JP2014139111A - ドデカカルボニルトリルテニウムの製造方法 - Google Patents

ドデカカルボニルトリルテニウムの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】塩化ルテニウムから中間体を経由せずに直接カルボニル化するドデカカルボニルトリルテニウムの製造方法について、不純物金属の残留が無く、高圧条件が要求されない方法を提供する。
【解決手段】本発明は、塩化ルテニウムを一酸化炭素によりカルボニル化する工程を含む、次式で示されるドデカカルボニルトリルテニウムの製造方法において、反応系に、前記塩化ルテニウムの塩素に対して0.8モル等量以上のアミンを添加し、反応温度50〜100℃、反応圧力0.2〜0.9MPaとしてカルボニル化するドデカカルボニルトリルテニウムの製造方法である。
【化1】
Figure 2014139111

【選択図】図1

Description

本発明は、ルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜を化学蒸着法により製造するための原料として有用なドデカカルボニルトリルテニウムの製造方法に関する。
CVD法(化学気相蒸着法)、ALD法(原子層蒸着法)等の化学蒸着法によりルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜を製造する際、その原料化合物として従来から多くの有機ルテニウム化合物が知られている。それら有機ルテニウム化合物の中で、近年実用化が検討されているものとして、下記式で示されるドデカカルボニルトリルテニウム(Dodecacarbonyl Triruthenium:以下、DCRと称する)がある。
Figure 2014139111
DCRは、融点154〜155℃の常温で固体(橙色結晶)の物質である。DCRは、RuとCOとから構成されるシンプルな分子構造と、反応ガスを使用することなく熱分解のみで成膜できるという点から、成膜された薄膜中にハイドロカーボンなどの不純物を残留させ難いという利点があること、及び、固体原料であっても原料容器の仕様調整や適切なプロセス制御により薄膜の製造効率にも悪影響がない、といった理由からその活用が期待されている。
DCRの製造方法としては、ルテニウム化合物を原料として一酸化炭素によりカルボニル化する方法が基本となる。また、原料であるルテニウム化合物としては、塩化ルテニウムが適用されることが多い。塩化ルテニウムは、各種のルテニウム化合物の中でも最も安価で入手しやすく、DCRの他、多くのルテニウム錯体の原料として広く用いられている。
そして、塩化ルテニウムを原料とするDCRの製造方法としては、最もシンプルな方法として、塩化ルテニウムを高圧(数十〜100MPa)の一酸化炭素雰囲気中で反応させるものである(特許文献1参照)。また、反応圧を低下させる目的で金属亜鉛等の金属やKOH、Na2CO3等の金属塩を反応系に添加して塩化ルテニウムをカルボニル化する方法も知られている(特許文献2、非特許文献1、2参照)。
更に、塩化ルテニウムを出発原料として中間体を製造しこれをカルボニル化する方法も知られている。例えば、塩化ルテニウムとアセチルアセトナト塩とを反応させて得られるアセチルアセトナトルテニウムを中間体として生成し、この中間体をカルボニル化する方法がある(特許文献3参照)。
米国特許第3786132号明細書 英国特許第1160765号明細書 英国特許第1060938号明細書
従来のDCRの製造方法においては、それぞれ、次のような問題がある。即ち、高圧の一酸化炭素を反応させる方法では、製造装置を高圧仕様にする必要があり、また、安全性確保も要求されることから設備コストが割高となりDCRの製造コストに反映させなければならなくなる。
そして、金属塩等を添加する場合、製造されたDCRに金属が残留するおそれがある。この不純物金属は、精製工程を設定することである程度は除去可能であるが、工程数増加による製造コストの上昇に繋がる。また、精製工程を設定しても、不純物金属を完全に除去できるとは限らない。微量であっても不純物金属を包含するDCRを用いて薄膜を形成した場合、薄膜中にも金属を残留させる原因となることがある。
更に、中間体を経てDCRを製造する場合にも、中間体製造のための工程数増加による製造コスト上昇に繋がる。また、中間体を経由する方法の場合、出発原料から中間体にする収率がDCRの収率に影響を及ぼすため、最終的なDCRの収率は低くなることが多い。
本発明は、上記課題のもとなされたものであり、DCRの製造方法について、塩化ルテニウムから中間体を経由せずに直接カルボニル化するものであって、不純物金属を残留させること無く、且つ、高圧条件が要求されない方法を提供する。
本発明者等は、上記課題を解決するため鋭意検討し、塩化ルテニウムのカルボニル化工程において、反応系に触媒的作用を有する物質としてアミンを添加することで、低圧の一酸化炭素であっても反応を進行させることを見出した。アミンは、その化学式から明らかなように金属を含まず、また、塩化ルテニウムのカルボニル化反応において塩化物となるため反応生成物(DCR)と分離可能である。従って、製造されたDCRに金属を残留させるおそれは無い。そして、本発明者等の検討結果から、アミンを添加することで、反応圧を従来よりも大幅に低減してもDCRの合成反応を進行させることができる。
もっとも、アミンが塩化ルテニウムのカルボニル化反応に触媒的作用を有するとしても、単に反応を進行させるだけでは実用上不足があるといえる。そこで本発明者等は、アミン共存下の塩化ルテニウムのカルボニル化反応において、DCRの収率に影響を及ぼす条件因子の範囲について更なる検討を行った。その結果、反応圧に加えて反応温度を厳密に設定することで良好な収率でDCRを製造することができることを見出した。
即ち、本発明は、塩化ルテニウムを一酸化炭素によりカルボニル化する工程を含む、次式で示されるドデカカルボニルトリルテニウムの製造方法において、反応系に、前記塩化ルテニウムの塩素に対して0.8モル等量以上のアミンを添加し、反応温度50〜100℃、反応圧力0.2〜0.9MPaとしてカルボニル化するドデカカルボニルトリルテニウムの製造方法である。
以下、本発明に係るDCRの製造方法について詳細に説明する。原料である塩化ルテニウムは、溶液の状態であるものが好ましい。このときの溶媒としては塩化Ruに対する溶解性が高く、なおかつ生成物のDCRが溶解し難い有機溶媒であるアルコールが好ましい。特に、DCR合成後に乾燥させやすいという観点から、メタノール、エタノール、プロパノール(1−プロパノール、イソプロピルアルコール)ブタノール(1-ブタノール、イソブタノール)が好ましい。また、溶媒は含水量の少ない乾燥状態に近いものが好ましい。含水量が多い溶媒を用いると、DCRの収率が大きく低下する傾向があるからである。具体的には、溶媒中の水分量が0〜5質量%であるものが好ましく、0〜3質量%がより好ましく、0〜1質量%が最も好ましい。更に、塩化ルテニウム溶液の塩化ルテニウムの濃度は、濃度が低いと反応効率が落ち、高すぎると副生成物が出来やすいため、25〜150g/Lとするのが好ましい。尚、塩化ルテニウム溶液の製造の際には適宜に濾過を行い固形分を除去しておくのが好ましい。
製造した塩化ルテニウム溶液は反応容器に導入される。反応容器は密閉型のものが好ましく、その構成材料は耐食性に優れた金属(ステンレス等)が好ましい。そして、塩化ルテニウム溶液にアミンを添加する。アミンは、炭化水素基等の官能基が少なくとも一つ窒素と結合する化合物であるが、本発明者等によれば、アミンの少なくとも一つの窒素−炭素結合の存在により、DCR合成反応における触媒的作用が発揮されると考察している。よって、本発明では、1〜3の窒素−炭化結合を有する1級アミン、2級アミン、3級アミンのいずれもが適用できる。
本発明で適用されるアミンについて、好ましいものは炭素数3〜36のアミンである。窒素に結合する官能基は、炭素と水素からなるものの他、酸素を含んでいても良く、アルキル基、アルコール、ベンゼン環等が結合しているものが適用できる。アミンの具体例としては、プロピルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリス[2−(2−メトキシエトキシ)エチル]アミン、N,N−ジメチルアニリン等が挙げられる。
アミンの添加量は、塩化ルテニウムの塩素量に対して0.8モル等量以上とする。0.8モル等量未満のアミンを添加してもDCRの合成反応が進行せず、その収率は極めて低いものとなる。尚、上限については、過剰に加えすぎても収率が向上せず、薬品コストの増加になることから、2.0モル等量とするのが好ましい。尚、ここでの塩素とは塩素原子を基準とする。
そして、塩化ルテニウム溶液に一酸化炭素ガスを導入して反応圧及び反応温度を上記範囲に設定してDCRを合成する。反応圧について、0.2〜0.9MPaとするのは、0.2MPa未満では合成反応が進行し難くDCRの収率が悪化するからである。一方、0.9MPaを超える場合、反応液内に残渣物が生じDCRの品質及び収率に影響を及ぼす可能性が生じるからである。
反応温度について、50〜100℃とするのは、100℃を超えた場合、DCRの収率が急激に低下するからである。この反応温度の上限は90℃が好ましい。一方、反応温度が低い場合には、そのような収率の急激な低下は見られないが、反応温度の低下と共に収率は緩やかに低下するため実用的観点から50℃を下限値と設定する。尚、反応温度と収率との関係は、反応スケール(DCRの製造量)により多少の相違があり、特に、反応スケールによって上述した収率が急低下する反応温度の値が多少相違する。本発明が規定する50〜100℃という温度範囲は、反応スケールが変化しても実用的な収率を得ることができる範囲を示すものである。本発明の実施にあたっては、反応スケールに応じた最適な反応温度を前記範囲内で設定することができる。
以上のように、本発明においては、反応系にアミンを添加すると共に、反応圧、反応温度についての厳密な調整を要求している。これは、DCRの収率は、反応圧、反応温度の2つの因子に対して特に感受性が高いからである。
DCRの合成反応における反応時間は、10〜30時間が好ましい。反応時間が長い方が収率は向上する傾向があり、10時間未満では収率が不足する。もっとも、30時間を超えても収率の上昇は見られず、むしろ低下する可能性もあり30時間を上限とするのが好ましい。尚、この合成反応中においては、溶液を攪拌することが好ましい。
上記のDCRの合成反応により、固体状のDCRが析出する。反応後の溶液を濾取し、適宜に乾燥を行うことでDCRを回収することができる。
以上の工程で得られたDCRについては、必要に応じて精製を行っても良い。この精製工程は、昇華法によるものが好ましい。DCRは固体であり融点が高く、また、溶媒への溶解度が低いことから再結晶、カラムクロマトグラフィー等による精製よりも昇華法によるのが好適である。昇華法による精製の条件は、真空度50Pa以下、加熱温度80℃〜110℃、冷却温度20℃以下とする。真空度は50Paを超えると昇華速度が低下し、昇華時間が大幅に長くなる。加熱温度は80℃未満では昇華時間が大幅に遅くなり、110℃を超えると昇華速度は速くなるものの、DCRの熱分解が部分的に生じるおそれがあり、結果的に収率が大幅に低減するからである。尚、精製工程は昇華法が好適ではあるが、その他の精製法(再結晶、カラムクロマトグラフィー等)を用いても良い。
以上説明したように、本発明に係るDCRの製造方法は、触媒的添加剤としてアミンという不純物の要因となり難い物質を用いてDCRの合成反応を進行させるものである。本発明では、反応圧を高圧にすることなくDCRを合成することができる。そして、反応温度及び反応圧を厳密に設定することで、好適なDCRの収率を実現する。本発明に係るDCRの製造方法によれば、不純物の無い高品質のDCRを低コストで製造することができる。
第2実施形態において、反応時間とDCR収率との関係を示す図面。
第1実施形態:ここでは、DCR合成の反応系へのアミン添加の効果の有無を確認するための合成試験を行った。DCRの製造工程は、塩化ルテニウム(田中貴金属工業(株)製、塩化ルテニウム含有量:38.67wt%、塩素含有量:47.4wt%)と1−プロパノールとを混合・攪拌して塩化ルテニウム溶液を製造し、これを反応容器である容量100mlのオートクレーブ(鋼製)に導入した。そして、反応容器にアミンを添加し、更に、所定反応圧まで一酸化炭素ガスを封入した。その後、一酸化炭素で所定反応圧を保ったまま反応温度に昇温してDCRの合成反応を進行させた。反応中は溶液を攪拌している。本実施形態における反応条件は以下の通りとした。本実施形態では、炭素数が相違する複数のアミンを使用してDCRを合成した。また、アミンを添加しない場合のDCR合成の可否も検討した。
塩化ルテニウム:1.58g(Ru:0.61g)
1−プロパノール:60mL
アミン:いずれも塩素に対して1.3モル等量を添加
・プロピルアミン(1.57g)
・ジエチルアミン(1.94g)
・トリエチルアミン(2.69g)
・トリオクチルアミン(9.40g)
・トリドデシルアミン(13.87g)
・トリエタノールアミン(3.97g )
・トリス[2−(2−メトキシエトキシ)エチル]アミン(8.60g)
・N,N−ジメチルアニリン(3.22g)
・添加無し
反応圧:0.35MPa
反応温度:85℃
反応時間:15時間
攪拌速度:300rpm
反応終了後、析出した結晶を濾過し、真空乾燥して橙色のDCR粗結晶を回収し、収率を算出した。アミン添加の有無について行った。この反応試験の結果を表1に示す。
Figure 2014139111
反応系にアミンを添加しない場合(比較例1)、反応後の溶液には析出物がまったく見られなかった。一方、アミンを添加した実施例1では、90.2%という高い収率でDCRを得ることがきた。この結果から、低圧でのDCR合成にアミンは不可欠であるといえる。
また、添加するアミンについては、官能基の数(1級〜3級)によらずにDCRを得ることができる。また、官能基の種類についても、アルキル基のような炭素と水素からなる炭化水素基の他、アルコールといった酸素を含有する炭化水素基を有するアミンもDCR合成反応に寄与することができる。
第2実施形態:ここでは、各種の反応条件の好適範囲について検討した。即ち、アミンの添加量(塩素に対する等量数)、反応圧力、反応温度、反応時間、溶媒の含水量について、それぞれ条件を変更しつつDRCの収率を好適なものとする範囲を検討した。尚、本実施形態では、アミンとしてトリエチルアミンを使用した。
[アミンの添加量]
トリエチルアミンの添加量を変化させてDCRの反応試験を行った。基本的な工程は、第1実施形態と同様である。反応条件は以下のようにした。この試験において、トリエチルアミンの添加量に対するDCRの収率の測定結果を表2に示す。
塩化ルテニウム:1.58g(Ru:0.61g)
1−プロパノール:60mL
トリエチルアミン:0.5等量、0.6等量、0.8等量、1.0等量、1.3等量、1.5等量、1.8等量(塩素に対するモル等量)
反応圧:0.35MPa
反応温度:85℃
反応時間:15時間
攪拌速度:300rpm
Figure 2014139111
表2から、アミンの添加量(塩素に対するモル等量数)が0.5モル等量、0.6モル等量のとき、DCRは合成されない。従って、0.8モル等量以上のアミンの添加が必要である。
[反応圧力]
合成反応の一酸化炭素の圧力について、その値を変化させてDCRの反応試験を行った。基本的な工程は、第1実施形態と同様である。反応条件は以下のようにした。この試験におけるDCRの収率の測定結果を表3に示す。
塩化ルテニウム:1.58g(Ru:0.61g)
1−プロパノール:60mL
トリエチルアミン:1.3等量(塩素に対するモル等量)
反応圧:0.1MPa、0.2MPa、0.3MPa、0.35MPa、0.5MPa0.78MPa、0.9Mpa、1.0MPa
反応温度:85℃
反応時間:6時間
攪拌速度:300rpm
Figure 2014139111
表3から、0.2MPa以上の反応圧でDCRの合成反応を進行させることができる。但し、1.0MPaの反応圧では収率がやや劣っていたことに加え、得られたDRCに黒色の残渣物の混入が見られた。よって、品質の観点から好ましいものではないと考えられる。これらの結果から反応圧は0.2〜0.9MPaの範囲に設定することが求められることが確認された。
[反応温度]
反応温度について、その値を変化させてDCRの反応試験を行った。基本的な工程は、第1実施形態と同様である。反応条件は以下のようにした。この試験におけるDCRの収率の測定結果を表4に示す。
塩化ルテニウム:1.58g(Ru:0.61g)
1−プロパノール:60mL
トリエチルアミン:1.3等量(塩素に対するモル等量)
反応圧:0.35MPa
反応温度:40℃、50℃、75℃、80℃、85℃、90℃、100℃、110℃
反応時間:15時間
攪拌速度:300rpm
Figure 2014139111
本発明におけるDCRの合成反応に関して、反応温度は高ければ良いわけではないことが確認でき、110℃において大きな収率の低下が見られる。この点、100℃における収率(77.7%)は決して低い数値ではないが、反応スケールの変更による収率低下を想定すると100℃を上限とするのが妥当である。
[反応時間]
塩化ルテニウム溶液にトリエチルアミン、一酸化炭素を添加した後の反応時間を変化させてDCRの反応試験を行った。基本的な工程は、第1実施形態と同様である。反応条件は以下のようにした。この試験におけるDCRの収率の測定結果を図1に示す。
塩化ルテニウム:1.58g(Ru:0.61g)
1−プロパノール:60mL
トリエチルアミン:1.3等量(塩素に対するモル等量)
反応圧:0.35MPa
反応温度:85℃
反応時間:11〜60時間
攪拌速度:300rpm
反応時間がDCRの収率に及ぼす影響としては、基本的に10時間以上とすると好適な収率が得られるといえる。DCRの収率は、反応時間15〜18時間にかけて定常状態となる。反応時間を長くしても好適な収率は得られるが、反応時間の長短は製造効率に影響があるので、10〜30時間とするのが好ましい。
[溶媒の含水量]
塩化ルテニウム溶液製造前の1−プロパノールについて、その含水量とDCRの収率との関係について検討した。その他のDCR製造工程は、第1実施形態と同様である。反応条件は以下のようにした。この試験におけるDCRの収率の測定結果を表5に示す。
塩化ルテニウム:1.58g(Ru:0.61g)
1−プロパノール:60mL(含水量:乾燥、0.5wt%、1.0wt%、3.0wt%、5.0wt%、10wt%、30wt%
トリエチルアミン:1.3等量(塩素に対するモル等量)
反応圧:0.35MPa
反応温度:85℃
反応時間:10〜60時間
攪拌速度:300rpm
Figure 2014139111
表5から、溶媒中の水分量はDCRの収率に影響を及ぼす可能性がある。そして、10%以上の水分を含む溶媒を用いた場合、実用的なDCRの収率を得ることはできない。このことから溶媒中の水分量5質量%以下にするのが好ましい。但し、乾燥状態(含水量略0%)までを要求するものではなく、含水量1%以下の溶媒を用いることで高い収率とすることができる。
[反応生成物の分析]
以上の各試験で製造したDCRについて、その成分分析をCHN元素分析法で行い、製造品中のルテニウム含有率及び炭素含有率を測定した。この結果を表6に示す。
Figure 2014139111
上記の通り、本実施形態で製造したDCRは、その構成成分が理論値に近く、化学蒸着用原料として全く問題なく使用可能であることが確認できた。
本発明に係るDCRの製造方法は、触媒的添加剤としてアミンを添加しつつ、その添加量及び反応条件を厳密に設定するものである。アミンは、亜鉛やアルカリ金属等を含まないことから、生成したDCRへの不純物残留が防止される。また、本発明では、反応圧を高圧にすることなくDCRを合成することができ、製造コストを低減することが可能となる。本発明に係るDCRの製造方法は、収率も良好である。

Claims (5)

  1. 塩化ルテニウムを一酸化炭素によりカルボニル化する工程を含む、次式で示されるドデカカルボニルトリルテニウムの製造方法において、
    Figure 2014139111
    反応系に、前記塩化ルテニウムの塩素に対して0.8モル等量以上のアミンを添加し、反応温度50〜100℃、反応圧力0.2〜0.9MPaとしてカルボニル化するドデカカルボニルトリルテニウムの製造方法。
  2. 添加するアミンは、炭素数3〜36のアミンである請求項1記載のドデカカルボニルトリルテニウムの製造方法
  3. 反応時間を10〜30時間とする請求項1又は請求項2記載のドデカカルボニルトリルテニウムの製造方法。
  4. 塩化ルテニウムは、塩化ルテニウムと有機溶媒とからなる塩化ルテニウム溶液であり、前記有機溶媒は、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールである請求項1〜請求項3のいずれかに記載のドデカカルボニルトリルテニウムの製造方法。
  5. 有機溶媒は、含水量が5質量%以下の有機溶媒である請求項3記載のドデカカルボニルトリルテニウムの製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016148100A1 (ja) * 2015-03-17 2016-09-22 富士フイルム株式会社 ルテニウム錯体色素、色素溶液、光電変換素子および色素増感太陽電池

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5732512B2 (ja) * 2013-10-29 2015-06-10 田中貴金属工業株式会社 ドデカカルボニルトリルテニウムの製造方法及び製造装置
US11427887B2 (en) 2017-11-27 2022-08-30 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Extraction of selected platinum-group metals from supported catalyst
CN111054444B (zh) * 2019-12-30 2023-04-07 苏州鼎驰金属材料有限公司 一种二羰基二亚硝基合钌及其制备方法和应用

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1060938A (en) * 1963-02-01 1967-03-08 Lonza Ag A process for the production of trimeric ruthenium tetracarbonyl
GB1160765A (en) * 1966-08-10 1969-08-06 Ici Ltd Process for the Preparation of Ruthenium Carbonyl
US3786132A (en) * 1972-07-11 1974-01-15 Eastman Kodak Co Method for preparing carbonyls of ruthenium and osmium
JPH01188429A (ja) * 1988-01-22 1989-07-27 Nkk Corp ルテニウムカルボニル錯体類の製造方法
JPH07316175A (ja) * 1994-05-25 1995-12-05 Nippon Paint Co Ltd ルテニウムカルボニル金属クラスター錯体

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3561924A (en) * 1968-03-14 1971-02-09 Ici Ltd Process for the preparation of ruthenium carbonyl
JP4051532B2 (ja) * 2002-01-08 2008-02-27 三菱マテリアル株式会社 有機金属化学蒸着法用ルテニウム化合物の製造方法及び該方法により得られた有機金属化学蒸着法用ルテニウム化合物並びに該化合物により得られたルテニウム含有薄膜
JP2008244298A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Tokyo Electron Ltd 金属膜の成膜方法、多層配線構造の形成方法、半導体装置の製造方法、成膜装置
WO2010101191A1 (ja) * 2009-03-03 2010-09-10 東京エレクトロン株式会社 載置台構造、成膜装置、及び、原料回収方法
WO2011048727A1 (ja) * 2009-10-23 2011-04-28 高砂香料工業株式会社 3座配位子を有する新規ルテニウムカルボニル錯体、並びにその製造法及び用途
CN101787045B (zh) * 2010-02-08 2012-10-03 浙江大学 钌化合物催化硅氢加成反应的方法
CN101966457B (zh) * 2010-09-25 2012-07-25 郴州高鑫铂业有限公司 一种高活性羰基加氢钌炭催化剂的制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1060938A (en) * 1963-02-01 1967-03-08 Lonza Ag A process for the production of trimeric ruthenium tetracarbonyl
GB1160765A (en) * 1966-08-10 1969-08-06 Ici Ltd Process for the Preparation of Ruthenium Carbonyl
US3786132A (en) * 1972-07-11 1974-01-15 Eastman Kodak Co Method for preparing carbonyls of ruthenium and osmium
JPH01188429A (ja) * 1988-01-22 1989-07-27 Nkk Corp ルテニウムカルボニル錯体類の製造方法
JPH07316175A (ja) * 1994-05-25 1995-12-05 Nippon Paint Co Ltd ルテニウムカルボニル金属クラスター錯体

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
M.I.BRUCE AND F.G.A.STONE: "Chemistry of the Metal Carbonyls. Part XL. Carbonylation of Ruthenium Trichloride", J.CHEM.SOC.(A), JPN6014012908, 6 January 1967 (1967-01-06), pages 1238 - 1241, ISSN: 0002778621 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016148100A1 (ja) * 2015-03-17 2016-09-22 富士フイルム株式会社 ルテニウム錯体色素、色素溶液、光電変換素子および色素増感太陽電池
CN107406686A (zh) * 2015-03-17 2017-11-28 富士胶片株式会社 钌络合物色素、色素溶液、光电转换元件及色素增感太阳能电池
JPWO2016148100A1 (ja) * 2015-03-17 2018-01-11 富士フイルム株式会社 ルテニウム錯体色素、色素溶液、光電変換素子および色素増感太陽電池
CN107406686B (zh) * 2015-03-17 2019-06-28 富士胶片株式会社 钌络合物色素、色素溶液、光电转换元件及色素增感太阳能电池

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