JP2014010882A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 装置であって、
   近接場トランスデューサ（ＮＦＴ）と、
   前記ＮＦＴに隣接する少なくとも１つのクラッド層と、
   前記ＮＦＴと前記少なくとも１つのクラッド層との間に位置決めされる不連続金属層とを備える、装置。
2. 前記不連続金属層は、島状の膜構造を有する、請求項１に記載の装置。
3. 前記不連続金属層は２．５Åから５０Åの平均厚みを有する、請求項１または２に記載の装置。
4. 前記不連続金属層は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｙ、Ｓｃ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｖ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔａ、およびＳｎから選択される材料を備える、請求項１〜３のいずれか一項に記載の装置。
5. エネルギ源をさらに備え、
   前記近接場トランスデューサ（ＮＦＴ）は、前記エネルギ源からエネルギを受けるように構成される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の装置。