KR20240005185A - 정전 척 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32697—Electrostatic control
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
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- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
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Abstract
시료 유지면을 갖는 절연 기체(1)와, 절연 기체(1)에 접합된 지지체(2)를 구비하고 있으며, 절연 기체(1)에 형성된 제 1 관통 구멍(9)과 지지체(2)에 형성된 제 2 관통 구멍(7)이 연통해서 가스 유입 구멍을 구성하고 있다. 제 2 관통 구멍(7)에는 다공질 부재(5)가 설치되어 있다. 제 2 관통 구멍(7) 중 절연 기체(1)에 임하는 측의 개구(기체측 개구)의 개구 지름은, 제 1 관통 구멍(9)의 지름보다 크고, 제 2 관통 구멍(7)의 개구와 흡착 전극(6)은 시료 유지면에 평행한 방향으로 어긋나서 위치하고 있다. 즉, 평면에서 볼 때에 있어서, 흡착 전극(6)과 제 2 관통 구멍 (7)이 중복되어 있지 않은 구성으로 되어 있다.
Description
본 개시는 반도체 집적 회로의 제조 공정 또는 액정 표시 장치의 제조 공정등에 있어서 사용되는, 반도체 웨이퍼 등의 시료를 유지하는 정전 척에 관한 것이다.
반도체 제조 장치 등에 사용되는 시료 유지구로서, 예를 들면 특허문헌 1에 기재된 정전 척이 알려져 있다.
본 개시의 정전 척은, 일방의 주면이 시료 유지면인 판 형상의 기체와,
상기 기체의 내부에 위치하는 정전 흡착용의 전극과,
상기 기체의 타방의 주면에 위치하는 접합재와,
상기 접합재에 의해 상기 기체의 타방의 주면에 접합된 지지체와,
상기 시료 유지면으로부터 상기 타방의 주면까지 상기 기체를 관통하는 제 1 관통 구멍과,
상기 제 1 관통 구멍에 연속하고, 상기 타방의 주면측으로부터 상기 지지체를 관통하는 제 2 관통 구멍과,
상기 제 2 관통 구멍의 내부에 위치하고, 상기 타방의 주면에 고정된 다공질 부재를 구비하고 있고,
상기 제 2 관통 구멍 중 상기 기체에 임하는 개구의 개구 지름은 상기 제 1 관통 구멍의 지름보다 크고,
상기 제 2 관통 구멍의 상기 개구와 상기 전극은 상기 시료 유지면에 평행한 방향으로 어긋나서 위치하고 있는 구성이다.
도 1은 제 1 실시형태의 정전 척의 단면도이다.
도 2는 도 1의 영역(A)으로 나타내는 다공질 부재 주변을 확대한 부분 확대 단면도이다.
도 3은 제 2 실시형태의 정전 척의 단면도이다.
도 4는 도 3의 영역(A)으로 나타내는 다공질 부재 주변을 확대한 부분 확대 단면도이다.
도 5는 제 3 실시형태의 다공질 부재 주변을 확대한 부분 확대 단면도이다.
도 6은 제 4 실시형태의 다공질 부재 주변을 확대한 부분 확대 단면도이다.
도 7은 제 5 실시형태의 다공질 부재 주변을 확대한 부분 확대 단면도이다.
도 2는 도 1의 영역(A)으로 나타내는 다공질 부재 주변을 확대한 부분 확대 단면도이다.
도 3은 제 2 실시형태의 정전 척의 단면도이다.
도 4는 도 3의 영역(A)으로 나타내는 다공질 부재 주변을 확대한 부분 확대 단면도이다.
도 5는 제 3 실시형태의 다공질 부재 주변을 확대한 부분 확대 단면도이다.
도 6은 제 4 실시형태의 다공질 부재 주변을 확대한 부분 확대 단면도이다.
도 7은 제 5 실시형태의 다공질 부재 주변을 확대한 부분 확대 단면도이다.
본 개시의 목적, 특색, 및 이점은, 하기의 상세한 설명과 도면으로부터 보다 명확해질 것이다.
우선, 본 개시의 정전 척이 기초로 하는 정전 척에 대하여 설명한다. 본 개시의 정전 척이 기초로 하는 정전 척은, 내부 전극을 갖는 유전체 기판과 금속제의 베이스 플레이트를 구비하고, 유전체 기판과 베이스 플레이트를 관통하는 관통 구멍이 형성되어 있고, 베이스 플레이트의 관통 구멍에는 세라믹 다공체가 배치되어 있다.
이하, 정전 척(100)에 대하여 도면을 참조해서 설명한다. 도 1은 제 1 실시형태의 정전 척을 나타내는 단면도이다. 도 2는 도 1의 영역(A)으로 나타내는 다공질 부재 주변을 확대한 부분 확대 단면도이다. 정전 척(100)은 절연 기체(1)와, 지지체(2)와, 접합재(3)와, 다공질 부재(5)와, 흡착 전극(6)을 구비한다.
절연 기체(1)는 제 1 면(일방의 주면)(1a) 및 상기 제 1 면(1a)과 반대측의 제 2 면(타방의 주면)(1b)을 갖는 세라믹체이며, 제 1 면(1a)이 시료를 유지하는 시료 유지면이다. 절연 기체(1)는 판 형상의 부재이며, 외측 형상은 한정되지 않고, 예를 들면 원판 형상 또는 각판(角板) 형상이라도 좋다.
절연 기체(1)는, 예를 들면 세라믹 재료로 구성된다. 세라믹 재료로서는, 예를 들면 알루미나, 질화알루미늄, 질화규소 또는 이트리아 등으로 할 수 있다. 절연 기체(1)의 외형 치수는, 예를 들면 직경(또는 변길이)을 200~500㎜, 두께를 2~15㎜로 할 수 있다.
절연 기체(1)를 사용해서 시료를 유지하는 방법으로서는 다양한 방법을 이용할 수 있다. 본 예의 정전 척(100)은 정전기력에 의해 시료를 유지하는 정전 척이다. 그 때문에, 정전 척(100)은 절연 기체(1)의 내부에 흡착 전극(6)을 구비하고 있다. 흡착 전극(6)은 2종의 전극을 갖고 있다. 2개의 전극은, 일방이 전원의 정극에 접속되고, 타방이 부극에 접속된다. 2개의 전극은, 예를 들면 각각 대략 반원판 형상이며, 반원의 현끼리가 대향하도록, 절연 기체(1)의 내부에 위치하고 있다. 이들 2개의 전극이 합쳐져서, 흡착 전극(6)전체의 외형이 원형상으로 되어 있다. 이 흡착 전극(6)의 전체에 의한 원형상의 외형의 중심은, 동일하게 원형상의 세라믹체의 외형의 중심과 동일하게 설정할 수 있다. 흡착 전극(6)의 형상은, 예를 들면, 띠 형상, 미앤더 형상, 격자 형상(그리드 형상) 등이라도 좋다. 흡착 전극(6)은, 예를 들면 금속 재료를 갖는다. 금속 재료로서는, 예를 들면 백금, 텅스텐 또는 몰리브덴 등의 금속 재료를 갖는다.
정전 척(100)은, 예를 들면, 시료 유지면인 절연 기체(1)의 제 1 면(1a)보다 상방에 있어서 플라즈마를 발생시켜서 사용된다. 플라즈마는, 예를 들면, 외부에 설치된 복수의 전극간에 고주파를 인가함으로써, 전극간에 위치하는 가스를 여기 시켜 발생시킬 수 있다.
지지체(2)는 금속제이며, 절연 기체(1)를 지지하기 위한 부재이다. 금속 재료로서는, 예를 들면 알루미늄을 사용할 수 있다. 지지체(2)의 외측 형상은 특별히 한정되지 않고, 원형상 또는 사각 형상이라도 좋다. 지지체(2)의 외형 치수는, 예를 들면 직경(또는 변길이)을 200~500㎜로, 두께를 10~100㎜로 할 수 있다. 지지체(2)는 절연 기체(1)와 동일 외측 형상이라도 좋고, 다른 외측 형상이라도 좋고, 동일 외형 치수라도 좋고, 다른 외형 치수라도 좋다.
지지체(2)와 절연 기체(1)는 접합재(3)를 개재해서 접합되어 있다. 구체적으로는, 지지체(2)의 제 1 면(2a)과 절연 기체(1)의 제 2 면(1b)이 접합재(3)에 의해 접합되어 있다. 접합재(3)로서는, 예를 들면 수지 재료의 접착제를 사용할 수 있다. 수지 재료로서는, 예를 들면 실리콘 수지 등을 사용할 수 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 절연 기체(1)에는 제 1 면(1a)으로부터 제 2 면(1b)까지 관통하는 제 1 관통 구멍(9)이 형성되어 있다. 또한, 지지체(2)에는, 제 1 면(일방의 주면)(2a)으로부터 상기 제 1 면(2a)과 반대측의 제 2 면(타방의 주면)(2b)까지 관통하는 제 2 관통 구멍(7)이 형성되어 있다. 제 2 관통 구멍(7)과 제 1 관통 구멍(9)은 연통하고 있고, 절연 기체(1)의 제 1 면(1a)으로부터, 접합재(3)를 통해서, 지지체(2)의 제 2 면(2b)까지 연속한 구멍으로 되어 있다. 제 2 관통 구멍(7) 및 제 1 관통 구멍(9)은, 예를 들면, 헬륨 등의 가스를, 지지체(2)의 제 2 면(2b)측으로부터 시료 유지면인 절연 기체(1)의 제 1 면(1a)측으로 유입시키기 위한 가스 유입 구멍으로서 형성되어 있다.
제 1 관통 구멍(9)은, 절연 기체(1)의 적어도 일부에 있어서 지지체(2)의 제 2 관통 구멍(7)의 구멍 지름보다 구멍 지름이 작아져 있다. 본 예의 정전 척(100)에 있어서는, 제 2 관통 구멍(7)은, 상세는 후술하지만, 지지체(2)의 제 2 면(2b)으로부터 제 1 면(2a)에 걸쳐서 구멍 지름이 다른 원기둥 형상이다. 또한, 제 1 관통 구멍(9)은, 절연 기체(1) 중에 있어서는, 절연 기체(1)의 제 2 면(1b)으로부터 제 1 면(1a)에 걸쳐서 구멍 지름이 일정한 원기둥 형상이다.
다공질 부재(5)는, 시료 유지면인 제 1 면(1a)보다 상방에 있어서 플라즈마를 발생시켰을 때에, 플라즈마가 제 1 관통 구멍(9)을 통해서 지지체(2)측에까지 들어가지 않도록 하기 위해서 설치되어 있다. 다공질 부재(5)로서는, 예를 들면 알루미나 등의 세라믹 다공질 재료를 사용할 수 있다. 다공질 부재(5)는 제 2 관통 구멍(7)의 내부에 위치하고 있다. 다공질 부재(5)는 상면으로부터 하면으로 기체를 흘리는 것이 가능한 정도의 기공률을 갖고 있다. 그 때문에, 제 2 관통 구멍(7)의 내부에 다공질 부재(5)를 위치시킴으로써 제 1 관통 구멍(9)에 기체를 흘리면서도, 플라즈마가 지지체(2)측에 도달해 버릴 우려를 저감한다. 다공질 부재(5)의 기공률로서는, 예를 들면, 40~60%로 설정할 수 있다.
흡착 전극(6)은, 제 1 관통 구멍(9)의 주변 부분에 있어서, 예를 들면 원형상의 빠짐(클리어런스)이 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 제 2 관통 구멍(7) 중 절연 기체(1)에 임하는 측의 개구(기체측 개구)의 개구 지름은 제 1 관통 구멍(9)의 지름보다 크고, 제 2 관통 구멍(7)의 개구와 흡착 전극(6)은 시료 유지면에 평행한 방향으로 어긋나서 위치하고 있다. 즉, 평면에서 볼 때에 있어서(시료 유지면에 수직인 방향으로 보아서), 흡착 전극(6)과 제 2 관통 구멍(7)이 중복되어 있지 않으면 좋다. 예를 들면, 제 2 관통 구멍(7)의 상기 개구 지름보다 흡착 전극(6)의 클리어런스의 지름의 쪽이 커져 있어도 좋고, 흡착 전극(6)이 띠 형상 등의 경우에는, 인접하는 전극과의 간격이 상기 개구 지름보다 커져 있어도 좋다. 이 제 2 관통 구멍(7)의 개구에는 다공질 부재(5)가 위치하고 있다. 제 2 관통 구멍(7)의 개구와 흡착 전극(6)을 비켜 놓음으로써, 다공질 부재(5)와 흡착 전극(6)의 거리를, 본 개시의 정전 척이 기초로 하는 구성에 비해서 멀게 할 수 있다. 다공질 부재(5)와 흡착 전극(6)의 거리가 멀어지면, 본 개시의 정전 척이 기초로 하는 구성에 비해서 절연 파괴가 발생하기 어려워진다. 거리가 멀어질수록(클리어런스의 지름이 커질 수록) 절연 파괴도 발생하기 어려워지지만, 그 만큼 흡착 전극(6)의 면적이 작아져버린다. 예를 들면, 평면에서 볼 때에 있어서, 흡착 전극(6)과 제 2 관통 구멍(7)의 거리를 0.5㎜~4㎜로 하고 있다.
제 2 관통 구멍(7)의, 기체측 개구와 반대측의 개구에 대해서는 특별히 크기 등은 한정되지 않지만, 본 실시형태에서는, 반대측의 개구는 기체측 개구보다 개구 지름이 작다. 다공질 부재(5)는 기둥 형상(원기둥 형상)이며, 제 2 관통 구멍(7)은, 절연 기체(1)측이, 이 다공질 부재(5)가 위치하도록 기둥 형상의 구멍이며, 이것에 이어져서 소경의 기둥 형상의 구멍이 반대측까지 연속하고 있다. 즉, 제 2 관통 구멍(7)은, 지름이 다른 2개의 기둥 형상의 구멍이 동축에 이어진 형상으로 되어 있다.
도 3은 제 2 실시형태의 정전 척의 단면도이다. 도 4는 도 3의 영역(A)으로 나타내는 다공질 부재 주변을 확대한 부분 확대 단면도이다. 본 실시형태의 정전 척(100)은, 제 2 관통 구멍(7)에 위치하는 슬리브(10)를 더 구비하는 점에서 제 1 실시형태와 다르고, 제 1 실시형태와 마찬가지의 구성에 대해서는 상세한 설명을 생략하고 있다.
슬리브(10)는 제 2 관통 구멍(7)의 중심축선을 따라 연장되는 원통 형상을 갖고 있고, 절연성 재료로 이루어지는 통 형상 부재이다. 슬리브(10)는, 제 2 관통 구멍(7)의 내부 공간에 있어서, 금속 재료가 노출되는 내주면을 덮고 있다. 슬리브(10)를 제 2 관통 구멍(7) 내에 설치함으로써, 슬리브(10)의 내부 공간과 제 1 관통 구멍(9)이 연통하게 되고, 상기 가스 유입 구멍을 구성하고 있다. 슬리브(10)의 절연 기체(1)에 임하는 측의 개구 부분에 다공질 부재(5)가 위치하고 있고, 다공질 부재(5)는 슬리브(10)에 의해 둘러싸여져 있다. 이것에 의해, 플라즈마가 다공질 부재(5)까지 도달해도, 슬리브(10)에 의해 지지체(2)와의 단락, 지지체(2)에의 방전 등을 막을 수 있다.
본 실시형태의 제 2 관통 구멍(7)은, 제 1 실시형태 와는 달리, 구멍 지름이 일정한 원기둥 형상이다. 슬리브(10)의 외경은 제 2 관통 구멍(7)의 구멍 지름과 동일하고, 내부 공간 형상이 제 1 실시형태의 제 2 관통 구멍(7)과 마찬가지로, 지름이 다른 2개의 기둥 형상의 구멍이 동축에 이어진 형상이다. 지름이 큰 구멍이 절연 기체(1)측이며, 다공질 부재(5)가 위치하고 있다.
슬리브(10)를 구성하는 절연성 재료로서는, 예를 들면 세라믹 재료를 사용할 수 있다. 세라믹 재료로서는, 예를 들면 알루미나 또는 질화알루미늄을 들 수 있다.
본 실시형태도 제 1 실시형태와 마찬가지로, 제 2 관통 구멍(7)의 개구와 흡착 전극(6)이, 시료 유지면에 평행한 방향으로 어긋나서 위치하고 있으므로, 절연 파괴가 발생하기 어렵게 되어 있다. 제 2 관통 구멍(7)의 개구는, 다공질 부재(5)의 주위의 슬리브(10)의 두께분만큼 제 1 실시형태보다 크고, 흡착 전극(6)과 다공질 부재(5)의 거리가 더 멀어져 있다.
도 5는 제 3 실시형태의 다공질 부재 주변을 확대한 부분 확대 단면도이다. 본 실시형태에서는, 절연 기체(1)의 제 2 면(1b)에 있어서, 슬리브(10)의 외경과 동 지름의 원기둥 형상이며, 제 1 면(1a)측에 움푹 팬 오목부(8)를 형성하고 있는 점에서 제 2 실시형태와 다르다.
오목부(8)는 오목부(8)의 중심축과 제 1 관통 구멍(9)의 중심축이 동축으로 되도록 형성되어 있다. 슬리브(10)의 상부를, 지지체(2)의 제 1 면(2a)보다 더 절연 기체(1)측으로 돌출시켜서, 오목부(8)에 감입시킨다. 이것에 의해, 가스 유입 구멍의 일부를 구성하는 슬리브(10)의 내부 공간의 중심축이, 제 1 관통 구멍(9)의 중심축과 동축이 되도록 용이하게 위치 맞춤할 수 있다. 또한, 다공질 부재(5)의 상면 및 슬리브(10)의 상면이, 지지체(2)의 제 1 면(2a)으로부터 떨어져서 위치하므로, 지지체(2)와의 단락, 지지체(2)에의 방전 등을 막을 수 있다. 또한, 오목부(8)를 형성함으로써, 제 1 관통 구멍(9)의 길이가 짧아지고, 제 1 관통 구멍(9)내에서의 플라즈마의 발생을 억제할 수 있다.
도 6은 제 4 실시형태의 다공질 부재 주변을 확대한 부분 확대 단면도이다. 본 실시형태에서는, 다공질 부재(5)가 접착재(11)에 의해 오목부(8)에 고정되어 있는 점에서 제 3 실시형태와 다르다.
오목부(8)에 있어서, 다공질 부재(5)를 절연 기체(1)에 고정하는 접착재(11)는, 절연 기체(1)보다 열전도율이 높은 재질로 이루어지고, 예를 들면, 실리콘 수지 등을 사용할 수 있다. 웨이퍼의 처리에 사용하는 플라즈마에 의해 발생한 열은, 절연 기체(1)로부터 지지체(2)에 전도한다. 오목부(8) 근방은, 흡착 전극(6)이 부분적으로 존재하지 않으므로, 정전 흡착력이 약하고, 웨이퍼와 절연 기체(1)의 시료 유지면 사이에 미소한 간격 등이 발생해서, 열전도성이 부분적으로 저하한다. 그와 같은 부분에, 열전도율이 높은 재질로 이루어지는 접착재(11)를 사용함으로써, 열전도성을 부분적으로 높게 하고, 정전 흡착력이 약한 것에 의한 열전도성의 저하를 보충해서 균열성을 향상시킬 수 있다. 또한, 접착재(11)는 제 1 관통 구멍(9)의 바로 아래에는 설치하지 않도록 하는 것이 바람직하다. 제 2 관통 구멍(7)으로부터 다공질 부재(5)를 통해서 흘린 가스를 효율적으로 제 1 관통 구멍(9)에 공급할 수 있다.
도 7은 제 5 실시형태의 다공질 부재 주변을 확대한 부분 확대 단면도이다. 본 실시형태에서는, 오목부(8)가 둘레 방향으로 연장되는 벽면(8a)을 갖고 있고, 이 벽면(8a)에 내플라즈마성 부재(12)가 위치하고 있는 점에서 제 3 실시형태와 다르다.
본 실시형태에서는 오목부(8)의 지름이 슬리브(10)의 외경보다 약간 크고, 슬리브(10)의, 오목부(8)에 감입된 일부의 외주면과 오목부(8)의 벽면(8a) 사이에 내플라즈마성 부재(12)를 설치하고 있다. 내플라즈마성 부재(12)는, 응력 집중이 발생하기 쉬운, 오목부의 저면과 벽면(8a)에 의한 내부 모서리에 위치하고 있다. 이것에 의해, 절연 파괴를 더 억제할 수 있다.
내플라즈마성 부재(12)는, 예를 들면, 불소성 수지 등 플라즈마와 접촉해도 열화하기 어려운 수지 재료 등의 재질을 사용할 수 있고, 슬리브(10)와 오목부(8), 즉 슬리브(10)와 절연 기체(1)를 접착 고정한다.
제 5 실시형태의 시료 유지구에 대해서, 제조 방법을 간단하게 서술한다. 우선, 슬리브(10)의 개구에 다공질 부재(5)를 부착하고, 지지체(2)의 제 2 관통 구멍(7) 내에 슬리브(10)를 감입시킨다. 이어서, 절연 기체(1)와 지지체(2)를 접합재(3)에 의해 접합한다. 다공질 부재(5)를 절연 기체(1)에 접착재(11)로 고정함과 아울러, 슬리브(10)를 절연 기체(1)에 내플라즈마성 부재(12)로 고정한다.
본 개시는 다음 실시형태가 가능하다.
본 개시의 정전 척은, 일방의 주면이 시료 유지면인 판 형상의 기체와, 상기 기체의 내부에 위치하는 정전 흡착용의 전극과, 상기 기체의 타방의 주면에 위치하는 접합재와, 상기 접합재에 의해 상기 기체의 타방의 주면에 접합된 지지체와, 상기 시료 유지면으로부터 상기 타방의 주면까지 상기 기체를 관통하는 제 1 관통 구멍과, 상기 제 1 관통 구멍에 연속하고, 상기 타방의 주면측으로부터 상기 지지체를 관통하는 제 2 관통 구멍과, 상기 제 2 관통 구멍의 내부에 위치하고, 상기 타방의 주면에 고정된 다공질 부재를 구비하고 있고, 상기 제 2 관통 구멍 중 상기 기체에 임하는 개구의 개구 지름은 상기 제 1 관통 구멍의 지름보다 크고, 상기 제 2 관통 구멍의 상기 개구와 상기 전극은, 상기 시료 유지면에 평행한 방향으로 어긋나서 위치하고 있는 구성이다.
본 개시의 정전 척에 의하면, 지지체에 형성된 제 2 관통 구멍의 개구와, 기체 내의 전극의 절연 거리를 비교적 길게 할 수 있으므로, 절연 파괴를 억제할 수 있다.
1 : 절연 기체
1a : 제 1 면
1b : 제 2 면
2 : 지지체
2a : 제 1 면
2b : 제 2 면
3 : 접합재
5 : 다공질 부재
6 : 흡착 전극
7 : 제 2 관통 구멍
8 : 오목부
9 : 제 1 관통 구멍
10 : 슬리브
11 : 접착재
12 : 내플라즈마성 부재
100 : 시료 유지구
1a : 제 1 면
1b : 제 2 면
2 : 지지체
2a : 제 1 면
2b : 제 2 면
3 : 접합재
5 : 다공질 부재
6 : 흡착 전극
7 : 제 2 관통 구멍
8 : 오목부
9 : 제 1 관통 구멍
10 : 슬리브
11 : 접착재
12 : 내플라즈마성 부재
100 : 시료 유지구
Claims (11)
- 시료를 유지하기 위한 제 1 면과, 상기 제 1 면이 제 1 개구를 갖고, 상기 제 1 면의 반대에 위치하고, 제 2 개구를 포함하는 제 2 면과, 상기 제 1 개구로부터 상기 제 2 개구까지 통과하여, 제 1 반경을 갖는 제 1 관통 구멍을 갖는 기체;
상기 기체의 내부에 위치하고, 단면에서 볼 때에, 제 1 부분과 상기 제 1 부분에 간격을 두고 이웃하는 제 2 부분을 갖는 전극과,
제 3 개구를 갖는 제 3 면과, 상기 제 3 면의 반대에 위치하고, 제 4 개구를 갖는 제 4 면과, 상기 제 3 개구로부터 상기 제 4 개구까지 통과하고, 상기 제 3 개구에서, 상기 제 1 반경보다 큰 제 2 반경을 갖는 제 2 관통 구멍을 가지며, 단면에서 볼 때에, 상기 제 2 관통 구멍이 상기 제 1 부분과 상기 제 2 부분 사이에 위치하는 지지체와,
상기 제 2 면과 상기 제 3 면 사이에 위치하는 접합재와,
상기 제 2 관통 구멍의 내부에 위치하고, 상기 제 1 부분과 상기 제 2 부분 사이에 위치하는 다공질 부재와,
상기 제 2 관통 구멍의 내부에 위치하고, 상기 다공질 부재를 둘러싸는 통 형상 부재를 구비하고,
상기 제 1 관통 구멍은 상기 접합재를 관통하여 상기 접합재와 접하는 상기 다공질 부재의 상면까지 연장되며,
상기 통 형상 부재는 상기 제 1 부분과 상기 제 2 부분 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 정전 척. - 제 1 항에 있어서,
평면에서 볼 때에 있어서, 상기 전극과 상기 제 2 관통 구멍의 거리가 0.5mm ~ 4mm인 것을 특징으로 하는 정전 척. - 시료를 유지하기 위한 제 1 면과, 상기 제 1 면이 제 1 개구를 갖고, 상기 제 1 면의 반대에 위치하고, 제 2 개구를 포함하는 제 2 면과, 상기 제 1 개구로부터 상기 제 2 개구까지 통과하여, 제 1 반경을 갖는 제 1 관통 구멍을 갖는 기체;
상기 기체의 내부에 위치하고, 단면에서 볼 때에, 제 1 부분과 상기 제 1 부분에 간격을 두고 이웃하는 제 2 부분을 갖는 전극과,
제 3 개구를 갖는 제 3 면과, 상기 제 3 면의 반대에 위치하고, 제 4 개구를 갖는 제 4 면과, 상기 제 3 개구로부터 상기 제 4 개구까지 통과하고, 상기 제 3 개구에서 상기 제 1 반경보다 큰 제 2 반경을 갖는 제 2 관통 구멍을 가지며, 단면에서 볼 때에, 상기 제 2 관통 구멍이 상기 제 1 부분과 상기 제 2 부분 사이에 위치하는 지지체와,
상기 제 2 면과 상기 제 3 면 사이에 위치하는 접합재와,
상기 제 2 관통 구멍의 내부에 위치하고, 상기 제 1 부분과 상기 제 2 부분 사이에 위치하는 다공질 부재를 구비하고,
상기 제 1 관통 구멍은 상기 접합재를 관통하여 상기 접합재와 접하는 상기 다공질 부재의 상면까지 연장되며,
상기 제 3 개구의 제 2 반경은 상기 제 4 개구의 제 2 반경보다 큰 것을 특징으로 하는 정전 척. - 시료를 유지하기 위한 제 1 면과, 상기 제 1 면이 제 1 개구를 갖고, 상기 제 1 면의 반대에 위치하고, 제 2 개구를 포함하는 제 2 면과, 상기 제 1 개구로부터 상기 제 2 개구까지 통과하여, 제 1 반경을 갖는 제 1 관통 구멍을 갖는 기체;
상기 기체의 내부에 위치하고, 단면에서 볼 때에, 제 1 부분과 상기 제 1 부분에 간격을 두고 이웃하는 제 2 부분을 갖는 전극과,
제 3 개구를 갖는 제 3 면과, 상기 제 3 면의 반대에 위치하고, 제 4 개구를 갖는 제 4 면과, 상기 제 3 개구로부터 상기 제 4 개구까지 통과하고, 상기 제 3 개구에서 상기 제 1 반경보다 큰 제 2 반경을 갖는 제 2 관통 구멍을 가지며, 단면에서 볼 때에, 상기 제 2 관통 구멍이 상기 제 1 부분과 상기 제 2 부분 사이에 위치하는 지지체와,
상기 제 2 면과 상기 제 3 면 사이에 위치하는 접합재와,
상기 제 2 관통 구멍의 내부에 위치하고, 상기 제 1 부분과 상기 제 2 부분 사이에 위치하는 다공질 부재와,
상기 제 2 관통 구멍의 내부에 위치하고, 상기 다공질 부재를 둘러싸는 통 형상 부재를 구비하고,
상기 통 형상 부재는 상기 제 1 부분과 상기 제 2 부분 사이에 위치하며,
평면에서 볼 때에 있어서, 상기 전극과 상기 제 2 관통 구멍의 거리가 0.5mm ~ 4mm인 것을 특징으로 하는 정전 척. - 제 4 항에 있어서,
상기 기체는 상기 제 2 면에 오목부를 갖고,
상기 다공질 부재는 상기 오목부에 고정되는 것을 특징으로 하는 정전 척. - 제 5 항에 있어서,
상기 다공질 부재의 하단은 상기 접합재의 하단보다 상기 제 2 면에 가깝게 위치하는 것을 특징으로 하는 정전 척. - 제 5 항에 있어서,
상기 통 형상 부재는 상기 오목부에 위치하는 것을 특징으로 하는 정전 척. - 제 7 항에 있어서,
상기 오목부는 벽면을 갖고,
상기 통 형상 부재는 상기 벽면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 정전 척. - 제 5 항에 있어서,
상기 다공질 부재는 접착재에 의해 상기 오목부에 고정되고,
상기 접착재의 열전도율은 상기 기체의 열전도율보다 높은 것을 특징으로하는 정전 척. - 제 5 항에 있어서,
상기 오목부는 단면에서 볼 때에, 상기 제 1 부분과 상기 제 2 부분 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 정전 척. - 제 5 항에 있어서,
상기 오목부는 벽면을 갖고,
상기 벽면에 내플라즈마성 부재가 배치되어있는 것을 특징으로 하는 정전 척.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019009961 | 2019-01-24 | ||
JPJP-P-2019-009961 | 2019-01-24 | ||
PCT/JP2020/002411 WO2020153449A1 (ja) | 2019-01-24 | 2020-01-23 | 静電チャック |
KR1020217019392A KR102618849B1 (ko) | 2019-01-24 | 2020-01-23 | 정전 척 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020217019392A Division KR102618849B1 (ko) | 2019-01-24 | 2020-01-23 | 정전 척 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20240005185A true KR20240005185A (ko) | 2024-01-11 |
Family
ID=71736836
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020237044511A KR20240005185A (ko) | 2019-01-24 | 2020-01-23 | 정전 척 |
KR1020217019392A KR102618849B1 (ko) | 2019-01-24 | 2020-01-23 | 정전 척 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020217019392A KR102618849B1 (ko) | 2019-01-24 | 2020-01-23 | 정전 척 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11842915B2 (ko) |
JP (1) | JP7083923B2 (ko) |
KR (2) | KR20240005185A (ko) |
CN (1) | CN113228496A (ko) |
WO (1) | WO2020153449A1 (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117099194A (zh) * | 2021-03-25 | 2023-11-21 | 京瓷株式会社 | 静电吸盘 |
JP7255659B1 (ja) | 2021-11-25 | 2023-04-11 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
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JP2014209615A (ja) | 2013-03-29 | 2014-11-06 | Toto株式会社 | 静電チャック |
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JP6489277B1 (ja) | 2018-03-14 | 2019-03-27 | Toto株式会社 | 静電チャック |
-
2020
- 2020-01-23 KR KR1020237044511A patent/KR20240005185A/ko active Application Filing
- 2020-01-23 US US17/418,308 patent/US11842915B2/en active Active
- 2020-01-23 KR KR1020217019392A patent/KR102618849B1/ko active IP Right Grant
- 2020-01-23 JP JP2020568208A patent/JP7083923B2/ja active Active
- 2020-01-23 CN CN202080007377.3A patent/CN113228496A/zh active Pending
- 2020-01-23 WO PCT/JP2020/002411 patent/WO2020153449A1/ja active Application Filing
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- 2023-11-02 US US18/500,308 patent/US20240063046A1/en active Pending
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Publication number | Publication date |
---|---|
US11842915B2 (en) | 2023-12-12 |
CN113228496A (zh) | 2021-08-06 |
JPWO2020153449A1 (ja) | 2021-11-25 |
JP7083923B2 (ja) | 2022-06-13 |
US20210391204A1 (en) | 2021-12-16 |
KR102618849B1 (ko) | 2023-12-28 |
WO2020153449A1 (ja) | 2020-07-30 |
KR20210095176A (ko) | 2021-07-30 |
US20240063046A1 (en) | 2024-02-22 |
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