JPH07106319A - Ｃｖｄ反応炉の加熱装置の電磁遮蔽方法 - Google Patents
Ｃｖｄ反応炉の加熱装置の電磁遮蔽方法Info
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- JPH07106319A JPH07106319A JP26810193A JP26810193A JPH07106319A JP H07106319 A JPH07106319 A JP H07106319A JP 26810193 A JP26810193 A JP 26810193A JP 26810193 A JP26810193 A JP 26810193A JP H07106319 A JPH07106319 A JP H07106319A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高周波電源を有する各種のＣＶＤ反応炉の加
熱装置に対して、その電磁界を有効に電磁遮蔽する。 【構成】 加熱装置２の上側セラミック絶縁板23b と加
熱ヒーター24との間に、適当な金属の遮蔽板７と中間セ
ラミックス絶縁板23c を付加し、遮蔽板７を接地Ｅに接
続して、高周波電圧ｖが発生する電磁界に対して加熱ヒ
ーター24とその周辺を電磁遮蔽する。遮蔽板７は、約１
ｍｍの厚さを有するアルミニウム円板とする。 【効果】 従来しばしば発生した電流制御回路53の故障
とサーキットブレーカ54の誤動作が排除され、加熱装置
２の動作が安定化される。
熱装置に対して、その電磁界を有効に電磁遮蔽する。 【構成】 加熱装置２の上側セラミック絶縁板23b と加
熱ヒーター24との間に、適当な金属の遮蔽板７と中間セ
ラミックス絶縁板23c を付加し、遮蔽板７を接地Ｅに接
続して、高周波電圧ｖが発生する電磁界に対して加熱ヒ
ーター24とその周辺を電磁遮蔽する。遮蔽板７は、約１
ｍｍの厚さを有するアルミニウム円板とする。 【効果】 従来しばしば発生した電流制御回路53の故障
とサーキットブレーカ54の誤動作が排除され、加熱装置
２の動作が安定化される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＣＶＤ反応炉におけ
る加熱装置の電磁遮蔽方法に関する。
る加熱装置の電磁遮蔽方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ＩＣの製造においては、シリコン
ウエハの表面に酸化シリコン（ＳｉＯ2)の薄膜を形成す
る工程がある。薄膜の形成方法には化学的気相成長法
（ＣＶＤ）が利用されており、ＣＶＤ法には常圧法、減
圧法、プラズマ法などがある。
ウエハの表面に酸化シリコン（ＳｉＯ2)の薄膜を形成す
る工程がある。薄膜の形成方法には化学的気相成長法
（ＣＶＤ）が利用されており、ＣＶＤ法には常圧法、減
圧法、プラズマ法などがある。
【０００３】図２はプラズマＣＶＤ装置の概略の構成を
示し、ＣＶＤ装置１０はベース盤Ｂに固定された気密構
造の反応炉筐体１と、その内部に設けた加熱装置２、加
熱装置２の上方に設けたガス噴射部３、筐体１の外部に
設けた高周波電源４およびＡＣ電流供給部５とを具備す
る。反応炉筐体１は上蓋11と側板12,13 、開閉扉14、ア
ウトレット15a,15b などよりなる。加熱装置２は、支持
柱21に支持された支持枠22の内部にそれぞれ設けられ、
下側と上側の２枚のセラミック絶縁板23a,23bと、これ
らの間に挿入された加熱ヒーター24、下面が上側のセラ
ミック絶縁板23b に接触し、上面に被処理のウエハ６を
載置する円形の均熱板25、およびこれを接地Ｅに接続す
る接続線25a よりなる。均熱板25には温度変化に対して
湾曲しないものが必要で、例えばアルミニウムと炭化珪
素の焼結合金が使用されている。ガス噴射部３は上蓋11
に設けたインレット31と、上蓋11に固定された支持枠32
に支持され、微細な噴射孔331 が多数配列されたシャワ
ー電極33、およびその接続線33a よりなり、シャワー電
極33にはアルミニウムの円板が使用されている。次に、
高周波電源４は接続線33a,25a により均熱板25とシャワ
ー電極33にそれぞれ接続され、均熱板25を接地電位Ｅと
し、シャワー電極33に対して、例えば１３．５６ＭＨｚ
の高周波電圧ｖが加圧される。またＡＣ電流供給部５
は、均熱板25に設けた温度センサ51と、そのリード線5
2、電流制御回路（ＣＯＮＴ）53、およびサーキットブ
レーカ（ＢＲＫ）54よりなる。
示し、ＣＶＤ装置１０はベース盤Ｂに固定された気密構
造の反応炉筐体１と、その内部に設けた加熱装置２、加
熱装置２の上方に設けたガス噴射部３、筐体１の外部に
設けた高周波電源４およびＡＣ電流供給部５とを具備す
る。反応炉筐体１は上蓋11と側板12,13 、開閉扉14、ア
ウトレット15a,15b などよりなる。加熱装置２は、支持
柱21に支持された支持枠22の内部にそれぞれ設けられ、
下側と上側の２枚のセラミック絶縁板23a,23bと、これ
らの間に挿入された加熱ヒーター24、下面が上側のセラ
ミック絶縁板23b に接触し、上面に被処理のウエハ６を
載置する円形の均熱板25、およびこれを接地Ｅに接続す
る接続線25a よりなる。均熱板25には温度変化に対して
湾曲しないものが必要で、例えばアルミニウムと炭化珪
素の焼結合金が使用されている。ガス噴射部３は上蓋11
に設けたインレット31と、上蓋11に固定された支持枠32
に支持され、微細な噴射孔331 が多数配列されたシャワ
ー電極33、およびその接続線33a よりなり、シャワー電
極33にはアルミニウムの円板が使用されている。次に、
高周波電源４は接続線33a,25a により均熱板25とシャワ
ー電極33にそれぞれ接続され、均熱板25を接地電位Ｅと
し、シャワー電極33に対して、例えば１３．５６ＭＨｚ
の高周波電圧ｖが加圧される。またＡＣ電流供給部５
は、均熱板25に設けた温度センサ51と、そのリード線5
2、電流制御回路（ＣＯＮＴ）53、およびサーキットブ
レーカ（ＢＲＫ）54よりなる。
【０００４】上記のＣＶＤ装置１０による薄膜形成処理
においては、開閉扉14を開いて被処理のウエハ６を筐体
１内に搬入して均熱板25に載置し、開閉扉14を閉じて筐
体内を真空とする。ついで、商用のＡＣ１００ｖの電流
は、サーキットブレーカ54を通して電流制御回路53に入
力する。電流制御回路53は温度センサ51の温度信号に従
ってＡＣ電流を制御して加熱ヒーター24に供給し、上側
のセラミック絶縁板23b と均熱板25を加熱してウエハ６
を所定の温度まで上昇させる。これに対してインレット
31より、例えばＴＥＯＳ［（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ)4Ｓｉ−テトラ
エチルオルト・シリケート］の反応ガスＧとキャリーガ
スを吸入して、シャワー電極33の噴射孔331 より下方に
噴射させる。ここでシャワー電極33に高周波電圧ｖを加
圧し、噴射されたＴＥＯＳに対して１ＫＷ程度のパワー
を与えると、グロー放電してＴＥＯＳはプラズマ化され
てＳｉＯ2 が生成され、これが矢印Ｃの方向にフローし
てウエハ６の表面に蒸着して薄膜が形成される。反応済
みガスＧ′はアウトレット15a,15b より排出される。
においては、開閉扉14を開いて被処理のウエハ６を筐体
１内に搬入して均熱板25に載置し、開閉扉14を閉じて筐
体内を真空とする。ついで、商用のＡＣ１００ｖの電流
は、サーキットブレーカ54を通して電流制御回路53に入
力する。電流制御回路53は温度センサ51の温度信号に従
ってＡＣ電流を制御して加熱ヒーター24に供給し、上側
のセラミック絶縁板23b と均熱板25を加熱してウエハ６
を所定の温度まで上昇させる。これに対してインレット
31より、例えばＴＥＯＳ［（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ)4Ｓｉ−テトラ
エチルオルト・シリケート］の反応ガスＧとキャリーガ
スを吸入して、シャワー電極33の噴射孔331 より下方に
噴射させる。ここでシャワー電極33に高周波電圧ｖを加
圧し、噴射されたＴＥＯＳに対して１ＫＷ程度のパワー
を与えると、グロー放電してＴＥＯＳはプラズマ化され
てＳｉＯ2 が生成され、これが矢印Ｃの方向にフローし
てウエハ６の表面に蒸着して薄膜が形成される。反応済
みガスＧ′はアウトレット15a,15b より排出される。
【０００５】上記の薄膜の形成中には、生成されたＳｉ
Ｏ2 が筐体１の内部の各所に付着し、これがある程度以
上に蓄積されるとプラズマ化を阻害し、または剥離して
ウエハ６を汚染するので、筐体内は適時にクリーニング
されている。クリーニングの方法としては、例えばＣＦ
4(４弗化炭素）とＯ2(酸素）を一定の混合比で混合し、
これを筐体１内に噴射して一定の圧力とする。これに対
して前記と同様に、高周波電源４より一定のパワー、例
えば数百Ｗを供給してグロー放電すると、各所に付着し
たＳｉＯ2 はプラズマエッチングされて除去され、アウ
トレット16a,16b より外部に排出されて内部がクリーニ
ングされる。なお、このようなプラズマエッチングによ
るクリーニング方法は、プラズマＣＶＤ装置に限らず、
常圧法や減圧法によるＣＶＤ装置に対しても有効である
ので、これらに対して高周波電源４を設けてクリーニン
グがなされている。
Ｏ2 が筐体１の内部の各所に付着し、これがある程度以
上に蓄積されるとプラズマ化を阻害し、または剥離して
ウエハ６を汚染するので、筐体内は適時にクリーニング
されている。クリーニングの方法としては、例えばＣＦ
4(４弗化炭素）とＯ2(酸素）を一定の混合比で混合し、
これを筐体１内に噴射して一定の圧力とする。これに対
して前記と同様に、高周波電源４より一定のパワー、例
えば数百Ｗを供給してグロー放電すると、各所に付着し
たＳｉＯ2 はプラズマエッチングされて除去され、アウ
トレット16a,16b より外部に排出されて内部がクリーニ
ングされる。なお、このようなプラズマエッチングによ
るクリーニング方法は、プラズマＣＶＤ装置に限らず、
常圧法や減圧法によるＣＶＤ装置に対しても有効である
ので、これらに対して高周波電源４を設けてクリーニン
グがなされている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】さて一般によく知られ
ているように、高周波の電磁界に存在する導体には電磁
作用により誘導電流を誘起し、これにより導体は発熱
し、導体がループ回路をなしていると誘導電流はこれを
還流する。上記のＣＶＤ装置１０においては、加圧され
た高周波電圧ｖのグロー放電により、高周波の電磁界が
生じ、これが上側のセラミック絶縁板23b にかかわらず
加熱ヒーター24に誘導電流を誘起し、これが接続線24a
を経て電流制御回路53に還流する。高周波電流は前記し
たように、数百Ｗないし１ＫＷあるので誘導電流はかな
り大きく、一方ＡＣ電流もほぼ１ＫＷあるので、両者が
加わった過大電流により電流制御回路53が故障または破
損して温度制御が不安定となる。また、過大電流により
サーキットブレーカ54が誤動作してＡＣ電流がカットさ
れ、加熱作用が中断されるなどの事態がしばしば発生し
ている。以上に対して加熱装置２を安定に動作させるた
めには、ヒーター24などに誘導電流を誘起させないこと
が是非とも必要であり、このためには高周波の電磁界に
対してこれらを適切な方法で遮蔽することが有効であ
る。この発明は、高周波電圧を加圧して反応ガスをプラ
ズマ化し、または混合ガスにより筐体内に付着したＳｉ
Ｏ2 をプラズマエッチングしてクリーニングする各種の
ＣＶＤ反応炉の加熱装置に対して、その電磁界を有効に
電磁遮蔽する方法を提供することを目的とする。
ているように、高周波の電磁界に存在する導体には電磁
作用により誘導電流を誘起し、これにより導体は発熱
し、導体がループ回路をなしていると誘導電流はこれを
還流する。上記のＣＶＤ装置１０においては、加圧され
た高周波電圧ｖのグロー放電により、高周波の電磁界が
生じ、これが上側のセラミック絶縁板23b にかかわらず
加熱ヒーター24に誘導電流を誘起し、これが接続線24a
を経て電流制御回路53に還流する。高周波電流は前記し
たように、数百Ｗないし１ＫＷあるので誘導電流はかな
り大きく、一方ＡＣ電流もほぼ１ＫＷあるので、両者が
加わった過大電流により電流制御回路53が故障または破
損して温度制御が不安定となる。また、過大電流により
サーキットブレーカ54が誤動作してＡＣ電流がカットさ
れ、加熱作用が中断されるなどの事態がしばしば発生し
ている。以上に対して加熱装置２を安定に動作させるた
めには、ヒーター24などに誘導電流を誘起させないこと
が是非とも必要であり、このためには高周波の電磁界に
対してこれらを適切な方法で遮蔽することが有効であ
る。この発明は、高周波電圧を加圧して反応ガスをプラ
ズマ化し、または混合ガスにより筐体内に付着したＳｉ
Ｏ2 をプラズマエッチングしてクリーニングする各種の
ＣＶＤ反応炉の加熱装置に対して、その電磁界を有効に
電磁遮蔽する方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、ＣＶＤ反応
炉の加熱装置の電磁遮蔽方法であって、前記のＣＶＤ反
応炉において、加熱装置に対して、その上側セラミック
絶縁板と加熱ヒーターとの間に、適当な金属の遮蔽板と
中間セラミックス絶縁板を付加する。遮蔽板を接地し
て、高周波電圧が発生する電磁界に対して、加熱ヒータ
ーとその周辺を電磁遮蔽する。遮蔽板は、約１ｍｍの厚
さを有するアルミニウム円板あるいはニッケル円板また
は金属の溶射物とする。
炉の加熱装置の電磁遮蔽方法であって、前記のＣＶＤ反
応炉において、加熱装置に対して、その上側セラミック
絶縁板と加熱ヒーターとの間に、適当な金属の遮蔽板と
中間セラミックス絶縁板を付加する。遮蔽板を接地し
て、高周波電圧が発生する電磁界に対して、加熱ヒータ
ーとその周辺を電磁遮蔽する。遮蔽板は、約１ｍｍの厚
さを有するアルミニウム円板あるいはニッケル円板また
は金属の溶射物とする。
【０００８】
【作用】上記の電磁遮蔽方法においては、加熱装置の上
側セラミック絶縁板と加熱ヒーターとの間に付加された
適当な金属の遮蔽板により、高周波電圧の電磁界に対し
て、加熱ヒーターとその周辺が電磁遮蔽されてこれらに
誘導電流が誘起されず、従って電流制御回路の故障によ
る温度制御の不安定と、サーキットブレーカの誤動作に
よるＡＣ電流のカットとがそれぞれ防止されて、加熱装
置は安定に動作する。なお付加された中間のセラミック
ス絶縁板により、遮蔽板とヒーター間が絶縁される。電
磁遮蔽の理論によれば、電磁遮蔽を効果的に行うために
は、遮蔽板として導体抵抗が十分小さい導体を使用する
ことが必要とされている。これに対して発明者の実験に
より、１ｍｍ厚のアルミニウム円板が十分な電磁遮蔽効
果が認められたので、これを遮蔽板にしたものである。
側セラミック絶縁板と加熱ヒーターとの間に付加された
適当な金属の遮蔽板により、高周波電圧の電磁界に対し
て、加熱ヒーターとその周辺が電磁遮蔽されてこれらに
誘導電流が誘起されず、従って電流制御回路の故障によ
る温度制御の不安定と、サーキットブレーカの誤動作に
よるＡＣ電流のカットとがそれぞれ防止されて、加熱装
置は安定に動作する。なお付加された中間のセラミック
ス絶縁板により、遮蔽板とヒーター間が絶縁される。電
磁遮蔽の理論によれば、電磁遮蔽を効果的に行うために
は、遮蔽板として導体抵抗が十分小さい導体を使用する
ことが必要とされている。これに対して発明者の実験に
より、１ｍｍ厚のアルミニウム円板が十分な電磁遮蔽効
果が認められたので、これを遮蔽板にしたものである。
【０００９】
【実施例】図１は、この発明の電磁遮蔽方法を適用した
ＣＶＤ装置の一実施例を示す。ＣＶＤ装置１０は前記し
た図２と同一構成とする。ただし、プラズマＣＶＤ装置
のみでなく、高周波電圧によりクリーニングする方式
で、加熱装置が図２と同一またはほぼ同一構造であれ
ば、常圧法または低圧法によるものでも適用できる。Ｃ
ＶＤ装置１０の加熱装置２に対して、アルミニウム円板
７とその接続線７a、および中間セラミック絶縁板23c
を付加する。すなわち、加熱装置２の上側セラミック絶
縁板23b の下側に、アルミニウム円板７と、これと加熱
ヒーター24を絶縁するために中間セラミック絶縁板23c
を付加する。アルミニウム円板７の周辺の適当な点Ｐに
接続線７a を接続し、これと均熱板25の接続線25a の両
者をともに接地Ｅに接続する。なお、加熱ヒーター24の
接続線24a と温度センサ51のリード線52とにシールド線
を使用し、そのシールドを接地Ｅに接続すれば電磁遮蔽
はより確実となる。
ＣＶＤ装置の一実施例を示す。ＣＶＤ装置１０は前記し
た図２と同一構成とする。ただし、プラズマＣＶＤ装置
のみでなく、高周波電圧によりクリーニングする方式
で、加熱装置が図２と同一またはほぼ同一構造であれ
ば、常圧法または低圧法によるものでも適用できる。Ｃ
ＶＤ装置１０の加熱装置２に対して、アルミニウム円板
７とその接続線７a、および中間セラミック絶縁板23c
を付加する。すなわち、加熱装置２の上側セラミック絶
縁板23b の下側に、アルミニウム円板７と、これと加熱
ヒーター24を絶縁するために中間セラミック絶縁板23c
を付加する。アルミニウム円板７の周辺の適当な点Ｐに
接続線７a を接続し、これと均熱板25の接続線25a の両
者をともに接地Ｅに接続する。なお、加熱ヒーター24の
接続線24a と温度センサ51のリード線52とにシールド線
を使用し、そのシールドを接地Ｅに接続すれば電磁遮蔽
はより確実となる。
【００１０】上記のアルミニウム円板７により、高周波
電圧ｖとそのグロー放電流が発生した電磁界は電磁遮蔽
されて、加熱ヒーター24はもちろん、その接続線24a や
温度センサ51のリード線52などにも誘導電流が誘起され
ず、従って電流制御回路53の故障とサーキットブレーカ
54の誤動作がなくなり、従来しばしば発生した温度制御
の不安定とＡＣ電流のカットとがそれぞれ排除され、加
熱装置２は動作が安定化される。
電圧ｖとそのグロー放電流が発生した電磁界は電磁遮蔽
されて、加熱ヒーター24はもちろん、その接続線24a や
温度センサ51のリード線52などにも誘導電流が誘起され
ず、従って電流制御回路53の故障とサーキットブレーカ
54の誤動作がなくなり、従来しばしば発生した温度制御
の不安定とＡＣ電流のカットとがそれぞれ排除され、加
熱装置２は動作が安定化される。
【００１１】
【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明による電
磁遮蔽方法によれば、加熱装置の上側セラミック絶縁板
とヒーターとの間に付加された適当な金属の遮蔽板、例
えば約１ｍｍ厚のアルミニウム円板により、高周波電圧
の電磁界に対してヒーターなどが電磁遮蔽されて誘導電
流が誘起されず、従って電流制御回路の故障とサーキッ
トブレーカの誤動作が防止され、従来しばしば発生した
温度制御の不安定とＡＣ電流のカットとが排除されるも
ので、高周波電圧を使用する各種のＣＶＤ装置の加熱装
置の動作の安定化に寄与する効果には大きいものがあ
る。
磁遮蔽方法によれば、加熱装置の上側セラミック絶縁板
とヒーターとの間に付加された適当な金属の遮蔽板、例
えば約１ｍｍ厚のアルミニウム円板により、高周波電圧
の電磁界に対してヒーターなどが電磁遮蔽されて誘導電
流が誘起されず、従って電流制御回路の故障とサーキッ
トブレーカの誤動作が防止され、従来しばしば発生した
温度制御の不安定とＡＣ電流のカットとが排除されるも
ので、高周波電圧を使用する各種のＣＶＤ装置の加熱装
置の動作の安定化に寄与する効果には大きいものがあ
る。
【図１】 この発明の電磁遮蔽方法を適用したＣＶＤ装
置の一実施例に対する構成図を示す。
置の一実施例に対する構成図を示す。
【図２】 プラズマＣＶＤ装置の概略の構成図を示す。
１…反応炉筐体、11…上蓋、12,13 …側板、14…開閉
扉、２…加熱装置、21…支持柱、22…支持枠、23a …下
側セラミック絶縁板、23b …上側セラミック絶縁板、23
c …中間セラミック絶縁板、24…加熱ヒーター、25…均
熱板、25a …接続線、３…ガス噴射部、31…インレッ
ト、32…支持枠、33…シャワー電極、331 …噴射孔、33
a …接続線、４…高周波電源、５…ＡＣ電流供給部、51
…温度センサ、52…リード線、53…電流制御回路（ＣＯ
ＮＴ）、54…サーキットブレーカ（ＢＲＫ）、６…被処
理のウエハ、７…遮蔽板、アルミニウム円板、７a …接
続線、Ｂ…ベース盤、ｖ…高周波電圧、Ｅ…接地、Ｇ…
反応ガス、Ｇ′…反応済みガス、Ｐ…アルミニウム円板
の接続点。
扉、２…加熱装置、21…支持柱、22…支持枠、23a …下
側セラミック絶縁板、23b …上側セラミック絶縁板、23
c …中間セラミック絶縁板、24…加熱ヒーター、25…均
熱板、25a …接続線、３…ガス噴射部、31…インレッ
ト、32…支持枠、33…シャワー電極、331 …噴射孔、33
a …接続線、４…高周波電源、５…ＡＣ電流供給部、51
…温度センサ、52…リード線、53…電流制御回路（ＣＯ
ＮＴ）、54…サーキットブレーカ（ＢＲＫ）、６…被処
理のウエハ、７…遮蔽板、アルミニウム円板、７a …接
続線、Ｂ…ベース盤、ｖ…高周波電圧、Ｅ…接地、Ｇ…
反応ガス、Ｇ′…反応済みガス、Ｐ…アルミニウム円板
の接続点。
Claims (3)
- 【請求項１】 被処理のウエハを載置する均熱板と、該
均熱板の下側に設けられ、上側と下側の２枚のセラミッ
ク絶縁板の間に保持された加熱ヒーター、該均熱板に設
けた温度センサ、該温度センサの温度信号により、該加
熱ヒーターに対するＡＣ電流を制御する電流制御回路よ
りなる加熱装置と、サーキットブレーカを有し、該加熱
装置に対してＡＣ電流を供給するＡＣ電流供給部、およ
び、前記均熱板を接地電位とし、該均熱板の上方に設け
たシャワー電極に高周波電圧を加圧する高周波電源とを
具備するＣＶＤ反応炉において、前記加熱装置に対し
て、前記上側セラミック絶縁板と加熱ヒーターとの間
に、適当な金属の遮蔽板と中間セラミックス絶縁板を付
加し、該遮蔽板を接地して、前記高周波電圧が発生する
電磁界に対して、前記加熱ヒーターとその周辺を電磁遮
蔽することを特徴とする、ＣＶＤ反応炉の加熱装置の電
磁遮蔽方法。 - 【請求項２】 前記の遮蔽板は、約１ｍｍの厚さを有す
るアルミニウム円板あるいはニッケル円板とすることを
特徴とする、請求項１記載のＣＶＤ反応炉の加熱装置の
電磁遮蔽方法。 - 【請求項３】 前記の遮蔽板は、０．１〜１ｍｍの厚さ
の金属溶射物とすることを特徴とする、請求項１記載の
ＣＶＤ反応炉の加熱装置の電磁遮蔽方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26810193A JPH07106319A (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | Ｃｖｄ反応炉の加熱装置の電磁遮蔽方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26810193A JPH07106319A (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | Ｃｖｄ反応炉の加熱装置の電磁遮蔽方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106319A true JPH07106319A (ja) | 1995-04-21 |
Family
ID=17453915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26810193A Pending JPH07106319A (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | Ｃｖｄ反応炉の加熱装置の電磁遮蔽方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07106319A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002212732A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-07-31 | Anelva Corp | Ｃｖｄ装置のクリーニング方法 |
| JP2006299418A (ja) * | 2006-05-08 | 2006-11-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体あるいは液晶製造装置用保持体およびそれを搭載した半導体あるいは液晶製造装置 |
| JP2008244079A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置 |
| WO2010001938A1 (ja) * | 2008-07-04 | 2010-01-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法および誘電体窓の温度調節機構 |
| JP2013145859A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-07-25 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体製造装置 |
| KR20140070494A (ko) * | 2012-11-30 | 2014-06-10 | 램 리써치 코포레이션 | 열 제어 엘리먼트들의 어레이를 갖는 ｅｓｃ에 대한 전력 스위칭 시스템 |
| JP2015518275A (ja) * | 2012-03-30 | 2015-06-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | フィードスルー構造体を備える基板支持体 |
| KR20150099796A (ko) * | 2012-12-21 | 2015-09-01 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 단일-본체 정전 척 |
| WO2016080502A1 (ja) * | 2014-11-20 | 2016-05-26 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
| JP2016119412A (ja) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| KR20180117546A (ko) * | 2017-04-19 | 2018-10-29 | 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 | 세라믹스 부재 |
-
1993
- 1993-09-30 JP JP26810193A patent/JPH07106319A/ja active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8105440B2 (en) | 2001-01-22 | 2012-01-31 | Canon Anelva Corporation | Method of cleaning a CVD device |
| JP2002212732A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-07-31 | Anelva Corp | Ｃｖｄ装置のクリーニング方法 |
| JP2006299418A (ja) * | 2006-05-08 | 2006-11-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体あるいは液晶製造装置用保持体およびそれを搭載した半導体あるいは液晶製造装置 |
| JP2008244079A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置 |
| WO2010001938A1 (ja) * | 2008-07-04 | 2010-01-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法および誘電体窓の温度調節機構 |
| JP5444218B2 (ja) * | 2008-07-04 | 2014-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置および誘電体窓の温度調節機構 |
| JP2013145859A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-07-25 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体製造装置 |
| US9706605B2 (en) | 2012-03-30 | 2017-07-11 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with feedthrough structure |
| JP2015518275A (ja) * | 2012-03-30 | 2015-06-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | フィードスルー構造体を備える基板支持体 |
| KR20140070494A (ko) * | 2012-11-30 | 2014-06-10 | 램 리써치 코포레이션 | 열 제어 엘리먼트들의 어레이를 갖는 ｅｓｃ에 대한 전력 스위칭 시스템 |
| KR20210013247A (ko) * | 2012-11-30 | 2021-02-03 | 램 리써치 코포레이션 | 열 제어 엘리먼트들의 어레이를 갖는 ｅｓｃ에 대한 전력 스위칭 시스템 |
| KR20150099796A (ko) * | 2012-12-21 | 2015-09-01 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 단일-본체 정전 척 |
| WO2016080502A1 (ja) * | 2014-11-20 | 2016-05-26 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
| JPWO2016080502A1 (ja) * | 2014-11-20 | 2017-04-27 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
| KR20170088352A (ko) * | 2014-11-20 | 2017-08-01 | 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 | 정전 척 장치 |
| CN107004626A (zh) * | 2014-11-20 | 2017-08-01 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 静电卡盘装置 |
| CN107004626B (zh) * | 2014-11-20 | 2019-02-05 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 静电卡盘装置 |
| US10475687B2 (en) | 2014-11-20 | 2019-11-12 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrostatic chuck device |
| JP2016119412A (ja) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| KR20180117546A (ko) * | 2017-04-19 | 2018-10-29 | 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 | 세라믹스 부재 |
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