JP2008033317A - 表示基板、その製造方法、及びその表示基板を製造するためのマスク - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表示領域DA及び前記表示領域を取り囲む周辺領域PA1−PA4が定義された基板と、基板上に形成され互いに交差して表示領域に複数の単位画素を定義する信号ラインと、信号ラインに接続され単位画素に形成された薄膜トランジスタTFTと、単位画素に形成され、薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、信号ラインと重畳せず、周辺領域に配置されるダミー開口部DMと、を含む。
【選択図】図2
Description
4 透光部、
5 ダミー透光部、
6 回折部、
100 表示基板、
110 ベース基板、
111 ゲート絶縁層、
112 半導体層、
113 オーミックコンタクト層、
114 第2金属層、
115 電極パターン、
116 パッシベーション層、
117a 透明電極層、
120 ゲート駆動回路部、
200 対向基板、
300 印刷回路基板、
400 フレキシブル回路基板、
A アクティブ層、
DA 表示領域、
PA 周辺領域、
GL ゲートライン、
DL データライン、
P 単位画素、
TFT 薄膜トランジスタ、
PE 画素電極、
DM ダミー電極、
DO ダミー開口部、
DH ダミー開口ホール、
STL 基準電圧ライン、
PR1 第1フォトレジストパターン、
PR2 第2フォトレジストパターン、
PR3 第3フォトレジストパターン、
P1 第1パターン部、
P2 第2パターン部。
Claims (21)
- 表示領域及び前記表示領域を取り囲む周辺領域が定義された基板と、
前記基板上に形成され互いに交差して前記表示領域に複数の単位画素を定義する信号ラインと、
前記信号ラインに接続され前記単位画素に形成された薄膜トランジスタと、
前記単位画素に形成され、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、
前記信号ラインと重畳せず、前記周辺領域に配置されるダミー開口部と、
を含むことを特徴とする表示基板。 - 前記信号ラインは、
前記基板上に形成されたゲートラインと、
前記ゲートラインと同じ層に形成され、前記ゲートラインの間で前記ゲートラインと平行になるように形成された基準電圧ラインと、
前記ゲートライン及び基準電圧ラインが形成された基板上に形成され、前記ゲートラインと交差して前記単位画素を定義するデータラインと、を含むことを特徴とする請求項1に記載の表示基板。 - 前記ゲートラインと前記データラインとの間に形成され、前記ゲートライン、前記データライン、前記基準電圧ライン及び前記薄膜トランジスタと重畳する絶縁層と、
前記信号ライン上に位置し、前記ゲートライン、前記データライン、及び前記薄膜トランジスタと重畳するパッシベーション層と、
を含むことを特徴とする請求項2に記載の表示基板。 - 前記ダミー開口部内に形成されたダミー電極を更に含むことを特徴とする請求項3に記載の表示基板。
- 前記ダミー電極は、前記画素電極と同じ物質からなることを特徴とする請求項4に記載の表示基板。
- 前記ダミー電極は、前記基板と直接接触することを特徴とする請求項4に記載の表示基板。
- 前記ダミー開口部は、前記基板を露出させることを特徴とする請求項4に記載の表示基板。
- 前記ダミー開口部は、前記画素電極の0.8〜1.3倍の面積に形成されることを特徴とする請求項1に記載の表示基板。
- 前記表示領域に対する前記画素電極の面積の比率と前記周辺領域内に対する前記ダミー開口部の面積の比率は同じであることを特徴とする請求項1に記載の表示基板。
- 互いに交差する信号ラインによって定義された複数の単位画素を有する表示領域と前記表示領域を取り囲む周辺領域を含む基板上にフォトレジスト膜を塗布する段階と、
前記フォトレジスト膜をパターニングして、前記表示領域で前記信号ラインとオーバーラップされる第1パターン部と、前記周辺領域で前記信号ラインと重畳されない領域に形成された複数のダミー開口部を含む第2パターン部とを形成する段階と、
前記第1パターン部及び第2パターン部が形成された基板上に透明電極層を形成する段階と、
ストリップ溶液で前記第1パターン部、第2パターン部、及び前記第1及び第2パターン部上に形成された前記透明電極層を除去して、前記単位画素に対応する画素電極及び前記ダミー開口部に対応するダミー電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする表示基板の製造方法。 - 基板上にゲートラインを形成する段階と、
前記ゲートラインが形成された前記基板上に絶縁層を形成する段階と、
前記絶縁層上に前記ゲートラインと交差するデータラインを形成する段階と、
前記ゲートライン及び前記データラインを含む前記信号ラインが形成された基板上にパッシベーション層を形成する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の表示基板の製造方法。 - 前記透明電極層を形成する段階前に、
前記第1及び第2パターン部を利用して前記絶縁層及び前記パッシベーション層を第1エッチングにより除去する段階と、
前記第1及び第2パターン部を一定厚み除去する段階と、
一定厚み除去された前記第1及び第2パターン部を利用して前記パシベーション層を第2エッチングにより除去する段階と、を含むことを特徴とする請求項11に記載の表示基板の製造方法。 - 第1パターン部は、第1厚みを有する第1厚み部及び前記第1厚みより厚い第2厚みを有する第2厚み部を有するように形成され、前記第1及び第2パターン部を一定厚み除去する段階は、前記第1厚み部を除去して前記第2厚み部を除去して第3厚みを有する残留部を定義する段階を更に含むことを特徴とする請求項12に記載の表示基板の製造方法。
- 互いに交差する信号ラインによって複数の単位画素が定義され、前記単位画素には画素電極が形成された表示領域、及び前記表示領域を取り囲み、前記信号ラインと重畳されない領域にダミー開口部が形成された周辺領域を含む表示基板を製造するマスクであって、
前記画素電極をパターニングするための画素電極パターンと、
前記ダミー開口部をパターニングするためのダミーパターンと、
を含むことを特徴とするマスク。 - 前記ダミーパターンは、前記画素電極パターンの0.8〜1.3倍のサイズに形成させることを特徴とする請求項14に記載のマスク。
- 前記表示領域に対する前記画素電極パターンの面積の比率と、前記周辺領域に対する前記ダミー開口部の面積の比率は同じであることを特徴とする請求項14に記載のマスク。
- 前記ダミーパターン相互の間隔は、5〜15μmであることを特徴とする請求項14に記載のマスク。
- 前記画素電極パターン及び前記ダミーパターンは、光を透過させることを特徴とする請求項14に記載のマスク。
- 前記画素電極パターン及び前記ダミーパターンは、光を遮断させることを特徴とする請求項14に記載のマスク。
- 前記画素電極パターンの少なくとも一部分は、分散パターンを更に含んでいることを特徴とする請求項に14記載のマスク。
- 前記分散パターンは、前記マスクの光透過部分と比較して、光透過量が小さいことを特徴とする請求項20に記載のマスク。
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