JP5061500B2 - 半導体あるいは液晶製造装置用保持体およびそれを搭載した半導体あるいは液晶製造装置 - Google Patents
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Description
99.5重量部の窒化アルミニウム粉末と0.5重量部のY2O3粉末とポリビニルブチラールをバインダーとして混合した後、スプレードライにより、造粒し、顆粒を作成した。なお、窒化アルミニウム粉末は、平均粒径0.6μm、比表面積3.4m2/gのものを使用した。この顆粒を金型に充填し、焼結、加工後に直径350mm、厚さ17mmと直径350mm、厚さ2mmとなるような寸法に、一軸プレスを用いて成形した。この成形体を窒素雰囲気中900℃で脱脂し、窒素雰囲気中1900℃で5時間焼結した。得られた焼結体の熱伝導率は、170W/mKであった。また気孔率は、0.01%であった。この焼結体をダイヤモンド砥粒を用いて、研磨加工し、前記2種類の寸法のセラミックス焼結体を得た。
実施例1のNo.2と同じAlNセラミックスヒータとAl−SiC金属板を用いた。No.2とは逆に、セラミックヒータの上に金属板を配して、参考例1と同様にして、500℃における均熱性を測定した。その結果、均熱性は、No.2と同じ±0.45%であった。また、参考例1と同様に12インチのシリコンウェハ50枚の搬送テストを行ったところ、Si系のパーティクルが多数発生した。
参考例1と同じAlNセラミックスヒータを用い、金属板無しで、参考例1と同様にして、500℃における均熱性を測定した。その結果、均熱性は、No.1の±0.5%に対して、±1.2%と非常に悪くなった。金属板の効果が確認できた。なお、金属不純物やパーティクルの発生は認めらなかった。
2 金属板
3 ネジ
4 接合層
5 被処理物
6 真空吸着用穴
Claims (10)
- 被処理物を保持するための抵抗発熱体を有するセラミックスヒータの被処理物保持面の反対側に金属板を配しており、該金属板と前記セラミックスヒータとが、ネジにより固定されており、前記セラミックスヒータの直径が200mm以上であり、前記セラミックスヒータの厚みより、前記金属板の厚みの方が厚いことを特徴とする半導体あるいは液晶製造装置用保持体。
- 前記抵抗発熱体が、セラミックスヒータの厚み方向の中央より保持面の反対側に存在することを特徴とする請求項1に記載の半導体あるいは液晶製造装置用保持体。
- 前記セラミックスが、Al2O3、SiO2、B4C、BNから選ばれたいずれかのセラミックスであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体あるいは液晶製造装置用保持体。
- 前記セラミックスの熱伝導率が100W/mK以上であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体あるいは液晶製造装置用保持体。
- 前記セラミックスが、AlN、SiC、Si3N4から選ばれたいずれかのセラミックスであることを特徴とする請求項4に記載の半導体あるいは液晶製造装置用保持体。
- 前記金属の熱伝導率が、100W/mK以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体あるいは液晶製造装置用保持体。
- 前記金属が、Al−SiC、Cu−W、Cu−Moから選ばれたいずれかの金属であることを特徴とする請求項6に記載の半導体あるいは液晶製造装置用保持体。
- 前記セラミックスの気孔率が、0.03%以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体あるいは液晶製造装置用保持体。
- 前記セラミックスヒータの保持面の反り量が、500μm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体あるいは液晶製造装置用保持体。
- 請求項1乃至9のいずれかの保持体が搭載されたことを特徴とする半導体あるいは液晶製造装置。
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