JP2011205149A - メッシュ電極を備える光電セル - Google Patents

メッシュ電極を備える光電セル Download PDF

Info

Publication number
JP2011205149A
JP2011205149A JP2011156910A JP2011156910A JP2011205149A JP 2011205149 A JP2011205149 A JP 2011205149A JP 2011156910 A JP2011156910 A JP 2011156910A JP 2011156910 A JP2011156910 A JP 2011156910A JP 2011205149 A JP2011205149 A JP 2011205149A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mesh
electrode
cathode
substrate
conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011156910A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5616852B2 (ja
Inventor
Russell Gaudiana
ゴーディアナ、ラッセル
Alan Montello
モンテロ、アラン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konarka Technologies Inc
Original Assignee
Konarka Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konarka Technologies Inc filed Critical Konarka Technologies Inc
Publication of JP2011205149A publication Critical patent/JP2011205149A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5616852B2 publication Critical patent/JP5616852B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/10—Organic photovoltaic [PV] modules; Arrays of single organic PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
    • H01G9/2031—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2068—Panels or arrays of photoelectrochemical cells, e.g. photovoltaic modules based on photoelectrochemical cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2068—Panels or arrays of photoelectrochemical cells, e.g. photovoltaic modules based on photoelectrochemical cells
    • H01G9/2081—Serial interconnection of cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M14/00—Electrochemical current or voltage generators not provided for in groups H01M6/00 - H01M12/00; Manufacture thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/81—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2004—Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte
    • H01G9/2013—Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte the electrolyte comprising ionic liquids, e.g. alkyl imidazolium iodide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2059—Light-sensitive devices comprising an organic dye as the active light absorbing material, e.g. adsorbed on an electrode or dissolved in solution
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/81—Electrodes
    • H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
    • H10K30/83—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes comprising arrangements for extracting the current from the cell, e.g. metal finger grid systems to reduce the serial resistance of transparent electrodes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)

Abstract

【課題】導電性材料を含有するメッシュ電極を備える光電セルを提供する。
【解決手段】光電セルは、第１の電極と、開口領域を有し、導電性材料を含有するメッシュ電極と、メッシュ電極の開口領域に配置されている半導体材料と、第１の電極とメッシュ電極との間に位置し、かつ電子受容性材料および電子供与性材料を含有する活性層と、第１の電極と活性層との間のホール・ブロック層と、メッシュ電極と活性層との間のホール・キャリア層とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、メッシュ電極を備える光電セルと、関連するシステム、方法、および構成部品とに関する。
光電セルは、光の形態のエネルギーを電気の形態のエネルギーへ変換するために、一般に用いられる。典型的な光電セルには、２つの電極の間に配置された光活性材料が含まれる。一般に、光は一方または両方の電極を通過して、光活性材料と相互作用する。結果として、一方または両方の電極が光（例えば、光活性材料によって吸収される１つ以上の波長の光）を透過させる性能によって、光電セルの総合効率は制限される。半導体材料は導電性材料よりも低い導電性を有する場合があるが、多くの導電性材料よりも光をよく透過させ得るため、多くの光電セルでは、光が通過する電極の形成に半導体材料（例えば、インジウムスズ酸化物）のフィルムが用いられる。
主として、化石燃料を基盤とするエネルギー源の消費およびそれへの依存を低減する要求のため、光電技術の開発における関心は増大している。光電技術は、多くの場合、環境にそぐうエネルギー技術と見なされてもいる。しかしながら、光電技術が商業的に実施可能なエネルギー技術であるためには、光電システム（１つ以上の光電セルを用いて光を電気エネルギーへ変換するシステム）の材料および製造のコストが、相応の期間で償却される必要がある。しかし、一部の場合では、実際に設計された光電システムに伴うコスト（例えば、材料、製造、またはその両方のコスト）のために、その利用可能性および使用は制限されている。
本発明は、メッシュ電極を備える光電セルと、関連するシステム、方法、および構成部品とに関する。メッシュ電極は良好な導電性を与える材料（典型的には導電性材料であるが半導体材料を用いてもよい）から形成され、光電セルが比較的効率的に光を電気エネルギーへ変換するのに充分なだけの光を透過させるために、充分に大きな開口面積を有する。
一態様では、本発明は、２つの電極と、電極の間の活性層とを備える光電セルを特徴とする。電極のうちの少なくとも一方はメッシュの形状である。活性層には、電子受容性材料と電子供与性材料とが含まれる。
別の態様では、本発明は、複数の光電セルを備えるシステムを特徴とし、各々の光電セルは、２つの電極と、電極の間の活性層とを備える。電極のうちの少なくとも一方はメッシュ形状である。活性層には、電子受容性材料と電子供与性材料とが含まれる。幾つかの実施態様では、２つ以上の光電セルが電気的に並列に接続されている。一定の実施態様では、２つ以上の光電セルが電気的に直列に接続されている。一定の実施態様では、２つ以上の光電セルが電気的に並列に接続され、別の２つ以上の光電セルは電気的に直列に接続されている。
さらなる一態様では、本発明は、第１の電極と、第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間の活性層と、第１の電極と活性層との間のホール・ブロック層と、メッシュ電極と活性層との間のホール・キャリア層とを備える光電セルを特徴とする。電極のうちの少
なくとも一方はメッシュ形状である。活性層には、電子受容性材料と電子供与性材料とが含まれる。
別の態様では、本発明は、複数の光電セルを備えるシステムを特徴とし、各々の光電セルは、第１の電極と、第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間の活性層と、第１の電極と活性層との間のホール・ブロック層と、第２の電極と活性層との間のホール・キャリア層とを備える。電極のうちの少なくとも一方はメッシュ形状である。活性層には、電子受容性材料と電子供与性材料とが含まれる。幾つかの実施態様では、２つ以上の光電セルが電気的に並列に接続されている。一定の実施態様では、２つ以上の光電セルが電気的に直列に接続されている。一定の実施態様では、２つ以上の光電セルが電気的に並列に接続され、別の２つ以上の光電セルは電気的に直列に接続されている。
実施態様には、以下の態様のうちの１つ以上が含まれ得る。
メッシュ電極はカソードまたはアノードであり得る。幾つかの実施態様では、光電セルは、メッシュ・カソードおよびメッシュ・アノードを有する。
メッシュ電極は線材から形成され得る。線材は、導電性の金属、導電性の合金、または導電性のポリマーなど、導電性材料から形成され得る。線材は導電性材料（導電性の金属、導電性の合金、または導電性のポリマー）から成るコーティングを含み得る。
メッシュ電極は、例えば、エキスパンド・メッシュ（ｅｘｐａｎｄｅｄ ｍｅｓｈ）、またはメッシュ織物（ｗｏｖｅｎ ｍｅｓｈ）であり得る。メッシュは、導電性材料（導電性の金属、導電性の合金、または導電性のポリマー）から形成され得る。メッシュは、導電性材料（導電性の金属、導電性の合金、または導電性のポリマー）から成るコーティングを含み得る。
電子受容性材料は、例えば、フラーレン、無機ナノ粒子、ディスコティック液晶、カーボン・ナノロッド、無機ナノロッド、オキサジアゾール、または電子を受容可能な部位（ｍｏｉｅｔｙ）もしくは安定なアニオンを形成可能な部位を含むポリマー（例えば、ＣＮ基含有ポリマー、ＣＦ３基含有ポリマー）から形成され得る。
電子供与性材料は、ディスコティック液晶、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニルビニレン、ポリシラン、ポリチエニルビニレン、ポリイソチアナフタレン、またはそれらのうちの１つ以上から形成され得る。幾つかの実施態様では、電子供与性材料はポリ（３−ヘキシルチオフェン）である。
光電セルにはさらに、活性層とアノード（例えば、メッシュ・アノードまたは非メッシュ・アノード）との間のホール・ブロック層が含まれ得る。ホール・ブロック層は、例えば、ＬｉＦまたは金属酸化物から形成され得る。
光電セルには、活性層とカソード（例えば、メッシュ・カソードまたは非メッシュ・カソード）との間のホール・キャリア層も含まれ得る。ホール・キャリア層は、例えば、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリビニルカルバゾール、もしくはそれらのうちの１つ以上、またはそれらのポリマーのうちの１つ以上のポリイオンから形成され得る。
幾つかの実施態様では、ホール・キャリア層は、カソードを支持する基板と接触している。
一定の実施態様では、光電セルにはさらに、カソードを支持する基板とホール・キャリア層との間の接着材料が含まれる。一般に接着材料は、光電セルの標準的な動作条件において、接着材料と接触している材料層を接着することが可能である。幾つかの実施態様で
は、接着材料には、１つ以上の熱可塑性、熱硬化性、または圧力感応性の接着剤が含まれる。
幾つかの実施態様では、光電セルまたは光電システムは、外部の負荷（ｌｏａｄ）に電気的に接続されている。
実施態様では、以下の利点のうちの少なくとも１つが提供され得る。
幾つかの実施態様では、メッシュ電極は、（半導体材料ではなく）導電性材料から形成されているため良好な導電性を与えることが可能であるのと同時に、光電セルがより効率的に光を電気エネルギーへ変換するのに充分な量の光の透過が可能な構造（例えば、メッシュ構造）を有する。
一定の実施態様では、連続的なロール・ツー・ロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）製造プロセスを用いて光電セルにメッシュ電極を組込むことによって比較的高い処理量で光電セルの製造を可能とするのに充分な可撓性を、メッシュ電極が有することが可能である。
１つ以上のメッシュ電極を用いることによって、光電セルの製造に伴うコスト、複雑さ、またはその両方を低減することが可能である。
１つ以上のメッシュ電極を備える光電セルによって、一定の半導体電極に比較して、より効率的な方式で、光の形態のエネルギーを電気の形態のエネルギーに変換することが可能である。
他の特徴および利点は、明細書、図面、および特許請求の範囲から明らかであろう。
光電セルの一実施態様の断面図。 メッシュ電極の一実施態様の正面図。 図２のメッシュ電極の断面図。 メッシュ電極の一部分の断面図。 光電セルの別の実施態様の断面図。 電気的に直列に接続された複数の光電セルを含むシステムの概略図。 電気的に並列に接続された複数の光電セルを含むシステムの概略図。
図１には、光電セル１００の断面図を示す。光電セル１００は、透明基板１１０、メッシュ・カソード１２０、ホール・キャリア層１３０、光活性層（電子受容性材料および電子供与性材料を含有する）１４０、ホール・ブロック層１５０、アノード１６０、および基板１７０を備える。
一般に、使用中、光は基板１１０の表面に衝突し、基板１１０、カソード１２０の開口部、およびホール・キャリア層１３０を通過する。続いて、光は光活性層１４０と相互作用し、光活性層１４０の電子供与性材料から光活性層１４０の電子受容性材料へと輸送される電子を生じさせる。続いて、電子受容性材料によって、電子はホール・ブロック層１５０を通じてアノード１６０へと伝達され、電子供与性材料によって、ホールはホール・キャリア層１３０を通じてメッシュ・カソード１２０へと輸送される。アノード１６０およびメッシュ・カソード１２０は、アノード１６０から負荷を通じてカソード１２０へと電子が流れるように、外部の負荷を介して電気的に接続されている。
図２，３に示したように、メッシュ・カソード１２０には、中実の領域１２２と、開口
領域１２４とが含まれる。一般に、メッシュ・カソード１２０において、開口領域１２４を介して光がメッシュ・カソード１２０を通過し、かつ中実領域１２２を介して電子が伝導されるように、中実領域１２２は導電性材料から形成される。
メッシュ・カソード１２０において開口領域１２４が占める領域（メッシュ・カソード１２０の開口面積）は、所望の通りに選択可能である。一般に、メッシュ・カソード１２０の開口面積は、メッシュ・カソード１２０の全面積のうちの、約１０％以上（例えば、約２０％以上、約３０％以上、約４０％以上、約５０％以上、約６０％以上、約７０％以上、約８０％以上）、約９９％以下（例えば、約９５％以下、約９０％以下、約８５％以下）、またはその両方である。
メッシュ・カソード１２０は、様々な方法で調製可能である。幾つかの実施態様では、メッシュ・カソード１２０は、中実領域１２２を形成する材料の線材を織ることにより形成される、メッシュ織物である。例えば、平織り、畳織り（Ｄｕｔｃｈ ｗｅａｖｅ）、綾織り（ｔｗｉｌｌ ｗｅａｖｅ）、綾畳織り、またはそれらの組合せを用いて、線材を織ることが可能である。一定の実施態様では、メッシュ・カソード１２０は、溶接された線材のメッシュから形成される。幾つかの実施態様では、メッシュ・カソード１２０は、形成されたエキスパンド・メッシュである。エキスパンド・メタル・メッシュは、例えば、材料（例えば、金属などの導電性材料）のシートから開口領域１２４を取除き（例えば、レーザ除去を介して、化学的エッチングを介して、穴開け（ｐｕｎｃｔｕｒｉｎｇ）を介して）、続いてシートを伸展する（例えば、シートを２次元に伸展するなど）ことによって、調製可能である。一定の実施態様では、メッシュ・カソード１２０は、開口領域１２４を取除く（例えば、レーザ除去を介して、化学的エッチングを介して、穴開けを介して）ことによって形成される金属シートであり、続いてシートを伸展することはしない。
一定の実施態様では、中実領域１２２は、完全に導電性材料から形成される（例えば、中実領域１２２は導電性の実質的に均一な材料から形成される）。中実領域１２２に用いることが可能な導電性材料の例には、導電性の金属、導電性の合金、および導電性のポリマーが含まれる。例示的な導電性の金属には、金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、白金、およびチタンが含まれる。例示的な導電性の合金には、ステンレス鋼（例えば、３３２ステンレス鋼、３１６ステンレス鋼）、金の合金、銀の合金、銅の合金、ニッケル合金、パラジウム合金、白金の合金、およびチタン合金が含まれる。例示的な導電性のポリマーには、ポリチオフェン（例えば、ポリ（３，４−エテリンジオキシチオフェン（3,4-ethelynedioxythiophene）（ＰＥＤＯＴ））、ポリアニリン（例えば、ドープしたポリアニリン）、ポリピロール（例えば、ドープしたポリピロール）が含まれる。幾つかの実施態様では、導電性材料の組合せが用いられる。
図４に示したように、幾つかの実施態様では、中実領域１２２は、異なる材料３０４でコーティングされた（例えば、メタライゼーションを用いて、蒸着を用いて）材料３０２から形成される。一般に、材料３０２は任意の所望の材料（例えば、電気絶縁材料、導電性材料、または半導体材料）から形成されることが可能であり、材料３０４は導電性材料である。材料３０２が形成され得る電気絶縁材料の例には、織布、光学繊維材料、ポリマー性材料（例えば、ナイロン）、および天然材料（例えば、亜麻、木綿、羊毛、絹）が含まれる。材料３０２が形成され得る導電性材料の例には、上述の導電性材料が含まれる。材料３０２が形成され得る半導体材料の例には、インジウムスズ酸化物、フッ素化スズ酸化物、スズ酸化物、および亜鉛酸化物が含まれる。幾つかの実施態様では、材料３０２は繊維の形状であり、材料３０４は材料３０２へコーティングされた導電性材料である。一定の実施態様では、材料３０２はメッシュの形状（上述を参照）であり、メッシュに形成された後に、材料３０４でコーティングされる。一例として、材料３０２はエクスパンド・メタル・メッシュであり、材料３０４はエクスパンド・メタル・メッシュへコーティン
グされたＰＥＤＯＴである。
一般に、メッシュ・カソード１２０の最大厚さ（すなわち、基板１１０がメッシュ・カソード１２０と接触している表面に対して実質的に垂直な方向への、メッシュ・カソード１２０の最大厚さ）は、ホール・キャリア層１３０の全厚さ未満である必要がある。典型的には、メッシュ・カソード１２０の最大厚さは、０．１μｍ以上（例えば、約０．２μｍ以上、約０．３μｍ以上、約０．４μｍ以上、約０．５μｍ以上、約０．６μｍ以上、約０．７μｍ以上、約０．８μｍ以上、約０．９μｍ以上、約１μｍ以上）、約１０μｍ以下（約９μｍ以下、約８μｍ以下、約７μｍ以下、約６μｍ以下、約５μｍ以下、約４μｍ以下、約３μｍ以下、約２μｍ以下）、またはその両方である。
図２では長方形の形状を有するように示したが、一般に、開口領域１２４は任意の所望の形状を有することが可能である（例えば、正方形、円形、半円形、三角形、菱形、楕円形、台形、不定形）。幾つかの実施態様では、メッシュ・カソード１２０において、異なる開口領域１２４は異なる形状を有し得る。
図３では正方形の断面形状を有するように示したが、一般に、中実領域１２２は任意の所望の形状を有することが可能である（例えば、長方形、円形、半円形、三角形、菱形、楕円形、台形、不定形など）。幾つかの実施態様では、メッシュ・カソード１２０において、異なる中実領域１２２は異なる形状を有し得る。
幾つかの実施態様では、メッシュ・カソード１２０は可撓性（例えば、連続的なロール・ツー・ロール製造プロセスを用いて光電セル１００に組込まれるのに充分に可撓性）である。一定の実施態様では、メッシュ・カソード１２０は、半剛性または不撓性である。幾つかの実施態様では、メッシュ・カソード１２０において、異なる領域が可撓性、半剛性、または不撓性であることが可能である（例えば、可撓性の１つ以上の領域および半剛性の異なる１つ以上の領域、可撓性の１つ以上の領域および不撓性の異なる１つ以上の領域）。
基板１１０は、一般に透明材料から形成される。本明細書では、光電セル１００に用いる厚さにて、光電セルの動作中に用いられる一定の波長または一定範囲の波長の入射光の約６０％以上（例えば、約７０％以上、約７５％以上、約８０％以上、約８５％以上）を透過させる材料を、透明材料と称する。基板１１０が形成され得る例示的な材料には、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリマー性炭化水素、セルロース・ポリマー、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリエーテル、およびポリエーテルケトンが含まれる。一定の実施態様では、ポリマーはフッ素化ポリマーであり得る。幾つかの実施態様では、ポリマー性材料の組合せが用いられる。一定の実施態様では、基板１１０において、異なる領域は異なる材料から形成され得る。
一般に、基板１１０は、可撓性、半剛性、または剛性であることが可能である（例えば、ガラスなど）。幾つかの実施態様では、基板１１０は約５，０００ＭＰａ（メガパスカル）未満の曲げ弾性率を有する。一定の実施態様では、基板１１０において、異なる領域が可撓性、半剛性、または不撓性であることが可能である（例えば、可撓性の１つ以上の領域および半剛性の異なる１つ以上の領域、可撓性の１つ以上の領域および不撓性の異なる１つ以上の領域など）。
典型的には、基板１１０の厚さは、約１μｍ以上（例えば、約５μｍ以上、約１０μｍ以上）、約１，０００μｍ以下（例えば、約５００μｍ以下、約３００μｍ以下、約２００μｍ以下、約１００μｍ以下、約５０μｍ以下）、またはその両方である。
一般に、基板１１０は有色または無色であり得る。幾つかの実施態様では、基板１１０のうちの１つ以上の部分は有色であり、基板１１０のうちの異なる１つ以上の部分は無色である。
基板１１０は、１つの平面的な表面（例えば、光が衝突する表面）を有すること、２つの平面的な表面（例えば、光が衝突する表面および反対の表面）を有すること、または平面的な表面を有しないことが可能である。基板１１０の非平面的な表面は、例えば、湾曲していること、または段を有することが可能である。幾つかの実施態様では、基板１１０の非平面的な表面にはパターンが形成されている（例えば、パターンの形成された段を有し、フレネル・レンズ（Ｆｒｅｓｎｅｌ ｌｅｎｓ）、レンチキュラー・レンズ（ｌｅｎｔｉｃｕｌａｒ ｌｅｎｓ）、またはレンチキュラー・プリズムを形成する）。
ホール・キャリア層１３０は、一般に、光電セル１００に用いる厚さにて、メッシュ・カソード１２０へとホールを輸送し、かつメッシュ・カソード１２０への電子の輸送を実質的にブロックする材料から形成される。ホール・キャリア層１３０が形成され得る材料の例には、ポリチオフェン（例えば、ＰＥＤＯＴ）、ポリアニリン、ポリビニルカルバゾール、ポリフェニレン、ポリフェニルビニレン、ポリシラン、ポリチエニレンビニレン、ポリイソチアナフタネン（polyisothianaphthanenes ）が含まれる。幾つかの実施態様では、ホール・キャリア層１３０には、ホール・キャリア材料の組合せが含まれ得る。
一般に、ホール・キャリア層１３０の上表面（すなわち、ホール・キャリア層１３０が活性層１４０と接触している表面）と、基板１１０の上表面（すなわち、基板１１０がメッシュ電極１２０と接触している表面）との間の距離は、所望の通りに変更可能である。典型的には、ホール・キャリア層１３０の上表面と、メッシュ・カソード１２０の上表面との間の距離は、０．０１μｍ以上（例えば、約０．０５μｍ以上、約０．１μｍ以上、約０．２μｍ以上、約０．３μｍ以上、約０．５μｍ以上）、約５μｍ以下（例えば、約３μｍ以下、約２μｍ以下、約１μｍ以下）、またはその両方である。幾つかの実施態様では、ホール・キャリア層１３０の上表面と、メッシュ・カソード１２０の上表面との間の距離は、約０．０１μｍ〜約０．５μｍである。
活性層１４０は、一般に電子受容性材料と電子供与性材料とを含有する。
電子受容性材料の例には、フラーレン、オキサジアゾール、カーボン・ナノロッド、ディスコティック液晶、無機ナノ粒子（例えば、亜鉛酸化物、タングステン酸化物、インジウム燐化物、セレン化カドミウム、硫化鉛、またはそれらのうちの１つ以上から形成されるナノ粒子）、無機ナノロッド（例えば、亜鉛酸化物、タングステン酸化物、インジウム燐化物、セレン化カドミウム、硫化鉛、またはそれらのうちの１つ以上から形成されるナノロッド）、または電子を受容可能な部位もしくは安定なアニオンを形成可能な部位を含むポリマー（例えば、ＣＮ基含有ポリマー、ＣＦ３基含有ポリマーなど）から形成される材料が含まれる。幾つかの実施態様では、電子受容性材料は置換フラーレン（例えば、ＰＣＢＭなど）である。幾つかの実施態様では、活性層１４０は電子受容性材料の組合せを含み得る。
電子供与性材料の例には、ディスコティック液晶、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニルビニレン、ポリシラン、ポリチエニルビニレン、およびポリイソチアナフタレンが含まれる。幾つかの実施態様では、電子供与性材料はポリ（３−ヘキシルチオフェン）である。一定の実施態様では、活性層１４０は電子供与性材料の組合せを含み得る。
一般に活性層１４０は、衝突する光子を吸収して対応する電子およびホールを形成する場合に比較的効率的であるために充分に厚く、かつホールおよび電子をそれぞれ層１３０，１５０へ輸送する場合に比較的効率的であるために充分に薄い。一定の実施態様では、
層１４０の厚さは、０．０５μｍ以上（例えば、約０．１μｍ以上、約０．２μｍ以上、約０．３μｍ以上）、約１μｍ以下（例えば、約０．５μｍ以下、約０．４μｍ以下）、またはその両方である。幾つかの実施態様では、層１４０の厚さは、約０．１μｍ〜約０．２μｍである。
ホール・ブロック層１５０は、一般に、光電セル１００に用いる厚さにて、アノード１６０へ電子を輸送し、かつアノード１６０へのホールの輸送を実質的にブロックする材料から形成される。ホール・ブロック層１５０が形成され得る材料の例には、ＬｉＦおよび金属酸化物（例えば、亜鉛酸化物、チタン酸化物）が含まれる。
典型的には、ホール・ブロック層１５０の厚さは、０．０２μｍ以上（例えば、約０．０３μｍ以上、約０．０４μｍ以上、約０．０５μｍ以上）、約０．５μｍ以下（例えば、約０．４μｍ以下、約０．３μｍ以下、約０．２μｍ以下、約０．１μｍ以下）、またはその両方である。
アノード１６０は、一般に、上述の導電性材料のうちの１つ以上など、導電性材料から形成される。幾つかの実施態様では、アノード１６０は導電性材料の組合せから形成される。
基板１７０は、透明材料または不透明材料から形成され得る。例えば、使用中にアノード１６０を通過する光を光電セルが用いる実施態様では、基板１７０は透明材料から形成されることが望ましい。
基板１７０が形成され得る例示的な材料には、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリマー性炭化水素、セルロース・ポリマー、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリエーテル、およびポリエーテルケトンが含まれる。一定の実施態様では、ポリマーはフッ素化ポリマーであり得る。幾つかの実施態様では、ポリマー性材料の組合せが用いられる。一定の実施態様では、基板１１０において、異なる領域は異なる材料から形成され得る。
一般に、基板１７０は、可撓性、半剛性、または剛性であることが可能である。幾つかの実施態様では、基板１７０は約５，０００ＭＰａ未満の曲げ弾性率を有する。一定の実施態様では、基板１７０において、異なる領域が可撓性、半剛性、または不撓性であることが可能である（例えば、可撓性の１つ以上の領域および半剛性の異なる１つ以上の領域、可撓性の１つ以上の領域および不撓性の異なる１つ以上の領域）。一般に、基板１７０は実質的に非散乱性である。
典型的には、基板１７０の厚さは、約１μｍ以上（例えば、約５μｍ以上、約１０μｍ以上）、約２００μｍ以下（例えば、約１００μｍ以下、約５０μｍ以下）、またはその両方である。
一般に、基板１７０は有色または無色であり得る。幾つかの実施態様では、基板１７０のうちの１つ以上の部分は有色であり、基板１７０のうちの異なる１つ以上の部分は無色である。
基板１７０は、１つの平面的な表面（例えば、使用中にアノード１６０を通過する光を光電セル１００が用いる実施態様で、基板１７０において光が衝突する表面）を有すること、２つの平面的な表面（例えば、使用中にアノード１６０を通過する光を光電セル１００が用いる実施態様で、基板１７０において光が衝突する表面および基板１７０の反対の表面）を有すること、または平面的な表面を有しないことが可能である。基板１７０の非
平面的な表面は、例えば、湾曲していること、または段を有することが可能である。幾つかの実施態様では、基板１７０の非平面的な表面にはパターンが形成されている（例えば、パターンの形成された段を有し、フレネル・レンズ、レンチキュラー・レンズ、またはレンチキュラー・プリズムを形成する）。
図５には、光電セル４００の断面図を示す。光電セル４００には、基板１１０とホール・キャリア層１３０との間の接着層４１０が含まれる。
一般に、接着層４１０には、メッシュ・カソード１３０を定位置に保持することが可能な任意の材料が用いられ得る。一般に、接着層４１０は、光電セル４００に用いる厚さにて透明な材料から形成される。接着剤の例には、エポキシおよびウレタンが含まれる。接着層４１０に用いられ得る市販の材料の例には、デュポン（ＤｕＰｏｎｔ）社のＢｙｎｅｌ（商標）接着剤およびスリーエム（３Ｍ）社の６１５接着剤が含まれる。幾つかの実施態様では、接着層４１０にはフッ素化接着剤が含まれ得る。一定の実施態様では、接着層４１０は導電性接着剤を含有する。導電性接着剤は、例えば、上述の導電性ポリマー（例えば、ＰＥＤＯＴ）など、本質的に導電性のポリマーから形成され得る。導電性接着剤は、１つ以上の導電性材料（例えば、導電性粒子）を含むポリマー（例えば、本質的に導電性でないポリマー）からも形成され得る。幾つかの実施態様では、接着層４１０は、１つ以上の導電性材料を含む、本質的に導電性のポリマーを含有する。
幾つかの実施態様では、接着層４１０の厚さ（すなわち、基板１１０が接着層４１０と接触している表面に対して実質的に垂直な方向への、接着層４１０の厚さ）は、メッシュ・カソード１２０の最大厚さ未満である。幾つかの実施態様では、接着層４１０の厚さは、メッシュ・カソード１２０の最大厚さの約９０％以下（例えば、約８０％以下、約７０％以下、約６０％以下、約５０％以下、約４０％以下、約３０％以下、約２０％以下）である。しかしながら、一定の実施態様では、接着層４１０の厚さは、メッシュ・カソード１３０の最大厚さとほぼ同じか、またはメッシュ・カソード１３０の最大厚さより大きい。
一般に、メッシュ・カソードを有する光電セルを、所望の通りに製造することが可能である。
幾つかの実施態様では、光電セルは以下のように調製され得る。従来技術を用いて電極１６０を基板１７０上に形成し、ホール・ブロック層１５０を電極１６０上に形成する（例えば、真空蒸着（ｖａｃｕｕｍ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）プロセスまたは溶液コーティング・プロセスを用いて）。活性層１４０をホール・ブロック層１５０上に形成する（例えば、スロット・コーティング、スピン・コーティング、またはグラビア・コーティングなど、溶液コーティング・プロセスを用いて）。ホール・キャリア層１３０を活性層１４０上に形成する（例えば、スロット・コーティング、スピン・コーティング、またはグラビア・コーティングなど、溶液コーティング・プロセスを用いて）。メッシュ・カソード１２０をホール・キャリア層１３０に部分的に配置する（例えば、ホール・キャリア層１３０の表面にメッシュ・カソード１２０を配置し、メッシュ・カソード１２０をプレス加工することによって）。続いて、従来の方法を用いて、基板１１０をメッシュ・カソード１２０およびホール・キャリア層１３０上に形成する。
一定の実施態様では、光電セルは以下のように調製され得る。従来技術を用いて電極１６０を基板１７０上に形成し、ホール・ブロック層１５０を電極１６０上に形成する（例えば、真空蒸着プロセスまたは溶液コーティング・プロセスを用いて）。活性層１４０をホール・ブロック層１５０上に形成する（例えば、スロット・コーティング、スピン・コーティング、またはグラビア・コーティングなど、溶液コーティング・プロセスを用いて）。ホール・キャリア層１３０を活性層１４０上に形成する（例えば、スロット・コーティング、スピン・コーティング、またはグラビア・コーティングなど、溶液コーティング
・プロセスを用いて）。従来技術を用いて接着層４１０をホール・キャリア層１３０上に配置する。メッシュ・カソード１２０を接着層４１０およびホール・キャリア層１３０に部分的に配置する（例えば、接着層４１０の表面にメッシュ・カソード１２０を配置し、メッシュ・カソード１２０をプレス加工することによって）。続いて、従来の方法を用いて、基板１１０をメッシュ・カソード１２０および接着層４１０上に形成する。
先述のプロセスには、メッシュ・カソード１２０をホール・キャリア層１３０に部分的に配置する工程が含まれるが、幾つかの実施態様では、図に示した開口構造を有する電極を与えるように、キャリア層１３０または接着層４１０の表面にカソード材料を印刷することによって、メッシュ・カソード１２０を形成する。例えば、メッシュ・カソード１２０は、インクジェット印刷機、スクリーン印刷機、またはグラビア印刷機を用いて印刷可能である。加熱または放射（例えば、紫外線放射、可視光放射、赤外線放射、電子ビーム放射など）により固化するペーストに、カソード材料を配置することも可能である。カソード材料は、例えば、スクリーンを通してメッシュのパターンに真空蒸着することも可能であり、蒸着後にフォトリソグラフィーによってパターンを形成されてもよい。
複数の光電セルを電気的に接続し、光電システムを形成することが可能である。一例として、図６には、光電セル５２０を含むモジュール５１０を有する光電システム５００の概略図を示す。光電セル５２０は電気的に直列に接続されており、システム５００は負荷に電気的に接続されている。図７には、光電セル６２０を含むモジュール６１０を有する光電システム６００の概略図を示す。光電セル６２０は電気的に並列に接続されており、システム６００は負荷に電気的に接続されている。幾つかの実施態様では、光電システムにおける一部（例えば、全て）の光電セルは、１つ以上の共通の基板を有することが可能である。一定の実施態様では、光電システムにおける一部の光電セルは電気的に直列に接続されており、その光電システムにおける光電セルのうちの一部は電気的に並列に接続されている。
一定の実施態様を開示したが、他の実施態様もまた可能である。
メッシュから形成されるカソードを開示したが、別の例として、幾つかの実施態様ではメッシュ・アノードを用いることが可能である。これは例えば、アノードが伝達した光を用いる場合に所望され得る。一定の実施態様では、メッシュ・カソードおよびメッシュ・アノードの両方が用いられる。これは例えば、カソードおよびアノードの両方が伝達した光を用いる場合に所望され得る。
一般にセルのカソード側を介して透過する光を用いる実施態様を説明したが、一例として、一定の実施態様ではセルのアノード側が伝達した光を用いる（例えば、メッシュ・アノードを用いる場合）。幾つかの実施態様では、セルのカソード側およびアノード側の両方が伝達した光を用いる（メッシュ・カソードおよびメッシュ・アノードを用いる場合）。
電極（例えば、メッシュ電極、非メッシュ電極）を導電性材料から形成されるものとして説明したが、さらなる一例として、幾つかの実施態様では半導体材料から形成される１つ以上の電極（例えば、１つ以上のメッシュ電極、１つ以上の非メッシュ電極）を光電セルが備えてもよい。半導体材料の例には、インジウムスズ酸化物、フッ素化スズ酸化物、スズ酸化物、および亜鉛酸化物が含まれる。
さらなる一例として、幾つかの実施態様では１つ以上の半導体材料がメッシュ電極の開口領域に配置され得る（例えば、メッシュ・カソードの開口領域、メッシュ・アノードの開口領域、メッシュ・カソードの開口領域およびメッシュ・アノードの開口領域）。半導体材料の例には、スズ酸化物、フッ素化スズ酸化物、スズ酸化物、および亜鉛酸化物が含
まれる。典型的には、メッシュ電極の開口領域に配置される半導体材料は、光電セルに用いる厚さにて透明である。
別の例として、一定の実施態様では一方または両方の基板に保護層が適用され得る。保護層は、例えば、汚染物質（例えば、塵埃（ｄｉｒｔ）、水分、酸素、化学物質）を光電セルの中に入れないため、セルの耐久性を高めるため、またはその両方のために用いられ得る。一定の実施態様では、保護層はポリマー（例えば、フッ素化ポリマー）から形成され得る。
１つ以上のメッシュ電極を備える一定の種類の光電セルを説明したが、さらなる一例として、他の種類の光電セルにも１つ以上のメッシュ電極（メッシュ・カソード、メッシュ・アノード、メッシュ・カソードおよびメッシュ・アノード）を用いることが可能である。そのような光電セルの例には、アモルファス・シリコン、セレン化カドミウム、テルル化カドミウム、銅インジウム硫化物、および銅インジウムガリウム砒化物から形成される活性材料を含む光電セルが含まれる。
材料３０２，３０４が異なる材料から形成されるものとして説明したが、さらなる一例として、幾つかの実施態様では材料３０２，３０４は同じ材料から形成される。
図４では中実領域１２２が別の材料へコーティングされた１つの材料から形成されるように示したが、別の例として、幾つかの実施態様では中実領域１２２は２つ以上のコーティングされた材料（例えば、３つのコーティングされた材料、４つのコーティングされた材料、５つのコーティングされた材料、６つのコーティングされた材料）から形成され得る。
他の実施態様は特許請求の範囲にある。

Claims (1)

  1. 第１の電極と、
    開口領域を有し、導電性材料を含有するメッシュ電極と、
    メッシュ電極の開口領域に配置されている半導体材料と、
    第１の電極とメッシュ電極との間に位置し、かつ電子受容性材料および電子供与性材料を含有する活性層と、
    第１の電極と活性層との間のホール・ブロック層と、
    メッシュ電極と活性層との間のホール・キャリア層とを備える光電セル。
JP2011156910A 2003-03-24 2011-07-15 メッシュ電極を備える光電セル Expired - Fee Related JP5616852B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/395,823 US7022910B2 (en) 2002-03-29 2003-03-24 Photovoltaic cells utilizing mesh electrodes
US10/395,823 2003-03-24
US10/723,554 US20040187911A1 (en) 2003-03-24 2003-11-26 Photovoltaic cell with mesh electrode
US10/723,554 2003-11-26

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006507473A Division JP5350587B2 (ja) 2003-03-24 2004-03-23 メッシュ電極を備える光電セル

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011205149A true JP2011205149A (ja) 2011-10-13
JP5616852B2 JP5616852B2 (ja) 2014-10-29

Family

ID=32988660

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006507509A Expired - Fee Related JP5248770B2 (ja) 2003-03-24 2004-03-24 メッシュ電極を利用した光電セル
JP2011156910A Expired - Fee Related JP5616852B2 (ja) 2003-03-24 2011-07-15 メッシュ電極を備える光電セル
JP2012266670A Pending JP2013093328A (ja) 2003-03-24 2012-12-05 メッシュ電極を利用した光電セル

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006507509A Expired - Fee Related JP5248770B2 (ja) 2003-03-24 2004-03-24 メッシュ電極を利用した光電セル

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012266670A Pending JP2013093328A (ja) 2003-03-24 2012-12-05 メッシュ電極を利用した光電セル

Country Status (7)

Country Link
US (3) US7022910B2 (ja)
EP (1) EP1606845B1 (ja)
JP (3) JP5248770B2 (ja)
KR (1) KR101024876B1 (ja)
AT (1) ATE486378T1 (ja)
DE (1) DE602004029770D1 (ja)
WO (1) WO2004086464A2 (ja)

Families Citing this family (252)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8076568B2 (en) * 2006-04-13 2011-12-13 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US20100108118A1 (en) * 2008-06-02 2010-05-06 Daniel Luch Photovoltaic power farm structure and installation
US7507903B2 (en) * 1999-03-30 2009-03-24 Daniel Luch Substrate and collector grid structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US20090111206A1 (en) 1999-03-30 2009-04-30 Daniel Luch Collector grid, electrode structures and interrconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture
US8222513B2 (en) 2006-04-13 2012-07-17 Daniel Luch Collector grid, electrode structures and interconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture
US8664030B2 (en) 1999-03-30 2014-03-04 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8138413B2 (en) 2006-04-13 2012-03-20 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US20110067754A1 (en) * 2000-02-04 2011-03-24 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US7898053B2 (en) * 2000-02-04 2011-03-01 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US8198696B2 (en) 2000-02-04 2012-06-12 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US7898054B2 (en) * 2000-02-04 2011-03-01 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US7351907B2 (en) * 2002-01-25 2008-04-01 Konarka Technologies, Inc. Displays with integrated photovoltaic cells
US7186911B2 (en) 2002-01-25 2007-03-06 Konarka Technologies, Inc. Methods of scoring for fabricating interconnected photovoltaic cells
US6706963B2 (en) * 2002-01-25 2004-03-16 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell interconnection
US7414188B2 (en) * 2002-01-25 2008-08-19 Konarka Technologies, Inc. Co-sensitizers for dye sensitized solar cells
US20030192585A1 (en) 2002-01-25 2003-10-16 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cells incorporating rigid substrates
US20030192584A1 (en) * 2002-01-25 2003-10-16 Konarka Technologies, Inc. Flexible photovoltaic cells and modules formed using foils
US6900382B2 (en) * 2002-01-25 2005-05-31 Konarka Technologies, Inc. Gel electrolytes for dye sensitized solar cells
US6949400B2 (en) 2002-01-25 2005-09-27 Konarka Technologies, Inc. Ultrasonic slitting of photovoltaic cells and modules
US20050284513A1 (en) * 2002-08-08 2005-12-29 Christoph Brabec Chip card comprising an integrated energy converter
US7205473B2 (en) * 2002-01-25 2007-04-17 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic powered multimedia greeting cards and smart cards
US7022910B2 (en) * 2002-03-29 2006-04-04 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cells utilizing mesh electrodes
US6913713B2 (en) * 2002-01-25 2005-07-05 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic fibers
US7323635B2 (en) * 2001-06-15 2008-01-29 University Of Massachusetts Photovoltaic cell
EP1470598A2 (en) * 2002-01-25 2004-10-27 Konarka Technologies, Inc. Structures and materials for dye sensitized solar cells
WO2003065394A2 (en) * 2002-01-25 2003-08-07 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell components and materials
US20070251570A1 (en) * 2002-03-29 2007-11-01 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cells utilizing mesh electrodes
US8507253B2 (en) 2002-05-13 2013-08-13 Algae Systems, LLC Photobioreactor cell culture systems, methods for preconditioning photosynthetic organisms, and cultures of photosynthetic organisms produced thereby
US20050194038A1 (en) * 2002-06-13 2005-09-08 Christoph Brabec Electrodes for optoelectronic components and the use thereof
JP4085421B2 (ja) * 2002-08-23 2008-05-14 ソニー株式会社 色素増感型光電変換装置及びその製造方法
EP1535353A2 (de) * 2002-09-05 2005-06-01 Siemens Aktiengesellschaft Organisches photovoltaisches bauelement und herstellungsverfahren dazu
JP2004207012A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Sony Corp 色素増感型光電変換装置およびその製造方法
IL153895A (en) * 2003-01-12 2013-01-31 Orion Solar Systems Ltd Solar cell device
WO2008139479A2 (en) * 2007-05-15 2008-11-20 3Gsolar Ltd. Photovoltaic cell
JP4674435B2 (ja) * 2003-01-15 2011-04-20 ソニー株式会社 光電変換素子
JP2004234988A (ja) * 2003-01-30 2004-08-19 Sony Corp 光電変換素子およびその製造方法ならびに電子装置およびその製造方法ならびに半導体層およびその製造方法
US7901656B2 (en) * 2003-03-21 2011-03-08 Wayne State University Metal oxide-containing nanoparticles
WO2004086462A2 (en) * 2003-03-24 2004-10-07 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell with mesh electrode
US20050016578A1 (en) * 2003-04-11 2005-01-27 Sony Corporation Photoelectric conversion device fabrication method, photoelectric conversion device, electronic apparatus manufacturing method, electronic apparatus, metal film formation method and layer structure, and semiconductor fine particle layer and layer structure
EP1513171A1 (en) * 2003-09-05 2005-03-09 Sony International (Europe) GmbH Tandem dye-sensitised solar cell and method of its production
KR101056440B1 (ko) * 2003-09-26 2011-08-11 삼성에스디아이 주식회사 염료감응 태양전지
JP4197637B2 (ja) * 2003-09-29 2008-12-17 株式会社東芝 光増感型太陽電池及びその製造方法
CN100380730C (zh) * 2003-10-06 2008-04-09 日本特殊陶业株式会社 染料敏化太阳电池
KR100578798B1 (ko) * 2003-12-12 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법
JP3717506B2 (ja) * 2004-01-20 2005-11-16 シャープ株式会社 色素増感型太陽電池モジュール
KR100589322B1 (ko) * 2004-02-03 2006-06-14 삼성에스디아이 주식회사 고효율 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법
KR100589323B1 (ko) * 2004-02-03 2006-06-14 삼성에스디아이 주식회사 광 흡수파장대가 확장된 염료감응 태양전지 및 그 제조방법
US20080223428A1 (en) * 2004-04-19 2008-09-18 Zeira Eitan C All printed solar cell array
DE102004024461A1 (de) * 2004-05-14 2005-12-01 Konarka Technologies, Inc., Lowell Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit zumindest einer aktiven organischen Schicht
US7777128B2 (en) * 2004-06-01 2010-08-17 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic module architecture
WO2005122321A1 (ja) * 2004-06-08 2005-12-22 Sfc Co., Ltd. 色素増感型太陽電池及びその製造方法
DE112005001297T5 (de) * 2004-06-08 2007-05-03 SFC Co., Ltd., Yokohama Farbstoff-Solarzelle und Herstellungsverfahren dafür
KR101001548B1 (ko) * 2004-06-29 2010-12-17 삼성에스디아이 주식회사 광전변환소자를 이용한 염료감응 태양전지
JP2006147261A (ja) * 2004-11-17 2006-06-08 Enplas Corp 色素増感太陽電池の対向電極及び色素増感太陽電池
US20060147616A1 (en) * 2004-12-20 2006-07-06 Russell Gaudiana Polymer catalyst for photovoltaic cell
EP1672653B1 (en) * 2004-12-20 2019-07-17 Merck Patent GmbH Patterned photovoltaic cell
US20070121113A1 (en) * 2004-12-22 2007-05-31 Cohen David S Transmission-based optical detection systems
US20060177567A1 (en) * 2005-02-05 2006-08-10 Winarski Tyson Y Window that Generates Solar-powered Electricity via a Plurality of Noncontiguous Solar Cells
GB2424121A (en) * 2005-02-11 2006-09-13 Risoe Nat Lab Solar cell using electrode formed from cotton fabric coated with conductive polymer
JP4752283B2 (ja) * 2005-02-24 2011-08-17 富士ゼロックス株式会社 カーボンナノチューブを用いた太陽電池
JP4856883B2 (ja) * 2005-03-03 2012-01-18 富士フイルム株式会社 機能性素子、エレクトロクロミック素子、光学デバイス及び撮影ユニット
US20070224464A1 (en) * 2005-03-21 2007-09-27 Srini Balasubramanian Dye-sensitized photovoltaic cells
JP2006286534A (ja) * 2005-04-04 2006-10-19 Nippon Oil Corp フレキシブル色素増感太陽電池
JP4915544B2 (ja) * 2005-05-11 2012-04-11 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2006324111A (ja) * 2005-05-18 2006-11-30 Nippon Oil Corp フレキシブル色素増感太陽電池
US20070017566A1 (en) * 2005-06-13 2007-01-25 Russell Gaudiana Flexible photovoltaic modules
US20100193768A1 (en) * 2005-06-20 2010-08-05 Illuminex Corporation Semiconducting nanowire arrays for photovoltaic applications
US20090050204A1 (en) * 2007-08-03 2009-02-26 Illuminex Corporation. Photovoltaic device using nanostructured material
CN101263588B (zh) * 2005-06-24 2013-03-20 科纳卡技术股份有限公司 制备电极的方法
KR20080050388A (ko) * 2005-07-12 2008-06-05 코나르카 테크놀로지, 인코포레이티드 광전지의 전달 방법
US20070181179A1 (en) * 2005-12-21 2007-08-09 Konarka Technologies, Inc. Tandem photovoltaic cells
US20080006324A1 (en) * 2005-07-14 2008-01-10 Konarka Technologies, Inc. Tandem Photovoltaic Cells
US8158881B2 (en) * 2005-07-14 2012-04-17 Konarka Technologies, Inc. Tandem photovoltaic cells
TW200715634A (en) * 2005-07-14 2007-04-16 Konarka Technologies Inc Stable organic devices
US20070267055A1 (en) * 2005-07-14 2007-11-22 Konarka Technologies, Inc. Tandem Photovoltaic Cells
US7772485B2 (en) * 2005-07-14 2010-08-10 Konarka Technologies, Inc. Polymers with low band gaps and high charge mobility
US7781673B2 (en) * 2005-07-14 2010-08-24 Konarka Technologies, Inc. Polymers with low band gaps and high charge mobility
WO2007011742A2 (en) * 2005-07-14 2007-01-25 Konarka Technologies, Inc. Cigs photovoltaic cells
KR101381508B1 (ko) * 2005-07-15 2014-04-04 메르크 파텐트 게엠베하 회절 호일
US7982129B2 (en) * 2005-08-15 2011-07-19 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cells with interconnects to external circuit
JP4849844B2 (ja) * 2005-08-22 2012-01-11 Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 色素増感太陽電池
US7522329B2 (en) * 2005-08-22 2009-04-21 Konarka Technologies, Inc. Displays with integrated photovoltaic cells
JP5096336B2 (ja) * 2005-09-01 2012-12-12 コナルカ テクノロジーズ インコーポレイテッド バイパスダイオードと一体化した光電池を備えるシステム
JP5298308B2 (ja) * 2005-09-06 2013-09-25 国立大学法人京都大学 有機薄膜光電変換素子及びその製造方法
WO2007029750A1 (ja) * 2005-09-06 2007-03-15 Kyoto University 有機薄膜光電変換素子及びその製造方法
KR100658263B1 (ko) * 2005-09-29 2006-12-14 삼성전자주식회사 적층형 광전변환소자 및 그의 제조방법
US20070079867A1 (en) * 2005-10-12 2007-04-12 Kethinni Chittibabu Photovoltaic fibers
KR100764362B1 (ko) * 2005-11-01 2007-10-08 삼성전자주식회사 태양전지용 투명 전극, 그의 제조방법 및 그를 포함하는반도체 전극
US7635600B2 (en) 2005-11-16 2009-12-22 Sharp Laboratories Of America, Inc. Photovoltaic structure with a conductive nanowire array electrode
GB2432723B (en) * 2005-11-25 2010-12-08 Seiko Epson Corp Electrochemical cell and method of manufacture
GB2432721B (en) * 2005-11-25 2011-06-22 Seiko Epson Corp Electrochemical cell structure and method of fabrication
US8106853B2 (en) 2005-12-12 2012-01-31 Nupix, LLC Wire-based flat panel displays
US8166649B2 (en) 2005-12-12 2012-05-01 Nupix, LLC Method of forming an electroded sheet
US8089434B2 (en) * 2005-12-12 2012-01-03 Nupix, LLC Electroded polymer substrate with embedded wires for an electronic display
US20070193621A1 (en) * 2005-12-21 2007-08-23 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cells
WO2007104039A2 (en) * 2006-03-09 2007-09-13 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cells
WO2007121252A2 (en) * 2006-04-11 2007-10-25 Konarka Technologies, Inc. Tandem photovoltaic cells
US9865758B2 (en) 2006-04-13 2018-01-09 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8884155B2 (en) 2006-04-13 2014-11-11 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US9236512B2 (en) 2006-04-13 2016-01-12 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US9006563B2 (en) 2006-04-13 2015-04-14 Solannex, Inc. Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8822810B2 (en) 2006-04-13 2014-09-02 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8729385B2 (en) 2006-04-13 2014-05-20 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
CN101485008B (zh) * 2006-05-01 2013-06-12 维克森林大学 有机光电器件及其应用
AU2007248170B2 (en) 2006-05-01 2012-08-16 Arrowhead Center, Inc. Fiber photovoltaic devices and applications thereof
DE102006023638A1 (de) * 2006-05-18 2007-11-22 Sefar Ag Photovoltaische Zelle
US20070289626A1 (en) * 2006-06-20 2007-12-20 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cells
US20080149178A1 (en) * 2006-06-27 2008-06-26 Marisol Reyes-Reyes Composite organic materials and applications thereof
JP5150818B2 (ja) * 2006-06-29 2013-02-27 国立大学法人九州工業大学 色素増感太陽電池およびその製造方法
US8933328B2 (en) * 2006-07-06 2015-01-13 Sharp Kabushiki Kaisha Dye-sensitized solar cell module and method of producing the same
US8110395B2 (en) 2006-07-10 2012-02-07 Algae Systems, LLC Photobioreactor systems and methods for treating CO2-enriched gas and producing biomass
TW200805687A (en) * 2006-07-11 2008-01-16 Rich Power Technologies Ltd Dye-sensitized solar cell and method of manufacturing the same
TWI458103B (zh) * 2006-07-17 2014-10-21 Teijin Dupont Films Japan Ltd Pigment sensitized solar cells and used electrodes and laminated films
ES2375418T3 (es) 2006-08-07 2012-02-29 Wake Forest University Método para producir materiales orgánicos compuestos.
DE102006045514B4 (de) * 2006-08-16 2012-04-05 Saint-Gobain Sekurit Deutschland Gmbh & Co. Kg Transparente Flächenelektrode
JP2008085323A (ja) * 2006-08-31 2008-04-10 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 太陽電池用透明電極基板
EP2082437B1 (en) 2006-10-11 2019-01-02 Merck Patent GmbH Photovoltaic cell with silole-containing co-polymer
US8008421B2 (en) 2006-10-11 2011-08-30 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell with silole-containing polymer
US8008424B2 (en) * 2006-10-11 2011-08-30 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell with thiazole-containing polymer
US20080092947A1 (en) * 2006-10-24 2008-04-24 Applied Materials, Inc. Pulse plating of a low stress film on a solar cell substrate
US20100096004A1 (en) * 2006-10-25 2010-04-22 Unidym, Inc. Solar cell with nanostructure electrode(s)
US8319092B1 (en) 2006-11-03 2012-11-27 Solera Laboratories, Inc. Nano power cell and method of use
US9112447B2 (en) * 2006-11-03 2015-08-18 Solera Laboratories, Inc. Nano power cell and method of use
CN100505325C (zh) * 2006-11-10 2009-06-24 北京大学 染料敏化太阳能电池及其工作电极
US7799182B2 (en) 2006-12-01 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Electroplating on roll-to-roll flexible solar cell substrates
US7736928B2 (en) * 2006-12-01 2010-06-15 Applied Materials, Inc. Precision printing electroplating through plating mask on a solar cell substrate
US7704352B2 (en) * 2006-12-01 2010-04-27 Applied Materials, Inc. High-aspect ratio anode and apparatus for high-speed electroplating on a solar cell substrate
US20080128019A1 (en) * 2006-12-01 2008-06-05 Applied Materials, Inc. Method of metallizing a solar cell substrate
JP5172166B2 (ja) * 2007-02-13 2013-03-27 学校法人桐蔭学園 色素増感型太陽電池作製キット
JP2008235521A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Sanyo Electric Co Ltd 半導体基板の割断方法及び太陽電池の割断方法並びに太陽電池
EP2139616B1 (en) * 2007-04-02 2018-08-29 Merck Patent GmbH Novel electrode
US8313714B2 (en) * 2007-04-13 2012-11-20 William Marsh Rice University Synthesis of uniform nanoparticle shapes with high selectivity
EP3249709A1 (en) 2007-04-27 2017-11-29 Merck Patent GmbH Organic photovoltaic cells
AP2009005054A0 (en) 2007-04-27 2009-12-31 Greenfuel Technologies Corp Photobioreactor systems positioned on bodies of water
DE102007050680A1 (de) 2007-10-22 2009-05-28 Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg Flächengebilde, insbesondere fotovoltaisches Element auf Polymerbasis
CA2704554A1 (en) * 2007-11-01 2009-05-07 Wake Forest University Lateral organic optoelectronic devices and applications thereof
WO2009086161A1 (en) * 2007-12-20 2009-07-09 Cima Nanotech Israel Ltd. Transparent conductive coating with filler material
JP4951497B2 (ja) * 2007-12-27 2012-06-13 株式会社日立製作所 有機薄膜太陽電池およびその製造方法
JP2009182095A (ja) * 2008-01-30 2009-08-13 Fujifilm Corp 光電変換素子及び固体撮像素子
JP2011513951A (ja) * 2008-02-21 2011-04-28 コナルカ テクノロジーズ インコーポレイテッド タンデム型光電池
US8076175B2 (en) * 2008-02-25 2011-12-13 Suniva, Inc. Method for making solar cell having crystalline silicon P-N homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation
US20090211623A1 (en) * 2008-02-25 2009-08-27 Suniva, Inc. Solar module with solar cell having crystalline silicon p-n homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation
WO2009105807A1 (en) * 2008-02-26 2009-09-03 Dyesol Ltd A sub-assembly for use in fabricating photo- electrochemical devices and a method of producing a sub-assembly
US20090218651A1 (en) * 2008-02-28 2009-09-03 Sunlight Photonics Inc. Composite substrates for thin film electro-optical devices
US20090229667A1 (en) * 2008-03-14 2009-09-17 Solarmer Energy, Inc. Translucent solar cell
US20100175749A1 (en) * 2008-03-24 2010-07-15 Tsutsumi Eishi Solar cell and method for manufacturing metal electrode layer to be used in the solar cell
DE102008021655B4 (de) * 2008-04-30 2012-06-06 Saint-Gobain Sekurit Deutschland Gmbh & Co. Kg Strahlungsquelle und Solarzelle
JP5340656B2 (ja) * 2008-07-02 2013-11-13 シャープ株式会社 太陽電池アレイ
US8455606B2 (en) * 2008-08-07 2013-06-04 Merck Patent Gmbh Photoactive polymers
CN102203956A (zh) * 2008-08-12 2011-09-28 戴索有限公司 用于柔性光电和显示设备中的集电器系统和制造方法
JP5458271B2 (ja) * 2008-08-29 2014-04-02 新日鉄住金化学株式会社 色素増感太陽電池およびその製造方法
US20100065114A1 (en) * 2008-09-18 2010-03-18 Diau Eric Wei-Guang Dye-sensitized solar cell structure and method for fabricating the same
US20100065113A1 (en) * 2008-09-18 2010-03-18 Diau Eric Wei-Guang Grooved dye-sensitized solar cell structure and method for fabricating the same
US8367798B2 (en) * 2008-09-29 2013-02-05 The Regents Of The University Of California Active materials for photoelectric devices and devices that use the materials
JP2010087339A (ja) * 2008-10-01 2010-04-15 Fujifilm Corp 有機太陽電池素子
DE102008055969A1 (de) * 2008-11-05 2010-06-10 Sefar Ag Substrat für eine optoelektronische Vorrichtung
WO2010059498A2 (en) * 2008-11-18 2010-05-27 Konarka Technologies, Inc. Dye sensitized photovoltaic cell
US20100126849A1 (en) * 2008-11-24 2010-05-27 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for forming 3d nanostructure electrode for electrochemical battery and capacitor
JP4985717B2 (ja) * 2008-12-04 2012-07-25 大日本印刷株式会社 有機薄膜太陽電池およびその製造方法
DE202008017971U1 (de) * 2008-12-20 2011-04-14 Saint-Gobain Sekurit Deutschland Gmbh & Co. Kg Dünnschichtsolarzelle mit Leiterbahnenelektrode
WO2010083161A1 (en) 2009-01-13 2010-07-22 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic module
JP5161967B2 (ja) * 2009-02-03 2013-03-13 株式会社昭和 色素増感型太陽電池
EP2404333A2 (en) 2009-03-05 2012-01-11 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell having multiple electron donors
JP5590026B2 (ja) * 2009-03-06 2014-09-17 日本電気株式会社 光電変換素子およびその製造方法、光センサならびに太陽電池
US20120090679A1 (en) * 2009-03-17 2012-04-19 Konarka Technologies, Inc. Metal substrate for a dye sensitized photovoltaic cell
WO2010122433A2 (en) 2009-04-22 2010-10-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Imaging measurement system with a printed organic photodiode array
US20100276071A1 (en) * 2009-04-29 2010-11-04 Solarmer Energy, Inc. Tandem solar cell
WO2010138414A1 (en) 2009-05-27 2010-12-02 Konarka Technologies, Inc. Reflective multilayer electrode
FR2946459B1 (fr) * 2009-06-05 2011-08-05 Centre Nat Etd Spatiales Element de structure pour panneau solaire, et structure comportant un tel element
US8440496B2 (en) * 2009-07-08 2013-05-14 Solarmer Energy, Inc. Solar cell with conductive material embedded substrate
US8372945B2 (en) * 2009-07-24 2013-02-12 Solarmer Energy, Inc. Conjugated polymers with carbonyl substituted thieno[3,4-B]thiophene units for polymer solar cell active layer materials
US20110048488A1 (en) * 2009-09-01 2011-03-03 Gabriel Karim M Combined thermoelectric/photovoltaic device and method of making the same
US20110048489A1 (en) * 2009-09-01 2011-03-03 Gabriel Karim M Combined thermoelectric/photovoltaic device for high heat flux applications and method of making the same
TWI402992B (zh) * 2009-10-23 2013-07-21 Ind Tech Res Inst 太陽能電池及其製造方法
KR101030014B1 (ko) * 2009-11-09 2011-04-20 삼성에스디아이 주식회사 광전변환소자
US8399889B2 (en) 2009-11-09 2013-03-19 Solarmer Energy, Inc. Organic light emitting diode and organic solar cell stack
JP5566082B2 (ja) * 2009-11-16 2014-08-06 日新製鋼株式会社 色素増感型太陽電池の対向電極およびその製造方法並びに電池
JP2011108463A (ja) * 2009-11-16 2011-06-02 Nisshin Steel Co Ltd 色素増感型太陽電池の光電極およびその製造方法並びに電池
JP4868058B2 (ja) * 2009-11-16 2012-02-01 大日本印刷株式会社 色素増感型太陽電池
WO2011085004A2 (en) 2010-01-05 2011-07-14 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell with benzodithiophene-containing polymer
JP4935910B2 (ja) * 2010-01-07 2012-05-23 大日本印刷株式会社 有機薄膜太陽電池
KR101112212B1 (ko) * 2010-01-27 2012-02-24 주식회사 이건창호 염료감응 태양전지 제조방법 및 이에 의하여 제조된 염료감응 태양전지
JP5655325B2 (ja) * 2010-02-26 2015-01-21 Tdk株式会社 色素増感型太陽電池用電解質組成物及び色素増感型太陽電池
WO2011112701A1 (en) 2010-03-09 2011-09-15 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic module containing buffer layer
US9129751B2 (en) * 2010-03-29 2015-09-08 Northern Illinois University Highly efficient dye-sensitized solar cells using microtextured electron collecting anode and nanoporous and interdigitated hole collecting cathode and method for making same
WO2011127131A1 (en) 2010-04-06 2011-10-13 Konarka Technologies, Inc. Novel electrode
US20110277822A1 (en) * 2010-05-11 2011-11-17 Honeywell International Inc. Composite electron conductor for use in photovoltaic devices
US8802479B2 (en) 2010-06-03 2014-08-12 NuvoSun, Inc. Solar cell interconnection method using a flat metallic mesh
WO2011160021A2 (en) 2010-06-17 2011-12-22 Konarka Technologies, Inc. Fullerene derivatives
EP2398086A1 (en) 2010-06-17 2011-12-21 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Opto-electric device and method of manufacturing thereof
US9214639B2 (en) * 2010-06-24 2015-12-15 Massachusetts Institute Of Technology Conductive polymer on a textured or plastic substrate
KR101137378B1 (ko) * 2010-07-16 2012-04-20 삼성에스디아이 주식회사 염료감응 태양전지
US8929054B2 (en) * 2010-07-21 2015-01-06 Cleanvolt Energy, Inc. Use of organic and organometallic high dielectric constant material for improved energy storage devices and associated methods
CN105731372B (zh) 2010-09-02 2018-07-10 默克专利股份有限公司 含光活性聚合物的光伏电池
EP2614532B1 (en) 2010-09-07 2015-08-05 Dow Global Technologies LLC Improved photovoltaic cell assembly
CN103109378B (zh) 2010-09-17 2016-06-01 陶氏环球技术有限责任公司 改进的光伏电池组件和方法
KR101172206B1 (ko) * 2010-10-06 2012-08-07 엘지이노텍 주식회사 태양 전지
US8404000B2 (en) * 2010-10-14 2013-03-26 Industrial Technology Research Institute Organic dye, composite dye and dye-sensitized solar cells using the same
TWI474524B (zh) * 2010-11-29 2015-02-21 Univ Kun Shan 高效率高分子基材料太陽能塑膠軟板之製備方法
KR101279586B1 (ko) * 2011-01-20 2013-06-27 한국과학기술연구원 플렉서블 광전극과 그 제조방법, 및 이를 이용한 염료감응 태양전지
JP2012186310A (ja) 2011-03-04 2012-09-27 Three M Innovative Properties Co 太陽光発電フィルム
US10629386B2 (en) 2011-03-22 2020-04-21 Efacec Engenharia E Sistemas, S.A. Substrate and electrode for solar cells and the corresponding manufacturing process
JP5616272B2 (ja) * 2011-03-31 2014-10-29 富士フイルム株式会社 有機半導体ポリマー、有機半導体材料用組成物および光電池
KR101270808B1 (ko) * 2011-03-31 2013-06-05 부산대학교 산학협력단 메쉬 전극 내장형 전자소자 및 그 제조방법
CN102208563B (zh) * 2011-04-18 2013-01-30 电子科技大学 一种柔性发光器件用基板及其制备方法
EP2702048B1 (en) 2011-04-28 2019-01-23 Merck Patent GmbH Novel photoactive polymers
JP2014513443A (ja) 2011-05-09 2014-05-29 メルク パテント ゲーエムベーハー 多接合型光電池
US8865298B2 (en) * 2011-06-29 2014-10-21 Eastman Kodak Company Article with metal grid composite and methods of preparing
KR101189578B1 (ko) * 2011-09-07 2012-10-11 현대자동차주식회사 염료감응 태양전지 모듈
US20130061929A1 (en) * 2011-09-12 2013-03-14 Konica Minolta Business Technologies, Inc. Photoelectric conversion element, method for producing photoelectric conversion element, and solar cell
CN103890970B (zh) 2011-09-29 2016-01-20 陶氏环球技术有限责任公司 光伏电池互连
US20140352753A1 (en) 2011-09-29 2014-12-04 Dow Global Technologies Llc Photovoltaic cell interconnect
TWI443846B (zh) * 2011-11-01 2014-07-01 Ind Tech Res Inst 透明導電層結構
WO2013082091A2 (en) 2011-11-29 2013-06-06 Dow Global Technologies Llc Method of forming a photovoltaic cell
MX339530B (es) 2011-12-07 2016-05-30 Nuvosun Inc Fabricacion de celdas solares flexibles automatizada e interconexion que utiliza rollos de malla metalica expandida.
EP2789019B1 (en) 2011-12-08 2017-02-01 Dow Global Technologies LLC A photovoltaic article comprising a photovoltaic cell with electrical connection elements
CN103178151A (zh) * 2011-12-22 2013-06-26 亚树科技股份有限公司 一种硅基薄膜太阳能电池
US9545612B2 (en) * 2012-01-13 2017-01-17 California Institute Of Technology Solar fuel generator
US10026560B2 (en) * 2012-01-13 2018-07-17 The California Institute Of Technology Solar fuels generator
KR101410814B1 (ko) * 2012-02-13 2014-07-02 한국전기연구원 섬유를 이용한 염료 감응형 유연 태양전지
US20150040981A1 (en) * 2012-03-15 2015-02-12 3M Innovative Properties Company Durable photovoltaic modules
KR101985053B1 (ko) 2012-03-27 2019-05-31 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 광 지향 매체를 포함하는 광기전 모듈 및 이를 제조하는 방법
US20130263925A1 (en) 2012-04-05 2013-10-10 Merck Patent Gmbh Hole Carrier Layer For Organic Photovoltaic Device
US9991463B2 (en) * 2012-06-14 2018-06-05 Universal Display Corporation Electronic devices with improved shelf lives
WO2014026109A1 (en) * 2012-08-09 2014-02-13 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Ultra thin film nanostructured solar cell
US9853174B2 (en) * 2012-12-07 2017-12-26 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Photoelectric conversion element
JP5740063B2 (ja) * 2012-12-14 2015-06-24 積水化学工業株式会社 電極基板及び色素増感太陽電池
JP2014143333A (ja) * 2013-01-25 2014-08-07 Ricoh Co Ltd 固体色素増感型太陽電池、固体色素増感型太陽電池モジュール
US8916038B2 (en) 2013-03-13 2014-12-23 Gtat Corporation Free-standing metallic article for semiconductors
US8936709B2 (en) 2013-03-13 2015-01-20 Gtat Corporation Adaptable free-standing metallic article for semiconductors
US20160071655A1 (en) * 2013-04-04 2016-03-10 The Regents Of The University Of California Electrochemical solar cells
US9405164B2 (en) 2013-08-21 2016-08-02 Board Of Trustees Of Northern Illinois University Electrochromic device having three-dimensional electrode
EP3078067B1 (en) * 2013-12-08 2020-02-05 Solarpaint Ltd. Solar paint material and painting system using the same
KR101600786B1 (ko) * 2014-02-24 2016-03-08 광주과학기술원 염료감응형 태양전지 서브모듈의 제조방법
US9054238B1 (en) 2014-02-26 2015-06-09 Gtat Corporation Semiconductor with silver patterns having pattern segments
US9518872B2 (en) * 2014-10-14 2016-12-13 Kidde Technologies, Inc. Thermal sensor
JP2016219657A (ja) * 2015-05-22 2016-12-22 大阪瓦斯株式会社 光電変換装置及びその製造方法
WO2017066146A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 3M Innovative Properties Company Light redirecting film useful with solar modules
KR20180084131A (ko) * 2016-01-07 2018-07-24 케이디 이노베이션 리미티드 전기의 직접 생성 및 열 펌핑을 위한 전기화학 시스템
WO2018017320A1 (en) * 2016-07-21 2018-01-25 The Regents Of The University Of California Solar fuel generator including a catalytic mesh
JP7002541B2 (ja) 2016-10-05 2022-01-20 レイナジー テック インコーポレイション 有機光検出器
US10782014B2 (en) 2016-11-11 2020-09-22 Habib Technologies LLC Plasmonic energy conversion device for vapor generation
US10283712B1 (en) * 2017-09-14 2019-05-07 Google Llc Paint circuits
TWI641010B (zh) * 2017-11-29 2018-11-11 住華科技股份有限公司 感壓性黏著組成物、電極複合膜及其製造方法
US10490682B2 (en) 2018-03-14 2019-11-26 National Mechanical Group Corp. Frame-less encapsulated photo-voltaic solar panel supporting solar cell modules encapsulated within multiple layers of optically-transparent epoxy-resin materials
PL425137A1 (pl) * 2018-04-05 2019-10-07 Blue Dot Solutions Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością Panel siateczkowy satelitarnego źródła energii
JP2022501807A (ja) * 2018-09-21 2022-01-06 アンビエント フォトニクス， インコーポレイテッド 色素増感光電池
US11978815B2 (en) 2018-12-27 2024-05-07 Solarpaint Ltd. Flexible photovoltaic cell, and methods and systems of producing it
EP4012793A1 (en) 2020-12-14 2022-06-15 Raynergy Tek Incorporation Photodiode
CN113421977B (zh) * 2021-05-26 2022-10-04 华为技术有限公司 太阳能电池及其制备方法、智能眼镜及电子设备
GB202114149D0 (en) * 2021-10-04 2021-11-17 Univ Swansea Electrode
WO2024054299A2 (en) * 2022-07-16 2024-03-14 Board Of Trustees Of Michigan State University Multivalent organic salts for photovoltaics

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63289874A (ja) * 1987-05-21 1988-11-28 Ricoh Co Ltd 光電変換素子
JPH02164079A (ja) * 1988-12-19 1990-06-25 Hitachi Ltd アモルファスシリコン太陽電池
JPH03157976A (ja) * 1989-11-15 1991-07-05 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置
JP2000286479A (ja) * 1999-03-29 2000-10-13 Toshiba Corp 機能素子および多成分多相系高分子成形体
WO2001039276A1 (en) * 1999-11-26 2001-05-31 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive optoelectronic device with an exciton blocking layer

Family Cites Families (111)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US358765A (en) * 1887-03-01 Casting gar-wheels
NL192903A (ja) * 1954-03-05
US3442007A (en) * 1966-12-29 1969-05-06 Kewanee Oil Co Process of attaching a collector grid to a photovoltaic cell
US3597072A (en) 1968-10-03 1971-08-03 Owens Illinois Inc Electrode configuration for electrophotography
DE2112812C2 (de) * 1971-03-17 1984-02-09 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Halbleiterbauelement mit gitterförmiger Metallelektrode und Verfahren zu dessen Herstellung
US3786307A (en) 1972-06-23 1974-01-15 Atronics Corp Solid state electroluminescent x-y display panels
NL7309000A (ja) 1973-06-28 1974-12-31
NL7412756A (nl) 1974-09-27 1976-03-30 Philips Nv Televisieopneembuis.
US4105470A (en) * 1977-06-01 1978-08-08 The United States Government As Represented By The United States Department Of Energy Dye-sensitized schottky barrier solar cells
GB2018513B (en) * 1978-02-28 1982-05-06 Snia Viscosa Process and cell for directly converting radiant energy toelectrical energy
JPS5536950A (en) * 1978-09-05 1980-03-14 Fuji Photo Film Co Ltd Manufacturing of thin film photocell
US4239555A (en) * 1979-07-30 1980-12-16 Mobil Tyco Solar Energy Corporation Encapsulated solar cell array
DE3013991A1 (de) * 1980-04-11 1981-10-15 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Grossflaechige photovoltaische zelle
US4380112A (en) * 1980-08-25 1983-04-19 Spire Corporation Front surface metallization and encapsulation of solar cells
US4419424A (en) * 1981-07-14 1983-12-06 Julian John D Electrodes for electrochemical cells current generating cells and rechargeable accumulators
US4518894A (en) 1982-07-06 1985-05-21 Burroughs Corporation Display panel having memory
JPS5983327A (ja) 1982-11-04 1984-05-14 Hitachi Ltd 光電変換装置
JPS5996639A (ja) 1982-11-26 1984-06-04 Hitachi Ltd 撮像管
US4563617A (en) 1983-01-10 1986-01-07 Davidson Allen S Flat panel television/display
JPS6079779A (ja) * 1983-10-05 1985-05-07 Sharp Corp 非晶質薄膜を有する太陽電池
JPS61140037A (ja) 1984-12-12 1986-06-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd カラ−画像表示装置
JPH07101598B2 (ja) 1986-06-27 1995-11-01 株式会社日立製作所 撮像管
US5365357A (en) * 1988-04-21 1994-11-15 Asahi Glass Company Ltd. Color liquid crystal display having color filters and light blocking layers in the periphery
EP0440869A1 (de) * 1990-02-09 1991-08-14 Bio-Photonics, Inc. Photovoltaisches Bauelement zur Umwandlung des Sonnenlichts in elektrischen Strom und photoelektrische Batterie
US5131065A (en) 1991-03-06 1992-07-14 The Boeing Company High luminance and contrast flat display panel
US5293564A (en) 1991-04-30 1994-03-08 Texas Instruments Incorporated Address match scheme for DRAM redundancy scheme
US5287169A (en) 1991-05-03 1994-02-15 Brooklyn College Research And Development Foundation Contractless mode of electroreflectance
US5240510A (en) * 1991-09-23 1993-08-31 Development Products Inc. Photovoltaic cell
FR2694451B1 (fr) * 1992-07-29 1994-09-30 Asulab Sa Cellule photovoltaïque.
US5331183A (en) 1992-08-17 1994-07-19 The Regents Of The University Of California Conjugated polymer - acceptor heterojunctions; diodes, photodiodes, and photovoltaic cells
JPH06176704A (ja) 1992-12-02 1994-06-24 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 撮像装置及びその動作方法
JPH06204529A (ja) * 1992-12-28 1994-07-22 Canon Inc 太陽電池
US5455899A (en) 1992-12-31 1995-10-03 International Business Machines Corporation High speed image data processing circuit
US5617203A (en) 1993-10-01 1997-04-01 Hamamatsu Photonics K.K. Optical detector employing an optically-addressed spatial light modulator
US5474620A (en) * 1994-05-16 1995-12-12 United Solar Systems Corporation Cut resistant laminate for the light incident surface of a photovoltaic module
JPH0836977A (ja) 1994-07-22 1996-02-06 Ise Electronics Corp 蛍光表示管用カバーガラス
JPH0873834A (ja) * 1994-09-09 1996-03-19 Tokyo Gas Co Ltd 有機薄膜及び光機能素子
JPH0875543A (ja) * 1994-09-09 1996-03-22 Tokyo Gas Co Ltd 光電変換素子
JP2992464B2 (ja) * 1994-11-04 1999-12-20 キヤノン株式会社 集電電極用被覆ワイヤ、該集電電極用被覆ワイヤを用いた光起電力素子及びその製造方法
JPH08287969A (ja) * 1995-04-13 1996-11-01 Murata Mfg Co Ltd 光電池
FR2755770B1 (fr) * 1996-11-12 1999-01-22 Sextant Avionique Casque avec systeme de vision de nuit et optique substituable pour la vision de jour
EP0859385A1 (en) 1997-02-17 1998-08-19 Monsanto Company Method for the manufacture of photovoltaic cell
EP0859386A1 (en) 1997-02-17 1998-08-19 Monsanto Company Photovoltaic cell
CN1153253C (zh) 1997-03-21 2004-06-09 佳能株式会社 图象形成装置
JPH10321883A (ja) * 1997-05-16 1998-12-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 太陽電池およびその作製方法
DE69823706T2 (de) 1997-10-23 2005-04-28 Fuji Photo Film Co. Ltd., Minamiashigara Fotoelektrische Umwandlungsanordnung und fotoelektrochemische Zelle
DE29720192U1 (de) * 1997-11-14 1999-03-25 Eduard Küsters, Maschinenfabrik, GmbH & Co. KG, 47805 Krefeld Kalander zum Behandeln einer Bahn
US6077712A (en) * 1997-12-03 2000-06-20 Trw Inc. Semiconductor chemical sensor
JPH11185836A (ja) 1997-12-16 1999-07-09 Fuji Photo Film Co Ltd 光電変換素子および光再生型光電気化学電池
GB9806066D0 (en) 1998-03-20 1998-05-20 Cambridge Display Tech Ltd Multilayer photovoltaic or photoconductive devices
JPH11273753A (ja) 1998-03-25 1999-10-08 Sekisui Chem Co Ltd 色素増感型光電池
US6078643A (en) 1998-05-07 2000-06-20 Infimed, Inc. Photoconductor-photocathode imager
US6037005A (en) 1998-05-12 2000-03-14 3M Innovative Properties Company Display substrate electrodes with auxiliary metal layers for enhanced conductivity
DE19822024A1 (de) 1998-05-15 1999-11-18 Aventis Res & Tech Gmbh & Co Chipkarte mit Anzeigevorrichtung und autarker Energieversorgung
US6444189B1 (en) 1998-05-18 2002-09-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for making and using titanium oxide particles
EP1091440B1 (en) * 1998-05-29 2010-06-02 JGC Catalysts and Chemicals Ltd. Method of manufacturing photoelectric cell
NL1009432C2 (nl) 1998-06-18 1999-12-21 Stichting Energie Werkwijze voor het vervaardigen van een vloeistofhoudend foto-voltaïsch element en volgens deze werkwijze vervaardigd element.
NL1009431C2 (nl) 1998-06-18 1999-12-27 Stichting Energie Omgekeerde kleurstof-gesensibiliseerde foto-voltaïsche cel.
EP0969517B1 (en) 1998-07-04 2005-10-12 International Business Machines Corporation Electrode for use in electro-optical devices
CA2306833C (en) 1998-08-19 2013-02-12 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive optoelectronic device
DE19905694A1 (de) * 1998-11-27 2000-08-17 Forschungszentrum Juelich Gmbh Bauelement
EP1149326A1 (en) 1998-12-21 2001-10-31 E Ink Corporation Protective electrodes for electrophoretic displays
WO2000048212A1 (de) * 1999-02-08 2000-08-17 Kurth Glas + Spiegel Ag Photovoltaische zelle und verfahren zu deren herstellung
JP2000243990A (ja) * 1999-02-18 2000-09-08 Dainippon Printing Co Ltd 太陽電池用カバーフィルムおよびその製造方法、およびそのカバーフィルムを用いた太陽電池モジュール
AUPP931799A0 (en) 1999-03-18 1999-04-15 Sustainable Technologies Australia Limited Methods to implement interconnects in multi-cell regenerative photovoltaic photoelectrochemical devices
JP2000294306A (ja) * 1999-04-06 2000-10-20 Fuji Photo Film Co Ltd 光電変換素子および光電気化学電池
US6291763B1 (en) * 1999-04-06 2001-09-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photoelectric conversion device and photo cell
GB9909440D0 (en) 1999-04-23 1999-06-23 Unilever Plc Package for dispensing a flowable cosmetic composition and product
AU4418800A (en) 1999-04-23 2000-11-10 Imperial College Of Science, Technology And Medicine Photovoltaic devices
ATE532194T1 (de) 1999-05-14 2011-11-15 Fujifilm Corp Metallkomplex-farbstoff für eine photoelektrochemische zelle
US6359211B1 (en) 1999-06-17 2002-03-19 Chemmotif, Inc. Spectral sensitization of nanocrystalline solar cells
EP1119068B1 (en) * 1999-06-30 2012-11-28 JGC Catalysts and Chemicals Ltd. Photoelectric cell
JP2001031962A (ja) 1999-07-23 2001-02-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 発光材料およびこれを利用する電界発光素子
DE60027512T2 (de) * 1999-08-04 2006-10-12 Fuji Photo Film Co., Ltd., Minami-Ashigara Elektrolytzusammensetzung und photolektrochemische Zelle
JP4320869B2 (ja) 1999-10-04 2009-08-26 パナソニック電工株式会社 光電変換素子の製造方法
WO2001031333A1 (en) * 1999-10-26 2001-05-03 Genometrix Genomics Incorporated Process for requesting biological experiments and for the delivery of experimental information
JP2001168359A (ja) 1999-12-10 2001-06-22 Fuji Photo Film Co Ltd 光電変換素子および光電池
JP3614335B2 (ja) 1999-12-28 2005-01-26 三星エスディアイ株式会社 有機ｅｌ表示装置ならびにその製造方法
JP2001243995A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Fuji Photo Film Co Ltd 光電変換素子および光電池
JP2002014343A (ja) 2000-04-26 2002-01-18 Nec Corp 液晶表示装置、発光素子、液晶表示装置の製造方法
US7586035B2 (en) * 2004-02-19 2009-09-08 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell with spacers
US6913713B2 (en) * 2002-01-25 2005-07-05 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic fibers
SE0103740D0 (sv) 2001-11-08 2001-11-08 Forskarpatent I Vaest Ab Photovoltaic element and production methods
US7022910B2 (en) * 2002-03-29 2006-04-04 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cells utilizing mesh electrodes
JP2002008549A (ja) 2000-06-27 2002-01-11 Nec Corp プラズマディスプレイパネル
EP1174891A3 (en) 2000-07-19 2004-02-25 Fuji Photo Film Co., Ltd. Dye sensitized photoelectrochemical cell
US6420648B1 (en) 2000-07-21 2002-07-16 North Carolina State University Light harvesting arrays
US6407330B1 (en) 2000-07-21 2002-06-18 North Carolina State University Solar cells incorporating light harvesting arrays
JP2002050413A (ja) * 2000-08-03 2002-02-15 Japan Gore Tex Inc 光電極及びこれを用いた太陽電池
JP4461656B2 (ja) * 2000-12-07 2010-05-12 セイコーエプソン株式会社 光電変換素子
JP4850338B2 (ja) * 2000-12-12 2012-01-11 リンテック株式会社 半導体電極の製造方法及び光化学電池
JP2002184477A (ja) 2000-12-14 2002-06-28 Fuji Xerox Co Ltd 光半導体電極、その製造方法、及びそれを用いた光電変換素子
JP2002298936A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Fuji Xerox Co Ltd 光電変換素子、及びその製造方法
JP2002314108A (ja) * 2001-04-13 2002-10-25 Seiko Epson Corp 太陽電池
US6798464B2 (en) 2001-05-11 2004-09-28 International Business Machines Corporation Liquid crystal display
JP2003123855A (ja) 2001-10-17 2003-04-25 Fujikura Ltd 光電変換素子用光電極
JP2003174178A (ja) * 2001-12-05 2003-06-20 Shirouma Science Co Ltd 網入り太陽電池パネル
NL1020744C2 (nl) * 2002-06-04 2003-12-08 Stichting Energie Vloeistofhoudend fotovoltaïsch element.
US6946597B2 (en) * 2002-06-22 2005-09-20 Nanosular, Inc. Photovoltaic devices fabricated by growth from porous template
US6852920B2 (en) * 2002-06-22 2005-02-08 Nanosolar, Inc. Nano-architected/assembled solar electricity cell
US7825330B2 (en) * 2002-07-09 2010-11-02 Fujikura Ltd. Solar cell
US20040201878A1 (en) * 2002-07-25 2004-10-14 Enki Technologies Llc Electrooptic devices
US6878871B2 (en) * 2002-09-05 2005-04-12 Nanosys, Inc. Nanostructure and nanocomposite based compositions and photovoltaic devices
US7368659B2 (en) * 2002-11-26 2008-05-06 General Electric Company Electrodes mitigating effects of defects in organic electronic devices
US7179988B2 (en) * 2002-12-11 2007-02-20 General Electric Company Dye sensitized solar cells having foil electrodes
US7145071B2 (en) * 2002-12-11 2006-12-05 General Electric Company Dye sensitized solar cell having finger electrodes
WO2004086462A2 (en) * 2003-03-24 2004-10-07 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell with mesh electrode
JP2004296669A (ja) * 2003-03-26 2004-10-21 Bridgestone Corp 色素増感型太陽電池用電極及び色素増感型太陽電池
US6936761B2 (en) * 2003-03-29 2005-08-30 Nanosolar, Inc. Transparent electrode, optoelectronic apparatus and devices
US7462774B2 (en) * 2003-05-21 2008-12-09 Nanosolar, Inc. Photovoltaic devices fabricated from insulating nanostructured template
US7605327B2 (en) * 2003-05-21 2009-10-20 Nanosolar, Inc. Photovoltaic devices fabricated from nanostructured template

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63289874A (ja) * 1987-05-21 1988-11-28 Ricoh Co Ltd 光電変換素子
JPH02164079A (ja) * 1988-12-19 1990-06-25 Hitachi Ltd アモルファスシリコン太陽電池
JPH03157976A (ja) * 1989-11-15 1991-07-05 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置
JP2000286479A (ja) * 1999-03-29 2000-10-13 Toshiba Corp 機能素子および多成分多相系高分子成形体
WO2001039276A1 (en) * 1999-11-26 2001-05-31 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive optoelectronic device with an exciton blocking layer

Also Published As

Publication number Publication date
EP1606845A4 (en) 2009-05-27
EP1606845B1 (en) 2015-10-14
US20110308604A1 (en) 2011-12-22
JP5248770B2 (ja) 2013-07-31
JP2006523369A (ja) 2006-10-12
DE602004029770D1 (de) 2010-12-09
EP1606845A2 (en) 2005-12-21
WO2004086464A2 (en) 2004-10-07
US20030230337A1 (en) 2003-12-18
KR101024876B1 (ko) 2011-03-31
US20040187911A1 (en) 2004-09-30
JP5616852B2 (ja) 2014-10-29
KR20050116152A (ko) 2005-12-09
JP2013093328A (ja) 2013-05-16
WO2004086464A3 (en) 2004-10-28
US7022910B2 (en) 2006-04-04
ATE486378T1 (de) 2010-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5616852B2 (ja) メッシュ電極を備える光電セル
JP5350587B2 (ja) メッシュ電極を備える光電セル
US7749794B2 (en) Method of preparing electrode
EP1902476B1 (en) Method of transferring photovoltaic cells
JP2009502028A (ja) 安定な有機装置
KR101557587B1 (ko) 유기태양전지 및 이의 제조방법
US20130276874A1 (en) Tandem Photovoltaic Cells
US20070044834A1 (en) CIGS photovoltaic cells
US20110008926A1 (en) Solar cell with conductive material embedded substrate
JP5323114B2 (ja) 太陽電池モジュール
US20070084506A1 (en) Diffraction foils
CN113826230A (zh) 透明电极和透明电极的制造方法，以及具备透明电极的光电转换元件
CN101228644A (zh) 稳定的有机器件

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110815

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20120113

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120919

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20130213

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130620

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130625

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130925

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130930

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131025

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131210

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140310

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140313

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140609

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140826

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140912

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5616852

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees