底面に内部電極２ａ・２ｂの一部を露出させ
ていたが、凹部１ａ・１ｂは、図３に図２と同様の拡大
断面図で示すように、内部電極２ａ・２ｂを貫通してそ
の内壁に内部電極２ａ・２ｂを露出させていてもよい。
このような場合には、例えば凹部１ａ・１ｂの底面から
内部電極２ａ・２ｂが露出した内壁にかけて銀−銅−チ
タン等から成る活性金属メタライズ層９ａ・９ｂを被着
させておき、これに端子電極部材３ａ・３ｂの端面を直
接、あるいは銀−銅ろう等のろう材を介して接合するよ
うな構成等により、端子電極部材３ａ・３ｂの端面と内
部電極２ａ・２ｂとが電気的に接続されるようにして取
着させればよい。
【００２９】
【発明の効果】本発明の端子構造によれば、端子電極部
材は、セラミック基体に埋設された内部電極を露出させ
るよう形成された凹部の内壁との間に隙間を有するよう
にして凹部内に挿入されるとともにその端面が内部電極
と電気的に接続されるようにして取着されており、さら
にセラミック基体の凹部の開口部周囲に開口を塞ぐよう
に取着された平板状のフランジ部材に接合されているこ
とから、凹部内において端子電極部材がセラミック基体
の凹部内壁からの束縛を受けずに変形可能であるととも
に端子電極部材に接合された板状のフランジ部材も変形
可能であるので、端子電極部材をセラミック基体の凹部
内に挿入してろう付けにより取着する際に両者間に熱応
力が発生しても、この熱応力は端子電極部材およびフラ
ンジ部材が変形することによって良好に吸収緩和され、
凹部近傍のセラミック基体の内部に熱応力が大きく内在
してしまうことはなく、従って、これに加熱による熱応
力が繰り返し印加されてもこの応力がセラミック基体に
内在する熱応力とあいまってセラミック基体にクラック
を発生させたりすることがなく、端子電極部材とセラミ
ック基体の内部に埋設された内部電極とを長期間にわた
り確実に電気的に接続できる。
材は、セラミック基体に埋設された内部電極を露出させ
るよう形成された凹部の内壁との間に隙間を有するよう
にして凹部内に挿入されるとともにその端面が内部電極
と電気的に接続されるようにして取着されており、さら
にセラミック基体の凹部の開口部周囲に開口を塞ぐよう
に取着された平板状のフランジ部材に接合されているこ
とから、凹部内において端子電極部材がセラミック基体
の凹部内壁からの束縛を受けずに変形可能であるととも
に端子電極部材に接合された板状のフランジ部材も変形
可能であるので、端子電極部材をセラミック基体の凹部
内に挿入してろう付けにより取着する際に両者間に熱応
力が発生しても、この熱応力は端子電極部材およびフラ
ンジ部材が変形することによって良好に吸収緩和され、
凹部近傍のセラミック基体の内部に熱応力が大きく内在
してしまうことはなく、従って、これに加熱による熱応
力が繰り返し印加されてもこの応力がセラミック基体に
内在する熱応力とあいまってセラミック基体にクラック
を発生させたりすることがなく、端子電極部材とセラミ
ック基体の内部に埋設された内部電極とを長期間にわた
り確実に電気的に接続できる。
【００３０】以上のように、本発明により、加熱による
熱応力が繰り返し印加されてもセラミック基体にクラッ
クを発生させることはなく、端子電極部材とセラミック
基体内部に埋設された内部電極とを長期間にわたり確実
に電気的に接続できる、信頼性の高い端子構造を提供す
ることができた。
熱応力が繰り返し印加されてもセラミック基体にクラッ
クを発生させることはなく、端子電極部材とセラミック
基体内部に埋設された内部電極とを長期間にわたり確実
に電気的に接続できる、信頼性の高い端子構造を提供す
ることができた。
【図１】本発明の端子構造を静電チャックに適用した場
合の実施の形態の一例を示す断面図である。
合の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示す端子構造の要部拡大断面図である。
【図３】本発明の端子構造の実施の形態の他の例を示す
要部拡大断面図である。
要部拡大断面図である。
【図４】静電チャックの例を示す断面図である。
１・・・・・・・・セラミック基体 １ａ、１ｂ・・・・凹部 ２ａ、２ｂ・・・・内部電極 ３ａ、３ｂ・・・・端子電極部材 ５ａ、５ｂ・・・・フランジ部材
Claims (1)
- 【請求項１】 内部電極が埋設されたセラミック基体に
前記内部電極の一部を露出させる凹部を形成し、該凹部
内に棒状の端子電極部材を前記凹部の内壁との間に隙間
を有するようにして挿入するとともに該端子電極部材の
端面を前記凹部底面に、前記端子電極部材と前記内部電
極とが電気的に接続されるようにして取着し、さらに前
記端子電極部材に前記凹部の開口を塞ぐ平板状のフラン
ジ部材を接合させるとともに該フランジ部材を前記セラ
ミック基体の開口部周囲に取着したことを特徴とする端
子構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1840698A JP3752376B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 端子構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1840698A JP3752376B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 端子構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11220011A true JPH11220011A (ja) | 1999-08-10 |
| JP3752376B2 JP3752376B2 (ja) | 2006-03-08 |
Family
ID=11970799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1840698A Expired - Lifetime JP3752376B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 端子構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3752376B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012099856A (ja) * | 2012-02-06 | 2012-05-24 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 半導体製造装置用接続部及び半導体製造装置用接続部の形成方法 |
| JP2017153254A (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 京セラ株式会社 | 半導体製造装置用部品 |
| WO2021095667A1 (ja) * | 2019-11-14 | 2021-05-20 | 京セラ株式会社 | セラミック構造体及びウェハ用システム |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7633738B2 (en) | 2006-11-01 | 2009-12-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Electrostatic chuck and manufacturing method thereof |
-
1998
- 1998-01-30 JP JP1840698A patent/JP3752376B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012099856A (ja) * | 2012-02-06 | 2012-05-24 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 半導体製造装置用接続部及び半導体製造装置用接続部の形成方法 |
| JP2017153254A (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 京セラ株式会社 | 半導体製造装置用部品 |
| WO2021095667A1 (ja) * | 2019-11-14 | 2021-05-20 | 京セラ株式会社 | セラミック構造体及びウェハ用システム |
| JPWO2021095667A1 (ja) * | 2019-11-14 | 2021-05-20 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3752376B2 (ja) | 2006-03-08 |
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