JP2012098742A - 発光装置及びその駆動方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】
発光素子が有する性質により、環境温度が変化すると、輝度にバラツキが生じてしまう。
上記の実情を鑑み、本発明は、環境温度の変化に起因した、発光素子の電流値の変動によ
る影響を抑制する表示装置の提供を課題とする。特にソース信号線駆動回路が熱源となり
画素部に温度傾斜が生じることによる輝度のバラツキを抑制することを課題とする。
【解決手段】
行方向にゲート信号線が配置され、列方向にソース信号線が配置され、ゲート信号線とソ
ース信号線に対応してマトリクスに配置された画素部の発光素子とを有する表示装置にお
いて、画素部の脇にモニター素子の列を設け、モニター素子の各行毎に定電流を供給し、
各行の画素毎のモニター素子に発生する電圧を、対応する行の発光素子に印加する。
【選択図】図８

Description

本発明は負荷に供給する電流をトランジスタで制御する機能を設けた半導体装置に係り
、特に電流によって輝度が変化する電流駆動型発光素子で形成された画素や、その信号線
駆動回路を含む表示装置に関する。また、その駆動方法に関する。また、その表示装置を
表示部に有する電子機器に関する。
近年、画素を発光ダイオード（ＬＥＤ）などの発光素子で形成した、いわゆる自発光型
の表示装置が注目を浴びている。このような自発光型の表示装置に用いられる発光素子と
しては、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎ
ｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ素子、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍ
ｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）素子などとも言う）が注目を集めており、有機ＥＬディスプ
レイなどに用いられるようになってきている。
ＯＬＥＤなどの発光素子は自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べて画素の視認
性が高く、バックライトが不要で応答速度が速い等の利点がある。また発光素子の輝度は
、発光素子を流れる電流値によって制御される。よって、階調を正確に表現するために、
当該発光素子に一定の電流を流す定電流駆動を採用する表示装置がある（特許文献１参照
）。
特開２００３−３２３１５９号公報
発光素子は、その温度により、その抵抗値（内部抵抗値）が変化する性質を有する。具体
的には、温度が通常よりも高くなると抵抗値が低下し、温度が通常よりも低くなると抵抗
値が上昇する。そのため、定電圧駆動によって一定の電圧を発光素子に印加しているにも
関わらず、温度が高くなると電流値が増加して所望の輝度よりも高い輝度となり、温度が
低くなると電流値が低下して所望の輝度よりも低い輝度となる。
上述したような発光素子が有する性質により、温度が変化すると、輝度にバラツキが生じ
てしまう。上記の実情を鑑み、本発明は、温度の変化に起因した、発光素子の輝度のバラ
ツキによる影響を抑制する表示装置の提供を課題とする。
本発明の表示装置は、
温度変化により抵抗値が変化する複数の発光素子で構成される画素部と、
発光素子に電圧を供給する電圧源と、を有し、
電圧源は、画素部の面内の温度傾斜が発生し、発光素子毎に温度差が生じると、温度が高
い発光素子には印加する電圧を低くし、温度が低い発光素子には印加する電圧を高くする
手段を備えている。
また、本発明の表示装置は、列方向に複数配置された第１の信号線に信号を出力する第１
の信号線駆動回路と、
行方向に複数配置された第２の信号線に信号を出力する第２の信号線駆動回路と、
第１の信号線の列方向と第２の信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された
画素部と、を備え、
画素は発光素子を有し、画素の各行毎において、画素部の周辺に発光素子と並んで配置さ
れたモニター素子と、
モニター素子に電流を供給する電流源と、
モニター素子に発生する電圧と概略同電圧を、モニター素子と並んで配置された発光素子
に印加するアンプと、
を有する。
また、本発明の表示装置は、列方向に複数配置された第１の信号線に信号を出力する第１
の信号線駆動回路と、
行方向に複数配置された第２の信号線に信号を出力する第２の信号線駆動回路と、
第１の信号線の列方向と第２の信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された
画素部と、を備え、
画素は発光素子を有し、画素の各行毎において、画素部の周辺に発光素子と並んで配置さ
れたモニター素子と、
モニター素子に電流を供給する電流源と、
モニター素子の陽極の電位と概略同電位を、モニター素子と並んで配置された発光素子の
陽極に入力するアンプと、
を有する。
また、本発明の表示装置は、列方向に複数配置された第１の信号線に信号を出力する第１
の信号線駆動回路と、
行方向に複数配置された第２の信号線に信号を出力する第２の信号線駆動回路と、
第１の信号線の列方向と第２の信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された
画素部と、を備え、
画素は発光素子を有し、
画素の各行毎において、画素部の周辺に発光素子と並んで配置されたモニター素子と、
画素の複数行にわたって配置された複数のモニター素子に電流を供給する電流源と、
複数のモニター素子に発生する電圧と概略同電圧を複数のモニター素子と並んで配置され
た複数行の発光素子に電圧を印加するアンプと、
を有し、
画素の各行毎において配置された複数のモニター素子のうち、アンプが印加する複数行の
発光素子と並んで配置された複数のモニター素子が並列接続されている。
また、本発明の表示装置は、上記構成において、アンプはボルテージフォロワ回路である
。
また、本発明の表示装置は、上記構成において、画素部は複数の色要素でなる画素で構成
され、モニター素子及びアンプは、色要素毎にそれぞれ設けられている。
また、本発明の表示装置は、上記構成において、モニター素子と発光素子はＥＬ素子であ
る。
また、本発明の表示装置は、上記構成において、モニター素子と発光素子は同一の材料で
形成されていることを特徴とする表示装置。
また、本発明の電子機器は、上記の表示装置を表示部に備えている。
また、本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、列方向に複数配置されたソース信号
線に信号を出力するソース信号線駆動回路と、
行方向に複数配置されたゲート信号線に信号を出力するゲート信号線駆動回路と、
ソース信号線の列方向とゲート信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された
画素部と、を備え、
画素は発光素子及び発光素子を駆動するトランジスタと、を有し、画素の各行毎において
、画素部の周辺に発光素子と並んで配置されたモニター素子と、
モニター素子に電流を供給する電流源と、
モニター素子の陽極の電位と概略同電位を、モニター素子と並んで配置された発光素子を
駆動するトランジスタのソース端子に入力するアンプと、
を有する。
また、本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、列方向に複数配置されたソース信号
線に信号を出力するソース信号線駆動回路と、
行方向に複数配置されたゲート信号線に信号を出力するゲート信号線駆動回路と、
ソース信号線の列方向とゲート信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された
画素部と、を備え、
画素は発光素子及び発光素子を駆動するトランジスタとを有し、画素の各行毎において、
画素部の周辺に発光素子と並んで配置されたモニター素子と、
画素の複数行にわたって配置された複数のモニター素子に電流を供給する電流源と、
複数のモニター素子の陽極の電位と概略同電位を複数のモニター素子と並んで配置された
複数行の発光素子を駆動するトランジスタのソース端子に入力するアンプと、
を有し、
画素の各行毎において配置された複数のモニター素子のうち、アンプが印加する複数行の
発光素子と並んで配置された複数のモニター素子が並列接続されている。
また、本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、上記構成において、アンプはボルテ
ージフォロワ回路である。
また、本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、上記構成において、画素部は複数の
色要素でなる画素で構成され、モニター素子及びアンプは、色要素毎にそれぞれ設けられ
ている。
また、本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、上記構成において、モニター素子と
発光素子はＥＬ素子である。
また、本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、上記構成において、モニター素子と
発光素子は同一の材料で形成されている。
また、本発明の電子機器は上記のアクティブマトリクス型表示装置を表示部に備えている
。
また、本発明のパッシブマトリクス型表示装置は、列方向に複数配置されたカラム信号線
に信号を出力するカラム信号線駆動回路と、
行方向に複数配置されたロウ信号線に信号を出力するロウ信号線駆動回路と、
カラム信号線の列方向とロウ信号線の行方向に対応してマトリクスに画素が配置された画
素部と、を備え、
画素は、有機化合物を含む層がカラム信号線の一部でなる第１電極と、ロウ信号線の一部
でなる第２電極とで挟まれた発光素子を有し、
画素の各行毎において、画素部の周辺に発光素子と並んで配置され、有機化合物を含む層
がカラム信号線の一部でなる第１電極と、ロウ信号線の一部でなる第２電極とで挟まれた
モニター素子と、
モニター素子に電流を供給する電流源と、
モニター素子の陽極の電位と概略同電位を、カラム信号線に入力するアンプと、
を有する。
また、本発明のパッシブマトリクス型表示装置は、上記構成において、アンプはボルテー
ジフォロワ回路である。
また、本発明のパッシブマトリクス型表示装置は、上記構成において、画素は複数の色要
素でなる画素で構成され、画素部の周辺に配置されたモニター素子及びアンプは、色要素
の画素毎にそれぞれ設けられている。
また、本発明のパッシブマトリクス型表示装置は、上記構成において、モニター素子と発
光素子はＥＬ素子である。
また、本発明のパッシブマトリクス型表示装置は、上記構成において、モニター素子と発
光素子は同一の材料で形成されている。
また、本発明の電子機器は、上記構成のパッシブマトリクス型表示装置を表示部に備えて
いる。
また、本発明の表示装置は、第１の基板上に第１の熱発散層を有し、
第１の熱発散層上に、温度変化で抵抗値が変化する発光素子を備えた画素部と、画素部の
周辺に配置された駆動回路と、を有し、
画素部は第１の基板と第２の基板により挟まれている。
また、本発明の表示装置は、第１の基板上に第１の熱発散層を有し、
第１の熱発散層上に、温度変化で抵抗値が変化する発光素子を備えた画素部と、画素部の
周辺に配置された薄膜トランジスタで構成される駆動回路と、を有し、
画素部は第１の基板と第２の基板により挟まれている。
また、本発明の表示装置は、上記構成において、第１の熱発散層の熱伝導率は１０〜３０
０Ｗ／ｍＫである。
また、本発明の表示装置は、上記構成において、第１の熱発散層は窒化アルミニウム又は
窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮ）を含む層である。
また、本発明の表示装置は、上記構成において、第１の熱発散層は窒化酸化アルミニウム
（ＡｌＮxＯy）を含む層である。
また、本発明の表示装置は、上記構成において、窒化酸化アルミニウムには酸素（Ｏ）が
０．１〜３０ａｔｏｍｉｃ％含まれている。
また、本発明の表示装置は、上記構成において、第２の基板の外側の面には第２の熱発散
層が形成されている。
また、本発明の表示装置は、第２の熱発散層は金属膜である。
また、本発明の表示装置は、上記構成において、金属膜は銅を含む膜で形成されている。
また、本発明の電子機器は上記構成の表示装置を表示部に備えている。
また、本発明の表示装置の駆動方法は、温度変化により抵抗値が変化する複数の発光素子
で構成される画素部を有する表示装置において、
画素部の面内の温度傾斜が生じると、温度が高い発光素子には印加する電圧を低くし、温
度が低い発光素子には印加する電圧を高くする。
温度に起因した発光素子の輝度のバラツキを低減した表示装置を提供することができる。
本発明のアクティブマトリクス型表示装置を説明する図。 本発明のアクティブマトリクス型表示装置の具体的構成例を説明する図。 本発明のアクティブマトリクス型表示装置の具体的構成例を説明する図。 本発明のアクティブマトリクス型表示装置を説明する図。 本発明のアクティブマトリクス型表示装置の具体的構成例を説明する図。 本発明のアクティブマトリクス型表示装置を説明する図。 本発明のアクティブマトリクス型表示装置を説明する図。 本発明のアクティブマトリクス型表示装置の具体的構成例を説明する図。 本発明のパッシブマトリクス型表示装置を説明する図。 本発明のパッシブマトリクス型表示装置の具体的構成例を説明する図。 本発明のアクティブマトリクス型表示装置の補償機能を説明する図。 本発明のパッシブマトリクス型表示装置の補償機能を説明する図。 発光素子の電圧−電流特性の温度依存性を説明する図。 発光素子の電圧−電流特性の経時変化を説明する図。 本発明のアクティブマトリクス型表示装置のパネル構成を説明する図。 本発明のアクティブマトリクス型表示装置のパネル構成を説明する図。 本発明のパッシブマトリクス型表示装置のパネル構成を説明する図。 本発明のパッシブマトリクス型表示装置のパネル構成を説明する図。 本発明のアクティブマトリクス型表示装置に適用可能な発光素子の構成を説明する図。 本発明のアクティブマトリクス型表示装置に適用可能な発光素子の構成を説明する図。 本発明のパッシブマトリクス型表示装置に適用可能な発光素子の構成を説明する図。 本発明のパッシブマトリクス型表示装置に適用可能な発光素子の構成を説明する図。 本発明の表示装置の原理について説明する図。 表示装置の画素部の温度傾斜を説明する図。 本発明のアクティブマトリクス型表示装置に適用可能な画素構成の例。 表示部に本発明の表示装置を適用可能な電子機器の例。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの
異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することな
くその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って
、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
図２３に本発明の表示装置の模式図を示す。本発明の表示装置は、第１の信号線駆動回路
２３０１、第２の信号線駆動回路２３０２、画素部２３０３を備え、画素部２３０３には
マトリクスに複数の発光素子２３０７が配置されている。ここで、発光素子２３０７は温
度が高くなると抵抗値が低くなる特性を有しているものとする。また、この表示装置にお
いて、第１の信号線駆動回路２３０１は第２の信号線駆動回路２３０２よりも高い周波数
で動作しているものとする。
また、表示装置は画素部２３０３の周辺に、列方向にモニター素子２３０５が配置された
モニター素子群２３０６を有する。つまり、モニター素子２３０５は画素部２３０３の発
光素子２３０７の各行方向に並んで配置されている。また、それらのモニター素子２３０
５のそれぞれに定電流を供給する基本電流源２３０４を有する。
以下に本発明の表示装置の動作原理について簡単に説明する。基本電流源２３０４はモニ
ター素子２３０５に定電流を供給する。つまり定電流駆動させる。そして、図２３中の矢
印に示すようにモニター素子２３０５に発生する電圧を、モニター素子２３０５に並んで
行方向に配置された複数の発光素子２３０７に印加する。つまり発光素子２３０７は定電
圧駆動させる。
こうして、高い周波数で動作するために熱源となってしまう第１の信号線駆動回路２３０
１から、画素部２３０３の面内において発光素子２３０７の配置が遠くになるにつれて、
発光素子２３０７に印加する電圧を高くしていくことができる。逆にいえば、第１の信号
線駆動回路２３０１から発光素子２３０７の配置が近くなるにつれて、発光素子２３０７
に印加する電圧を低くしていくことができる。よって、画素部２３０３の面内の温度傾斜
に伴う輝度のバラツキが低減される。
ここで、面内の発光素子に共通の電圧を供給する場合の表示装置の模式図を図２４に示す
。図２４の表示装置は、第１の信号線駆動回路２４０１、第２の信号線駆動回路２４０２
、画素部２４０３を備え、画素部２４０３にはマトリクスに複数の発光素子２４０４が配
置されている。なお、発光素子２４０４は温度が高くなると抵抗値が低くなる特性を有し
ているものとする。また、この表示装置において、第１の信号線駆動回路２４０１は第２
の信号線駆動回路２４０２よりも高い周波数で動作しているものとする。
ここで、第１の信号線駆動回路２４０１は高い周波数で動作するため、第２の信号線駆動
回路２４０２に比べて高温となる。すると、画素部２４０３の面内の温度は第１の信号線
駆動回路２４０１に近い部分は高温となり、遠くになるにつれて第１の信号線駆動回路２
４０１からの発熱の影響が小さくなる。すると、第１の信号線駆動回路２４０１に近い方
の画素部の発光素子２４０４も高温となり、抵抗値が小さくなる。一方、第１の信号線駆
動回路２４０１から遠くの方の画素部の発光素子２４０４は第１の信号線駆動回路２４０
１の発熱の影響が小さいためあまり抵抗値の変動は生じない。
このとき、画素部２４０３の発光素子２４０４に共通の電圧を供給すると、画素部２３０
３の面内の発光素子２４０４は第１の信号線駆動回路２４０１に近づくにつれて明るく表
示されてしまう。つまり輝度が高くなってしまう。
ところが、図２３を用いて説明したように本発明の表示装置ではこのバラツキが低減され
る。
なお、図２３や図２４では第１の信号線駆動回路２３０１、２４０１を熱源として説明し
たが、これに限られない。例えば表示装置のパネルとモジュールを接続するＦＰＣの接続
部が熱源となる場合には、熱源となるＦＰＣ接続部から遠くになるにつれて発光素子に印
加する電圧を高くするようにすればよい。
（実施の形態１）
本実施の形態では、アクティブ型表示装置に本発明を適用した場合について説明する。ま
ず、本発明の表示装置の有する温度及び劣化補償回路（以下単に補償回路という）の基本
原理について図１１を用いて説明する。
図１１は、アクティブ型の表示装置を模式的に示した図である。表示装置はゲート信号線
駆動回路（ゲートドライバともいう）１１０７、ソース信号線駆動回路（ソースドライバ
ともいう）１１０８、画素部１１０９を備え、画素部１１０９は複数の画素１１０６から
構成されており、画素１１０６は駆動トランジスタ１１０４、発光素子１１０５を有する
。また、表示装置は基本電流源１１０１、モニター素子１１０２、アンプ１１０３を有し
ており、基本電流源１１０１はモニター素子１１０２に定電流を供給する。つまり、モニ
ター素子１１０２は定電流駆動させる。よってモニター素子１１０２に流れる電流値は常
に一定である。この状態で周囲の温度（以下環境温度という）が変化すると、モニター素
子１１０２自体の抵抗値が変化する。そして、モニター素子１１０２の抵抗値が変化する
と、当該モニター素子１１０２に流れる電流値は一定であることから、モニター素子１１
０２の両電極間の電位差が変化する。このモニター素子１１０２の両電極間の電位差を検
出することで温度の変化を検出する。より詳しくは、モニター素子１１０２の一定の電位
に保たれている側の電極の電位、つまり図１では陰極１１１０の電位は変わらないので、
基本電流源１１０１に接続されている側の電位、つまり図１では陽極１１１１の電位の変
化を検出する。
ここで、モニター素子１１０２の電圧−電流特性の環境温度依存性ついて図１３を用いて
説明する。室温（例えば２５℃）、低温（例えば−２０℃）、高温（例えば７０℃）での
モニター素子１１０２の電圧−電流特性をそれぞれ線１３０１、線１３０２、線１３０３
に示す。基本電流源１１０１からモニター素子１１０２へ流れる電流値がＩ0であるとき
、常温ではモニター素子にはＶ0の電圧が発生していることになる。そして、低温時では
Ｖ1の電圧となり、高温時ではＶ2の電圧となる。つまり、電流値Ｉ0の電流が常温のモニ
ター素子１１０２に流れるとモニター素子１１０２での電圧降下はＶ0となり、低温のモ
ニター素子１１０２での電圧降下はＶ1となり、高温のモニター素子１１０２での電圧降
下はＶ2となる。よって、低温になったときには発光素子１１０５に電圧Ｖ1を、高温にな
ったときには発光素子１１０５に電圧Ｖ2を加えるようにすると温度補償をすることがで
きる。
また、図１４はモニター素子１１０２の電圧−電流特性の経時変化を説明する図である。
モニター素子１１０２の初期特性を線１４０１、劣化後の特性を線１４０２で示している
。なお、初期特性と劣化後の特性は同じ温度条件（常温）で測定したものとする。初期特
性の状態でモニター素子１１０２に電流Ｉ0が流れるとモニター素子１１０２に発生する
電圧はＶ0、劣化後のモニター素子１１０２に発生する電圧はＶ3となる。つまり、一定の
電圧を発光素子に印加する場合には、経時的にその電流値が減少する性質を有する。つま
り、発光素子に電流を流し始めた初期の状態に比べ、電流を流し続けて時間がたった後の
発光素子の抵抗値は高くなる。よって、一定の電圧を発光素子に印加しているにも関わら
ず、発光素子に流れる電流値は経時的に減少してくる。よって、このＶ3の電圧を、同様
に劣化した発光素子１１０５に印加するようにすれば、見かけ上の発光素子１１０５の劣
化を低減することができる。
よって、これらの温度変化及び経時変化の情報を加味した電圧を発光素子１１０５に印加
するようにする。つまり、温度変化及び経時変化に起因した発光素子１１０５の抵抗値の
変化に合わせて電圧値を設定する。こうして、温度変化及び経時変化に起因した発光素子
１１０５の輝度のバラツキを抑制する。
ここで、それぞれの発光素子１１０５の温度は画素部１１０９の面内における画素１１０
６の位置する場所によっても大きく異なる。例えば、高い周波数で動作させるソース信号
線駆動回路１１０８は発熱して高温になる。よって、ソース信号線駆動回路１１０８側に
位置する画素１１０６の発光素子１１０５も高温になる。したがって、ソース信号線駆動
回路１１０８の近くに位置する発光素子１１０５から遠くに位置する発光素子１１０５ま
で画素部１１０９に温度傾斜が生じることになるため、画素部１１０９を構成する全ての
画素１１０６の発光素子１１０５に共通の電圧を印加すると、輝度にバラツキが生じてし
まう。つまり、ソース信号線駆動回路１１０８に近い方の発光素子１１０５の輝度は高く
なり、ソース信号線駆動回路１１０８から遠くなるにつれて発光素子１１０５の輝度は低
くなってしまう。
そこで本発明は、画素部面内において、画素の位置する場所によって生じる発光素子の温
度変化による輝度のバラツキを低減するため、画素部面内における画素の位置毎に適した
電圧を発光素子に印加するようにする。より好ましくは列方向に複数配置されたソース信
号線と行方向に複数配置されたゲート信号線に対応してマトリクスに配置された複数の画
素を有する表示装置において、画素の各行毎に発光素子に印加する電圧を設定する。そし
て、その設定する電圧は、画素の各行毎に環境温度及び経時変化を補償した電圧を設定す
る。
図１を用いて画素の各行毎に温度及び経時変化を補償した電圧を設定するアクティブ型表
示装置の構成の一例を説明する。本実施の形態の表示装置はデジタル時間階調方式を採用
した表示装置を示している。
表示装置は行方向に配置されたゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに信号を出力するゲート信号線駆動
回路１０５と、列方向に配置されたソース信号線Ｓ1〜Ｓnへ信号を出力するソース信号線
駆動回路１０６と、行方向と列方向に対応してマトリクスに複数の画素１０８が配置され
た画素部１０７を備えている。画素１０８は駆動トランジスタ１１０と発光素子１０９を
有しており、発光素子１０９の陰極はＧＮＤに接続されている。ゲート選択期間中にソー
ス信号線Ｓ1〜Ｓnにより入力された信号によって駆動トランジスタ１１０のオンオフが制
御される。そして、駆動トランジスタ１１０がオンになっている画素１０８の発光素子１
０９が発光する。なお、ゲート信号線Ｇ1により選択される画素の行を画素群１１１ａ1、
ゲート信号線Ｇ2により選択される画素の行を画素群１１１ａ2、ゲート信号線Ｇmにより
選択される画素の行を画素群１１１ａmで示している。
さらに表示装置は基本電流源１０１ａ1〜１０１ａm、モニター素子１０２ａ1〜１０２ａm
、アンプ１０３ａ1〜１０３ａmを有している。モニター素子１０２ａ1〜１０２ａmの陰極
は発光素子１０９の陰極と同様ＧＮＤに接続されている。そして、基本電流源１０１ａ1
はモニター素子１０２ａ1に定電流を供給し、モニター素子１０２ａ1に電圧が発生する。
つまり、モニター素子１０２ａ1の両電極間に電位差が生じる。このときのモニター素子
１０２ａ1の陽極１０４ａ1の電位をアンプ１０３ａ1が検出し、概略同電位を電源線Ｖ1に
出力する。こうして、ゲート信号線Ｇ1にスイッチング用トランジスタのゲート電極が接
続されている画素群１１１ａ1の中で駆動トランジスタ１１０がオンになっている画素１
０８の発光素子１０９の陽極に、アンプ１０３ａ1から出力された電位が入力される。そ
して、発光素子１０９に電流が流れ、発光する。同様に基本電流源１０１ａ2〜１０１ａm
はそれぞれモニター素子１０２ａ2〜１０２ａmに定電流を供給し、アンプ１０３ａ2〜１
０３ａmがそれぞれのモニター素子１０２ａ2〜１０２ａmの陽極１０４ａ2〜１０４ａmの
電位を検出し、概略同電位を電源線Ｖ2〜Ｖmに出力する。こうして、画素群１１１ａ1、
１１１ａ2、１１１ａ3、・・・、１１１ａmというように画素行毎に発光素子１０９に印
加する電圧を設定することができる。なお、ここで概略同電位とは、各行毎に検出したモ
ニター素子の電位を各電源線に出力し、各行毎の発光素子に電圧を印加したときに、モニ
ター素子と発光素子の電圧−電流特性の等しい状態において、それらの輝度が視覚的に見
たときにバラツキが視認できない程度までの誤差を範疇に含むものとする。よって、概略
同電位とはある程度の幅をもつものとする。
なお、アンプ１０３ａ1〜１０３ａmとしてはオペアンプを用いたボルテージフォロワ回路
を適用することができる。ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子は高入力インピーダ
ンスで、出力端子は低出力インピーダンスである。よって、ボルテージフォロワ回路の非
反転入力端子には基本電流源１０１ａ2〜１０１mの電流がほとんど流れ込むことなく、ボ
ルテージフォロワ回路の出力端子からは電流を供給することができる。そして、ボルテー
ジフォロワ回路の出力端子からは非反転入力端子に入力される電位と同電位を出力するこ
とができる。つまりインピーダンス変換を行うことができる。よって、このような機能を
有する回路であればボルテージフォロワ回路に限られないことはいうまでもない。また、
入力端子に入力される電位と概略同電位を出力端子から出力するアンプであれば、必ずし
もインピーダンス変換を行わなくても構わない。よって、アンプ１０３ａ1〜１０３ａmに
は電圧帰還型アンプや、電流帰還型アンプを適宜用いることができる。
また、モニター素子１０２ａ1〜１０２ａmや各画素１０８の発光素子１０９の陰極はＧＮ
Ｄに接続されているが、これに限られない。例えば、モニター素子１０２ａ1〜１０２ａm
や各発光素子１０９の陰極は他の特定電位の配線に接続されていても良い。また、モニタ
ー素子１０２ａ1〜１０２ａmと各発光素子１０９の陰極の接続されている配線が異なって
いても構わないし、モニター素子１０２ａ1〜１０２ａmの各々の陰極が別の配線に接続さ
れていても構わないし、同じであっても構わない。しかし、モニター素子１０２ａ1〜１
０２ａmや各画素１０８の発光素子１０９の陰極は同じ電位の配線に接続されているのが
好ましい。
また、モニター素子１０２ａ1は、画素部の周辺に画素群１１１ａ1の発光素子１０９と並
んで配置され、同様にモニター素子１０２ａ2〜１０２ａmは、画素部の周辺にそれぞれ画
素群１１１ａ2〜１１１ａmの発光素子１０９と並んで配置されている。したがって、発光
素子１０９には、ソース信号線駆動回路１０６からの距離が概略等しいモニター素子、つ
まり、温度変化により変動する抵抗値が概略等しいモニター素子に発生する電圧と概略等
しい電圧が印加されることになる。よって、ソース信号線駆動回路１０６の発熱による画
素部１０７の面内の温度傾斜に起因する輝度のバラツキを低減することができる。なお、
もちろん環境温度変化や経時変化に起因する輝度のバラツキも低減することができる。
なお、モニター素子と発光素子は同一基板上に同一の材料で同時に形成することが好まし
い。そうすることで、モニター素子と発光素子の電流電圧特性のばらつきを低減すること
ができるからである。
なお、図１の構成では各行の画素部に対応して１つのモニター素子を設けているが、複数
であってもよい。モニター素子を各行毎に並列に複数設けることでモニター素子の特性の
バラツキを平均化することができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、図１を用いて説明したアクティブ型表示装置の具体的な構成の一例に
ついて図２を用いて説明する。
表示装置は行方向に配置されたゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに信号を出力するゲート信号線駆動
回路２０５と、列方向に配置されたソース信号線Ｓ1〜Ｓnへ信号を出力するソース信号線
駆動回路２０６と、ゲート信号線Ｇ1〜Ｇmとソース信号線Ｓ1〜Ｓnに対応してマトリクス
に複数の画素２０８が配置された画素部２０７を備えている。画素２０８はスイッチング
用トランジスタ２０４と、駆動トランジスタ２１０と、容量素子２１１と、発光素子２０
９とを有している。
ここで、ソース信号線駆動回路２０６にはシリアルにＤＡＴＡ信号が入力される。そして
パルス出力回路２１２にはＳＣＫ信号、ＳＣＫＢ信号、ＳＳＰ信号が入力され、第１のラ
ッチ回路２１３の各列に順次信号が出力される。このパルス出力回路２１２から出力され
た信号に従って第１のラッチ回路２１３にＤＡＴＡ信号がパラレルに保存されることにな
る。そして、第２のラッチ回路２１４にＳＬＡＴ信号が入力されると、この第１のラッチ
回路２１３に保存されたＤＡＴＡ信号は第２のラッチ回路２１４に転送される。この第２
のラッチ回路２１４に保存されたＤＡＴＡ信号がソース信号線駆動回路２０６から出力さ
れる。また、ゲート信号線駆動回路２０５にはＧＣＫ信号、ＧＣＫＢ信号、ＧＳＰ信号が
入力され、順次ゲート信号線Ｇ1〜Ｇmを選択する。ゲート選択期間中において、その選択
されているゲート信号線にゲート電極が接続されているスイッチング用トランジスタ２０
４がオンする。そして、ソース信号線駆動回路２０６から出力された信号がＳ1〜Ｓnを通
じて、選択されている行の画素２０８の容量素子２１１に書き込まれる。こうしてソース
信号線Ｓ1〜Ｓnからの信号となる電荷が容量素子２１１に蓄積される。この蓄積される電
荷により駆動トランジスタ２１０のオンオフが制御される。そして、駆動トランジスタ２
１０がオンになっている画素２０８の発光素子２０９が発光する。
さらに表示装置は基本電流源２０１ａ1〜２０１ａm、モニター素子２０２ａ1〜２０２ａm
、ボルテージフォロワ回路２０３ａ1〜２０３ａmを有している。モニター素子２０２ａ1
〜２０２ａmの陰極及び発光素子２０９の陰極はＧＮＤに接続されている。そして、基本
電流源２０１ａ1はモニター素子２０２ａ1に定電流を供給し、モニター素子２０２ａ1に
電圧が発生する。つまり、モニター素子２０２ａ1の両電極間に電位差が生じる。このと
きのモニター素子２０２ａ1の陽極の電位をボルテージフォロワ回路２０３ａ1が検出し、
概略同電位を電源線Ｖ1に出力する。こうして、ゲート信号線Ｇ1が選択されているときに
、ゲート信号線Ｇ1にスイッチング用トランジスタ２０４のゲート端子が接続されている
画素行にソース信号線Ｓ1〜Ｓnから信号が入力される。そして、駆動トランジスタ２１０
がオンになっている画素２０８の発光素子２０９に、ボルテージフォロワ回路２０３ａ1
から出力された電位が入力される。そして、発光素子２０９に電流が流れ、発光する。同
様に基本電流源２０１ａ2〜２０１mはそれぞれモニター素子２０２ａ2〜２０２ａmに定電
流を供給し、ボルテージフォロワ回路２０３ａ2〜２０３ａmがそれぞれのモニター素子２
０２ａ2〜２０２ａmの陽極の電位を検出し、概略同電位を電源線Ｖ2〜Ｖmに出力する。こ
うして、画素行毎に発光素子２０９に印加する電圧を設定することができる。なお、ここ
で概略同電位とは、各行毎に検出したモニター素子の電位を各電源線に出力し、各行毎の
発光素子に電圧を印加したときに、モニター素子と発光素子の電圧−電流特性の等しい状
態において、それらの輝度が視覚的に見たときにバラツキが視認できない程度までの誤差
を範疇に含むものとする。よって、概略同電位とはある程度の幅をもつものとする。
また、モニター素子２０２ａ1は、画素部の周辺にゲート信号線Ｇ1にゲート電極が接続さ
れたスイッチング用トランジスタ２０４を有する画素２０８の発光素子２０９と並んで配
置され、同様にモニター素子２０２ａ2〜２０２ａmは、画素部の周辺にそれぞれゲート信
号線Ｇ２〜Ｇｍにゲート電極が接続されたスイッチング用トランジスタ２０４を有する画
素２０８の発光素子２０９と並んで配置されている。したがって、発光素子には、ソース
信号線駆動回路２０６からの距離が概略等しいモニター素子、つまり、温度変化により変
動する抵抗値が概略等しいモニター素子に発生する電圧と概略等しい電圧が印加されるこ
とになる。よって、ソース信号線駆動回路２０６の発熱による画素部２０７の温度傾斜に
起因する輝度のバラツキを低減することができる。なお、もちろん環境温度変化や経時変
化に起因する輝度のバラツキも低減することができる。
なお、図２の構成ではボルテージフォロワ回路２０３ａ1〜２０３ａmを用いているが入力
端子に入力される電位と概略同電位を出力端子から出力する機能を有していればボルテー
ジフォロワ回路に限られないことはいうまでもない。よって、電圧帰還型アンプや、電流
帰還型アンプを適宜用いることができる。
また、モニター素子２０２ａ1〜２０２ａmや各画素２０８の発光素子２０９の陰極はＧＮ
Ｄに接続されているが、これに限られない。例えば、モニター素子２０２ａ1〜２０２ａm
や発光素子２０９の陰極はＧＮＤ以外の他の特定電位の配線に接続されていても良い。ま
た、モニター素子２０２ａ1〜２０２ａmと各発光素子２０９の陰極の接続されている配線
が異なっていても構わないし、モニター素子２０２ａ1〜２０２ａmの各々の陰極が別の配
線に接続されていても構わないし、同じであっても構わない。しかし、モニター素子２０
２ａ1〜２０２ａmや発光素子２０９の陰極は同じ電位の配線に接続されているのが好まし
い。
また、この構成に限られず、適宜画素内のトランジスタの極性を変更したり、接続を変更
したり、新たなトランジスタを追加した画素構成においても本発明を適用することができ
る。
なお、モニター素子は、画素部を挟んでゲート信号線駆動回路とは反対側に配置しても構
わない。温度補償の機能を効果的に発揮するため適宜モニター素子の配置を選択すること
ができる。
また、図２の表示装置とは異なる構成を図３に示す。図３の構成では電源線Ｖ１〜Ｖｍを
画素部の外に設けることができる。
図３に示す表示装置は行方向に配置されたゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに信号を出力するゲート
信号線駆動回路３０５と、列方向に配置されたソース信号線Ｓ1〜Ｓnへ信号を出力するソ
ース信号線駆動回路３０６と、行方向と列方向に対応してマトリクスに複数の画素３０８
が配置された画素部３０７を備えている。画素３０８はスイッチング用トランジスタ３０
４と、駆動トランジスタ３１０と、容量素子３１１と、発光素子３０９とを有している。
また、図３に示す表示装置は基本電流源３０１ａ1〜３０１ａm、モニター素子３０２ａ1
〜３０２ａm、ボルテージフォロワ回路３０３ａ1〜３０３ａmを有している。ここで、図
３に示す表示装置において、基本電流源３０１ａ1〜３０１ａm、モニター素子３０２ａ1
〜３０２ａm、ボルテージフォロワ回路３０３ａ1〜３０３ａm、ゲート信号線駆動回路３
０５、ソース信号線駆動回路３０６、画素部３０７は、図２に示す表示装置の基本電流源
２０１ａ1〜２０１ａm、モニター素子２０２ａ1〜２０２ａm、ボルテージフォロワ回路２
０３ａ1〜２０３ａm、ゲート信号線駆動回路２０５、ソース信号線駆動回路２０６、画素
部２０７に対応し、動作については同様であるので説明は省略する。
なお、ボルテージフォロワ回路３０３ａ1〜３０３ａmからは電位が出力される。よって、
ボルテージフォロワ回路３０３ａ1〜３０３ａmの出力端子から各画素３０８までの配線の
配線抵抗により電圧降下が生じると各画素３０８の発光素子３０９に印加される電圧値が
ばらついてしまう。そこで、ボルテージフォロワ回路３０３ａ1〜３０３ａmの出力端子か
ら各画素３０８までの配線の配線抵抗を低くすることが好ましい。よって、電源線Ｖ1〜
Ｖmを本構成のように電源線Ｖ1〜Ｖmを画素部の外に配置し、抵抗の低い材料で形成する
ことでより各画素３０８の輝度のバラツキを低減することができる。ただし、画素行が多
くなると、駆動トランジスタ３１０と電源線Ｖ1〜Ｖmとの引き回し配線が多くなり、画素
の開口率が低くなってしまうため図２の構成や図３の構成を適宜用いるとよい。また、例
えば、画素部３０７の上方の行と下方の行は図３のような構成とし、それ以外は図２のよ
うな構成とするように、組み合わせて用いても構わない。
なお、図３の構成ではボルテージフォロワ回路３０３ａ1〜３０３ａmを用いているが入力
端子に入力される電位と概略同電位を出力端子から出力する機能を有していればボルテー
ジフォロワ回路に限られないことはいうまでもない。よって、電圧帰還型アンプや、電流
帰還型アンプを適宜用いることができる。
また、モニター素子３０２ａ1〜３０２ａmや各画素３０８の発光素子３０９の陰極はＧＮ
Ｄに接続されているが、これに限られない。例えば、モニター素子３０２ａ1〜３０２ａm
や発光素子３０９の陰極はＧＮＤ以外の他の特定電位の配線に接続されていても良い。ま
た、モニター素子３０２ａ1〜３０２ａmと各発光素子３０９の陰極の接続されている配線
が異なっていても構わないし、モニター素子３０２ａ1〜３０２ａmの各々の陰極が別の配
線に接続されていても構わないし、同じであっても構わない。しかし、モニター素子３０
２ａ1〜３０２ａmや発光素子３０９の陰極は同じ電位の配線に接続されているのが好まし
い。
また、この構成に限られず、適宜画素内のトランジスタの極性を変更したり、接続を変更
したり、新たなトランジスタを追加した画素構成においても本発明を適用することができ
る。
なお、モニター素子は、画素部を挟んでゲート信号線駆動回路とは反対側に配置しても構
わない。温度補償の機能を効果的に発揮するため適宜モニター素子の配置を選択すること
ができる
（実施の形態３）
本実施の形態では、行方向に配置されたゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに信号を出力するゲート信
号線駆動回路４０５と、列方向に配置されたソース信号線Ｓ1〜Ｓnへ信号を出力するソー
ス信号線駆動回路４０６と、ゲート信号線Ｇ1〜Ｇmとソース信号線Ｓ1〜Ｓnに対応してマ
トリクスに複数の画素４０８が配置された画素部４０７を備えている表示装置において、
複数の行の画素４０８毎に分けて発光素子４０９に印加する電圧値を設定する表示装置の
構成について説明する。つまり、図１の構成では画素の一行づつに電圧値を設定していた
が、図４の構成では画素の二行づつに電圧値を設定する。
図４に示す表示装置は行方向に配置されたゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに信号を出力するゲート
信号線駆動回路４０５と、列方向に配置されたソース信号線Ｓ1〜Ｓnへ信号を出力するソ
ース信号線駆動回路４０６と、行方向と列方向に対応してマトリクスに複数の画素４０８
が配置された画素部４０７を備えている。画素４０８は駆動トランジスタ４１０と発光素
子４０９を有しており、発光素子４０９の陰極はＧＮＤに接続されている。ゲート選択期
間中にソース信号線により入力された信号によって駆動トランジスタ４１０のオンオフが
制御される。そして、駆動トランジスタ４１０がオンになっている画素４０８の発光素子
４０９が発光する。なお、ゲート信号線Ｇ1により選択される画素の行を画素群４１１ａ1
、ゲート信号線Ｇ2により選択される画素の行を画素群４１１ａ2、ゲート信号線Ｇmによ
り選択される画素の行を画素群４１１ａmで示している。
さらに表示装置は基本電流源４０１ａ1〜４０１ａm/2、モニター素子４０２ａ1〜４０２
ａm、アンプ４０３ａ1〜４０３ａm/2を有している。モニター素子４０２ａ1〜４０２ａm
の陰極は発光素子４０９の陰極と同様ＧＮＤに接続されている。そして、基本電流源４０
１ａ1はモニター素子４０２ａ1及びモニター素子４０２ａ2に定電流を供給し、モニター
素子４０２ａ1及びモニター素子４０２ａ2に電圧が発生する。つまり、モニター素子４０
２ａ1及びモニター素子４０２ａ2のそれぞれの両電極間に電位差が生じる。このときのモ
ニター素子４０２ａ1及びモニター素子４０２ａ2の陽極４０４ａ1及び陽極４０４ａ2の電
位をアンプ４０３ａ1が検出し、概略同電位を電源線Ｖ1に出力する。こうして、ゲート信
号線Ｇ1がスイッチング用トランジスタのゲート電極に接続されている画素群４１１ａ1又
はゲート信号線Ｇ2がスイッチング用トランジスタのゲート電極に接続されている画素群
４１１ａ2で駆動トランジスタ４１０がオンになっている画素４０８の発光素子４０９に
、アンプ４０３ａ1から出力された電位が入力される。そして、発光素子４０９に電流が
流れ、発光する。同様に基本電流源４０１ａ2〜４０１m/2はそれぞれモニター素子４０２
ａ3及び４０２ａ4〜４０２ａm―1及び４０２ａmに定電流を供給し、アンプ４０３ａ2〜４
０３ａm/2がそれぞれのモニター素子４０２ａ3及び４０２ａ4〜４０２ａm―1及び４０２
ａmの陽極４０４ａ3及び４０４ａ4〜４０４ａm―1及び４０４ａmの電位を検出し、概略同
電位を電源線Ｖ2〜Ｖm/2に出力する。こうして、画素群４１１ａ1と４１１ａ2、４１１ａ
3と４１１ａ4、・・・、４１１ａm―1と４１１ａmというように二行の画素群毎に発光素
子１０９に印加する電圧を設定することができる。つまり、二つのモニター素子の抵抗値
の平均化した値に対する電圧値を検出し、発光素子に印加していることになる。また、二
行分の画素の電源線を共通にすることから、電源線の数及び駆動トランジスタ４１０の引
き回し配線を減らすことができる。よって、モニター素子の特性のバラツキの平均化及び
画素の開口率の向上を図ることができる。なお、ここで概略同電位とは、各行毎に検出し
たモニター素子の電位を各電源線に出力し、各行毎の発光素子に電圧を印加したときに、
モニター素子と発光素子の電圧−電流特性の等しい状態において、それらの輝度が視覚的
に見たときにバラツキが視認できない程度までの誤差を範疇に含むものとする。よって、
概略同電位とはある程度の幅をもつものとする。
なお、図４の構成では、二行分の画素の電源線を共通としたが、これに限らない。画素部
の温度傾斜による輝度のバラツキを低減することができるよう適宜調整することができる
。例えば、画素部の画素行のちょうど半分のところで上部と下部に分けて二つの電源線を
設けてもいいし、特にソース信号線駆動回路４０６の発熱による影響を受けやすい画素行
、つまりソース信号線駆動回路４０６に近い数行の画素行のみの電源線を別に設けてもよ
い。
なお、アンプ４０３ａ1〜４０３ａm/2としてはオペアンプを用いたボルテージフォロワ回
路を適用することができる。ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子は高入力インピー
ダンスで、出力端子は低出力インピーダンスである。よって、ボルテージフォロワ回路の
非反転入力端子には基本電流源４０１ａ2〜４０１m/2の電流がほとんど流れ込むことなく
、ボルテージフォロワ回路の出力端子からは電流を供給することができる。そして、ボル
テージフォロワ回路の出力端子からは非反転入力端子に入力される電位と同電位を出力す
ることができる。つまりインピーダンス変換を行うことができる。よって、このような機
能を有する回路であればボルテージフォロワ回路に限られないことはいうまでもない。ま
た、入力端子に入力される電位と概略同電位を出力端子から出力するアンプであれば、必
ずしもインピーダンス変換を行わなくても構わない。よって、アンプ４０３ａ1〜４０３
ａm/2には電圧帰還型アンプや、電流帰還型アンプを適宜用いることができる。
また、モニター素子４０２ａ1〜４０２ａmや各画素４０８の発光素子４０９の陰極はＧＮ
Ｄに接続されているが、これに限られない。例えば、モニター素子４０２ａ1〜４０２ａm
や各発光素子４０９の陰極はＧＮＤ以外の他の特定電位の配線に接続されていても良い。
また、モニター素子４０２ａ1〜４０２ａmと各発光素子４０９の陰極の接続されている配
線が異なっていても構わないし、モニター素子４０２ａ1〜４０２ａmの各々の陰極が別の
配線に接続されていても構わないし、同じであっても構わない。しかし、モニター素子４
０２ａ1〜４０２ａmや各画素４０８の発光素子４０９の陰極は同じ電位の配線に接続され
ているのが好ましい。
また、図４の構成は図１の構成の表示装置の複数の画素行の電源線を共通とする例を示し
たが、図３のような構成のように、電源線を画素部の外に設けた構成においても適用する
ことができる。そのような表示装置の具体的な構成の一例を図５に示す。
表示装置は行方向に配置されたゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに信号を出力するゲート信号線駆動
回路５０５と、列方向にソース信号線Ｓ1〜Ｓnへ信号を出力するソース信号線駆動回路５
０６と、ゲート信号線Ｇ1〜Ｇmとソース信号線Ｓ1〜Ｓnに対応してマトリクスに複数の画
素５０８が配置された画素部５０７を備えている。画素５０８は駆動トランジスタ５１０
とスイッチング用トランジスタ５０４と発光素子５０９とを有しており、発光素子５０９
の陰極はＧＮＤに接続されている。また、ソース信号線駆動回路５０６はパルス出力回路
５１２、第１のラッチ回路５１３、第２のラッチ回路５１４を有する。ゲート選択期間中
にソース信号線により入力された信号によって駆動トランジスタ５１０のオンオフが制御
される。そして、駆動トランジスタ５１０がオンになっている画素５０８の発光素子５０
９が発光する。
さらに表示装置は基本電流源５０１ａ1〜５０１ａm/2、モニター素子５０２ａ1〜５０２
ａm、ボルテージフォロワ回路５０３ａ1〜５０３ａm/2を有している。モニター素子５０
２ａ1〜５０２ａmの陰極は発光素子５０９の陰極と同様ＧＮＤに接続されている。本構成
では基本電流源５０１ａ1によりモニター素子５０２ａ1及びモニター素子５０２ａ2に電
流が供給される。そして、ボルテージフォロワ回路５０３ａ1は、これらのモニター素子
の陽極の電位を検出し、電源線Ｖ1に電位を設定する。
また、本構成は、電源線Ｖ1〜Ｖm/2が画素部５０７の外側に配置されており、かつ駆動ト
ランジスタ５１０のソース電極の引き回し配線の数を減らすことができるため画素の開口
率を向上させることができる。
なお、図５の構成ではボルテージフォロワ回路５０３ａ1〜５０３ａm/2を用いているが入
力端子に入力される電位と概略同電位を出力端子から出力する機能を有していればボルテ
ージフォロワ回路に限られないことはいうまでもない。よって、電圧帰還型アンプや、電
流帰還型アンプを適宜用いることができる。
また、モニター素子５０２ａ1〜５０２ａmや各画素５０８の発光素子５０９の陰極はＧＮ
Ｄに接続されているが、これに限られない。例えば、モニター素子５０２ａ1〜５０２ａm
や発光素子５０９の陰極はＧＮＤ以外の他の特定電位の配線に接続されていても良い。ま
た、モニター素子５０２ａ1〜５０２ａmと各発光素子５０９の陰極の接続されている配線
が異なっていても構わないし、モニター素子５０２ａ1〜５０２ａmの各々の陰極が別の配
線に接続されていても構わないし、同じであっても構わない。しかし、モニター素子５０
２ａ1〜５０２ａmや発光素子５０９の陰極は同じ電位の配線に接続されているのが好まし
い。
また、この構成に限られず、適宜画素内のトランジスタの極性を変更したり、接続を変更
したり、新たなトランジスタを追加した画素構成においても本発明を適用することができ
る。
なお、モニター素子は、画素部を挟んでゲート信号線駆動回路とは反対側に配置しても構
わない。温度補償の機能を効果的に発揮するため適宜モニター素子の配置を選択すること
ができる
（実施の形態４）
本実施の形態では複数の色要素を有する表示装置において、色要素の画素毎に補償機能を
有する表示装置について説明する。その一例としてＲＧＢの画素毎に補償機能を有する表
示装置について図６を用いて説明する。なお、本実施の形態では、１画素を構成するＲ（
赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の色要素毎にＲの画素、Ｇの画素、Ｂの画素という。
表示装置は行方向に配置されたゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに信号を出力するゲート信号線駆動
回路６０５と、列方向に配置されたソース信号線Ｓｒ1、Ｓｇ1、Ｓｂ1、Ｓｒ2、Ｓｇ2、
Ｓｂ2、・・・Ｓｒn、Ｓｇn、Ｓｂnへ信号を出力するソース信号線駆動回路６０６と、ゲ
ート信号線Ｇ1〜Ｇmとソース信号線Ｓ1〜Ｓnに対応してマトリクスにＲの画素６０８ｒ、
Ｇの画素６０８ｇ、Ｂの画素６０８ｂから構成される画素６０８が複数配置された画素部
６０７を備えている。Ｒの画素６０８ｒ、Ｇの画素６０８ｇ、Ｂの画素６０８ｂはそれぞ
れ駆動トランジスタ６１０と発光素子６０９を有しており、発光素子６０９の陰極はＧＮ
Ｄに接続されている。ゲート選択期間中にソース信号線Ｓｒ1、Ｓｇ1、Ｓｂ1〜Ｓｒn、Ｓ
ｇn、Ｓｂnにより入力された信号によって駆動トランジスタ６１０のオンオフが制御され
る。そして、駆動トランジスタ６１０がオンになっている画素６０８の発光素子６０９が
発光する。なお、ゲート信号線Ｇ1により選択される画素の行を画素群６０４ａ1、ゲート
信号線Ｇ2により選択される画素の行を画素群６０４ａ2、ゲート信号線Ｇ3により選択さ
れる画素の行を画素群６０４ａ3、ゲート信号線Ｇmにより選択される画素の行を画素群６
０４ａmで示している。
さらに表示装置は基本電流源６０１ｒ1〜６０１ｒm、基本電流源６０１ｇ1〜６０１ｇm、
基本電流源６０１ｂ1〜６０１ｂm、モニター素子６０２ｒ1〜６０２ｒm、モニター素子６
０２ｇ1〜６０２ｇm、モニター素子６０２ｂ1〜６０２ｂm、アンプ６０３ｒ1〜６０３ｒm
、アンプ６０３ｇ1〜６０３ｇm、アンプ６０３ｂ1〜６０３ｂmを有している。モニター素
子６０２ｒ1〜６０２ｒm、モニター素子６０２ｇ1〜６０２ｇm、モニター素子６０２ｂ1
〜６０２ｂmの陰極は発光素子６０９の陰極と同様ＧＮＤに接続されている。そして、基
本電流源６０１ｒ1はモニター素子６０２ｒ1に定電流を供給し、モニター素子６０２ｒ1
に電圧が発生する。つまり、モニター素子６０２ｒ1の両電極間に電位差が生じる。この
ときのモニター素子６０２ｒ1の陽極の電位をアンプ６０３ｒ1が検出し、概略同電位を電
源線Ｖｒ1に出力する。また、同様に基本電流源６０１ｇ1はモニター素子６０２ｇ1に、
基本電流源６０１ｂ1はモニター素子６０２ｂ1に定電流を供給し、モニター素子６０２ｇ
1の陽極の電位をアンプ６０３ｇ1が検出し、概略同電位を電源線Ｖｇ1に出力し、モニタ
ー素子６０２ｂ1の陽極の電位をアンプ６０３ｂ1が検出し、概略同電位を電源線Ｖｂ1に
出力する。同様に基本電流源６０１ｒ2〜６０１ｒm、基本電流源６０１ｇ2〜６０１ｇm、
基本電流源６０１ｂ2〜６０１ｂmはそれぞれモニター素子６０２ｒ2〜６０２ｒm、モニタ
ー素子６０２ｇ2〜６０２ｇm、モニター素子６０２ｂ2〜６０２ｂmに定電流を供給し、ア
ンプ６０３ｒ2〜６０３ｒmがそれぞれのモニター素子６０２ｒ2〜６０２ｒmの陽極の電位
を、アンプ６０３ｇ2〜６０３ｇmがそれぞれのモニター素子６０２ｇ2〜６０２ｇmの陽極
の電位を、アンプ６０３ｂ2〜６０３ｂmがそれぞれのモニター素子６０２ｂ2〜６０２ｂm
の陽極の電位を検出し、概略同電位をそれぞれ電源線Ｖｒ2〜Ｖｒm、電源線Ｖｇ2〜Ｖｇm
、電源線Ｖｂ2〜Ｖｂmに出力する。なお、ここで概略同電位とは、各行毎に検出したモニ
ター素子の電位を各電源線に出力し、各行毎の発光素子に電圧を印加したときに、モニタ
ー素子と発光素子の電圧−電流特性の等しい状態において、それらの輝度が視覚的に見た
ときにバラツキが視認できない程度までの誤差を範疇に含むものとする。よって、概略同
電位とはある程度の幅をもつものとする。
つまり、画素群６０４ａ1において、Ｒの画素の発光素子には電源線Ｖｒ1が電圧を供給し
、Ｇの画素の発光素子には電源線Ｖｇ１が電圧を供給し、Ｂの画素の発光素子には電源線
Ｖｂ1が電圧を供給する。同様に、画素群６０４ａ2〜画素群６０４ａmにおいて、Ｒの画
素の発光素子には電源線Ｖｒ2〜Ｖｒmが、Ｇの画素の発光素子には電源線Ｖｇ2〜Ｖｇmが
、Ｂの画素の発光素子には電源線Ｖｂ2〜Ｖｂmが電圧を供給する。
このように、画素行ごとに並んで配置して設けられたモニター素子に発生する電圧を検出
し、その電圧をその画素行の発光素子に印加することでソース信号線駆動回路６０６の発
熱による画素部の温度傾斜に起因する輝度のバラツキを低減することができる。
また、画素行のＲＧＢの画素毎にモニター素子を設けて温度変化及び経時変化の補償を行
っているため、ＲＧＢ毎の特性に合わせて発光素子に電圧値を設定することができる。つ
まり、ＲＧＢの画素間の輝度のバラツキを補償することができる。
なお、本発明は、ＲＧＢ毎の画素をデルタ配置にした構成の表示装置にも適用することが
できる。デルタ配置の画素とすることで高画質な表示装置を提供することができる。
また、アンプ６０３ｒ1〜６０３ｒm、アンプ６０３ｇ1〜６０３ｇm、アンプ６０３ｂ1〜
６０３ｂmとしてはオペアンプを用いたボルテージフォロワ回路を適用することができる
。ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子は高入力インピーダンスで、出力端子は低出
力インピーダンスである。よって、ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子には基本電
流源６０１ｒ1〜６０１ｒm、６０１ｇ1〜６０１ｇm、６０１ｂ1〜６０１ｂmの電流がほと
んど流れ込むことなく、ボルテージフォロワ回路の出力端子からは電流を供給することが
できる。そして、ボルテージフォロワ回路の出力端子からは非反転入力端子に入力される
電位と同電位を出力することができる。つまりインピーダンス変換を行うことができる。
よって、このような機能を有する回路であればボルテージフォロワ回路に限られないこと
はいうまでもない。また、入力端子に入力される電位と概略同電位を出力端子から出力す
るアンプであれば、必ずしもインピーダンス変換を行わなくても構わない。よって、アン
プ６０３ｒ1〜６０３ｒm、アンプ６０３ｇ1〜６０３ｇm、アンプ６０３ｂ1〜６０３ｂmに
は電圧帰還型アンプや、電流帰還型アンプを適宜用いることができる。
また、モニター素子６０２ｒ1〜６０２ｒm、６０２ｇ1〜６０２ｇm、６０２ｂ1〜６０２
ｂmや各画素６０８の発光素子６０９の陰極はＧＮＤに接続されているが、これに限られ
ない。例えば、モニター素子６０２ｒ1〜６０２ｒm、６０２ｇ1〜６０２ｇm、６０２ｂ1
〜６０２ｂmや各発光素子６０９の陰極はＧＮＤ以外の他の特定電位の配線に接続されて
いても良い。また、モニター素子６０２ｒ1〜６０２ｒm、６０２ｇ1〜６０２ｇm、６０２
ｂ1〜６０２ｂmと各発光素子６０９の陰極の接続されている配線が異なっていても構わな
いし、モニター素子６０２ｒ1〜６０２ｒm、６０２ｇ1〜６０２ｇm、６０２ｂ1〜６０２
ｂmの各々の陰極が別の配線に接続されていても構わないし、同じであっても構わない。
しかし、モニター素子モニター素子６０２ｒ1〜６０２ｒm、６０２ｇ1〜６０２ｇm、６０
２ｂ1〜６０２ｂmや各画素６０８の発光素子６０９は同じ電位の配線に接続されているの
が好ましい。
（実施の形態５）
本実施の形態では、図１の構成において、モニター素子に供給する基本電流源の数を減ら
した構成について図７を用いて説明する。
表示装置は行方向に配置されたゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに信号を出力するゲート信号線駆動
回路７０５と、列方向に配置されたソース信号線Ｓ1〜Ｓnへ信号を出力するソース信号線
駆動回路７０６と、ゲート信号線Ｇ1〜Ｇmとソース信号線Ｓ1〜Ｓnに対応してマトリクス
に複数の画素７０８が配置された画素部７０７を備えている。画素７０８は駆動トランジ
スタ７１０と発光素子７０９を有しており、発光素子７０９の陰極はＧＮＤに接続されて
いる。ゲート選択期間中にソース信号線により入力された信号によって駆動トランジスタ
７１０のオンオフが制御される。そして、駆動トランジスタ７１０がオンになっている画
素７０８の発光素子７０９が発光する。なお、ゲート信号線Ｇ1により選択される画素の
行を画素群７１１ａ1、ゲート信号線Ｇ2により選択される画素の行を画素群７１１ａ2、
ゲート信号線Ｇmにより選択される画素の行を画素群７１１ａmで示している。
さらに表示装置は基本電流源７０１、モニター素子７０２ａ1〜７０２ａm、アンプ７０３
ａ1〜７０３ａmを有している。モニター素子７０２ａ1〜７０２ａmの陰極は発光素子７０
９の陰極と同様ＧＮＤに接続されている。つまり、ゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに接続されてい
るそれぞれの画素行毎の電源線Ｖ1〜Ｖmに電圧を供給するアンプがそれぞれ設けられてい
る。そして、それぞれのアンプはそれぞれの画素行に並んで配置して設けられたモニター
素子の陽極７０４ａ1の電位を検出して、概略同電位を電源線に設定する。なお、ここで
概略同電位とは、各行毎に検出したモニター素子の電位を各電源線に出力し、各行毎の発
光素子に電圧を印加したときに、モニター素子と発光素子の電圧−電流特性の等しい状態
において、それらの輝度が視覚的に見たときにバラツキが視認できない程度までの誤差を
範疇に含むものとする。よって、概略同電位とはある程度の幅をもつものとする。
ここで、一つの基本電流源７０１を用いて、各画素群７１１ａ1〜７１１ａmに並んで配置
して設けられた各モニター素子７０２ａ1〜７０２ａmに同じ電流値の電流を供給し、それ
ぞれのモニター素子に発生する電圧を、それぞれの画素行毎に設けられたアンプ７０３ａ
1〜７０３ａmにより検出する原理について説明する。
まず、ゲート信号線Ｇ１により選択される画素群７１１ａ1の電源線Ｖ1に電位を設定する
ためスイッチ７１３ａ1及びスイッチ７１４ａ1をオンにする。すると、基本電流源７０１
からの電流が容量素子７１２ａ1及びモニター素子７０２ａ1に流れる。そして、モニター
素子７０２ａ1に発生する電圧分の電荷が容量素子７１２ａ1に蓄積され、容量素子７１２
ａ１には電流が流れなくなる。そして、容量素子７１２ａ1の陽極の電位をアンプ７０３
ａ１が検出する。ここで、容量素子７１２ａ1の陰極の電位はモニター素子の陰極の電位
と同じに設定されているため、モニター素子７０２ａ1の陽極７０４ａ1の電位と同電位の
容量素子７１２ａ1の陽極の電位を検出することで、モニター素子７０２ａ1に発生する電
圧を検出することができる。
なお、スイッチ７１３ａ1及びスイッチ７１４ａ1をオンにしているときには、スイッチ７
１３ａ2〜スイッチ７１３ａm及びスイッチ７１４ａ2〜スイッチ７１４ａmはオフにする。
そして、次にスイッチ７１３ａ2及び７１４ａ2をオンにするときにはスイッチ７１３ａ1
、スイッチ７１３ａ3〜スイッチ７１３ａm及びスイッチ７１４ａ1、スイッチ７１４ａ3〜
スイッチ７１４ａmはオフにする。こうすることで、各画素群７１１ａ1〜７１１ａmに並
んで配置して設けられたモニター素子７０２ａ1〜７０２ａmへ順々に基本電流源７０１か
ら電流を供給することができる。また、各モニター素子のそれぞれの電圧分の電荷を蓄積
する容量素子は、対応するモニター素子に電流が供給されていないときには、対応するモ
ニター素子に電流が流れていたときに発生した電圧を保持することができる。
なお、アンプ７０３ａ1〜７０３ａmとしてはオペアンプを用いたボルテージフォロワ回路
を適用することができる。ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子は高入力インピーダ
ンスで、出力端子は低出力インピーダンスである。よって、ボルテージフォロワ回路の非
反転入力端子には基本電流源７０１の電流がほとんど流れ込むことなく、ボルテージフォ
ロワ回路の出力端子からは電流を供給することができる。そして、ボルテージフォロワ回
路の出力端子からは非反転入力端子に入力される電位と同電位を出力することができる。
つまりインピーダンス変換を行うことができる。よって、このような機能を有する回路で
あればボルテージフォロワ回路に限られないことはいうまでもない。また、入力端子に入
力される電位と概略同電位を出力端子から出力するアンプであれば、必ずしもインピーダ
ンス変換を行わなくても構わない。よって、アンプ７０３ａ1〜７０３ａmには電圧帰還型
アンプや、電流帰還型アンプを適宜用いることができる。
また、モニター素子７０２ａ1〜７０２ａmや各画素７０８の発光素子７０９の陰極や容量
素子７１２ａ1〜７１２ａmの一方の電極はＧＮＤに接続されているが、これに限られない
。例えば、モニター素子７０２ａ1〜７０２ａmや各発光素子７０９の陰極や容量素子７１
２ａ1〜７１２ａmの一方の電極はＧＮＤ以外の他の特定電位の配線に接続されていても良
い。また、モニター素子７０２ａ1〜７０２ａmや各発光素子７０９の陰極や容量素子７１
２ａ1〜７１２ａmの一方の電極の接続されている配線が異なっていても構わないし、モニ
ター素子７０２ａ1〜７０２ａmの各々の陰極が別の配線に接続されていても構わないし、
同じであっても構わない。しかし、モニター素子７０２ａ1〜７０２ａmや各画素７０８の
発光素子７０９の陰極や容量素子７１２ａ1〜７１２ａmの一方の電極は同じ電位の配線に
接続されているのが好ましい。
次に、図７に示した表示装置の具体的な構成の一例について図８を用いて説明する。
表示装置は行方向に配置されたゲート信号線Ｇ1〜Ｇmに信号を出力するゲート信号線駆動
回路８０５と、列方向に配置されたソース信号線Ｓ1〜Ｓnへ信号を出力するソース信号線
駆動回路８０６と、ゲート信号線Ｇ1〜Ｇmとソース信号線Ｓ1〜Ｓnに対応してマトリクス
に複数の画素８０８が配置された画素部８０７を備えている。画素８０８はスイッチング
用トランジスタ８０４と容量素子８１１と駆動トランジスタ８１０と発光素子８０９を有
しており、発光素子８０９の陰極はＧＮＤに接続されている。
さらに表示装置は基本電流源８０１並びに、各画素行毎に対応してモニター素子８０２、
ボルテージフォロワ回路８０３、容量素子８１２、第１のトランジスタ８１３及び第２の
トランジスタ８１４を有している。ゲート信号線に第１のトランジスタ８１３及び第２の
トランジスタ８１４のゲート電極が接続されているため、ゲート信号線駆動回路８０５に
より選択されたゲート信号線にゲート電極が接続されているスイッチング用トランジスタ
８０４がオンするタイミングで、これらのスイッチング用トランジスタを有する画素行に
対応して設けられた第１のトランジスタ８１３及び第２のトランジスタ８１４もオンする
。つまり、ソース信号線Ｓ1〜Ｓmからの信号を駆動トランジスタ８１０に書き込むことが
できる状態（ゲート選択期間中）の画素行に対応して設けられた第１のトランジスタ８１
３及び第２のトランジスタ８１４がオンする。よって、ゲート信号線Ｇ1〜Ｇmの信号に従
って各画素行に対応した第１のトランジスタ８１３及び第２のトランジスタ８１４が順々
にオンする。
第１のトランジスタ８１３及び第２のトランジスタ８１４がオンすると、基本電流源８０
１からの電流が容量素子８１２及びモニター素子８０２に流れる。そして、モニター素子
８０２に発生する電圧分の電荷が容量素子８１２に蓄積されると、容量素子８１２には電
流が流れなくなり、モニター素子８０２にのみ電流が流れる。このときボルテージフォロ
ワ回路８０３の非反転入力端子にはモニター素子８０２の陽極の電位が入力され、出力端
子からは概略同電位を対応する画素行の電源線に出力する。なお、ここで概略同電位とは
、各行毎に検出したモニター素子の電位を各電源線に出力し、各行毎の発光素子に電圧を
印加したときに、モニター素子と発光素子の電圧−電流特性の等しい状態において、それ
らの輝度が視覚的に見たときにバラツキが視認できない程度までの誤差を範疇に含むもの
とする。よって、概略同電位とはある程度の幅をもつものとする。
そして、ある画素行のゲート選択期間が終了し、次の画素行がゲート選択期間になると、
ゲート選択期間の終了した画素行に対応する第１のトランジスタ８１３及び第２のトラン
ジスタ８１４がオフし、そのときのモニター素子８０２に発生する電圧を容量素子８１２
が保持する。次々に各画素行に対応するモニター素子８０２に発生する電圧を各容量素子
８１２に保持させることで、画素の各行に対応するボルテージフォロワ回路８０３の非反
転入力端子にはそれぞれの対応するモニター素子８０２の陽極の電位を入力することがで
きる。よって、各電源線には各画素行ごとに各モニター素子８０２の陽極の電位と概略同
電位が設定される。そして、それぞれの画素行が再びゲート選択期間になると、各容量素
子８１２は、環境温度変化及び経時変化に起因して変化するモニター素子８０２の抵抗値
の変化に伴う電圧分の電荷を蓄積し、ゲート選択期間が終了する瞬間のモニター素子８０
２の電圧を保持する。
このように、図８の構成の表示装置では、ゲート選択期間に合わせて温度変化や、経時変
化に起因してバラツキが生じる発光素子の輝度を補償することができる。
また、画素行毎に電源線の電位を設定し、ソース信号線駆動回路８０６が熱源となって生
じる温度傾斜に起因する発光素子８０９の輝度のバラツキも補償することができる。
また、簡易な構成により電流源の数を一つとすることができるため、回路構成を簡略化し
、コスト削減にもつながる。
なお、図８の構成ではボルテージフォロワ回路８０３を用いているが入力端子に入力され
る電位と概略同電位を出力端子から出力する機能を有していればボルテージフォロワ回路
に限られないことはいうまでもない。よって、電圧帰還型アンプや、電流帰還型アンプを
適宜用いることができる。
また、各モニター素子８０２や各画素８０８の発光素子８０９の陰極はＧＮＤに接続され
ているが、これに限られない。例えば、各モニター素子８０２や各発光素子８０９の陰極
はＧＮＤ以外の他の特定電位の配線に接続されていても良い。また、各モニター素子８０
２と各発光素子８０９の陰極の接続されている配線が異なっていても構わないし、各モニ
ター素子８０２の各々の陰極が別の配線に接続されていても構わないし、同じであっても
構わない。しかし、各モニター素子８０２や各発光素子８０９の陰極は同じ電位の配線に
接続されているのが好ましい。
また、この構成に限られず、適宜画素内のトランジスタの極性を変更したり、接続を変更
したり、新たなトランジスタを追加した画素構成においても本発明を適用することができ
る。
なお、モニター素子は、画素部を挟んでゲート信号線駆動回路とは反対側に配置しても構
わない。温度補償の機能を効果的に発揮するため適宜モニター素子の配置を選択すること
ができる
（実施の形態６）
実施の形態１〜５ではアクティブマトリクス型表示装置（アクティブ型表示装置ともいう
）を用いて説明したが、本発明はパッシブマトリクス型表示装置（パッシブ型表示装置と
もいう）にも適用することが可能である。そこで、本実施の形態では、本発明の補償回路
をパッシブマトリクス型表示装置に適用した場合について説明する。
パッシブ型表示装置の有する温度及び劣化補償回路（以下単に補償回路という）の基本原
理及び表示装置の駆動方法について図１２を用いて簡単に説明する。
図１２の表示装置は行方向に配置されたロウ信号線Ｒ1〜Ｒmに信号を出力するロウ信号線
駆動回路１２０２と、列方向に配置されたカラム信号線Ｃ1〜Ｃnに信号を出力するカラム
信号線駆動回路１２０１と、ロウ信号線Ｒ1〜Ｒmとカラム信号線Ｃ1〜Ｃnに対応してマト
リクスに発光素子１２０８が配置された画素部１２０３とを備える。ロウ信号線駆動回路
１２０２により、ロウ信号線Ｒ1〜Ｒmから一つのロウ信号線が選択（ここでは、ロウ信号
線がＧＮＤに接続）される。つまり、カラム信号線Ｃ1〜Ｃnに設定された電位との電位差
により発光素子１２０８に電流が流れるように一つのロウ信号線が選択される。そして、
選択されたロウ信号線とカラム信号線に設定された電位との電位差がロウ信号線とカラム
信号線に挟まれた発光素子１２０８に印加される。そして、電流が流れると発光素子１２
０８が発光する。このとき、カラム信号線Ｃ1〜Ｃnに設定される電位の大きさは各カラム
信号線で同じように設定されるが、電位が設定される期間が異なる。こうして時間階調表
示を行うことができる。
また、表示装置は基本電流源１２０５、モニター素子１２０７、アンプ１２０４を有する
。そして、基本電流源１２０５はモニター素子１２０７に定電流を供給する。つまりモニ
ター素子１２０７は定電流駆動を行う。そして、モニター素子１２０７の陽極１２０６側
の電位をアンプ１２０４は検出し、カラム信号線Ｃ1〜Ｃnへ出力する電位を設定する。な
お、アンプ１２０４としては例えばボルテージフォロワ回路を用いることができる。
また、カラム信号線駆動回路１２０１はパルス出力回路１２０９、第１のラッチ回路１２
１０、第２のラッチ回路１２１１、スイッチ群１２１２を有する。そして、パルス出力回
路１２０９からパルスが出力され、そのパルスにしたがって第１のラッチ回路１２１０に
順々にＤＡＴＡ信号が格納される。そして第１のラッチ回路１２１０で保持されたデータ
はＳＬＡＴ信号のタイミングにより第２のラッチ回路１２１１に転送される。そして、第
２のラッチ回路１２１１に保持されたデータがスイッチ群１２１２の各々のスイッチのオ
ンの期間を制御し、カラム信号線Ｃ１〜Ｃｎへ電位を供給する期間を設定する、つまり発
光素子へ電位を設定する期間を決定する。こうして時間階調表示を行うことができる。
なお、実際には例えば３ビットの階調を行う場合には第１のラッチ回路１２１０及び第２
のラッチ回路１２１１は各カラム信号線の電源供給を制御するスイッチ毎に３つのラッチ
回路を有する。そして第２のラッチ回路１２１１から出力された各カラム信号線毎の３ビ
ットのデータを８階調で階調を行う場合のパルス幅に変換し、そのパルス幅の期間スイッ
チ群１２１２を構成する各々のスイッチをオンさせるようにする。こうして８階調の表示
を行うことができる。
ここで、本発明の表示装置は行方向に配置された発光素子と並んで配置して画素部の周辺
に配置されたモニター素子を有する。そして、各モニター素子に定電流を供給し、モニタ
ー素子に発生する電圧を検出し、対応して行方向に配置された発光素子にその電圧を印加
する手段を備える。そのようなパッシブ型表示装置の例を図９を用いて説明する。
図９の表示装置は行方向に配置されたロウ信号線（走査線ともいう）Ｒ1〜Ｒmに信号を出
力するロウ信号線駆動回路９０２と、列方向に配置されたカラム信号線Ｃ1〜Ｃnに信号を
出力するカラム信号線駆動回路９０１と、ロウ信号線Ｒ1〜Ｒmとカラム信号線Ｃ1〜Ｃnに
対応してマトリクスに発光素子９０８が配置された画素部９０３とを備える。なお、ロウ
信号線Ｒ1に陰極が接続されている発光素子の行を発光素子群９０６ａ1、ロウ信号線Ｒ2
に陰極が接続されている発光素子の行を発光素子群９０６ａ2、ロウ信号線Ｒmに陰極が接
続されている発光素子の行を発光素子群９０６ａmで示している。
また、図９に示す表示装置は基本電流源９０５、アンプ９０４、モニター素子９０７ａ1
〜９０７ａmを有している。基本電流源９０５は定電流をモニター素子９０７ａ1〜９０７
ａmのいずれかに供給する。本構成においては、行方向に配置された発光素子群に対応し
た各モニター素子の陰極は、それぞれ発光素子群の有する発光素子９０８の陰極と同様に
ロウ信号線に接続されていることから、走査線選択期間の発光素子群に対応したモニター
素子にのみ電流が流れる。つまり、ロウ信号線がＧＮＤに接続されている行の発光素子９
０８及びモニター素子に電流が流れる。
そして、電流が流れているモニター素子に発生する電圧をアンプ９０４が検出し、カラム
信号線駆動回路９０１にその電圧を入力する。そして、カラム信号線駆動回路９０１によ
りアンプ９０４から入力された電圧を各カラム信号線Ｃ1〜Ｃnに供給する期間が設定され
る。つまり、ある行の発光素子群の各列毎に電圧の供給される期間が設定される。そして
、各列の発光素子に印加される電圧はアンプ９０４によって供給される同じ電圧である。
このように、発光素子の各行毎に配置されたモニター素子に定電流を供給し、発生する電
圧を同じ行の発光素子９０８に印加する。つまり、基本電流源９０５から定電流がモニタ
ー素子９０７ａ1に供給され、発生する電圧は発光素子群９０６ａ1に印加し、基本電流源
９０５から定電流がモニター素子９０７ａ2に供給され、発生する電圧は発光素子群９０
６ａ２に印加し、基本電流源９０５から定電流がモニター素子９０７ａmに供給され、発
生する電圧は発光素子群９０６ａmに印加する。
このように、発光素子の各行毎に並んで配置して設けられたモニター素子に発生する電圧
を検出し、その電圧をその行の発光素子に印加することでカラム信号線駆動回路９０１の
発熱による画素部の温度傾斜に起因する輝度のバラツキを低減することができる。
また、環境温度の変化や経時変化に起因して変化する発光素子９０８の抵抗値に合わせて
電圧を設定することができるため環境温度変化及び経時変化についても補償することがで
きる。
なお、アンプ９０４としてはオペアンプを用いたボルテージフォロワ回路を適用すること
ができる。ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子は高入力インピーダンスで、出力端
子は低出力インピーダンスである。よって、ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子に
は基本電流源９０５の電流がほとんど流れ込むことなく、ボルテージフォロワ回路の出力
端子からは電流を供給することができる。そして、ボルテージフォロワ回路の出力端子か
らは非反転入力端子に入力される電位と同電位を出力することができる。つまりインピー
ダンス変換を行うことができる。よって、このような機能を有する回路であればボルテー
ジフォロワ回路に限られないことはいうまでもない。また、入力端子に入力される電位と
概略同電位を出力端子から出力するアンプであれば、必ずしもインピーダンス変換を行わ
なくても構わない。よって、アンプ９０４には電圧帰還型アンプや、電流帰還型アンプを
適宜用いることができる。
また、ロウ信号線の選択されるときの電位がＧＮＤとなっているがこれに限定されない。
よって、ＧＮＤ以外の他の特定電位の配線であっても構わない。
続いて、ＲＧＢのそれぞれの発光素子毎に電圧を設定するため、ＲＧＢの発光素子毎にそ
れぞれモニター素子を設けた具体的な構成の一例について図１０を用いて説明する。
図１０の表示装置は行方向に配置されたロウ信号線（走査線ともいう）Ｒ1〜Ｒmに信号を
出力するロウ信号線駆動回路１００２と、列方向に配置されたカラム信号線Ｃ1〜Ｃnに信
号を出力するカラム信号線駆動回路１００１と、ロウ信号線Ｒ1〜Ｒmとカラム信号線Ｃ1
〜Ｃnに対応してマトリクスに発光素子が配置された画素部１００３とを備える。
なお、Ｒの要素の発光素子１００８ｒ、Ｇの要素の発光素子１００８ｇ、Ｂの要素の発光
素子１００８ｂはカラム信号線に対応する列方向に配列されＲＧＢの順に並んでいる。ま
た、このＲＧＢ毎の発光素子の列に並んで配置して画素部１００３の周辺にＲの要素のモ
ニター素子群１００６ｒ、Ｇの要素のモニター素子群１００６ｇ、Ｂの要素のモニター素
子群１００６ｂが設けられている。そして、これらのモニター素子群を構成するモニター
素子はロウ信号線Ｒ1〜Ｒmに対応して行方向に配置された発光素子と並んで配置されて設
けられている。
また、モニター素子群１００６ｒを構成するモニター素子に電流を供給する基本電流源１
００５ｒと、モニター素子群１００６ｇを構成するモニター素子に電流を供給する基本電
流源１００５ｇと、モニター素子群１００６ｂを構成するモニター素子に電流を供給する
基本電流源１００５ｂと、モニター素子群１００６ｒを構成するモニター素子の陽極の電
位を検出し、電源線Ｖｒにその電位と概略同電位を設定するボルテージフォロワ回路１０
０４ｒと、モニター素子群１００６ｇを構成するモニター素子の陽極の電位を検出し、電
源線Ｖｇにその電位と概略同電位を設定するボルテージフォロワ回路１００４ｇと、モニ
ター素子群１００６ｂを構成するモニター素子の陽極の電位を検出し、電源線Ｖｂにその
電位と概略同電位を設定するボルテージフォロワ回路１００４ｂとを有する。なお、ここ
で概略同電位とは、各行毎に検出したモニター素子の電位を各電源線に出力し、各行毎の
発光素子に電圧を印加したときに、モニター素子と発光素子の電圧−電流特性の等しい状
態において、それらの輝度が視覚的に見たときにバラツキが視認できない程度までの誤差
を範疇に含むものとする。よって、概略同電位とはある程度の幅をもつものとする。
また、カラム信号線駆動回路はパルス出力回路１００９と第１のラッチ回路１０１０と、
第２のラッチ回路１０１１とを有する。なお、カラム信号線駆動回路１００１の動作につ
いては図１２を用いて説明したものと同様なので省略する。
本構成においては、例えば、ロウ信号線Ｒ1が選択されているときには、基本電流源１０
０５ｒはモニター素子群１００６ｒを構成するモニター素子の中でロウ信号線に陰極が接
続されているモニター素子１００７に電流を供給する。そして、電流が流れ、電圧が発生
しているモニター素子１００７の陽極の電位をボルテージフォロワ回路１００４ｒが検出
し、その電位と概略同電位を電源線Ｖｒに設定する。そして、電源線Ｖｒに設定された電
位は、カラム信号線Ｃｒ1〜Ｃｒnによって、選択されているロウ信号線Ｒ1に陰極が接続
された発光素子１００８ｒに、電圧として供給される。同様に基本電流源１００５ｇはモ
ニター素子群１００６ｇを構成するモニター素子の中でロウ信号線に陰極が接続されてい
るモニター素子１００７に電流を供給する。そして、電流が流れ、電圧が発生しているモ
ニター素子１００７の陽極の電位をボルテージフォロワ回路１００４ｇが検出し、その電
位と概略同電位を電源線Ｖｇに設定する。そして、電源線Ｖｇに設定された電位は、カラ
ム信号線Ｃｇ1〜Ｃｇnによって、選択されているロウ信号線Ｒ1に陰極が接続された発光
素子１００８ｇに、電圧として供給される。基本電流源１００５ｂはモニター素子群１０
０６ｂを構成するモニター素子の中でロウ信号線に陰極が接続されているモニター素子１
００７に電流を供給する。そして、電流が流れ、電圧が発生しているモニター素子１００
７の陽極の電位をボルテージフォロワ回路１００４ｂ検出し、その電位と概略同電位を電
源線Ｖｂに設定する。そして、電源線Ｖｂに設定された電位は、カラム信号線Ｃｂ1〜Ｃ
ｂnによって、選択されているロウ信号線Ｒ1に陰極が接続された発光素子１００８ｂに、
電圧として供給される。なお、ここで概略同電位とは、各行毎に検出したモニター素子の
電位を各電源線に出力し、各行毎の発光素子に電圧を印加したときに、モニター素子と発
光素子の電圧−電流特性の等しい状態において、それらの輝度が視覚的に見たときにバラ
ツキが視認できない程度までの誤差を範疇に含むものとする。よって、概略同電位とはあ
る程度の幅をもつものとする。
こうして、ロウ信号線Ｒ1に対応して行方向に配置されている発光素子のＲＧＢの発光素
子毎に別々に電圧を印加することができる。
続いて、ロウ信号線Ｒ2、Ｒ3、・・Ｒｍが選択されると、その行に対応したＲＧＢのモニ
ター素子毎に定電流が供給され、それぞれの行のＲＧＢのモニター素子毎に発生する電圧
を、それぞれのＲＧＢ毎に対応したアンプが検出し、対応した行のＲＧＢの発光素子毎に
その電圧を供給する。
このように、画素行ごとに並んで配置して設けられたモニター素子に発生する電圧を検出
し、その電圧をその画素行の発光素子に印加することでソース信号線駆動回路６０６の発
熱による画素部の温度傾斜に起因する輝度のバラツキを低減することができる。
また、画素行のＲＧＢの画素毎にモニター素子を設けて環境温度変化及び経時変化の補償
を行っているため、ＲＧＢ毎の特性に合わせて発光素子に電圧値を設定することができる
。つまり、ＲＧＢの画素間の輝度のバラツキを補償することができる。
なお、図８の構成ではボルテージフォロワ回路１００４ｒ、ボルテージフォロワ回路１０
０４ｇ、ボルテージフォロワ回路１００４ｂを用いているが入力端子に入力される電位と
概略同電位を出力端子から出力する機能を有していればボルテージフォロワ回路に限られ
ないことはいうまでもない。よって、電圧帰還型アンプや、電流帰還型アンプを適宜用い
ることができる。
（実施の形態７）
本実施の形態では信号線駆動回路の発熱による画素部の温度傾斜を低減する表示装置のパ
ネルの構成について説明する。
本実施の形態では表示装置の画素部の温度傾斜を低減するため熱発散層を設ける。
つまり、温度変化で輝度が変化する発光素子を備えた画素部と、画素部の周辺に配置され
た駆動回路とを、第１の基板上に第１の熱発散層を介して有し、画素部は第１の基板と第
２の基板により挟まれている構造の表示装置とする。
まず、画素部を形成する基板面に下地膜として熱発散効果のある層を設けたパネル構造の
一例について図１５を用いて説明する。なお、図１５（Ａ）は、表示装置を示す上面図、
図１５（Ｂ）は図１５（Ａ）をＡ−Ａ’−Ａ”で切断した断面図である。点線で示したよ
うに表示装置は駆動回路部（ソース信号線駆動回路）１５０１、画素部１５０２、モニタ
ー素子部１５０３、駆動回路部（ゲート信号線駆動回路）１５０４を有する。また、封止
基板（対向基板）１５０５とシール材１５０６で囲まれた内側は、空間１５０７になって
いる。
なお、配線１５０９はソース信号線駆動回路１５０１及びゲート信号線駆動回路１５０
４に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシ
ブルプリントサーキット）１５１０からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセ
ット信号等を受け取る。また、ＦＰＣ上にはＩＣチップ（半導体集積回路）１５１１がＣ
ＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）で接続されている。なお、ＩＣチップをＴＡＢ（Ｔ
ａｐｅ Ａｕｔｏ Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いて接続してもよい。
次に、断面構造について図１５（Ｂ）を用いて説明する。基板１５０８上には熱発散層
として熱発散効果を有する下地膜１５２６が形成されている。熱発散効果を有する下地膜
１５２６の熱伝導率は１０〜３００Ｗ／ｍＫであることが望ましく、より好ましくは熱伝
導率が５０〜３００Ｗ／ｍＫであることが望ましい。また、下地膜として用いる材料とし
て、熱伝導率の高い、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、立方晶窒化ホウ素（ｃ―ＢＮ）、窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）、ＢｅＯ（ベリリア）、ダイアモンドなどが挙げられる。特に窒化
アルミニウム（ＡｌＮ）は高い熱伝導性、絶縁性、高周波特性に優れ、また、シリコンと
近い熱膨張係数を有することからも熱発散層として好ましい。例えば、下地膜としてＡｌ
Ｎ（窒化アルミニウム）の単層や、ＡｌＮ、ＳｉＮＯ（窒化酸化珪素）、ＳｉＯＮ（酸化
窒化珪素）との積層などを用いるとよい。なお、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）には、酸素
（Ｏ）が０．１〜３０ａｔｏｍｉｃ％含まれるようにしてもよい。つまり、窒化酸化アル
ミニウム（ＡｌＮxＯy）としてもよい。
そして、下地膜１５２６上にソース信号線駆動回路１５０１、画素部１５０２、モニター
素子部１５０３及びゲート信号線駆動回路１５０４が形成されている。
なお、ソース信号線駆動回路１５０１はｎチャネル型ＴＦＴ１５１２とｐチャネル型Ｔ
ＦＴ１５１３とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。またＴＦＴ１５２４はゲート
信号線駆動回路を構成するＴＦＴを示している。また、駆動回路を形成するＴＦＴは、公
知のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施
の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要
はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。
また、画素部１５０２はスイッチング用ＴＦＴ１５１４と、電流制御用ＴＦＴ１５１５
とそのドレインに電気的に接続された第１の電極１５１６とを含む複数の画素により形成
される。なお、第１の電極１５１６の端部を覆って絶縁物１５１７が形成されている。こ
こでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。
また、カバレッジを良好なものとするため、絶縁物１５１７の上端部または下端部に曲
率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物１５１７の材料としてポジ型の
感光性アクリルを用いた場合、絶縁物１５１７の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３
μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物１５１７として、感光性の
光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解
性となるポジ型のいずれも使用することができる。
第１の電極１５１６上には、電界発光層１５１８、および第２の電極１５１９がそれぞ
れ形成されている。ここで、陽極として機能する第１の電極１５１６に用いる材料として
は、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、チタン膜、クロム膜、タン
グステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とす
る膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構
造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好な
オーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。
また、電界発光層１５１８は、蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法に
よって形成される。電界発光層１５１８には、元素周期律第４族金属錯体をその一部に用
いることとし、その他、組み合わせて用いることのできる材料としては、低分子系材料で
あっても高分子系材料であっても良い。また、電界発光層に用いる材料としては、通常、
有機化合物を単層もしくは積層で用いる場合が多いが、本実施の形態では有機化合物から
なる膜の一部に無機化合物を用いる構成も含めることとする。さらに、公知の三重項材料
を用いることも可能である。
さらに、電界発光層１５１８上に形成される第２の電極１５１９に用いる材料としては
、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、Ｍｇ
Ｉｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ2、またはＣａＮ）を用いればよい。なお、ここでは、上面出射
型であるので、第２の電極１５１９として１ｎｍ〜１０ｎｍのアルミニウム膜、Ｌｉを微
量に含むアルミニウム膜、若しくは、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（
酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、酸
化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。
また、画素部１５０２において、電流制御用ＴＦＴ１５１５とそのドレインに電気的に接
続された第１の電極１５１６と同一の材料で形成された配線１５２１と、その配線１５２
１に接続された陽極１５２２と、第２の電極１５１９に電界発光層１５１８が挟まれた構
造のモニター素子１５２３が形成されている。なお、このモニター素子からの発光は遮光
するように、モニター素子部１５０３の上面には遮光膜１５２５が形成されている。
さらにシール材１５０６で封止基板１５０５を素子基板１５０８と貼り合わせることに
より、素子基板１５０８、封止基板１５０５、およびシール材１５０６で囲まれた空間１
５０７に電界発光素子１５２０及びモニター素子１５２３が備えられた構造になっている
。なお、空間１５０７には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シ
ール材１５０６で充填される構成も含むものとする。
なお、シール材１５０６にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材
料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板１５
０５に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒ
ｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー
、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
以上のようにして、画素部の温度傾斜を低減したアクティブマトリクス型表示装置を得
ることができる。
また、画素部の温度傾斜を低減するための別の構成として、温度変化で輝度が変化する発
光素子を備えた画素部と、画素部の周辺に配置された駆動回路とを、第１の基板上に有し
、画素部は第１の基板と第２の基板により挟まれている構造の表示装置において、第２の
基板の外側の面に熱発散効果の有する層を設ける構成としてもよい。
ここで、対向基板に熱発散効果を有する層を設けた場合のパネルの構成について図１６を
用いて説明する。なお、図１５と共通するところは共通の符号を用いて説明は省略する。
本構成では、対向基板となる封止基板１５０５上に熱発散効果の有する膜１６０１を設け
る。例えば、熱伝導性の良い金属膜を設けると良い。金属膜の例として銅をスピンコート
で膜上に形成したものを用いることができる。なお、下地膜１５２６としては図１５のパ
ネル構成で説明したように、熱発散効果の有する層の単層や、これらの層と窒化酸化珪素
及び酸化窒化珪素との積層でも良いが、図１６の構成においては窒化酸化珪素及び酸化窒
化珪素の積層だけでも良い。ただし、より効果的に熱を発散させるためには、透光性の有
する窒化アルミニウム（ＡｌＮ）やダイヤモンドと窒化酸化珪素及び酸化窒化珪素の積層
の積層にするのが好ましい。なお、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）には、酸素（Ｏ）が０．
１〜３０ａｔｏｍｉｃ％含まれるようにしてもよい。つまり、窒化酸化アルミニウム（Ａ
ｌＮxＯy）としてもよい。
また、図１６のパネルの構成では、陽極として機能する第１の電極１５１６に用いる材料
としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウム
スズ酸化物）膜、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜などの透明導電膜を用いることがで
きる。透明性を有する透明導電膜を用いることで光を透過させることが可能な陽極を形成
することができる。
また、陰極として機能する第２の電極１５１９に用いる材料としては、仕事関数の小さい
材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、Ｃ
ａＦ2、またはＣａＮ）からなる金属膜を用いることができる。こうして、光を反射する
金属膜を用いることで光が透過しない陰極を形成することができる。
こうして、図１６の矢印に示すように発光素子からの光を下面に取り出すことが可能にな
る。
なお、下面出射型構造の発光素子を表示装置に用いる場合には基板１５０８は光透過性を
有する基板を用いる。
また、光学フィルムを設ける場合には、基板１５０８に光学フィルムを設ければよい。
なお、図１５では上面出射型構造、図１６では下面出射型構造の表示装置のパネルにつ
いて示したが、もちろん、両面出射型構造でも構わない。
本発明の表示装置に適用可能な両面出射型構造の発光素子について図１９を用いて説明す
る。
基板１９００上に下地膜１９０５が形成され、ぞの上に電流制御用ＴＦＴ１９０１が形成
され、電流制御用ＴＦＴ１９０１のドレイン電極に接して第１の電極１９０２が形成され
、その上に有機化合物を含む層１９０３と第２の電極１９０４が形成されている。なお、
下地膜１９０５としては、熱発散効果を有する層の単層又は、この層と窒化酸化珪素及び
酸化窒化珪素との積層を用いると良い。このとき熱発散効果を有する層としては、透光性
の有する、窒化アルミニウムやダイヤモンドなどを用いることができる。なお、窒化アル
ミニウム（ＡｌＮ）には、酸素（Ｏ）が０．１〜３０ａｔｏｍｉｃ％含まれるようにして
もよい。つまり、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮxＯy）としてもよい。
また、第１の電極１９０２は発光素子の陽極である。そして第２の電極１９０４は発光素
子の陰極である。つまり、第１の電極１９０２と第２の電極１９０４とで有機化合物を含
む層１９０３が挟まれているところが発光素子となる。
また、ここで、陽極として機能する第１の電極１９０２に用いる材料としては、仕事関数
の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、イ
ンジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜などの透明導電膜を用いることができる。透明性を有す
る透明導電膜を用いることで光を透過させることが可能な陽極を形成することができる。
また、陰極として機能する第２の電極１９０４に用いる材料としては、仕事関数の小さい
材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、Ｃ
ａＦ2、またはＣａＮ）からなる金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（インジウムスズ酸化
物）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との
積層を用いるのが良い。こうして薄い金属薄膜と、透明性を有する透明導電膜を用いるこ
とで光を透過させることが可能な陰極を形成することができる。
こうして、図１９の矢印に示すように発光素子からの光を両面に取り出すことが可能にな
る。つまり、図１５の表示装置のパネルに適用した場合には、基板１５０８側と封止基板
１５０５側に光が出射することになる。従って両面出射型構造の発光素子を表示装置に用
いる場合には基板１５０８および封止基板１５０５は、ともに光透過性を有する基板を用
いる。 また、光学フィルムを設ける場合には、基板１５０８および封止基板１５０５の
両方に光学フィルムを設ければよい。
また、白色の発光素子とカラーフィルターを用いてフルカラー表示を実現する表示装置に
も本発明を適用することが可能である。
図２０に示すように、基板２０００上に下地膜２００２が形成され、その上に電流制御用
ＴＦＴ２００１が形成され、電流制御用ＴＦＴ２００１のドレイン電極に接して第１の電
極２００３が形成され、その上に有機化合物を含む層２００４と第２の電極２００５が形
成されている。なお、下地膜２００２に用いる材料として、熱伝導率の高い、アルミナ（
Ａｌ２Ｏ３）、立方晶窒化ホウ素（ｃ―ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ＢｅＯ（
ベリリア）、ダイヤモンドなどが挙げられる。これらの単層やこれらと窒化酸化珪素膜及
び酸化窒化珪素膜との積層を用いることができる。なお、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）に
は、酸素（Ｏ）が０．１〜３０ａｔｏｍｉｃ％含まれるようにしてもよい。つまり、窒化
酸化アルミニウム（ＡｌＮxＯy）としてもよい。
また、第１の電極２００３は発光素子の陽極である。そして第２の電極２００５は発光素
子の陰極である。つまり、第１の電極２００３と第２の電極２００５とで有機化合物を含
む層２００４が挟まれているところが発光素子となる。図２０の構成では白色光を発光す
る。そして、発光素子の上部に赤色のカラーフィルター２００６Ｒ、緑色のカラーフィル
ター２００６Ｇ、青色のカラーフィルター２００６Ｂを設けられており、フルカラー表示
を行うことができる。また、これらのカラーフィルターを隔離するブラックマトリクス（
ＢＭともいう）２００７が設けられている。
また、図２０の構成は、画素部の発光素子は白色の発光素子のみであるため、モニター
素子も同様の材料で形成することで、素子特性をそろえることができるため補償機能の精
度をより高めることができる。
次に、パッシブ型表示装置のパネル構造の一例について図１７を用いて説明する。なお、
図１７（Ａ）は、表示装置を示す上面図、図１７（Ｂ）は図１７（Ａ）をＢ−Ｂ’−Ｂ”
で切断した断面図である。点線で示したように表示装置は駆動回路部（カラム信号線駆動
回路）１７０１、画素部１７０２、モニター素子部１７０３、駆動回路部（ロウ信号線駆
動回路）１７０４を有する。また、封止基板１７０５とシール材１７０６で囲まれた内側
は、空間１７０７になっている。
なお、配線１７０９はカラム信号線駆動回路１７０１及ロウ信号線駆動回路１７０４に
入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブル
プリントサーキット）１７１０からビデオ信号、クロック信号、スタート信号等を受け取
る。また、ＦＰＣ上にはＩＣチップ（半導体集積回路）１７１１がＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏ
ｎ Ｇｌａｓｓ）で接続されている。なお、ＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いて接続してもよい。
次に、断面構造について図１７（Ｂ）を用いて説明する。 第１の基板１７０８上には
熱発散効果を有する下地膜１７２１が形成されている。例えば、下地膜としてＡｌＮ（窒
化アルミ）の単層、ＡｌＮ、ＳｉＮＯ（窒化酸化珪素）、ＳｉＯＮ（酸化窒化珪素）との
積層などを用いるとよい。ＡｌＮは高い熱伝導性を有し、面内温度の均熱性が良く、放熱
特性に優れた絶縁体であるからである。
そして下地膜１７２１上には画素部１７０２及びモニター素子部１７０３が形成されてい
る。そして、カラム信号線駆動回路１７０１及びロウ信号線駆動回路１７０４はＩＣチッ
プ上に形成されＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）で第１の基板１７０８に接続され
ている。
第１の基板１７０８上には下地膜１７２１が設けられ、その上には積層からなるカラム信
号線が形成されている。カラム信号線の下層１７１２は反射性を有する金属膜であり、上
層１７１３は透明な酸化物導電膜である。上層１７１３は仕事関数の高い導電膜を用いる
ことが好ましく、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の他、例えば、Ｓｉ元素を含むインジウ
ム錫酸化物（ＩＴＳＯ）や酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した
ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電材料、もしくはこれらを
組み合わせた化合物を含む膜を用いることができる。中でもＩＴＳＯは、ベークを行って
もＩＴＯのように結晶化せず、アモルファス状態のままである。従って、ＩＴＳＯは、Ｉ
ＴＯよりも平坦性が高く、有機化合物を含む層が薄くとも陰極とのショートが生じにくく
、発光素子の陽極として適している。
また、下層１７１２は、Ａｇ、Ａｌ、またはＡｌ（Ｃ＋Ｎｉ）合金膜を用いる。中でも
Ａｌ（Ｃ＋Ｎｉ）膜（炭素及びニッケル（１〜２０ｗｔ％）を含むアルミニウム合金膜）
は、通電、或いは熱処理後もＩＴＯやＩＴＳＯとのコンタクト抵抗値に大きな変動がない
材料であり、好ましい。
隣り合うカラム信号線同士を絶縁化するための隔壁１７１８は黒色樹脂であり、異なる
着色層（封止基板側に設けられる）との境界、或いは隙間と重なるブラックマトリクス（
ＢＭ）の役目を果たしている。黒い隔壁で囲まれた領域が発光領域と対応して同一面積に
なっている。
有機化合物を含む層１７１４はカラム信号線（陽極）側から順に、ＨＩＬ（ホール注入
層）、ＨＴＬ（ホール輸送層）、ＥＭＬ（発光層）、ＥＴＬ（電子輸送層）、ＥＩＬ（電
子注入層）の順に積層されている。なお、有機化合物を含む層は、積層構造以外に単層構
造、又は混合構造をとることができる。
ロウ信号線（陰極）１７１５は、カラム信号線（陽極）と交差するように形成されている
。こうして、カラム信号線とロウ信号線により有機化合物を含む層１７１４が挟まれた領
域に発光素子１７１６及びモニター素子１７１７が形成される。ロウ信号線（陰極）１７
１５は、ＩＴＯや、Ｓｉ元素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）や、酸化インジウム
に２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯなどの透明導電膜を用いる。本実施
の形態の構成では、矢印に示すように発光が封止基板１７０５を通過する上面出射型の表
示装置の例であるのでロウ信号線１７１５は透明であることが重要である。なお、隣り合
うロウ信号線同士を絶縁化するための隔壁１７１９はフォトリソグラフィー法に従い、未
露光部分がパターンとしてポジ型感光性樹脂を用い、パターンの下部がより多くエッチン
グされるように露光量または現像時間を調節すことによって形成する。
また、水分や脱ガスによるダメージから発光素子を保護するため、ロウ信号線１７１５
を覆う透明な保護膜を設けてもよい。透明な保護膜としては、ＰＣＶＤ法による緻密な無
機絶縁膜（ＳｉＮ、ＳｉＮＯ膜など）、スパッタ法による緻密な無機絶縁膜（ＳｉＮ、Ｓ
ｉＮＯ膜など）、炭素を主成分とする薄膜（ＤＬＣ膜、ＣＮ膜、アモルファスカーボン膜
）、金属酸化物膜（ＷＯ2、ＣａＦ2、Ａｌ2Ｏ3など）などを用いることが好ましい。透明
とは、可視光の透過率が８０〜１００％であることを指す。
また、モニター素子部１７０３上には、遮光膜１７２０を設け、モニター素子部１７０３
からの発光が外部に漏れないようにしている。
また、発光素子を含む画素部１７０２は、シール材１７０６及び封止基板１７０５で封止
され、囲まれた空間１７０７を密閉なものとしている。
シール材１７０６としては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹
脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）
、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）を用いるこ
とが可能である。また、シール材はフィラー（棒状またはファイバー状のスペーサ）や球
状のスペーサを添加したものであっても良い。
また、封止基板１７０５としてガラス基板またはプラスチック基板を用いる。プラスチッ
ク基板としては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ＰＥＳ（ポリ
エチレンサルファイル）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレ
ート）もしくはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）を板状もしくはフィルム状にして用
いることができる。
一方、第１の基板１７０８の端部には端子電極が形成され、この部分で外部回路と接続
するＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１７１０を貼り合わせる。端子電極は、
反射性を有する金属膜と、透明な酸化物導電膜との積層で構成しているが、特に限定され
ない。
また、画素部の周辺には、画素部へ各信号を伝送する駆動回路等が形成されたＩＣチッ
プ１７１１を異方導電性材料により電気的に接続している。また、カラー表示に対応した
画素部を形成するためには、ＸＧＡクラスでカラム信号線の本数が３０７２本でありロウ
信号線が７６８本必要となる。このような数で形成されたカラム信号線及びロウ信号線は
画素部の端部で数ブロック毎に区分して引出線を形成し、ＩＣの出力端子のピッチに合わ
せて集める。
以上に示す表示装置は、上面出射型の表示装置であり、黒い隔壁１７１８及び１７１９
によってコントラストが向上されている。
また、対向基板に熱発散効果を有する層を設けた場合のパネルの構成について図１８を用
いて説明する。なお、図１７と共通するところは共通の符号を用いて説明は省略する。
本構成では、対向基板となる封止基板１７０５上に熱発散効果の有する膜１８０１を設け
る。例えば、熱伝導性の良い金属膜を設けると良い。金属膜の例として銅をスピンコート
で膜状に形成したものを用いることができる。なお、下地膜１７２１としては、熱発散効
果を有する層の単層又は、この層と窒化酸化珪素及び酸化窒化珪素との積層を用いると良
い。このとき熱発散効果を有する層としては、透光性の有する、窒化アルミニウムやダイ
ヤモンドなどを用いることができる。なお、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）には、酸素（Ｏ
）が０．１〜３０ａｔｏｍｉｃ％含まれるようにしてもよい。つまり、窒化酸化アルミニ
ウム（ＡｌＮxＯy）としてもよい。
下面出射型構造の発光素子は、透明な酸化物導電膜からなるカラム信号線（陽極）と、
有機化合物を含む層１７１４と、反射性を有する導電膜からなるロウ信号線１７１５とで
構成している。また、隔壁１７１８は透光性を有する材料で構成されている。
発光素子からの発光は図１８中の矢印に示す方向、即ち、第１の基板１７０８を通過す
る方向に取り出される。従って、封止基板１７０５は特に光透過性を有する必要はなく、
金属板でもよい。また、発光素子の信頼性を向上させるために膜厚の厚い保護膜を形成し
ても光の取り出し効率が低下しないので好ましい。
また、光学フィルムを設ける場合には、第１の基板１７０８側に光学フィルムを設けれ
ばよい。
図１７では上面出射型構造、図１８では下面出射型構造の表示装置のパネルについて示し
たがもちろん両面出射型構造でもでも構わない。
両面出射型構造の発光素子について図２１を用いて説明する。
両面出射型構造の発光素子は、透明な酸化物導電膜からなるカラム信号線（陽極）２１０
２と、有機化合物を含む層２１０４と、透明な酸化物導電膜からなるロウ信号線２１０５
とで構成している。また、隔壁２１０３は遮光性を有する材料で構成されている。また、
発光素子は下地膜２１０７を介して第１の基板２１０１上に形成されている。なお、下地
膜２１０７には、図１７のパネル構成で説明したように、熱発散効果の有する層の単層や
、これらの層と窒化酸化珪素及び酸化窒化珪素との積層を用いることができる。熱発散効
果の有する層の材料としては、透光性の有する窒化アルミニウム（ＡｌＮ）やダイヤモン
ドを用いることができる。なお、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）には、酸素（Ｏ）が０．１
〜３０ａｔｏｍｉｃ％含まれるようにしてもよい。つまり、窒化酸化アルミニウム（Ａｌ
ＮxＯy）としてもよい。
発光素子からの発光は図２１中の矢印に示す方向、即ち、第１の基板２１０１を通過す
る方向と、第２の基板２１０６を通過する方向との両方で取り出される。従って、第１の
基板２１０１および第２の基板２１０６は、ともに光透過性を有する基板を用いる。
また、光学フィルムを設ける場合には、第１の基板２１０１および第２の基板２１０６
の両方に光学フィルムを設ければよい。
また、隔壁が逆テーパ形状ではなく、順テーパ形状の例を図２２を用いて説明する。な
お、図２２は、白色の発光素子とカラーフィルターを用いてフルカラー表示を実現する。
第１の基板２２０１上に下地膜２２１０を形成し、その上にストライプ状の第１の電極
２２０２を形成する。本構成では、第１の電極２２０２上に開口部を有する隔壁２２０３
が設けられ、その上にスペーサ２２０６、及びスペーサ２２０６上の幅の大きいオーバー
ハング体２２０７で構成される隔壁を形成する。なお、下地膜２２１０に用いる材料とし
て、熱伝導率の高い、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、立方晶窒化ホウ素（ｃ―ＢＮ）、窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）、ＢｅＯ（ベリリア）、ダイヤモンドなどが挙げられる。これらの
単層やこれらと窒化酸化珪素膜及び酸化窒化珪素膜との積層を用いることができる。なお
、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）には、酸素（Ｏ）が０．１〜３０ａｔｏｍｉｃ％含まれる
ようにしてもよい。つまり、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮxＯy）としてもよい。
スペーサ２２０６はポリイミドなどの有機樹脂膜を用い、オーバーハング体２２０７は
、レジストなどの感光性樹脂膜を用いる。ポリイミドなどの有機樹脂膜を成膜して、分離
したい電極の間にレジストなどの感光性樹脂膜のパターンを残す。そして、露出した有機
樹脂膜をエッチングする。このエッチングする際に感光性樹脂のパターンの下方にアンダ
ーカットを発生させるようにエッチング条件を調節する。これらの工程によりオーバーハ
ング構造を持つ素子分離体構造、即ち隔壁が形成できる。
図２２では、開口部を有する隔壁２２０３、スペーサ２２０６、またはオーバーハング
体２２０７を遮光性を有する材料で構成し、コントラストを向上させる。
隔壁を形成した後、有機化合物を含む層および透明導電膜を形成すれば、分離された有
機化合物を含む層２２０４および第２の電極２２０５を形成することができる。
また、図２２では、有機化合物を含む層２２０４は積層とし、Ａｌｑ3にクマリン６を
ドープした緑色発光層と、ＴＰＤにルブレンをドープした黄色発光層とを積層したものを
用いて２層発光を用いた白色発光素子とする。本構成においては、発光色ごとに塗り分け
る工程を省略できるため、パッシブマトリクス型発光装置の作製時間を短縮することがで
きる。
また、フルカラー表示とするため、白色発光素子の画素に対向する位置に着色層２２０
８Ｒ、２２０８Ｇ、２２０８Ｂのみからなるカラーフィルタを第２の基板２２０９に設け
ている。また、これらのカラーフィルターを隔離するブラックマトリクス（ＢＭともいう
）２２１１が設けられている。
また、図２２の構成は、画素部の発光素子は白色の発光素子のみであるため、モニター
素子も同様の材料で形成することで、素子特性をそろえることができるため補償機能の精
度をより高めることができる。
（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明のアクティブ型表示装置の画素構成に適用することができる画
素構成について説明する。
画素構成としては図２、図３、図５、図８に示した構成に限られず、画素トランジスタに
電圧駆動型を適用した他の画素構成を用いることができる。つまり、発光素子の駆動トラ
ンジスタとして、線形領域で動作するトランジスタを用いている画素構成を有する表示装
置に本発明を適用することができる。
まず、図２５（Ａ）に図２、図３、図５及び図８で示した表示装置の画素構成の動作につ
いて説明する。スイッチング用トランジスタ２５０１と、容量素子２５０２と、駆動トラ
ンジスタ２５０３と、発光素子２５０４と、ゲート信号線２５０５と、ソース信号線２５
０６と、電源線２５０７とを有する。スイッチング用トランジスタ２５０１のゲート端子
はゲート信号線２５０５に接続されている。スイッチング用トランジスタ２５０１のソー
ス端子はソース信号線２５０６に接続され、ドレイン端子は駆動トランジスタ２５０３の
ゲート端子に接続されている。また、容量素子２５０２の一方の端子も駆動トランジスタ
２５０３のゲート端子に接続され、他方の端子は電源線２５０７に接続されている。駆動
トランジスタ２５０３のソース端子も電源線２５０７に接続され、ドレイン端子が発光素
子２５０４の陽極に接続されている。そして、ゲート信号線２５０５により入力される信
号によってスイッチング用トランジスタ２５０１がオン状態になると、ソース信号線２５
０６よりデジタルの映像信号が駆動トランジスタ２５０３のゲート端子に入力される。入
力されたデジタルの映像信号の電圧は容量素子２５０２において保持される。この入力さ
れたデジタルの映像信号によって、駆動トランジスタ２５０３のオンオフが選択され、電
源線２５０７により設定される電位を発光素子２５０４の陽極に設定するかどうかを制御
する。本発明により電源線２５０７の電位を設定することで、温度及び経時変化に起因し
て変動する発光素子２５０４の電流値の補正をすることができる。また、安定した電圧供
給源を提供することができる。
また、図２５（Ｂ）に示したような画素構成を有する表示装置に本発明を適用することも
できる。図２５（Ｂ）の構成は図２５（Ａ）の構成に消去用トランジスタ２５０８と、消
去用信号線２５０９を追加したものに相当する。よって図２５（Ａ）と共通のところは共
通の符号を用いている。この構成においては、消去用信号線２５０９に消去信号が入力さ
れ、消去用トランジスタ２５０８がオンすると容量素子２５０２に保持された電荷が放電
され、駆動トランジスタ２５０３がオフ状態となり、発光素子２５０４を非発光とするこ
とができる。この構成においても、本発明により電源線２５０７の電位を設定することで
、温度及び経時変化に起因して変動する発光素子２５０４の電流値の補正をすることがで
きる。また、安定した電圧供給源を提供することができる。
また、これらの構成に限られず、適宜画素内のトランジスタの極性を変更したり、接続を
変更したり、新たなトランジスタを追加した画素構成においても本発明を適用することが
できる。
（実施の形態９）
本発明は様々な電子機器に適用することができる。具体的には電子機器の表示部に適用す
ることができる。そのような電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル
型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装
置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末
（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備え
た画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）
等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げら
れる。
図２６（Ａ）はディスプレイであり、筐体２６００１、支持台２６００２、表示部２６０
０３、スピーカー部２６００４、ビデオ入力端子２６００５等を含む。本発明を表示部２
６００３に用いたディスプレイは、温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上の輝
度劣化を低減することができる。なお、ディスプレイは、パーソナルコンピュータ用、Ｔ
Ｖ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。
図２６（Ｂ）はカメラであり、本体２６１０１、表示部２６１０２、受像部２６１０３、
操作キー２６１０４、外部接続ポート２６１０５、シャッター２６１０６等を含む。本発
明を表示部２６１０２に用いたカメラは温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上
の輝度劣化を低減することができる。
図２１（Ｃ）はコンピュータであり、本体２６２０１、筐体２６２０２、表示部２６２
０３、キーボード２６２０４、外部接続ポート２６２０５、ポインティングマウス２６２
０６等を含む。本発明を表示部２６２０３に用いたコンピュータは温度変化に起因する輝
度変化を抑制し、見かけ上の輝度劣化を低減することができる。
図２６（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体２６３０１、表示部２６３０２、ス
イッチ２６３０３、操作キー２６３０４、赤外線ポート２６３０５等を含む。本発明を表
示部２６３０２に用いたモバイルコンピュータは温度変化に起因する輝度変化を抑制し、
見かけ上の輝度劣化を低減することができる。
図２６（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）で
あり、本体２６４０１、筐体２６４０２、表示部Ａ２６４０３、表示部Ｂ２６４０４、記
録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２６４０５、操作キー２６４０６、スピーカー部２６４０
７等を含む。表示部Ａ２６４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２６４０４は主
として文字情報を表示することができる。本発明を表示部Ａ２６４０３や表示部Ｂ２６４
０４に用いた画像再生装置は温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上の輝度劣化
を低減することができる。
図２６（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体２６５０１、表示部２６５０２、
アーム部２６５０３を含む。本発明を表示部２６５０２に用いたゴーグル型ディスプレイ
は温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上の輝度劣化を低減することができる。
図２６（Ｇ）はビデオカメラであり、本体２６６０１、表示部２６６０２、筐体２６６
０３、外部接続ポート２６６０４、リモコン受信部２６６０５、受像部２６６０６、バッ
テリー２６６０７、音声入力部２６６０８、操作キー２６６０９、接眼部２６６１０等を
含む。本発明を表示部２６６０２に用いたビデオカメラは温度変化に起因する輝度変化を
抑制し、見かけ上の輝度劣化を低減することができる。
図２６（Ｈ）は携帯電話機であり、本体２６７０１、筐体２６７０２、表示部２６７０
３、音声入力部２６７０４、音声出力部２６７０５、操作キー２６７０６、外部接続ポー
ト２６７０７、アンテナ２６７０８等を含む。本発明を表示部２６７０３に用いた携帯電
話は温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上の輝度劣化を低減することができる
。
このように本発明は、あらゆる電子機器に適用することが可能である。

Claims (2)

  1. 電流供給線と、
    複数のゲート信号線と、複数のソース信号線と、
    前記複数のゲート信号線および前記複数のソース信号線によりマトリクス状に形成された発光素子を有する複数の画素と、
    前記複数のゲート信号線の一毎に形成されたモニター素子、ボルテージフォロワ回路、容量素子、第１のトランジスタ、第２のトランジスタを有する発光装置において、
    前記第１及び前記第２のトランジスタのゲートは、前記複数のゲート信号線の一に電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記電流供給線に電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子に電気的に接続され、かつ、前記容量素子の第１の端子に電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記電流供給線に電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記モニター素子の第１の電極に電気的に接続され、
    前記容量の第２の端子は、前記モニター素子の第２の電極に電気的に接続され、
    前記ボルテージフォロワ回路の出力端子は、前記ボルテージフォロワ回路の反転入力端子に電気的に接続され、かつ、前記発光素子に電流を供給する配線に電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
  2. 請求項１に記載の発光装置の駆動方法であって、
    前記複数のゲート信号線の一に信号が入力され、ゲート選択期間になったとき、前記複数の画素の一行が選択され、前記第１及び前記第２のトランジスタがオンし、
    前記電流供給線からの電流が前記モニター素子に流れ、前記モニター素子に発生する電圧分の電荷が前記容量素子に蓄積され、前記ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子に前記モニター素子の前記第１の電極の電位が入力され、
    前記複数のゲート信号線の一が非選択期間になったとき、前記第１及び前記第２のトランジスタがオフし、
    前記モニター素子に発生する電圧を前記容量素子が保持し、前記ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子には前記モニター素子の前記第１の電極の電位と概略同電位が設定されることを特徴とする発光装置の駆動方法。
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