JP2012199536A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 半導体膜と、
   前記半導体膜上方の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上方の第１の導電膜と、
   前記第１の絶縁膜上方の第２の導電膜と、
   前記第１の絶縁膜上方に設けられ、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜との間に溝部を有する第２の絶縁膜と、
   前記第１の導電膜および前記第２の導電膜と接する領域を有し、前記溝部の側面および底面と接する領域を有する酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上方の第３の絶縁膜と、
   前記第３の絶縁膜上方の第３の導電膜と、
   を有し、
   前記第１の導電膜は、前記第１の絶縁膜を介して前記半導体膜と重なる領域を有し、
   前記第３の導電膜は、前記第３の絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重なる領域を有することを特徴とする半導体記憶装置。
2. 半導体膜と、
   前記半導体膜上方の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上方の第１の導電膜と、
   前記第１の絶縁膜上方の第２の導電膜と、
   前記第１の絶縁膜上方に設けられ、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜との間に溝部を有する第２の絶縁膜と、
   前記第１の導電膜および前記第２の導電膜と接する領域を有し、前記溝部の側面および底面と接する領域を有する酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上方の第３の絶縁膜と、
   前記第３の絶縁膜上方の第３の導電膜と、
   前記第３の絶縁膜上方の第４の導電膜と、
   を有し、
   前記第１の導電膜は、前記第１の絶縁膜を介して前記半導体膜と重なる領域を有し、
   前記第３の導電膜は、前記第３の絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重なる領域を有し、
   前記第４の導電膜は、前記第３の絶縁膜および前記酸化物半導体膜を介して前記第１の導電膜と重なる領域を有することを特徴とする半導体記憶装置。
3. 請求項２において、
   前記第４の導電膜は、前記第３の導電膜と同一材料を有することを特徴とする半導体記憶装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記第２の導電膜は、前記第１の導電膜と同一材料を有することを特徴とする半導体記憶装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記第２の絶縁膜は、前記第１の導電膜および前記第２の導電膜の上面を露出するように設けられることを特徴とする半導体記憶装置。