JP2014198460A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 液体の流路を形成する流路形成部材を接着剤で接合した液体吐出ヘッドにおいて、
   前記流路形成部材の表面には、表面処理膜が形成され、
   前記表面処理膜は、Ｓｉを含む酸化膜であり、
   前記酸化膜は、不動態膜を形成する遷移金属を含んでいる
   ことを特徴とする液体吐出ヘッド。
2. 前記表面処理膜は、前記遷移金属に対するＳｉの配合比が、前記表面処理膜の前記接着剤側の表面において、前記表面処理膜の内部よりも高い
   ことを特徴とする請求項１に記載の液体吐出ヘッド。
3. 前記表面処理膜は、前記遷移金属に対するＯの配合比が、前記表面処理膜の前記接着剤側の表面において、前記表面処理膜の内部よりも高い
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の液体吐出ヘッド。
4. 前記表面処理膜は、前記遷移金属に対するＳｉの配合比が、前記表面処理膜の前記流路形成部材側の表面において、前記表面処理膜の内部よりも高い
   ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の液体吐出ヘッド。
5. 前記表面処理膜は、前記遷移金属に対するＯの配合比が、前記表面処理膜の前記流路形成部材側の表面において、前記表面処理膜の内部よりも低い
   ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の液体吐出ヘッド。
6. 前記表面処理膜は、前記遷移金属に対するＳｉの配合比が、前記表面処理膜の前記流路形成部材側の表面において、前記表面処理膜の内部よりも低い
   ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の液体吐出ヘッド。
7. 前記表面処理膜は、第４族又は第５族から選ばれる遷移金属を少なくとも一種以上含んでいることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の液体吐出ヘッド。
8. 前記表面処理膜は、Ｈｆ、Ｔａ、Ｚｒのうち、少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項７に記載の液体吐出ヘッド。
9. 前記表面処理膜は、膜中にＳｉを１７ａｔ％以上含んでいることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の液体吐出ヘッド。
10. 前記表面処理膜は、膜中に前記遷移金属種を２ａｔ％以上含んでいることを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の液体吐出ヘッド。
11. 前記表面処理膜は、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法で成膜された膜であることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の液体吐出ヘッド。
12. 前記表面処理膜は、スパッタ（Physical Vapor Deposition）法で成膜された膜であることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の液体吐出ヘッド。
13. 請求項１ないし１２の記載のいずれか液体吐出ヘッドを備えていることを特徴とする画像形成装置。