JP2013533388A - 改善されたガス流のためのシャワーヘッド支持構造 - Google Patents
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Abstract
本発明の実施形態は、概して処理チャンバ内でガス分散シャワーヘッドを支持するための装置及び方法を提供する。一実施形態では、真空チャンバ用ガス分散シャワーヘッドが提供される。ガス分散シャワーヘッドは、第１面と、第１面と反対側の第２面とを有する本体であって、複数のガス流路が本体を貫通して形成され、ガス流路は第１面内に形成された第１穴を含み、第１穴は第２面内に形成された第２穴に規制オリフィスによって流体結合される本体と、ガス流路の少なくとも１つの第１穴内に形成されているサスペンション構成を含む。
Description
（発明の分野）
本発明の実施形態は、概してプラズマチャンバ内のガス分散シャワーヘッドを支持することに関する。具体的には、本発明は、ガス分散シャワーヘッドを通してチャンバにガスを供給することに関する。
本発明の実施形態は、概してプラズマチャンバ内のガス分散シャワーヘッドを支持することに関する。具体的には、本発明は、ガス分散シャワーヘッドを通してチャンバにガスを供給することに関する。
（関連技術の説明）
プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）は、ガス分散シャワーヘッドを介して処理ガスを処理チャンバに導入する蒸着法である。シャワーヘッドは、電気的にバイアスが掛けられ、処理ガスを点火してプラズマにする。シャワーヘッドに対向してあるサセプタは、電気的に接地され、陽極として機能する。シャワーヘッドとサセプタの間の処理空間に処理ガスが流れ込むように、シャワーヘッドは処理ガスを広げる。
プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）は、ガス分散シャワーヘッドを介して処理ガスを処理チャンバに導入する蒸着法である。シャワーヘッドは、電気的にバイアスが掛けられ、処理ガスを点火してプラズマにする。シャワーヘッドに対向してあるサセプタは、電気的に接地され、陽極として機能する。シャワーヘッドとサセプタの間の処理空間に処理ガスが流れ込むように、シャワーヘッドは処理ガスを広げる。
ＰＥＣＶＤは近年、大面積基板上に材料を堆積させる用途に人気がある。大面積基板は、約１平方メートルを超える表面積を有する場合がある。大面積基板は、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）、太陽電池パネル、有機発光ディスプレイ（ＯＬＥＤ）、及び他のアプリケーションに使用することができる。これらのプロセスでは、大面積基板は３００℃程度から４００℃以上の温度にさらされ、堆積層の均一性を確保するために、堆積中にシャワーヘッドに対して固定された位置に保持する必要がある。
シャワーヘッドは、一般的に処理ガスを分散するように適合された大面積基板上に離間関係を保って支持される多穴板であり、典型的には、被処理基板と実質的に同じ面積を有する。シャワーヘッドは、一般的にアルミニウムで作られており、ＰＥＣＶＤプロセス中の温度に耐えながら、膨張と収縮を受ける。シャワーヘッドは、基板とシャワーヘッドの間の処理空間を維持するために、一般的に端部の周囲及び中心で支持される。しかしながら、典型的な中心支持方式は、シャワーヘッドを通るガス流に影響を与える。ガス流が堆積中にシャワーヘッドを通して十分に分散されていない場合、処理は基板上に均一な堆積を生成しない可能性があり、これは使用不可能な大面積基板をもたらす可能性がある。
したがって、必要とされているものは、基板とガス分散シャワーヘッドの間の処理空間を維持し、ガス分散シャワーヘッドを通るガス流を妨げないガス分散シャワーヘッドを支持するための装置及び方法である。
本発明は、概して真空チャンバ内のガス分散シャワーヘッドを支持するための方法及び装置に関する。一実施形態では、第１面と、第１面と反対側の第２面とを有する本体であって、複数のガス流路が本体を貫通して形成され、ガス流路は第１面内に形成された第１穴を含み、第２面内に形成された第２穴に規制オリフィスによって流体結合される本体と、ガス流路の少なくとも１つの第１穴内に形成されているサスペンション（懸架）構成を含む。
別の一実施形態では、真空チャンバ用ガス分散シャワーヘッドが提供される。ガス分散シャワーヘッドは、バッキングプレートに対向する第１面と、第１面と反対側の第２面とを有する本体であって、複数のガス流路が第１面と第２面の間に形成され、複数のガス流路の各々は第１面内に形成された第１穴を有し、第１穴は第２面内に形成された第２穴に規制オリフィスによって流体結合される本体と、塞がったガス流路を形成する複数のガス流路の少なくとも１つの第１穴内に配置されたサスペンションフィッティングと、バッキングプレートと、塞がったガス流路にガス流を供給するガス分散シャワーヘッドの第１面との間の容積と流体連通している代替ガス流路を含む。
別の一実施形態では、真空チャンバが提供される。真空チャンバは、間に中間容積を画定するガス分散シャワーヘッドの近傍に配置されたバッキングプレートを含む。ガス分散シャワーヘッドは、中間容積と流体連通する第１面と、第２面を有する本体であって、複数のガス流路が第１面と第２面の間に形成され、複数のガス流路の各々は第１面内に形成された第１穴を有し、第１穴は第２面内に形成された第２穴に規制オリフィスによって流体結合される本体と、複数のガス流路のうちの少なくとも１つの中に配置された支持部材であって、塞がれた第２穴へのガス流を少なくとも部分的に規制する支持部材と、内部にサスペンションフィッティングを有する複数のガス流路のうちの少なくとも１つにガス流を供給する中間容積と流体連通している代替ガス流路を含む。
別の一実施形態では、基板を処理するための方法が提供される。本方法は、ガス分散シャワーヘッドとバッキングプレートとの間に配置され、複数のガス流路のうちの少なくとも１つへのガス流を遮断する少なくとも１つの支持部材によって、チャンバ内に複数のガス流路を有するガス分散シャワーヘッドを吊るす工程を含む。また本方法は、バッキングプレートとガス分散シャワーヘッドとの間の容積へ処理ガスを流す工程と、複数のガス流路の一部を通って容積からの処理ガスの一部を流す工程と、支持部材によって塞がれた複数のガス流路のうちの少なくとも１つへ代替ガス流路を通して処理ガスの別の一部を流す工程を含む。
本発明の上述した構成を詳細に理解することができるように、上記に簡単に要約した本発明のより具体的な説明を、実施形態を参照して行う。実施形態のいくつかは添付図面に示されている。しかしながら、添付図面は本発明の典型的な実施形態を示しているに過ぎず、したがってこの範囲を制限されていると解釈されるべきではなく、本発明は他の等しく有効な実施形態を含み得ることに留意すべきである。
チャンバの一実施形態の概略側面断面図である。
図１のチャンバの部分拡大断面図である。
図１のチャンバ内で使用することができるバッキングプレートの別の一実施形態の部分断面図である。
図３Ａのバッキングプレートに利用することができるネジ装置の一実施形態の部分拡大断面図である。
ネジ支持部材の一実施形態の側面図である。
図４Ａのネジ支持部材の平面図である。
ネジ装置の別の一実施形態の側面断面図である。
図５Ａに示されるネジ装置の上面図である。
図５Ｂに示されるネジ装置の上面図である。
支持ナットの一実施形態の側面図である。
図６Ａに示される支持ナットの上面図である。
図１のチャンバ内で使用することができるバッキングプレートの一実施形態の平面図である。
ガス分散シャワーヘッドの別の一実施形態を有するチャンバの概略側面断面図である。
図８のガス分散シャワーヘッドの一部の拡大図である。
ガス分散シャワーヘッドの一実施形態の一部の概略平面図である。
〜
ガス分配シャワーヘッドの代替実施形態の概略部分断面図である。
理解を促進するために、図面に共通する同一の要素を示す際には可能な限り同一の参照番号を使用している。また、一実施形態の要素及び構成を更なる説明なしに他の実施形態に有益に組み込んでもよいと理解される。
本発明の実施形態は、一般的に処理チャンバ内のガス分散シャワーヘッドを支持するための装置及び方法を提供する。一実施形態では、ガス分散シャワーヘッドの中央領域に結合された少なくとも１つの支持部材は、ガス分配シャワーヘッドを支持し、重力、高い処理温度、及び負圧のうちの１つ又は組み合わせによって引き起こされる中心のたわみ又は湾曲への抵抗性を促進するように構成され、これによって、ガス分散シャワーヘッド内で所望の水平プロファイルを維持する。所望の水平プロファイルは、一様（例えば、平面）水平プロファイル、凸面水平プロファイル、又は凹面水平プロファイルのうちの少なくとも１つが可能である。所望の水平プロファイルは、少なくとも１つの支持部材が提供する力によって、少なくとも部分的に形成又は維持することができる。本明細書で使用されるようなガス分散シャワーヘッド又はディフューザの水平プロファイルは、該当する図に示されるように、ガス分散シャワーヘッドの断面を指す。本発明は、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ， Ｉｎｃ．）の子会社であるＡＫＴアメリカ社（ＡＫＴ Ａｍｅｒｉｃａ， Ｉｎｃ．）から入手できるＰＥＣＶＤ装置に関連して以下に説明する。本発明は、他のメーカーから入手できる成膜チャンバ及びＰＥＣＶＤ装置を含む他の成膜チャンバでの利用可能性も有することを理解すべきである。
図１は、チャンバ１００の一実施形態の概略側面断面図である。チャンバ１００は、ガラス、ポリマー、又は他の適当な基板で作られた大面積基板１０５の上に回路を製造するためのプラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）プロセスに適している。チャンバ１００は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）又はフラットパネルディスプレイ、太陽電池アレイ用太陽光発電装置、又は他の構造の製造で使用するための大面積基板１０５上に構造及び装置を形成するように構成されている。複数の連続する堆積及びマスキング工程を含むことができる複数のバックチャネルエッチ・インバーテッドスタガー型（ボトムゲート）薄膜トランジスタであることができる。その他の構造は、太陽電池用のダイオードを形成するｐｎ接合を含むことができる。
チャンバ１００は、チャンバ側壁１１０と、底部１１５と、処理中に大面積基板１０５を支持する基板支持部１２０（例えば、サセプタ）を含む。ガス分散シャワーヘッド１４５は、基板支持体１２０及び大面積基板１０５に対向して配置されている。チャンバ１００は、選択的に開閉することにより、大面積基板１０５の搬送及び大面積基板１０５上での堆積プロセスを促進するポート１２５（例えば、スリットバルブ）も有する。チャンバ１００はまた、蓋構造１３０と、バッキングプレート１４０と、ガス分散シャワーヘッド１４５も含む。一実施形態では、蓋構造１３０は、バッキングプレート１４０及びガス分散シャワーヘッド１４５を支持する。一実施形態では、バッキングプレート１４０の内面１４６及びチャンバ側壁１１０の内面１４７は、可変圧力領域１４８を境界づける。一態様では、チャンバ１００は、チャンバ側壁１１０と、底部１１５と、可変圧力領域１４８を境界づけるバッキングプレート１４０を含む本体を備えている。バッキングプレート１４０は、バッキングプレート１４０及び蓋構造１３０が互いに接触することができる界面において、適当なＯリングによってその周囲を封止されている。チャンバ１００に結合された真空ポンプによって負圧が提供される場合に、Ｏリングは可変圧力領域１４８を封止するのみならず、電気的な絶縁を促進する。
一実施形態では、ガス分散シャワーヘッド１４５は、１以上の中央支持部材１５０によってその中央部において、バッキングプレート１４０によって支持されている。１以上の中央支持部材１５０は、ガス分散シャワーヘッド１４５の中央領域において、ガス分散シャワーヘッド１４５の支持を促進し、これによってガス分散シャワーヘッド１４５の水平プロファイルを制御し、ガス分散シャワーヘッド１４５が、熱、重力、及び真空のうちの１つ又は組み合わせによって垂下する又はたわむ傾向を緩和する。ガス分散シャワーヘッド１４５はまた、柔軟なサスペンション１５５によってその境界で支持することもできる。柔軟なサスペンション１５５は、その縁からガス分散シャワーヘッド１４５を支持し、ガス分散シャワーヘッド１４５の横方向の伸縮を可能にするように適合されている。柔軟なサスペンションは、２００２年１１月１２日に発行された米国特許第６４７７９８０号に、「プラズマチャンバ用の柔軟な吊り下げガス分配マニホルド（Ｆｌｅｘｉｂｌｙ Ｓｕｓｐｅｎｄｅｄ Ｇａｓ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ Ｍａｎｉｆｏｌｄ ｆｏｒ Ａ Ｐｌａｓｍａ Ｃｈａｍｂｅｒ）」の名称で開示されており、参照により本明細書に組み込まれる。
チャンバ１００は、ガス源及びプラズマ源１６５に結合されているガス導入口１６０に結合される。プラズマ源１６５は、直流電源、高周波（ＲＦ）電源、又はリモートプラズマ源が可能である。ＲＦ電源は、チャンバ１００に誘導又は容量結合することができる。ガス導入口１６０は、バッキングプレート１４０とガス分散シャワーヘッド１４５の間に画定された中間領域１７０に穴１６２を通して、ガス源からの処理ガス又は洗浄ガスを供給する。操作の一例では、チャンバ１００の内部を真空ポンプによって適切な圧力まで減圧したのと同時に、処理ガスをガス源から供給する。バッキングプレート１４０とガス分散シャワーヘッド１４５の間に画定された中間領域１７０へガス導入口１６０を通って１以上の処理ガスが流れる。その後、１以上の処理ガスは、中間領域１７０から、ガス分散シャワーヘッド１４５を貫通して形成された複数の開口部又はガス流路１７５を通って、ガス分散シャワーヘッド１４５の下及び基板支持体１２０上の領域内に画定された処理領域１８０へと流れる。
大面積基板１０５は、ガス分散シャワーヘッド１４５に向かって基板支持体１２０を移動することによって、搬送位置から処理領域１８０まで持ち上げられる。処理領域１８０の高さは、ガス分散シャワーヘッド１４５の下面と基板支持体１２０の基板受け入れ面１９０の間の間隔に基づいてプロセスパラメータとして変化させてもよい。基板支持体１２０は、基板支持体１２０に結合された又は基板支持体１２０内に配置されたインテグラルヒーター（例えば、加熱コイル又は抵抗加熱器）によって加熱されてもよい。
プラズマは、チャンバ１００に結合されたプラズマ源１６５によって、処理領域１８０内に形成することができる。プラズマ励起されたガスがその上に堆積され、大面積基板１０５上に構造を形成する。一実施形態では、基板支持体１２０は接地電位にあり、処理領域１８０内におけるプラズマ形成を促進する。プラズマはまた、他の手段（例えば、熱誘導プラズマ）によって、チャンバ１００内に形成することもできる。本実施形態では、プラズマ源１６５はガス導入口１６０に結合されて示されているが、プラズマ源１６５は、ガス分散シャワーヘッド１４５又はチャンバ１００の他の部分に結合することもできる。
ガス分散シャワーヘッド１４５は、導電性材料から作られ又は導電性材料で被覆され、ガス導入口１６０又は他の接続を介してプラズマ源１６５に結合され、これによってチャンバ１００内で第１電極として機能することができる。ガス分散シャワーヘッド１４５用に選択される材料は、鋼、チタン、アルミニウム、又はそれらの組み合わせを含むことができ、表面は研磨される又は陽極酸化されることができる。ガス分散シャワーヘッド１４５は、第１又は上面１８５Ａと、第２又は下面１８５Ｂを含むことができる。一実施形態では、上面１８５Ａと下面１８５Ｂは、断面が実質的に平行である。別の一実施形態では、上面１８５Ａと下面１８５Ｂの少なくとも一方は、断面が凹面を画定するように湾曲していてもよい。別の一実施形態では、上面１８５Ａと下面１８５Ｂの少なくとも一方は、凸面を画定するように湾曲している。別の一実施形態では、上面１８５Ａと下面１８５Ｂの少なくとも一方が非平行である。一実施形態では、ガス分散シャワーヘッド１４５は、その周縁部で厚く、中央部で薄い厚さ又は断面寸法を含み、皿形又は「ひしゃく形」の下面１８５Ｂを形成してもよい。この実施形態では、少なくとも上面１８５Ａは、実質的に平面又は一様である。したがって、ガス分散シャワーヘッド１４５の中心部に対してガス分散シャワーヘッド１４５の周縁部でより厚い断面寸法は、基板支持体１２０の水平プロファイルに対して凹形の所望の水平プロファイルを形成する。別の一実施形態では、基板支持体１２０の基板受け入れ面１９０は、実質的に平面であり、ガス分散シャワーヘッド１４５の下面１８５Ｂは、基板受け入れ面１９０に対して凹形である。
図２は、図１のチャンバ１００の部分拡大断面図である。バッキングプレート１４０は、貫通して延在する複数の開口部（例えば、第１開口部２０５Ａ及び１以上の第２開口部２０５Ｂ）を含む。一実施形態では、第１開口部２０５Ａは、ガス導入口１６０を受け入れるように適合され、１以上の第２開口部２０５Ｂは、それぞれの中央支持部材１５０を受け入れるように構成されている。一実施形態では、第１の開口部２０５Ａは、バッキングプレート１４０の実質的な幾何学的中心に位置しているが、第１開口部２０５Ａは、他の場所に位置していてもよい。カバープレート１３５が使用される実施形態では、カバープレート１３５は貫通穴２１０Ａ及び２１０Ｂを含み、それぞれガス導入口１６０及び中央支持部材１５０を受け入れる。
一実施形態では、中央支持部材１５０の各々は、例えば、サスペンションフィッティング２２０などの第２支持部材に着脱自在に結合された第１支持部材２１５を含む。第１支持部材２１５は、任意の適切な方法（はめ合い差し込み留め具、はめ合いネジ部、はめ合い４分の１回転留め具など）でサスペンションフィッティング２２０に着脱自在に結合することができる。図２に示される実施形態では、ネジ支持部材２１５は、その第１端部にシャフト２３０を、その第２端部にネジ部２３５を含む。ネジ部２３５は、支持ナット２２５に結合するように適合されている。支持ナット２２５は、ネジ部２３５とバッキングプレート１４０の上面２４５に対して回転するように適合されている。サスペンションフィッティング２２０は、ガス分散シャワーヘッド１４５の本体内に、又は本体上に形成されたサスペンション構成２２２内で、ガス分散シャワーヘッド１４５に、固定、溶接、接着、又は圧入することができる。サスペンション構成２２２は、ガス分散シャワーヘッド１４５の主面上の取り付け穴又は構造体であってもよく、サスペンションフィッティング２２０に加わる力によって、ガス分散シャワーヘッド１４５が通常上方に引かれるように、サスペンションフィッティング２２０がガス分散シャワーヘッド１４５と嵌合することを可能にする。サスペンションフィッティング２２０によってガス分散シャワーヘッド１４５に印加される力は、単にガス分散シャワーヘッド１４５に作用する重力を相殺することができる。サスペンションフィッティング２２０は、キーを掛けることができる、又はガス分散シャワーヘッド１４５内に形成されたサスペンション構成２２２内に配置されたスロット又はネジと係合するネジを含むことができる。サスペンションフィッティング２２０はまた、ガス分散シャワーヘッド１４５内に形成されているサスペンション構成２２２と結合する差し込み留め具、バヨネットマウント又はその他の４分の１回転マウントインターフェースの一部を含むことができる。サスペンション構成２２２は、上記のようにサスペンションフィッティング２２０とかみ合う対応する基板で構成される。
バッキングプレート１４０は、ガス分散シャワーヘッド１４５よりも断面が相対的に厚い。ガス分散シャワーヘッド１４５は、ガス分散シャワーヘッド１４５内の相対的な厚さと穿穴のため、バッキングプレート１４０よりも柔軟である。バッキングプレート１４０は、ガス分散シャワーヘッド１４５よりも堅くなるように構成されており、このため重力、真空、熱などの力による影響はより少ない。バッキングプレート１４０は、これらの力に起因して歪む場合もあるが、ガス分散シャワーヘッド１４５によって経験可能なほどではない。したがって、ガス分散シャワーヘッド１４５は、前述の力に起因するいくつかの変形が発生する場合があるが、変形はバッキングプレート１４０の剛性によって効果的に制限される。こうして、ガス分散シャワーヘッド１４５及び／又はバッキングプレート１４０内のたわみ又は変形を予め定め、所定と支持ナット２２５の調整によって相殺することができる。
支持ナット２２５はまた、バッキングプレート１４０の上面２４５の上又は近傍の表面にも接触している。バッキングプレート１４０の表面に対する支持ナット２２５の回転は、バッキングプレート１４０に対してシャフト２３０、サスペンションフィッティング２２０、及びガス分散シャワーヘッド１４５を上下動させ、こうしてガス分散シャワーヘッド１４５の水平プロファイルを制御する。一実施形態では、シャフト２３０の第１端部は、ネジ支持部材２１５及びサスペンションフィッティング２２０の結合及び分離を促進する連結機構２４０を備える。キャップ２５０が支持ナット２２５の各々の上に配置され、第２開口部２０５Ｂの周囲の真空封止を促進する。カバープレート１３５が使用される実施形態では、キャップ２５０は、バッキングプレート１４０の上面２４５とカバープレート１３５の間の空間に配置された管状導管２５５を含む。一実施形態では、キャップ２５０は、カバープレート１３５に結合された又は留め具２６５によってバッキングプレート１４０に直接結合された（図示せず）クランプ部２６０を含む。クランプ部２６０は、キャップ２５０とカバープレート１３５の間、又はキャップ２５０とバッキングプレート１４０の間（図示せず）で、シール２７０を圧縮する。
図３Ａは、バッキングプレート１４０の別の一実施形態の部分断面図である。この実施形態では、中央支持部材１５０の支持ナット２２５は、バッキングプレート１４０の上面２４５に形成された凹部３０５内に配置されている。支持ナット２２５は、シャフト２３０のネジ部３１０及び凹部３０５の表面に対して回転させることができる。摩擦低減材料でできたワッシャー（図示せず）を、凹部３０５の表面と支持ナット２２５の間に配置してもよい。ワッシャーは、チャンバの真空封止を促進するためのシールとして機能させることもできる。支持ナット２２５の回転は、他の中央支持部材１５０と連動して、ガス分散シャワーヘッド１４５の水平プロファイルを制御する、ガス分散シャワーヘッド１４５に印加される局所的な力を促進する。この実施形態では、キャップ２５０は、凹部３０５を封止するようにバッキングプレート１４０に直接結合されて示されている。
中央支持部材１５０の連結機構２４０は、この図でより明確に示されている。一態様において、連結機構２４０は、サスペンションフィッティング２２０内に形成された各スロット３２５と嵌合するシャフト２３０の先端上に配置された１以上のキー３２０を含む取り外し可能なインターフェースを提供するスロット／キー装置を備えている。連結機構２４０は、ネジ支持部材２１５が回転することを可能にし、これによってバッキングプレート１４０からのネジ支持部材２１５の除去を提供するサスペンションフィッティング２２０と結合及び分離する。更に、連結機構２４０は、中央支持部材１５０が設置され、引っ張られるときに、サスペンションフィッティング２２０とネジ支持部材２１５の間のわずかな動きを可能にするように構成される。ガス分散シャワーヘッド１４５が処理に使用され、ガス分散シャワーヘッド１４５がおよそ周囲温度（例えば、約２５℃）から約３５０℃〜約４５０℃の間の温度を経験し、ディフューザの材料に依存して、ガス分散シャワーヘッド１４５の部分は、処理サイクルの間、膨張と収縮を受ける可能性がある。ガス分散シャワーヘッド１４５は、熱膨張及び収縮による横移動を受ける可能性があるので、連結機構２４０によって提供されるクリアランス空間又は「スロップ」は、ネジ支持部材２１５とサスペンションフィッティング２２０の間でわずかな動きが起こるのを可能にする。したがって、この動きは、ネジ支持部材２１５に作用し、ネジ支持部材２１５を壊したり曲げたりする可能性のあるせん断力を防止又は最小限に抑えることができる。
この実施形態では、第２開口部２０５Ｂは、バッキングプレート１４０の内面１４６に隣接して拡張部３３０を含む。ガス分散シャワーヘッド１４５は膨張と収縮から横移動を受ける可能性があるので、拡張部３３０によって、中央支持部材１５０のためのクリアランスは、干渉することなく動くことができる。したがって、連結機構２４０及び拡張部３３０の一方又は両方によって、ガス分散シャワーヘッド１４５により発生したすべての膨張又は収縮に応じて、ガス分散シャワーヘッド１４５の部分の横方向の動きが許容される。一実施形態では、連結機構２４０及び／又は拡張部３３０は、ガス分散シャワーヘッド１４５の部分の動きを約０．２５インチ〜約０．５インチの間で許容する。図示されていないが、シール（例えば、Ｏリング又はベローズなど）を、シャフト２３０の外周面と第２開口部２０５Ｂの表面との間に設置してもよく、これによってバッキングプレート１４０に対してネジ支持部材２１５の相対運動を許容しながら、真空封止を促進する。
この実施形態では、連結機構２４０は、オスメスのはめ合いインターフェースとして構成されているサスペンションフィッティング２２０の上部を含み、一方、シャフト２３０の下部は、オスのはめ合いインターフェースとして適合される。別の一実施形態（図示せず）では、連結機構２４０は反転され、シャフト２３０の下部がメスのはめ合いインターフェースを含み、一方、サスペンションフィッティング２２０の上部は、オスのはめ合いインターフェースを含んでもよい。
図３Ｂは、ガス分散シャワーヘッド１４５内に配置されたサスペンションフィッティング２２０の一実施形態の拡大断面図である。一実施形態では、ガス分散シャワーヘッド１４５は、ガス分散シャワーヘッド１４５の上面１８５Ａから下面１８５Ｂまで延在する第１穴３３５を有する複数のガス流路１７５を含む。第１穴３３５は、第１穴３３５に流体結合された少なくとも１つの第２穴３４０に結合されている。第２穴３４０は、円錐又は錐台の形にフレア形成できる。いくつかの実施形態では、第１穴３３５及び第２穴３４０は、第１穴３３５及び第２穴３４０の直径未満の直径を有する規制オリフィス３４５によって結合されている。
サスペンションフィッティング２２０は、第１穴３３５の直径よりも大きい直径を有するが、隣接する第１穴３３５間のピッチ又は距離よりも小さい拡大された第２穴３５０内に配置されている。このように、壁３５２は、隣接する第１穴３３５と拡大された第２穴３５０の間に維持され、サスペンションフィッティング２２０のネジ部３５４が、ガス分散シャワーヘッド１４５内に形成されたネジに嵌合するように結合することを可能にする。一態様では、サスペンションフィッティング２２０の使用は、ガス分散シャワーヘッド１４５内に２種類のガス流路１７５（例えば、サスペンションフィッティングの存在によって塞がれる第１タイプと、塞がれない第２タイプ）を作る。したがって、サスペンションフィッティング２２０を含まないガス流路１７５は、中間領域１７０から処理領域１８０まで塞がれないガスの流れを提供し、一方、内部にサスペンションフィッティング２２０を配置したガス流路１７５を通るガス流は、サスペンションフィッティング２２０の存在によって、少なくとも部分的に塞がれる可能性がある。内部にサスペンションフィッティング２２０を配置した塞がれたガス流路１７５にガスを供給するために、サスペンションフィッティング２２０は、縦穴（長手穴）３５５を含む。縦穴３５５は、サスペンションフィッティング２２０の長手軸に沿って又は実質的に平行に形成される。縦穴３５５は、中間領域１７０からサスペンションフィッティング２２０を介して第２穴３５０へ、及び規制オリフィス３４５を介して処理領域１８０へとガスが流れることを可能にする代替ガス流路として適合される。ガスは、シャフト２３０の周囲の中間領域１７０から、縦穴３５５と流体連通しているサスペンションフィッティング２２０内に形成されたギャップ３６０（破線で示す）を通って流れることができる。
図４Ａは、ネジ支持部材２１５の一実施形態の側面図である。ネジ支持部材２１５は、一実施形態では、円形の断面を含む支持体４０５を含む。支持体４０５は、第１端部４１５に支持体４０５から半径方向外側に延びる１以上のキー部分４１０と、第１端部４１５の反対側の第２端部４２０上にネジ部２３５を含む。第１端部４１５の少なくとも一部は、サスペンションフィッティング２２０内に挿入される大きさに作られ（図２〜図３Ｂ）、一方ネジ部２３５は、支持ナット２２５によって受け入れられるように適合される（図２及び図３Ａ）。一実施形態では、第１端部４１５は、ベベル又は半径であることが可能なテーパ４２５を含み、これによってサスペンションフィッティング２２０内への挿入を促進する。第２端部４２０もまた、ツールインターフェース４３０を含むことができ、これによって支持ナット２２５を締め付ける及び／又は緩める際に使用されるネジ支持部材２１５の回転制御を促進する。ツールインターフェース４３０は、他の種類のスクリュードライブ構成の中でも、六角キー、四角キー、ＴＯＲＸ（商標名）レンチ用に適合されたメス型開口部であることが可能である。
図４Ｂは、図４Ａのネジ支持部材２１５の平面図である。キー部４１０は、サスペンションフィッティング２２０の内部チャネル内に挿入され回転するような大きさの外径４３５などの外形寸法を含む。
図５Ａは、内部にネジ支持部材２１５のシャフト２３０（破線で示す）を配置したサスペンションフィッティング２２０の一実施形態の側面断面図である。サスペンションフィッティング２２０は、ネジ部３５４に先細となっている概して円形形状の支持体５０５を含む。支持体５０５は、内部チャネル５１５を含む中央開口部５１０を含む。内部チャネル５１５は、中央開口部５１０の表面と中央開口部５１０の直径の一部を取り囲むリップ５２０によって少なくとも部分的に含まれている。一実施形態では、ネジ部３５４は、第１嵌合機構（例えば、オスの嵌合機構）を含み、一方中央開口部５１０及びリップ５２０は、ネジ支持部材２１５の第１端部４１５を受け入れるように適合された第２嵌合機構（例えば、メスの嵌合機構）を含む。ネジ支持部材２１５の第１端部４１５は、内部チャネル５１５内で回転するように適合される。一実施形態では、中央開口部５１０を境界とするリップ５２０は、ネジ支持部材２１５のキー部４１０を受け入れ嵌合するように適合された溝付きレセプタクル５５５を含む。
支持体５０５はまた、ネジ支持部材２１５のキー部４１０用の止め具として機能する、及び／又は設置後にネジ支持部材２１５の回転を制限するように構成された少なくとも１つのピン５２５（図５Ｂには２つ図示されている）も含む。図示のようにピン５２５は、長手方向に配置することができる、又はピンは、サスペンションフィッティング２２０の長手軸に垂直な支持体５０５に結合することができる。支持体５０５の中央は、シャフト２３０の一部を受け入れるように適合された中央開口部５１０を含む。この実施形態では、ネジ支持部材２１５のシャフト２３０は固定位置にあり、これによってキー部４１０はサスペンションフィッティング２２０のリップ５２０と接触しており、バッキングプレート１４０からのガス分散シャワーヘッド１４５の支持を促進する（両者は、図１〜図３Ａに図示される）。キー部４１０と同様の少なくとも１つの特徴を含むツールが中央開口部５１０に挿入され、これによってガス分散シャワーヘッド１４５上にサスペンションフィッティング２２０を設置する際に、サスペンションフィッティング２２０の回転及び締め付けを促進することもできる。
一実施形態では、中央開口部５１０は、内部チャネル５１５から縦穴３５５に向かって円錐形の凹部又はテーパ面５３０を含む。テーパ面５３０は、サスペンションフィッティング２２０内における制約を減らし、ガスが流通するのを促進するように構成されている。一実施形態では、シャフト２３０及びテーパ面５３０の下に含まれている容積は、サスペンションフィッティング２２０内のチャンバ（室）５３５を含む。
一実施形態では、支持体５０５は、その第１端部に頭部５４０を、その第２端部にネジ部３５４を含む。頭部５４０は、ネジ部３５４の直径に対してより大きい寸法又は直径を含む。一実施形態では、頭部５４０は第１の直径を含み、ネジ部３５４は、第１の直径よりも小さい第２の直径を含む。一態様では、頭部５４０とネジ部３５４は、切頭円錐表面（例えば、外側テーパー５４５）によって結合されている。頭部５４０は、中央開口部５１０及び内部チャネル５１５を含み、一方ネジ部３５４は、縦穴３５５を含む。一実施形態では、内部チャネル５１５は、テーパ面５３０によって縦穴３５５に直接連結されている円形の内径５５０を含む。一態様では、徐々に減少する直径を有する流路は、円形の内径５５０、テーパ面５３０、及び縦穴３５５のうちの１つ又は組み合わせによってサスペンションフィッティング２２０内に含まれる。
図５Ｂは、図５Ａに示されるサスペンションフィッティング２２０の上面図である。キー部４１０は、リップ５２０の下に点線で示されており、ネジ支持部材２１５はサスペンションフィッティング２２０と固定した位置にある。シャフト２３０と対向するギャップ３６０は、サスペンションフィッティング２２０のテーパ面５３０の一部を露出して示されている。ギャップ３６０は、中間領域１７０（図１〜図３Ａ）からガスがサスペンションフィッティング２２０の縦穴３５５を通って処理領域１８０（図１〜図３Ａ）内へ流れることを可能にする。
図５Ｃは、図５Ｂに示されたサスペンションフィッティング２２０の上面図である。この実施形態では、シャフト２３０は取り外し位置に点線で示されている。シャフト２３０は、キー部４１０がリップ５２０の両側の間の開口部と位置合わせできるように約４５°回転させる。ネジ支持部材２１５は、図５Ｃに示されるように、キー部４１０が揃っているとき、サスペンションフィッティング２２０の中央開口部５１０から取り外すことができる。
図６Ａは、支持ナット２２５の一実施形態の側面図であり、図６Ｂは、図６Ａに示される支持ナット２２５の上面図である。支持ナット２２５は、本体６０５と、下面６１５と上面６２０の間に形成された貫通穴６１０を含む。貫通穴６１０は、ネジ支持部材２１５のネジ部２３５上に形成されたネジを受け入れるように適合された貫通穴６１０の長さ方向に沿って形成されたネジ６２５を含む。支持ナット２２５はネジ部２３５に対して回転するように適合され、これによってバッキングプレート１４０の上面２４５と支持ナットの下面６１５の間で接触が行われた後に、ガス分散シャワーヘッド１４５の支持及び／又は調整を促進する。支持ナット２２５の回転は、手によって及び／又は支持ナット２２５の本体６０５に結合するように適合されたレンチ又は工具によって達成することができる。
一実施形態では、本体６０５は、外径６３０を有する環状部材として構成される。この実施形態では、支持ナット２２５は、本体６０５内に形成された少なくとも２つの開口部６３５を含む。少なくとも２つの開口部６３５は、スパナーレンチなどの工具（図示せず）のための結合点を提供するように適合されている。別の一実施形態では、本体６０５の外面は、少なくとも２つの平坦部、例えば、６つの平坦部６４０（破線で示す）を含み、これによって工具（例えば、六角レンチ又はソケット型工具）との結合を促進する。
図７は、バッキングプレート１４０の一実施形態の平面図である。この実施形態では、中央領域７００は、バッキングプレート１４０上に示されており、中央支持部材のパターン１５０は、中央領域７００内に示されている。中央領域７００は、ガス分散シャワーヘッド１４５のための支持点として決定されたバッキングプレート１４０及びガス分散シャワーヘッド１４５の任意の中央に配置された領域であることができる。ガス分散シャワーヘッド１４５は、この図には示されていないが、典型的にはバッキングプレート１４０の下方に位置しており、バッキングプレート１４０の寸法と実質的に等しい寸法を有している。このように、ガス分散シャワーヘッド１４５は、バッキングプレート１４０内に示される任意の要素が、ガス分散シャワーヘッド１４５と嵌合することを可能にすることができる対応する中央領域７００を有する。
この実施形態では、１２個の中央支持部材１５０が対称パターンで示されているが、複数の中央支持部材１５０は、バッキングプレート１４０の中央領域７００内で任意のパターン、数、及びサイズであってもよい。また、ガス分散シャワーヘッド１４５に供給するガス導入口１６０を受け入れるように適合されたバッキングプレート１４０内の第１開口部２０５Ａも示されている。代替ガス流路７０５も示されており、単独又はガス導入口１６０と組み合わせて、ガス分散シャワーヘッド１４５に処理ガスを供給するために使用することができる。バッキングプレート１４０を通してガスを送るために、追加のガス流路を使用することもできる。
図８は、ガス分散シャワーヘッド８４５の別の一実施形態を有するチャンバ１００の概略側面断面図である。ガス分散シャワーヘッド８４５は、ガス分散シャワーヘッド８４５の本体内に形成された内側ガスバイパス穴８０５Ａ及び外側ガスバイパス穴８０５Ｂを除いて、図１に示されるガス分散シャワーヘッド１４５と実質的に同じである。ガスバイパス穴８０５Ａ、８０５Ｂは、代替ガス流路として適合され、中央支持部材１５０によって遮られたガス流路１７５にガス流を供給する。ガスバイパス穴８０５Ａ、８０５Ｂは、ガス分散シャワーヘッド８４５の本体内に形成された傾斜した横向きの導管であり、バッキングプレート１４０とガス分散シャワーヘッド８４５の間で画定された中間領域１７０から、連結機構２４０に隣接してガス分散シャワーヘッド８４５内に形成された１以上のガス流路１７５へガスを供給する。例えば、ガスバイパス穴８０５Ａ、８０５Ｂは、ガス流路１７５の中心線に対して鋭角に傾斜していてもよい。ガス分散シャワーヘッド８４５は、複数の内側ガスバイパス穴８０５Ａ、複数の外側ガスバイパス穴８０５Ｂ、又はそれらの組み合わせを含むことができる。
図９は、図８のガス分散シャワーヘッド８４５の一部の拡大図である。この実施形態では、複数のガス流路１７５のうちの１つに配置されたサスペンションフィッティング２２０は、図３Ｂ及び図５Ａに示されるような縦穴３５５を含まず、これによって塞がれたガス流路９０５を形成している。ガスバイパス穴８０５Ａ、８０５Ｂの一方又は両方が使用され、これによって塞がれたガス流路９０５の場所の下の領域における処理領域１８０にガス流を供給する。ガスバイパス穴８０５Ａ、８０５Ｂは、中央支持部材１５０によって、具体的にはサスペンションフィッティング２２０によって、少なくとも部分的に塞がれたガス分散シャワーヘッド８４５の領域内にガス分散シャワーヘッド８４５を通してガスの流れを供給するために使用される。ガスバイパス穴８０５Ａ、８０５Ｂは、ガス分配シャワーヘッド８４５の表面９００の平面に対してある角度で配置されている。一実施形態では、角度は、約３０度〜約６０度であり、例えば、約４０度〜約５０度であり、例えば、約４５度である。ガスバイパス穴８０５Ａ、８０５Ｂはまた、ガスバイパス穴８０５Ａ、８０５Ｂが内部に配置された第１穴３３５へ強化されたガスの流れ又はコンダクタンスを提供する１以上の隣接する第１穴３３５を通過する。ガスバイパス穴８０５Ａ、８０５Ｂは、第１穴３３５の直径と実質的に等しい直径を含み、これによって十分なガス流が第１穴３３５に提供される。ガスバイパス穴８０５Ａ、８０５Ｂはまた、塞がれたガス流路９０５の拡大された第２穴３５０の間の領域内において規制オリフィス３４５の上流位置で終了する。ガスバイパス穴８０５Ａ、８０５Ｂを規制オリフィス３４５の上流位置で終了させることによって、塞がれたガス流路９０５へのガス流は、塞がれたガス流路９０５近傍のガス流路１７５への規制オリフィス３４５によるガス流の制御と同様に、大部分は規制オリフィス３４５によって制御することができる。
図１０は、ガス分散シャワーヘッド８４５の一実施形態の一部の概略底面図である。ガス分散シャワーヘッド８４５は、ガス分散シャワーヘッド８４５の本体１０００に仮想線で示されている複数の内側ガスバイパス穴８０５Ａ及び外側ガスバイパス穴８０５Ｂを含む。ガスバイパス穴８０５Ａ、８０５Ｂと交差する拡大された第２穴３５０は、図１０には示されていない。ガスバイパス穴８０５Ａ、８０５Ｂは、ガス分散シャワーヘッド８４５内において実質的に対称なパターンで形成され、これによって（図９に示される）塞がったガス流路９０５に対称なガス流を供給することができる。対称パターンは、図示されたパターンに限定されない。内側ガスバイパス穴８０５Ａは、単独で又は外側ガスバイパス穴８０５Ｂと併せて使用することができる。同様に、外側ガスバイパス穴８０５Ｂは、単独で又は内側ガスバイパス穴８０５Ａと併せて使用することができる。内側ガスバイパス穴８０５Ａ及び外側ガスバイパス穴８０５Ｂは、各サスペンションフィッティング２２０に対応して図示されているが、サスペンションフィッティング２２０当たりのガスバイパス穴８０５Ａ、８０５Ｂの数は、サスペンションフィッティング２２０当たり１未満であってもよい。一実施形態では、複数の内側ガスバイパス穴８０５Ａは、各サスペンションフィッティング２２０と代えてもよい。代替して又は追加して、複数の外側ガスバイパス穴８０５Ｂは、複数の内側ガスバイパス穴８０５Ａ及び／又は各サスペンションフィッティング２２０と代えてもよい。
図１１Ａ及び図１１Ｂは、それぞれガス分配シャワー１１００Ａ及び１１００Ｂの実施形態の概略部分断面図である。図１１Ａは、バッキングプレート１４０及びバッキングプレート１４０に対して凹形の水平プロファイルのガス分散シャワーヘッド１１００Ａの中央領域７００を示している。このように、この実施形態では、ガス分配シャワーヘッド１１００Ａの下面１８５Ｂは非平行であるか、又はバッキングプレート１４０の水平方向に対してくぼんでいる。一実施形態では、第１空間ギャップＧ’は、バッキングプレート１４０の内面１４６とガス分散シャワーヘッド１１００Ａの中央領域７００における上面１８５Ａの間に含まれ、一方第２空間ギャップＧ”は、バッキングプレート１４０の内面１４６とガス分散シャワーヘッド１１００Ａの周縁部における上面１８５Ａの間に含まれる。
第１空間ギャップＧ’は、１以上の中央支持部材１５０（図８Ａ及び図８Ｂには図示せず）を調整することによって調整可能である。中央支持部材１５０の調整は、バッキングプレート１４０から離れるようにガス分散シャワーヘッド１１００Ａ、１１００Ｂを押す、又はバッキングプレート１４０に向かってガス分散シャワー１１００Ａ、１１００Ｂを引くために使用することができ、これによってガス分散シャワー１１００Ａ、１１００Ｂの水平プロファイルを制御することができる。第１空間ギャップＧ’及び第２空間ギャップＧ”は、実質的に同じ又は異なるように維持される又は調整することができる。一実施例では、第１空間ギャップＧ’及び第２空間ギャップＧ”は、実質的に等しい。別の一実施例では、第１空間ギャップＧ’は、第２空間ギャップＧ”より小さくできる。一実施形態では、ガス流路１７５は、ガス分散シャワーヘッド１１００Ａの中心部のガス流路１７５に対して、ガス分散シャワーヘッド１１００Ａの周縁部でより長い。一態様では、ガス流路１７５の各々のフレア穴は、ガス分散シャワーヘッド１１００Ａの中央部で長く、ガス分散シャワーヘッド１１００Ａの中央からガス分散シャワー１１００Ａの周囲へと長さは徐々に増加する。
図１１Ｂは、バッキングプレート１４０及びバッキングプレート１４０に対して凸面水平プロファイルのガス分散シャワーヘッド１１００Ｂの中央領域７００を示している。図示されていないが、第１空間ギャップＧ’及び第２空間ギャップＧ”が、バッキングプレート１４０の内面１４６とガス分散シャワー１１００Ｂの上面１８５Ａの間に含まれている。第１空間ギャップＧ’及び第２空間ギャップＧ”は、図１１Ａを参照して説明したように、維持される又は調整することができる。一実施形態では、第１空間ギャップＧ’と第２空間ギャップＧ”は、実質的に等しい。別の一実施例では、第２空間ギャップＧ”は、第１空間ギャップＧ’より小さいかもしれない。一実施形態では、ガス流路１７５は、ガス分散シャワー１１００Ｂの周囲におけるガス流路１７５に対して、ガス分散シャワーヘッド１１００Ｂの中央においてより長い。一態様では、ガス流路１７５の各々のフレア穴は、ガス分散シャワーヘッド１１００Ｂの中央部で長く、ガス分散シャワーヘッド１１００Ｂの中央からガス分散シャワー１１００Ｂの周囲へと長さは徐々に減少する。
中央支持部材１５０を設置する方法を、図３Ａ〜図５Ｂを参照して説明する。サスペンションフィッティング２２０が、ガス分散シャワーヘッド１４５内の雌ネジに挿入される。ネジ支持部材２１５は、バッキングプレート１４０内の第２開口部２０５Ｂ内に挿入され、キー部４１０は、サスペンションフィッティング２２０内に形成された中央開口部５１０内に係合される。ネジ支持部材２１５は、サスペンションフィッティング２２０内でピン５２５に接触するキー位置４１０によって決定されるサスペンションフィッティング２２０内のロック位置まで約４５°回転される。支持ナット２２５は、ネジ部２３５上に係合され、バッキングプレート１４０の上面２４５に隣接した面と接触するまで回転させることができる。
バッキングプレート１４０の上面２４５に隣接した面に対して配置された支持ナット２２５の相対的な位置は、ガス分散シャワーヘッド１４５の水平プロファイルを制御するために使用することができる。一実施形態では、中央支持部材１５０の支持ナット２２５とバッキングプレート１４０の上面２４５との間の接触は、バッキングプレート１４０の内面１４６とガス分散シャワーヘッド１４５の上面１８５Ａとの間の空間のギャップを維持するために用いることができる。ガス分散シャワーヘッド１４５の中央領域を持ち上げることをユーザーが望む又は意図したプロセスが保証する場合は、支持ナット２２５を更に回転させ、中央領域を持ち上げる及び／又はバッキングプレート１４０に対してガス分散シャワーヘッド１４５の水平プロファイルを変更することができる。このように、必要に応じて、バッキングプレート１４０の内面１４６とガス分散シャワーヘッド１４５の上面１８５Ａとの間の空間のギャップを調整してもよい。また、中央支持部材１５０の支持ナット２２５とバッキングプレート１４０の上面２４５との間の接触によって、処理の間、調整後の空間のギャップを維持することができる。
ガス分散シャワーヘッド１４５のプロファイルを調整する上記の方法は、真空条件下で、又は周囲圧力条件で、実行され、監視され、調整されることが可能である。すべての調整が行われ、ガス分散シャワーヘッド１４５が、所望の水平プロファイルを示すとき、又は既知の変形を見込むように所定の水平プロファイルにあるとき、キャップ２５０を設置することができる。
基板上の二酸化シリコン（ＳｉＯ２）の膜厚を決定するために試験が実施された。本明細書内に記載のチャンバ１００と同様のチャンバを用いて対照試験が行われた。対照試験は、バッキングプレートとガス分散シャワーヘッドの間に支持部材が結合されたガス分散シャワーヘッドを利用し、ガス分散シャワーヘッドのガス流路１７５は、中央支持部材のために犠牲になった。対照試験には、支点として使用するために犠牲にされたガス流路１７５の位置の下の基板上の位置での基板上の堆積物の二次元マッピングが含まれていた。支点のために犠牲になったガス流路１７５の下の基板上の領域における平均膜厚は、中央支持部材の下にはなかった基板上の領域の平均膜厚よりも約２．８％低かった。このように、支持部材のパターンが、基板上で認識可能となった。
本明細書に記載されるような縦穴３５５を有するサスペンションフィッティング２２０を利用した中央支持部材１５０を有するガス分散シャワーヘッド１４５を利用したその他の試験も行った。試験には、中央支持部材１５０の位置の下の位置での基板上のＳｉＯ２膜厚の２次元マッピングが含まれていた。中央支持部材１５０の下の基板の領域は、中央支持部材１５０の下にはなかった基板の領域上の膜厚と実質的に等しい平均ＳｉＯ２膜厚を示した。このように、本明細書に記載されたような縦穴３５５を有するサスペンションフィッティング２２０を用いた中央支持部材１５０は、基板表面全域に亘って膜厚均一性が改善された。
更に、直径０．１０’’、直径０．１２’’、直径０．１４’’の第１穴を有するネジ装置２２０の使用は、膜厚の増加を生み出したが、基板上のパターンが検出される場所での膜厚が変化したことを試験は示した。約０．１４’’の直径の縦穴３５５を有するサスペンションフィッティング２２０の試験は、基板上に認識可能なパターンを示さなかった。
基板とガス分散シャワーヘッドの間の処理空間を維持し、ガス分散シャワーヘッドを通るガスの流れを妨げないガス分散シャワーヘッドを支持するための装置及び方法が記載されている。装置は、ガス分散シャワーヘッド１４５の断面曲率又は水平プロファイルを維持及び／又は操作を提供する１以上の中央支持部材１５０を含む。ガス分散シャワーヘッド１４５は、平面、凸面、又は凹面のうちの１つである水平プロファイルを示すように操作することができる。ガス分散シャワーヘッド１４５の水平プロファイルは、チャンバ内の基板支持体１２０及び／又はバッキングプレート１４０に対して調整することができる。本明細書に記載されるような中央支持部材１５０の実施形態もまた、ガスの流れを妨げず、これによって中央支持部材１５０に隣接する基板の位置での堆積を促進する。
上記は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の他の及び更なる実施形態は本発明の基本的範囲を逸脱することなく創作することができ、その範囲は以下の特許請求の範囲に基づいて定められる。
Claims (17)
- 第１面と、第１面と反対側の第２面とを有する本体であって、複数のガス流路が本体を貫通して形成され、ガス流路は第１面内に形成された第１穴を含み、第１穴は第２面内に形成された第２穴に規制オリフィスによって流体結合される本体と、
ガス流路の少なくとも１つの第１穴内に形成されているサスペンション構成を含む真空チャンバ用ガス分散シャワーヘッド。 - サスペンション構成内に配置されたサスペンションフィッティングを更に含む請求項１記載のガス分散シャワーヘッド。
- ガス分散シャワーヘッドの本体内に形成された規制オリフィスにガス流を供給する、ガス分散シャワーヘッドの第１面上に配置された、容積と流体連通している代替ガス流路を更に含む請求項２記載のガス分散シャワーヘッド。
- 代替ガス流路は、ガス分配シャワーヘッドの本体内に形成された横向き穴を含む請求項３記載のガス分散シャワーヘッド。
- 穴は、ガス分散シャワーヘッドの表面によって画定された水平面に対してある角度で形成されている請求項４記載のガス分散シャワーヘッド。
- 穴は、１以上の隣接するガス流路を少なくとも部分的に通って延在している請求項４記載のガス分散シャワーヘッド。
- 穴は、規制オリフィスの上流の位置で終了している請求項４記載のガス分散シャワーヘッド。
- 代替ガス流路は、サスペンションフィッティング内に少なくとも部分的に形成された縦穴である請求項３記載のガス分散シャワーヘッド。
- サスペンションフィッティングは、オスのはめ合いインターフェースを画定する第１端部にネジ部を有する支持体を含む請求項８記載のガス分散シャワーヘッド。
- サスペンションフィッティングは、メスのインターフェースを画定する支持体の第２端部に溝付きレセプタクルを更に含む請求項９記載のガス分散シャワーヘッド。
- 第１面と、第１面と反対側の第２面とを有する本体であって、複数のガス流路が第１面と第２面の間に形成され、複数のガス流路の各々は第１面内に形成された第１穴を有し、第１穴は第２面内に形成された第２穴に規制オリフィスによって流体結合される本体と、
塞がったガス流路を形成する複数のガス流路の少なくとも１つの第１穴内に配置されたサスペンションフィッティングと、
バッキングプレートと、塞がったガス流路にガス流を供給するガス分散シャワーヘッドの第１面との間の容積と流体連通している代替ガス流路を含む真空チャンバ用ガス分散シャワーヘッド。 - 代替ガス流路は、サスペンションフィッティング内に少なくとも部分的に形成された縦穴である請求項１１記載のガス分散シャワーヘッド。
- サスペンションフィッティングは、オスのはめ合いインターフェースを画定する第１端部にネジ部を有する支持体と、メスのインターフェースを画定する支持体の第２端部に溝付きレセプタクルを含む請求項１２記載のガス分散シャワーヘッド。
- 縦穴は、第１直径よりも小さい第２直径を有するテーパ穴に結合されている第１直径を有する中央開口部を含む請求項１２記載のガス分散シャワーヘッド。
- 代替ガス流路は、ガス分散シャワーヘッドの表面によって画定された水平面に対してある角度で本体内に形成された横向き穴を含む請求項１１記載のガス分散シャワーヘッド。
- 穴は、１以上の隣接するガス流路を少なくとも部分的に通って延在している請求項１５記載のガス分散シャワーヘッド。
- 穴は、規制オリフィスの上流の位置で終了している請求項１６記載のガス分散シャワーヘッド。
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170108994A (ko) * | 2015-02-02 | 2017-09-27 | 아익스트론 에스이 | 대면적 기판을 코팅하기 위한 장치 |
| JP2017538037A (ja) * | 2014-11-20 | 2017-12-21 | アイクストロン、エスイー | 大面積基板コーティング用ｃｖｄ又はｐｖｄ反応炉 |
| JP2018528616A (ja) * | 2015-09-22 | 2018-09-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | シャワーヘッド支持構造 |
| WO2019244790A1 (ja) * | 2018-06-20 | 2019-12-26 | 株式会社アルバック | 真空処理装置、支持シャフト |
| KR20210068803A (ko) * | 2019-12-02 | 2021-06-10 | 주식회사 원익아이피에스 | 샤워헤드조립체 및 이를 포함하는 기판처리장치 |
Families Citing this family (365)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050223986A1 (en) * | 2004-04-12 | 2005-10-13 | Choi Soo Y | Gas diffusion shower head design for large area plasma enhanced chemical vapor deposition |
| US8083853B2 (en) * | 2004-05-12 | 2011-12-27 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by gas diffuser hole design |
| US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
| US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| TWI385272B (zh) * | 2009-09-25 | 2013-02-11 | Ind Tech Res Inst | 氣體分佈板及其裝置 |
| US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
| US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
| DE102011056589A1 (de) * | 2011-07-12 | 2013-01-17 | Aixtron Se | Gaseinlassorgan eines CVD-Reaktors |
| US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| KR101935881B1 (ko) * | 2012-04-26 | 2019-01-08 | 주성엔지니어링(주) | 대면적 기판처리장치, 대면적 가스공급장치 및 샤워 헤드 지지유닛 |
| US9267205B1 (en) * | 2012-05-30 | 2016-02-23 | Alta Devices, Inc. | Fastener system for supporting a liner plate in a gas showerhead reactor |
| US10486183B2 (en) * | 2012-07-27 | 2019-11-26 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for delivering process gases to a substrate |
| US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
| US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US10316409B2 (en) | 2012-12-21 | 2019-06-11 | Novellus Systems, Inc. | Radical source design for remote plasma atomic layer deposition |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
| US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
| TWI627305B (zh) * | 2013-03-15 | 2018-06-21 | 應用材料股份有限公司 | 用於轉盤處理室之具有剛性板的大氣蓋 |
| US9677176B2 (en) * | 2013-07-03 | 2017-06-13 | Novellus Systems, Inc. | Multi-plenum, dual-temperature showerhead |
| US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
| US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US20150345019A1 (en) * | 2014-05-30 | 2015-12-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for improving gas flow in a substrate processing chamber |
| US10858737B2 (en) * | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
| KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| DE102015118765A1 (de) | 2014-11-20 | 2016-06-09 | Aixtron Se | Vorrichtung zum Beschichten eines großflächigen Substrats |
| KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US11384432B2 (en) * | 2015-04-22 | 2022-07-12 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber with funnel-shaped gas dispersion channel and gas distribution plate |
| US10023959B2 (en) | 2015-05-26 | 2018-07-17 | Lam Research Corporation | Anti-transient showerhead |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US9406536B1 (en) * | 2015-06-29 | 2016-08-02 | Hermes-Epitek Corp. | Method and system for manufacturing semiconductor epitaxy structure |
| US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
| US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
| US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
| US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| KR20180063345A (ko) * | 2015-10-26 | 2018-06-11 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 반도체 제조의 웨이퍼 처리를 위한 고 생산성 pecvd 툴 |
| US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
| US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
| US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| WO2018106627A1 (en) * | 2016-12-08 | 2018-06-14 | Applied Materials, Inc. | Temporal atomic layer deposition processing chamber |
| US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
| KR102619029B1 (ko) * | 2016-09-05 | 2023-12-28 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리장치 |
| US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
| US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| US10403476B2 (en) | 2016-11-09 | 2019-09-03 | Lam Research Corporation | Active showerhead |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
| US10604841B2 (en) | 2016-12-14 | 2020-03-31 | Lam Research Corporation | Integrated showerhead with thermal control for delivering radical and precursor gas to a downstream chamber to enable remote plasma film deposition |
| KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| KR101855654B1 (ko) * | 2016-12-23 | 2018-05-08 | 주식회사 테스 | 대면적 샤워헤드 어셈블리 |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
| US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
| USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
| KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
| US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
| US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
| USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11955362B2 (en) * | 2017-09-13 | 2024-04-09 | Applied Materials, Inc. | Substrate support for reduced damage substrate backside |
| US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
| KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US11538666B2 (en) * | 2017-11-15 | 2022-12-27 | Lam Research Corporation | Multi-zone cooling of plasma heated window |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| WO2019103610A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
| US11139149B2 (en) * | 2017-11-29 | 2021-10-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Gas injector |
| US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
| WO2019113478A1 (en) | 2017-12-08 | 2019-06-13 | Lam Research Corporation | Integrated showerhead with improved hole pattern for delivering radical and precursor gas to a downstream chamber to enable remote plasma film deposition |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
| USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| JP7124098B2 (ja) | 2018-02-14 | 2022-08-23 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法 |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
| KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| WO2019212676A1 (en) * | 2018-05-03 | 2019-11-07 | Applied Materials, Inc. | Universal adjustable blocker plate for flow distribution tuning |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| US20190348261A1 (en) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same |
| KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
| WO2020001775A1 (en) * | 2018-06-28 | 2020-01-02 | Applied Materials, Inc. | Component for a vacuum chamber, vacuum chamber, and method of manufacturing a degassing hole |
| KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| TWI844567B (zh) | 2018-10-01 | 2024-06-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
| US10883174B2 (en) * | 2018-11-27 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Gas diffuser mounting plate for reduced particle generation |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
| KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
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| JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
| TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
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| JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
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| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
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| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
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| TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
| CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
| CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| CN118422165A (zh) | 2019-08-05 | 2024-08-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
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| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR20220052996A (ko) * | 2019-08-28 | 2022-04-28 | 램 리써치 코포레이션 | 금속 증착 |
| KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| WO2021067705A2 (en) * | 2019-10-04 | 2021-04-08 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution assembly mounting for fragile plates to prevent breakage |
| KR102695926B1 (ko) | 2019-10-07 | 2024-08-16 | 삼성전자주식회사 | 가스 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
| KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
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| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
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| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
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| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| TWI849257B (zh) | 2019-11-16 | 2024-07-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有嵌入式螺帽的噴淋頭 |
| KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
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| CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
| KR20210089079A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 채널형 리프트 핀 |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
| TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| TW202146691A (zh) * | 2020-02-13 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體分配總成、噴淋板總成、及調整至反應室之氣體的傳導率之方法 |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
| CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
| KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
| TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
| JP2021172884A (ja) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体 |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| TW202147543A (zh) | 2020-05-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體處理系統 |
| KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
| KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| KR102702526B1 (ko) | 2020-05-22 | 2024-09-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
| TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
| TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| KR102707957B1 (ko) | 2020-07-08 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| US12011731B2 (en) | 2020-07-10 | 2024-06-18 | Applied Materials, Inc. | Faceplate tensioning method and apparatus to prevent droop |
| TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
| TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| US20220049355A1 (en) * | 2020-08-14 | 2022-02-17 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Spray head, chemical vapor deposition device, and working method of chemical vapor deposition device |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
| US20220108891A1 (en) * | 2020-10-06 | 2022-04-07 | Applied Materials, Inc. | Modular zone control for a processing chamber |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| KR102371435B1 (ko) * | 2021-05-03 | 2022-03-08 | 주식회사 기가레인 | 샤워 헤드 |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| KR102612876B1 (ko) * | 2021-12-21 | 2023-12-12 | 주식회사 테스 | 샤워헤드 어셈블리 |
| KR20240141826A (ko) * | 2022-12-16 | 2024-09-27 | 램 리써치 코포레이션 | 기판 프로세싱 도구용 샤워헤드 |
| CN118422168A (zh) * | 2024-05-27 | 2024-08-02 | 无锡金源半导体科技有限公司 | 气体喷淋结构及薄膜沉积装置 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003332314A (ja) * | 2002-05-14 | 2003-11-21 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置用電極及びプラズマ処理装置 |
| US20040206305A1 (en) * | 2003-04-16 | 2004-10-21 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition |
| US20050133161A1 (en) * | 2002-07-08 | 2005-06-23 | Carpenter Craig M. | Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces |
| US20060060138A1 (en) * | 2004-09-20 | 2006-03-23 | Applied Materials, Inc. | Diffuser gravity support |
| JP2006121057A (ja) * | 2004-09-20 | 2006-05-11 | Applied Materials Inc | 拡散器重力支持体 |
| JP2007123840A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-05-17 | Applied Materials Inc | プロセスチャンバ内のシャワーヘッド用サスペンション |
| US20080099145A1 (en) * | 2005-09-02 | 2008-05-01 | Applied Materials, Inc. | Gas sealing skirt for suspended showerhead in process chamber |
| US20080099146A1 (en) * | 2006-10-25 | 2008-05-01 | Applied Materials, Inc. | Suspension for showerhead in process chamber |
| US20080317973A1 (en) * | 2007-06-22 | 2008-12-25 | White John M | Diffuser support |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04294478A (ja) | 1991-03-22 | 1992-10-19 | Hitachi Maxell Ltd | Ｉｃカードリーダライタ |
| US5792269A (en) * | 1995-10-31 | 1998-08-11 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution for CVD systems |
| US6148761A (en) | 1998-06-16 | 2000-11-21 | Applied Materials, Inc. | Dual channel gas distribution plate |
| US6477980B1 (en) | 2000-01-20 | 2002-11-12 | Applied Materials, Inc. | Flexibly suspended gas distribution manifold for plasma chamber |
| US6772827B2 (en) * | 2000-01-20 | 2004-08-10 | Applied Materials, Inc. | Suspended gas distribution manifold for plasma chamber |
| US6797639B2 (en) * | 2000-11-01 | 2004-09-28 | Applied Materials Inc. | Dielectric etch chamber with expanded process window |
| US20050109276A1 (en) * | 2003-11-25 | 2005-05-26 | Applied Materials, Inc. | Thermal chemical vapor deposition of silicon nitride using BTBAS bis(tertiary-butylamino silane) in a single wafer chamber |
| US20060288934A1 (en) * | 2005-06-22 | 2006-12-28 | Tokyo Electron Limited | Electrode assembly and plasma processing apparatus |
| WO2010065473A2 (en) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution blocker apparatus |
-
2011
- 2011-06-17 US US13/163,241 patent/US8721791B2/en active Active
- 2011-07-08 KR KR1020127031363A patent/KR101831667B1/ko active IP Right Grant
- 2011-07-08 CN CN201180026734.1A patent/CN102933743B/zh active Active
- 2011-07-08 CN CN201510891705.1A patent/CN105463409B/zh active Active
- 2011-07-08 JP JP2013521800A patent/JP5937591B2/ja active Active
- 2011-07-08 WO PCT/US2011/043358 patent/WO2012015578A1/en active Application Filing
- 2011-07-11 TW TW100124478A patent/TWI523079B/zh active
-
2014
- 2014-05-12 US US14/275,835 patent/US10087524B2/en active Active
-
2016
- 2016-05-12 JP JP2016095807A patent/JP6466364B2/ja active Active
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003332314A (ja) * | 2002-05-14 | 2003-11-21 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置用電極及びプラズマ処理装置 |
| US20050133161A1 (en) * | 2002-07-08 | 2005-06-23 | Carpenter Craig M. | Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces |
| US20040206305A1 (en) * | 2003-04-16 | 2004-10-21 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition |
| JP2006515039A (ja) * | 2003-04-16 | 2006-05-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 大面積プラズマ化学気相堆積法のためのガス分配プレートアセンブリ |
| US20060060138A1 (en) * | 2004-09-20 | 2006-03-23 | Applied Materials, Inc. | Diffuser gravity support |
| JP2006121057A (ja) * | 2004-09-20 | 2006-05-11 | Applied Materials Inc | 拡散器重力支持体 |
| JP2007123840A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-05-17 | Applied Materials Inc | プロセスチャンバ内のシャワーヘッド用サスペンション |
| US20080099145A1 (en) * | 2005-09-02 | 2008-05-01 | Applied Materials, Inc. | Gas sealing skirt for suspended showerhead in process chamber |
| US20080099146A1 (en) * | 2006-10-25 | 2008-05-01 | Applied Materials, Inc. | Suspension for showerhead in process chamber |
| US20080317973A1 (en) * | 2007-06-22 | 2008-12-25 | White John M | Diffuser support |
| JP2009065121A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-03-26 | Applied Materials Inc | 拡散装置支持体 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017538037A (ja) * | 2014-11-20 | 2017-12-21 | アイクストロン、エスイー | 大面積基板コーティング用ｃｖｄ又はｐｖｄ反応炉 |
| JP2018511695A (ja) * | 2015-02-02 | 2018-04-26 | アイクストロン、エスイー | 大面積基板コーティング装置 |
| KR102511913B1 (ko) | 2015-02-02 | 2023-03-17 | 아익스트론 에스이 | 대면적 기판을 코팅하기 위한 장치 |
| KR20170108994A (ko) * | 2015-02-02 | 2017-09-27 | 아익스트론 에스이 | 대면적 기판을 코팅하기 위한 장치 |
| JP2021073699A (ja) * | 2015-09-22 | 2021-05-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | シャワーヘッド支持構造 |
| JP2018528616A (ja) * | 2015-09-22 | 2018-09-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | シャワーヘッド支持構造 |
| JP2019208041A (ja) * | 2015-09-22 | 2019-12-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | シャワーヘッド支持構造 |
| JP7049488B2 (ja) | 2015-09-22 | 2022-04-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | シャワーヘッド支持構造 |
| KR20200090879A (ko) * | 2018-06-20 | 2020-07-29 | 가부시키가이샤 아루박 | 진공 처리장치, 지지 샤프트 |
| JPWO2019244790A1 (ja) * | 2018-06-20 | 2021-01-07 | 株式会社アルバック | 真空処理装置、支持シャフト |
| JP7121121B2 (ja) | 2018-06-20 | 2022-08-17 | 株式会社アルバック | 真空処理装置、支持シャフト |
| KR102436079B1 (ko) * | 2018-06-20 | 2022-08-25 | 가부시키가이샤 아루박 | 진공 처리장치, 지지 샤프트 |
| WO2019244790A1 (ja) * | 2018-06-20 | 2019-12-26 | 株式会社アルバック | 真空処理装置、支持シャフト |
| KR20210068803A (ko) * | 2019-12-02 | 2021-06-10 | 주식회사 원익아이피에스 | 샤워헤드조립체 및 이를 포함하는 기판처리장치 |
| KR102618455B1 (ko) * | 2019-12-02 | 2023-12-27 | 주식회사 원익아이피에스 | 샤워헤드조립체 및 이를 포함하는 기판처리장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI523079B (zh) | 2016-02-21 |
| CN105463409B (zh) | 2018-06-12 |
| CN102933743B (zh) | 2015-12-16 |
| US10087524B2 (en) | 2018-10-02 |
| JP6466364B2 (ja) | 2019-02-06 |
| JP2016211075A (ja) | 2016-12-15 |
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