JP2009046541A - 接合膜付き基材、接合膜付き基材の製造方法、接合方法および接合体 - Google Patents

Abstract

【課題】被着体に対して、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合することができる接合膜を備えた接合膜付き基材、かかる接合膜付き基材を製造し得る接合膜付き基材の製造方法、かかる接合膜付き基材と被着体とを、低温下で効率よく接合する接合方法、および、前記接合膜付き基材と被着体とが高い寸法精度で強固に接合してなる信頼性の高い接合体を提供すること。
【解決手段】本発明の接合膜付き基材１は、基板２（基材）と接合膜３とを有しており、対向基板４（他の被着体）に対して接合可能なものである。接合膜３は、金属原子と、金属原子と結合する酸素原子とを含み、その表面付近に、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基が導入され、紫外線の照射により、表面３５付近に存在する脱離基が、金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離して、接合膜３の表面３５に対向基板４との接着性が発現し得る膜である。
【選択図】図１

Description

本発明は、接合膜付き基材、接合膜付き基材の製造方法、接合方法および接合体に関するものである。

２つの部材（基材）同士を接合（接着）する際には、従来、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤等の接着剤を用いて行う方法が多く用いられている。
接着剤は、一般的に、接合する部材の材質によらず、優れた接着性を示すものである。このため、種々の材料で構成された部材同士を、様々な組み合わせで接着することができる。

例えば、インクジェットプリンタが備える液滴吐出ヘッド（インクジェット式記録ヘッド）は、樹脂材料、金属材料およびシリコン系材料等の異種材料で構成された部品同士を、接着剤を用いて接着することにより組み立てられている。
このように接着剤を用いて部材同士を接着する際には、液状またはペースト状の接着剤を接着面に塗布し、塗布された接着剤を介して部材同士を貼り合わせる。その後、熱または光の作用により接着剤を硬化（固化）させることにより、部材同士を接着する。

ところが、このような接着剤を用いた接合では、以下のような問題がある。
・接着強度が低い
・寸法精度が低い
・硬化時間が長いため、接着に長時間を要する
また、多くの場合、接着強度を高めるためにプライマーを用いる必要があり、そのためのコストと手間が接着工程の高コスト化・複雑化を招いている。

一方、接着剤を用いない接合方法として、固体接合による方法がある。
固体接合は、接着剤等の中間層が介在することなく、部材同士を直接接合する方法である（例えば、特許文献１参照）。
このような固体接合によれば、接着剤のような中間層を用いないので、寸法精度の高い接合体を得ることができる。

しかしながら、固体接合には、以下のような問題がある。
・接合される部材の材質に制約がある
・接合プロセスにおいて高温（例えば、７００〜８００℃程度）での熱処理を伴う
・接合プロセスにおける雰囲気が減圧雰囲気に限られる
このような問題を受け、接合に供される部材の材質によらず、部材同士を、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合する方法が求められている。

特開平５−８２４０４号公報

本発明の目的は、被着体に対して、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合することができる接合膜を備えた接合膜付き基材、かかる接合膜付き基材を製造し得る接合膜付き基材の製造方法、かかる接合膜付き基材と被着体とを、低温下で効率よく接合する接合方法、および、前記接合膜付き基材と被着体とが高い寸法精度で強固に接合してなる信頼性の高い接合体を提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の接合膜付き基材は、基材と、
該基材上に設けられ、金属原子と、該金属原子と結合する酸素原子とを含み、表面付近に、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基が導入された接合膜とを有し、
前記接合膜の少なくとも一部の領域にエネルギーを付与し、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、前記接合膜の表面の前記領域に、他の被着体との接着性が発現するものであることを特徴とする。
これにより、被着体に対して、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合することができる接合膜を備えた接合膜付き基材が得られる。

本発明の接合膜付き基材では、前記接合膜は、導電性を有することが好ましい。
これにより、本発明の接合膜付き基材を、他の被着体に対して接合した際に、接合膜を配線基板が備える配線や、その端子等に適用することができる。
本発明の接合膜付き基材では、前記接合膜は、透光性を有することが好ましい。
これにより、本発明の接合膜付き基材を用いて得られた接合体を、光学素子等における、透光性を必要とする領域に適用することができる。

本発明の接合膜付き基材では、前記金属原子は、インジウム、スズ、亜鉛、チタン、およびアンチモンのうちの少なくとも１種であることが好ましい。
接合膜を、これらの金属原子を含むものとすることにより、接合膜は、優れた導電性と透明性とを発揮するものとなる。
本発明の接合膜付き基材では、前記脱離基は、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種であることが好ましい。
これらの脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、エネルギーを付与することによって比較的簡単に、かつ均一に脱離する脱離基が得られることとなり、接合膜付き基材の接着性をより高度化することができる。

本発明の接合膜付き基材では、前記接合膜は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ_２）に、脱離基として水素原子が導入されたものであることが好ましい。
かかる構成の接合膜は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、このような接合膜は、基板に対して特に強固に接着するとともに、対向基板に対しても特に強い被着力を示し、その結果として、基板と対向基板とを強固に接合することができる。

本発明の接合膜付き基材では、前記接合膜中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
これにより、接合膜の安定性が高くなり、接合膜付き基材と他の被着体とをより強固に接合することができるようになる。
本発明の接合膜付き基材では、前記接合膜は、その少なくとも表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離した後に、活性手が生じることが好ましい。
これにより、他の被着体に対して、化学的結合に基づいて強固に接合可能な接合膜付き基材が得られる。

本発明の接合膜付き基材では、前記活性手は、未結合手または水酸基であることが好ましい。
これにより、他の被着体に対して、特に強固な接合が可能となる。
本発明の接合膜付き基材では、前記接合膜の平均厚さは、１〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、接合膜付き基材と他の被着体とを接合した接合体の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、これらをより強固に接合することができる。

本発明の接合膜付き基材では、前記接合膜は、流動性を有さない固体状をなしていることが好ましい。
これにより、接合膜付き基材を用いて得られた接合体の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。また、従来に比べ、短時間で強固な接合が可能になる。
本発明の接合膜付き基材では、前記基材は、板状をなしていることが好ましい。
これにより、基材が撓み易くなり、基材は、他の被着体の形状に沿って十分に変形可能なものとなるため、これらの密着性がより高くなる。また、基材が撓むことによって、接合界面に生じる応力を、ある程度緩和することができる。

本発明の接合膜付き基材では、前記基材の少なくとも前記接合膜を形成する部分は、シリコン材料、金属材料またはガラス材料を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、表面処理を施さなくても、十分な接合強度が得られる。
本発明の接合膜付き基材では、前記基材の前記接合膜を備える面には、あらかじめ、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、基材の表面を清浄化および活性化し、接合膜と対向基板との接合強度を高めることができる。

本発明の接合膜付き基材では、前記表面処理は、プラズマ処理であることが好ましい。
これにより、接合膜を形成するために、基材の表面を特に最適化することができる。
本発明の接合膜付き基材では、前記基材と前記接合膜との間に、中間層が介挿されていることが好ましい。
これにより、信頼性の高い接合体を得ることができる。

本発明の接合膜付き基材では、前記中間層は、酸化物系材料を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、基材と接合膜との間の接合強度を特に高めることができる。
本発明の接合膜付き基材の製造方法は、本発明の接合膜付き基材の製造方法であって、
前記基材を用意する工程と、
前記金属原子と前記酸素原子とを含む金属酸化物膜を前記基材上に成膜する工程と、
前記金属酸化物膜の表面付近に含まれる前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に脱離基を導入して前記接合膜を得る工程とを有することを特徴とする。
かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、金属酸化物膜の表面付近に脱離基を偏在させた状態で導入することができ、接合膜および金属酸化物膜としての双方の特性に優れた接合膜を形成することができる。

本発明の接合膜付き基材の製造方法では、前記脱離基の導入は、前記脱離基を構成する原子成分を含む雰囲気下で、前記金属酸化物膜に熱処理することにより行われることが好ましい。
かかる方法によれば、比較的容易に、脱離基を金属酸化物膜の表面付近に選択的に導入することができる。また、熱処理を施す際の、雰囲気温度や処理時間等の処理条件を適宜設定することにより、導入する脱離基の量、さらには脱離基が導入される厚さの制御を的確に行うことができる。

本発明の接合膜付き基材の製造方法では、前記熱処理は、減圧雰囲気下で行われることが好ましい。
これにより、金属酸化物膜の表面付近に対する脱離基の導入をより円滑に行うことができる。
本発明の接合膜付き基材の製造方法では、前記熱処理を施す際の雰囲気の温度は、１００〜６００℃であることが好ましい。
かかる範囲内に設定することにより、基材および金属酸化物膜を変質・劣化させることなく、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基を導入することができる。

本発明の接合方法は、本発明の接合膜付き基材と、前記他の被着体とを用意する工程と、
該接合膜付き基材中の前記接合膜の少なくとも一部の領域にエネルギーを付与する工程と、
前記接合膜と前記他の被着体とを密着させるように、前記接合膜付き基材と前記他の被着体とを貼り合わせ、接合体を得る工程とを有することを特徴とする。
これにより、接合膜付き基材と被着体とを、低温下で効率よく接合することができる。

本発明の接合方法は、本発明の接合膜付き基材と、前記他の被着体とを用意する工程と、
前記接合膜と前記他の被着体とを密着させるように、前記接合膜付き基材と前記他の被着体とを貼り合わせ、積層体を得る工程と、
該積層体中の前記接合膜の少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜付き基材と前記他の被着体とを接合し、接合体を得る工程とを有することを特徴とする。
これにより、接合膜付き基材と被着体とを、低温下で効率よく接合することができる。また、積層体の状態では、接合膜付き基材と被着体との間は接合されていないので、接合膜付き基材と被着体とを重ね合わせた後、これらの位置を容易に微調整することができる。その結果、接合膜の表面方向における位置精度を高めることができる。

本発明の接合方法では、前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われることが好ましい。
これにより、接合膜に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができる。

本発明の接合方法では、前記エネルギー線は、波長１２６〜３００ｎｍの紫外線であることが好ましい。
これにより、接合膜に付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜中の金属原子と酸素原子との結合（金属酸化物）が必要以上に破壊されるのを防止しつつ、金属原子および酸素原子と脱離基との間の結合を選択的に切断することができる。これにより、接合膜の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜に接着性を確実に発現させることができる。

本発明の接合方法では、前記加熱の温度は、２５〜１００℃であることが好ましい。
これにより、接合体が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。
本発明の接合方法では、前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａであることが好ましい。
これにより、圧力が高すぎて基板や被着体に損傷等が生じるのを防止しつつ、接合体の接合強度を確実に高めることができる。

本発明の接合方法では、前記エネルギーの付与は、大気雰囲気中で行われることが好ましい。
これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギーの付与をより簡単に行うことができる。
本発明の接合方法では、前記他の被着体は、あらかじめ、前記接合膜との密着性を高める表面処理を施した表面を有するものであり、
前記接合膜付き基材は、前記表面処理を施した表面に対して、前記接合膜が密着するようにして貼り合わされることが好ましい。
これにより、接合膜付き基材と被着体との接合強度をより高めることができる。

本発明の接合方法では、前記他の被着体は、あらかじめ、官能基、ラジカル、開環分子、不飽和結合、ハロゲンおよび過酸化物からなる群から選択される少なくとも１つの基または物質を有する表面を有するものであり、
前記接合膜付き基材は、前記基または物質を有する表面に対して、前記接合膜が密着するようにして貼り合わされることが好ましい。
これにより、接合膜付き基材と被着体との接合強度を十分に高くすることができる。

本発明の接合方法では、さらに、前記接合体に対して、その接合強度を高める処理を行う工程を有することが好ましい。
これにより、接合体の接合強度のさらなる向上を図ることができる。
本発明の接合方法では、前記接合強度を高める処理を行う工程は、前記接合体にエネルギー線を照射する方法、前記接合体を加熱する方法、および前記接合体に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われることが好ましい。
これにより、接合体の接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。

本発明の接合体は、本発明の接合膜付き基材と、被着体とを有し、
これらを、前記接合膜を介して接合してなることを特徴とする。
これにより、接合膜付き基材と被着体とが高い寸法精度で強固に接合してなる信頼性の高い接合体が得られる。
本発明の接合体は、本発明の接合膜付き基材を２枚有し、
これらを、前記接合膜同士を対向させて接合してなることを特徴とする。
これにより、接合膜付き基材と被着体とが高い寸法精度で強固に接合してなる信頼性の高い接合体が得られる。

以下、本発明の接合膜付き基材、接合膜付き基材の製造方法、接合方法および接合体を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
本発明の接合膜付き基材は、基板（基材）と、この基板上に設けられた接合膜とを有しており、対向基板（他の被着体）に対して接合するのに用いられるものである。
この接合膜付き基材のうち、接合膜は、金属原子と、この金属原子と結合する酸素原子とを含み、表面付近に、これら金属原子および酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基が導入されたものである。

このような接合膜を有する接合膜付き基材は、接合膜の少なくとも一部の領域、すなわち、平面視における接合膜の全面または一部の領域に対して、エネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する脱離基が、金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離するものである。そして、この接合膜は、脱離基の脱離によって、その表面のエネルギーを付与した領域に、他の被着体との接着性が発現するという特徴を有するものである。
このような特徴を有する接合膜付き基材は、対向基板に対して、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合可能なものである。そして、かかる接合膜付き基材を用いることにより、基板と対向基板とが強固に接合してなる信頼性の高い接合体が得られる。

＜第１実施形態＞
まず、本発明の接合膜付き基材、この接合膜付き基材と対向基板（他の被着体）とを接合する接合方法（本発明の接合方法）、および本発明の接合膜付き基材を備える接合体の各第１実施形態について説明する。
図１および図２は、本発明の接合膜付き基材を用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）、図３は、本発明の接合膜付き基材が備える接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図４は、本発明の接合膜付き基材が備える接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。なお、以下の説明では、図１ないし図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

本実施形態にかかる接合方法は、本発明の接合膜付き基材を用意する工程と、接合膜付き基材の接合膜に対してエネルギーを付与して、接合膜中から脱離基を脱離させることにより、接合膜を活性化させる工程と、対向基板（他の被着体）を用意し、接合膜付き基材が備える接合膜と対向基板とが密着するように、これらを貼り合わせ、接合体を得る工程とを有する。

以下、本実施形態にかかる接合方法の各工程について順次説明する。
［１］まず、接合膜付き基材１（本発明の接合膜付き基材）を用意する。
接合膜付き基材１は、図１（ａ）に示すように、板状をなす基板（基材）２と、基板２上に設けられた接合膜３とを有している。
このうち、基板２は、接合膜３を支持する程度の剛性を有するものであれば、いかなる材料で構成されたものであってもよい。

具体的には、基板２の構成材料は、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルペンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）、アクリロニトリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオキシメチレン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、エチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アラミド系樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等の樹脂系材料、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍのような金属、またはこれらの金属を含む合金、炭素鋼、ステンレス鋼、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、ガリウムヒ素のような金属系材料、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコンのようなシリコン系材料、ケイ酸ガラス（石英ガラス）、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛（アルカリ）ガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス系材料、アルミナ、ジルコニア、フェライト、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化チタン、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、炭化タングステンのようなセラミックス系材料、グラファイトのような炭素系材料、またはこれらの各材料の１種または２種以上を組み合わせた複合材料等が挙げられる。

また、基板２は、その表面に、Ｎｉめっきのようなめっき処理、クロメート処理のような不働態化処理、または窒化処理等を施したものであってもよい。
また、基板（基材）２の形状は、接合膜３を支持する面を有するような形状であればよく、板状のものに限定されない。すなわち、基材の形状は、例えば、塊状（ブロック状）や、棒状等であってもよい。

なお、本実施形態では、基板２が板状をなしていることから、基板２が撓み易くなり、基板２は、後述する対向基板４の形状に沿って十分に変形可能なものとなるため、これらの密着性がより高くなる。また、接合膜付き基材１において、基板２と接合膜３との密着性が高くなるとともに、基板２が撓むことによって、接合界面に生じる応力を、ある程度緩和することができる。

この場合、基板２の平均厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。なお、対向基板４の平均厚さも、前述した基板２の平均厚さと同様の範囲内であるのが好ましい。
一方、接合膜３は、基板２と後述する対向基板４との間に位置し、これらの基板２、４の接合を担うものである。

かかる接合膜３は、金属原子と、この金属原子結合する酸素原子とを含み、表面付近に、これら金属原子および酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基３０３が導入されたものである（図３参照。）。換言すれば、接合膜３は、金属酸化物で構成される金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を導入したものと言うことができる。
本発明の接合膜付き基材は、主にこの接合膜３の構成に特徴を有する。なお、この接合膜３については、後に詳述する。

また、基板２の少なくとも接合膜３を形成すべき領域には、基板２の構成材料に応じて、接合膜３を形成する前に、あらかじめ、基板２と接合膜３との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。
かかる表面処理としては、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。このような処理を施すことにより、基板２の接合膜３を形成すべき領域を清浄化するとともに、該領域を活性化させることができる。これにより、接合膜３と対向基板４との接合強度を高めることができる。

また、これらの各表面処理の中でもプラズマ処理を用いることにより、接合膜３を形成するために、基板２の表面を特に最適化することができる。
なお、表面処理を施す基板２が、樹脂材料（高分子材料）で構成されている場合には、特に、コロナ放電処理、窒素プラズマ処理等が好適に用いられる。
また、基板２の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜３の接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる基板２の構成材料としては、例えば、前述したような各種金属系材料、各種シリコン系材料、各種ガラス系材料等を主材料とするものが挙げられる。

このような材料で構成された基板２は、その表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、比較的活性の高い水酸基が結合している。したがって、このような材料で構成された基板２を用いると、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜付き基材１（結合膜３）と対向基板４とを強固に接合することができる。
なお、この場合、基板２の全体が上記のような材料で構成されていなくてもよく、少なくとも接合膜３を形成すべき領域の表面付近が上記のような材料で構成されていればよい。

また、表面処理に代えて、基板２の少なくとも接合膜３を形成すべき領域には、あらかじめ、中間層を形成するようにしてもよい。
この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、特に限定されるものではないが、例えば、接合膜３との密着性を高める機能、クッション性（緩衝機能）、応力集中を緩和する機能等を有するものが好ましい。このような中間層を介して基板２と接合膜３とを接合することになり、信頼性の高い接合体を得ることができる。

かかる中間層の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタンのような金属系材料、金属酸化物、シリコン酸化物のような酸化物系材料、金属窒化物、シリコン窒化物のような窒化物系材料、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素系材料、シランカップリング剤、チオール系化合物、金属アルコキシド、金属−ハロゲン化合物のような自己組織化膜材料、樹脂系接着剤、樹脂フィルム、樹脂コーティング材、各種ゴム材料、各種エラストマーのような樹脂系材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、これらの各種材料で構成された中間層の中でも、酸化物系材料で構成された中間層によれば、基板２と接合膜３との間の接合強度を特に高めることができる。

［２］次に、接合膜付き基材１の接合膜３の表面３５に対してエネルギーを付与する。
ここで、接合膜３にエネルギーを付与すると、接合膜３では、図３および図４に示すように、脱離基３０３が接合膜３の表面３５付近から、すなわち接合膜３の表面３５付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離し、脱離基３０３が脱離した後には、活性手が接合膜３の表面３５付近に生じる。これにより、接合膜３の表面３５に、対向基板４との接着性が発現する。

このような状態の接合膜付き基材１は、対向基板４と、化学的結合に基づいて強固に接合可能なものとなる。
ここで、接合膜３に付与するエネルギーは、いかなる方法を用いて付与されるものであってもよいが、例えば、接合膜３にエネルギー線を照射する方法、接合膜３を加熱する方法、接合膜３に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法、接合膜３をプラズマに曝す（プラズマエネルギーを付与する）方法、接合膜３をオゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。中でも、本実施形態では、接合膜３にエネルギーを付与する方法として、特に、接合膜３にエネルギー線を照射する方法を用いるのが好ましい。かかる方法は、接合膜３に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。

このうち、エネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザ光のような光、Ｘ線、γ線、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。
これらのエネルギー線の中でも、特に、波長１２６〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい（図１（ｂ）参照）。かかる範囲内の紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜３中の金属原子と酸素原子との結合（金属酸化物）が必要以上に破壊されるのを防止しつつ、金属原子および酸素原子と脱離基３０３との間の結合を選択的に切断することができる。これにより、接合膜３の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜３に接着性を確実に発現させることができる。

また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、脱離基３０３の脱離を効率よく行わせることができる。さらに、紫外線には、例えば、ＵＶランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１２６〜２００ｎｍ程度とされる。
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、接合膜３の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ^２〜１Ｗ／ｃｍ^２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ^２〜５０ｍＷ／ｃｍ^２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと接合膜３との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。

また、紫外線を照射する時間は、接合膜３の表面３５付近の脱離基３０３を脱離し得る程度の時間、すなわち、接合膜３に必要以上に紫外線が照射されない程度の時間とするのが好ましい。これにより、接合膜３が変質・劣化するのを効果的に防止して、接合膜３の金属酸化物膜としての特性、例えば、導電性や透明性のような特性が低下するの的確に抑制または防止することができる。具体的には、紫外線の光量、接合膜３の構成材料等に応じて若干異なるものの、０．５〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１０分程度であるのがより好ましい。
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。

一方、レーザ光としては、例えば、エキシマレーザのようなパルス発振レーザ（パルスレーザ）、炭酸ガスレーザ、半導体レーザのような連続発振レーザ等が挙げられる。中でも、パルスレーザが好ましく用いられる。パルスレーザでは、接合膜３のレーザ光が照射された部分に経時的に熱が蓄積され難いので、蓄積された熱による接合膜３の変質・劣化を確実に防止することができる。すなわち、パルスレーザによれば、接合膜３の内部にまで蓄積された熱の影響がおよぶのを、防止することができる。

また、パルスレーザのパルス幅は、熱の影響を考慮した場合、できるだけ短い方が好ましい。具体的には、パルス幅が１ｐｓ（ピコ秒）以下であるのが好ましく、５００ｆｓ（フェムト秒）以下であるのがより好ましい。パルス幅を前記範囲内にすれば、レーザ光照射に伴って接合膜３に生じる熱の影響を、的確に抑制することができる。なお、パルス幅が前記範囲内程度に小さいパルスレーザは、「フェムト秒レーザ」と呼ばれる。

また、レーザ光の波長は、特に限定されないが、例えば、２００〜１２００ｎｍ程度であるのが好ましく、４００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、レーザ光のピーク出力は、パルスレーザの場合、パルス幅によって異なるが、０．１〜１０Ｗ程度であるのが好ましく、１〜５Ｗ程度であるのがより好ましい。
さらに、パルスレーザの繰り返し周波数は、０．１〜１００ｋＨｚ程度であるのが好ましく、１〜１０ｋＨｚ程度であるのがより好ましい。パルスレーザの周波数を前記範囲内に設定することにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇して、金属原子と酸素原子との結合が切断されてしまうのを防止しつつ、脱離基３０３を接合膜３の表面３５付近から確実に切断することができる。

なお、このようなレーザ光の各種条件は、レーザ光を照射された部分の温度が、好ましくは常温（室温）〜６００℃程度、より好ましくは２００〜６００℃程度、さらに好ましくは３００〜４００℃程度になるように適宜調整されるのが好ましい。これにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇して、金属原子と酸素原子との結合が切断されてしまうのを防止しつつ、脱離基３０３を接合膜３から確実に切断することができる。

また、接合膜３に照射するレーザ光は、その焦点を、接合膜３の表面３５に合わせた状態で、この表面３５に沿って走査されるようにするのが好ましい。これにより、レーザ光の照射によって発生した熱が、表面３５付近に局所的に蓄積されることとなる。その結果、接合膜３の表面３５に存在する脱離基３０３を選択的に脱離させることができる。
また、接合膜３に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、中でも、特に、大気雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。

このように、エネルギー線を照射する方法によれば、接合膜３の表面３５付近に対して選択的にエネルギーを付与することが容易に行えるため、例えば、エネルギーの付与による基板２および接合膜３の変質・劣化を防止することができる。
また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与するエネルギーの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、接合膜３から脱離する脱離基３０３の脱離量を調整することが可能となる。このように脱離基３０３の脱離量を調整することにより、接合膜付き基材１と対向基板４との間の接合強度を容易に制御することができる。

すなわち、脱離基３０３の脱離量を多くすることにより、接合膜３の表面３５付近に、より多くの活性手が生じるため、接合膜３に発現する接着性をより高めることができる。一方、脱離基３０３の脱離量を少なくすることにより、接合膜３の表面３５付近に生じる活性手を少なくし、接合膜３に発現する接着性を抑えることができる。
なお、付与するエネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。

さらに、エネルギー線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギーを付与することができるので、エネルギーの付与をより効率よく行うことができる。
ここで、エネルギーが付与される前の接合膜３は、図３に示すように、その表面３５付近に脱離基３０３を有している。かかる接合膜３にエネルギーを付与する、脱離基３０３（図３では、水素原子）が接合膜３から脱離する。これにより、図４に示すように、接合膜３の表面３５に活性手３０４が生じ、活性化される。その結果、接合膜３の表面に接着性が発現する。

ここで、本明細書中において、接合膜３が「活性化された」状態とは、上述のように接合膜３の表面３５および内部の脱離基３０３が脱離して、金属原子または酸素原子において終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態の他、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、接合膜３が「活性化された」状態と言うこととする。

したがって、活性手３０４とは、図４に示すように、未結合手（ダングリングボンド）、または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。このような活性手３０４が存在するようにすれば、対向基板４に対して、特に強固な接合が可能となる。
なお、後者の状態（未結合手が水酸基によって終端化された状態）は、例えば、接合膜３に対して大気雰囲気中でエネルギー線を照射することにより、大気中の水分が未結合手を終端化することによって、容易に生成されることとなる。

また、本実施形態では、接合膜付き基材１と対向基板４とを貼り合わせる前に、あらかじめ、接合膜付き基材１の接合膜３に対してエネルギーを付与する場合について説明しているが、かかるエネルギーの付与は、接合膜付き基材１と対向基板４とを貼り合わせる（重ね合わせる）際、または貼り合わせた（重ね合わせた）後に行うようにしてもよい。なお、このような場合については、後述する第２実施形態において説明する。

［３］対向基板（他の被着体）４を用意する。そして、図１（ｃ）に示すように、活性化させた接合膜３と対向基板４とが密着するように、接合膜付き基材１と対向基板４とを貼り合わせる。これにより、前記工程［２］において、接合膜３が対向基板４に対する接着性が発現していることから、接合膜３と対向基板４とが化学的に結合することとなり、図２（ｄ）に示すような接合体５が得られる。

このようにして得られた接合体５では、従来の接合方法で用いられていた接着剤のように、主にアンカー効果のような物理的結合に基づく接着ではなく、共有結合のような短時間で生じる強固な化学的結合に基づいて、接合膜付き基材１と対向基板４とが接合されている。このため、接合体５は短時間で形成することができ、かつ、極めて剥離し難く、接合ムラ等も生じ難いものとなる。

また、このような接合膜付き基材１を用いて得られた接合体５を得る方法によれば、従来の固体接合のように、高温（例えば、７００℃以上）での熱処理を必要としないことから、耐熱性の低い材料で構成された基板２および対向基板４をも、接合に供することができる。
また、接合膜３を介して基板２と対向基板４とを接合しているため、基板２や対向基板４の構成材料に制約がないという利点もある。

以上のことから、本発明によれば、基板２および対向基板４の各構成材料の選択の幅をそれぞれ広げることができる。
また、固体接合では、接合膜を介していないため、基板２と対向基板４との間の熱膨張率に大きな差がある場合、その差に基づく応力が接合界面に集中し易く、剥離等が生じるおそれがあったが、接合体（本発明の接合体）５では、接合膜３によって応力の集中が緩和され、剥離の発生を的確に抑制または防止することができる。

また、本実施形態では、接合に供される基板２および対向基板４のうち、一方のみ（本実施形態では、基板２）に接合膜３が設けられている。そのため、基板２上に接合膜３を形成する際に、接合膜３の形成方法によっては、基板２が比較的長時間にわたってプラズマに曝されることになるが、本実施形態では、対向基板４は、プラズマに曝されることはない。

したがって、例えば、対向基板４として、プラズマに対する耐久性が著しく低いものを選択した場合であっても、本実施形態にかかる方法によれば、接合膜付き基材１と対向基板４とを強固に接合することができる。したがって、対向基板４を構成する材料は、プラズマに対する耐久性をあまり考慮することなく、幅広い材料から選択することが可能になるという利点もある。

ここで、用意する対向基板４は、基板２と同様、いかなる材料で構成されたものであってもよい。
具体的には、対向基板４は、基板２の構成材料と同様の材料で構成し得る。
また、対向基板４の形状も、基板２と同様、接合膜３が密着する面を有する形状であれば、特に限定されず、例えば、板状（層状）、塊状（ブロック状）、棒状等とされる。

ところで、対向基板４の構成材料は、基板２と異なっていても同じであっても良いが、基板２と対向基板４の各熱膨張率は、ほぼ等しいものを選択するのが好ましい。基板２と対向基板４の熱膨張率がほぼ等しければ、接合膜付き基材１と対向基板４とを貼り合せた際に、その接合界面に熱膨張に伴う応力が発生し難くなる。その結果、最終的に得られる接合体５において、剥離等の不具合が発生するのを確実に防止することができる。

また、後に詳述するが、基板２および対向基板４の各熱膨張率が互いに異なる場合であっても、接合膜付き基材１と対向基板４とを貼り合わせる際の条件を以下のように最適化するのが好ましい。これにより、接合膜付き基材１と対向基板４とを高い寸法精度で強固に接合することができる。
すなわち、基板２と対向基板４の熱膨張率が互いに異なっている場合には、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。

具体的には、基板２と対向基板４との熱膨張率の差にもよるが、基板２および対向基板４の温度が２５〜５０℃程度である状態下で、接合膜付き基材１と対向基板４とを貼り合わせるのが好ましく、２５〜４０℃程度である状態下で貼り合わせるのがより好ましい。このような温度範囲であれば、基板２と対向基板４との熱膨張率の差がある程度大きくても、接合界面に発生する熱応力を十分に低減することができる。その結果、接合体５における反りや剥離等の発生を確実に抑制または防止することができる。

また、この場合、具体的な基板２と対向基板４との間の熱膨張係数の差が、５×１０^−５／Ｋ以上あるような場合には、上記のようにして、できるだけ低温下で接合を行うことが特に推奨される。
さらに、基板２と対向基板４は、互いに剛性が異なっているのが好ましい。これにより、接合膜付き基材１と対向基板４とをより強固に接合することができる。

また、基板２と対向基板４のうち、少なくとも一方の基板は、その構成材料が樹脂材料で構成されているのが好ましい。樹脂材料は、その柔軟性により、接合膜付き基材１と対向基板４とを接合した際に、その接合界面に発生する応力（例えば、熱膨張に伴う応力等）を緩和することができる。このため、接合界面が破壊し難くなり、結果的に、接合強度の高い接合体５を得ることができる。

以上説明したような対向基板４の接合膜付き基材１との接合に供される領域には、基板２と同様に、対向基板４の構成材料に応じて、接合を行う前に、あらかじめ、対向基板４と接合膜３との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、接合膜付き基材１と対向基板４との接合強度をより高めることができる。
なお、表面処理としては、基板２に対して施す前述したような表面処理と同様の処理を適用することができる。

また、対向基板４の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜付き基材１と対向基板４との接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる対向基板４の構成材料には、前述した基板２の構成材料と同様のもの、すなわち、各種金属系材料、各種シリコン系材料、各種ガラス系材料等を用いることができる。
さらに、対向基板４の接合膜付き基材１との接合に供される領域に、以下の基や物質を有する場合には、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜付き基材１と対向基板４との接合強度を十分に高くすることができる。

このような基や物質としては、例えば、水酸基、チオール基、カルボキシル基、アミノ基、ニトロ基、イミダゾール基のような官能基、ラジカル、開環分子、２重結合、３重結合のような不飽和結合、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのようなハロゲン、過酸化物からなる群から選択される少なくとも１つの基または物質が挙げられる。このような基または物質を有する表面は、接合膜付き基材１の接合膜３に対する接合強度のさらなる向上を実現し得るものとなる。

また、このようなものを有する表面が得られるように、上述したような各種表面処理を適宜選択して行うことにより、接合膜付き基材１と特に強固に接合可能な対向基板４が得られる。
また、表面処理に代えて、対向基板４の接合膜付き基材１との接合に供される領域には、あらかじめ、接合膜３との密着性を高める機能を有する中間層を形成しておくのが好ましい。これにより、かかる中間層を介して接合膜付き基材１と対向基板４とを接合することになり、より接合強度の高い接合体５が得られるようになる。

かかる中間層の構成材料には、前述の基板２に形成する中間層の構成材料と同様のものを用いることができる。
ここで、本工程において、接合膜付き基材１と対向基板４とを接合するメカニズムについて説明する。
例えば、対向基板４の接合膜付き基材１との接合に供される領域に、水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、接合膜付き基材１の接合膜３と対向基板４とが接触するように、これらを貼り合わせたとき、接合膜付き基材１の接合膜３の表面３５に存在する水酸基と、対向基板４の前記領域に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、接合膜付き基材１と対向基板４とが接合されると推察される。

また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、接合膜付き基材１と対向基板４との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、接合膜付き基材１と対向基板４とがより強固に接合されると推察される。
なお、前記工程［２］で活性化された接合膜３の表面は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、前記工程［２］の終了後、できるだけ早く本工程［３］を行うようにするのが好ましい。具体的には、前記工程［２］の終了後、６０分以内に本工程［３］を行うようにするのが好ましく、５分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、接合膜３の表面が十分な活性状態を維持しているので、本工程で接合膜付き基材１（接合膜３）と対向基板４とを貼り合わせたとき、これらの間に十分な接合強度を得ることができる。

換言すれば、活性化させる前の接合膜３は、金属酸化物で構成される金属酸化物膜に脱離基３０３を導入した接合膜であるため、化学的に比較的安定であり、耐候性に優れている。このため、活性化させる前の接合膜３は、長期にわたる保存に適したものとなる。したがって、そのような接合膜３を備えた基板２を多量に製造または購入して保存しておき、本工程の貼り合わせを行う直前に、必要な個数のみに前記工程［２］に記載したエネルギーの付与を行うようにすれば、接合体５の製造効率の観点から有効である。

以上のようにして、図２（ｄ）に示す接合体（本発明の接合体）５を得ることができる。
なお、図２（ｄ）では、接合膜付き基材１の接合膜３の全面を覆うように対向基板４を重ね合わせているが、これらの相対的な位置は、互いにずれていてもよい。すなわち、接合膜３から対向基板４がはみ出るように、接合膜付き基材１と対向基板４とが重ね合わされていてもよい。

このようにして得られた接合体５は、基板２と対向基板４との間の接合強度が５ＭＰａ（５０ｋｇｆ／ｃｍ^２）以上であるのが好ましく、１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ^２）以上であるのがより好ましい。このような接合強度を有する接合体５は、その剥離を十分に防止し得るものとなる。そして、後述のように、接合体５を用いて、例えば液滴吐出ヘッドを構成した場合、耐久性に優れた液滴吐出ヘッドが得られる。また、本発明の接合膜付き基材１によれば、基板２と対向基板４とが上記のような大きな接合強度で接合された接合体５を効率よく作製することができる。

なお、従来のシリコン基板同士を直接接するのような固体接合では、接合に供される基板の表面を活性化させても、その活性状態は、大気中で数秒〜数十秒程度の極めて短時間しか維持することができなかった。このため、表面の活性化を行った後、接合する２つの基板を貼り合わせる等の作業に要する時間を、十分に確保することができないという問題があった。

これに対し、本発明によれば、比較的長時間に亘って活性状態を維持することができる。このため、貼り合わせ作業に要する時間を十分に確保することができ、接合作業の効率化を高めることができる。なお、比較的長時間に亘って活性状態を維持し得ることは、金属原子のみならず酸素原子にも脱離基３０３が結合していることにより、活性化状態が安定化していることに起因しているものと推察される。

なお、接合体５を得る際、または、接合体５を得た後に、この接合体５（接合膜付き基材１と対向基板４の積層体）に対して、必要に応じ、以下の３つの工程（［４Ａ］、［４Ｂ］および［４Ｃ］）のうちの少なくとも１つの工程（接合体５の接合強度を高める工程）を行うようにしてもよい。これにより、接合体５の接合強度のさらなる向上を図ることができる。

［４Ａ］ 図２（ｅ）に示すように、得られた接合体５を、基板２と対向基板４とが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、基板２の表面および対向基板４の表面に、それぞれ接合膜３の表面がより近接し、接合体５における接合強度をより高めることができる。
また、接合体５を加圧することにより、接合体５中の接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、接合体５における接合強度をさらに高めることができる。

このとき、接合体５を加圧する際の圧力は、接合体５が損傷を受けない程度の圧力で、できるだけ高い方が好ましい。これにより、この圧力に比例して接合体５における接合強度を高めることができる。
なお、この圧力は、基板２および対向基板４の各構成材料や各厚さ、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、基板２および対向基板４の各構成材料や各厚さ等に応じて若干異なるものの、０．２〜１０ＭＰａ程度であるのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、接合体５の接合強度を確実に高めることができる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、基板２および対向基板４の各構成材料によっては、基板２および対向基板４に損傷等が生じるおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、接合体５を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。

［４Ｂ］ 図２（ｅ）に示すように、得られた接合体５を加熱する。
これにより、接合体５における接合強度をより高めることができる。
このとき、接合体５を加熱する際の温度は、室温より高く、接合体５の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは２５〜１００℃程度とされ、より好ましくは５０〜１００℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、接合体５が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。

また、加熱時間は、特に限定されないが、１〜３０分程度であるのが好ましい。
また、前記工程［４Ａ］、［４Ｂ］の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、図２（ｅ）に示すように、接合体５を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、接合体５の接合強度を特に高めることができる。

［４Ｃ］ 図２（ｆ）に示すように、得られた接合体５に紫外線を照射する。
これにより、接合膜３と基板２および対向基板４との間に形成される化学結合を増加させ、基板２および対向基板４と接合膜３との間の接合強度をそれぞれ高めることができる。その結果、接合体５の接合強度を特に高めることができる。
このとき照射される紫外線の条件は、前記工程［２］に示した紫外線の条件と同等にすればよい。

また、本工程［４Ｃ］を行う場合、基板２および対向基板４のうち、いずれか一方が透光性を有していることが必要である。そして、透光性を有する基板側から、紫外線を照射することにより、接合膜３に対して確実に紫外線を照射することができる。
以上のような工程を行うことにより、接合体５における接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。

ここで、前述したように、本発明の接合膜付き基材は、接合膜３に特徴を有している。以下、接合膜３について詳述する。
前述したように、接合膜３は、図３および図４に示すように、金属原子と、この金属原子と結合する酸素原子とを含み、その表面３５付近に、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基３０３が導入されたものである。このような接合膜３は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３が接合膜３の表面３５付近（金属原子および酸素原子の少なくとも一方）から脱離し、図４に示すように、接合膜３の表面３５付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３の表面に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、接合膜３を備えた接合膜付き基材１は、対向基板４に対して、高い寸法精度で強固に効率よく接合可能なものとなる。

また、接合膜３は、金属原子と、この金属原子と結合する酸素原子とで構成されるもの、すなわち金属酸化物に脱離基３０３が結合したものであることから、変形し難い強固な膜となる。このため、接合膜３自体が寸法精度の高いものとなり、最終的に得られる接合体５においても、寸法精度が高いものが得られる。
さらに、接合膜３では、脱離基３０３は、表面３５付近に偏在するように導入されている。このように脱離基３０３が表面３５付近に選択的に存在する構成とすることにより、接合膜３に金属酸化物膜としての機能を好適に発揮させることができる。すなわち、接合膜３に、接合膜としての機能の他に、後述する導電性や透光性等の特性に優れた金属酸化物膜としての機能を好適に付与することができる。

このような接合膜３は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、接合膜付き基材１を用いて得られた接合体５の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。

また、本発明では、接合膜３は、導電性を有するものであるのが好ましい。これにより、後述する接合体において、接合膜３を配線基板が備える配線や、その端子等に適用することができる。
さらに、接合膜３は、透光性を有するものであるものが好ましい。これにより、本発明の接合体を、光学素子等における、透光性を必要とする領域に適用することができる。

以上のような接合膜３としての機能が好適に発揮されるように、金属原子が選択される。
具体的には、金属原子としては、例えば、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、ＴｉおよびＰｂ等が挙げられる。中でも、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（スズ）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｔｉ（チタン）およびＳｂ（アンチモン）のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いるのが好ましい。接合膜３を、これらの金属原子を含むもの、すなわちこれらの金属原子を含む金属酸化物に脱離基３０３を導入したものとすることにより、接合膜３は、優れた導電性と透明性とを発揮するものとなる。

より具体的には、金属酸化物としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）および二酸化チタン（ＴｉＯ_２）等が挙げられる。
なお、金属酸化物としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を用いる場合には、インジウムとスズとの原子比（インジウム／スズ比）は、９９／１〜８０／２０であるのが好ましく、９７／３〜８５／１５であるのがより好ましい。これにより、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。

また、接合膜３中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と酸素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、接合膜付き基材１と対向基板４とをより強固に接合することができるようになる。
また、脱離基３０３は、前述したように、金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、接合膜３に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜３に確実に結合しているものが好適に選択される。

かかる観点から、脱離基３０３には、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種が好適に用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜付き基材１の接着性をより高度なものとすることができる。

なお、上記の各原子で構成される原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基、アミノ基およびスルホン酸基等が挙げられる。
以上のような各原子および原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、水素原子であるのが好ましい。水素原子で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３として水素原子を備える接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。

以上のことを考慮すると、接合膜３としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ_２）の金属酸化物に、脱離基３０３として水素原子が導入されたものが好適に選択される。
かかる構成の接合膜３は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、このような接合膜３は、基板２に対して特に強固に接着するとともに、対向基板４に対しても特に強い被着力を示し、その結果として、基板２と対向基板４とを強固に接合することができる。また、金属酸化物膜としての機能も好適に発揮するものとなる。

また、接合膜３の平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、接合膜付き基材１と対向基板４とを接合した接合体５の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、これらをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、接合体５の寸法精度が著しく低下するおそれがある。

さらに、接合膜３の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、基板２の接合面（接合膜３に隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３を被着させることができる。その結果、接合膜３は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、接合膜付き基材１と対向基板４とを貼り合わせた際に、接合膜３の対向基板４に対する密着性を高めることができる。

なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜３の厚さをできるだけ厚くすればよい。
以上説明したような接合膜３は、いかなる方法で成膜してもよいが、例えば、金属原子と前記酸素原子とを含む金属酸化物膜を基材２上に成膜した後に、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより得ることができる。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を偏在させた状態で導入することができ、接合膜および金属酸化物膜としての双方の特性に優れた接合膜３を形成することができる。

基材２上に成膜される金属酸化物膜は、いかなる方法で成膜されたものでもよく、例えば、ＰＶＤ法（物理的気相成膜法）、ＣＶＤ法（化学的気相成膜法）、プラズマ重合法、のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により成膜することができるが、中でも、特に、ＰＶＤ法により成膜するのが好ましい。ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な金属酸化物膜を効率よく成膜することができる。

また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびレーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、雰囲気中に金属酸化物の粒子を叩き出して、基板２上に供給することができるため、特性に優れた金属酸化物膜を成膜することができる。

さらに、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を導入する方法としては、各種方法が用いられ、例えば、Ｉ：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で金属酸化物膜を熱処理（アニール）する方法およびII：イオンインプランテーション法等が挙げられるが、中でも、特に、Ｉの方法を用いるのが好ましい。Ｉの方法によれば、比較的容易に、脱離基３０３を金属酸化物膜の表面付近に選択的に導入することができる。また、熱処理を施す際の、雰囲気温度や処理時間等の処理条件を適宜設定することにより、導入する脱離基３０３の量、さらには脱離基３０３が導入される金属酸化物膜の厚さの制御を的確に行うことができる。

以下、金属酸化物膜をスパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により成膜し、次に、得られた金属酸化物膜を、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で熱処理することにより、接合膜３を得る場合を代表に説明する。
まず、接合膜３の成膜方法を説明するのに先立って、接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置２００について説明する。

図５は、本発明の接合方法に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図、図６は、図５に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。なお、以下の説明では、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図５に示す成膜装置２００は、イオンビームスパッタリング法による金属酸化物膜の成膜および、金属酸化物膜の熱処理がチャンバー（装置）内で行えるように構成されている。

具体的には、成膜装置２００は、チャンバー（真空チャンバー）２１１と、このチャンバー２１１内に設置され、基板２（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）２１２と、チャンバー２１１内に設置され、チャンバー２１１内に向かってイオンビームＢを照射するイオン源（イオン供給部）２１５と、イオンビームＢの照射により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）を発生させるターゲット（金属酸化物材料）２１６を保持するターゲットホルダー（ターゲット保持部）２１７とを有している。

また、チャンバー２１１には、チャンバー２１１内に、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を供給するガス供給手段２６０と、チャンバー２１１内の排気をして圧力を制御する排気手段２３０と、チャンバー２１１内を加熱する加熱手段（図示せず）とを有している。
なお、本実施形態では、基板ホルダー２１２は、チャンバー２１１の天井部に取り付けられている。この基板ホルダー２１２は、回動可能となっている。これにより、基板２上に金属酸化物膜を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。

イオン源（イオン銃）２１５は、図６に示すように、開口（照射口）２５０が形成されたイオン発生室２５６と、イオン発生室２５６内に設けられたフィラメント２５７と、グリッド２５３、２５４と、イオン発生室２５６の外側に設置された磁石２５５とを有している。
また、イオン発生室２５６には、図５に示すように、その内部にガス（スパッタリング用ガス）を供給するガス供給源２１９が接続されている。

このイオン源２１５では、イオン発生室２５６内に、ガス供給源２１９からガスを供給した状態で、フィラメント２５７を通電加熱すると、フィラメント２５７から電子が放出され、放出された電子が磁石２５５の磁場によって運動し、イオン発生室２５６内に供給されたガス分子と衝突する。これにより、ガス分子がイオン化する。このガスのイオンＩ^＋は、グリッド２５３とグリッド２５４との間の電圧勾配により、イオン発生室２５６内から引き出されるとともに加速され、開口２５０を介してイオンビームＢとしてイオン源２１５から放出（照射）される。

イオン源２１５から照射されたイオンビームＢは、ターゲット２１６の表面に衝突し、ターゲット２１６からは粒子（スパッタ粒子）が叩き出される。このターゲット２１６は、前述したような金属酸化物材料で構成されている。
この成膜装置２００では、イオン源２１５は、その開口２５０がチャンバー２１１内に位置するように、チャンバー２１１の側壁に固定（設置）されている。なお、イオン源２１５は、チャンバー２１１から離間した位置に配置し、接続部を介してチャンバー２１１に接続した構成とすることもできるが、本実施形態のような構成とすることにより、成膜装置２００の小型化を図ることができる。

また、イオン源２１５は、その開口２５０が、基板ホルダー２１２と異なる方向、本実施形態では、チャンバー２１１の底部側を向くように設置されている。
なお、イオン源２１５の設置個数は、１つに限定されるものではなく、複数とすることもできる、イオン源２１５を複数設置することにより、接合膜３の成膜速度をより速くすることができる。

また、ターゲットホルダー２１７および基板ホルダー２１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができる第１のシャッター２２０および第２のシャッター２２１が配設されている。
これらシャッター２２０、２２１は、それぞれ、ターゲット２１６、基板２および接合膜３が、不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。

また、排気手段２３０は、ポンプ２３２と、ポンプ２３２とチャンバー２１１とを連通する排気ライン２３１と、排気ライン２３１の途中に設けられたバルブ２３３とで構成されており、チャンバー２１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
さらに、ガス供給手段２６０は、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を貯留するガスボンベ２６４と、ガスボンベ２６４からこのガスをチャンバー２１１に導くガス供給ライン２６１と、ガス供給ライン２６１の途中に設けられたポンプ２６２およびバルブ２６３とで構成されており、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスをチャンバー２１１内に供給し得るようになっている。
以上のような構成の成膜装置２００を用いて、以下のようにして基板２上に接合膜３が形成される。

［１］ まず、基板２を用意する。そして、この基板２を成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。
［２］ 次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３２を作動させた状態でバルブ２３３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０^−７〜１×１０^−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０^−６〜１×１０^−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、このとき、加熱手段を動作させ、チャンバー２１１内を加熱する。チャンバー２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、膜密度の高い金属酸化物膜を成膜することができる。

［３］ 次に、第２のシャッター２２１を開き、さらに第１のシャッター２２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源２１５のイオン発生室２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント２５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。

このガスのイオンＩ^＋は、グリッド２５３とグリッド２５４とにより加速されて、イオン源２１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット２１６に衝突する。これにより、ターゲット２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出され、基板２上に被着して、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子とを含む金属酸化物膜が形成される。

なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源２１５のイオン発生室２５６内で、放電が行われ、電子ｅ⁻が発生するが、この電子ｅ⁻は、グリッド２５３により遮蔽され、チャンバー２１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源２１５の開口２５０）がターゲット２１６（チャンバー２１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室２５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜３に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜３の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。

［４］ 次に、第２のシャッター２２１を開いた状態で、第１のシャッター２２０を閉じる。
この状態で、加熱手段を動作させ、チャンバー２１１内をさらに加熱する。チャンバー２１１内の温度は、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３が導入される温度に設定され、１００〜６００℃程度であるのが好ましく、１５０〜３００℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、次工程［５］において、基板２および金属酸化物膜を変質・劣化させることなく、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３を導入することができる。

［５］ 次に、ガス供給手段２６０を動作させ、すなわちポンプ２６２を作動させた状態でバルブ２６３を開くことにより、チャンバー２１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー２１１内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
このように、前記工程［４］でチャンバー２１１内が加熱された状態で、チャンバー２１１内を、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）とすると、金属酸化物膜の表面付近に存在する金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３が導入されて、接合膜３が形成される。

脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
なお、チャンバー２１１内は、前記工程［２］において、排気手段２３０を動作させることにより調整された減圧状態を維持しているのが好ましい。これにより、金属酸化物膜の表面付近に対する脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。また、前記工程［２］の減圧状態を維持したまま、本工程においてチャンバー２１１内を減圧する構成とすることにより、再度減圧する手間が省けることから、成膜時間および成膜コスト等の削減を図ることができるという利点も得られる。

この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０^−７〜１×１０^−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０^−６〜１×１０^−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、熱処理を施す時間は、１５〜１２０分程度であるのが好ましく、３０〜６０分程度であるのがより好ましい。

導入する脱離基３０３の種類等によっても異なるが、熱処理を施す際の条件（チャンバー２１１内の温度、真空度、ガス流量、処理時間）を上記範囲内に設定することにより、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を選択的に導入することができる。
なお、上記の成膜条件を適宜設定することにより、脱離基３０３を、金属酸化物膜の表面のみならず、その内部まで導入することができる。このように脱離基３０３が内部まで導入された接合膜３は、金属酸化物膜としての特性よりも、接合膜としての特性を優先させたい場合に好適に用いられる。
以上のようにして、接合膜３が基板２上に成膜されて、接合膜付き基材１を得ることができる。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の接合膜付き基材、この接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法（本発明の接合方法）、および本発明の接合膜付き基材を備える接合体の各第２実施形態について説明する。
図７は、本発明の接合膜付き基材を用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法の第２実施形態を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、第２実施形態にかかる接合方法について説明するが、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態にかかる接合方法は、接合膜付き基材１と対向基板４とを重ね合わせた後に、接合膜３にエネルギーを付与するようにした以外は、前記第１実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態にかかる接合方法は、本発明の接合膜付き基材１を用意する工程と、対向基板（他の被着体）４を用意し、接合膜付き基材１が備える接合膜３と対向基板４とが密着するように、これらを重ね合わせる工程と、重ね合わせてなる積層体中の接合膜３に対してエネルギーを付与して、接合膜３を活性化させ、これにより、接合膜付き基材１と対向基板４とを接合してなる接合体５を得る工程とを有する。

以下、本実施形態にかかる接合方法の各工程について順次説明する。
［１］まず、前記第１実施形態と同様にして、接合膜付き基材１を用意する（図７（ａ）参照）。
［２］次に、図７（ｂ）に示すように、対向基板４を用意し、接合膜３の表面３５と対向基板４とが密着するように、接合膜付き基材１と対向基板４とを重ね合わせ、積層体を得る。なお、この積層体の状態では、接合膜付き基材１と対向基板４との間は接合されていないので、接合膜付き基材１の対向基板４に対する相対位置を調整することができる。これにより、接合膜付き基材１と対向基板４とを重ね合わせた後、これらの位置を容易に微調整することができる。その結果、接合膜３の表面３５方向における位置精度を高めることができる。

［３］次に、図７（ｃ）に示すように、積層体中の接合膜３に対してエネルギーを付与する。接合膜３にエネルギーが付与されると、接合膜３に、対向基板４との接着性が発現する。これにより、接合膜付き基材１と対向基板４とが接合され、図７（ｄ）に示すように、接合体５が得られる。
ここで、接合膜３に付与するエネルギーは、いかなる方法で付与されてもよいが、例えば、前記第１実施形態で挙げたような方法で付与される。

また、本実施形態では、接合膜３にエネルギーを付与する方法としては、特に、接合膜３にエネルギー線を照射する方法、接合膜３を加熱する方法、および接合膜３に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法を用いるのが好ましい。これらの方法は、接合膜３に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギー付与方法として好適である。

このうち、接合膜３にエネルギー線を照射する方法としては、前記第１実施形態と同様の方法を用いることができる。
なお、この場合、エネルギー線は、基板２または対向基板４を透過して接合膜３に照射されることとなる。したがって、基板２または対向基板４のうちエネルギー線を照射する側の基板は、透光性を有するもので構成される。

一方、接合膜３を加熱することにより、接合膜３に対してエネルギーを付与する場合には、加熱温度を２５〜１００℃程度に設定するのが好ましく、５０〜１００℃程度に設定するのがより好ましい。かかる範囲の温度で加熱すれば、基板２および対向基板４が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合膜３を確実に活性化させることができる。

また、加熱時間は、接合膜３の脱離基３０３を脱離し得る程度の時間とすればよく、具体的には、加熱温度が前記範囲内であれば、１〜３０分程度であるのが好ましい。
また、接合膜３は、いかなる方法で加熱されてもよいが、例えば、ヒータを用いる方法、赤外線を照射する方法、火炎に接触させる方法等の各種方法で加熱することができる。
なお、赤外線を照射する方法を用いる場合には、基板２または対向基板４は、光吸収性を有する材料で構成されているのが好ましい。これにより、赤外線を照射された基板２または対向基板４は、効率よく発熱する。その結果、接合膜３を効率よく加熱することができる。

また、ヒータを用いる方法または火炎に接触させる方法を用いる場合には、基板２または対向基板４のうちヒータまたは火炎を接触させる側の基板は、熱伝導性に優れた材料で構成されているのが好ましい。これにより、基板２または対向基板４を介して、接合膜３に対して効率よく熱を伝えることができ、接合膜３を効率よく加熱することができる。
また、接合膜３に圧縮力を付与することにより、接合膜３に対してエネルギーを付与する場合には、接合膜付き基材１と対向基板４とが互いに近づく方向に、０．２〜１０ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのがより好ましい。これにより、単に圧縮するのみで、接合膜３に対して適度なエネルギーを簡単に付与することができ、接合膜３に、対向基板４との十分な接着性が発現する。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、基板２と対向基板４の各構成材料によっては、基板２および対向基板４に損傷等が生じるおそれがある。

また、圧縮力を付与する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、圧縮力を付与する時間は、圧縮力の大きさに応じて適宜変更すればよい。具体的には、圧縮力の大きさが大きいほど、圧縮力を付与する時間を短くすることができる。
以上のようにして接合体５を得ることができる。

＜第３実施形態＞
次に、本発明の接合膜付き基材、この接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法（本発明の接合方法）、および本発明の接合膜付き基材を備える接合体の各第３実施形態について説明する。
図８および図９は、本発明の接合膜付き基材を用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法の第３実施形態を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図８および図９中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、第３実施形態にかかる接合方法について説明するが、前記第１実施形態および前記第２実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態にかかる接合方法は、２枚の接合膜付き基材１同士を接合するようにした以外は、前記第１実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態にかかる接合方法は、本発明の接合膜付き基材１を２枚用意する工程と、それぞれの接合膜付き基材１の各接合膜３１、３２に対してそれぞれエネルギーを付与して、各接合膜３１、３２を活性化させる工程と、各接合膜３１、３２同士が密着するように、２枚の接合膜付き基材１同士を貼り合わせ、接合体５ａを得る工程とを有する。

以下、本実施形態にかかる接合方法の各工程について順次説明する。
［１］まず、前記第１実施形態と同様にして、２枚の接合膜付き基材１を用意する（図８（ａ）参照）。なお、本実施形態では、この２枚の接合膜付き基材１として、図８（ａ）に示すように、基板２１とこの基板２１上に設けられた接合膜３１とを有する接合膜付き基材１と、基板２２とこの基板２２上に設けられた接合膜３２とを有する接合膜付き基材１とを用いるものとする。

［２］次に、図８（ｂ）に示すように、２枚の接合膜付き基材１の各接合膜３１、３２に対して、それぞれエネルギーを付与する。各接合膜３１、３２にエネルギーが付与されると、各接合膜３１、３２では、図３に示す脱離基３０３が接合膜３から脱離する。そして、脱離基３０３が脱離した後には、図４に示すように、各接合膜３１、３２の表面３５付近に活性手３０４が生じ、各接合膜３１、３２が活性化される。これにより、各接合膜３１、３２にそれぞれ接着性が発現する。

このような状態の２枚の接合膜付き基材１は、それぞれ互いに接着可能なものとなる。
なお、エネルギー付与方法としては、前記第１実施形態と同様の方法を用いることができる。
ここで、接合膜３が「活性化された」状態とは、前記第１実施形態で説明したように、接合膜３の表面３５および内部の脱離基３０３が脱離して、金属原子および酸素原子の少なくとも一方が終端化していない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態の他、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、接合膜３が「活性化された」状態と言うこととする。
したがって、本明細書中では、活性手３０４とは、図４に示すように、未結合手（ダングリングボンド）、または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。

［３］次に、図８（ｃ）に示すように、接着性が発現した各接合膜３同士が密着するように、２枚の接合膜付き基材１同士を貼り合わせ、接合体５ａを得る。
ここで、本工程において、２枚の接合膜付き基材１同士を接合するが、この接合は、以下のような２つのメカニズム（ｉ）、（ii）の双方または一方に基づくものであると推察される。

（ｉ） 例えば、各接合膜３１、３２の表面３５１、３５２に水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、各接合膜３１、３２同士が密着するように、２枚の接合膜付き基材１同士を貼り合わせたとき、各接合膜付き基材１の接合膜３１、３２の表面３５１、３５２に存在する水酸基同士が、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、２枚の接合膜付き基材１同士が接合されると推察される。
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、２枚の接合膜付き基材１同士の間では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、２枚の接合膜付き基材１同士がより強固に接合されると推察される。

（ii） ２枚の接合膜付き基材１同士を貼り合わせると、各接合膜３１、３２の表面３５１、３５２付近に生じた終端化されていない結合手（未結合手）同士が再結合する。この再結合は、互いに重なり合う（絡み合う）ように複雑に生じることから、接合界面にネットワーク状の結合が形成される。これにより、各接合膜３１、３２を構成する金属原子および酸素原子いずれか一方同士が互いに直接接合することにより、各接合膜３１、３２同士が一体化する。

以上のような（ｉ）または（ii）のメカニズムにより、図８（ｄ）に示すような接合体５ａが得られる。
なお、接合体５ａを得た後、この接合体５ａに対して、必要に応じ、前記第１実施形態の工程［４Ａ］、［４Ｂ］および［４Ｃ］のうちの少なくとも１つの工程を行うようにしてもよい。

例えば、図９（ｅ）に示すように、接合体５ａを加圧しつつ、加熱することにより、接合体５ａの各基板２１、２２同士がより近接する。これにより、各接合膜３１、３２の界面における水酸基の脱水縮合や未結合手同士の再結合が促進される。そして、各接合膜３１、３２同士の一体化がより進行する。その結果、図９（ｆ）に示すように、ほぼ完全に一体化された接合膜３０を有する接合体５ａ’が得られる。

＜第４実施形態＞
次に、本発明の接合膜付き基材、この接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法（本発明の接合方法）、および本発明の接合膜付き基材を備える接合体の各第４実施形態について説明する。
図１０は、本発明の接合膜付き基材を用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法の第４実施形態を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図１０中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、第４実施形態にかかる接合方法について説明するが、前記第１実施形態ないし前記第３実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態にかかる接合方法は、接合膜３の一部の所定領域３５０のみを選択的に活性化させることにより、接合膜付き基材１と対向基板４とを、前記所定領域３５０において部分的に接合するようにした以外は、前記第１実施形態と同様である。

すなわち、本実施形態にかかる接合方法は、本発明の接合膜付き基材１を用意する工程と、接合膜付き基材１の接合膜３に対して、一部の所定領域３５０に対して選択的にエネルギーを付与して、前記所定領域３５０を選択的に活性化させる工程と、対向基板（他の被着体）４を用意し、接合膜付き基材１が備える接合膜３と対向基板４とが密着するように、これらを貼り合わせ、接合膜付き基材１と対向基板４とが前記所定領域３５０において部分的に接合されてなる接合体５ｂを得る工程とを有する。

以下、本実施形態にかかる接合方法の各工程について順次説明する。
［１］まず、接合膜付き基材１（本発明の接合膜付き基材）を用意する（図１０（ａ）参照）。
［２］次に、図１０（ｂ）に示すように、接合膜付き基材１の接合膜３の表面３５のうち、一部の所定領域３５０に対して選択的にエネルギーを付与する。

エネルギーが付与されると、接合膜３では、所定領域３５０において、図３に示す脱離基３０３が接合膜３から脱離する。そして、脱離基３０３が脱離した後には、所定領域３５０において、図４に示すように、接合膜３の表面３５付近に活性手３０４が生じ、接合膜３が活性化される。これにより、接合膜３の所定領域３５０に、対向基板４との接着性が発現し、一方、接合膜３の所定領域３５０以外の領域には、該接着性は全く発現しないか、発現したとしてもほとんど発現しない。

このような状態の接合膜付き基材１は、所定領域３５０において、対向基板４と部分的に接着可能なものとなる。
ここで、接合膜３に付与するエネルギーは、いかなる方法で付与されてもよいが、例えば、前記第１実施形態で挙げたような方法で付与される。
また、本実施形態では、接合膜３にエネルギーを付与する方法として、特に、接合膜３にエネルギー線を照射する方法を用いるのが好ましい。この方法は、接合膜３に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギー付与方法として好適である。

また、本実施形態では、エネルギー線として、特に、レーザ光、電子線のような指向性の高いエネルギー線を用いるのが好ましい。かかるエネルギー線であれば、目的の方向に向けて照射することにより、所定領域に対してエネルギー線を選択的にかつ簡単に照射することができる。
また、指向性の低いエネルギー線であっても、接合膜３の表面３５のうち、エネルギー線を照射すべき所定領域３５０以外の領域を覆うように（隠すように）して照射すれば、所定領域３５０に対してエネルギー線を選択的に照射することができる。
具体的には、図１０（ｂ）に示すように、接合膜３の表面３５の上方に、エネルギー線を照射すべき所定領域３５０の形状に対応する形状をなす窓部６１を有するマスク６を設け、このマスク６を介してエネルギー線を照射すればよい。このようにすれば、所定領域３５０に対して、エネルギー線を選択的に照射することが容易に行える。

［３］次に、図１０（ｃ）に示すように、対向基板（他の被着体）４を用意する。そして、所定領域３５０を選択的に活性化させた接合膜３と対向基板４とが密着するように、接合膜付き基材１と対向基板４とを貼り合わせる。これにより、図１０（ｄ）に示す接合体５ｂを得る。
このようにして得られた接合体５ｂは、基板２と対向基板４の対向面全体を接合するのではなく、一部の領域（所定領域３５０）のみを部分的に接合してなるものである。そして、この接合の際、接合膜３に対してエネルギーを付与する領域を制御することのみで、接合される領域を簡単に選択することができる。これにより、例えば、接合膜付き基材１の接合膜３を活性化させる領域（本実施形態では、所定領域３５０）の面積を制御することにより、接合体５ｂの接合強度を容易に調整することができる。その結果、例えば、接合した箇所を容易に分離することができる接合体５ｂが得られる。

また、図１０（ｄ）に示す接合膜付き基材１と対向基板４との接合部（所定領域３５０）の面積や形状を適宜制御することにより、接合部に生じる応力の局所集中を緩和することができる。これにより、例えば、基板２と対向基板４との間で熱膨張率の差が大きい場合でも、接合膜付き基材１と対向基板４とを確実に接合することができる。
さらに、接合体５ｂでは、接合膜付き基材１と対向基板４との間隙のうち、接合している所定領域３５０以外の領域では、わずかな間隙が生じている（残存している）。したがって、この所定領域３５０の形状を適宜調整することにより、接合膜付き基材１と対向基板４との間に、閉空間や流路等を容易に形成することができる。

なお、前述したように、接合膜付き基材１と対向基板４との接合部（所定領域３５０）の面積を制御することにより、接合体５ｂの接合強度を調整可能であると同時に、接合体５ｂを分離する際の強度（割裂強度）を調整可能である。
かかる観点から、容易に分離可能な接合体５ｂを作製する場合には、接合体５ｂの接合強度は、人の手で容易に分離可能な程度の大きさであるのが好ましい。これにより、接合体５ｂを分離する際、装置等を用いることなく、簡単に行うことができる。

以上のようにして接合体５ｂを得ることができる。
なお、接合体５ｂを得た後、この接合体５ｂに対して、必要に応じ、前記第１実施形態の工程［４Ａ］、［４Ｂ］および［４Ｃ］のうちの少なくとも１つの工程を行うようにしてもよい。
このとき、接合体５ｂの接合膜３と対向基板４との界面のうち、所定領域３５０以外の領域（非接合領域）では、わずかな間隙が生じている（残存している）。したがって、接合体５ｂを加圧しつつ、加熱する際には、この所定領域３５０以外の領域において、接合膜３と対向基板４とが接合されないような条件で行うようにするのが好ましい。
また、上記のことを考慮して、前記第１実施形態の工程［４Ａ］、［４Ｂ］および［４Ｃ］のうちの少なくとも１つの工程を行う場合、これらの工程を、所定領域３５０に対して選択的に行うのが好ましい。これにより、所定領域３５０以外の領域において、接合膜３と対向基板４とが接合されるのを防止することができる。

＜第５実施形態＞
次に、本発明の接合膜付き基材、この接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法（本発明の接合方法）、および本発明の接合膜付き基材を備える接合体の各第５実施形態について説明する。
図１１は、本発明の接合膜付き基材を用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法の第５実施形態を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図１１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、第５実施形態にかかる接合方法について説明するが、前記第１実施形態ないし前記第４実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態にかかる接合方法は、基板２の上面２５のうち、一部の所定領域３５０のみに選択的に接合膜３ａを形成することにより、接合膜付き基材１と対向基板４とを、前記所定領域３５０において部分的に接合するようにした以外は、前記第１実施形態と同様である。

すなわち、本実施形態にかかる接合方法は、基板２と、基板２上の一部の所定領域３５０のみに形成された接合膜３ａとを有する接合膜付き基材１を用意する工程と、接合膜付き基材１の接合膜３ａに対してエネルギーを付与して、接合膜３ａを活性化させる工程と、対向基板（他の被着体）４を用意し、接合膜付き基材１が備える接合膜３ａと対向基板４とが密着するように、これらを貼り合わせ、接合膜付き基材１と対向基板４とが接合膜３ａを介して接合されてなる接合体５ｃを得る工程とを有する。

以下、本実施形態にかかる接合方法の各工程について順次説明する。
［１］まず、図１１（ａ）に示すように、基板２の上面２５の上方に、所定領域３５０の形状に対応する形状をなす窓部６１を有するマスク６を設ける。
次に、マスク６を介して、基板２の上面２５に接合膜３ａを成膜する。例えば、図１１（ａ）に示すように、マスク６を介してプラズマ重合法により接合膜３ａを成膜する場合、プラズマ重合法によって生成された重合物は、基板２の上面２５上に堆積するが、このときマスク６を介することにより、所定領域３５０にのみ重合物が堆積する。その結果、基板２の上面２５の一部の所定領域３５０に接合膜３ａが形成される。

［２］次に、図１１（ｂ）に示すように、接合膜３ａにエネルギーを付与する。これにより、接合膜付き基材１では、接合膜３ａに、対向基板４との接着性が発現する。
なお、本工程でエネルギーを付与する際には、接合膜３ａに選択的にエネルギーを付与してもよいが、接合膜３ａを含む基板２の上面２５全体にエネルギーを付与するようにしてもよい。
また、接合膜３ａに付与するエネルギーは、いかなる方法で付与されてもよいが、例えば、前記第１実施形態で挙げたような方法で付与される。

［３］次に、図１１（ｃ）に示すように、対向基板（他の被着体）４を用意する。そして、接合膜３ａと対向基板４とを密着するように、接合膜付き基材１と対向基板４とを貼り合わせる。これにより、図１１（ｄ）に示す接合体５ｃを得る。
このようにして得られた接合体５ｃは、基板２と対向基板４の対向面全体を接合するのではなく、一部の領域（所定領域３５０）のみを部分的に接合してなるものである。そして、接合膜３ａを形成する際、形成領域を制御することのみで、接合される領域を簡単に選択することができる。これにより、例えば、接合膜３ａを形成する領域（所定領域３５０）の面積を制御することにより、接合体５ｃの接合強度を容易に調整することができる。その結果、例えば、接合した箇所を容易に分離することができる接合体５ｃが得られる。

また、図１１（ｄ）に示す接合膜付き基材１と対向基板４との接合部（所定領域３５０）の面積や形状を適宜制御することにより、接合部に生じる応力の局所集中を緩和することができる。これにより、例えば、基板２と対向基板４との間で熱膨張率差が大きい場合でも、接合膜付き基材１と対向基板４とを確実に接合することができる。
さらに、接合体５ｃの基板２と対向基板４との間には、所定領域３５０以外の領域に、接合膜３ａの厚さに相当する離間距離の間隙３ｃが形成されている（図１１（ｄ）参照）。したがって、所定領域３５０の形状や接合膜３ａの厚さを適宜調整することにより、基板２と対向基板４との間に、所望の形状の閉空間や流路等を容易に形成することができる。
以上のようにして接合体５ｃを得ることができる。
なお、接合体５ｃを得た後、この接合体５ｃに対して、必要に応じ、前記第１実施形態の工程［４Ａ］、［４Ｂ］および［４Ｃ］のうちの少なくとも１つの工程を行うようにしてもよい。

＜第６実施形態＞
次に、本発明の接合膜付き基材、この接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法（本発明の接合方法）、および本発明の接合膜付き基材を備える接合体の各第６実施形態について説明する。
図１２は、本発明の接合膜付き基材を用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法の第６実施形態を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図１２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、第６実施形態にかかる接合方法について説明するが、前記第１実施形態ないし前記第５実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態にかかる接合方法は、２枚の接合膜付き基材１を用意し、そのうち一方の接合膜付き基材１において、接合膜３の一部の所定領域３５０のみを選択的に活性化させた後、２枚の接合膜付き基材１の各接合膜３１、３２同士が接触するように、これらを重ね合わせることにより、２枚の接合膜付き基材１同士を前記所定領域３５０において接合するようにした以外は、前記第１実施形態と同様である。

すなわち、本実施形態にかかる接合方法は、本発明の接合膜付き基材１を２枚用意する工程と、それぞれの接合膜付き基材１の接合膜３１、３２に対して、それぞれ異なる領域にエネルギーを付与して、その領域を活性化させる工程と、２枚の接合膜付き基材１同士を貼り合わせ、２枚の接合膜付き基材１同士が、前記所定領域３５０において部分的に接合されてなる接合体５ｄを得る工程とを有する。

以下、本実施形態にかかる接合方法の各工程について順次説明する。
［１］まず、前記第１実施形態と同様にして、２枚の接合膜付き基材１を用意する（図１２（ａ）参照）。なお、本実施形態では、この２枚の接合膜付き基材１として、図１２（ａ）に示すように、基板２１とこの基板２１上に設けられた接合膜３１とを有する接合膜付き基材１と、基板２２とこの基板２２上に設けられた接合膜３２とを有する接合膜付き基材１とを用いるものとする。

［２］次に、図１２（ｂ）に示すように、２枚の接合膜付き基材１のうち、一方の接合膜付き基材１の接合膜３１の表面３５１には、全面にエネルギーを付与する。これにより、接合膜３１の表面３５１の全面に接着性が発現する。
一方、２枚の接合膜付き基材１のうち、他方の接合膜付き基材１の接合膜３２の表面３５２には、一部の所定領域３５０に対して選択的にエネルギーを付与する。所定領域３５０に対して選択的にエネルギーを付与する方法としては、例えば、前記第４実施形態と同様の方法を用いることができる。

各接合膜３１、３２にそれぞれエネルギーが付与されると、図３に示す脱離基３０３が各接合膜３１、３２から脱離する。そして、脱離基３０３が脱離した後には、図４に示すように、各接合膜３１、３２の表面３５付近に活性手３０４が生じ、各接合膜３１、３２が活性化される。これにより、接合膜３１の表面３５１の全面と、接合膜３２の表面３５２の所定領域３５０とに、それぞれ接着性が発現する。また、その一方、接合膜３２の所定領域３５０以外の領域には、該接着性はほとんど発現しない。
このような状態の２枚の接合膜付き基材１は、所定領域３５０において部分的に接着可能なものとなる。

［３］次に、図１２（ｃ）に示すように、接着性が発現した各接合膜３１、３２同士が密着するように、２枚の接合膜付き基材１同士を貼り合わせる。これにより、図１２（ｄ）に示す接合体５ｄを得る。
このようにして得られた接合体５ｄは、２枚の接合膜付き基材１同士を対向面全体で接合するのではなく、一部の領域（所定領域３５０）のみを部分的に接合してなるものである。そして、この接合の際、接合膜３２に対してエネルギーを付与する領域を制御することのみで、接合される領域を簡単に選択することができる。これにより、例えば、接合体５ｄの接合強度を容易に調整することができる。

以上のようにして接合体５ｄを得ることができる。
なお、接合体５ｃを得た後、この接合体５ｃに対して、必要に応じ、前記第１実施形態の工程［４Ａ］、［４Ｂ］および［４Ｃ］のうちの少なくとも１つの工程を行うようにしてもよい。
例えば、接合体５ｃを加圧しつつ、加熱することにより、接合体５ｃの各基板２１、２２同士がより近接する。これにより、各接合膜３１、３２の界面における水酸基の脱水縮合や未結合手同士の再結合が促進される。そして、所定領域３５０に形成された接合部において、一体化がより進行し、最終的には、ほぼ完全に一体化される。

なお、このとき、接合膜３１の表面３５１と接合膜３２の表面３５２との界面のうち、所定領域３５０以外の領域（非接合領域）では、各表面３５１、３５２間にわずかな間隙が生じている（残存している）。したがって、接合体５ｃを加圧しつつ、加熱する際には、この所定領域３５０以外の領域において、各接合膜３１、３２が接合されないような条件で行うようにするのが好ましい。
また、上記のことを考慮して、前記第１実施形態の工程［４Ａ］、［４Ｂ］および［４Ｃ］のうちの少なくとも１つの工程を行う場合、これらの工程を、所定領域３５０に対して選択的に行うのが好ましい。これにより、所定領域３５０以外の領域において、各接合膜３１、３２が接合されるのを防止することができる。

＜第７実施形態＞
次に、本発明の接合膜付き基材、この接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法（本発明の接合方法）、および本発明の接合膜付き基材を備える接合体の各第７実施形態について説明する。
図１３は、本発明の接合膜付き基材を用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法の第７実施形態を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図１３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、第７実施形態にかかる接合方法について説明するが、前記第１実施形態ないし前記第６実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態にかかる接合方法は、各基板２１、２２の上面２５１、２５２のうち、それぞれ一部の所定領域３５０にのみに選択的に接合膜３ａを形成することにより、２枚の接合膜付き基材１を用意し、これらを各接合膜３ａを介して部分的に接合するようにした以外は、前記第１実施形態と同様である。

すなわち、本実施形態にかかる接合方法は、各基板２１、２２と、この基板２１、２２の各所定領域３５０にそれぞれ接合膜３ａ、３ｂとを有する２枚の接合膜付き基材１を用意する工程と、各接合膜付き基材１の各接合膜３ａ、３ｂに対してエネルギーを付与して、各接合膜３ａ、３ｂを活性化させる工程と、２枚の接合膜付き基材１同士を貼り合わせ、２枚の接合膜付き基材１同士が、前記所定領域３５０において部分的に接合されてなる接合体５ｅを得る工程とを有する。

以下、本実施形態にかかる接合方法の各工程について順次説明する。
［１］まず、図１３（ａ）に示すように、各基板２１、２２の上方に、所定領域３５０の形状に対応する形状をなす窓部６１を有するマスク６をそれぞれ設ける。
次に、マスク６を介して、各基板２１、２２の上面２５１、２５２に、それぞれ接合膜３ａ、３ｂを成膜する。例えば、図１３（ａ）に示すように、マスク６を介してＰＶＤ法（例えば、スパッタリング法）を用いて接合膜３ａ、３ｂを成膜すると、ターゲット２１６から叩き出された金属酸化物の粒子は、各基板２１、２２の上面２５１、２５２上に堆積するが、このときマスク６を介することにより、それぞれの所定領域３５０にのみ重合物が堆積する。その結果、各基板２１、２２の上面２５１、２５２の一部の所定領域３５０に、接合膜３ａ、３ｂがそれぞれ形成される。

［２］次に、図１３（ｂ）に示すように、各接合膜３ａ、３ｂにエネルギーを付与する。これにより、各接合膜付き基材１では、接合膜３ａ、３ｂに接着性が発現する。
なお、本工程でエネルギーを付与する際には、各接合膜３ａ、３ｂに選択的にエネルギーを付与してもよいが、各接合膜３ａ、３ｂを含む基板２１、２２の上面２５１、２５２の全体に、それぞれエネルギーを付与するようにしてもよい。
また、各接合膜３ａ、３ｂに付与するエネルギーは、いかなる方法で付与されてもよいが、例えば、前記第１実施形態で挙げたような方法で付与される。

［３］次に、図１３（ｃ）に示すように、接着性が発現した各接合膜３ａ、３ｂ同士が密着するように、２枚の接合膜付き基材１同士を貼り合わせる。これにより、図１３（ｄ）に示す接合体５ｅを得る。
このようにして得られた接合体５ｅは、２枚の接合膜付き基材１同士を対向面全体で接合するのではなく、一部の領域（所定領域３５０）のみを部分的に接合してなるものである。そして、この接合の際、接合膜３２に対してエネルギーを付与する領域を制御することのみで、接合される領域を簡単に選択することができる。これにより、例えば、接合体５ｅの接合強度を容易に調整することができる。
また、接合体５ｅの各基板２１、２２間には、所定領域３５０以外の領域に、接合膜３ａの厚さに相当する離間距離の間隙３ｃが形成されている（図１３（ｄ）参照）。したがって、所定領域３５０の形状や各接合膜３ａ、３ｂの厚さを適宜調整することにより、各基板２１、２２間に、所望の形状の閉空間や流路等を容易に形成することができる。

以上のようにして接合体５ｅを得ることができる。
なお、接合体５ｅを得た後、この接合体５ｅに対して、必要に応じ、前記第１実施形態の工程［４Ａ］、［４Ｂ］および［４Ｃ］のうちの少なくとも１つの工程を行うようにしてもよい。
例えば、接合体５ｅを加圧しつつ、加熱することにより、接合体５ｅの各基板２１、２２同士がより近接する。これにより、各接合膜３１、３２の界面における水酸基の脱水縮合や未結合手同士の再結合が促進される。そして、所定領域３５０に形成された接合部において、一体化がより進行し、最終的には、ほぼ完全に一体化される。

以上のような前記各実施形態にかかる接合方法は、種々の複数の部材同士を接合するのに用いることができる。
このような接合に供される部材としては、例えば、トランジスタ、ダイオード、メモリのような半導体素子、水晶発振子のような圧電素子、反射鏡、光学レンズ、回折格子、光学フィルターのような光学素子、太陽電池のような光電変換素子、半導体基板とそれに搭載される半導体素子、絶縁性基板と配線または電極、インクジェット式記録ヘッド、マイクロリアクタ、マイクロミラーのようなＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）部品、圧力センサ、加速度センサのようなセンサ部品、半導体素子や電子部品のパッケージ部品、磁気記録媒体、光磁気記録媒体、光記録媒体のような記録媒体、液晶表示素子、有機ＥＬ素子、電気泳動表示素子のような表示素子用部品、燃料電池用部品等が挙げられる。

＜液滴吐出ヘッド＞
ここでは、本発明の接合体をインクジェット式記録ヘッドに適用した場合の実施形態について説明する。
図１４は、本発明の接合体を適用して得られたインクジェット式記録ヘッド（液滴吐出ヘッド）を示す分解斜視図、図１５は、図１４に示すインクジェット式記録ヘッドの主要部の構成を示す断面図、図１６は、図１４に示すインクジェット式記録ヘッドを備えるインクジェットプリンタの実施形態を示す概略図である。なお、図１４は、通常使用される状態とは、上下逆に示されている。

図１４に示すインクジェット式記録ヘッド１０は、図１６に示すようなインクジェットプリンタ（本発明の液滴吐出装置）９に搭載されている。
図１６に示すインクジェットプリンタ９は、装置本体９２を備えており、上部後方に記録用紙Ｐを設置するトレイ９２１と、下部前方に記録用紙Ｐを排出する排紙口９２２と、上部面に操作パネル９７とが設けられている。

操作パネル９７は、例えば、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、ＬＥＤランプ等で構成され、エラーメッセージ等を表示する表示部（図示せず）と、各種スイッチ等で構成される操作部（図示せず）とを備えている。
また、装置本体９２の内部には、主に、往復動するヘッドユニット９３を備える印刷装置（印刷手段）９４と、記録用紙Ｐを１枚ずつ印刷装置９４に送り込む給紙装置（給紙手段）９５と、印刷装置９４および給紙装置９５を制御する制御部（制御手段）９６とを有している。

制御部９６の制御により、給紙装置９５は、記録用紙Ｐを一枚ずつ間欠送りする。この記録用紙Ｐは、ヘッドユニット９３の下部近傍を通過する。このとき、ヘッドユニット９３が記録用紙Ｐの送り方向とほぼ直交する方向に往復移動して、記録用紙Ｐへの印刷が行なわれる。すなわち、ヘッドユニット９３の往復動と記録用紙Ｐの間欠送りとが、印刷における主走査および副走査となって、インクジェット方式の印刷が行なわれる。

印刷装置９４は、ヘッドユニット９３と、ヘッドユニット９３の駆動源となるキャリッジモータ９４１と、キャリッジモータ９４１の回転を受けて、ヘッドユニット９３を往復動させる往復動機構９４２とを備えている。
ヘッドユニット９３は、その下部に、多数のノズル孔１１１を備えるインクジェット式記録ヘッド１０（以下、単に「ヘッド１０」と言う。）と、ヘッド１０にインクを供給するインクカートリッジ９３１と、ヘッド１０およびインクカートリッジ９３１を搭載したキャリッジ９３２とを有している。
なお、インクカートリッジ９３１として、イエロー、シアン、マゼンタ、ブラック（黒）の４色のインクを充填したものを用いることにより、フルカラー印刷が可能となる。

往復動機構９４２は、その両端をフレーム（図示せず）に支持されたキャリッジガイド軸９４３と、キャリッジガイド軸９４３と平行に延在するタイミングベルト９４４とを有している。
キャリッジ９３２は、キャリッジガイド軸９４３に往復動自在に支持されるとともに、タイミングベルト９４４の一部に固定されている。

キャリッジモータ９４１の作動により、プーリを介してタイミングベルト９４４を正逆走行させると、キャリッジガイド軸９４３に案内されて、ヘッドユニット９３が往復動する。そして、この往復動の際に、ヘッド１０から適宜インクが吐出され、記録用紙Ｐへの印刷が行われる。
給紙装置９５は、その駆動源となる給紙モータ９５１と、給紙モータ９５１の作動により回転する給紙ローラ９５２とを有している。

給紙ローラ９５２は、記録用紙Ｐの送り経路（記録用紙Ｐ）を挟んで上下に対向する従動ローラ９５２ａと駆動ローラ９５２ｂとで構成され、駆動ローラ９５２ｂは給紙モータ９５１に連結されている。これにより、給紙ローラ９５２は、トレイ９２１に設置した多数枚の記録用紙Ｐを、印刷装置９４に向かって１枚ずつ送り込めるようになっている。なお、トレイ９２１に代えて、記録用紙Ｐを収容する給紙カセットを着脱自在に装着し得るような構成であってもよい。

制御部９６は、例えばパーソナルコンピュータやディジタルカメラ等のホストコンピュータから入力された印刷データに基づいて、印刷装置９４や給紙装置９５等を制御することにより印刷を行うものである。
制御部９６は、いずれも図示しないが、主に、各部を制御する制御プログラム等を記憶するメモリ、圧電素子（振動源）１４を駆動して、インクの吐出タイミングを制御する圧電素子駆動回路、印刷装置９４（キャリッジモータ９４１）を駆動する駆動回路、給紙装置９５（給紙モータ９５１）を駆動する駆動回路、および、ホストコンピュータからの印刷データを入手する通信回路と、これらに電気的に接続され、各部での各種制御を行うＣＰＵとを備えている。

また、ＣＰＵには、例えば、インクカートリッジ９３１のインク残量、ヘッドユニット９３の位置等を検出可能な各種センサ等が、それぞれ電気的に接続されている。
制御部９６は、通信回路を介して、印刷データを入手してメモリに格納する。ＣＰＵは、この印刷データを処理して、この処理データおよび各種センサからの入力データに基づいて、各駆動回路に駆動信号を出力する。この駆動信号により圧電素子１４、印刷装置９４および給紙装置９５は、それぞれ作動する。これにより、記録用紙Ｐに印刷が行われる。

以下、ヘッド１０について、図１４および図１５を参照しつつ詳述する。
ヘッド１０は、ノズル板１１と、インク室基板１２と、振動板１３と、振動板１３に接合された圧電素子（振動源）１４とを備えるヘッド本体１７と、このヘッド本体１７を収納する基体１６とを有している。なお、このヘッド１０は、オンデマンド形のピエゾジェット式ヘッドを構成する。

ノズル板１１は、例えば、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、石英ガラスのようなシリコン系材料、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕまたはこれらを含む合金のような金属系材料、アルミナ、酸化鉄のような酸化物系材料、カーボンブラック、グラファイトのような炭素系材料等で構成されている。
このノズル板１１には、インク滴を吐出するための多数のノズル孔１１１が形成されている。これらのノズル孔１１１間のピッチは、印刷精度に応じて適宜設定される。

ノズル板１１には、インク室基板１２が固着（固定）されている。
このインク室基板１２は、ノズル板１１、側壁（隔壁）１２２および後述する振動板１３により、複数のインク室（キャビティ、圧力室）１２１と、インクカートリッジ９３１から供給されるインクを貯留するリザーバ室１２３と、リザーバ室１２３から各インク室１２１に、それぞれインクを供給する供給口１２４とが区画形成されている。

各インク室１２１は、それぞれ短冊状（直方体状）に形成され、各ノズル孔１１１に対応して配設されている。各インク室１２１は、後述する振動板１３の振動により容積可変であり、この容積変化により、インクを吐出するよう構成されている。
インク室基板１２を得るための母材としては、例えば、シリコン単結晶基板、各種ガラス基板、各種樹脂基板等を用いることができる。これらの基板は、いずれも汎用的な基板であるので、これらの基板を用いることにより、ヘッド１０の製造コストを低減することができる。

一方、インク室基板１２のノズル板１１と反対側には、振動板１３が接合され、さらに振動板１３のインク室基板１２と反対側には、複数の圧電素子１４が設けられている。
また、振動板１３の所定位置には、振動板１３の厚さ方向に貫通して連通孔１３１が形成されている。この連通孔１３１を介して、前述したインクカートリッジ９３１からリザーバ室１２３に、インクが供給可能となっている。

各圧電素子１４は、それぞれ、下部電極１４２と上部電極１４１との間に圧電体層１４３を介挿してなり、各インク室１２１のほぼ中央部に対応して配設されている。各圧電素子１４は、圧電素子駆動回路に電気的に接続され、圧電素子駆動回路の信号に基づいて作動（振動、変形）するよう構成されている。
各圧電素子１４は、それぞれ、振動源として機能し、振動板１３は、圧電素子１４の振動により振動し、インク室１２１の内部圧力を瞬間的に高めるよう機能する。

基体１６は、例えば各種樹脂材料、各種金属材料等で構成されており、この基体１６にノズル板１１が固定、支持されている。すなわち、基体１６が備える凹部１６１に、ヘッド本体１７を収納した状態で、凹部１６１の外周部に形成された段差１６２によりノズル板１１の縁部を支持する。
以上のような、ノズル板１１とインク室基板１２との接合、インク室基板１２と振動板１３との接合、およびノズル板１１と基体１６とを接合する際に、少なくとも１箇所において本発明の接合方法が適用されている。

換言すれば、ノズル板１１とインク室基板１２との接合体、インク室基板１２と振動板１３との接合体、およびノズル板１１と基体１６との接合体のうち、少なくとも１箇所に本発明の接合体が適用されている。
このようなヘッド１０は、接合部の接合界面の接合強度および耐薬品性が高くなっており、これにより、各インク室１２１に貯留されたインクに対する耐久性および液密性が高くなっている。その結果、ヘッド１０は、信頼性の高いものとなる。

また、非常に低温で信頼性の高い接合ができるため、線膨張係数の異なる材料でも大面積のヘッドができる点でも有利である
このようなヘッド１０は、圧電素子駆動回路を介して所定の吐出信号が入力されていない状態、すなわち、圧電素子１４の下部電極１４２と上部電極１４１との間に電圧が印加されていない状態では、圧電体層１４３に変形が生じない。このため、振動板１３にも変形が生じず、インク室１２１には容積変化が生じない。したがって、ノズル孔１１１からインク滴は吐出されない。

一方、圧電素子駆動回路を介して所定の吐出信号が入力された状態、すなわち、圧電素子１４の下部電極１４２と上部電極１４１との間に一定電圧が印加された状態では、圧電体層１４３に変形が生じる。これにより、振動板１３が大きくたわみ、インク室１２１の容積変化が生じる。このとき、インク室１２１内の圧力が瞬間的に高まり、ノズル孔１１１からインク滴が吐出される。

１回のインクの吐出が終了すると、圧電素子駆動回路は、下部電極１４２と上部電極１４１との間への電圧の印加を停止する。これにより、圧電素子１４は、ほぼ元の形状に戻り、インク室１２１の容積が増大する。なお、このとき、インクには、インクカートリッジ９３１からノズル孔１１１へ向かう圧力（正方向への圧力）が作用している。このため、空気がノズル孔１１１からインク室１２１へ入り込むことが防止され、インクの吐出量に見合った量のインクがインクカートリッジ９３１（リザーバ室１２３）からインク室１２１へ供給される。

このようにして、ヘッド１０において、印刷させたい位置の圧電素子１４に、圧電素子駆動回路を介して吐出信号を順次入力することにより、任意の（所望の）文字や図形等を印刷することができる。
なお、ヘッド１０は、圧電素子１４の代わりに電気熱変換素子を有していてもよい。つまり、ヘッド１０は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用してインクを吐出する構成（いわゆる、「バブルジェット方式」（「バブルジェット」は登録商標））のものであってもよい。

かかる構成のヘッド１０において、ノズル板１１には、撥液性を付与することを目的に形成された被膜１１４が設けられている。これにより、ノズル孔１１１からインク滴が吐出される際に、このノズル孔１１１の周辺にインク滴が残存するのを確実に防止することができる。その結果、ノズル孔１１１から吐出されたインク滴を目的とする領域に確実に着弾させることができる。

＜配線基板＞
さらに、本発明の接合体を配線基板に適用した場合の実施形態について説明する。
図１７は、本発明の接合体を適用して得られた配線基板を示す分解斜視図である。
図１７に示す配線基板４１０は、絶縁基板４１３と、絶縁基板４１３上に配設された電極４１２と、リード４１４と、リード４１４の一端に、電極４１２と対向するように設けられた電極４１５とを有する。

そして、電極４１２の上面と、電極４１５の下面とには、それぞれ接合膜３が形成されている。これらの接合膜３同士は、前述の本発明の接合方法によって貼り合わせることにより接合されている。これにより、電極４１２、４１５間は、１層の接合膜３によって強固に接合されることになり、各電極４１２、４１５間の層間剥離等が確実に防止されるとともに、信頼性の高い配線基板４１０が得られる。

また、接合膜３は、接合膜３に含まれる金属酸化物として導電性を有するものを選択することにより、各電極４１２、４１５間を導通する機能をも担う。接合膜３は、非常に薄いものでも十分な接合力を発揮する。このため、各電極４１２、４１５間の間隙をより小さくすることができ、各電極４１２、４１５間の電気抵抗成分（接触抵抗）の低減を図ることができる。その結果、各電極４１２、４１５間の導電性をより高めることができる。

また、接合膜３は、前述したように、その厚さを高い精度で容易に制御することができる。これにより、配線基板４１０は、より寸法精度の高いものとなり、各電極４１２、４１５間の導電性も容易に制御することができる。
以上、本発明の接合膜付き基材、接合膜付き基材の製造方法、接合方法および接合体を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。

例えば、本発明の接合方法は、前記各実施形態のうち、任意の１つまたは２つ以上を組み合わせたものであってもよい。
また、本発明の接合方法では、必要に応じて、１以上の任意の目的の工程を追加してもよい。
また、前記各実施形態では、基板と対向基板の２枚の基材を接合する方法について説明しているが、３枚以上の基材を接合する場合に、本発明の接合膜付き基材および本発明の接合方法を用いるようにしてもよい。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．接合体の製造
（実施例１）
まず、基板として、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×平均厚さ１ｍｍの単結晶シリコン基板を用意し、対向基板として、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×平均厚さ１ｍｍのガラス基板を用意した。

次いで、単結晶シリコン基板を図５に示す成膜装置２００のチャンバー２１１内に収納し、酸素プラズマによる表面処理を行った。
次に、表面処理を行った面に、イオンビームスパッタリング法を用いて、金属酸化物膜として、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ膜を成膜した。なお、成膜条件は以下に示す通りである。

＜イオンビームスパッタリングの成膜条件＞
・ターゲット ：ＩＴＯ
・チャンバーの到達真空度 ：２×１０^−６Ｔｏｒｒ
・成膜時のチャンバー内の圧力 ：１×１０^−３Ｔｏｒｒ
・チャンバー内の温度 ：２０℃
・イオンビームの加速電圧 ：６００Ｖ
イオン発生室側のグリッドへの印加電圧 ：＋４００Ｖ
チャンバー側のグリッドへの印加電圧 ：−２００Ｖ
・イオンビーム電流 ：２００ｍＡ
・イオン発生室に供給するガス種 ：Ｋｒガス
・処理時間 ：２０分

次に、得られた金属酸化物膜に、以下に示す条件で熱処理を施して、金属酸化物膜（ＩＴＯ膜）の表面付近に水素原子を導入することにより接合膜を形成した。なお、熱処理の条件は以下に示す通りである。
＜熱処理の条件＞
・熱処理時のチャンバー内の圧力 ：１×１０^−３Ｔｏｒｒ
・水素ガスの流量 ：６０ｓｃｃｍ
・チャンバー内の温度 ：１５０℃
・処理時間 ：６０分

以上のようにして成膜された接合膜は、ＩＴＯ膜の表面付近に水素原子が導入されたもので構成されており、金属原子（インジウムおよびスズ）と、この金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基（水素原子）とを含むものである。
これにより、単結晶シリコン基板上に接合膜が形成された、本発明の接合膜付き基材を得た。

次に、得られた接合膜に以下に示す条件で紫外線を照射した。
＜紫外線照射条件＞
・雰囲気ガスの組成 ：大気（空気）
・雰囲気ガスの温度 ：２０℃
・雰囲気ガスの圧力 ：大気圧（１００ｋＰａ）
・紫外線の波長 ：１７２ｎｍ
・紫外線の照射時間 ：５分

一方、ガラス基板（対向基板）の片面に対して、酸素プラズマによる表面処理を行った。
次に、紫外線を照射してから１分後に、接合膜の紫外線を照射した面と、ガラス基板の表面処理を施した面とが接触するように、単結晶シリコン基板とガラス基板とを重ね合わせた。これにより、接合体を得た。
次に、得られた接合体を３ＭＰａで加圧しつつ、８０℃で加熱し、１５分間維持した。これにより、接合体の接合強度の向上を図った。

（実施例２）
接合体を加圧しつつ加熱する際の加熱温度を８０℃から２５℃に変更した以外は、前記実施例１と同様にして接合体を得た。
（実施例３〜１３）
基板の構成材料および対向基板の構成材料を、それぞれ表１に示す材料に変更した以外は、前記実施例１と同様にして接合体を得た。

（実施例１４）
まず、前記実施例１と同様にして、単結晶シリコン基板とガラス基板（基板および対向基板）を用意し、それぞれに酸素プラズマによる表面処理を行った。
次に、シリコン基板の表面処理を行った面に、前記実施例１と同様にして接合膜を成膜した。これにより、接合膜付き基材を得た。
次に、接合膜付き基材の接合膜と、ガラス基板の表面処理を行った面とが接触するように、接合膜付き基材とガラス基板とを重ね合わせた。

そして、重ね合わせた各基板に対して、以下に示す条件で紫外線を照射した。
＜紫外線照射条件＞
・雰囲気ガスの組成 ：大気（空気）
・雰囲気ガスの温度 ：２０℃
・雰囲気ガスの圧力 ：大気圧（１００ｋＰａ）
・紫外線の波長 ：１７２ｎｍ
・紫外線の照射時間 ：５分
これにより、各基板を接合し、接合体を得た。
続いて、得られた接合体を３ＭＰａで加圧しつつ、８０℃で加熱し、１５分間維持した。これにより、接合体の接合強度の向上を図った。

（実施例１５）
まず、基板として、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×平均厚さ１ｍｍの単結晶シリコン基板を用意し、対向基板として、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×平均厚さ１ｍｍのガラス基板を用意した。
次いで、これらの基板の双方を、それぞれ、図５に示す成膜装置２００のチャンバー２１１内に収納し、酸素プラズマによる表面処理を行った。

次に、各基板の表面処理を行った面に、イオンビームスパッタリング法を用いて、それぞれ、金属酸化物膜として、平均厚さ１００ｎｍのＡＴＯ膜を成膜した。なお、成膜条件は以下に示す通りである。
＜イオンビームスパッタリングの成膜条件＞
・ターゲット ：ＡＴＯ
・チャンバーの到達真空度 ：２×１０^−６Ｔｏｒｒ
・成膜時のチャンバー内の圧力 ：１×１０^−３Ｔｏｒｒ
・チャンバー内の温度 ：２０℃
・イオンビームの加速電圧 ：６００Ｖ
イオン発生室側のグリッドへの印加電圧 ：＋４００Ｖ
チャンバー側のグリッドへの印加電圧 ：−２００Ｖ
・イオンビーム電流 ：２００ｍＡ
・イオン発生室に供給するガス種 ：Ｋｒガス
・処理時間 ：２０分

次に、各基板上に得られた金属酸化物膜に、以下に示す条件で熱処理を施して、金属酸化物膜（ＩＴＯ膜）の表面付近に水素原子を導入することにより接合膜を形成した。なお、熱処理の条件は以下に示す通りである。
＜熱処理の条件＞
・熱処理時のチャンバー内の圧力 ：１×１０^−３Ｔｏｒｒ
・水素ガスの流量 ：６０ｓｃｃｍ
・チャンバー内の温度 ：１５０℃
・処理時間 ：６０分

次に、各基板上に得られた接合膜に以下に示す条件で紫外線を照射した。
＜紫外線照射条件＞
・雰囲気ガスの組成 ：大気（空気）
・雰囲気ガスの温度 ：２０℃
・雰囲気ガスの圧力 ：大気圧（１００ｋＰａ）
・紫外線の波長 ：１７２ｎｍ
・紫外線の照射時間 ：５分
続いて、紫外線を照射してから１分後に、紫外線を照射した面同士が接触するように、各基板を重ね合わせた。これにより、接合体を得た。
次に、得られた接合体を３ＭＰａで加圧しつつ、８０℃で加熱し、１５分間維持した。これにより、接合体の接合強度の向上を図った。

（実施例１６）
接合体を加圧しつつ加熱する際の加熱温度を８０℃から２５℃に変更した以外は、前記実施例１５と同様にして接合体を得た。
（実施例１７〜２７）
基板の構成材料および対向基板の構成材料を、それぞれ表１に示す材料に変更した以外は、前記実施例１５と同様にして接合体を得た。

（実施例２８）
まず、前記実施例１５と同様にして、単結晶シリコン基板とガラス基板（基板および対向基板）を用意し、それぞれに酸素プラズマによる表面処理を行った。
次に、シリコン基板とガラス基板の表面処理を行った面に、前記実施例１５と同様にして、それぞれ接合膜を成膜した。これにより、２枚の接合膜付き基材を得た。
次に、接合膜同士が接触するように、２枚の接合膜付き基材を重ね合わせ、積層体を得た。

そして、積層体のガラス基板側から、以下に示す条件で紫外線を照射した。
＜紫外線照射条件＞
・雰囲気ガスの組成 ：大気（空気）
・雰囲気ガスの温度 ：２０℃
・雰囲気ガスの圧力 ：大気圧（１００ｋＰａ）
・紫外線の波長 ：１７２ｎｍ
・紫外線の照射時間 ：５分
これにより、各基板を接合し、接合体を得た。
続いて、得られた接合体を３ＭＰａで加圧しつつ、８０℃で加熱し、１５分間維持した。これにより、接合体の接合強度の向上を図った。

（実施例２９）
まず、基板として、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×平均厚さ１ｍｍの単結晶シリコン基板を用意し、対向基板として、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×平均厚さ１ｍｍのガラス基板を用意した。
次いで、単結晶シリコン基板とガラス基板の双方を、図５に示す成膜装置２００のチャンバー２１１内に収納し、酸素プラズマによる表面処理を行った。
次に、単結晶シリコン基板およびガラス基板の表面処理を行った面に、イオンビームスパッタリング法を用いて、金属酸化物膜として、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ膜を成膜した。なお、成膜条件は以下に示す通りである。

＜イオンビームスパッタリングの成膜条件＞
・ターゲット ：ＩＴＯ
・チャンバーの到達真空度 ：２×１０^−６Ｔｏｒｒ
・成膜時のチャンバー内の圧力 ：１×１０^−３Ｔｏｒｒ
・チャンバー内の温度 ：２０℃
・イオンビームの加速電圧 ：６００Ｖ
イオン発生室側のグリッドへの印加電圧 ：＋４００Ｖ
チャンバー側のグリッドへの印加電圧 ：−２００Ｖ
・イオンビーム電流 ：２００ｍＡ
・イオン発生室に供給するガス種 ：Ｋｒガス
・処理時間 ：２０分

次に、各基板上に得られた金属酸化物膜に、以下に示す条件で熱処理を施して、金属酸化物膜（ＩＴＯ膜）の表面付近に水素原子を導入することにより接合膜を形成した。なお、熱処理の条件は以下に示す通りである。
＜熱処理の条件＞
・熱処理時のチャンバー内の圧力 ：１×１０^−３Ｔｏｒｒ
・水素ガスの流量 ：６０ｓｃｃｍ
・チャンバー内の温度 ：１５０℃
・処理時間 ：６０分

次に、各基板上に得られた接合膜に、それぞれ以下に示す条件で紫外線を照射した。なお、紫外線を照射した領域は、単結晶シリコン基板に形成した接合膜の表面全体と、ガラス基板に形成した接合膜の表面のうち、周縁部の幅３ｍｍの枠状の領域とした。
＜紫外線照射条件＞
・雰囲気ガスの組成 ：大気（空気）
・雰囲気ガスの温度 ：２０℃
・雰囲気ガスの圧力 ：大気圧（１００ｋＰａ）
・紫外線の波長 ：１７２ｎｍ
・紫外線の照射時間 ：５分
次に、接合膜の紫外線を照射した面同士が接触するように、単結晶シリコン基板とガラス基板とを重ね合わせた。これにより、接合体を得た。
次に、得られた接合体を３ＭＰａで加圧しつつ、８０℃で加熱し、１５分間維持した。これにより、接合体の接合強度の向上を図った。

（実施例３０）
加熱の温度を８０℃から２５℃に変更した以外は、前記実施例２９と同様にして接合体を得た。
（実施例３１、３５〜３７、３９、４０）
基板の構成材料および対向基板の構成材料を、それぞれ表２に示す材料に変更した以外は、前記実施例２９と同様にして接合体を得た。

（実施例３２）
まず、基板として、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×平均厚さ１ｍｍの単結晶シリコン基板を用意し、対向基板として、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×平均厚さ１ｍｍのステンレス鋼基板を用意した。
次いで、シリコン基板を、図５に示す成膜装置２００のチャンバー２１１内に収納し、酸素プラズマによる表面処理を行った。

次に、表面処理を行った面に、ＩＴＯ膜の表面付近に水素原子が導入された接合膜（平均厚さ１００ｎｍ）を成膜した。なお、成膜条件は、前記実施例２９と同様である。
次に、前記実施例２９と同様にして、接合膜に紫外線を照射した。なお、紫外線を照射した領域は、シリコン基板に形成した接合膜の表面のうち、周縁部の幅３ｍｍの枠状の領域とした。

次に、ステンレス鋼基板にも、シリコン基板と同様にして、酸素プラズマによる表面処理を行った。
次に、接合膜の紫外線を照射した面と、ステンレス鋼基板の表面処理を行った面とが接触するように、シリコン基板とステンレス鋼基板とを重ね合わせた。これにより、接合体を得た。
次に、得られた接合体を３ＭＰａで加圧しつつ、８０℃で加熱し、１５分間維持した。これにより、接合体の接合強度の向上を図った。

（実施例３３）
加熱の温度を８０℃から２５℃に変更した以外は、前記実施例３２と同様にして接合体を得た。
（実施例３４、３８、４１）
基板の構成材料および対向基板の構成材料を、それぞれ表２に示す材料に変更した以外は、前記実施例３２と同様にして接合体を得た。

（比較例１〜３）
基板の構成材料および対向基板の構成材料を、それぞれ表１に示す材料とし、各基材間をエポキシ系接着剤で接着した以外は、前記実施例１と同様にして、接合体を得た。
（比較例４〜６）
基板の構成材料および対向基板の構成材料を、それぞれ表１に示す材料とし、各基材間をＡｇペーストで接着した以外は、前記実施例１と同様にして、接合体を得た。
（比較例７〜９）
基板の構成材料および対向基板の構成材料を、それぞれ表２に示す材料とし、各基材間を、周縁部の幅３ｍｍの枠状の領域において、エポキシ系接着剤で部分的に接着した以外は、前記実施例１と同様にして、接合体を得た。

２．接合体の評価
２．１ 接合強度（割裂強度）の評価
各実施例１〜２８および各比較例１〜６で得られた接合体について、それぞれ接合強度を測定した。
接合強度の測定は、各基材を引き剥がしたとき、剥がれる直前の強度を測定することにより行った。そして、接合強度を以下の基準にしたがって評価した。

＜接合強度の評価基準＞
◎：１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ^２）以上
○： ５ＭＰａ（ ５０ｋｇｆ／ｃｍ^２）以上、１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ^２）未満
△： １ＭＰａ（ １０ｋｇｆ／ｃｍ^２）以上、 ５ＭＰａ（ ５０ｋｇｆ／ｃｍ^２）未満
×： １ＭＰａ（ １０ｋｇｆ／ｃｍ^２）未満

２．２ 寸法精度の評価
各実施例および各比較例で得られた接合体について、それぞれ厚さ方向の寸法精度を測定した。
寸法精度の測定は、正方形の接合体の各角部の厚さを測定し、４箇所の厚さの最大値と最小値の差を算出することにより行った。そして、この差を以下の基準にしたがって評価した。
＜寸法精度の評価基準＞
○：１０μｍ未満
×：１０μｍ以上

２．３ 耐薬品性の評価
各実施例および各比較例で得られた接合体を、８０℃に維持したインクジェットプリンタ用インク（エプソン社製、「ＨＱ４」）に、以下の条件で３週間浸漬した。その後、各基材を引き剥がし、接合界面にインクが浸入していないかを確認した。そして、その結果を以下の基準にしたがって評価した。
＜耐薬品性の評価基準＞
◎：全く浸入していない
○：角部にわずかに浸入している
△：縁部に沿って浸入している
×：内側に浸入している

２．４ 抵抗率の評価
各実施例１２、１３、２６、２７および各比較例５、６で得られた積層体について、それぞれ接合部分の抵抗率を測定した。そして、測定した抵抗率を以下の基準にしたがって評価した。
＜抵抗率の評価基準＞
○：１×１０^−３Ω・ｃｍ未満
×：１×１０^−３Ω・ｃｍ以上

２．５ 形状変化の評価
各実施例２９〜４１および各比較例７〜９で得られた接合体について、それぞれの接合体の接合前後における形状変化を測定した。
具体的には、接合体の反り量を、接合前後で測定し、以下の基準にしたがって評価した。

＜反り量の評価基準＞
◎：接合前後で反り量がほとんど変化しなかった
○：接合前後で反り量がわずかに変化した
△：接合前後で反り量がやや大きく変化した
×：接合前後で反り量が大きく変化した
以上、２．１〜２．５の各評価結果を表１および表２に示す。

表１、２から明らかなように、各実施例で得られた接合体は、接合強度、寸法精度、耐薬品性および抵抗率のいずれの項目においても優れた特性を示した。
また、各実施例で得られた接合体は、各比較例で得られた接合体よりも反り量の変化が小さかった。
一方、各比較例で得られた接合体は、耐薬品性が十分ではなかった。また、寸法精度は、特に低いことが認められた。さらに、抵抗率は、高いものであった。

本発明の接合膜付き基材を用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。 本発明の接合膜付き基材を用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。 本発明の接合膜付き基材が備える接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。 本発明の接合膜付き基材が備える接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。 本発明の接合方法に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図。 図５に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。 本発明の接合膜付き基材を用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法の第２実施形態を説明するための図（縦断面図）である。 本発明の接合膜付き基材を用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法の第３実施形態を説明するための図（縦断面図）である。 本発明の接合膜付き基材を用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法の第３実施形態を説明するための図（縦断面図）である。 本発明の接合膜付き基材を用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法の第４実施形態を説明するための図（縦断面図）である。 本発明の接合膜付き基材を用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法の第５実施形態を説明するための図（縦断面図）である。 本発明の接合膜付き基材を用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法の第６実施形態を説明するための図（縦断面図）である。 本発明の接合膜付き基材を用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法の第７実施形態を説明するための図（縦断面図）である。 本発明の接合体を適用して得られたインクジェット式記録ヘッド（液滴吐出ヘッド）を示す分解斜視図である。 図１４に示すインクジェット式記録ヘッドの主要部の構成を示す断面図である。 図１４に示すインクジェット式記録ヘッドを備えるインクジェットプリンタの実施形態を示す概略図である。 本発明の接合体を適用して得られた配線基板を示す分解斜視図である。

符号の説明

１……接合膜付き基材 ２、２１、２２……基板 ２５、２５１、２５２……上面 ３、３０、３１、３２、３ａ、３ｂ……接合膜 ３０３……脱離基 ３０４……活性手 ３ｃ……間隙 ３５、３５１、３５２……表面 ３５０……所定領域 ４……対向基板 ５、５ａ、５ａ’、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ……接合体 ６……マスク ６１……窓部 ２００……成膜装置 ２１１……チャンバー ２１２……基板ホルダー ２１５……イオン源 ２１６……ターゲット ２１７……ターゲットホルダー ２１９……ガス供給源 ２２０……第１のシャッター ２２１……第２のシャッター ２３０……排気手段 ２３１……排気ライン ２３２……ポンプ ２３３……バルブ ２５０……開口 ２５３……グリッド ２５４……グリッド ２５５……磁石 ２５６……イオン発生室 ２５７……フィラメント ２６０……ガス供給手段 ２６１……ガス供給ライン ２６２……ポンプ ２６３……バルブ ２６４……ガスボンベ １０……インクジェット式記録ヘッド １１……ノズル板 １１１……ノズル孔 １１４……被膜 １２……インク室基板 １２１……インク室 １２２……側壁 １２３……リザーバ室 １２４……供給口 １３……振動板 １３１……連通孔 １４……圧電素子 １４１……上部電極 １４２……下部電極 １４３……圧電体層 １６……基体 １６１……凹部 １６２……段差 １７……ヘッド本体 ９……インクジェットプリンタ ９２……装置本体 ９２１……トレイ ９２２……排紙口 ９３……ヘッドユニット ９３１……インクカートリッジ ９３２……キャリッジ ９４……印刷装置 ９４１……キャリッジモータ ９４２……往復動機構 ９４３……キャリッジガイド軸 ９４４……タイミングベルト ９５……給紙装置 ９５１……給紙モータ ９５２……給紙ローラ ９５２ａ……従動ローラ ９５２ｂ……駆動ローラ ９６……制御部 ９７……操作パネル Ｐ……記録用紙 ４１０……配線基板 ４１２……電極 ４１３……絶縁基板 ４１４……リード ４１５……電極

Claims (34)

1. 基材と、
   該基材上に設けられ、金属原子と、該金属原子と結合する酸素原子とを含み、表面付近に、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基が導入された接合膜とを有し、
   前記接合膜の少なくとも一部の領域にエネルギーを付与し、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、前記接合膜の表面の前記領域に、他の被着体との接着性が発現するものであることを特徴とする接合膜付き基材。
2. 前記接合膜は、導電性を有する請求項１に記載の接合膜付き基材。
3. 前記接合膜は、透光性を有する請求項１または２に記載の接合膜付き基材。
4. 前記金属原子は、インジウム、スズ、亜鉛、チタン、およびアンチモンのうちの少なくとも１種である請求項１ないし３のいずれかに記載の接合膜付き基材。
5. 前記脱離基は、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種である請求項１ないし４のいずれかに記載の接合膜付き基材。
6. 前記接合膜は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ_２）に、脱離基として水素原子が導入されたものである請求項１ないし５のいずれかに記載の接合膜付き基材。
7. 前記接合膜中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３である請求項１ないし６のいずれかに記載の接合膜付き基材。
8. 前記接合膜は、その少なくとも表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離した後に、活性手が生じる請求項１ないし７のいずれかに記載の接合膜付き基材。
9. 前記活性手は、未結合手または水酸基である請求項８に記載の接合膜付き基材。
10. 前記接合膜の平均厚さは、１〜１０００ｎｍである請求項１ないし９のいずれかに記載の接合膜付き基材。
11. 前記接合膜は、流動性を有さない固体状をなしている請求項１ないし１０のいずれかに記載の接合膜付き基材。
12. 前記基材は、板状をなしている請求項１ないし１１のいずれかに記載の接合膜付き基材。
13. 前記基材の少なくとも前記接合膜を形成する部分は、シリコン材料、金属材料またはガラス材料を主材料として構成されている請求項１ないし１２のいずれかに記載の接合膜付き基材。
14. 前記基材の前記接合膜を備える面には、あらかじめ、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されている請求項１ないし１３のいずれかに記載の接合膜付き基材。
15. 前記表面処理は、プラズマ処理である請求項１４に記載の接合膜付き基材。
16. 前記基材と前記接合膜との間に、中間層が介挿されている請求項１ないし１５のいずれかに記載の接合膜付き基材。
17. 前記中間層は、酸化物系材料を主材料として構成されている請求項１６に記載の接合膜付き基材。
18. 請求項１ないし１７のいずれかに記載の接合膜付き基材の製造方法であって、
    前記基材を用意する工程と、
    前記金属原子と前記酸素原子とを含む金属酸化物膜を前記基材上に成膜する工程と、
    前記金属酸化物膜の表面付近に含まれる前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に脱離基を導入して前記接合膜を得る工程とを有することを特徴とする接合膜付き基材の製造方法。
19. 前記脱離基の導入は、前記脱離基を構成する原子成分を含む雰囲気下で、前記金属酸化物膜に熱処理することにより行われる請求項１８に記載の接合膜付き基材の製造方法。
20. 前記熱処理は、減圧雰囲気下で行われる請求項１９に記載の接合膜付き基材の製造方法。
21. 前記熱処理を施す際の雰囲気の温度は、１００〜６００℃である請求項１９または２０に記載の接合膜付き基材の製造方法。
22. 請求項１ないし１７のいずれかに記載の接合膜付き基材と、前記他の被着体とを用意する工程と、
    該接合膜付き基材中の前記接合膜の少なくとも一部の領域にエネルギーを付与する工程と、
    前記接合膜と前記他の被着体とを密着させるように、前記接合膜付き基材と前記他の被着体とを貼り合わせ、接合体を得る工程とを有することを特徴とする接合方法。
23. 請求項１ないし１７のいずれかに記載の接合膜付き基材と、前記他の被着体とを用意する工程と、
    前記接合膜と前記他の被着体とを密着させるように、前記接合膜付き基材と前記他の被着体とを貼り合わせ、積層体を得る工程と、
    該積層体中の前記接合膜の少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜付き基材と前記他の被着体とを接合し、接合体を得る工程とを有することを特徴とする接合方法。
24. 前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われる請求項２２または２３に記載の接合方法。
25. 前記エネルギー線は、波長１２６〜３００ｎｍの紫外線である請求項２４に記載の接合方法。
26. 前記加熱の温度は、２５〜１００℃である請求項２４または２５に記載の接合方法。
27. 前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａである請求項２４ないし２６のいずれかに記載の接合方法。
28. 前記エネルギーの付与は、大気雰囲気中で行われる請求項２２ないし２７のいずれかに記載の接合方法。
29. 前記他の被着体は、あらかじめ、前記接合膜との密着性を高める表面処理を施した表面を有するものであり、
    前記接合膜付き基材は、前記表面処理を施した表面に対して、前記接合膜が密着するようにして貼り合わされる請求項２２ないし２８のいずれかに記載の接合方法。
30. 前記他の被着体は、あらかじめ、官能基、ラジカル、開環分子、不飽和結合、ハロゲンおよび過酸化物からなる群から選択される少なくとも１つの基または物質を有する表面を有するものであり、
    前記接合膜付き基材は、前記基または物質を有する表面に対して、前記接合膜が密着するようにして貼り合わされる請求項２２ないし２９のいずれかに記載の接合方法。
31. さらに、前記接合体に対して、その接合強度を高める処理を行う工程を有する請求項２２ないし３０のいずれかに記載の接合方法。
32. 前記接合強度を高める処理を行う工程は、前記接合体にエネルギー線を照射する方法、前記接合体を加熱する方法、および前記接合体に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われる請求項３１に記載の接合方法。
33. 請求項１ないし１７のいずれかに記載の接合膜付き基材と、被着体とを有し、
    これらを、前記接合膜を介して接合してなることを特徴とする接合体。
34. 請求項１ないし１７のいずれかに記載の接合膜付き基材を２枚有し、
    これらを、前記接合膜同士を対向させて接合してなることを特徴とする接合体。

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