JP2013080915A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 半導体膜と、
   前記半導体膜と電気的に接続されている一対の第１導電膜と、
   一対の前記第１導電膜とそれぞれ電気的に接続されている一対の第２導電膜と、
   第３導電膜と、
   前記半導体膜と前記第３導電膜との間の領域を有する絶縁膜と、を有し、
   前記半導体膜は、一対の前記第１導電膜の一方と一対の前記第２導電膜の一方との間の領域を有し、
   前記半導体膜は、一対の前記第１導電膜の他方と一対の前記第２導電膜の他方との間の領域を有し、
   し、
   チャネル長方向において、一対の前記第２導電膜の間隔は、一対の前記第１導電膜の間隔よりも長い半導体装置。
2. 半導体膜と、
   前記半導体膜と電気的に接続されている一対の第１導電膜と、
   一対の前記第１導電膜とそれぞれ電気的に接続されている一対の第２導電膜と、
   第３導電膜と、
   前記半導体膜と前記第３導電膜との間の領域を有する絶縁膜と、を有し、
   前記半導体膜は、一対の前記第１導電膜の一方と一対の前記第２導電膜の一方との間の領域を有し、
   前記半導体膜は、一対の前記第１導電膜の他方と一対の前記第２導電膜の他方との間の領域を有し、
   し、
   一対の前記第２導電膜は、前記半導体膜の上方に位置し、
   チャネル長方向において、一対の前記第２導電膜の間隔は、一対の前記第１導電膜の間隔よりも長い半導体装置。
3. 層上の半導体膜と、
   前記半導体膜と電気的に接続されている一対の第１導電膜と、
   一対の前記第１導電膜とそれぞれ電気的に接続されている一対の第２導電膜と、
   第３導電膜と、
   前記半導体膜と前記第３導電膜との間の領域を有する絶縁膜と、を有し、
   前記半導体膜は、一対の前記第１導電膜の一方と一対の前記第２導電膜の一方との間の領域を有し、
   前記半導体膜は、一対の前記第１導電膜の他方と一対の前記第２導電膜の他方との間の領域を有し、
   し、
   前記層は、一対の第４導電膜と、一対の前記第４導電膜の間の領域を有する第２絶縁膜と、を有し、
   一対の前記第４導電膜は、一対の前記第１導電膜とそれぞれ電気的に接続されており、
   チャネル長方向において、一対の前記第２導電膜の間隔は、一対の前記第１導電膜の間隔よりも長い半導体装置。
4. 層上の半導体膜と、
   前記半導体膜と電気的に接続されている一対の第１導電膜と、
   一対の前記第１導電膜とそれぞれ電気的に接続されている一対の第２導電膜と、
   第３導電膜と、
   前記半導体膜と前記第３導電膜との間の領域を有する絶縁膜と、を有し、
   前記半導体膜は、一対の前記第１導電膜の一方と一対の前記第２導電膜の一方との間の領域を有し、
   前記半導体膜は、一対の前記第１導電膜の他方と一対の前記第２導電膜の他方との間の領域を有し、
   し、
   一対の前記第２導電膜は、前記半導体膜の上方に位置し、
   前記層は、一対の第４導電膜と、一対の前記第４導電膜の間の領域を有する第２絶縁膜と、を有し、
   一対の前記第４導電膜は、一対の前記第１導電膜とそれぞれ電気的に接続されており、
   チャネル長方向において、一対の前記第２導電膜の間隔は、一対の前記第１導電膜の間隔よりも長い半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
   前記一対の第１導電膜の膜厚が、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
   前記半導体膜は、酸化物半導体を有する半導体装置。