JP2015041624A5 - - Google Patents
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- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Description
このように式(1)及び式(2)によって規定されるマスクMKの残膜の膜厚Drの経時変化を考慮することによって、第1の膜L1の膜厚、第1の膜L1の材料、第2の膜L2の膜厚、及び、第2の膜L2の材料を、決定することができる。即ち、シリコン酸化膜OXのエッチングに必要な時間をt1とし、当該時間t1の経過後に必要なマスクの残膜の膜厚をT1以上とすると、下記の式(3)及び式(4)を導くことができる。そして、第1の膜L1の膜厚D1、第2の膜L2の膜厚D2、第1の膜L1のエッチングレートE1、第2の膜L2のエッチングレートE2が式(3)又は式(4)を満たすように、第1の膜L1の膜厚、第1の膜L1の材料、第2の膜L2の膜厚、及び、第2の膜L2の材料を選択することができる。
・エッチング時間t1の経過後に第2の膜L2が残る場合(t1≦D2/E2の場合)
D1+D2−E2×t1≧T1 …(3)
・エッチング時間t1の経過後に第2の膜L2が残されない場合(t1≧D2/E2の場合)
D1+(E1/E2)×D2−E1×t1≧T1 …(4)
・エッチング時間t1の経過後に第2の膜L2が残る場合(t1≦D2/E2の場合)
D1+D2−E2×t1≧T1 …(3)
・エッチング時間t1の経過後に第2の膜L2が残されない場合(t1≧D2/E2の場合)
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JP3742243B2 (ja) * | 1999-03-16 | 2006-02-01 | 株式会社東芝 | ドライエッチング方法および半導体装置の製造方法 |
JP2001015479A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-01-19 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
TWI276153B (en) * | 2001-11-12 | 2007-03-11 | Hynix Semiconductor Inc | Method for fabricating semiconductor device |
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JP5568340B2 (ja) * | 2010-03-12 | 2014-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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