JP3524763B2 - エッチング方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子の表面加
工方法にかかわり、特にプラズマを用いてエッチングを
行う方法に関する。
工方法にかかわり、特にプラズマを用いてエッチングを
行う方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子のエッチングには、プラズマ
を利用した装置が広く用いられている。本発明は、この
ようなプラズマを利用した装置に適用する。従来、タン
グステン膜をエッチングするプラズマとしては、垂井康
夫 総合監修：半導体プロセスハンドブック：（ｐ９２
−９３）：（株）プレスジャーナルに記載されているよ
うにフッ素系ガス、塩素系ガス、臭素系ガス、あるいは
それらの混合ガスが利用されていた。
を利用した装置が広く用いられている。本発明は、この
ようなプラズマを利用した装置に適用する。従来、タン
グステン膜をエッチングするプラズマとしては、垂井康
夫 総合監修：半導体プロセスハンドブック：（ｐ９２
−９３）：（株）プレスジャーナルに記載されているよ
うにフッ素系ガス、塩素系ガス、臭素系ガス、あるいは
それらの混合ガスが利用されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】半導体素子の高速化と
低消費電力化に伴い、電極や配線部分などの導体部分は
低抵抗化が必要となっている。このため、従来多結晶シ
リコン膜が用いられていたＭＯＳ（Metal Oxide Semico
nductor）素子のゲート電極を形成するために、シリコ
ン酸化膜上に多結晶シリコン膜を形成し、その上にタン
グステン膜を形成する構造がある。さらに、多結晶シリ
コン膜とタングステン膜の間には相互の拡散を抑制する
ために、たとえば窒化タングステン膜などのバリア膜が
必要となる。
低消費電力化に伴い、電極や配線部分などの導体部分は
低抵抗化が必要となっている。このため、従来多結晶シ
リコン膜が用いられていたＭＯＳ（Metal Oxide Semico
nductor）素子のゲート電極を形成するために、シリコ
ン酸化膜上に多結晶シリコン膜を形成し、その上にタン
グステン膜を形成する構造がある。さらに、多結晶シリ
コン膜とタングステン膜の間には相互の拡散を抑制する
ために、たとえば窒化タングステン膜などのバリア膜が
必要となる。
【０００４】以上のような多層構造の膜をエッチングす
ると、多結晶シリコンとタングステンのエッチング反応
の違いにより従来にない問題点が発生する。たとえばエ
ッチングガスとしてフッ素系ガスを適用した場合は、多
結晶シリコンのエッチング速度が速いために、タングス
テン膜エッチング後の多結晶シリコン膜のエッチング速
度の抑制が難しく、シリコン酸化膜がフッ素系ガスプラ
ズマに晒されて、シリコン酸化膜がエッチングされる。
あるいはエッチングガスとして塩素系ガスを適用した場
合は、タングステンのエッチング速度が遅いために、タ
ングステン膜あるいはバリア膜が多結晶シリコン上に部
分的に残り、エッチング表面に凹凸が生じるなどの問題
点が生じる。この塩素系ガスプラズマによるタングステ
ン膜のエッチング速度を速くする手段としては、試料温
度を高温にすることで改善できることは知られている
が、タングステン膜のエッチング後の多結晶シリコン膜
エッチング時に試料温度が高いために、等方性にエッチ
ングが進行しサイドエッチングが生じるなどの問題点が
ある。
ると、多結晶シリコンとタングステンのエッチング反応
の違いにより従来にない問題点が発生する。たとえばエ
ッチングガスとしてフッ素系ガスを適用した場合は、多
結晶シリコンのエッチング速度が速いために、タングス
テン膜エッチング後の多結晶シリコン膜のエッチング速
度の抑制が難しく、シリコン酸化膜がフッ素系ガスプラ
ズマに晒されて、シリコン酸化膜がエッチングされる。
あるいはエッチングガスとして塩素系ガスを適用した場
合は、タングステンのエッチング速度が遅いために、タ
ングステン膜あるいはバリア膜が多結晶シリコン上に部
分的に残り、エッチング表面に凹凸が生じるなどの問題
点が生じる。この塩素系ガスプラズマによるタングステ
ン膜のエッチング速度を速くする手段としては、試料温
度を高温にすることで改善できることは知られている
が、タングステン膜のエッチング後の多結晶シリコン膜
エッチング時に試料温度が高いために、等方性にエッチ
ングが進行しサイドエッチングが生じるなどの問題点が
ある。
【０００５】本発明の目的は、これらの課題の解決策を
提供するものである。
提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、金属膜エッチング時に試料温度を１００℃以上に保
って処理し金属膜のエッチング速度を速める。さらに、
多結晶シリコン膜のエッチング速度の抑制や、サイドエ
ッチングを防止するために、ハロゲン元素を含むガスに
酸素ガスを添加する。
に、金属膜エッチング時に試料温度を１００℃以上に保
って処理し金属膜のエッチング速度を速める。さらに、
多結晶シリコン膜のエッチング速度の抑制や、サイドエ
ッチングを防止するために、ハロゲン元素を含むガスに
酸素ガスを添加する。
【０００７】また、多結晶シリコン膜エッチング時のシ
リコン酸化膜のエッチング速度を抑制するために、少な
くとも金属膜エッチング条件と多結晶シリコン膜エッチ
ング条件を分けて処理する。
リコン酸化膜のエッチング速度を抑制するために、少な
くとも金属膜エッチング条件と多結晶シリコン膜エッチ
ング条件を分けて処理する。
【０００８】
【発明の実施の形態】（実施例１）以下、実施例を図に
より説明する。図１は本発明を適用するプラズマエッチ
ング装置のエッチング処理室構成図である。マイクロ波
電源１０１から導波管１０２と石英板１０３を介して真
空容器１１０内にマイクロ波が導入される。真空容器１
１０の回りには、電磁石１０４が設置されおり、磁場と
マイクロ波により電子サイクロトロン共鳴を利用して、
プラズマ１０５を発生させる構造となっている。試料１
０６は誘電膜１０９を介して、試料台１０８上に設置さ
れている。また、試料台１０８には高周波電源１１２と
直流電源１１３及び試料台温度調整機構１１１が接続さ
れており、直流電源１１３により印可された直流電圧に
より誘電膜１０９と試料１０６の間にクーロン力を発生
させて、試料１０６を試料台１０８に吸着させ、試料１
０６の温度を制御する。さらに、試料台１０８には温度
センサ１０７が設置されており、試料１０６の温度をモ
ニタできる。
より説明する。図１は本発明を適用するプラズマエッチ
ング装置のエッチング処理室構成図である。マイクロ波
電源１０１から導波管１０２と石英板１０３を介して真
空容器１１０内にマイクロ波が導入される。真空容器１
１０の回りには、電磁石１０４が設置されおり、磁場と
マイクロ波により電子サイクロトロン共鳴を利用して、
プラズマ１０５を発生させる構造となっている。試料１
０６は誘電膜１０９を介して、試料台１０８上に設置さ
れている。また、試料台１０８には高周波電源１１２と
直流電源１１３及び試料台温度調整機構１１１が接続さ
れており、直流電源１１３により印可された直流電圧に
より誘電膜１０９と試料１０６の間にクーロン力を発生
させて、試料１０６を試料台１０８に吸着させ、試料１
０６の温度を制御する。さらに、試料台１０８には温度
センサ１０７が設置されており、試料１０６の温度をモ
ニタできる。
【０００９】図２は試料の断面図で、初期状態は（ａ）
に示すようにシリコン基板２０６の上に酸化膜２０５、
多結晶シリコン膜２０４、窒化タングステン膜２０３、
タングステン膜２０２の多層膜で最上層に所望のパター
ンに加工されたマスク２０１が形成されている。
に示すようにシリコン基板２０６の上に酸化膜２０５、
多結晶シリコン膜２０４、窒化タングステン膜２０３、
タングステン膜２０２の多層膜で最上層に所望のパター
ンに加工されたマスク２０１が形成されている。
【００１０】次に具体的な処理手順を説明する。試料台
温度調整機構１１１により１５０℃に加熱された試料台
１０８上に、試料１０６を設置し、直流電源１１３によ
り印加された直流電圧により、試料１０６を試料台１０
８に吸着させると同時にアルゴンあるいはヘリウムの不
活性ガスで、プラズマ１０５を発生し試料１０６の温度
を上昇させ、所望の温度であることを温度センサ１０７
で確認後にプラズマ１０５をオフする。その後ガスを変
更し、プラズマ１０５発生と同時に高周波電源１１２を
印可し試料１０６に入射するイオンを加速して、タング
ステン膜２０２、窒化タングステン膜２０３及び、多結
晶シリコン膜２０４の上層部をエッチングし、図２
（ｂ）の状態まで処理する。その際のエッチングガス
は、塩素４０ｍｌ／分と酸素１０ｍｌ／分、圧力０．２
Ｐａで、マイクロ波の電力５００ｗ、試料温度１５０
℃、高周波電力１００ｗである。図５は、塩素と酸素を
エッチングガスとし、タングステン膜、多結晶シリコン
膜および、酸化膜のエッチング速度の試料温度依存性を
調べた例である。このように、高温で、塩素と酸素のプ
ラズマでエッチングすることにより、多結晶シリコン膜
のエッチング速度を増加させることなくタングステン膜
のエッチング速度は増加できる。そのため、タングステ
ン膜や窒化タングステンの部分的なエッチ残り無く、多
結晶シリコン膜を残すことが出来る。
温度調整機構１１１により１５０℃に加熱された試料台
１０８上に、試料１０６を設置し、直流電源１１３によ
り印加された直流電圧により、試料１０６を試料台１０
８に吸着させると同時にアルゴンあるいはヘリウムの不
活性ガスで、プラズマ１０５を発生し試料１０６の温度
を上昇させ、所望の温度であることを温度センサ１０７
で確認後にプラズマ１０５をオフする。その後ガスを変
更し、プラズマ１０５発生と同時に高周波電源１１２を
印可し試料１０６に入射するイオンを加速して、タング
ステン膜２０２、窒化タングステン膜２０３及び、多結
晶シリコン膜２０４の上層部をエッチングし、図２
（ｂ）の状態まで処理する。その際のエッチングガス
は、塩素４０ｍｌ／分と酸素１０ｍｌ／分、圧力０．２
Ｐａで、マイクロ波の電力５００ｗ、試料温度１５０
℃、高周波電力１００ｗである。図５は、塩素と酸素を
エッチングガスとし、タングステン膜、多結晶シリコン
膜および、酸化膜のエッチング速度の試料温度依存性を
調べた例である。このように、高温で、塩素と酸素のプ
ラズマでエッチングすることにより、多結晶シリコン膜
のエッチング速度を増加させることなくタングステン膜
のエッチング速度は増加できる。そのため、タングステ
ン膜や窒化タングステンの部分的なエッチ残り無く、多
結晶シリコン膜を残すことが出来る。
【００１１】次に、エッチングガスとして臭化水素１０
０ｍｌ／分と酸素５ｍｌ／分で、圧力１Ｐａで、マイク
ロ波電力５００ｗ、試料温度１５０℃、高周波電力３０
ｗで図２（ｃ）の状態まで処理する。本実施例のよう
に、タングステン膜を１００℃以上の高温エッチングす
ることで、タングステン膜やバリア膜のエッチング残り
無く多結晶シリコン膜を残すことが出来る。そのため、
多結晶シリコン膜を酸化膜に対して高選択にエッチング
できる条件に切り替えて、高精度な加工ができる。
０ｍｌ／分と酸素５ｍｌ／分で、圧力１Ｐａで、マイク
ロ波電力５００ｗ、試料温度１５０℃、高周波電力３０
ｗで図２（ｃ）の状態まで処理する。本実施例のよう
に、タングステン膜を１００℃以上の高温エッチングす
ることで、タングステン膜やバリア膜のエッチング残り
無く多結晶シリコン膜を残すことが出来る。そのため、
多結晶シリコン膜を酸化膜に対して高選択にエッチング
できる条件に切り替えて、高精度な加工ができる。
【００１２】（実施例２）前記実施例１と同様に、図１
に示すプラズマエッチング装置を使用して該多層膜を加
工した例を説明する。試料台温度調整機構１１１により
２０℃に冷却された試料台１０８上に、試料１０６を設
置し、試料１０６を試料台１０８に静電吸着することな
く、アルゴンガス１００ml/min、圧力１Ｐａ、マイクロ
波電力５００ｗの放電条件でプラズマを発生させて試料
１０６を１５０℃まで加熱する。図３に、この時の試料
１０６の温度変化を示す。その後、前記実施例１に記載
の塩素と酸素をエッチングガスとした条件で、図２
（ｂ）の状態まで処理する。その後、直流電源１１３に
より直流電圧を印可し、試料１０６を試料台１０８に吸
着させ試料１０６を２０℃まで冷却し、前記実施例１に
記載の臭化水素と酸素をエッチングガスとした条件で図
２（ｃ）の状態まで処理する。
に示すプラズマエッチング装置を使用して該多層膜を加
工した例を説明する。試料台温度調整機構１１１により
２０℃に冷却された試料台１０８上に、試料１０６を設
置し、試料１０６を試料台１０８に静電吸着することな
く、アルゴンガス１００ml/min、圧力１Ｐａ、マイクロ
波電力５００ｗの放電条件でプラズマを発生させて試料
１０６を１５０℃まで加熱する。図３に、この時の試料
１０６の温度変化を示す。その後、前記実施例１に記載
の塩素と酸素をエッチングガスとした条件で、図２
（ｂ）の状態まで処理する。その後、直流電源１１３に
より直流電圧を印可し、試料１０６を試料台１０８に吸
着させ試料１０６を２０℃まで冷却し、前記実施例１に
記載の臭化水素と酸素をエッチングガスとした条件で図
２（ｃ）の状態まで処理する。
【００１３】図６は、多結晶シリコン膜を臭化水素と酸
素をエッチングガスとした場合の加工形状の試料温度依
存性を調べた例である。本実施例のように、タングステ
ン膜を１００℃から２００℃の高温で加工し、多結晶シ
リコン膜を０℃から８０℃の温度領域で加工することに
より、タングステン膜あるいは窒化タングステン膜の部
分的なエッチング残り無く、かつ、多結晶シリコン膜に
サイドエッチの無い優れた加工精度が得られる。
素をエッチングガスとした場合の加工形状の試料温度依
存性を調べた例である。本実施例のように、タングステ
ン膜を１００℃から２００℃の高温で加工し、多結晶シ
リコン膜を０℃から８０℃の温度領域で加工することに
より、タングステン膜あるいは窒化タングステン膜の部
分的なエッチング残り無く、かつ、多結晶シリコン膜に
サイドエッチの無い優れた加工精度が得られる。
【００１４】（実施例３）図４は、本発明を適用する複
数のプラズマ処理室から構成された装置である。本装置
は、試料搬入室３０１、真空排気されているバッファ室
３０５、試料を各処理室へ搬送するための搬送ロボット
３０２、及び、プラズマで試料の表面加工を行う図１と
同様な構成のＡ処理室３０３とＢ処理室３０４からな
る。被加工試料は、搬入室３０１を介し搬送ロボット３
０２によりＡ処理室３０３へ搬入され、１５０℃に加熱
された試料台１０８上に設置し静電吸着することにより
速やかに試料温度を１５０℃まで昇温し、前記実施例１
に記載の塩素と酸素をエッチングガスとした条件で、図
２（ｂ）の状態まで処理する。その後、搬送ロボット３
０２によりＢ処理室３０４へ搬入され、１０℃に冷却さ
れた試料台１０８上に設置し、静電吸着することにより
速やかに試料温度を２０℃まで冷却し、前記実施例１に
記載の臭化水素と酸素をエッチングガスとした条件で図
２（ｃ）の状態まで処理する。
数のプラズマ処理室から構成された装置である。本装置
は、試料搬入室３０１、真空排気されているバッファ室
３０５、試料を各処理室へ搬送するための搬送ロボット
３０２、及び、プラズマで試料の表面加工を行う図１と
同様な構成のＡ処理室３０３とＢ処理室３０４からな
る。被加工試料は、搬入室３０１を介し搬送ロボット３
０２によりＡ処理室３０３へ搬入され、１５０℃に加熱
された試料台１０８上に設置し静電吸着することにより
速やかに試料温度を１５０℃まで昇温し、前記実施例１
に記載の塩素と酸素をエッチングガスとした条件で、図
２（ｂ）の状態まで処理する。その後、搬送ロボット３
０２によりＢ処理室３０４へ搬入され、１０℃に冷却さ
れた試料台１０８上に設置し、静電吸着することにより
速やかに試料温度を２０℃まで冷却し、前記実施例１に
記載の臭化水素と酸素をエッチングガスとした条件で図
２（ｃ）の状態まで処理する。
【００１５】本実施例のように、タングステン膜と多結
晶シリコン膜を各々異なる温度で制御された試料台を有
する処理室で、連続処理することでタングステン膜ある
いは窒化タングステン膜の部分的なエッチング残り無
く、かつ、多結晶シリコン膜にサイドエッチの無い優れ
た加工が効率よくできる。
晶シリコン膜を各々異なる温度で制御された試料台を有
する処理室で、連続処理することでタングステン膜ある
いは窒化タングステン膜の部分的なエッチング残り無
く、かつ、多結晶シリコン膜にサイドエッチの無い優れ
た加工が効率よくできる。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、金属と多結晶シリコンか
らなる多層膜のエッチングにおいて、金属膜をエッチン
グ時に試料温度を１００℃以上の高温で処理すること
で、金属膜のエッチング速度が速くなるため、金属膜や
バリア膜の部分的なエッチング残り無く、バリア膜のエ
ッチングが終了した時点で、多結晶シリコン膜を酸化膜
に対して高選択でエッチングできる条件に切り替えて、
高精度な加工ができる。
らなる多層膜のエッチングにおいて、金属膜をエッチン
グ時に試料温度を１００℃以上の高温で処理すること
で、金属膜のエッチング速度が速くなるため、金属膜や
バリア膜の部分的なエッチング残り無く、バリア膜のエ
ッチングが終了した時点で、多結晶シリコン膜を酸化膜
に対して高選択でエッチングできる条件に切り替えて、
高精度な加工ができる。
【図１】本発明の一実施例のプラズマエッチング処理室
構成を示した図である。
構成を示した図である。
【図２】試料の断面図でエッチング状態の変化を示した
図である。
図である。
【図３】プラズマを利用して試料温度を昇温させた場合
の試料温度の時間的変化を示した図である。
の試料温度の時間的変化を示した図である。
【図４】本発明を適用する複数のプラズマ処理室からな
る装置の全体構成図である。
る装置の全体構成図である。
【図５】塩素と酸素をエッチングガスとし、タングステ
ン膜、多結晶シリコン膜および、酸化膜のエッチング速
度の試料温度依存性を調べた例である。
ン膜、多結晶シリコン膜および、酸化膜のエッチング速
度の試料温度依存性を調べた例である。
【図６】多結晶シリコン膜を臭化水素と酸素をエッチン
グガスとした場合の加工形状の試料温度依存性を調べた
例である。
グガスとした場合の加工形状の試料温度依存性を調べた
例である。
１０１…マイクロ波電源、１０２…導波管、１０３…石
英板、１０４…電磁石、１０５…プラズマ、１０６…試
料、１０７…温度センサ、１０８…試料台、１０９…誘
電膜、１１０…真空容器、１１１…温度制御機構、１１
２…高周波電源、１１３…直流電源、２０１，６０１…
マスク、２０２，６０２…タングステン膜、２０３，６
０３…窒化タングステン膜、２０４，６０４…多結晶シ
リコン膜、２０５…酸化膜、２０６…シリコン基板、３
０１…搬入室、３０２…搬送ロボット、３０３…Ａ処理
室、３０４…Ｂ処理室、３０５…バッファ室、６０５…
サイドエッチ
英板、１０４…電磁石、１０５…プラズマ、１０６…試
料、１０７…温度センサ、１０８…試料台、１０９…誘
電膜、１１０…真空容器、１１１…温度制御機構、１１
２…高周波電源、１１３…直流電源、２０１，６０１…
マスク、２０２，６０２…タングステン膜、２０３，６
０３…窒化タングステン膜、２０４，６０４…多結晶シ
リコン膜、２０５…酸化膜、２０６…シリコン基板、３
０１…搬入室、３０２…搬送ロボット、３０３…Ａ処理
室、３０４…Ｂ処理室、３０５…バッファ室、６０５…
サイドエッチ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(73)特許権者 000233169
株式会社日立超エル・エス・アイ・シス
テムズ
東京都小平市上水本町５丁目22番１号
(74)上記１名の代理人 110000062
特許業務法人第一国際特許事務所 （外１名）
(72)発明者 吉開 元彦
山口県下松市大字東豊井794番地 日立
テクノエンジニアリング株式会社笠戸事
業所内
(72)発明者 長谷川 洋
山口県下松市大字東豊井794番地 株式
会社 日立製作所 笠戸工場内
(72)発明者 秋山 博
山口県下松市大字東豊井794番地 株式
会社 日立製作所 笠戸工場内
(72)発明者 徳永 尚文
東京都青梅市今井町2326番地 株式会社
日立製作所 デバイス開発センタ内
(72)発明者 梅澤 唯史
東京都青梅市今井町2326番地 株式会社
日立製作所 デバイス開発センタ内
(72)発明者 児島 雅之
東京都小平市上水本町五丁目20番１号
株式会社 日立製作所 半導体事業部内
(72)発明者 野尻 一男
東京都青梅市今井町2326番地 株式会社
日立製作所 デバイス開発センタ内
(72)発明者 川上 博士
東京都青梅市今井町2326番地 株式会社
日立製作所 デバイス開発センタ内
(72)発明者 加藤 邦彦
東京都青梅市新町９−16−３ 株式会社
日立超エル・エス・アイ・システムズ
内
(56)参考文献 特開 平５−90226（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−343402（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−64985（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−228985（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−8232（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/3065
Claims (8)
- 【請求項１】 真空容器とその中にプラズマを発生させ
る手段と、該プラズマにより表面加工される試料を設置
する試料台と、該試料台の温度を制御する温調機構と、
前記試料台に高周波電圧を印可するための電源からなる
プラズマ処理装置を用いて、半導体基板上に堆積された
少なくとも金属膜とバリヤ膜と半導体膜からなる多層膜
からなる試料をエッチングするエッチング方法におい
て、 半導体膜とバリヤ膜と金属膜を積層してなる多層膜をハ
ロゲン系のガスのプラズマを用いてエッチングする際
に、前記 金属膜部のエッチング時に前記多層膜が形成された
試料を１００℃以上の温度に保ってエッチングし、 前記半導体膜のエッチング時に前記試料を温度８０℃以
下に保ってエッチングすることを特徴とするエッチング
方法。 - 【請求項２】 真空容器とその中にプラズマを発生させ
る手段と、該プラズマにより表面加工される試料を設置
する試料台と、該試料台の温度を制御する温調機構と、
前記試料台に高周波電圧を印可するための電源からなる
プラズマ処理装置を用いて、半導体基板上に堆積された
少なくとも金属膜とバリヤ膜と半導体膜からなる多層膜
からなる試料をエッチングするエッチング方法におい
て、 半導体膜とバリヤ膜と金属膜を積層してなる多層膜をハ
ロゲン系のガスのプラズマを用いてエッチングする際
に、前記金属膜部とバリヤ膜のエッチング時に前記多層膜が
形成された試料を１００℃から２００℃の温度に保って
エッチングし、 前記半導体膜のエッチング時に前記試料を０℃〜８０℃
の温度に保ってエッチングすることを特徴とするエッチ
ング方法。 - 【請求項３】 真空容器とその中にプラズマを発生させ
る手段と、該プラズマにより表面加工される試料を設置
する試料台と、該試料台の温度を制御する温調機構と、
前記試料台に高周波電圧を印可するための電源からなる
エッチング装置を用いて、半導体基板上に堆積された少
なくとも金属膜とバリヤ膜と半導体膜からなる多層膜か
らなる試料をエッチングするエッチング方法において、 半導体膜とバリヤ膜と金属膜を積層してなる多層膜をハ
ロゲン系のガスのプラズマを用いてエッチングする際
に、前記金属膜部とバリヤ膜とのエッチング時に前記多層膜
が形成された試料を第１の処理室で１００℃以上に保た
れた第１の試料台に配置してエッチングし、 該エッチングされた試料を真空排気されたバッファ室を
介して第２の処理室に搬送し、 前記半導体膜のエッチング時に前記試料を第２の処理室
で温度８０℃以下に保たれた第２の試料台に載置してエ
ッチングすることを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項４】 プラズマを発生させるガスは、少なくと
もハロゲン原子を含むガスと酸素原子を含むガスの混合
ガスであることを特徴とする請求項１ないし請求項３の
いずれか１項記載のエッチング方法。 - 【請求項５】 エッチングされる多層膜は、少なくとも
タングステン膜と、窒化タングステン膜あるいは窒化チ
タン膜と、多結晶シリコン膜を含むことを特徴とする請
求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のエッチング
方法。 - 【請求項６】 ハロゲン原子を含むガスと酸素原子を含
むガスでエッチングする前に、少なくともアルゴンガス
あるいはヘリウムガスを含むガスでプラズマを発生さ
せ、前記料温度を昇温させることを特徴とする請求項１
ないし請求項５のいずれか１項記載のエッチング方法。 - 【請求項７】 混合ガス圧力は、１．０Ｐａ（パスカ
ル）以下であることを特徴とする請求項１ないし請求項
６のいずれか１項記載のエッチング方法。 - 【請求項８】 試料は前記試料台に静電吸着により保持
できることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいず
れか１項記載のエッチング方法。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP12844598A JP3524763B2 (ja) | 1998-05-12 | 1998-05-12 | エッチング方法 |
| TW088103869A TW403953B (en) | 1998-05-12 | 1999-03-12 | The surface processing method of the material |
| US09/302,438 US6191045B1 (en) | 1998-05-12 | 1999-04-30 | Method of treating surface of sample |
| KR10-1999-0016976A KR100516855B1 (ko) | 1998-05-12 | 1999-05-12 | 에칭방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12844598A JP3524763B2 (ja) | 1998-05-12 | 1998-05-12 | エッチング方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330048A JPH11330048A (ja) | 1999-11-30 |
| JP3524763B2 true JP3524763B2 (ja) | 2004-05-10 |
Family
ID=14984905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12844598A Expired - Fee Related JP3524763B2 (ja) | 1998-05-12 | 1998-05-12 | エッチング方法 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3524763B2 (ja) |
| KR (1) | KR100516855B1 (ja) |
| TW (1) | TW403953B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2003520431A (ja) * | 2000-01-13 | 2003-07-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体ウェーハにプラズマウォームアップを行う方法 |
| US7217652B1 (en) * | 2000-09-21 | 2007-05-15 | Spansion Llc | Method of forming highly conductive semiconductor structures via plasma etch |
| US6461974B1 (en) * | 2000-10-06 | 2002-10-08 | Lam Research Corporation | High temperature tungsten etching process |
| US20030235995A1 (en) * | 2002-06-21 | 2003-12-25 | Oluseyi Hakeem M. | Method of increasing selectivity to mask when etching tungsten or tungsten nitride |
| US20040209468A1 (en) * | 2003-04-17 | 2004-10-21 | Applied Materials Inc. | Method for fabricating a gate structure of a field effect transistor |
| US20060102197A1 (en) * | 2004-11-16 | 2006-05-18 | Kang-Lie Chiang | Post-etch treatment to remove residues |
| JP6255187B2 (ja) * | 2013-08-20 | 2017-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン酸化膜をエッチングする方法 |
| JP6498022B2 (ja) * | 2015-04-22 | 2019-04-10 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング処理方法 |
| US11062897B2 (en) * | 2017-06-09 | 2021-07-13 | Lam Research Corporation | Metal doped carbon based hard mask removal in semiconductor fabrication |
| JP2021052032A (ja) * | 2019-09-20 | 2021-04-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘電体部品、構造体及び基板処理装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01215023A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-29 | Hitachi Ltd | 表面処理方法およびその装置 |
| JPH05343402A (ja) * | 1992-06-09 | 1993-12-24 | Sony Corp | シリサイドの成膜方法 |
-
1998
- 1998-05-12 JP JP12844598A patent/JP3524763B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-03-12 TW TW088103869A patent/TW403953B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-04-30 US US09/302,438 patent/US6191045B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-12 KR KR10-1999-0016976A patent/KR100516855B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW403953B (en) | 2000-09-01 |
| KR100516855B1 (ko) | 2005-09-23 |
| KR19990088228A (ko) | 1999-12-27 |
| US6191045B1 (en) | 2001-02-20 |
| JPH11330048A (ja) | 1999-11-30 |
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