KR102485430B1 - 코팅 취약부 개선을 위한 정전척 및 정전척의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1방향을 따라 연장 형성되는 관통홀부가 구비되는 베이스부와; 베이스부의 상측에 편평하게 형성되는 코팅부 및 관통홀부와 연결되며 베이스부의 내부에 설치되는 절연부를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척 및 정전척의 제조 방법을 제공한다.
Description
본 발명은 정전척 및 정전척의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 절연 성능을 향상시킬 수 있는 정전척 및 정전척의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 챔버(chamber) 내에 안치된 웨이퍼에 스퍼터링, 포토리소그라피, 에칭, 이온 주입, 화학기상증착 등 수많은 공정들을 순차적 또는 반복적으로 수행함으로써, 제조될 수 있다.
이러한 반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 박막의 특성을 균일하게 유지하기 위해서는 웨이퍼(wafer)가 챔버 내에서 긴밀하게 고정되는 것이 중요하다.
한편, 웨이퍼를 고정시키는 방식에는 기계척(mechanical chuck) 방식과 정전척(Electrostatic Chuck: ESC) 방식이 있으나, 웨이퍼와의 접촉면 전체에 고른 인력 또는 척력을 발생시켜, 웨이퍼 표면의 평탄도(flatness)를 보장하고, 웨이퍼가 접촉면에 긴밀하게 접촉하여 효과적으로 웨이퍼의 온도 조절이 가능한 정전척 방식이 널리 사용되고 있다.
본 발명은 베이스부에 형성되는 관통홀부에 절연부가 설치됨으로 인하여 절연 성능을 향상시키고, 아킹 현상을 방지할 수 있는 정전척 및 정전척의 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1방향을 따라 연장 형성되는 관통홀부가 구비되는 베이스부; 및 상기 베이스부의 상측에 편평하게 형성되는 코팅부; 및 상기 관통홀부와 연결되며 상기 베이스부의 내부에 설치되는 절연부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척을 제공한다.
상술한 정전척에 있어서, 상기 절연부의 외주면은 원통 형상으로 형성될 수 있다.
상술한 정전척에 있어서, 상기 베이스부에 형성되는 상기 관통홀부는 복수 개가 구비될 수 있다.
상술한 정전척에 있어서, 상기 절연부는 복수 개의 상기 관통홀부에 대응되도록 복수 개가 구비될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 베이스부에 관통홀부를 형성하는 단계; 상기 관통홀부와 연결되도록 상기 베이스부에 절연부를 배치하는 단계; 및 상기 베이스부 상에 코팅부를 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 절연부는 상기 관통홀부와 연결되며 상기 베이스부의 내부에 설치되는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조 방법을 제공한다
상술한 정전척의 제조 방법에 있어서, 상기 코팅부에 홀부를 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
상술한 정전척의 제조 방법에 있어서, 상기 관통홀부는 복수 개가 구비되고, 상기 절연부는 복수 개의 상기 관통홀부에 대응되도록 복수 개가 구비될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 정전척 및 정전척의 제조 방법은, 절연부가 베이스부의 내부에 설치됨으로 인하여, 절연 성능을 향상시킬 수 있고, 베이스부의 내면을 따라 도통 및 아킹 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 베이스부의 내면을 따라 별도로 코팅층을 형성할 필요가 없어 정전척의 제조 공정을 단순화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 A부분을 확대한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 절연부를 도시한 사시도이다.
도 4는 도 2에서 리프트핀이 상승한 상태를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 절연부를 도시한 평단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 절연부를 도시한 평단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시에에 따른 정전척의 제조 방법을 도시한 순서도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척의 제조 방법을 도시한 도면이다.
도 2는 도 1의 A부분을 확대한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 절연부를 도시한 사시도이다.
도 4는 도 2에서 리프트핀이 상승한 상태를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 절연부를 도시한 평단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 절연부를 도시한 평단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시에에 따른 정전척의 제조 방법을 도시한 순서도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척의 제조 방법을 도시한 도면이다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 단순히 본 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되는 것으로서, 그 자체로 특별히 중요한 의미 또는 역할을 부여하는 것은 아니다. 따라서, 상기 "모듈" 및 "부"는 서로 혼용되어 사용될 수도 있다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품, 또는 이들을 조합한 것들의 존재, 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척에 관하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척을 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 2는 도 1의 A부분을 확대한 도면이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 절연부를 도시한 사시도이다. 도 4는 도 2에서 리프트핀이 상승한 상태를 도시한 도면이다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 절연부를 도시한 평단면도이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척(100)은 베이스부(110), 코팅부(130), 절연부(150), 리프트부(170)를 포함할 수 있다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척(100)은 베이스부(110) 상에 코팅부(130)가 용사 코팅 방식으로 형성될 수 있다.
도 1, 도 2, 도 4, 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 베이스부(110)는 금속 재질로 형성되는 것으로, 코팅부(130)의 하측에 배치될 수 있다. 구체적으로 베이스부(110)는 AL6061 등 알루미늄계 합금 재질로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 베이스부(110)는 챔버(도면 미도시) 내부에 수용되어, 뒤에 설명할 코팅부(130)를 형성하기 위한 지지대로서 기능할 수 있다.
도 1, 도 2, 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 베이스부(110)는 제1방향(도 1 기준 상하 방향)을 따라 관통홀부(111)가 구비될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 베이스부(110)에 형성되는 관통홀부(111)는 복수 개가 구비될 수 있다.
도 1, 도 2, 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 관통홀부(111)의 내측에는 리프트부(170), 구체적으로 뒤에 설명할 리프트핀(171)이 제1방향(도 4 기준 상하 방향)으로 이동가능하게 배치될 수 있다.
관통홀부(111)이 베이스부(110)의 내측에 형성됨으로 인하여 리프트부(170), 구체적으로 리프트핀(171)이 코팅부(130) 상에 배치되는 웨이퍼(W)에 접근하는 방향(도 4 기준 하측에서 상측 방향) 또는 웨이퍼(W)에서 이격되는 방향(도 4 기준 상측에서 하측 방향)으로 이동될 수 있다.
도 1, 도 2, 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 베이스부(110)에 형성되는 관통홀부(111)는 제1방향(도 2 기준)을 따라 소정 구간에서 직경이 다르게 형성될 수 있다.
구체적으로 베이스 바디의 하측에서 상측 방향으로 소정 높이까지는 제1직경(bh1)으로 관통홀부(111)가 형성될 수 있고, 상기 높이부터 코팅부(130)가 형성되는 베이스부(110)의 상면까지는 상기 제1직경(bh1)과 상이하도록 제2직경(bh2)으로 형성될 수 있다.
상기 제2직경(bh2)는 상기 제1직경(bh1)보다 상대적으로 크게 형성될 수 있고, 상기 제2직경(bh2)을 가지도록 상기 베이스부(110)의 상면에서 소정 깊이(t)만큼 설치홈부(115)가 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 소정 깊이(t)는 2.5mm 내지 3.5mm로 형성될 수 있고, 바람직하게는 3mm로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 베이스부(110)에 형성되는 설치홈부(115)는 뒤에 설명할 절연부(150)가 배치되는 것으로, 설치홈부(115)의 내주면과 절연부(150)의 외주면은 면접촉될 수 있다.
설치홈부(115)가 형성됨으로 인하여 절연부(150)가 안정적으로 삽입되며 베이스부(110)에 설치될 수 있고, 절연부(150)가 배치되는 상기 설치홈부(115)가 형성되는 소정 깊이(t)만큼 절연 성능을 향상시킬 수 있으며, 코팅부(130)에 형성되는 홀부(131)를 통해 관통홀부(111)가 형성되는 베이스부(110)의 내측에서 도통 및 아킹 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 베이스부(110)의 상측에는 뒤에 설명할 코팅부(130)가 배치되는 것으로, 편평한 원판 형상으로 형성될 수 있고, 전원과 전기적으로 연결되며, 전원으로부터 전원을 공급받아 정전기력을 발생시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 정전척(100), 구체적으로 베이스부(110)에 전원이 공급되면, 정전기력(electrostatic force)을 기초로 웨이퍼(W)를 척킹(chucking) 또는 디척킹(dechucking)할 수 있다.
도면에 도시하지는 않았지만, 베이스부(110)의 내측에 형성되는 관통홀부(111)에는 T/C(Thermocouple)이 배치될 수 있다. T/C는 반도체 공정 중 온도를 측정하는데 적용될 수 있다.
T/C가 배치될 때는 코팅부(130)에 형성되는 홀부(131), 관통홀부(111), 뒤에 설명할 절연부(150)에 형성되는 통과부(151)는 T/C(Thermal couple) 홀의 역할을 가질 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 베이스부(110)에 형성되는 관통홀부(111)는 리프트부(170), 구체적으로 리프트핀(171)이 상하 방향으로 이동할 수 있는 공간을 제공하는 것뿐만 아니라, 외부로부터 공급되는 기체가 통과할 수 있는 유동 경로를 제공할 수 있다.
도면에 도시하지는 않았지만, 베이스부(110)로 유입되는 기체는 상기 홀을 통해 베이스부(110) 및 베이스부(110)의 상측에 배치되는 코팅부(130)를 통과하며 유동될 수 있고, 이러한 기체는 헬륨(He) 가스 등의 비활성 기체로 형성되며 코팅부(130)와 웨이퍼(W) 사이의 영역으로 배출될 수 있다.
이로 인하여 코팅부(130) 상에 배치되는 웨이퍼(W)의 온도를 효과적으로 제어할 수 있다.
코팅부(130)에는 상기 관통홀부(111)와 연결되며 기판을 향해 기체를 배출시킬 수 있는 홀이 복수 개가 구비될 수 있다.
상기 홀을 통해 기체가 코팅부(130)의 상면에 배치되는 웨이퍼(W)에 도달할 수 있다.
이로 인하여 웨이퍼(W)가 코팅부(130) 상에 배치되며 스퍼터링, 포토리소그라피, 에칭, 이온 주입, 화학기상증착 등 수많은 공정들이 순차적 또는 반복적으로 수행되는 동안 헬륨 가스와 같은 비활성 기체로 웨이퍼(W)를 냉각시킬 수 있는 효과가 있다.
선택적 실시예로서, 베이스부(110)의 외부 또는 내부에는 코팅부(130)의 상면에 배치된 웨이퍼(W)를 냉각하기 위한 별도의 냉각 수단(도면 미도시)이 더 구비될 수 있다.
선택적 실시예로서, 베이스부(110)에는 냉각 유로가 형성될 수 있다. 냉각 유로는 적어도 하나 이상이 구비되며, 베이스부(110)의 내부에 형성될 수 있고, 베이스부(110)를 냉각시키기 위한 유체에 유동 경로를 제공할 수 있다.
도 1, 도 2, 도 4, 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 베이스부(110)에 형성되는 관통홀부(111)를 따라 뒤에 설명할 리프트부(170), 구체적으로 리프트핀(171)이 이동가능하게 배치되고, 핀구동부(175)가 외부로부터 전원을 공급받아 구동됨으로 인하여 리프트핀(171)이 베이스부(110)에 형성되는 관통홀부(111)의 내측에서 제1방향(도 4 기준 상하 방향)을 따라 이동할 수 있다.
도 2, 도 8의 (a)를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 베이스부(110)에는 제1방향을 따라 관통홀부(111)가 제1직경(bh1)으로 형성될 수 있다. 도 8의 (b)를 참조하면, 제1방향을 따라 제1직경(bh1)으로 형성되는 관통홀부(111) 상에서 소정 영역, 구체적으로 상단부에서 소정 깊이(t)만큼 제2직경(bh2)을 가지도록 설치홈부(115)를 형성할 수 있다.
도면에 도시하지는 않았지만, 가공 툴(T)을 이용하여 먼저 제1방향(도 2 기준 상하 방향)을 따라 제1직경(bh1)으로 관통홀부(111)를 형성하고, 관통홀부(111) 상에서 베이스부(110)의 상면으로부터 소정 깊이(t)만큼 제2직경(bh2)으로 설치홈부(115)를 형성할 수 있다.
선택적 실시예로서, 설치홈부(115)를 먼저 베이스부(110)에 형성하고, 그 다음에 제1직경(bh1)를 가지는 관통홀부(111)를 형성할 수 있다.
도 1, 도 2를 참조하면, 베이스부(110)에 형성되는 설치홈부(115)에는 절연부(150)가 배치될 수 있고, 절연부(150)에 관하여는 뒤에서 자세하게 설명하도록 한다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 코팅부(130)는 베이스부(110)의 상측에 편평하게 형성되는 것으로, 코팅부(130)의 상면에는 웨이퍼(W)가 접촉되며 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 베이스부(110)에 전원이 공급되면, 정전기력이 발생하게 되고, 이로 인하여 베이스부(110)의 상측에 위치하는 코팅부(130)에 웨이퍼(W)가 흡착되며 위치 고정될 수 있는 효과가 있다.
도 2, 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 코팅부(130)는 용사 코팅 방식으로 코팅될 수 있다. 구체적으로 세라믹(ceramic) 분말을 플라즈마 용사를 통해 코팅을 진행하게 된다. 코팅부(130)에는 관통홀부(111)와 연결될 수 있도록 홀부(131)가 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 홀부(131)는 복수 개의 관통홀부(111)에 대응되도록 복수 개가 구비될 수 있다.
도 8의 (d)를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 코팅부(130)는, 베이스부(110)에 형성되는 관통홀부(111)와 연결되도록 베이스부(110)에 절연부(150)를 배치한 다음에 베이스부(110) 및 절연부(150)의 상측에 형성될 수 있다.
도 8의 (d), (e)를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 코팅부(130)는 플라즈마 용사 코팅 방식으로 형성되며, 코팅부(130)가 형성된 다음에는 관통홀부(111)와 연결되도록 홀부(131)가 형성될 수 있다.
상기 홀부(131)는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척(100)의 외부에 위치하는 툴(T)이 코팅부(130)를 관통하면서 형성될 수 있다.
도 1, 도 2, 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 코팅부(130)에 형성되는 홀부(131)를 통해 리프트부(170), 구체적으로 리프트핀(171)이 제1방향(도 4 기준 상하 방향)으로 이동가능하며, 하측에서 상측(도 4 기준)으로 이동하는 경우 웨이퍼(W)와 접촉하며, 웨이퍼(W)를 코팅부(130)로부터 이격시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 절연부(150)는 관통홀부(111)와 연결되는 것으로, 베이스부(110)의 내부에 설치될 수 있다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 절연부(150)는 길이 방향(도 3 기준 상하 방향) 중심축을 따라 연장 형성되고, 상기 길이 방향 중심축을 기준으로 통과부(151)가 관통 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 절연부(150)는 절연 재질로 형성될 수 있고, 세라믹 재질로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 절연부(150)는 베이스부(110)와 유사한 열팽창율인 소재 사용 및 팽창률 차이가 고려된 구조 설계로 형성될 수 있다. 본 명세서에서 '유사한 열팽창율'이라 함은 베이스부(110), 구체적으로 Al6061 재질의 열팽창율인 23.6μm/K와 비교하였을 때 소정 범위의 차이 내의 열팽창율을 가지는 것을 의미한다.
구체적으로 본 발명의 일 실시예에 따른 절연부(150)는 7.4μm/K의 열팽창율을 가지는 Al2O3로 형성될 수 있다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 절연부(150)는 원통 형상으로 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니고 베이스부(110)의 내부에 설치되며, 관통홀부(111)와 연결될 수 있다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 절연부(150)는 관통홀부(111)와 길이 방향 중심축을 공유하며, 관통홀부(111)와 연결되도록 통과부(151)가 형성될 수 있다.
도 2, 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 통과부(151)는 리프트부(170), 구체적으로 리프트핀(171)이 핀구동부(175)로부터 동력을 전달받아 제1방향(도 4 기준 상하 방향)으로 이동이 가능하다.
선택적 실시예로서, 통과부(151)는 T/C(Thermal couple)홀로 형성될 수 있으며, 도면에 도시하지는 않았지만, 통과부(151)의 내측에는 센서부(도면 미도시)가 설치될 수 있다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 절연부(150)에 형성되는 통과부(151)는 미리 설정되는 직경(d1)을 가지며 형성될 수 있다. 통과부(151)의 직경(d1)은 절연부(150)와 연결되며, 절연부(150)의 하측에 형성되는 관통홀부(111)의 제1직경과 동일하거나 작게 형성될 수 있다.
선택적 실시예로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 절연부(150)에 형성되는 통과부(151)의 직경은 2mm 내지 2.2mm로 형성될 수 있다. 이로 인하여 관통홀부(111)와 연결되며 통과부(151)의 내측에서는 리프트부(170), 구체적으로 리프트핀(171)이 미리 설정되는 방향(도 4 기준 상하 방향)을 따라 이동가능한 효과가 있다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 절연부(150)의 외경과 통과부(151)의 내경(d1)의 차이, 즉 두께(d2)는 1.25mm 내지 1.75mm로 형성될 수 있다. 이로 인하여 절연부(150)가 베이스부(110)에 형성되는 설치홈부(115) 상에 삽입되며 안정적으로 위치 고정될 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 통과부(151)는 길이 방향 중심축을 따라 소정 높이(d3)을 가지며 형성될 수 있다. 이로 인하여 통과부(151)가 베이스부(110)에 형성되는 설치홈부(115)에 안정적으로 삽입될 수 있는 효과가 있다.
도 1, 도 2, 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 통과부(151)의 높이(d3)는 베이스부(110)에 형성되는 설치홈부(115)의 소정 깊이(t)와 동일하게 형성될 수 있다.
이로 인하여 베이스부(110) 및 베이스부(110)에 형성되는 설치홈부(115)에 삽입되는 통과부(151)의 상면이 동일 평면 상에 형성되고, 베이스부(110) 및 통과부(151)의 상면에 편평하고 균일하게 코팅부(130)가 형성될 수 있는 효과가 있다.
도 1, 도 2, 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 베이스부(110)에 형성되는 설치홈부(115)에 통과부(151)가 삽입되며 통과부(151)의 상면 상에 코팅부(130)가 접촉되며 형성됨으로 인하여 코팅부(130)에 형성되는 홀부(131)와 베이스부(110) 사이에 절연부(150)의 두께만큼의 거리가 이격 배치될 수 있다.
이로 인하여 종래 관통홀부(111)가 형성되는 베이스부(110)의 상면에 코팅부(130)가 형성됨에 따라 코팅부(130)와 베이스부(110)의 경계를 따라 도통, 즉 아킹 현상이 발생하는 문제점이 있었던 것에 비하여 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척(100)은 관통홀부(111)와 연결되며 설치홈부(115) 상에 배치되는 통과부(151)의 상면에 코팅층이 형성됨으로 인해, 통과부(151)의 두께만큼 코팅부(130)에 형성되는 홀부(131)와 베이스부(110)가 이격될 수 있고, 절연 재질로 형성되는 코팅부(130)와 절연부(150)로 인해 베이스부(110)가 도통되며, 아킹 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
이에 더하여 코팅부(130)의 하측에서 절연 재질로 형성되는 절연부(150)가 길이 방향(도 4 기준 상하 방향)을 따라 소정 깊이(t)만큼 연장 형성됨으로 인하여, 절연부(150)와 연결되는 관통홀부(111)의 내주면까지 공정 가스들이 도달하는 것을 방지하고, 아킹 현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.
이에 더하여 절연부(150)가 베이스부(110)에 형성되는 설치홈부(115)의 내주면에 접촉되며 삽입, 위치 고정되고, 절연 재질로 형성됨으로 인하여 통과부(151)의 높이(d3)만큼은 절연 성능이 확보될 수 있고, 기존 관통홀부(111)가 형성되는 베이스부(110)의 상면에 코팅부(130)가 형성되는 것에 비하여, 관통홀부(111)의 내주면을 따라 별도로 코팅층을 형성할 필요가 없어 정전척(100)의 제조 공정이 단순화될 수 있는 효과가 있다.
베이스부(110)에 광통홀부(131)의 내주면에 별도로 플라즈마 용사를 통해 코팅 물질을 분사하여 코팅층을 형성하는 경우에 길이 방향(도 1 기준 상하 방향)을 따라 균일한 두께를 가지며 코팅층을 형성하는 것이 거의 불가능하므로, 특정 영역에서 코팅층이 제대로 형성되지 않은 코팅 취약 영역이 생기게 된다.
상기 코팅 취약 영역에서는 공정 가스의 도달 및 아킹 현상이 발생하게 되는 문제점이 있는데, 본 발명의 일 실시예에 따른 절연부(150)가 베이스부(110)에 형성되는 설치홈부(115)에 배치됨으로 인하여 관통홀부(111)의 내주면 또는 통과부(151)의 내주면에 별도의 코팅층을 형성할 필요가 없다.
이에 더하여 통과부(151)가 베이스부(110)와 코팅부(130) 사이에 배치되지 않는 경우에는, 베이스부(110)의 내주면을 따라 코팅층을 형성해야 하며, 코팅층이 제대로 형성되었는지를 작업자가 육안으로 확인하는 중에 코팅부(130)가 손상되는 문제점이 있는데, 본 발명의 일 실시예에 따른 절연부(150)를 베이스부(110)에 형성되는 설치홈부(115)에 삽입 배치함으로 인하여, 절연부(150)에 형성되는 통과부(151)의 내주면을 따라 절연 성능이 확보되며, 작업자의 추가 작업이 요구되지 않고, 절연 성능을 확보할 수 있는 효과가 있다.
이에 더하여 절연부(150)는 상면에는 코팅부(130)가 형성되고, 절연부(150)의 외주면과 하면은 베이스부(110)와 접촉됨으로 인하여 금속 재질로 형성되는 베이스부(110)와 코팅부(130)에 형성되는 홀부(131)를 최대로 이격시킬 수 있고, 공정 가스의 도달 및 이로 인한 도통, 아킹 현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 절연부(150)는 길이 방향 중심축으로부터 외주면까지의 거리가 동일하게 형성될 수 있고, 이로 인하여 절연부(150)는 원통 형상으로 형성될 수 있다.
그러나 이에 한정하는 것은 아니고 도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 절연부(150)는 길이 방향을 중심축을 기준으로 둘레 방향을 따라 외주면까지의 거리가 상대적으로 짧게 형성되며, 삽입홈부(153)가 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 삽입홈부(153)는 절연부(150)의 외주면에서 길이 방향 중심축을 향해 소정 깊이를 가지며 홈부의 형상으로 형성될 수 있다. 삽입홈부(153)는 길이 방향을 따라 연장 형성될 수 있다.
구체적으로, 도 6을 참조하면, 절연부(150)의 외주면에서 길이 방향 중심축을 향하는 삽입홈부(153)의 깊이는 0.75mm 내지 0.78mm로 형성될 수 있다. 이때, 절연부(150)의 직경은 최대 5.36mm로 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 절연부(150)의 외주면과 마주보는 베이스부(110), 구체적으로 설치홈부(115)의 내주면에는 절연부(150)에 형성되는 삽입홈부(153)에 삽입 가능하도록 설치홈부(115)의 길이 방향 중심축을 향해 돌출부(117)가 돌출 형성될 수 있다.
설치홈부(115)의 내주면에 돌출 형성되는 돌출부(117)는 삽입홈부(153)의 내주면 형상에 대응될 수 있고, 길이 방향을 따라 연장 형성되는 삽입홈부(153)에 대응되도록 길이 방향을 따라 연장 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 절연부(150)의 길이 방향을 따라 삽입홈부(153)가 형성되고, 이와 마주보는 설치홈부(115)의 내주면을 따라 돌출 형성되는 돌출부(117)가 삽입홈부(153)에 삽입됨으로 인하여, 베이스부(110), 구체적으로 설치홈부(115)에 삽입되는 절연부(150)가 길이 방향 중심축을 기준으로 회전하는 것을 방지하고, 위치 고정된 상태를 유지할 수 있도록 하는 효과가 있다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 절연부(150)는 길이 방향을 따라 소정 깊이를 가지며 삽입홈부(153)가 형성되고, 상기 삽입홈부(153)에 삽입되도록 설치홈부(115)의 내주면을 따라 돌출부(117)가 돌출 형성되나, 이에 한정하는 것은 아니고 절연부(150)의 외주면 상에서 길이 방향을 따라 돌출 영역이 돌출 형성되고, 이와 마주보는 설치홈부(115)의 내주면 상에 상기 돌출 영역이 삽입되는 홈부 영역이 형성되는 등 다양한 변형 실시가 가능하다.
도 1, 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 리프트부(170)는 관통홀부(111)의 내측에서 미리 설정되는 방향을 따라 왕복 이동이 가능한 것으로, 리프트핀(171), 핀구동부(175)를 포함할 수 있다.
리프트핀(171)은 코팅부(130) 상에 배치되는 웨이퍼(W)와 접촉가능한 것으로, 베이스부(110), 구체적으로 관통홀부(111)의 내부에서 이동가능하게 배치되고, 제1방향(도 1 기준 상하 방향)을 따라 이동할 수 있다.
리프트핀(171)은 핀구동부로(175)부터 동력을 전달받아 상하 방향(도 1 기준)으로 이동이 가능하며, 반도체 공정을 수행하면서 웨이퍼(W)를 상측 방향으로 푸싱하여 코팅부(130)와 이격시킬 수 있다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 리프트핀(171)은 베이스부(110)에 형성되는 관통홀부(111) 및 절연부(150)에 형성되는 통과부(151), 코팅부(130)에 형성되는 홀부(131)를 통과하여 웨이퍼(W)와 접촉가능하다.
상기와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척의 제조 방법에 관하여 기술한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척의 제조 방법을 도시한 순서도이다. 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척의 제조 방법을 도시한 도면이다.
도 1 내지 도 5, 도 7, 도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척의 제조 방법은, 베이스부에 관통홀부를 형성하는 단계(S10), 베이스부에 설치홈부를 형성하는 단계(S20), 베이스부에 절연부를 배치하는 단계(S30), 베이스부 상에 코팅부를 형성하는 단계(S40), 코팅부에 홀부를 형성하는 단계(S50)를 포함할 수 있다.
도 7, 도 8의 (a)를 참조하면, 베이스부에 관통홀부를 형성하는 단계(S10)는, 금속 재질의 베이스부(110)에 제1방향(도 8 (a) 기준 상하 방향)을 따라 연장 형성되는 관통홀부(111)를 형성하는 단계로서, 관통홀부(111)는 제1방향을 따라 소정 구간에서 직경이 다르게 형성될 수 있다.
관통홀부(111)는 외부의 툴(tool, T)을 이용하여 베이스부(110)에 제1방향(도 8 (a) 기준 상하 방향)을 따라 연장 형성될 수 있다.
구체적으로 베이스부(110)의 상단부를 기준으로 소정 깊이(t)만큼 직경이 상대적으로 증가할 수 있다. 이로 인하여 관통홀부(111)는 상기 구간에서 상대적으로 큰 직경을 가지는 설치홈부(115)를 포함할 수 있다.
도 8의 (b)를 참조하면, 베이스부에 설치홈부를 형성하는 단계(S20)에서는 베이스부(110)의 상면으로부터 소정 깊이(t)만큼 직경을 상대적으로 크게 하여 설치홈부(115)를 형성할 수 있다.
설치홈부(115)는 관통홀부(111)의 길이 방향 중심축을 유지하면서, 상기 중심축으로부터 베이스부(110)의 내주면까지의 거리가 상대적으로 크게 형성되는 것으로, 절연부(150)가 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 관통홀부(111)는 상기 제1방향을 기준으로 설치홈부(115)가 형성되지 않는 영역에서는 제1직경(dh1)을 가지고, 설치홈부(115)가 형성되는 영역에서는 제1직경(dh1)보다 상대적으로 크게 형성되는 제2직경(dh2)을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 설치홈부(115)도 제2직경(dh2)을 가질 수 있도록 외부의 툴(T)을 이용하여 베이스부(110)에 제1방향(도 8 (b) 기준 상하 방향)을 따라 연장 형성될 수 있다.
도 7, 도 8의 (c)를 참조하면, 베이스부에 절연부를 배치하는 단계(S30)는 베이스부(110)에 형성되는 설치홈부(115)에 절연부(150)를 삽입하는 단계로서, 절연부(150)의 외주면은 설치홈부(115)의 내주면에 면접촉하면서 삽입될 수 있다.
절연부(150)는 베이스부(110)에 형성되는 설치홈부(115)에 삽입되면서, 절연부(150)의 외주면은 설치홈부(115)의 내주면과 접촉되고, 절연부(150)의 하면은 설치홈부(115)의 하면과 접촉될 수 있다.
절연부(150)의 높이(d3)는 설치홈부(115)의 깊이(t)와 동일하게 형성되며, 절연부(150)의 상면과 설치홈부(115)의 상면이 동일 평면 상에 배치될 수 있다.
도 7, 도 8의 (d)를 참조하면, 베이스부 상에 코팅부를 형성하는 단계(S40)는 정전척(100)의 외부에 배치되는 분사부(N)에서 정전척(100), 구체적으로 베이스부(110) 및 절연부(150)에 코팅 물질(CM)을 분사하여 코팅부(130)를 형성하는 단계이다.
도 2, 도 8의 (c)를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 절연부(150)의 높이(d3)는 베이스부(110)에 형성되는 설치홈부(115)의 깊이(t)와 동일하게 형성되고, 절연부(150)의 상면과 설치홈부(115)가 형성되지 않는 베이스부(110)의 상면이 동일 평면 상에 형성됨으로 인하여 분사부(N)에서 분사되는 코팅 물질(CM)이 동일 평면 상에 배치되는 절연부(150)의 상면과 베이스부(110)의 상면에 분사되며 균일한 두께로 코팅부(130)를 형성할 수 있는 효과가 있다.
도 7, 도 8의 (e)를 참조하면, 코팅부에 홀부를 형성하는 단계(S50)는 베이스부(110)에 형성되는 관통홀부(111) 및 절연부(150)에 형성되는 통과부(151)와 연결되도록 코팅부(130)에 홀부(131)를 형성하는 단계로서, 정전척(100)의 외부에 배치되는 툴(T)을 이용하여 코팅부(130)에 홀부(131)를 형성할 수 있다.
이로 인하여 코팅부(130)에는 관통홀부(111) 및 통과부(151)와 연결되도록 홀부(131)가 형성되고, 관통홀부(111), 통과부(151), 코팅부(130)에 형성되는 홀부(131)의 내측에서 리프트부(170), 구체적으로 리프트핀(171)이 제1방향(도 4 기준 상하 방향)을 따라 이동가능하고, 공정 중 코팅부(130) 상에 배치되는 웨이퍼(W)를 상측으로 푸싱하여 코팅부(130)로부터 이격시킬 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 절연부가 베이스부에 형성되는 설치홈부에 삽입 설치되고, 절연 재질로 형성됨으로 인하여 절연부의 높이만큼 통과부의 내주면 상에서 절연 성능을 확보할 수 있고, 코팅부에 형성되는 홀부 영역에서 홀부를 통과하여 베이스부의 내부에 공정 가스, 플라즈마가 도달하여 아킹 현상이 발생하는 것을 차단할 수 있다.
또한, 절연부의 높이가 설치홈부의 깊이와 동일하게 형성되며, 절연부의 상면과 설치홈부의 상면이 동일 평면 상에 형성됨으로 인하여 코팅부가 균일한 두께로 형성되며 평탄도를 유지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 절연부가 절연 재질로 형성되며 베이스부의 내측, 구체적으로 설치홈부에 삽입 배치됨으로 인하여, 절연부의 높이만큼 코팅부에 형성되는 홀부와 베이스부에 형성되는 관통홀부가 이격될 수 있고, 관통홀부의 내주면을 따라 도통, 아킹 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 절연부의 상면에 코팅부가 형성됨으로 인하여, 절연부의 두께만큼 코팅부에 형성되는 홀부와 베이스부가 이격될 수 있고, 종래 코팅부에 형성되는 홀부와 직접 베이스부가 접촉됨으로 인하여, 베이스부와 코팅부 사이 경계를 따라 도통, 아킹 현상의 발생 및 그로 인하여 정전척이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 절연부가 절연 재질로 형성되며, 베이스부에 형성되는 설치홈부에 삽입 설치됨으로 인하여, 종래 관통홀부가 형성되는 베이스부의 상면에 코팅부가 형성되는 정전척에 비하여, 베이스부, 구체적으로 관통홀부의 내주면을 따라 별도로 코팅 물질을 분사하여 코팅층을 형성할 필요가 없어 제조 공정이 단순화될 수 있다.
또한, 종래 관통홀부의 내주면을 따라 별도 코팅 물질을 분사하여도 특정 영역에서 코팅이 제대로 되지 않은 코팅 취약 영역이 발생하며 절연 성능이 저하될 수 있는 문제가 있었으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 절연부는 절연 재질로 형성되고, 길이 방향 중심축을 따라 절연 성능이 확보되는 통과부의 직경이 일정하게 유지됨으로 인하여 절연 성능을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 베이스부의 내주면에 별도로 코팅층을 형성하는 것에 비하여, 그러한 코팅층이 제대로 형성되었는지 작업자가 육안으로 살펴볼 필요가 없으며, 작업자가 육안으로 살펴보는 과정에서 발생할 수 있는 정전척의 손상 발생을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 베이스부에 대한 도통, 아킹 현상이 일어나는 것을 방지함으로써 절연 성능 및 척킹력을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.
100: 정전척 CM: 코팅 물질
N: 분사부 T: 툴
W: 웨이퍼 110: 베이스부
111: 관통홀부 115: 설치홈부
117: 돌출부 130: 코팅부
131: 홀부 150: 절연부
151: 통과부 153: 삽입홈부
170: 리프트부 171: 리프트핀
175: 핀구동부
N: 분사부 T: 툴
W: 웨이퍼 110: 베이스부
111: 관통홀부 115: 설치홈부
117: 돌출부 130: 코팅부
131: 홀부 150: 절연부
151: 통과부 153: 삽입홈부
170: 리프트부 171: 리프트핀
175: 핀구동부
Claims (7)
- 제1방향을 따라 연장 형성되는 관통홀부가 구비되는 베이스부; 및
상기 베이스부의 상측에 편평하게 형성되는 코팅부; 및
상기 관통홀부와 연결되며 상기 베이스부의 내부에 설치되는 절연부;를 포함하고,
상기 관통홀부는 제1직경으로 형성되고, 상기 베이스부에는, 상기 관통홀부 상에서 상기 베이스부의 상면으로부터 소정 깊이만큼 상기 제1직경보다 상대적으로 큰 직경인 제2직경으로 설치홈부가 형성되고, 상기 절연부는 상기 설치홈부에 삽입 배치되며,
상기 베이스부의 상면 및 상기 절연부의 상면은 동일 평면 상에 형성되고,
상기 절연부의 길이 방향 중심축을 따라 관통 형성되는 통과부의 내경과 상기 코팅부에 형성되는 홀부 및 상기 관통홀부는 동일한 직경을 가지며,
외부로부터 동력을 전달받아 상기 관통홀부의 내측에서 미리 설정되는 방향을 따라 왕복 이동이 가능하며 상기 코팅부 상에 형성되는 상기 홀부를 통과하여 상기 코팅부 상에 배치되는 웨이퍼와 접촉가능한 리프트핀;을 더 포함하고,
상기 절연부는 길이 방향을 따라 소정 깊이를 가지며 삽입홈부가 형성되고,
상기 절연부의 외주면과 마주보는 상기 설치홈부의 내주면에는 상기 삽입홈부에 삽입되도록 상기 설치홈부의 길이 방향 중심축을 향해 돌출부가 돌출 형성되는 것을 특징으로 하는 정전척. - 제1항에 있어서,
상기 절연부의 외주면은 원통 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 정전척. - 제1항에 있어서,
상기 베이스부에 형성되는 상기 관통홀부는 복수 개가 구비되는 것을 특징으로 하는 정전척. - 제3항에 있어서,
상기 절연부는 복수 개의 상기 관통홀부에 대응되도록 복수 개가 구비되는 것을 특징으로 하는 정전척. - 베이스부에 관통홀부를 형성하는 단계;
상기 관통홀부와 연결되도록 상기 베이스부에 절연부를 배치하는 단계; 및
상기 베이스부 상에 코팅부를 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 절연부는 상기 관통홀부와 연결되며 상기 베이스부의 내부에 설치되고,
상기 코팅부에 홀부를 형성하는 단계;를 더 포함하며,
상기 관통홀부는 제1직경으로 형성되고, 상기 베이스부에는, 상기 관통홀부 상에서 상기 베이스부의 상면으로부터 소정 깊이만큼 상기 제1직경보다 상대적으로 큰 직경인 제2직경으로 설치홈부가 형성되고, 상기 절연부는 상기 설치홈부에 삽입 배치되며,
상기 베이스부의 상면 및 상기 절연부의 상면은 동일 평면 상에 형성되고,
상기 절연부의 길이 방향 중심축을 따라 관통 형성되는 통과부의 내경과 상기 코팅부에 형성되는 홀부 및 상기 관통홀부는 동일한 직경을 가지며,
외부로부터 동력을 전달받아 상기 관통홀부의 내측에서 미리 설정되는 방향을 따라 왕복 이동이 가능하며 상기 코팅부 상에 형성되는 상기 홀부를 통과하여 상기 코팅부 상에 배치되는 웨이퍼와 접촉가능한 리프트핀;을 더 포함하고,
상기 절연부는 길이 방향을 따라 소정 깊이를 가지며 삽입홈부가 형성되고,
상기 절연부의 외주면과 마주보는 상기 설치홈부의 내주면에는 상기 삽입홈부에 삽입되도록 상기 설치홈부의 길이 방향 중심축을 향해 돌출부가 돌출 형성되는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조 방법. - 삭제
- 제5항에 있어서,
상기 관통홀부는 복수 개가 구비되고, 상기 절연부는 복수 개의 상기 관통홀부에 대응되도록 복수 개가 구비되는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조 방법.
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|---|---|---|---|
| KR1020210119373A KR102485430B1 (ko) | 2021-09-07 | 2021-09-07 | 코팅 취약부 개선을 위한 정전척 및 정전척의 제조 방법 |
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| KR1020210119373A KR102485430B1 (ko) | 2021-09-07 | 2021-09-07 | 코팅 취약부 개선을 위한 정전척 및 정전척의 제조 방법 |
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| KR102485430B1 true KR102485430B1 (ko) | 2023-01-06 |
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| KR1020210119373A KR102485430B1 (ko) | 2021-09-07 | 2021-09-07 | 코팅 취약부 개선을 위한 정전척 및 정전척의 제조 방법 |
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| KR (1) | KR102485430B1 (ko) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6108189A (en) * | 1996-04-26 | 2000-08-22 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having improved gas conduits |
| KR20030018604A (ko) | 2001-08-30 | 2003-03-06 | 시게히사 오마쯔 | 농업 및 수산업용 생산관리 시스템 |
| KR101384585B1 (ko) * | 2007-09-06 | 2014-04-11 | 가부시키가이샤 크리에이티브 테크놀러지 | 정전 척 장치에서의 가스공급구조의 제조방법 및 정전 척 장치 가스공급구조 및 정전 척 장치 |
| KR20170113560A (ko) * | 2015-02-18 | 2017-10-12 | 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 | 정전 척 장치 및 반도체 제조 장치 |
| KR20180103912A (ko) * | 2016-01-19 | 2018-09-19 | 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 | 정전 척 장치 |
| KR20210057384A (ko) * | 2019-11-12 | 2021-05-21 | 주식회사 미코세라믹스 | 정전척 |
-
2021
- 2021-09-07 KR KR1020210119373A patent/KR102485430B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6108189A (en) * | 1996-04-26 | 2000-08-22 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having improved gas conduits |
| KR20030018604A (ko) | 2001-08-30 | 2003-03-06 | 시게히사 오마쯔 | 농업 및 수산업용 생산관리 시스템 |
| KR101384585B1 (ko) * | 2007-09-06 | 2014-04-11 | 가부시키가이샤 크리에이티브 테크놀러지 | 정전 척 장치에서의 가스공급구조의 제조방법 및 정전 척 장치 가스공급구조 및 정전 척 장치 |
| KR20170113560A (ko) * | 2015-02-18 | 2017-10-12 | 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 | 정전 척 장치 및 반도체 제조 장치 |
| KR20180103912A (ko) * | 2016-01-19 | 2018-09-19 | 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 | 정전 척 장치 |
| KR20210057384A (ko) * | 2019-11-12 | 2021-05-21 | 주식회사 미코세라믹스 | 정전척 |
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