JP2003234328A - エッチング方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マイクロトレンチの発生を抑制することがで
き、精度良く所望形状のエッチングを行うことのできる
エッチング方法を提供する。 【解決手段】 シリコン酸化膜１０１上に所望パターン
のマスク材層１０２を形成し、Ａｒの流量に対するＣ5
Ｆ8 ＋Ｏ2 合計流量の比率（（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／Ａ
ｒ）の値を０．０２（２％）以下とした混合ガスを用
い、プラズマエッチングにより、マスク材層１０２のパ
ターン形状に基づいて、シリコン酸化膜１０１の露出部
分をエッチングし、シリコン酸化膜１０１中に、略垂直
な角部を形成する。
き、精度良く所望形状のエッチングを行うことのできる
エッチング方法を提供する。 【解決手段】 シリコン酸化膜１０１上に所望パターン
のマスク材層１０２を形成し、Ａｒの流量に対するＣ5
Ｆ8 ＋Ｏ2 合計流量の比率（（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／Ａ
ｒ）の値を０．０２（２％）以下とした混合ガスを用
い、プラズマエッチングにより、マスク材層１０２のパ
ターン形状に基づいて、シリコン酸化膜１０１の露出部
分をエッチングし、シリコン酸化膜１０１中に、略垂直
な角部を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微細な回路構造を
有する半導体装置や、その他の微細構造を有する装置を
製造する際に用いられるエッチング方法に係り、特に、
マスク材のパターン形状に基づいてシリコン酸化物をエ
ッチングして略垂直な角部を有する溝等を形成するエッ
チング方法に関する。
有する半導体装置や、その他の微細構造を有する装置を
製造する際に用いられるエッチング方法に係り、特に、
マスク材のパターン形状に基づいてシリコン酸化物をエ
ッチングして略垂直な角部を有する溝等を形成するエッ
チング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、例えば半導体装置の製造分野
においては、半導体装置の微細な回路構造を形成する際
に、所定のエッチングガスを使用し、このエッチングガ
スのプラズマを発生させ、このプラズマの作用によっ
て、所望部位のエッチングを行う所謂ドライエッチング
が多用されている。
においては、半導体装置の微細な回路構造を形成する際
に、所定のエッチングガスを使用し、このエッチングガ
スのプラズマを発生させ、このプラズマの作用によっ
て、所望部位のエッチングを行う所謂ドライエッチング
が多用されている。
【０００３】また、近年においては、半導体装置以外の
装置においても、微細構造を有する装置においては、機
械的に切削等を行う換わりに、マスク材のパターン形状
に基づいてドライエッチングにより所望部位をエッチン
グし、微細構造を製造することが行われている。
装置においても、微細構造を有する装置においては、機
械的に切削等を行う換わりに、マスク材のパターン形状
に基づいてドライエッチングにより所望部位をエッチン
グし、微細構造を製造することが行われている。
【０００４】このようなドライエッチングにおいて、シ
リコン酸化物をプラズマエッチングする場合、例えば、
炭素とフッ素とを含むガス、酸素ガス、及び不活性ガス
を含む混合ガス、より具体的には、例えば、Ｃ5 Ｆ8 ガ
ス、Ｏ2 ガス、Ａｒガスを含む混合ガス等が用いられて
いる。
リコン酸化物をプラズマエッチングする場合、例えば、
炭素とフッ素とを含むガス、酸素ガス、及び不活性ガス
を含む混合ガス、より具体的には、例えば、Ｃ5 Ｆ8 ガ
ス、Ｏ2 ガス、Ａｒガスを含む混合ガス等が用いられて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したとおり、従来
からシリコン酸化物のエッチングに際しては、Ｃ5 Ｆ8
ガス、Ｏ2 ガス、Ａｒガスを含む混合ガス等が用いられ
ている。
からシリコン酸化物のエッチングに際しては、Ｃ5 Ｆ8
ガス、Ｏ2 ガス、Ａｒガスを含む混合ガス等が用いられ
ている。
【０００６】しかしながら、本発明者等が詳査したとこ
ろ、例えば、図６（ａ）に示すように、半導体ウエハＷ
上に形成されたシリコン酸化膜（例えば、熱酸化膜）１
０１上に所望パターンのマスク材層１０２を形成し、こ
の後、図６（ｂ）に示すように、マスク材層１０２のパ
ターン形状に基づいて、シリコン酸化膜１０１の露出部
分を、Ｃ5 Ｆ8 ガスとＯ2 ガスとＡｒガスを含む混合ガ
スを用いてプラズマエッチングし、シリコン酸化膜１０
１に溝（トレンチ）１０３を形成する場合、図中点線で
示すように、本来は略直角な角部が形成されるはずの側
壁部の麓部分（溝１０３の底部の角部）に、不所望な
溝、所謂マイクロトレンチが形成されるという問題があ
ることが判明した。
ろ、例えば、図６（ａ）に示すように、半導体ウエハＷ
上に形成されたシリコン酸化膜（例えば、熱酸化膜）１
０１上に所望パターンのマスク材層１０２を形成し、こ
の後、図６（ｂ）に示すように、マスク材層１０２のパ
ターン形状に基づいて、シリコン酸化膜１０１の露出部
分を、Ｃ5 Ｆ8 ガスとＯ2 ガスとＡｒガスを含む混合ガ
スを用いてプラズマエッチングし、シリコン酸化膜１０
１に溝（トレンチ）１０３を形成する場合、図中点線で
示すように、本来は略直角な角部が形成されるはずの側
壁部の麓部分（溝１０３の底部の角部）に、不所望な
溝、所謂マイクロトレンチが形成されるという問題があ
ることが判明した。
【０００７】ここで、上記のマイクロトレンチがどの程
度生じているかを、数値で評価するには、図６に矢印Ａ
で示すマイクロトレンチ部分以外の平坦部のシリコン酸
化膜１０１のエッチング深さと、矢印Ｂで示すマイクロ
トレンチ部分のシリコン酸化膜１０１のエッチング深さ
を測定し、これらの比（Ｂ／Ａ）（以下、マイクロトレ
ンチ係数と言う。）を求めることによって行うことがで
きる。なお、このマイクロトレンチ係数による評価で
は、マイクロトレンチ係数が略１になることが好ましい
が、図６に示すような場合、後述するように、上記マイ
クロトレンチ係数の値は、１．１４以上となる。
度生じているかを、数値で評価するには、図６に矢印Ａ
で示すマイクロトレンチ部分以外の平坦部のシリコン酸
化膜１０１のエッチング深さと、矢印Ｂで示すマイクロ
トレンチ部分のシリコン酸化膜１０１のエッチング深さ
を測定し、これらの比（Ｂ／Ａ）（以下、マイクロトレ
ンチ係数と言う。）を求めることによって行うことがで
きる。なお、このマイクロトレンチ係数による評価で
は、マイクロトレンチ係数が略１になることが好ましい
が、図６に示すような場合、後述するように、上記マイ
クロトレンチ係数の値は、１．１４以上となる。
【０００８】上記のようなマイクロトレンチが発生する
と、例えば、溝（トレンチ）内に配線材料やその他の材
料を埋め込む際には、マイクロトレンチの部分にこの材
料が充分に埋め込まれずに空間が形成されてしまうとい
う問題が生じる可能性があり、また、機械部品等として
使用する場合には、マイクロトレンチの存在により、機
械的強度が低下してしまう等の問題が発生する可能性が
ある。このため、上記のようなマイクロトレンチの発生
はできる限り抑制する必要がある。
と、例えば、溝（トレンチ）内に配線材料やその他の材
料を埋め込む際には、マイクロトレンチの部分にこの材
料が充分に埋め込まれずに空間が形成されてしまうとい
う問題が生じる可能性があり、また、機械部品等として
使用する場合には、マイクロトレンチの存在により、機
械的強度が低下してしまう等の問題が発生する可能性が
ある。このため、上記のようなマイクロトレンチの発生
はできる限り抑制する必要がある。
【０００９】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、マイクロトレンチの発生を抑制すること
ができ、精度良く所望形状のエッチングを行うことので
きるエッチング方法を提供しようとするものである。
されたもので、マイクロトレンチの発生を抑制すること
ができ、精度良く所望形状のエッチングを行うことので
きるエッチング方法を提供しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１記載
の発明は、炭素とフッ素とを含むガス、酸素ガス、及び
不活性ガスを含む混合ガスを使用してマスク材のパター
ン形状に基づいてシリコン含有酸化物をエッチングする
エッチング方法であって、不活性ガス流量に対する炭素
とフッ素とを含むガス流量と酸素ガス流量との合計流量
の比率（（炭素とフッ素とを含むガス流量＋酸素ガス流
量）／不活性ガス流量）が０．０２以下で、エッチング
によってシリコン含有酸化物中に略垂直な角部を形成す
ることを特徴とする。
の発明は、炭素とフッ素とを含むガス、酸素ガス、及び
不活性ガスを含む混合ガスを使用してマスク材のパター
ン形状に基づいてシリコン含有酸化物をエッチングする
エッチング方法であって、不活性ガス流量に対する炭素
とフッ素とを含むガス流量と酸素ガス流量との合計流量
の比率（（炭素とフッ素とを含むガス流量＋酸素ガス流
量）／不活性ガス流量）が０．０２以下で、エッチング
によってシリコン含有酸化物中に略垂直な角部を形成す
ることを特徴とする。
【００１１】請求項２の発明は、請求項１記載のエッチ
ング方法において、前記不活性ガス流量に対する炭素と
フッ素とを含むガス流量と酸素ガス流量との合計流量の
比率（（炭素とフッ素とを含むガス流量＋酸素ガス流
量）／不活性ガス流量）が０．０１５以下であることを
特徴とする。
ング方法において、前記不活性ガス流量に対する炭素と
フッ素とを含むガス流量と酸素ガス流量との合計流量の
比率（（炭素とフッ素とを含むガス流量＋酸素ガス流
量）／不活性ガス流量）が０．０１５以下であることを
特徴とする。
【００１２】請求項３の発明は、請求項１又は２記載の
エッチング方法において、前記不活性ガス流量に対する
炭素とフッ素とを含むガス流量と酸素ガス流量との合計
流量の比率（（炭素とフッ素とを含むガス流量＋酸素ガ
ス流量）／不活性ガス流量）が０．００３以上であるこ
とを特徴とする。
エッチング方法において、前記不活性ガス流量に対する
炭素とフッ素とを含むガス流量と酸素ガス流量との合計
流量の比率（（炭素とフッ素とを含むガス流量＋酸素ガ
ス流量）／不活性ガス流量）が０．００３以上であるこ
とを特徴とする。
【００１３】請求項４の発明は、請求項１〜３いずれか
１項記載のエッチング方法において、前記不活性ガスが
アルゴンであることを特徴とする。
１項記載のエッチング方法において、前記不活性ガスが
アルゴンであることを特徴とする。
【００１４】請求項５の発明は、請求項４記載のエッチ
ング方法において、前記炭素とフッ素とを含むガスが、
Ｃ5 Ｆ8 であることを特徴とする。
ング方法において、前記炭素とフッ素とを含むガスが、
Ｃ5 Ｆ8 であることを特徴とする。
【００１５】請求項６の発明は、請求項１〜５いずれか
１項記載のエッチング方法において、上部電極と下部電
極が対向して配置されたエッチング装置の前記下部電極
に、前記シリコン含有酸化物を有する被処理物を載置
し、前記下部電極に高周波電力を印加してエッチングを
行うことを特徴とする。
１項記載のエッチング方法において、上部電極と下部電
極が対向して配置されたエッチング装置の前記下部電極
に、前記シリコン含有酸化物を有する被処理物を載置
し、前記下部電極に高周波電力を印加してエッチングを
行うことを特徴とする。
【００１６】請求項７の発明は、請求項６記載のエッチ
ング方法において、前記シリコン含有酸化物がシリコン
酸化膜であることを特徴とする。
ング方法において、前記シリコン含有酸化物がシリコン
酸化膜であることを特徴とする。
【００１７】請求項８の発明は、請求項６又は７記載の
エッチング方法において、前記高周波電力によって形成
される高周波電界に対して略垂直な磁場を形成した状態
でエッチングを行うことを特徴とする。
エッチング方法において、前記高周波電力によって形成
される高周波電界に対して略垂直な磁場を形成した状態
でエッチングを行うことを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を、実施の形
態について図面を参照して説明する。
態について図面を参照して説明する。
【００１９】図２は、本実施形態に使用したプラズマエ
ッチング装置の概略構成を模式的に示すもので、同図に
おいて、符号１は、材質が例えばアルミニウム等からな
り、内部を気密に閉塞可能に構成され、プラズマ処理室
を構成する円筒状の真空チャンバを示している。
ッチング装置の概略構成を模式的に示すもので、同図に
おいて、符号１は、材質が例えばアルミニウム等からな
り、内部を気密に閉塞可能に構成され、プラズマ処理室
を構成する円筒状の真空チャンバを示している。
【００２０】上記真空チャンバ１は、小径の上部１ａと
大径の下部１ｂからなる段付きの円筒形状とされてお
り、接地電位に接続されている。また、真空チャンバ１
の内部には、被処理基板としての半導体ウエハＷを、被
処理面を上側に向けて略水平に支持する支持テーブル
（サセプタ）２が設けられている。
大径の下部１ｂからなる段付きの円筒形状とされてお
り、接地電位に接続されている。また、真空チャンバ１
の内部には、被処理基板としての半導体ウエハＷを、被
処理面を上側に向けて略水平に支持する支持テーブル
（サセプタ）２が設けられている。
【００２１】この支持テーブル２は、例えばアルミニウ
ム等の材質で構成されており、セラミックなどの絶縁板
３を介して導体の支持台４に支持されている。また支持
テーブル２の上方の外周には導電性材料または絶縁性材
料で形成されたフォーカスリング５が設けられている。
ム等の材質で構成されており、セラミックなどの絶縁板
３を介して導体の支持台４に支持されている。また支持
テーブル２の上方の外周には導電性材料または絶縁性材
料で形成されたフォーカスリング５が設けられている。
【００２２】また、支持テーブル２の半導体ウエハＷの
載置面には、半導体ウエハＷを静電吸着するための静電
チャック６が設けられている。この静電チャック６は、
絶縁体６ｂの間に電極６ａを配置して構成されており、
電極６ａには直流電源１３が接続されている。そして電
極６ａに電源１３から電圧が印加されることにより、例
えばクーロン力によって半導体ウエハＷが吸着されるよ
うになっている。
載置面には、半導体ウエハＷを静電吸着するための静電
チャック６が設けられている。この静電チャック６は、
絶縁体６ｂの間に電極６ａを配置して構成されており、
電極６ａには直流電源１３が接続されている。そして電
極６ａに電源１３から電圧が印加されることにより、例
えばクーロン力によって半導体ウエハＷが吸着されるよ
うになっている。
【００２３】さらに、支持テーブル２には、冷媒を循環
するための冷媒流路（図示せず）と、冷媒からの冷熱を
効率よく半導体ウエハＷに伝達するために半導体ウエハ
Ｗの裏面にＨｅガスを供給するガス導入機構（図示せ
ず）とが設けられ、半導体ウエハＷを所望の温度に温度
制御できるようになっている。なお、このＨｅガスのガ
ス圧は、半導体ウエハＷのセンター部とエッジ部とに別
けて独立に制御できるよう構成されている。また、真空
チャンバ１内の処理空間を構成する部分に対応した部分
については、トップ／ウォール／ボトムの夫々の部分に
ついて独立に温度制御できるように構成されている。
するための冷媒流路（図示せず）と、冷媒からの冷熱を
効率よく半導体ウエハＷに伝達するために半導体ウエハ
Ｗの裏面にＨｅガスを供給するガス導入機構（図示せ
ず）とが設けられ、半導体ウエハＷを所望の温度に温度
制御できるようになっている。なお、このＨｅガスのガ
ス圧は、半導体ウエハＷのセンター部とエッジ部とに別
けて独立に制御できるよう構成されている。また、真空
チャンバ１内の処理空間を構成する部分に対応した部分
については、トップ／ウォール／ボトムの夫々の部分に
ついて独立に温度制御できるように構成されている。
【００２４】上記支持テーブル２と支持台４は、ボール
ねじ７を含むボールねじ機構により昇降可能となってお
り、支持台４の下方の駆動部分は、ステンレス鋼（ＳＵ
Ｓ）製のベローズ８で覆われ、ベローズ８の外側にはベ
ローズカバー９が設けられている。
ねじ７を含むボールねじ機構により昇降可能となってお
り、支持台４の下方の駆動部分は、ステンレス鋼（ＳＵ
Ｓ）製のベローズ８で覆われ、ベローズ８の外側にはベ
ローズカバー９が設けられている。
【００２５】また、支持テーブル２のほぼ中央には、高
周波電力を供給するための給電線１２が接続されてい
る。この給電線１２にはマッチングボックス１１及び高
周波電源１０が接続されている。高周波電源１０から
は、１３．５６〜１５０ＭＨｚの範囲の高周波電力（、
本実施形態では１３．５６ＭＨｚの高周波電力）が、支
持テーブル２に供給されるようになっている。
周波電力を供給するための給電線１２が接続されてい
る。この給電線１２にはマッチングボックス１１及び高
周波電源１０が接続されている。高周波電源１０から
は、１３．５６〜１５０ＭＨｚの範囲の高周波電力（、
本実施形態では１３．５６ＭＨｚの高周波電力）が、支
持テーブル２に供給されるようになっている。
【００２６】さらに、フォーカスリング５の外側には排
気リング１４が設けられている。排気リング１４は、支
持台４、ベローズ８を介して真空チャンバ１と電気的に
導通している。
気リング１４が設けられている。排気リング１４は、支
持台４、ベローズ８を介して真空チャンバ１と電気的に
導通している。
【００２７】一方、支持テーブル２の上方の真空チャン
バ１の天壁部分には、シャワーヘッド１６が、支持テー
ブル２と平行に対向する如く設けられており、このシャ
ワーヘッド１６は接地されている。したがって、これら
の支持テーブル２およびシャワーヘッド１６は、一対の
電極として機能するようになっている。
バ１の天壁部分には、シャワーヘッド１６が、支持テー
ブル２と平行に対向する如く設けられており、このシャ
ワーヘッド１６は接地されている。したがって、これら
の支持テーブル２およびシャワーヘッド１６は、一対の
電極として機能するようになっている。
【００２８】上記シャワーヘッド１６は、その下面に多
数のガス吐出孔１８が設けられており、且つその上部に
ガス導入部１６ａを有している。そして、その内部には
ガス拡散用空隙１７が形成されている。ガス導入部１６
ａにはガス供給配管１５ａが接続されており、このガス
供給配管１５ａの他端には、エッチング用の処理ガスを
供給する処理ガス供給系１５が接続されている。
数のガス吐出孔１８が設けられており、且つその上部に
ガス導入部１６ａを有している。そして、その内部には
ガス拡散用空隙１７が形成されている。ガス導入部１６
ａにはガス供給配管１５ａが接続されており、このガス
供給配管１５ａの他端には、エッチング用の処理ガスを
供給する処理ガス供給系１５が接続されている。
【００２９】処理ガス供給系１５から供給されるエッチ
ング用の処理ガスは、炭素とフッ素とを含むガス、酸素
ガス、及び不活性ガスを含む混合ガスであり、本実施の
形態では、Ｃ5 Ｆ8 ガスと、Ｏ2 ガスと、Ａｒガスとの
混合ガスである。この処理ガスが、処理ガス供給系１５
からガス供給配管１５ａ、ガス導入部１６ａを介してシ
ャワーヘッド１６のガス拡散用空隙１７に至り、ガス吐
出孔１８から吐出され、半導体ウエハＷに形成された膜
のエッチングに供されるようになっている。
ング用の処理ガスは、炭素とフッ素とを含むガス、酸素
ガス、及び不活性ガスを含む混合ガスであり、本実施の
形態では、Ｃ5 Ｆ8 ガスと、Ｏ2 ガスと、Ａｒガスとの
混合ガスである。この処理ガスが、処理ガス供給系１５
からガス供給配管１５ａ、ガス導入部１６ａを介してシ
ャワーヘッド１６のガス拡散用空隙１７に至り、ガス吐
出孔１８から吐出され、半導体ウエハＷに形成された膜
のエッチングに供されるようになっている。
【００３０】また、真空チャンバ１の下部１ｂの側壁に
は、排気ポート１９が形成されており、この排気ポート
１９には排気系２０が接続されている。そして排気系２
０に設けられた真空ポンプを作動させることにより真空
チャンバ１内を所定の真空度まで減圧することができる
ようになっている。さらに、真空チャンバ１の下部１ｂ
の側壁上側には、半導体ウエハＷの搬入出口を開閉する
ゲートバルブ２４が設けられている。
は、排気ポート１９が形成されており、この排気ポート
１９には排気系２０が接続されている。そして排気系２
０に設けられた真空ポンプを作動させることにより真空
チャンバ１内を所定の真空度まで減圧することができる
ようになっている。さらに、真空チャンバ１の下部１ｂ
の側壁上側には、半導体ウエハＷの搬入出口を開閉する
ゲートバルブ２４が設けられている。
【００３１】一方、真空チャンバ１の上部１ａの外側周
囲には、真空チャンバ１と同心状に、環状の磁場形成機
構（リング磁石）２１が配置されており、支持テーブル
２とシャワーヘッド１６との間の処理空間に磁場を形成
するようになっている。この磁場形成機構２１は、回転
機構２５によって、その全体が、真空チャンバ１の回り
を所定の回転速度で回転可能とされている。
囲には、真空チャンバ１と同心状に、環状の磁場形成機
構（リング磁石）２１が配置されており、支持テーブル
２とシャワーヘッド１６との間の処理空間に磁場を形成
するようになっている。この磁場形成機構２１は、回転
機構２５によって、その全体が、真空チャンバ１の回り
を所定の回転速度で回転可能とされている。
【００３２】なお、磁場形成機構２１としては、ダイポ
ール磁場を形成するタイプのもの、或いは、マルチポー
ル磁場を形成するタイプのものを使用することが可能で
あるが、本実施形態では、高周波電界に対して略垂直な
ダイポール磁場を形成する磁場形成機構２１を用いてい
る。
ール磁場を形成するタイプのもの、或いは、マルチポー
ル磁場を形成するタイプのものを使用することが可能で
あるが、本実施形態では、高周波電界に対して略垂直な
ダイポール磁場を形成する磁場形成機構２１を用いてい
る。
【００３３】また、真空チャンバ１の処理空間に相当す
る部分の側壁部には、光ファイバー２８ａが接続されて
おり、ＵＶ光源ユニット２８から、この光ファイバー２
８ａを介して、真空チャンバ１内の処理空間に、所定の
紫外線（ＵＶ）を照射するこてができるようになってい
る。このように処理空間に紫外線を照射するのは、真空
チャンバ１内の抵抗値（特に高周波印加電極側）の状態
によっては、高周波印加のみでは、プラズマが着火し難
いためであり、高周波印加と同時に紫外線照射を行うこ
とによって、処理ガスを励起し、電離してプラズマが着
火し易くすることができる。
る部分の側壁部には、光ファイバー２８ａが接続されて
おり、ＵＶ光源ユニット２８から、この光ファイバー２
８ａを介して、真空チャンバ１内の処理空間に、所定の
紫外線（ＵＶ）を照射するこてができるようになってい
る。このように処理空間に紫外線を照射するのは、真空
チャンバ１内の抵抗値（特に高周波印加電極側）の状態
によっては、高周波印加のみでは、プラズマが着火し難
いためであり、高周波印加と同時に紫外線照射を行うこ
とによって、処理ガスを励起し、電離してプラズマが着
火し易くすることができる。
【００３４】なお、上記紫外線としては、波長が短い程
好ましく、例えば、波長３００ｎｍ以下のものを使用す
ることができ、照射は、例えば０．５〜５秒程度行うこ
とが好ましい。また、本実施形態では、光ファイバー２
８ａによって、真空チャンバ１内に紫外線を導入するよ
うになっているので２００ｎｍ以下の短い波長の紫外線
でも導入路でのエネルギーの損失なく照射できる。波長
が長い場合は、真空チャンバ１に窓を設け、この窓の外
から真空チャンバ１内に紫外線を照射し、真空チャンバ
１内に紫外線を導入することもできる。
好ましく、例えば、波長３００ｎｍ以下のものを使用す
ることができ、照射は、例えば０．５〜５秒程度行うこ
とが好ましい。また、本実施形態では、光ファイバー２
８ａによって、真空チャンバ１内に紫外線を導入するよ
うになっているので２００ｎｍ以下の短い波長の紫外線
でも導入路でのエネルギーの損失なく照射できる。波長
が長い場合は、真空チャンバ１に窓を設け、この窓の外
から真空チャンバ１内に紫外線を照射し、真空チャンバ
１内に紫外線を導入することもできる。
【００３５】上記のように構成されたプラズマエッチン
グ装置を用いて、本実施形態では、図１（ａ）に示すよ
うに、シリコン酸化膜（熱酸化膜）１０１上に所望パタ
ーンのマスク材層１０２を形成した半導体ウエハＷを用
い、マスク材層１０２のパターン形状に基づいて、シリ
コン酸化膜１０１の露出部分をエッチングし、溝（トレ
ンチ）１０３を形成した。溝（トレンチ）１０３の幅
は、約５．７５μｍである。
グ装置を用いて、本実施形態では、図１（ａ）に示すよ
うに、シリコン酸化膜（熱酸化膜）１０１上に所望パタ
ーンのマスク材層１０２を形成した半導体ウエハＷを用
い、マスク材層１０２のパターン形状に基づいて、シリ
コン酸化膜１０１の露出部分をエッチングし、溝（トレ
ンチ）１０３を形成した。溝（トレンチ）１０３の幅
は、約５．７５μｍである。
【００３６】このエッチング手順について説明すると、
まず、ゲートバルブ２４を開放し、このゲートバルブ２
４に隣接して配置されたロードロック室（図示せず）を
介して、搬送機構（図示せず）により半導体ウエハＷを
真空チャンバ１内に搬入し、予め所定の位置に下降され
ている支持テーブル２上に載置する。そして、直流電源
１３から静電チャック６の電極６ａに所定の電圧を印加
し、半導体ウエハＷをクーロン力により吸着する。
まず、ゲートバルブ２４を開放し、このゲートバルブ２
４に隣接して配置されたロードロック室（図示せず）を
介して、搬送機構（図示せず）により半導体ウエハＷを
真空チャンバ１内に搬入し、予め所定の位置に下降され
ている支持テーブル２上に載置する。そして、直流電源
１３から静電チャック６の電極６ａに所定の電圧を印加
し、半導体ウエハＷをクーロン力により吸着する。
【００３７】この後、搬送機構を真空チャンバ１外へ退
避させた後、ゲートバルブ２４を閉じ、支持テーブル２
を図１に示される位置まで上昇させると共に、排気系２
０の真空ポンプにより排気ポート１９を通じて真空チャ
ンバ１内を排気する。
避させた後、ゲートバルブ２４を閉じ、支持テーブル２
を図１に示される位置まで上昇させると共に、排気系２
０の真空ポンプにより排気ポート１９を通じて真空チャ
ンバ１内を排気する。
【００３８】真空チャンバ１内が所定の真空度になった
後、真空チャンバ１内には、処理ガス供給系１５から、
Ｃ5 Ｆ8 ガスと、Ｏ2 ガスと、Ａｒガスとの混合ガスか
らなる処理ガスが、所定流量で導入され、真空チャンバ
１内が所定の圧力、例えば１．３３〜１３３Ｐａ（１０
〜１０００ｍＴｏｒｒ）、本実施形態では、１３．３Ｐ
ａ（１００ｍTorr）又は５．３２Ｐａ（４０ｍTorr）に
保持される。
後、真空チャンバ１内には、処理ガス供給系１５から、
Ｃ5 Ｆ8 ガスと、Ｏ2 ガスと、Ａｒガスとの混合ガスか
らなる処理ガスが、所定流量で導入され、真空チャンバ
１内が所定の圧力、例えば１．３３〜１３３Ｐａ（１０
〜１０００ｍＴｏｒｒ）、本実施形態では、１３．３Ｐ
ａ（１００ｍTorr）又は５．３２Ｐａ（４０ｍTorr）に
保持される。
【００３９】そして、この状態で高周波電源１０から、
支持テーブル２に、所定周波数、本実施形態では１３．
５６ＭＨｚの高周波電力を供給するとともに、プラズマ
の着火時には、前述したＵＶ光源ユニット２８から紫外
線の照射を行う。
支持テーブル２に、所定周波数、本実施形態では１３．
５６ＭＨｚの高周波電力を供給するとともに、プラズマ
の着火時には、前述したＵＶ光源ユニット２８から紫外
線の照射を行う。
【００４０】この場合に、下部電極である支持テーブル
２に高周波電力が印加されることにより、上部電極であ
るシャワーヘッド１６と下部電極である支持テーブル２
との間の処理空間には高周波電界が形成されるととも
に、磁場形成機構２１による磁場が形成され、この状態
でプラズマによるシリコン酸化膜１０１のエッチングが
行われる。
２に高周波電力が印加されることにより、上部電極であ
るシャワーヘッド１６と下部電極である支持テーブル２
との間の処理空間には高周波電界が形成されるととも
に、磁場形成機構２１による磁場が形成され、この状態
でプラズマによるシリコン酸化膜１０１のエッチングが
行われる。
【００４１】そして、所定のエッチング処理が実行され
ると、高周波電源１０からの高周波電力の供給が停止
し、エッチング処理を停止して、上述した手順とは逆の
手順で、半導体ウエハＷを真空チャンバ１外に搬出す
る。
ると、高周波電源１０からの高周波電力の供給が停止
し、エッチング処理を停止して、上述した手順とは逆の
手順で、半導体ウエハＷを真空チャンバ１外に搬出す
る。
【００４２】ここで、上記のエッチングにおけるさらに
詳細なエッチング条件は、以下のとおりである。
詳細なエッチング条件は、以下のとおりである。
【００４３】
Ｃ5 Ｆ8 ／Ｏ2 ／Ａｒ＝６／４／１０００ｓｃｃｍ
（（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／Ａｒ＝０．０１（１％））
圧力＝１３．３Ｐａ（１００ｍTorr）
高周波出力＝１５００Ｗ
電極間ギャップ＝２７ｍｍ
バックヘリウム圧力（センター／エッジ）＝５３２０／
２６６００Ｐａ（４／２０Torr） 温度（トップ／ウォール／ボトム）＝６０／６０／３０
℃
２６６００Ｐａ（４／２０Torr） 温度（トップ／ウォール／ボトム）＝６０／６０／３０
℃
【００４４】この結果、図１（ｂ）に示すように、ほと
んどマイクロトレンチが生じることなく、側壁部の麓部
分が略直角な角部とされた形状を得ることができた。マ
イクロトレンチ係数（Ｂ／Ａ）は約１．０３（Ａ＝４．
８４μｍ、Ｂ＝５．００μｍ）であった。
んどマイクロトレンチが生じることなく、側壁部の麓部
分が略直角な角部とされた形状を得ることができた。マ
イクロトレンチ係数（Ｂ／Ａ）は約１．０３（Ａ＝４．
８４μｍ、Ｂ＝５．００μｍ）であった。
【００４５】図３，４は、上記のシリコン酸化膜１０１
のエッチングにおいて、Ａｒの流量に対するＣ5 Ｆ8 ＋
Ｏ2 合計流量の比率（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／Ａｒを変化さ
せた場合のエッチングレートの変化の様子（図３の実線
Ｃ）、エッチングレート均一性（面内均一性）の変化の
様子（図３の実線Ｄ）、及び、マイクロトレンチ係数の
変化の様子（図４の実線Ｅ）を示したものである。
のエッチングにおいて、Ａｒの流量に対するＣ5 Ｆ8 ＋
Ｏ2 合計流量の比率（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／Ａｒを変化さ
せた場合のエッチングレートの変化の様子（図３の実線
Ｃ）、エッチングレート均一性（面内均一性）の変化の
様子（図３の実線Ｄ）、及び、マイクロトレンチ係数の
変化の様子（図４の実線Ｅ）を示したものである。
【００４６】なお、図３において、上記実線Ｃ，Ｄが、
Ｐ1 ，Ｐ2 と、Ｐ3 ，Ｐ4 に、途中で２つに別れている
のは、図中左側のＰ1 ，Ｐ2 実線の場合、圧力を１３．
３Ｐａ（１００ｍTorr）とし、図中右側のＰ3 ，Ｐ4 実
線の場合、圧力を５．３２Ｐａ（４０ｍTorr）として異
なる圧力としたためである。
Ｐ1 ，Ｐ2 と、Ｐ3 ，Ｐ4 に、途中で２つに別れている
のは、図中左側のＰ1 ，Ｐ2 実線の場合、圧力を１３．
３Ｐａ（１００ｍTorr）とし、図中右側のＰ3 ，Ｐ4 実
線の場合、圧力を５．３２Ｐａ（４０ｍTorr）として異
なる圧力としたためである。
【００４７】また、Ｐ1 における各ガスの具体的な流量
は、前述したとおりの、 Ｃ5 Ｆ8 ／Ｏ2 ／Ａｒ＝６／４／１０００ｓｃｃｍ （（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／Ａｒ＝０．０１（１％）） であり、Ｐ2 とＰ3 は同じで、 Ｃ5 Ｆ8 ／Ｏ2 ／Ａｒ＝６／４／５００ｓｃｃｍ （（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／Ａｒ＝０．０２（２％）） であり、Ｐ4 は、 Ｃ5 Ｆ8 ／Ｏ2 ／Ａｒ＝１２／９／５００ｓｃｃｍ （（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／Ａｒ＝０．０４（４％）） である。
は、前述したとおりの、 Ｃ5 Ｆ8 ／Ｏ2 ／Ａｒ＝６／４／１０００ｓｃｃｍ （（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／Ａｒ＝０．０１（１％）） であり、Ｐ2 とＰ3 は同じで、 Ｃ5 Ｆ8 ／Ｏ2 ／Ａｒ＝６／４／５００ｓｃｃｍ （（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／Ａｒ＝０．０２（２％）） であり、Ｐ4 は、 Ｃ5 Ｆ8 ／Ｏ2 ／Ａｒ＝１２／９／５００ｓｃｃｍ （（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／Ａｒ＝０．０４（４％）） である。
【００４８】また、マイクロトレンチ係数（Ｂ／Ａ）及
びＡ，Ｂの具体的な値は、Ｐ1 については前記したとお
りでおり、Ｐ2 のマイクロトレンチ係数（Ｂ／Ａ）は約
１．１０（Ａ＝５．４３μｍ、Ｂ＝５．９９μｍ）、Ｐ
3 のマイクロトレンチ係数（Ｂ／Ａ）は約１．１０（Ａ
＝５．８７μｍ、Ｂ＝６．４６μｍ）、Ｐ4 のマイクロ
トレンチ係数（Ｂ／Ａ）は約１．１５（Ａ＝７．３０μ
ｍ、Ｂ＝８．３７μｍ）であった。
びＡ，Ｂの具体的な値は、Ｐ1 については前記したとお
りでおり、Ｐ2 のマイクロトレンチ係数（Ｂ／Ａ）は約
１．１０（Ａ＝５．４３μｍ、Ｂ＝５．９９μｍ）、Ｐ
3 のマイクロトレンチ係数（Ｂ／Ａ）は約１．１０（Ａ
＝５．８７μｍ、Ｂ＝６．４６μｍ）、Ｐ4 のマイクロ
トレンチ係数（Ｂ／Ａ）は約１．１５（Ａ＝７．３０μ
ｍ、Ｂ＝８．３７μｍ）であった。
【００４９】図４の実線Ｅに示されるように、マイクロ
トレンチ係数は、Ａｒの流量に対するＣ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 合
計流量の比率（（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／Ａｒ）の値が低い
方が良好になる傾向にある。マイクロトレンチ係数は、
１．１０〜１．００とすることが好ましく、このため、
Ａｒの流量に対するＣ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 合計流量の比率
（（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／Ａｒ）の値は、好ましくは０．
０２（２％）以下とし、さらに好ましくは０．０１５
（１．５％）以下とする。
トレンチ係数は、Ａｒの流量に対するＣ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 合
計流量の比率（（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／Ａｒ）の値が低い
方が良好になる傾向にある。マイクロトレンチ係数は、
１．１０〜１．００とすることが好ましく、このため、
Ａｒの流量に対するＣ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 合計流量の比率
（（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／Ａｒ）の値は、好ましくは０．
０２（２％）以下とし、さらに好ましくは０．０１５
（１．５％）以下とする。
【００５０】一方、図３の実線Ｃに示されるように、上
記のＡｒの流量に対するＣ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 合計流量の比率
（（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／Ａｒ）の値が低くなるとエッチ
ングレートが低下する傾向にあり、また、図３の実線Ｄ
に示されるように、この値が低くなるとエッチングレー
ト均一性（面内均一性）が悪化する傾向にある。このた
め、Ａｒの流量に対するＣ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 合計流量の比率
（（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／Ａｒ）の値は、０．００３
（０．３％）程度以上とすることが好ましい。
記のＡｒの流量に対するＣ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 合計流量の比率
（（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／Ａｒ）の値が低くなるとエッチ
ングレートが低下する傾向にあり、また、図３の実線Ｄ
に示されるように、この値が低くなるとエッチングレー
ト均一性（面内均一性）が悪化する傾向にある。このた
め、Ａｒの流量に対するＣ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 合計流量の比率
（（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／Ａｒ）の値は、０．００３
（０．３％）程度以上とすることが好ましい。
【００５１】なお、以上のような構成の混合ガスを選択
することによって、マイクロトレンチの形成が抑制され
るメカニズムは、以下のように推測される。
することによって、マイクロトレンチの形成が抑制され
るメカニズムは、以下のように推測される。
【００５２】すなわち、マイクロトレンチが形成される
一因として、エッチングに伴う堆積物が図６（ｂ）に示
される矢印Ａの部分（溝１０３の平坦な部分）に多く堆
積してエッチングレートを低下させ、このような堆積物
が少ない矢印Ｂの部分（マイクロトレンチの部分）のエ
ッチングレートとの間に差ができることが考えられる。
そして、上記のようにＡｒの流量に対するＣ5 Ｆ8 ＋Ｏ
2 合計流量の比率（（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／Ａｒを低下さ
せ、混合ガスの中のＡｒの量を増大させると、Ａｒによ
るスパッタ作用により上記の堆積物が除かれ、上記のエ
ッチングレートの差が解消されることにより、マイクロ
トレンチの形成が抑制されるものと推測される。
一因として、エッチングに伴う堆積物が図６（ｂ）に示
される矢印Ａの部分（溝１０３の平坦な部分）に多く堆
積してエッチングレートを低下させ、このような堆積物
が少ない矢印Ｂの部分（マイクロトレンチの部分）のエ
ッチングレートとの間に差ができることが考えられる。
そして、上記のようにＡｒの流量に対するＣ5 Ｆ8 ＋Ｏ
2 合計流量の比率（（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／Ａｒを低下さ
せ、混合ガスの中のＡｒの量を増大させると、Ａｒによ
るスパッタ作用により上記の堆積物が除かれ、上記のエ
ッチングレートの差が解消されることにより、マイクロ
トレンチの形成が抑制されるものと推測される。
【００５３】図５は、図１の場合とは異なり、溝（トレ
ンチ）の幅が狭い（幅＝約０．６μｍ）場合のパターン
について、エッチングを行った場合のＡｒの流量に対す
るＣ 5 Ｆ8 ＋Ｏ2 合計流量の比率（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／
Ａｒと、エッチングレート（実線Ｆ）及びマイクロトレ
ンチ係数（実線Ｇ）との関係を示したものである。な
お、エッチング条件は、流量比率については、
ンチ）の幅が狭い（幅＝約０．６μｍ）場合のパターン
について、エッチングを行った場合のＡｒの流量に対す
るＣ 5 Ｆ8 ＋Ｏ2 合計流量の比率（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／
Ａｒと、エッチングレート（実線Ｆ）及びマイクロトレ
ンチ係数（実線Ｇ）との関係を示したものである。な
お、エッチング条件は、流量比率については、
【００５４】
Ｃ5 Ｆ8 ／Ｏ2 ／Ａｒ＝６／４／５００ｓｃｃｍ
（（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／Ａｒ＝０．０２（２％））
及び、
Ｃ5 Ｆ8 ／Ｏ2 ／Ａｒ＝６／４／８００ｓｃｃｍ
（（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／Ａｒ＝０．０１２５（１．２５
％）） であり、その他の条件は、 圧力＝１５．９６Ｐａ（１２０ｍTorr） 高周波出力＝１４００Ｗ 電極間ギャップ＝２７ｍｍ バックヘリウム圧力（センター／エッジ）＝９３１／５
３２０Ｐａ（７／４０Torr） 温度（トップ／ウォール／ボトム）＝６０／６０／２０
℃ である。
％）） であり、その他の条件は、 圧力＝１５．９６Ｐａ（１２０ｍTorr） 高周波出力＝１４００Ｗ 電極間ギャップ＝２７ｍｍ バックヘリウム圧力（センター／エッジ）＝９３１／５
３２０Ｐａ（７／４０Torr） 温度（トップ／ウォール／ボトム）＝６０／６０／２０
℃ である。
【００５５】同図に示されるとおり、溝（トレンチ）の
幅が狭い場合についても、Ａｒの流量に対するＣ5 Ｆ8
＋Ｏ2 合計流量の比率（（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／Ａｒ）の
値を０．０２（２％）以下とすることによって、マイク
ロトレンチ係数を１．１以下の良好な状態とすることが
できた。
幅が狭い場合についても、Ａｒの流量に対するＣ5 Ｆ8
＋Ｏ2 合計流量の比率（（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／Ａｒ）の
値を０．０２（２％）以下とすることによって、マイク
ロトレンチ係数を１．１以下の良好な状態とすることが
できた。
【００５６】なお、上記の実施形態では、炭素とフッ素
とを含むガスとして、Ｃ5 Ｆ8 を用いた場合について説
明したが、炭素とフッ素とを含むガスとしては、例え
ば、Ｃ 4 Ｆ6 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ4 Ｆ8 等の他の各種のガス
も使用することができる。また、上記の実施形態では、
不活性ガスとして、Ａｒを用いた場合について説明した
が、不活性ガスとしては、例えば、Ｘｅ、Ｋｒ等の他の
不活性ガスも使用することができる。
とを含むガスとして、Ｃ5 Ｆ8 を用いた場合について説
明したが、炭素とフッ素とを含むガスとしては、例え
ば、Ｃ 4 Ｆ6 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ4 Ｆ8 等の他の各種のガス
も使用することができる。また、上記の実施形態では、
不活性ガスとして、Ａｒを用いた場合について説明した
が、不活性ガスとしては、例えば、Ｘｅ、Ｋｒ等の他の
不活性ガスも使用することができる。
【００５７】また、上記の実施形態では、エッチングす
るシリコン酸化物として、半導体ウエハＷに形成された
熱酸化膜をエッチングした場合について説明したが、シ
リコン酸化物は、熱酸化膜に限らず、ＣＶＤ膜やＳＯＧ
膜、或いは石英等にも同様にして適用することができ、
リン、ボロン等の不純物を含むものであってもよい。ま
た、半導体ウエハＷ上のシリコン酸化物に限らず、あら
ゆるシリコン酸化物に適用することができる。
るシリコン酸化物として、半導体ウエハＷに形成された
熱酸化膜をエッチングした場合について説明したが、シ
リコン酸化物は、熱酸化膜に限らず、ＣＶＤ膜やＳＯＧ
膜、或いは石英等にも同様にして適用することができ、
リン、ボロン等の不純物を含むものであってもよい。ま
た、半導体ウエハＷ上のシリコン酸化物に限らず、あら
ゆるシリコン酸化物に適用することができる。
【００５８】また、シリコン酸化膜のみならず、ＳｉＯ
Ｃ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＦなどの無機ＬｏｗＫ膜として知
られるシリコン含有酸化物に対しても、適用することが
できる。
Ｃ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＦなどの無機ＬｏｗＫ膜として知
られるシリコン含有酸化物に対しても、適用することが
できる。
【００５９】また、マスク材としてはレジストなどの有
機材料が用いられるが、エッチング量が大きい場合は、
マスク材がエッチングされてマスクとして機能しなくな
る場合がある。そのような場合はシリコン窒化膜などの
耐エッチング性の大きい窒化膜などの無機材料膜を用い
ることができる。
機材料が用いられるが、エッチング量が大きい場合は、
マスク材がエッチングされてマスクとして機能しなくな
る場合がある。そのような場合はシリコン窒化膜などの
耐エッチング性の大きい窒化膜などの無機材料膜を用い
ることができる。
【００６０】さらに、エッチングに使用するエッチング
装置は、例えば、上部電極と下部電極の双方に高周波電
圧を印加するタイプのものや、ＥＣＲプラズマエッチン
グ装置、ヘリコン波プラズマエッチング装置、ＴＣＰ形
プラズマエッチング装置、誘導結合形プラズマエッチン
グ装置等、あらゆる装置を使用することができる。
装置は、例えば、上部電極と下部電極の双方に高周波電
圧を印加するタイプのものや、ＥＣＲプラズマエッチン
グ装置、ヘリコン波プラズマエッチング装置、ＴＣＰ形
プラズマエッチング装置、誘導結合形プラズマエッチン
グ装置等、あらゆる装置を使用することができる。
【００６１】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
マイクロトレンチの発生を抑制することができ、精度良
く所望形状のエッチングを行うことができる。
マイクロトレンチの発生を抑制することができ、精度良
く所望形状のエッチングを行うことができる。
【図１】本発明のエッチング方法の一実施形態を説明す
るための図。
るための図。
【図２】本発明の一実施形態に使用するプラズマ処理装
置の概略構成を示す図。
置の概略構成を示す図。
【図３】（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／Ａｒとエッチングレート
及びエッチングレート均一性との関係を示す図。
及びエッチングレート均一性との関係を示す図。
【図４】（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）／Ａｒとマイクロトレンチ
係数との関係を示す図。
係数との関係を示す図。
【図５】トレンチの幅が狭い場合の（Ｃ5 Ｆ8 ＋Ｏ2 ）
／Ａｒとマイクロトレンチ係数との関係を示す図。
／Ａｒとマイクロトレンチ係数との関係を示す図。
【図６】本発明の解決課題を説明するための図。
Ｗ……半導体ウエハ、１０１……シリコン酸化膜（熱酸
化膜）、１０２……マスク材層、１０３……溝（トレン
チ）。
化膜）、１０２……マスク材層、１０３……溝（トレン
チ）。
Claims (8)
- 【請求項１】 炭素とフッ素とを含むガス、酸素ガス、
及び不活性ガスを含む混合ガスを使用してマスク材のパ
ターン形状に基づいてシリコン含有酸化物をエッチング
するエッチング方法であって、 不活性ガス流量に対する炭素とフッ素とを含むガス流量
と酸素ガス流量との合計流量の比率（（炭素とフッ素と
を含むガス流量＋酸素ガス流量）／不活性ガス流量）が
０．０２以下で、エッチングによってシリコン含有酸化
物中に略垂直な角部を形成することを特徴とするエッチ
ング方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のエッチング方法におい
て、 前記不活性ガス流量に対する炭素とフッ素とを含むガス
流量と酸素ガス流量との合計流量の比率（（炭素とフッ
素とを含むガス流量＋酸素ガス流量）／不活性ガス流
量）が０．０１５以下であることを特徴とするエッチン
グ方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載のエッチング方法に
おいて、 前記不活性ガス流量に対する炭素とフッ素とを含むガス
流量と酸素ガス流量との合計流量の比率（（炭素とフッ
素とを含むガス流量＋酸素ガス流量）／不活性ガス流
量）が０．００３以上であることを特徴とするエッチン
グ方法。 - 【請求項４】 請求項１〜３いずれか１項記載のエッチ
ング方法において、 前記不活性ガスがアルゴンであることを特徴とするエッ
チング方法。 - 【請求項５】 請求項４記載のエッチング方法におい
て、 前記炭素とフッ素とを含むガスが、Ｃ5 Ｆ8 であること
を特徴とするエッチング方法。 - 【請求項６】 請求項１〜５いずれか１項記載のエッチ
ング方法において、 上部電極と下部電極が対向して配置されたエッチング装
置の前記下部電極に、前記シリコン含有酸化物を有する
被処理物を載置し、前記下部電極に高周波電力を印加し
てエッチングを行うことを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項７】 請求項６記載のエッチング方法におい
て、 前記シリコン含有酸化物がシリコン酸化膜であることを
特徴とするエッチング方法。 - 【請求項８】 請求項６又は７記載のエッチング方法に
おいて、 前記高周波電力によって形成される高周波電界に対して
略垂直な磁場を形成した状態でエッチングを行うことを
特徴とするエッチング方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002030836A JP4128365B2 (ja) | 2002-02-07 | 2002-02-07 | エッチング方法及びエッチング装置 |
| TW092101720A TW200302694A (en) | 2002-02-07 | 2003-01-27 | Etching method and etching device |
| PCT/JP2003/001052 WO2003067643A1 (fr) | 2002-02-07 | 2003-02-03 | Procédé et appareil de gravure |
| US10/501,917 US7189653B2 (en) | 2002-02-07 | 2003-02-03 | Etching method and etching apparatus |
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|---|---|---|---|
| JP2002030836A JP4128365B2 (ja) | 2002-02-07 | 2002-02-07 | エッチング方法及びエッチング装置 |
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|---|---|
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| JP4128365B2 JP4128365B2 (ja) | 2008-07-30 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004020834A1 (de) * | 2004-04-28 | 2005-11-17 | Infineon Technologies Ag | Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur |
| KR20170066197A (ko) * | 2015-12-04 | 2017-06-14 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 드라이 에칭 방법 |
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| DE102014115253A1 (de) * | 2014-10-20 | 2016-04-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Strukturierung einer Schichtenfolge und Halbleiterlaser-Vorrichtung |
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| US6159862A (en) * | 1997-12-27 | 2000-12-12 | Tokyo Electron Ltd. | Semiconductor processing method and system using C5 F8 |
| JP3905232B2 (ja) * | 1997-12-27 | 2007-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| JP2000307001A (ja) * | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2001127039A (ja) | 1999-10-25 | 2001-05-11 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP3547364B2 (ja) * | 2000-04-21 | 2004-07-28 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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- 2002-02-07 JP JP2002030836A patent/JP4128365B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 2003-01-27 TW TW092101720A patent/TW200302694A/zh not_active IP Right Cessation
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