KR20020079552A - 기판처리장치 - Google Patents

기판처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20020079552A
KR20020079552A KR1020020019365A KR20020019365A KR20020079552A KR 20020079552 A KR20020079552 A KR 20020079552A KR 1020020019365 A KR1020020019365 A KR 1020020019365A KR 20020019365 A KR20020019365 A KR 20020019365A KR 20020079552 A KR20020079552 A KR 20020079552A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
substrate
processing apparatus
ceramic
substrate processing
Prior art date
Application number
KR1020020019365A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100778612B1 (ko
Inventor
나쯔하라마스히로
나까따히로히꼬
구이비라아끼라
신마겐지
Original Assignee
스미토모덴키고교가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 스미토모덴키고교가부시키가이샤 filed Critical 스미토모덴키고교가부시키가이샤
Publication of KR20020079552A publication Critical patent/KR20020079552A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100778612B1 publication Critical patent/KR100778612B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T279/00—Chucks or sockets
    • Y10T279/23—Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means

Abstract

본 발명의 기판처리장치에서는, 기판을 탑재하는 세라믹스 모듈(1)은, 전기회로(3a, 3b, 3c)와 세라믹스 기체(2)를 가지는 평판형상부를 가지고, 또한 기판(20)을 탑재하는 면 이외의 평판형상부의 적어도 일부의 면이 챔버(4)와 접촉함으로써 챔버(4)에 지지되어 있다.
이에 따라, 균열성을 양호하게 할 수 있고, 비용을 저감할 수 있으며, 장치의 소형화에 유리하면서도 급전용 도전부재 등의 부착 제한을 완화할 수 있는 기판처리장치를 얻을 수 있다.

Description

기판처리장치{Substrate Processing Apparatus}
본 발명은, 플라즈마 CVD(Chemical Vapor Deposition), 감압 CVD, 메탈 CVD, 절연막 CVD, 이온 주입, 에칭 등의 처리에 사용되는 기판처리장치에 관한 것이다.
기판처리장치로서 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판을 처리하기 위한 반도체제조장치에 있어서, 웨이퍼를 탑재·가열하기 위한 서셉터(세라믹스 모듈)가 여러 가지 제안되어, 그 중 몇 개는 실용화되기에 이르러 있다.
예를 들면, 특공평6-28258호 공보에는, 도8에 도시하는 바와 같은 반도체 웨이퍼 가열장치가 제안되어 있다.
도8을 참조하여, 이 반도체 웨이퍼 가열장치(101)는, 원반형 히터부(102)와 원주형 지지부(105)가 일체화된 단면 T자형을 가지고 있다. 원반형 히터부(102)는 세라믹스로 이루어지고, 그 내부에 발열 저항체(103)가 스파이럴형으로 매설되어있다.
원주형 지지부(105)는, 웨이퍼 가열면(102a)의 이면 중앙부에 접합되어 있다. 이 원주형 지지부(105)의 외주면과 챔버(4)의 사이가 O-링(109)에 의해 기밀실되어 있다. 그리고, 열전쌍(111)과 2개의 전극(103a)이 원반형 히터부(102) 및 원주형 지지부(105)에 매설되어, 원주형 지지부(105)의 상측 단면에서 챔버(4)밖으로 꺼내져 있다.
이러한 가열장치(101)에 있어서, 전극(103a)을 통해 발열 저항체(103)의 단부에 전력이 공급되는 것에 의해, 발열 저항체(103)가 발열하여, 웨이퍼 가열면(102a)이 가열된다.
이 공보에 따르면, 이 가열장치(101)에서는 금속 히터와 같은 오염을 방지할 수 있고, 또 간접가열방식의 경우와 같이 열효율의 나쁨이나, 적외선 투과창에의 열부착과 같은 문제를 일으키지 않고, 더욱이 전극의 부식이나 전극간, 전극 케이스 등의 방전, 누전도 방지할 수 있다고 되어 있다.
그렇지만, 상기 구조의 가열장치(101)에서는, 발열 저항체(103)가 매설된 원반형 히터부(102)에 원주형 지지부(105)를 부착할 필요가 있다. 이 때문에 구조가 복잡해지고, 비용이 대폭적으로 증대되어 있다. 또 원주형 지지부(105)는 원반형 히터부(102)를 지지하기 위해서, 아무래도 단면적, 열용량이 함께 커지지 않을 수 없다. 이 때문에, 발열 저항체(103)에서 발생한 열이 원주형 지지부(105)에 전열됨으로써, 원반형 히터부(102)의 웨이퍼 가열면(102a)의 균열성이 흐트러진다고 하는 문제점이 있다.
또, 원주형 지지부(105)와 챔버(4)의 접촉부에서 O-링(109)을 이용해서 기밀실을 취하기 때문에, 200℃ 이하까지 온도를 내리는 것이 필요시 된다. 이 때문에, 원주형 지지부(105)의 길이가 200mm 이상의 길이가 되어, 장치의 높이를 작게 할 수 없다고 하는 큰 문제가 있었다.
게다가, 원주형 지지부(105)는 원반형 히터부(102)를 지지하기 위해서, 아무래도 원반형 히터부(102)의 이면 중앙부에 부착되는 경우가 많고, 발열 저항체(103)에 전기적으로 접속되는 급전용 도전부재나 열전쌍의 부착위치에 대한 제약도 컸다.
본 발명의 목적은, 균열성을 양호하게 할 수 있고, 비용을 저감할 수 있으며, 장치의 소형화에 유리하면서도 급전용 도전부재 등의 부착제한을 완화할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 기판처리장치는, 챔버 내에서 기판을 기판 유지체에 탑재한 상태로 처리하는 기판처리장치로서, 기판 유지체는 전기회로와 세라믹스 기체를 가지는 평판형상부를 가지고, 또 기판을 탑재하는 면 이외의 평판형상부의 적어도 일부의 면이 챔버와 접촉하는 것에 의해 챔버에 지지되어 있다.
본 발명의 기판처리 장치에서는, 세라믹스 기체의 평판형상부가 직접, 챔버에 접촉하고 있기 때문에, 세라믹스 기체 자신에 종래예와 같은 원주형 지지체를 부착할 필요가 없고, 세라믹스 기체를 그대로 챔버 내에 설치할 수 있다. 이와 같이 함으로써, 세라믹스 기체 자신의 구조를 상당히 간략화할 수 있다.
본 발명자들은, 이들 구조가 제조 장치상 가능한지의 여부에 대해서 설계와 실험을 반복하여, 이하의 이유에 의해서 1기압 미만의 감압 하에서도 기판의 처리가 가능한 것을 발견했다.
본 발명의 기판처리장치에 있어서는, 세라믹스 기체와 챔버의 사이는 미시적으로 보면 점접촉으로 접촉하고 있을 뿐이며, 그 접촉면적은 상당히 작은 것이 된다. 이 때문에, 전열에 의해 세라믹스 기체로부터 챔버로 전해지는 열량은 비교적 작은 것이 된다. 또 챔버내의 분위기는, 통상, 1기압 이하의 감압하이기 때문에, 대류에 의해 세라믹스 기체로부터 챔버로 전해지는 열량도 작은 것이 된다. 또 일반적으로 챔버는 금속제이기 때문에, 방사율이 세라믹스 기체보다도 낮다.
이 때문에, 세라믹스 기체에서 발생한 열이 복사에 의해 챔버측으로 방사되었다고 하더라도, 그 대부분은 챔버측에서 반사되어, 다시 세라믹스 기체측에서 흡수되기 때문에, 세라믹스 기체로부터 챔버에 전해지는 열은 비교적 작은 것이 된다.
이상과 같이, 전열, 대류, 복사 모두 세라믹스 기체로부터 챔버로 전해지는 열량은 작은 것이 되고, 또 그 전열 밀도도 접촉확률에 의존해서 균일하게 되어, 세라믹스 기체상의 국부가 집중적으로 챔버로 전열되는 경우도 없기 때문에, 기판 탑재면의 균열성에의 영향은 작은 것이 된다. 이 때문에, 기판 탑재면에 있어서의 균열성이 뛰어난 기판처리장치를 얻을 수 있다.
또한, 종래예와 같은 원주형 지지부가 불필요해지기 때문에, 대폭적인 비용저감이 가능해지고, 또 급전용 도전부재 등의 설치제한도 완화할 수 있다.
또, 종래예와 같이 200mm 이상의 길이를 가지는 원주형 지지부가 존재하지 않기 때문에, 챔버 자체를 소형화 할 수 있다. 또한, 챔버가 소형화 할 수 있는 점에서, 기판처리장치 자체의 소형화도 가능해진다.
또한, 평판형상부의 챔버에의 고정방법은, 예를 들면 챔버내의 평판형상부를 설치하고 싶은 부분에, 평판형상부의 외형보다도 약간 큰 오목부를 형성하고, 거기에 끼워 넣는 것만으로 설치 가능해진다. 이와 같이 평판형상부에 볼록부를 형성하지 않고서, 기판 탑재면에 기판을 탑재하고, 1기압 미만의 감압하에서 각종 CVD, 에칭 등의 처리를 실시할 수 있다.
본 발명에 있어서의 「기판처리장치」에는 반도체 제조장치나 액정기판 제조장치가 포함되고, 「기판」에는 반도체 웨이퍼나 액정용의 투명기판(유리 기판)이 포함된다.
상기의 기판처리장치에 있어서 바람직하게는, 전기회로는, 발열 저항체, 정전 척용 전극 및 RF(Radio Frequency)전극으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함한다.
이와 같이 전기회로로서 발열 저항체, 정전 척용 전극, RF전극을 단독으로, 또는 각종의 조합으로 가짐으로써, 각종 조건에 따른 기판의 처리가 가능해진다. 또한, 발열 저항체, 정전 척용 전극, RF전극의 어떻게 조합시키느냐에 대해서는, 처리하는 조건에 따라 적절히 선택된다.
여기에서, 정전 척용 전극, RF전극은, 발열 저항체와 같이 직접 발열하는 경우는 없지만, 정전 척의 경우는 예를 들면 에칭시, RF 전극의 경우는 플라즈마 발생시에 열이 발생하고, 그 온도분포가 웨이퍼나 액정용 기판에의 처리에 대해서 영향을 준다. 그러나, 본 발명의 기판처리 장치에서는, 상술한 바와 같이 세라믹스 기체가 챔버에 직접 접하고 있기 때문에, 정전 척용 전극이나 RF전극에서 생기는 온도분포는 종래의 구조에 비교해서 상당히 균일한 것이 된다.
상기의 기판처리장치에 있어서 바람직하게는, 서로 접촉하는 평판형상부와 챔버의 사이에 미소한 틈이 존재한다.
다시 말해, 서로 접촉하는 평판형상부와 챔버의 사이에는 미소한 틈이 존재하는 것에 의해, 평판형상부와 챔버는 미시적으로 보면 점접촉으로 접촉하고 있고, 그 접촉면적은 상당히 작은 것이 된다. 이 때문에, 상술한 바와 같이 전열에 의해 평판형상부에서 챔버로 전해지는 열량은 비교적 작은 것이 된다.
상기의 기판처리장치에 있어서 바람직하게는, 전기회로에 전기적으로 접속되어 챔버외부로 끌어내어지는 급전용 도전부재와, 세라믹스 기체의 온도를 측정하기 위해서 챔버외부에서 내부로 끼워 넣어지는 온도 측정용 단자를 더 구비할 수 있다. 급전용 도전부재와 온도 측정용 단자가 챔버를 통과하는 부분은, 챔버측에서 기밀봉되어 있다.
본 발명의 구조의 경우에 있어서, 발열 저항체, 정전 척용 전극, RF전극 등의 전기회로를 세라믹스 기체에 형성하고 있기 때문에, 챔버 밖으로 급전용 도전부재를 끌어 낼 필요가 있다. 또 세라믹스 기체 자신의 온도를 측정하기 위한 온도 측정용 센서로서, 열전쌍을 사용했을 경우에 있어서도, 급전용 도전부재와 마찬가지로, 열전쌍의 리드부를 챔버 밖으로 끌어 낼 필요가 있다. 그러나 챔버 안은 1기압이하의 감압하에서 웨이퍼 또는 액정용 기판을 처리하기 위해서, 챔버내의 기밀을 확보할 필요가 있다. 기밀을 확보하는 방법으로서는, 세라믹스 기체로부터 끌어내어진 급전단자나 열전쌍을 챔버와의 사이에서 기밀봉할 필요가 있다. 이 기밀봉하기 위한 수법으로서는, 예를 들면 고무 등의 수지제, O-링을 사용할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서 「챔버측에서 기밀봉」이란, 세라믹스 기체 이외의 부재와 챔버의 사이에서 기밀봉되어 있는 것을 의미한다.
상기의 기판처리장치에 있어서 바람직하게는, 급전용 도전부재는 적어도 챔버 내에서는 세라믹스 기체와 동일한 재료의 제1의 피복부재로 덮어져 있다.
이와 같이 급전용 도전부재를 세라믹스 기체와 동일한 재료의 피복부재로 덮는 것에 의해, 챔버 내에서 사용하는 가스나 플라즈마 등의 영향에 의한 각 급전용 도전부재의 부식을 방지할 수 있다. 이 피복부재는, 세라믹스 기체와 접합되어, 챔버에 대하여 기밀성을 유지할 수 있고, 더욱이 챔버와 외부의 기밀봉 부분, 예를 들면 챔버에 부착된 O-링까지 연장시키는 것으로 외부와의 기밀성을 확보할 수 있다.
세라믹스 기체와 피복부재의 접합방법에 관해서는 특별히 제약은 없고, 접합의 수법으로서는, 공지의 수법을 사용할 수 있다. 예를 들면 티탄 등의 활성금속을 함유한 금속 땜납재를 이용해서 접합할 수 있다. 혹은 접합부의 세라믹스 기체상 또는 피복부재상에 금속막, 예를 들면 증착 등의 박막법이나, 스크린 인쇄에 의한 후막법 등에 의해 금속화층을 형성하고, 필요에 따라서 도금을 하고, 땜납재에의해 접합하는 방법, 나아가서는 유리나 세라믹스 등을 접합층으로서 사용할 수 있다. 이들 접합층은, 사용하는 조건에 따라 적절히 선택할 수 있다.
상기의 기판처리장치에 있어서 바람직하게는, 온도 측정용 단자는 적어도 챔버 내에서는 세라믹스 기체와 동일한 재료의 제2의 피복부재로 덮여져 있다.
온도 측정용 센서가 예를 들면 열전쌍인 경우, 그 열전쌍은 세라믹스 기체에 근접해서 배치되어, 세라믹스 기체의 온도를 측정하는데 이용할 수 있다. 이 때 열전쌍을 세라믹스 기체와 동일한 재료의 피복부재로 덮는 것에 의해, 챔버 내에서 사용하는 가스나 플라즈마 등의 영향에 의한 단자의 부식을 막을 수 있다
또한 챔버와 외부의 기밀봉 부분, 예를 들면 챔버에 부착된 O-링까지 피복부재를 연장시킴으로써 외부와의 기밀성을 확보할 수 있다. 또한, 세라믹스 기체와 피복부재를 접합시키는 것도 가능하다. 이 경우의 접합방법에 관해서는 특별히 제약은 없고, 공지의 수법을 사용할 수 있다. 예를 들면 티탄 등의 활성금속을 함유한 금속 땜납재를 이용해서 접합할 수 있다. 혹은 접합부의 세라믹스 기체상 또는 피복상에 금속막, 예를 들면 증착 등의 박막법이나, 스크린 인쇄에 의한 후막법 등에 의해 금속화층을 형성하고, 필요에 따라서 도금을 하고, 땜납재에 의해 접합하는 방법, 나아가서는 유리나 세라믹스 등을 접합층으로서 사용할 수 있다. 이들 접합층은, 사용하는 조건에 따라 적절히 선택할 수 있다.
이와 같이 급전용 도전부재나 온도 측정용 센서를 세라믹스와 동일한 재료의 피복부재로 덮을 경우, 이 피복부재 중에 급전용 도전부재나 온도 측정용 센서를 복수 포함할 수도 있다. 이와 같이 하면 피복부재의 개수를 줄일 수 있다.
또한 이 피복부재는, 상술한 바와 같이 챔버내의 분위기에서 급전용 도전부재나 온도 측정용 센서를 보호하기 위한 역할을 하는 것이고, 세라믹스 기체를 챔버에 대하여 지지하는 것은 아니다. 이 때문에, 이 피복부재의 사이즈는 종래예의 원주형 지지부의 사이즈보다도 현격히 작게 할 수 있다. 이에 따라, 피복부재의 세라믹스 기체와의 접합·접촉면적도 작게 할 수 있고, 피복부재 자신의 열용량도 작게 할 수 있다. 따라서, 피복부재에 전해지는 열량은 작아지고, 세라믹스 기체의 기판 탑재면의 균열성을 종래와 같이 크게 손상시키는 일은 없다.
또한 이 피복부재는, 세라믹스 기체를 챔버에 대해서 지지하지 않기 때문에, 단면적을 작게 하는 것이 가능하고, 부착위치에 제약이 없다. 이 때문에, 종래예에서는 원반형 히터부의 중앙 1개소에 보유기능을 부여해서 원주형 지지부를 부착하지 않을 수 없었던 것에 대해, 본 발명에서는 피복부재를 세라믹스 기체의 기판 탑재면 이외의 복수개소에 설치하는 것이 가능하다. 이 때문에, 전기회로를 설계할 때의 전극위치를 자유롭게 설계할 수 있다. 또 온도 측정용 센서에 대해서도, 세라믹스 기체의 기판 탑재면 이외의 면에 자유롭게 부착할 수 있기 때문에, 필요한 부분을 몇 개소라도 측정할 수 있고, 세라믹스 기체의 온도를 보다 고정밀도로 모니터하고, 또한 제어하는 것이 가능해진다.
상기의 기판처리장치에 있어서 바람직하게는, 전기회로에 전기적으로 접속되어 챔버외부로 끌어내어지는 급전용 도전부재와, 세라믹스 기체의 온도를 측정하기 위해서 챔버외부에서 내부에 끼워 넣어지는 온도 측정용 단자가 더 구비되어 있다. 급전용 도전부재와 온도 측정용 단자가 챔버를 통과하는 부분은, 평판형상부와 챔버가 접합하는 것에 의해 기밀봉되어 있다.
이와 같이, 평판형상부가 부분적으로 챔버에 접합하는 것에 의해, 온도 측정용 센서나 급전 단자의 기밀성을 유지할 수도 있다. 챔버와 평판형상부의 접합방법으로서는 특별히 제약은 없다. 예를 들면 은, 동, 금, 백금, 팔라듐, 니켈, 알루미늄, 티탄, 니오브 등의 활성금속을 함유하는 땜납재를 사용할 수도 있다. 땜납재의 사용방법으로서는, 예를 들면 티탄 등의 활성금속을 함유하는 금속 땜납재로 직접 접합하는 것이 가능하다. 또 봉하여 막고 싶은 부분의 세라믹스에 금속을 박막법으로 증착시키고, 그 위에 땜납재를 흘리는 것으로 접합할 수도 있다. 나아가서는 유리에 의해, 챔버와 평판형상부를 접합하는 것도 가능하다. 그러나, 반도체나 액정기판의 처리 프로세스에 따라서는 상기 땜납재, 증착막, 유리등의 재료 중 사용할 수 없는 것도 존재하기 때문에, 그 용도에 따라서 적절한 재료를 선택할 필요가 있다.
상기의 기판처리장치에 있어서 바람직하게는, 적어도 평판형상부와 접촉하는 챔버의 면이 경면이다.
세라믹스 기체에서 발생한 열은, 상술한 바와 같이 복사, 전열, 대류에 의해 챔버에 전해진다. 이 때 챔버측이 경면이면, 세라믹스 기체로부터 복사된 열이 챔버측에서 반사되는 비율이 높아지고, 챔버측에 전해지는 열량이 대폭 감소하여, 온도 상승을 억제하는 데에 큰 효과가 있다.
상기의 기판처리장치에 있어서 바람직하게는, 기판 유지체의 기판 탑재면 이외의 적어도 일부의 면이 경면이다.
세라믹스 기체 내에서 발생한 열이 세라믹스 기체 외부로 복사될 때, 기판 유지체의 표면이 경면이면, 표면에서 열이 반사되는 비율이 높아지고, 기판 유지체의 외부로의 열복사의 비율이 저하한다. 이 때문에, 챔버의 온도상승을 억제할 수 있다. 단, 웨이퍼 및 액정기판의 탑재면은 웨이퍼 및 액정기판을 가열할 필요가 있기 때문에, 경면으로 할 필요는 없다.
상기의 기판처리장치에 있어서 바람직하게는, 적어도 평판형상부가 접촉하는 챔버의 면 및 기판 유지체의 기판 탑재면 이외의 적어도 일부의 면의 적어도 어느 쪽인가의 표면 거칠기가, Ra≤O.2㎛이다.
상술한 바와 같이 적어도 평판형상부와 접촉하는 챔버의 면 또는 기판 유지체의 기판 탑재면 이외의 적어도 일부의 면이 경면이면, 챔버의 온도상승을 효과적으로 억제할 수 있다. 구체적으로는, 표면 거칠기가 Ra≤0.2㎛이면, 보다 효과적으로 온도상승을 억제할 수 있다. 이와 같이 함으로써, 챔버의 온도상승을 억제할 수 있는 동시에, 세라믹스 기체에 형성된 발열 저항체의 발열량, 즉 출력을 저하시킬 수도 있다.
상기의 기판처리장치에 있어서 바람직하게는, 챔버의 평판형상부가 접촉하는 부분 부근에 설치된 냉각장치가 더 구비되어 있다.
세라믹스 기체로부터 챔버에의 열 전달량은 작지만, 상기 복사, 전열, 대류나, 급전용 도전부재, 온도 측정용 센서의 리드 및 피복부재 등이 전달되어 챔버에 어느 정도의 열이 전해진다. 이 때 외부와 기밀봉되어 있는 고무 등의 수지제 O-링이 열적으로 열화하여 기밀성을 유지할 수 없게 되는 것을 이 냉각장치에 의해방지할 수 있다.
냉각장치로서는, 챔버의 온도상승의 정도에 따라 여러 가지 수법을 선택할 수 있다. 예를 들면 온도상승이 작은 경우에는 핀 등을 부착하고, 더욱 온도 상승할 경우에는 그 핀에 팬을 부착하는 것도 가능하다. 또 물 등의 냉매를 이용한 냉액의 냉각장치를 부착하는 것도 가능하다. 나아가서는 이들 수법을 조합시키는 것에 의해, 효율적으로 챔버를 냉각하는 것도 가능하다.
또한 챔버와 외부의 기밀성을 확보하고 있는 고무 등의 수지제 O-링을 열적으로 보호하기 위해서, 냉각장치가 부착된 챔버와 피복부재의 틈을 열전도성 부재로 채울 수도 있다. 구체적으로는 O-링이 부착되어 있는 상기 챔버의 외기측에 있어서, 피복부재와 챔버의 사이에 연질금속, 예를 들면 인듐 등을 충전하는 것에 의해 피복부재에 전해진 열을 상기 챔버측에 리크시켜, O-링 부근의 온도를 저하시킬 수 있다. 이것에 의해, O-링의 수명을 향상시키는 동시에, 기밀성의 신뢰도를 향상시킬 수 있다. 즉, 세라믹스 기체에 설치된 발열 저항체가 폭주하여, 이상 발열한 경우에 있어서도 O-링이 열적으로 파괴되어 챔버 안이 대기 리크하는 것은 없어진다.
상기의 기판처리장치에 있어서 바람직하게는, 기판 유지체에 탑재된 기판을 기판 유지체에서 밀어 올리기 위해서 챔버 외부에서 내부로 끼워 통해진 밀어올림핀이 더 구비되어 있다. 이 밀어올림핀이 챔버를 통과하는 부분은, 밀어올림핀과 챔버의 사이에서 기밀봉되어 있다.
이와 같이 웨이퍼 혹은 액정용 기판을 기판 유지체의 기판 탑재면에서 떼어낼 때에 밀어올림핀을 사용하는 것도 가능하다. 이 밀어올림핀이 챔버 밖으로 꺼내질 경우에는, 챔버가 감압하에서 사용되고 있기 때문에, 밀어올림핀도 기밀봉할 필요가 있다. 이 경우의 봉하여 막는 방법으로서는 특별히 제약은 없지만, 예를 들면 고무 등의 수지제 O-링 등을 사용할 수 있다.
상기의 기판처리장치에 있어서 바람직하게는, 기판처리장치는 133×10Pa 이하의 감압하에서 사용된다.
이러한 133×10Pa 이하의 감압하에서는, 세라믹스로부터 챔버로의 대류에 의한 열 전달량도 적어지기 때문에, 이러한 감압하에서의 사용이 특히 바람직하다.
상기의 기판처리장치에 있어서 바람직하게는, 기판처리장치는, 플라즈마를 이용한 화학기상 성장, 감압하에서의 화학기상 성장, 금속층을 형성하기 위한 화학기상 성장, 절연막을 형성하기 위한 화학기상 성장, 이온 주입, 에칭 중 어느 처리에 사용된다.
상술한 바와 같이 각 부의 기밀봉을 행하는 것에 의해, 1기압 이하의 감압하에서도 아무런 문제없이 사용할 수 있기 때문에, 플라즈마를 이용한 화학기상 성장, 감압하에서의 화학기상 성장, 금속층을 형성하기 위한 화학기상 성장, 절연막을 형성하기 위한 화학기상 성장, 이온 주입, 플라즈마 에칭, 광 에칭에 바람직하게 사용할 수 있다.
상기의 기판처리장치에 있어서 바람직하게는, 세라믹스 기체가 산화알루미늄, 질화알루미늄, 질화규소 및 탄화규소로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상을 함유한다.
이들 세라믹스는, 일반적으로 내열성이 있고, 치밀질이기 때문에 비교적 내식성이 강한 세라믹스이다. 이에 따라, 양호한 내열성 및 내식성을 양립한 기판처리장치를 얻을 수 있다.
상기의 기판처리장치에 있어서 바람직하게는, 세라믹스 기체가 질화알루미늄이다.
상기 세라믹스 중 산화알루미늄(알루미나)은 특별히 플라즈마 에칭을 할 때에 매우 적합하다. 탄화규소에 대해서는 소결조제를 첨가하지 않고 소결한 고순도 탄화규소 소결체가 이용된다.
그렇지만, 상기 세라믹스 중, 알루미나는 열전도율이 낮기 때문에 내열 충격성이 낮고, 반도체 제조공정 중에서 급격한 온도의 상승, 강하를 할 수 없다고 하는 문제점을 가진다. 또한, 탄화규소에 관해서는, 탄화규소 자신에게 도전성이 있기 때문에, 전기회로를 직접 형성할 수 없다고 하는 문제점이 있다. 그것에 대해서 질화알루미늄은 특히 내식성이 뛰어날 뿐만 아니라, 열전도율도 비교적 높기 때문에, 내열 충격성이 뛰어나고, 반도체 제조공정 중에 있어서 급격한 온도의 상승, 강하가 가능하게 될 뿐만 아니라, 발열 저항체를 가질 경우에는, 기판 탑재면의 온도 편차가 비교적 작아지기 때문에 안정된 기판의 처리를 행할 수 있다.
상기의 기판처리장치에 있어서 바람직하게는, 세라믹스 기체는 희토류를 함유하는 소결조제를 함유하고 있다.
상술한 바와 같이 세라믹스 기체의 재료로서 질화알루미늄을 이용하면, 급격한 온도의 상승, 강하가 가능해지면서도 안정된 기판의 처리를 행할 수 있다. 그러나, 질화알루미늄은 일반적으로 난소결성 물질이기 때문에, 일반적으로는 소결조제를 적량 첨가함으로써 소결체가 제작된다. 그 때 사용되는 소결조제로서는, 일반적으로 희토류 원소화합물, 혹은 알칼리토류 금속원소 화합물이 이용된다. 이들 중, 알칼리토류 금속화합물을 첨가한 질화알루미늄 소결체의 경우, 기판을 플라즈마나 부식성 가스로 처리할 때에 소결체의 질화알루미늄 입자간에 존재하는 알칼리토류 금속화합물이 에칭되고, 질화알루미늄 입자가 소결체로부터 탈락하여, 파티클로서 챔버 내를 오염시켰을 경우, 웨이퍼나 액정 등의 기판의 특성에 큰 손상을 주는 것이 확인되어 있다. 이 때문에, 실제적으로, 비교적 에칭에 강한 희토류 원소화합물을 소결조제로서 사용하는 것이 바람직하다.
상기의 기판처리장치에 있어서 바람직하게는, 소결조제에 함유되는 희토류는 이트륨이며, 그 소결조제의 함유량이 O.05질량% 이상 1.O질량% 이하이다.
상술한 희토류 중에서도 이트륨은 내식성이 특히 뛰어나다. 이 이트륨을 함유하는 소결조제의 함유량이 O.05질량% 미만인 경우, 소결조제의 양이 지나치게 적기 때문에, 소결체내에 미소한 포아가 생기고, 거기에서 에칭이 진행되어 버린다. 또 이트륨을 함유하는 소결조제의 함유량이 1.O%를 초과한 경우, 질화알루미늄 입자간의 입자경계에 소결조제의 「응집」이 생기고, 여기에서 에칭이 진행되기 쉬워져 버린다.
본 발명으로 제작되는 세라믹스의 제조방법에 관해서는 특별히 제약은 없다. 예를 들면 세라믹스의 원료분말에 대해서 필요에 따라 소결조제를 첨가하고, 다시 바인더, 유기용제를 첨가하여, 볼밀 등의 수법에 의해 혼합하는 방법이 채용되도된다. 완성된 슬러리를 닥터 블레이드법으로 시트 성형하고, 그것을 적층함으로써 성형체를 형성할 수 있다. 또 이들 적층하는 시트에, 텅스텐, 몰리브덴, 탄탈 등의 고융점 금속을 스크린 인쇄 등의 수법에 의해 전기회로를 형성해서 적층하는 것이 가능하다. 완성된 성형체는, 비산화성 분위기 중에서 소정의 온도로 소성함으로써 세라믹스 소결체가 된다. 이 세라믹스 소결체를 필요에 따라서 절단, 연마, 연삭 등의 가공을 하는 것도 가능하다.
도1은, 본 발명의 일 실시형태에 있어서의 기판처리장치의 구성을 개략적으로 도시하는 단면도이고, 도2의 Ⅰ-Ⅰ선에 따른 단면에 대응하는 도.
도2는, 세라믹스 모듈과 챔버의 접촉면내에 있어서의 관통구멍의 배치상태를 도시하는 평면도.
도3은, 열전쌍이 세라믹스 기체에 직접 접하는 모양을 도시하는 개략 단면도.
도4는, 전기회로로서 정전 척용 전극 또는 RF전극을 이용한 경우의 구성을 도시하는 개략 단면도.
도5는, 전기회로로서 발열 저항체, 정전 척용 전극 및 RF전극을 조합해서 이용한 경우의 구성을 도시하는 개략 단면도.
도6은, 발열 저항체의 패턴을 도시하는 평면도.
도7은, 정전 척용 전극 또는 RF전극의 패턴을 도시하는 평면도.
도8은, 일본 특허 공개 평6-28258호 공보에 개시된 반도체 웨이퍼 가열장치의 구성을 개략적으로 도시하는 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1:세라믹스 모듈
2:세라믹스 기체
3a:발열 저항체
3d:급전용 도전부재
4:챔버
5:피복부재
7:열전쌍
8:밀어올림핀
이하, 본 발명의 실시 형태에 관해서 도에 근거하여 설명한다.
도1을 참조하여, 본 실시 형태의 기판처리장치는, 예를 들면 반도체 웨이퍼나 액정용 투명기판 등의 기판을 처리하는 장치이며, 그 기판을 탑재해서 가열하는 세라믹스 모듈(1)과, 그 세라믹스 모듈(1)을 내부에 가지는 챔버(4)를 주로 가지고 있다.
세라믹스 모듈(1)은, 주로 세라믹스 기체(2)로 이루어지는 평판형상을 가지고 있고, 그 세라믹스 기체(2)내에는 전기회로로서 예를 들면 발열 저항체(3a)가 매설되어 있다. 이 세라믹스 모듈(1)의 기판 탑재면(2a)에 반도체 웨이퍼나 액정용 투명기판 등의 기판(20)이 탑재된다. 이 기판(20)의 탑재면과는 반대측의 세라믹스 기체(2)의 면이 챔버(4)와 직접 접촉하는 것에 의해 챔버(4)에 지지되어 있다.
또한, 도 중에 있어서는 세라믹스 기체(2)의 면이 챔버(4)에 완전히 접해 있도록 도시되어 있지만, 실제로는 세라믹스 기체(2)와 챔버(4)의 사이에는 미소한틈이 다수 존재하고, 세라믹스 기체(2)와 챔버(4)는 미시적으로는 점접촉하고 있다.
도2를 참조해서, 세라믹스 모듈(1)과 챔버(4)의 접촉면 내에는, 챔버(4)를 관통하는 복수의 관통 구멍(4b, 4c, 4d)이 설치되어 있다.
도1을 참조하고, 관통 구멍(4b)은, 발열 저항체(3a)에 전기적으로 접속되는 급전용 도전부재(3d)를 챔버(4) 외부에서 통과시키기 위해서 설치되어 있다. 또 관통 구멍(4c)은, 세라믹스 기체(2)의 온도를 측정하기 위한 온도 측정용 센서로서 예를 들면 열전쌍(7)을 챔버(4)외부에서 삽입하여 세라믹스 기체(2)측으로 근접시키기 위해서 설치되어 있다. 또 관통 구멍(4d)은, 세라믹스 모듈(1)에 탑재된 기판(20)을 밀어 올리기 위한 밀어올림핀(8)을 챔버외부에서 삽입하기 위해서 설치되어 있다. 또한, 세라믹스 모듈(1)에는, 밀어올림핀(8)을 끼워 통하게 하기 위한 관통 구멍(4e)이 설치되어 있다.
발열 저항체(3a)에 전기적으로 접속된 급전용 도전부재(3d)는, 적어도 챔버(4)내에 있어서 피복부재(5)에 의해 그 주위가 덮여져 있다. 이것에 의해, 발열 저항체(3a)가 챔버(4)내의 가스나 플라즈마에 의해 부식되는 것이 방지되어 있다. 이 피복부재(5)는, 세라믹스 기체(2)와 동일한 재질로 되어 있다. 또 이 피복부재(5)의 외주면과 관통 구멍(4b)의 내주면의 사이는, O-링(9)에 의해 기밀봉되어 있다.
온도 측정용 센서인 열전쌍(7)도, 적어도 챔버(4)내에 있어서 피복부재(6)에 의해 그 주위가 덮여지는 것에 의해, 챔버(4)내의 가스나 플라즈마에 의해 부식되는 것을 방지하고 있다. 이 피복부재(6)는 세라믹스 기체(2)와 동일한 재질로 되어 있다. 이 피복부재(6)의 외주면과 관통 구멍(4c)의 내주면의 사이는, 예를 들면 O-링(9)에 의해 기밀봉되어 있다.
이들 관통 구멍(4b, 4c)의 각각은, 세라믹스 기체(2)가 챔버(4)와 접하는 것에 의해, 기밀봉되어 있다.
또 밀어올림핀(8)의 외주와 관통 구멍(4d)의 내주의 사이에는 예를 들면 O-링(9)에 의해 기밀봉되어 있다.
또한 챔버(4)의 세라믹스 모듈(1)이 배치되는 부분의 근방에는, 물 등의 냉매를 이용한 냉액의 냉각장치(4a)가 설치되어 있다. 더욱이, 냉각장치(4a)는, 냉액의 냉각장치에 한정되지 않고, 예를 들면 핀이나 팬을 구비한 냉각장치여도 좋다.
챔버(4)의 적어도 세라믹스 기체(2)가 접촉하는 면이 경면인 것이 바람직하고, 또 세라믹스 모듈(1)의 기판 탑재면(2a)이외의 면이 경면인 것이 바람직하다. 또한, 세라믹스 모듈(1)에 있어서는, 챔버(4)와 접촉하는 면이 경면인 것이 바람직하다.
이와 같이 경면인 부분의 표면 거칠기는, Ra≤O.2㎛인 것이 바람직하다.
본 실시형태의 기판처리장치는, 133×10Pa 이하의 감압하에서 사용되는 것이 바람직하고, 또 플라즈마를 이용한 CVD, 감압하에서의 CVD, 금속층을 형성하기 위한 CVD, 절연막을 형성하기 위한 CVD, 이온 주입, 에칭 등에 사용되는 것이 바람직하다. 또한 세라믹스 기체(2)의 재질로서는, 산화 알루미늄(알루미나), 질화알루미늄, 질화규소 및 탄화규소의 단체 혹은 이것들의 임의의 조합인 것이 바람직하고, 특히 질화알루미늄으로 이루어지는 것이 바람직하다. 또 세라믹스 기체(2)의 재질이 질화알루미늄으로 이루어지는 경우, 세라믹스 기체(2)는 희토류를 함유하는 소결조제를 함유하고 있는 것이 바람직하다. 또한 이 소결조제에 함유되는 희토류는 이트륨인 것이 바람직하고, 소결조제의 함유량은 O.05질량% 이상 1.O질량% 이하인 것이 바람직하다.
또한 도1에 있어서는, 열전쌍(7)과 세라믹스 기체(2)의 사이에 피복부재(6)가 위치하는 구성에 대해서 도시했지만, 도3에 도시하는 바와 같이 열전쌍(7)은 기체(2)의 표면에 직접 접하도록 배치되어 있어도 좋다.
또 도1에 있어서는 전기회로로서 발열 저항체(3a)만을 이용한 경우에 대해서 도시했지만, 도4에 도시하는 바와 같이 전기회로로서 정전 척용 전극(3b) 또는 RF전극(3c)의 어느 것만이 이용되어도 좋고, 또한 도5에 도시하는 바와 같이 발열 저항체(3a), 정전 척용 전극(3b), RF전극(3c)이 임의로 조합되어도 좋다. 이 조합에는, 발열 저항체(3a)와 정전 척용 전극(3b)의 조합, 발열 저항체(3a)와 RF전극(3c)의 조합, 정전 척용 전극(3b)과 RF전극(3c)의 조합, 발열 저항체(3a)와 정전 척용 전극(3b)과 RF전극(3c)의 조합이 있다.
또 발열 저항체(3a)의 평면 패턴은 도6에 도시하는 바와 같은 원호상의 패턴을 가지는 발열부(3a2)와, 발열부(3a2)의 양단부에 위치하는 단자부(3a1)를 가지는 것이 바람직하다. 이 발열부(3a2)는 들어올림핀(8)과 간섭하지 않도록 패터닝된다.
또한, 정전 척용 전극(3b) 또는 RF전극(3c)은, 도7에 도시하는 바와 같은 패턴에 형성할 수 있다. 이 정전 척용 전극(3b) 또는 RF전극(3c)도 들어올림핀(8)과 간섭하지 않도록 패터닝된다.
또한, 상기의 실시형태에 있어서는, 발열 저항체(3a)의 양면이 세라믹스 기체(2)에 끼워지는 구성에 대해서 설명했지만, 발열 저항체(3a)의 기판 탑재면(2a)과 반대측은 세라믹스 이외의 재질로 이루어지는 보호 층에 의해 피복 되어 있어도 좋다.
이하, 본 발명의 실험예에 관해서 설명한다.
(실험예 1)
이하의 표1에 나타내는 각 조성의 세라믹스 분말에 유기용제, 바인더를 가해 서 볼밀 혼합으로 슬러리를 제작했다. 완성된 슬러리를 닥터 블레이드법으로 시트 성형을 했다. 완성된 시트에 대해서 필요에 따라 발열 저항체 회로, 정전 척용 전극, RF(플라즈마 발생용)전극을 텅스텐 페이스트를 사용해서 스크린 인쇄법으로 형성했다. 다음에 이것들을 적층해서 비산화성 분위기 중에서 탈지하여 소결한 후, 밀어올림핀이 통과하는 부분에 타공 가공을 시행하여, 세라믹스 기체를 제작했다.
시료 주성분 첨가물
1 질화알루미늄 없음
2 질화알루미늄 Y2O3(0.05질량%)
3 질화알루미늄 Y2O3(0.5질량%)
4 질화알루미늄 Y2O3(1.0질량%)
5 질화알루미늄 Y2O3(3.0질량%)
6 질화알루미늄 Eu2O3(0.5질량%)
7 질화알루미늄 Yb2O3(0.5질량%)
8 탄화규소 없음
9 알루미나 MgO(0.5질량%)
10 알루미나 없음
11 질화규소 Y2O3(0.5질량%)
다음에 이들 세라믹스 기체에 급전용 도전부재, 온도 측정용 센서(열전쌍)가 부착되는 부분에 세라믹스 기체와 동일 재질의 피복부재를 부착했다. 부착방법으로서는, 알루미나를 주성분으로 하는 유리를 접착층으로서 부착했다. 이 때의 피복부재는 내경 2,Omm, 외경 3.Omm의 것을 사용했다. 다음에 급전용 도전부재, 열전쌍을 부착하고, 챔버 내에 설치했다. 이 때 챔버는 설치부분에 세라믹스 기체보다도 약간 큰 내경을 가지는 오목형의 패임부가 만들어지고, 세라믹스 기체가 움직이지 않도록 설치할 수 있도록 되어 있다. 그 후, 세라믹스 기체를 챔버 접촉면측에 부착하고, 피복부재중에 급전용 도전부재 및 열전쌍을 설치하고, 또 밀어올림핀을 소정의 위치에 설치하고, 각각 챔버측에서 O-링에 의해 기밀봉했다.
다음에 세라믹스 기체의 기판 탑재면에 실리콘 웨이퍼 및 액정용 유리 기판을 탑재하고, 챔버 내를 진공으로 하고, 세라믹스 기체에 형성된 발열 저항체, 정전 척용 전극, RF전극에 급전용 도전부재로 급전하고, 필요에 따라서 반응 가스를 챔버 내에 흐르게 했다. 이 때 각각 550℃로 처리했다. 그 결과, 실리콘 웨이퍼 및 액정용 기판에 소정의 처리를 실시할 수 있었다. 즉 간략화된 구조인 본 구조에 있어서도, 발열 저항체, 정전 척용 전극, RF전극 모두 정상으로 동작하는 것이 판명되었다. 또 550℃에 있어서의 각 세라믹스의 균열성은 표2에 나타내는 바와 같았다.
시료 주성분 첨가물 열 전도율(W/mK) 550℃ 에 있어서의 균열성(℃)
1 AlN 없음 85 ±5.8
2 AlN Y203(O.05질량%) 156 ±2.7
3 AlN Y203(O.5질량%) 192 ±2.3
4 AlN Y203(1.0질량%) 190 ±2.3
5 AlN Y203(3.0질량%) 187 ±2.3
6 AlN Eu203(O.5질량%) 188 ±2.3
7 AlN Yb203(O.5질량%) 185 ±2.4
8 SiC 없음 173 ±2.5
9 Al2O3 MgO(O.5질량%) 23 ±9.2
10 Al2O3 없음 21 ±9.0
11 Si3O4 Y203(O.5질량%) 35 ±7.3
(실험예 2)
다음에 실험예 1에서 사용한 세라믹스 기체를 진공중 750℃까지 승온했다. 이 때의 O-링 부근의 온도를 측정한 결과, 시료 3에서는 132℃였다. 이 때의 O-링은 내열온도가 150℃인 것을 사용하고 있고, 챔버 내가 리크하는 일은 없었다. 이 때의 기판 탑재면내의 균열성은 ±3.6℃였다.
또한, 챔버에 냉각수가 흐르도록 하여, 챔버를 냉각할 수 있도록 했다. 그결과, O-링 부근의 온도는 38℃였다. 또 기판 탑재면내의 균열성은 ±3.7℃였다.
다음에, 챔버와 피복부재의 사이에 연질금속으로서 인듐을 O-링의 챔버에 대하여 외측에 충전했다. 그 결과, O-링 부근의 온도는 22℃가 되고, 기판 탑재면내의 균열성은 ±3.7℃였다.
(실험예 3)
실험예 2에서 사용한 시료3의 기판 탑재면의 반대측의 표면 거칠기를, Ra=0.7, 2.0, 0.07㎛인 것을 준비했다. 또한 챔버의 세라믹스 기체의 설치면의 표면 거칠기가 Ra=O.8, O.2, O.05㎛인 것을 준비했다. 그 후, 각각의 세라믹스 기체를 챔버 내에 설치하고 750℃로 승온해서 O-링의 온도를 측정했다. 그 결과를 표3에 나타낸다.
ㆍO-링 온도
세라믹스 기체 표면 거칠기(Ra:㎛)
0.7 0.2 0.07
챔버 표면거칠기(Ra:㎛) 0.8 132℃ 80℃ 72℃
0.2 38℃ 32℃ 31℃
0.05 35℃ 30℃ 28℃
이 때의 기판 탑재면내의 균열성은 모두 ±3.7℃였다. 또 세라믹스 기체의출력(세라믹스 기체로 투입하는 전력)에 대해서도 측정한 결과, 표4와 같았다.
ㆍ세라믹스 기체 출력
세라믹스 기체 표면 거칠기(Ra:㎛)
0.7 0.2 0.07
챔버 표면거칠기(Ra:㎛) 0.8 1230W 928W 855W
0.2 652W 615W 608W
0.05 631W 605W 594W
(실험예 4)
실험예 1과 동일한 세라믹스 기체를 준비했다. 이 세라믹스 기체에 형성된 발열 저항체는, 중앙부 1존과 외주부 3존으로 분할하여, 각각 개별로 제어 가능하게 했다. 여기에 실험예 1과 동일한 세라믹스 기체와 동일 재질의 피복부재로 덮여진 열전쌍 및 급전용 도전부재를 세라믹스 기체의 외주부에 3개소, 중심부에 1개소 부착하고, 온도를 모니터하면서 각 존의 발열 저항체에의 급전량을 조정하여, 550℃까지 세라믹스 기체를 승온했다. 그 때의 균열성은 표5와 같았다.
시료 주성분 첨가물 열 전도율(W/mK) 550℃ 에 있어서의 균열성(℃)
1 AlN 없음 85 ±4.2
2 AlN Y2O3(0.05질량%) 156 ±2.1
3 AlN Y2O3(0.5질량%) 192 ±1.8
4 AlN Y2O3(1.0질량%) 190 ±1.8
5 AlN Y2O3(3.0질량%) 187 ±1.8
6 AlN Eu2O3(0.5질량%) 188 ±1.9
7 AlN Yu2O3(0.5질량%) 185 ±1.9
8 SiC 없음 173 ±2.0
9 Al2O3 MgO(0.5질량%) 23 ±7.3
10 Al2O3 없음 21 ±7.5
11 Si3O4 Y2O3(0.5질량%) 35 ±6.1
이상의 점으로부터, 온도측정 개소를 증가시켜, 각 존에의 급전량을 조정할 수 있고, 균열성이 향상한 것을 알 수 있다.
(실험예 5)
실험예 1에서 사용한 세라믹스 소결체에 대해서 기판 표면을 연마했다. 가공후의 각 시료는 이하의 요령으로 실용성을 확인했다. 우선 별도 준비한 질화알루미늄계 세라믹스를 매트릭스로서 텅스텐(W)필라멘트를 그것에 매설한 디스크형히터를 준비했다. 이어서 각 시료를 동 히터 위에 놓고, 13.56MHz의 고주파를 이용한 플라즈마 발생장치의 진공챔버 내에 배치했다. 이들 각 시료를 가열온도 100℃, CF4가스의 플라즈마 밀도 1.4W/cm2의 환경 하에서 5시간 처리했다. 그 후, 플라즈마 조사면의 에칭 크레이터의 밀도를 확인했다. 또한, 이 에칭 크레이터의 밀도의 확인은, 주사형 전자 현미경을 이용하여, 표면 임의의 1000㎛2의 시야 내에 존재하는 최대 구경이 1㎛ 이상인 크레이터수를 확인하는 것에 의해 행했다. 그 결과를 표6에 나타낸다.
시료 주성분 첨가량 결함수
1 AlN 없음 17
2 AlN Y2O3(0.05질량%) 10
3 AlN Y2O3(0.5질량%) 5
4 AlN Y2O3(1.0질량%) 5
5 AlN Y2O3(3.0질량%) 14
6 AlN Eu2O3(0.5질량%) 13
7 AlN Yb2O3(0.5질량%) 12
8 SiC 없음 19
9 Al2O3 MgO(0.5질량%) 23
10 Al2O3 없음 21
11 Si3O4 Y2O3(0.5질량%) 35
이 결과에서, 이트륨을 함유하는 소결조제의 함유량이 O.05질량% 이상 1.O질량% 이하에서 에칭 크레이터의 수가 적어지는 것을 알 수 있다.
(실험예 6)
실험예 1에서 사용한 시료 3에 대하여, 실험예 1과 동일한 장치, 수법으로 133Pa, 133×10Pa, 133×50Pa, 133×760Pa의 분위기 하에서 세라믹스를 750℃로 가열하고, O-링 부근의 챔버 온도를 측정했다. 그 결과, 133Pa에서는 132℃,133×10Pa에서는 133℃, 133×50Pa에서는 148℃, 133×760Pa에서는 589℃였다. 이러한 점으로부터, 내압이 높아짐에 따라 분위기의 대류에 의해 챔버측으로의 열 전달량이 증가하고 있는 것을 알 수 있다.
(비교예 1)
실험예 1에서 사용한 각 시료에 피복부재로서 외경 80mm, 내경 70mm, 길이 250mm의 세라믹스 기체와 동일 재료의 원통형 지지부를 실험예 1과 동일한 수법으로 기판 탑재면의 반대측 중앙부에 접합했다. 다음에 급전용 도전부재 및 열전쌍을 부착했다. 원통형 지지부가 접합되지 있지 않은 쪽의 단부를 O-링으로 챔버와 기밀봉하고, 550℃로 가열하여 균열성을 측정했다. 그 결과를 표7에 나타낸다.
시료 주성분 첨가물 열 전도율(W/mK) 550℃에 있어서의 균열성(℃)
1 AlN 없음 85 ±7.3
2 AlN Y2O3(0.05질량%) 156 ±5.2
3 AlN Y2O3(0.5질량%) 192 ±4.6
4 AlN Y2O3(1.0질량%) 190 ±4.6
5 AlN Y2O3(3.0질량%) 187 ±4.7
6 AlN Eu2O3(0.5질량%) 188 ±4.7
7 AlN Yb2O3(0.5질량%) 185 ±4.7
8 SiC 없음 173 ±4.9
9 Al2O3 MgO(0.5질량%) 23 ±11.5
10 Al2O3 없음 21 ±10.8
11 Si3O4 Y2O3(0.5질량%) 35 ±9.3
표7의 결과에서, 원통형 지지부를 설치하는 것에 의해, 균열성이 악화하는 것을 알 수 있다.
(실험예 7)
실험예 1에서 사용한 각 세라믹스 기체와, 비교예 1에서 사용한 각 세라믹스 기체를 챔버에 설치했다. 이 때의 챔버의 높이는, 실험예 1에서는 120mm이고, 비교예 1에서는 380mm이 되고, 본 발명의 수법에 의해 상기 실험예와 같이, 특성을향상시키면서도 챔버를 대폭적으로 소형화 할 수 있는 것을 알 수 있었다. 또한 제조장치 자체도 챔버의 소형화에 의해 작게 하는 것이 가능해졌다.
(실험예 8)
실험예 1과 동일한 세라믹스 기체를 제작했다. 다음에 세라믹스 기체의 온도측정단자가 부착되는 부분과, 급전용 도전부재가 부착되는 부분의 챔버측에 타공 가공을 하고, 그 구멍의 외주부와 세라믹스 기체를 알루미늄 땜납재에 의해 부착했다. 다음에 이것을 실험예 1과 마찬가지로 550℃에서 실리콘 웨이퍼 및 액정용 기판에 소정의 처리를 실시할 수 있었다. 즉 본 구조에 있어서도, 발열 저항체, 정전 척용 전극, RF전극 모두 정상으로 동작하는 것이 판명되었다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 기판 유지체의 평판형상부가 챔버와 접촉함으로써 챔버에 직접 지지되어 있기 때문에, 균열성을 양호하게 할 수 있어, 비용을 저감할 수 있고, 장치의 소형화에 유리하며, 또한 급전용 도전부재 등의 부착 제한을 완화할 수 있는 기판처리장치를 얻을 수 있다.
금회 개시된 실시형태 및 실시예는 모든 점에서 예시로서 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 본 발명의 범위는 상기한 설명이 아니라 특허청구의 범위에 의해 나타내어지고, 특허청구의 범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함될 것이 의도된다.

Claims (18)

  1. 챔버(4)내에서 기판(20)을 기판 유지체(1)에 탑재한 상태로 처리하는 기판처리장치로서,
    상기 기판 유지체(1)는, 전기회로(3a, 3b, 3c)와 세라믹스 기체(2)를 가지는 평판형상부를 가지고, 또한 상기 기판(20)을 탑재하는 면 이외의 상기 평판형상부의 적어도 일부의 면이 상기 챔버(4)와 접촉함으로써 상기 챔버(4)에 지지되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전기회로(3a, 3b, 3c)와 발열 저항체, 정전 척용 전극 및 RF전극으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 서로 접촉하는 상기 평판형상부와 상기 챔버(4)의 사이에 미소한 틈이 존재하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전기회로(3a, 3b, 3c)에 전기적으로 접속되어 상기 챔버(4)외부로 끌어내어지는 급전용 도전부재(3d)와, 세라믹스 기체(2)의 온도를 측정하기 위해서 상기 챔버(4)외부로부터 내부로 끼워 넣어지는 온도 측정용 단자(7)를 더 구비하고,
    상기 급전용 도전부재(3d)와 상기 온도 측정용 단자(7)가 상기 챔버(4)를 통과하는 부분은, 상기 챔버(4)측에서 기밀봉되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 급전용 도전부재(3d)는 적어도 상기 챔버(4)내에서는 상기 세라믹스 기체(2)와 동일한 재료의 제1의 피복부재(5)로 덮여져 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 온도 측정용 단자(7)는 적어도 상기 챔버(4)내에서는 상기 세라믹스 기체(2)와 동일한 재료의 제2의 피복부재(6)로 덮여져 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 전기회로(3a, 3b, 3c)에 전기적으로 접속되어 상기 챔버(4)외부로 끌어내어지는 급전용 도전부재(3d)와, 상기 세라믹스 기체(2)의 온도를 측정하기 위해 상기 챔버(4)외부로부터 내부로 끼워 넣어지는 온도 측정용 단자(7)를 더 구비하고,
    상기 급전용 도전부재(3d)와 상기 온도 측정용 단자(7)가 상기 챔버(4)를 통과하는 부분은, 상기 평판형상부와 상기 챔버(4)가 접합하는 것에 의해 기밀봉되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제1항에 있어서, 적어도 상기 평판형상부와 접촉하는 상기 챔버(4)의 면이 경면인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 기판 유지체(1)의 상기 기판 탑재면 이외의 적어도 일부의 면이 경면인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제1항에 있어서, 적어도 상기 평판형상부가 접촉하는 상기 챔버(4)의 면 및 상기 기판 유지체(1)의 상기 기판 탑재면 이외의 적어도 일부의 면의 적어도 어느 쪽인가의 표면 거칠기가, Ra≤0.2㎛인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 챔버(4)의 상기 평판형상부가 접촉하는 부분 부근에 설치된 냉각장치(4a)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 기판 유지체(1)에 탑재된 상기 기판(20)을 상기 기판 유지체(1)표면으로부터 밀어 올리기 위해서 상기 챔버(4)외부로부터 내부에 끼워 통해진 밀어올림핀(8)을 더 구비하고,
    상기 밀어올림핀(8)이 상기 챔버(4)를 통과하는 부분은, 상기 밀어올림핀(8)과 상기 챔버(4)의 사이에서 기밀봉되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 제1항에 있어서, 133×10Pa 이하의 감압하에서 사용하는 것을 특징으로 하는기판처리장치.
  14. 제1항에 있어서, 플라즈마를 이용한 화학기상 성장, 감압하에서의 화학기상 성장, 금속층을 형성하기 위한 화학기상 성장, 절연막을 형성하기 위한 화학기상 성장, 이온 주입 및 에칭 중 어느 처리에 사용하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기 세라믹스 기체(2)가, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 질화규소 및 탄화규소로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상을 함유하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 세라믹스 기체(2)의 재질이 질화알루미늄인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 세라믹스 기체(2)는, 희토류를 함유하는 소결조제를 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 소결조제에 함유되는 상기 희토류가 이트륨이고, 상기 소결조제의 함유량이 0.05질량% 이상 1.O질량% 이하인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
KR1020020019365A 2001-04-11 2002-04-10 기판처리장치 KR100778612B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2001-00112902 2001-04-11
JP2001112902A JP2002313781A (ja) 2001-04-11 2001-04-11 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020079552A true KR20020079552A (ko) 2002-10-19
KR100778612B1 KR100778612B1 (ko) 2007-11-22

Family

ID=18964220

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020019365A KR100778612B1 (ko) 2001-04-11 2002-04-10 기판처리장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7361230B2 (ko)
EP (1) EP1249859A3 (ko)
JP (1) JP2002313781A (ko)
KR (1) KR100778612B1 (ko)
CA (1) CA2381113A1 (ko)
TW (1) TW541639B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100773802B1 (ko) * 2005-04-19 2007-11-07 니뽄 가이시 가부시키가이샤 급전 부재 및 가열 장치

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040048018A (ko) * 2002-12-02 2004-06-07 주식회사 에이디피엔지니어링 Ｆｐｄ 제조장치
JP4424659B2 (ja) 2003-02-28 2010-03-03 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム質材料および半導体製造装置用部材
TWI262534B (en) * 2003-02-28 2006-09-21 Ngk Insulators Ltd Aluminum nitride materials and members for use in the production of semiconductors
JP3855128B2 (ja) * 2003-03-24 2006-12-06 定寧 上野 金属箔ヒータを用いたホットプレート、その製造方法およびホットプレートを使用した液晶パネルの熱処理方法
US20040221959A1 (en) 2003-05-09 2004-11-11 Applied Materials, Inc. Anodized substrate support
US8372205B2 (en) 2003-05-09 2013-02-12 Applied Materials, Inc. Reducing electrostatic charge by roughening the susceptor
US7645341B2 (en) * 2003-12-23 2010-01-12 Lam Research Corporation Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses
US7369393B2 (en) * 2004-04-15 2008-05-06 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Electrostatic chucks having barrier layer
KR100716457B1 (ko) 2004-12-29 2007-05-10 주식회사 에이디피엔지니어링 플라즈마 처리장치
JP4672597B2 (ja) * 2005-06-02 2011-04-20 日本碍子株式会社 基板処理装置
US20070029046A1 (en) * 2005-08-04 2007-02-08 Applied Materials, Inc. Methods and systems for increasing substrate temperature in plasma reactors
KR100733269B1 (ko) 2005-08-18 2007-06-28 피에스케이 주식회사 반도체 식각 장비의 척 조립체
KR100646318B1 (ko) 2005-08-19 2006-11-23 동부일렉트로닉스 주식회사 플라즈마 식각 장치
US8173228B2 (en) 2006-01-27 2012-05-08 Applied Materials, Inc. Particle reduction on surfaces of chemical vapor deposition processing apparatus
JP2007258615A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Ngk Insulators Ltd 静電チャック
JP5061500B2 (ja) * 2006-05-08 2012-10-31 住友電気工業株式会社 半導体あるいは液晶製造装置用保持体およびそれを搭載した半導体あるいは液晶製造装置
US9275887B2 (en) * 2006-07-20 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing with rapid temperature gradient control
JP5029257B2 (ja) * 2007-01-17 2012-09-19 東京エレクトロン株式会社 載置台構造及び処理装置
US8715203B2 (en) * 2007-09-17 2014-05-06 Novocure Limited Composite electrode
JP5083193B2 (ja) * 2008-12-12 2012-11-28 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP5230462B2 (ja) * 2009-01-26 2013-07-10 三菱重工業株式会社 プラズマ処理装置の基板支持台
JP5960384B2 (ja) * 2009-10-26 2016-08-02 新光電気工業株式会社 静電チャック用基板及び静電チャック
JP5416570B2 (ja) * 2009-12-15 2014-02-12 住友電気工業株式会社 加熱冷却デバイスおよびそれを搭載した装置
US8404048B2 (en) * 2011-03-11 2013-03-26 Applied Materials, Inc. Off-angled heating of the underside of a substrate using a lamp assembly
JP6278277B2 (ja) * 2015-01-09 2018-02-14 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
JP6655310B2 (ja) 2015-07-09 2020-02-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US10186437B2 (en) * 2015-10-05 2019-01-22 Lam Research Corporation Substrate holder having integrated temperature measurement electrical devices
JP6690918B2 (ja) * 2015-10-16 2020-04-28 日本特殊陶業株式会社 加熱部材、静電チャック、及びセラミックヒータ
JP6767833B2 (ja) * 2016-09-29 2020-10-14 日本特殊陶業株式会社 加熱装置
KR102104301B1 (ko) * 2017-11-29 2020-04-24 피에스케이 주식회사 배플 및 이를 갖는 기판 처리 장치
KR102332857B1 (ko) * 2017-12-27 2021-12-01 가부시키가이샤 요네쿠라 세이사쿠쇼 적외선 소성 장치 및 이를 이용한 전자 부품의 소성 방법
JP7025278B2 (ja) * 2018-05-01 2022-02-24 日本特殊陶業株式会社 セラミックスヒータ
WO2020111194A1 (ja) * 2018-11-30 2020-06-04 京セラ株式会社 試料保持具
US11887878B2 (en) * 2019-06-28 2024-01-30 Applied Materials, Inc. Detachable biasable electrostatic chuck for high temperature applications
US20210035767A1 (en) * 2019-07-29 2021-02-04 Applied Materials, Inc. Methods for repairing a recess of a chamber component

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56168405A (en) * 1980-05-29 1981-12-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Solid state oscillator of microwave
JPS6372877A (ja) * 1986-09-12 1988-04-02 Tokuda Seisakusho Ltd 真空処理装置
US5240505A (en) * 1989-08-03 1993-08-31 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of an apparatus for forming thin film for semiconductor device
JPH0736391B2 (ja) 1990-03-12 1995-04-19 日本碍子株式会社 半導体製造装置用ウエハー加熱装置
JPH0628258B2 (ja) 1990-07-20 1994-04-13 日本碍子株式会社 半導体ウエハー加熱装置及びその製造方法
EP0447155B1 (en) * 1990-03-12 1995-07-26 Ngk Insulators, Ltd. Wafer heaters for use in semi-conductor-producing apparatus, heating units using such wafer heaters, and production of heaters
JP2525974B2 (ja) 1991-03-26 1996-08-21 日本碍子株式会社 半導体ウエハ―加熱装置
EP0506391B1 (en) 1991-03-26 2002-02-27 Ngk Insulators, Ltd. Use of a corrosion-resistant member formed from aluminium nitride
EP1120817B8 (en) * 1991-03-26 2007-10-10 Ngk Insulators, Ltd. Use of a corrosion-resistant member
KR100290748B1 (ko) * 1993-01-29 2001-06-01 히가시 데쓰로 플라즈마 처리장치
JP3165938B2 (ja) * 1993-06-24 2001-05-14 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置
JPH0736391A (ja) 1993-07-23 1995-02-07 Toshiba Toransupooto Eng Kk Ｌｅｄ表示装置
JPH07263527A (ja) * 1994-03-17 1995-10-13 Fujitsu Ltd 静電吸着装置
US5581874A (en) * 1994-03-28 1996-12-10 Tokyo Electron Limited Method of forming a bonding portion
JP3247270B2 (ja) * 1994-08-25 2002-01-15 東京エレクトロン株式会社 処理装置及びドライクリーニング方法
US5823416A (en) * 1995-07-28 1998-10-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method for surface treatment, and apparatus and method for wire bonding using the surface treatment apparatus
JP3604522B2 (ja) * 1995-11-28 2004-12-22 東京エレクトロン株式会社 熱処理方法及びその装置
JPH09213781A (ja) * 1996-02-01 1997-08-15 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及びそれを用いた処理装置
US5751537A (en) * 1996-05-02 1998-05-12 Applied Materials, Inc. Multielectrode electrostatic chuck with fuses
US6440221B2 (en) * 1996-05-13 2002-08-27 Applied Materials, Inc. Process chamber having improved temperature control
JP3477062B2 (ja) * 1997-12-26 2003-12-10 京セラ株式会社 ウエハ加熱装置
JPH11260534A (ja) * 1998-01-09 1999-09-24 Ngk Insulators Ltd 加熱装置およびその製造方法
US6201219B1 (en) * 1998-02-25 2001-03-13 Micron Technology, Inc. Chamber and cleaning process therefor
US6228173B1 (en) * 1998-10-12 2001-05-08 Tokyo Electron Limited Single-substrate-heat-treating apparatus for semiconductor process system
JP3352418B2 (ja) * 1999-01-28 2002-12-03 キヤノン株式会社 減圧処理方法及び減圧処理装置
JP3823591B2 (ja) * 1999-03-25 2006-09-20 三菱電機株式会社 Ｃｖｄ原料用気化装置およびこれを用いたｃｖｄ装置
JP4166386B2 (ja) * 1999-09-30 2008-10-15 日本碍子株式会社 耐蝕性部材およびその製造方法
JP3567855B2 (ja) * 2000-01-20 2004-09-22 住友電気工業株式会社 半導体製造装置用ウェハ保持体
JP4166400B2 (ja) * 2000-02-16 2008-10-15 東京エレクトロン株式会社 放射温度測定方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100773802B1 (ko) * 2005-04-19 2007-11-07 니뽄 가이시 가부시키가이샤 급전 부재 및 가열 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US7361230B2 (en) 2008-04-22
KR100778612B1 (ko) 2007-11-22
EP1249859A2 (en) 2002-10-16
CA2381113A1 (en) 2002-10-11
US20030029569A1 (en) 2003-02-13
JP2002313781A (ja) 2002-10-25
EP1249859A3 (en) 2006-05-17
TW541639B (en) 2003-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100778612B1 (ko) 기판처리장치
US7416793B2 (en) Electrostatic chuck and manufacturing method for the same, and alumina sintered member and manufacturing method for the same
US5886863A (en) Wafer support member
US6861165B2 (en) Aluminum nitride sintered compact, ceramic substrate, ceramic heater and electrostatic chuck
US6272002B1 (en) Electrostatic holding apparatus and method of producing the same
JP3323135B2 (ja) 静電チャック
JP5896595B2 (ja) ２層ｒｆ構造のウエハ保持体
KR100773211B1 (ko) 피가열물 탑재용 히터 부재 및 그를 이용한 기판 처리 장치
EP1321971A1 (en) Ceramic substrate for semiconductor production and inspection
US20170162467A1 (en) An electronic device component with an integral diamond heat spreader
KR100553444B1 (ko) 서셉터 및 그 제조방법
KR100978395B1 (ko) 전극 내장형 서셉터 및 그 제조 방법
JP2002313899A (ja) 基板保持構造体および基板処理装置
EP1231820A1 (en) Ceramic heater
JP2001085505A (ja) サセプタ及びその製造方法
JP3728078B2 (ja) プラズマ発生用部材
JP2003086519A (ja) 被処理物保持体およびその製造方法ならびに処理装置
JPH06291175A (ja) 静電チャック
JP2004055608A (ja) 電極内蔵型サセプタ
JP2002313900A (ja) 基板保持構造体および基板処理装置
JP2001077185A (ja) 静電チャック及びその製造方法
JP3810341B2 (ja) 静電チャック
TW202218038A (zh) 陶瓷接合體、靜電卡盤裝置及陶瓷接合體的製造方法
JPH09293774A (ja) 静電チャック
JP2001319967A (ja) セラミック基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121023

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131022

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee