JP4725626B2 - 電子装置の製造方法 - Google Patents
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Description
20 層間膜
30 再配線
40 シード層
41 第1のシード層
42 第2のシード層
Claims (2)
- 基板(10)と、前記基板(10)の上に電気めっきにより形成された配線層(30)と、前記配線層(30)の下地層として前記基板(10)と前記配線層(30)との間に形成され、前記基板(10)側から第1のシード層(41)、第2のシード層(42)の少なくとも2層からなる導電性のシード層(40)とを備え、前記第1のシード層(41)は下地となる前記基板側の部位(20)と前記第2のシード層(42)との密着性を確保するものであり、前記第2のシード層(42)は導電性を確保するものである電子装置を製造する方法において、
前記基板側の部位(20)の上に前記第1のシード層(41)、前記第2のシード層(42)の少なくとも2層からなる前記導電性のシード層(40)を形成する工程と、
この後、前記導電性のシード層(40)の上にレジスト(70)をパターニング形成し、前記レジスト(70)の開口部から露出する前記導電性のシード層(40)の表面に、電気めっき法により前記配線層(30)を形成する工程と、
この後、前記レジスト(70)を除去し、前記レジスト(70)が除去された部分における前記導電性のシード層(40)を、前記第2のシード層(42)、前記第1のシード層(41)という順にウェットエッチングを行い除去する工程とを有し、
前記導電性のシード層(40)を形成する工程では、前記第1のシード層(41)を、島状構造であって、その島の存在しない部分において前記基板側の部位(20)が露出する不連続な島状に形成し、前記第2のシード層(42)の形成によって前記島の存在しない部分が前記第2のシード層(42)によって埋められた形にし、
前記シード層(40)をウェットエッチングするときに、前記第1のシード層(41)のサイドエッチングが生じて一部の島がエッチングされても、島が存在しない部分においてサイドエッチングが停止し、残りの島はエッチングされずに残ることを特徴とする電子装置の製造方法。 - 前記導電性のシード層(40)を前記第1のシード層(41)と前記第2のシード層(42)の2層で形成し、前記第1のシード層(41)をTi、Cr、Ti−W合金およびVのうちから選択された1種の材料を用いて形成し、前記第2のシード層(42)をCuを用いて形成し、前記配線層(30)をCuの電気めっきにより形成し、前記ウェットエッチングを行うことにより前記導電性のシード層(40)と前記配線層(30)の端面にCuのみ1種類の材料を露出させた構成とすることを特徴とする請求項1に記載の電子装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008257111A JP4725626B2 (ja) | 2008-10-02 | 2008-10-02 | 電子装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008257111A JP4725626B2 (ja) | 2008-10-02 | 2008-10-02 | 電子装置の製造方法 |
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---|---|---|---|
JP2002229994A Division JP2004071872A (ja) | 2002-08-07 | 2002-08-07 | 電子装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009016869A JP2009016869A (ja) | 2009-01-22 |
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ID=40357302
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008257111A Expired - Fee Related JP4725626B2 (ja) | 2008-10-02 | 2008-10-02 | 電子装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4725626B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8945731B2 (en) | 2012-06-29 | 2015-02-03 | Seagate Technology Llc | Interlayer for device including NFT and cladding layers |
US9269380B1 (en) | 2015-07-10 | 2016-02-23 | Seagate Technology Llc | Devices including a near field transducer (NFT), at least one cladding layer and interlayer there between |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000183160A (ja) * | 1998-12-11 | 2000-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2002064098A (ja) * | 1999-08-27 | 2002-02-28 | Fujitsu Ltd | 金属配線構造、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2002170827A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-06-14 | Ibiden Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
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2008
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000183160A (ja) * | 1998-12-11 | 2000-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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JP2002170827A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-06-14 | Ibiden Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
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JP2009016869A (ja) | 2009-01-22 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A977 | Report on retrieval |
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A521 | Written amendment |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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