JP2012252360A - 表示基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】互いに交差する信号ラインによって定義された複数の単位画素Pを有する表示領域DAと表示領域DAを取り囲む周辺領域PAを含む基板110上にフォトレジスト膜を塗布する段階と、フォトレジスト膜をパターニングして、表示領域DAで信号ラインとオーバーラップされる第1パターン部P1と、周辺領域PAで信号ラインと重畳されない領域に形成された複数のダミー開口部DOを含む第2パターン部P2とを形成する段階と、第1パターン部P1及び第2パターン部P2が形成された基板110上に透明電極層117a、117bを形成する段階と、ストリップ溶液で第1パターン部P1、第2パターン部P2、及び第1及び第2パターン部上に形成された透明電極層117a、117bを除去して、単位画素Pに対応する画素電極PE及びダミー開口部DOに対応するダミー電極DMを形成する段階と、を含む。
【選択図】図2
Description
4 透光部、
5 ダミー透光部、
6 回折部、
100 表示基板、
110 ベース基板、
111 ゲート絶縁層、
112 半導体層、
113 オーミックコンタクト層、
114 第2金属層、
115 電極パターン、
116 パッシベーション層、
117a 透明電極層、
120 ゲート駆動回路部、
200 対向基板、
300 印刷回路基板、
400 フレキシブル回路基板、
A アクティブ層、
DA 表示領域、
PA 周辺領域、
GL ゲートライン、
DL データライン、
P 単位画素、
TFT 薄膜トランジスタ、
PE 画素電極、
DM ダミー電極、
DO ダミー開口部、
DH ダミー開口ホール、
STL 基準電圧ライン、
PR1 第1フォトレジストパターン、
PR2 第2フォトレジストパターン、
PR3 第3フォトレジストパターン、
P1 第1パターン部、
P2 第2パターン部。
Claims (4)
- 互いに交差する信号ラインによって定義された複数の単位画素を有する表示領域と前記表示領域を取り囲む周辺領域を含む基板上にフォトレジスト膜を塗布する段階と、
前記フォトレジスト膜をパターニングして、前記表示領域で前記信号ラインとオーバーラップされる第1パターン部と、前記周辺領域で前記信号ラインと重畳されない領域に形成された複数のダミー開口部を含む第2パターン部とを形成する段階と、
前記第1パターン部及び第2パターン部が形成された基板上に透明電極層を形成する段階と、
ストリップ溶液で前記第1パターン部、第2パターン部、及び前記第1及び第2パターン部上に形成された前記透明電極層を除去して、前記単位画素に対応する画素電極及び前記ダミー開口部に対応するダミー電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする表示基板の製造方法。 - 基板上にゲートラインを形成する段階と、
前記ゲートラインが形成された前記基板上に絶縁層を形成する段階と、
前記絶縁層上に前記ゲートラインと交差するデータラインを形成する段階と、
前記ゲートライン及び前記データラインを含む前記信号ラインが形成された基板上にパッシベーション層を形成する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の表示基板の製造方法。 - 前記透明電極層を形成する段階前に、
前記第1及び第2パターン部を利用して前記絶縁層及び前記パッシベーション層を第1エッチングにより除去する段階と、
前記第1及び第2パターン部を一定厚み除去する段階と、
一定厚み除去された前記第1及び第2パターン部を利用して前記パシベーション層を第2エッチングにより除去する段階と、を含むことを特徴とする請求項2に記載の表示基板の製造方法。 - 前記第1パターン部は、第1厚みを有する第1厚み部及び前記第1厚みより厚い第2厚みを有する第2厚み部を有するように形成され、前記第1及び第2パターン部を一定厚み除去する段階は、前記第1厚み部を除去して前記第2厚み部を除去して第3厚みを有する残留部を定義する段階を更に含むことを特徴とする請求項3に記載の表示基板の製造方法。
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