JP5504080B2 - ビニルエーテル化合物の製造方法 - Google Patents
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Description
R3はアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
R4は、アルキル基、アルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
R5、R6及びR7は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、アラルキル基を表す。
Xはハロゲン原子を表す。
R8は一価の置換基を表す。
n1は0〜4の整数を表す。
なお、本明細書に於ける基(原子団)の表記において、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有していないものと置換基を有しているものとの双方が含まれることとする。例えば、置換又は無置換を明示していない「アルキル基」は、置換基を有していないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有しているアルキル基(置換アルキル基)をも包含することとする。
R3はアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
R4は、アルキル基、アルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
R5、R6及びR7は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。R5、R6及びR7の内の2つが互いに連結して環を形成してもよい。
Xはハロゲン原子を表す。
R8は一価の置換基を表す。
n1は0〜4の整数を表す。
工程(A)は、下記一般式(1)で表される化合物と、下記一般式(2)で表される化合物とを反応し、下記一般式(3)で表される化合物を得る工程である。
このアリール基の具体例としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ピレニル基、ピリジル基、ピロリル基、インドリル基、カルバゾリル基、チオフェニル基などが挙げられ、中でもフェニル基、ナフチル基が好ましい。
アラルキル基の具体例としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、プロピルフェニル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、アントラニルメチル基などが挙げられ、中でもベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基が好ましい。
アラルキル基が有し得る置換基としては、アリール基が有し得る置換基として列挙したものと同様のものが挙げられる。
R4の炭素数は1〜20であることが好ましい。
R4のアルケニル基としては、炭素数2〜20のアルケニル基であることが好ましく、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、ヘプタニル基、オクタニル基、デカニル基、ウンデカニル基、ドデカニル基などを挙げることができる。
この形態において、R1〜R3の炭素数の総和の上限値は、60以下であることが好ましく、45以下であることがより好ましい。
換言すれば、上記形態(i)は、R1及びR2の炭素数の総和が2以下であり、R3の炭素数が7以上であり、かつ、R4の炭素数が7以上である形態であり、上記形態(ii)は、R1及びR2の炭素数の総和が6以上であり、かつ、R4の炭素数が3以下である形態である。
上記形態(ii)において、R1及びR2の炭素数の総和は、6〜20の整数であることが好ましく、6〜15の整数であることがより好ましい。R4の炭素数は1〜3であり、1又は2であることが好ましい。
R4のアルキル基、アルケニル基、アリール基又はアラルキル基としては、上記したR3のアルキル基、アリール基及びアラルキル基の例に加え、ヘプタニル基、オクタニル基、デカニル基、ウンデカニル基、ドデカニル基等の炭素数7〜20のアルケニル基を挙げることができ、中でもアルキル基が好ましい。
R4としてのアルキル基は、n−ヘプチル基、n−ウンデシル基、n−トリデシル基、n−ペンタデシル基又はn−ヘプタデシル基が更に好ましい。
また、形態(ii)において、R4は炭素数が3以下であることから、R4としては、炭素数1〜3のアルキル基、又は、炭素数2若しくは3のアルケニル基を挙げることができ、中でも、炭素数1〜3のアルキル基が好ましい。炭素数1〜3のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基が挙げられ、中でもメチル基が好ましい。
工程(A)の反応を行う溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、デカン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム等のハロゲン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒、アセトニトリル等が好適に用いられ、中でも炭化水素系溶媒が更に好ましく、ヘキサン、ヘプタンが特に好ましい。後述する工程(C)で用いた溶媒をそのまま工程(A)の溶媒として使用することもできる。また、一般式(1)で表される化合物と一般式(2)で表される化合物の少なくとも何れか一方が液体である場合には、無溶媒で工程(A)の反応を行うことも出来、溶媒を使用する場合よりもコスト面、環境面でより好ましい。
工程(A)において、一般式(2)で表される化合物は一般式(1)で表される化合物1モルに対して、1〜10モルで用いられることが好ましく、1〜2モルで用いられることがより好ましい。
工程(A)の反応を行う際の添加剤としては、反応活性化剤として、塩化亜鉛、臭化亜鉛、ヨウ化亜鉛、酢酸亜鉛、トリフルオロメタンスルホン酸亜鉛、トリフルオロメタンスルホン酸スカンジウム(III)等を加えてもよい。添加量としては、一般式(1)で表される化合物に対し、0.001〜10モル%が好ましく、0.01〜0.1モル%が更に好ましい。
工程(A)の反応を行う温度としては、0〜100℃が好ましく、25〜80℃が更に好ましく、40〜60℃が特に好ましい。
工程(A)の反応を行う時間としては、0.5〜24時間が好ましく、1〜6時間が更に好ましく、1〜2時間が特に好ましい。
工程(A)の反応では、下記一般式(11)で表されるエステル化合物が、上記一般式(3)で表される化合物に対して等モル量で副生する。
工程(B)は、前記一般式(3)で表される化合物と、一般式(4)又は一般式(5)で表される化合物とを反応し、一般式(6)で表されるビニルエーテル化合物を得る工程である。
R5、R6及びR7のアリール基は、炭素数4〜20のアリール基であることが好ましく、炭素数6〜10のアリール基であることがより好ましい。このアリール基の具体例としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ピレニル基、ピリジル基、ピロリル基、インドリル基、が挙げられ、中でもフェニル基が好ましい。
R5、R6及びR7のアラルキル基は、ヘテロ原子を有していてもよく、また、環上に置換基を更に有していてもよい。
R5、R6及びR7のアラルキル基は、炭素数6〜21のアラルキル基であること好ましく、炭素数7〜15のアラルキル基であることがより好ましい。このアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、プロピルフェニル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、アントラニルメチル基が挙げられ、中でもベンジル基が好ましい。
上記のアリール基及びアラルキル基が環上に有し得る置換基は、一般式(1)のR1及びR2のアリール基が有し得る置換基と同様である。
R8は一価の置換基である。一価の置換基としては、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基が挙げられる。
R8のアルキル基の炭素数は好ましくは1〜5であり、更に好ましくは1〜3である。このアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基が挙げられ、中でもメチル基、エチル基が好ましい。
R8のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、中でも塩素原子、臭素原子が好ましい。
R8のアルコキシ基の炭素数は好ましくは1〜5であり、更に好ましくは1〜3である。このアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブチロキシ基、sec−ブチロキシ基、tert−ブチロキシ基、n−ペンチロキシ基が挙げられ、中でもメトキシ基、エトキシ基が好ましい。
R8のジアルキルアミノ基の炭素数は好ましくは1〜3である。このジアルキルアミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基が挙げられる。
工程(B)の反応を行う溶媒としては、炭化水素系溶媒、ハロゲン系溶媒、エーテル系溶媒、アセトニトリル等が好適に用いられ、炭化水素系溶媒、ハロゲン系溶媒及びエーテル系溶媒の具体例は、工程(A)で説明したものと同様である。中でも炭化水素系溶媒が更に好ましく、ヘキサン、ヘプタンが特に好ましい。一般式(3)で表される化合物及び一般式(4)又は一般式(5)で表される化合物の少なくとも何れか一方が液体である場合には、無溶媒で工程(B)の反応を行うことがより好ましい。また、工程(A)で用いた溶媒をそのまま工程(B)の溶媒として使用してもよく、工程(A)で生成した上記一般式(11)で表される化合物を溶媒として用いてもよい。
工程(B)において、一般式(4)又は一般式(5)で表される化合物は一般式(3)で表される化合物1モルに対して、0.1〜10モルで用いられることが好ましく、1〜5モルで用いられることがより好ましい。
工程(B)の反応を行う温度としては、0〜150℃が好ましく、25〜100℃が更に好ましく、50〜100℃が特に好ましい。
工程(B)の反応を行う時間としては、0.5〜24時間が好ましく、1〜10時間が更に好ましく、1〜5時間が特に好ましい。
上記工程(B)の反応が終了後に得られる有機層は水洗により有機物の塩を除去することが好ましい。次いで、有機層は乾燥、濃縮後、(BI)低沸点副生成物の減圧留去、或いは蒸留による精製を行うことが好ましい。上記(BI)の方法では高純度の精製が困難な場合には、(BII)カラムクロマトグラフィーによって精製を行うことが好ましい。
R4の炭素数が小さいと、目的物(すなわち、一般式(3)で表されるα−ハロゲン化エーテル化合物又は一般式(6)で表されるビニルエーテル化合物)と副生エステル(すなわち、一般式(11)で表されるエステル化合物)の沸点が近く、収率、純度の低下が懸念される為、R4の炭素数は大きい方が好ましい。具体的には、R4の炭素数は7以上が好ましく、11以上が更に好ましい。形態(i)における一般式(1)〜(3)の各基の詳細な説明は前記した通りである。
R4の炭素数に依らず、上記目的物の方が上記副生エステルよりも沸点が高くなる傾向がある。その為、R4の炭素数は小さい方が沸点差は広がり、好ましい。具体的には、R4の炭素数は3以下が好ましく、2以下が更に好ましく、1が特に好ましい。形態(ii)における一般式(1)〜(3)の各基の詳細な説明は前記した通りである。
この形態においては、工程(A)で用いた溶媒をそのまま工程(B)の溶媒として使用することが好ましい。すなわち、工程(A)における溶媒と工程(B)における溶媒とは同じであることが好ましい。これにより、製造工程を更に簡略化することができる。
本発明のビニルエーテル化合物の製造方法は、更に、一般式(1)で表される化合物の製造工程として、下記一般式(7)で表される化合物と、下記一般式(8)又は一般式(9)で表される化合物を反応する工程(C)を含んでもよい。
工程(C)の反応を行う溶媒としては、炭化水素系溶媒、ハロゲン系溶媒、エーテル系溶媒、アセトニトリル等が好適に用いられ、炭化水素系溶媒、ハロゲン系溶媒及びエーテル系溶媒の具体例は、工程(A)で説明したものと同様である。中でも、上記炭化水素系溶媒は、水と共沸混合物を形成し、ディーンスターク装置を用いることで、反応によって生成した水を除去することができるので好ましい。炭化水素系溶媒の中でもヘキサン、ヘプタンが更に好ましい。
工程(C)において、一般式(8)又は一般式(9)で表される化合物は一般式(7)で表される化合物1モルに対して、0.05〜10モルで用いられることが好ましく、0.5〜5モルで用いられることがより好ましい。
工程(C)の反応を行う際の添加剤としては、酸触媒を添加することが好ましい。酸触媒としては、硫酸、硝酸、燐酸などの無機酸類、p−トルエンスルホン酸、カンファースルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸ピリジニウム塩のような有機酸が好適に用いられ、中でもp−トルエンスルホン酸、カンファースルホン酸が好ましい。酸触媒の添加量としては、一般式(7)で表される化合物に対して0.001モル%〜10モル%が好ましく、0.01モル%〜5モル%が更に好ましく、0.1モル%〜1モル%が特に好ましい。
また、その他の添加剤として、モリキュラーシーブス、無水硫酸マグネシウム、無水硫酸ナトリウム等の乾燥剤を添加することもできる。
工程(C)の反応を行う温度としては、0〜150℃の範囲から選択することが好ましい。水と共沸混合物を形成する溶媒を用い、ディーンスターク装置により水を除去する場合には、使用する溶媒の沸点にて反応することが好ましい。上記以外の場合は、20〜80℃が好ましく、25〜60℃が更に好ましい。
工程(C)の反応を行う時間としては、0.5〜24時間が好ましく、1〜10時間が更に好ましく、1〜5時間が特に好ましい。
反応に使用した溶媒は、減圧留去により除去してもよく、また、工程(C)の反応終了時には除去せず、そのまま工程(A)の溶媒として使用してもよい。溶媒を除去する以外には、何も処理をすることなく、そのまま工程(A)に進むのが好ましい。
この形態においては、工程(C)で用いた溶媒をそのまま工程(A)の溶媒として使用し、更に、工程(A)で用いた溶媒をそのまま工程(B)の溶媒として使用することが好ましい。すなわち、工程(C)における溶媒と工程(A)における溶媒と工程(B)における溶媒とは同じであることが好ましい。これにより、製造工程を更に簡略化することができる。
ディーンスターク管を備えたフラスコ内に2−シクロヘキシルエタノール75g(585mmol)、パラアルデヒド51.5g(390mmol)、カンファースルホン酸0.68g(2.9mmol)、ヘプタン105gを加え、4時間還流を行った(工程(C))。1H−NMRより、92%の2−シクロヘキシルエタノールがアセタール化合物(a−1)に変換し、8%が未反応のまま存在することを確認した。反応液を50℃まで放冷した後、塩化アセチル27.6g(351mmol)を加え、45℃にて1時間攪拌した(工程(A))。1H−NMRにより、アセタール化合物(a−1)の消失を確認した。反応液を25℃まで戻した後、トリエチルアミン71.0g(702mmol)を滴下し、滴下終了後、95℃にて2時間攪拌した(工程(B))。25℃まで放冷後、飽和塩化アンモニウム水溶液100mlを加えて攪拌し、水層を除去した。続いて蒸留水200mLで有機層を洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターで溶媒を除去した。この時点でガスクロマトグラフィーによる分析を行ったところ、2−シクロヘキシルエタノールに由来するピークは確認されなかった。次いで粗生成物を蒸留により精製したところ、留分25.2gを得た。得られた留分をガスクロマトグラフィーで分析したところ、21.2g(137.4mmol)がビニルエーテル(V−1)、4.0gが副生エステル(a−3)であった。ビニルエーテル(V−1)の収率は47%であり、ガスクロマトグラフィーにより求めた純度は84%であった。
ディーンスターク管を備えたフラスコ内に2−シクロヘキシルエタノール75g(585mmol)、パラアルデヒド51.5g(390mmol)、カンファースルホン酸0.68g(2.9mmol)、ヘプタン105gを加え、4時間還流を行った(工程(C))。1H−NMRより、93%の2−シクロヘキシルエタノールがアセタール化合物(a−1)に変換し、7%が未反応のまま存在することを確認した。反応液を50℃まで放冷した後、塩化ラウロイル76.8g(351mmol)を加え、50℃にて1時間攪拌した(工程(A))。1H−NMRにより、アセタール化合物(a−1)の消失を確認した。反応液を25℃まで戻した後、トリエチルアミン71.0g(702mmol)を滴下し、滴下終了後、95℃にて2時間攪拌した(工程(B))。25℃まで放冷後、飽和塩化アンモニウム水溶液100mlを加えて攪拌し、水層を除去した。続いて蒸留水200mLで有機層を洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターで溶媒を除去した。この時点でガスクロマトグラフィーによる分析を行ったところ、2−シクロヘキシルエタノールに由来するピークは確認されなかった。次いで粗生成物を蒸留により精製したところ、30.6g(198.4mmol)のビニルエーテル(V−1)を得た。ビニルエーテル(V−1)の収率は68%であり、ガスクロマトグラフィーにより求めた純度は99.2%であった。
ディーンスターク管を備えたフラスコ内に、2−シクロヘキシルエタノール38.5g(300mmol)、酢酸ビニル38.74g(450mmol)、炭酸ナトリウム19.1g(180mmol)、トルエン150gを加え、窒素気流下で徐々に温度を上げて還流させた。ここに、ジ−μ−クロロビス(1,5−シクロオクタジエン)二イリジウム(I)[Ir(cod)Cl]20.5g(0.75mmol)を添加し、3時間還流を行った。反応液をガスクロマトグラフィーで分析したところ、2−シクロヘキシルエタノールの転化率は89%であり、未反応の2−シクロヘキシルエタノールが11%残存した。反応液を25℃まで放冷後、蒸留水200mLで3回洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレーターで溶媒を留去した。得られた粗生成物を蒸留により精製したところ、留分32.0gを得た。得られた留分をガスクロマトグラフィーで分析したところ、29.15g(189mmol)がビニルエーテル(V−1)、2.88gが原料の2−シクロヘキシルエタノールであった。ビニルエーテル(V−1)の収率は63%であり、ガスクロマトグラフィーにより求めた純度は91%であった。
ディーンスターク管を備えたフラスコ内に2−シクロヘキシルエタノール50g(390mmol)、パラアルデヒド34.4g(260mmol)、カンファースルホン酸0.45g(1.95mmol)、ヘプタン70gを加え、4時間還流を行った(工程(C))。1H−NMRより、92%の2−シクロヘキシルエタノールがアセタール化合物(a−1)に変換し、8%が未反応のまま存在することを確認した。25℃に放冷後、減圧下でヘプタンを留去した。次に、反応液に塩化ラウロイル51.2g(234mmol)を加え、50℃にて1時間攪拌した(工程(A))。1H−NMRにより、アセタール化合物(a−1)の消失を確認した。反応液を25℃まで戻した後、N,N−ジイソプロピルエチルアミン60.5g(468mmol)を滴下し、滴下終了後、95℃にて2時間攪拌した(工程(B))。25℃まで放冷後、飽和塩化アンモニウム水溶液100mlを加えて攪拌し、水層を除去した。続いて5wt%酢酸水溶液200mL、次いで蒸留水200mLで有機層を洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターで溶媒を除去した。この時点でガスクロマトグラフィーによる分析を行ったところ、2−シクロヘキシルエタノールに由来するピークは確認されなかった。次いで粗生成物を蒸留により精製したところ、20.6g(133.5mmol)のビニルエーテル(V−1)を得た。ビニルエーテル(V−1)の収率は68%であり、ガスクロマトグラフィーにより求めた純度は99.1%であった。
フェニルアセトアルデヒドジメチルアセタール10.0g(60.16mmol)に塩化アセチル5.43g(69.19mmol)を加え、45℃で2時間攪拌した(工程(A))。1H−NMRで原料の消失を確認した後、トリエチルアミン10.5g(103.8mmol)を加え、90℃で2時間攪拌した(工程(B))。25℃に放冷後、酢酸エチル30mL、飽和塩化アンモニウム水溶液50mLを加え、10分間攪拌後、水層を除去した。続いて蒸留水50mLで有機層を洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレーターで溶媒を除去した。以上の操作により、7.9g(58.88mmol)のビニルエーテル(V−2)を得た(収率98%)。1H−NMRより、得られたビニルエーテル(V−2)のE体とZ体の比率はE:Z=56:44であった。
ディーンスターク管を備えたフラスコ内に2−フェニルエタノール100g(818.6mmol)、パラアルデヒド72.1g(546mmol)、カンファースルホン酸0.95g(4.1mmol)、ヘキサン100gを加え、3時間還流を行った(工程(C))。1H−NMRより、94%の2−フェニルエタノールがアセタール化合物(b−1)に変換し、6%が未反応のまま存在することを確認した。反応液を50℃まで放冷した後、塩化ラウロイル107.4g(491.1mmol)を加え、50℃にて1時間攪拌した(工程(A))。1H−NMRにより、アセタール化合物(b−1)の消失を確認した。反応液を25℃まで戻した後、トリエチルアミン74.55g(736.7mmol)を滴下し、滴下終了後、95℃にて2時間攪拌した(工程(B))。25℃まで放冷後、飽和塩化アンモニウム水溶液200mlを加えて攪拌し、水層を除去した。続いて蒸留水200mLで有機層を洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターで溶媒を除去した。この時点でガスクロマトグラフィーによる分析を行ったところ、2−フェニルエタノールに由来するピークは確認されなかった。次いで粗生成物を蒸留により精製したところ、41.2g(278mol)のビニルエーテル(V−3)を得た。ビニルエーテル(V−3)の収率は68%であり、ガスクロマトグラフィーにより求めた純度は99.4%であった。
トリエチルアミン74.55g(736.7mmol)をピリジン58.27g(736.7mmol)に変更した以外は実施例5と同様に行った。ビニルエーテル(V−3)の収率は75%であり、ガスクロマトグラフィーにより求めた純度は99.1%であった。
塩化ラウロイル107.4g(491.1mmol)を塩化パルミトイル134.99g(491.1mmol)に、トリエチルアミン74.55g(736.7mmol)をN,N−ジエチルアニリン109.94g(736.7mmol)に、蒸留水200mLでの有機層洗浄を、0.1規定の塩酸水溶液200mLでの洗浄を2回実施する事に変更した以外は、実施例5と同様に行った。ビニルエーテル(V−3)の収率は72%であり、ガスクロマトグラフィーにより求めた純度は99.0%であった。
塩化ラウロイル107.4g(491.1mmol)を塩化オレオイル147.78g(491.1mmol)に、トリエチルアミン74.55g(736.7mmol)を4−メチルモルホリン74.52g(736.7mmol)に変更した以外は、実施例5と同様に行った。ビニルエーテル(V−3)の収率は73%であり、ガスクロマトグラフィーにより求めた純度は99.4%であった。
塩化ラウロイル107.4g(491.1mmol)を塩化ステアロイル148.76g(491.1mmol)に、トリエチルアミン74.55g(736.7mmol)を1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ−7−エン112.16g(736.7mmol)に、蒸留水200mLでの有機層洗浄を、0.1規定の塩酸水溶液200mLでの洗浄を2回実施する事に変更した以外は、実施例5と同様に行った。ビニルエーテル(V−3)の収率は81%であり、ガスクロマトグラフィーにより求めた純度は99.1%であった。
フェニルアセトアルデヒドジメチルアセタール45.0g(270.73mmol)及びベンジルアルコール61.48g(568.52mmol)にp−トルエンスルホン酸一水和物5.16g(27.08mmol)を加え、100℃で12時間攪拌した。1H−NMRより、フェニルアセトアルデヒドジメチルアセタールの93%がアセタール化合物(c−1)に変換したのを確認した。減圧留去により未反応原料を除去した後、塩化アセチル27.63g(351.95mmol)を加え、50℃にて1.5時間攪拌した(工程(A))。1H−NMRにより、アセタール化合物(c−1)の消失を確認した。反応液を25℃まで戻した後、トリエチルアミン41.09g(406.10mmol)を滴下し、滴下終了後、95℃にて2時間攪拌した(工程(B))。25℃まで放冷後、飽和塩化アンモニウム水溶液200mlを加えて攪拌し、水層を除去した。続いて蒸留水200mLで有機層を洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターで溶媒を除去した。次いで粗生成物から減圧留去によりエステル化合物(c−3)を除去することで、42.13g(200.34mol)のビニルエーテル(V−4)を得た。ビニルエーテル(V−4)の収率は74%であり、ガスクロマトグラフィーにより求めた純度は97.2%であった。1H−NMRより、得られたビニルエーテル(V−4)のE体とZ体の比率はE:Z=53:47であった。
ディーンスターク管を備えたフラスコ内に4−シアノフェノール60.0g(503.69mmol)、パラアルデヒド44.41g(336.0mmol)、カンファースルホン酸0.59g(2.52mmol)、トルエン100gを加え、2時間還流を行った。その後、1時間毎にパラアルデヒド5gを添加する工程を3回行うことで、合計5時間還流した(工程(C))。1H−NMRより、92%の4−シアノフェノールがアセタール化合物(d−1)に変換し、8%が未反応のまま存在することを確認した。反応液を50℃まで放冷した後、塩化ラウロイル66.11g(302.21mmol)を加え、50℃にて1時間攪拌した(工程(A))。1H−NMRにより、アセタール化合物(d−1)の消失を確認した。反応液を25℃まで戻した後、トリエチルアミン45.87g(453.32mmol)を滴下し、滴下終了後、95℃にて2時間攪拌した(工程(B))。25℃まで放冷後、飽和塩化アンモニウム水溶液200mlを加えて攪拌し、水層を除去した。続いて蒸留水200mLで有機層を洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターで溶媒を除去した。この時点でガスクロマトグラフィーによる分析を行ったところ、4−シアノフェノールに由来するピークは確認されなかった。次いで粗生成物を蒸留により精製したところ、23.40g(161.18mmol)のビニルエーテル(V−5)を得た。ビニルエーテル(V−5)の収率は64%であり、ガスクロマトグラフィーにより求めた純度は99.4%であった。
ディーンスターク管を備えたフラスコ内にベンジルアルコール82.61g(763.90mmol)、3−フェニルプロパナール50.0g(372.63mmol)、カンファースルホン酸0.87g(3.73mmol)、ヘキサン120gを加え、4時間還流を行った(工程(C))。1H−NMRより、94%の3−フェニルプロパナールがアセタール化合物(e−1)に変換したことを確認した。反応液を50℃まで放冷した後、塩化アセチル40.95g(521.68mmol)を加え、50℃にて1時間攪拌した(工程(A))。1H−NMRにより、アセタール化合物(e−1)の消失を確認した。反応液を25℃まで戻した後、トリエチルアミン79.18g(782.52mmol)を滴下し、滴下終了後、95℃にて2時間攪拌した(工程(B))。25℃まで放冷後、飽和塩化アンモニウム水溶液300mlを加えて攪拌し、水層を除去した。続いて蒸留水300mLで有機層を洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターで溶媒を除去した。この時点でガスクロマトグラフィーによる分析を行ったところ、ベンジルアルコールに由来するピークは確認されなかった。次いで粗生成物から減圧留去によりエステル化合物(e−3)を除去することで、63.52g(283.20mol)のビニルエーテル(V−6)を得た。ビニルエーテル(V−6)の収率は76%であり、ガスクロマトグラフィーにより求めた純度は97.6%であった。1H−NMRより、得られたビニルエーテル(V−6)のE体とZ体の比率はE:Z=57:43であった。
シクロヘキサンカルボキシアルデヒドジエチルアセタール80g(429.44mmol)に臭化アセチル63.36g(515.33mmol)を加え、50℃にて1時間攪拌した(工程(A))。1H−NMRにより、シクロヘキサンカルボキシアルデヒドジエチルアセタールの消失を確認した。減圧留去により、生成した酢酸エチルを除去した後、トリエチルアミン78.22g(773.00mmol)を滴下し、滴下終了後、95℃にて2時間攪拌した(工程(B))。25℃まで放冷後、飽和塩化アンモニウム水溶液300mlを加えて攪拌し、水層を除去した。続いて蒸留水300mLで有機層を洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターで溶媒を除去した。次いで粗生成物を蒸留により精製することで、43.36g(309.20mol)のビニルエーテル(V−7)を得た。ビニルエーテル(V−7)の収率は72%であり、ガスクロマトグラフィーにより求めた純度は99.1%であった。
イソブチルアルデヒドジベンジルアセタール40g(147.95mmol)に塩化ラウロイル35.60g(162.75mmol)を加え、50℃にて2時間攪拌した(工程(A))。1H−NMRにより、イソブチルアルデヒドジベンジルアセタールの消失を確認した。反応液を25℃まで戻した後、トリエチルアミン24.70g(244.13mmol)を滴下し、滴下終了後、95℃にて2時間攪拌した(工程(B))。25℃まで放冷後、飽和塩化アンモニウム水溶液200mlを加えて攪拌し、水層を除去した。続いて蒸留水200mLで有機層を洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターで溶媒を除去した。次いで粗生成物を蒸留により精製することで、16.56g(102.09mol)のビニルエーテル(V−8)を得た。ビニルエーテル(V−8)の収率は69%であり、ガスクロマトグラフィーにより求めた純度は99.3%であった。
Claims (12)
- 下記一般式(1)で表される化合物と、下記一般式(2)で表される化合物とを反応し、下記一般式(3)で表される化合物を得る工程(A)と、下記一般式(3)で表される化合物と、下記一般式(4)又は下記一般式(5)で表される化合物とを反応し、下記一般式(6)で表されるビニルエーテル化合物を得る工程(B)とを含む、ビニルエーテル化合物の製造方法。
R3はアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
R4は、アルキル基、アルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
R5、R6及びR7は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。R5、R6及びR7の内の2つが互いに連結して環を形成してもよい。
Xはハロゲン原子を表す。
R8は一価の置換基を表す。
n1は0〜4の整数を表す。 - 前記工程(A)及び工程(B)を、同一反応容器内で一括して行う、請求項1又は2に記載のビニルエーテル化合物の製造方法。
- 前記工程(C)、前記工程(A)及び前記工程(B)を、同一反応容器内で一括して行う、請求項2に記載のビニルエーテル化合物の製造方法。
- R1、R2及びR3の炭素数の総和が7以上である、請求項1〜4のいずれか1項に記載のビニルエーテル化合物の製造方法。
- 前記一般式(1)〜(3)及び(6)において、R1及びR2の炭素数の総和が2以下であり、R3の炭素数が7以上であり、かつ、R4の炭素数が7以上である、請求項1〜4のいずれか1項に記載のビニルエーテル化合物の製造方法。
- 前記一般式(1)〜(3)において、R1及びR2の炭素数の総和が6以上であり、かつ、R4の炭素数が3以下である、請求項1〜4のいずれか1項に記載のビニルエーテル化合物の製造方法。
- 前記工程(A)及び前記工程(B)の各々において、反応溶媒として炭化水素系溶媒を使用する、請求項1〜8のいずれか1項に記載のビニルエーテル化合物の製造方法。
- 前記工程(A)及び前記工程(B)において、同じ反応溶媒を使用する、請求項1〜9のいずれか1項に記載のビニルエーテル化合物の製造方法。
- 前記工程(C)において、反応溶媒として炭化水素系溶媒を使用する、請求項2〜10のいずれか1項に記載のビニルエーテル化合物の製造方法。
- 前記工程(C)、前記工程(A)及び前記工程(B)において、同じ反応溶媒を使用する、請求項2〜11のいずれか1項に記載のビニルエーテル化合物の製造方法。
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