JP2015041624A5 - - Google Patents
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Description
このように式（１）及び式（２）によって規定されるマスクＭＫの残膜の膜厚Ｄｒの経時変化を考慮することによって、第１の膜Ｌ１の膜厚、第１の膜Ｌ１の材料、第２の膜Ｌ２の膜厚、及び、第２の膜Ｌ２の材料を、決定することができる。即ち、シリコン酸化膜ＯＸのエッチングに必要な時間をｔ１とし、当該時間ｔ１の経過後に必要なマスクの残膜の膜厚をＴ１以上とすると、下記の式（３）及び式（４）を導くことができる。そして、第１の膜Ｌ１の膜厚Ｄ１、第２の膜Ｌ２の膜厚Ｄ２、第１の膜Ｌ１のエッチングレートＥ１、第２の膜Ｌ２のエッチングレートＥ２が式（３）又は式（４）を満たすように、第１の膜Ｌ１の膜厚、第１の膜Ｌ１の材料、第２の膜Ｌ２の膜厚、及び、第２の膜Ｌ２の材料を選択することができる。
・エッチング時間ｔ１の経過後に第２の膜Ｌ２が残る場合（ｔ１≦Ｄ２／Ｅ２の場合）
Ｄ１＋Ｄ２−Ｅ２×ｔ１≧Ｔ１ …（３）
・エッチング時間ｔ１の経過後に第２の膜Ｌ２が残されない場合（ｔ１≧Ｄ２／Ｅ２の場合）
Ｄ１＋（Ｅ１／Ｅ２）×Ｄ２−Ｅ１×ｔ１≧Ｔ１ …（４）
・エッチング時間ｔ１の経過後に第２の膜Ｌ２が残る場合（ｔ１≦Ｄ２／Ｅ２の場合）
Ｄ１＋Ｄ２−Ｅ２×ｔ１≧Ｔ１ …（３）
・エッチング時間ｔ１の経過後に第２の膜Ｌ２が残されない場合（ｔ１≧Ｄ２／Ｅ２の場合）
Ｄ１＋（Ｅ１／Ｅ２）×Ｄ２−Ｅ１×ｔ１≧Ｔ１ …（４）
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