ES2375418T3 - Método para producir materiales orgánicos compuestos. - Google Patents

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Abstract

Un método para producir una capa orgánica de material compuesto que comprende:dispersar una fase de nanopartí­culas en una fase polimérica; y conformar al menos un grano nanocristalino exagerado en la fase polimérica en el que la conformación de al menos un grano nanocristalino comprende colocar la capa orgánica de material compuesto en un campo eléctrico y atemperar la capa orgánica de material compuesto en un gradiente de temperatura.

Description

Metodo para producir materiales organicos compuestos.
Campo de la invenci6n
La invenci6n se refiere a peliculas finas organicas y, en particular, a peliculas finas organicas de material 5 compuesto.
Antecedentes de la invenci6n
En los ultimos aros se han investigado en profundidad las peliculas finas organicas debido a sus aplicaciones en dispositivos opto-electr6nicos tales como dispositivos de emisi6n de luz (OLEOs), dispositivos fotovoltaicos y fotodetectores.
10 Los dispositivos opto-electr6nicos basados en materiales organicos, que incluyen peliculas finas organicas, resultan cada vez mas deseables en una amplia variedad de aplicaciones por un numero de razones. Los materiales usados para construir dispositivos opto-electr6nicos organicos son relativamente baratos en comparaci6n con sus contrapartes inorganicas que proporcionar ventajas en cuanto a coste sobre los dispositivos opto-electr6nicos producidos con materiales inorganicos. Ademas, los materiales organicos proporcionan propiedades fisicas deseables, tales
15 como flexibilidad, permitiendo su uso en aplicaciones apropiadas para materiales rigidos.
Los dispositivos fotovoltaicos convierte la radiaci6n electro-magnetica en electricidad mediante la producci6n de una corriente foto-generada cuando se conectan a traves de una carga y se exponen a la luz. La energia electrica generada por las celulas fotovoltaicas se puede usar en muchas aplicaciones que incluye iluminaci6n, calefacci6n, recarga de baterias y dispositivos de potencia que requieren energia electrica.
20 Cuando son irradiados bajo una carga infinita, el dispositivo fotovoltaico produce su maximo voltaje posible, el voltaje de circuito abierto o Voc. Cuando son irradiados con sus contactos electricos en cortocircuito, el dispositivo fotovoltaico genera su maxima corriente, corto circuito I o Isc. En condiciones de operaci6n, el dispositivo fotovoltaico se conecta a una carga finita y el rendimiento de energia electrica es igual al producto de la corriente y el voltaje. La energia maxima generada por el dispositivo fotovoltaico no puede ser mayor que el producto de Voc y Isc. Cuando se
25 optimiza el valor de carga para la generaci6n maxima de energia, la corriente y el voltaje presentan los valores Imax y Vmax, respectivamente.
Una caracteristica clave a la hora de evaluar el rendimiento de las celulas fotovoltaicas es el factor de llenado, ff. El factor de llenado es la proporci6n de energia actual de la celula fotovoltaica con respecto a la energia que tendria si tanto la corriente como el voltaje fueran maximos. El factor de llenado de una celula fotovoltaica viene proporcionado
30 de acuerdo con la ecuaci6n (1):
El factor de llenado de un dispositivo fotovoltaico es siempre menor que 1, ya que Isc y Voc nunca se obtiene de manera simultanea en condiciones de operaci6n. No obstante, a medida que el factor de llenado se aproxima al valor de 1, el dispositivo demuestra menos resistencia interna y, por tanto, suministra un porcentaje mayor de
35 energia electrica a la carga en condiciones 6ptimas.
Oe manera adicional, los dispositivos fotovoltaicos se pueden caracterizar por su eficacia a la hora de convertir la energia electromagnetica en energia electrica. La eficacia de conversi6n, Ip, de un dispositivo fotovoltaico viene proporcionada por la siguiente ecuaci6n (2), en la que Pinc es la energia de la luz incidente en el dispositivo fotovoltaico.
Los dispositivos que utilizan silicio cristalino o amorfo dominan las aplicaciones comerciales, y algunos han logrado eficacias de 23 % o mayores. No obstante, los dispositivos eficaces de tipo cristalino, especialmente los de gran area superficial, son dificiles y caros de producir debido a los problemas relativos a la fabricaci6n de cristales de gran tamaro libres de defectos cristalinos que favorezcan la recombinaci6n de excitones. Las celulas fotovoltaicas
45 de silicio amorfo disponibles comercialmente muestran eficacias que varian de 4 a 12 %.
La construcci6n de dispositivos fotovoltaicos organicos que presenten eficacias comparables a las de los dispositivos inorganicos constituye un desafio tecnico. Algunos dispositivos fotovoltaicos organicos muestran eficacias del orden
de 1 % o menores. Las bajas eficacias mostradas de los dispositivos fotovoltaicos organicos proceden de la gran falta de coincidencia en cuanto a escala de longitud existente entre la longitud de difusi6n de los excitones (LO) y el espesor de la capa organica. Con el fin de presentar una absorci6n eficaz de radiaci6n electromagnetica, la pelicula organica debe presentar un espesor de aproximadamente 500 nm. Este espesor supera en gran medida la longitud de difusi6n de los excitones que es tipicamente de aproximadamente 50 nm, y que con frecuencia da lugar a la recombinaci6n de los excitones.
Seria deseable proporcionar peliculas finas organicas que permitan una absorci6n eficaz de la radiaci6n electromagnetica al tiempo que reducen la recombinaci6n de los excitones. A la vista de estas ventajas de los dispositivos opto-electr6nicos organicos discutidos en el presente documento, tambien resultaria deseable proporcionar dispositivos fotovoltaicos que comprendan peliculas finas organicas que se puedan operar con el fin de demostrar eficacias de conversi6n comparables a, y en algunos casos mayores que, las de los dispositivos fotovoltaicos inorganicos.
En el documento "Thermal diffusion processes en bulk heterojunction for poly-3-hexylthiophene/C60 single heterojunction photovoltaics" Kyung-kon Kim, Jiwen Lie and Oavid Carroll. Applied Physics Letters 88 181911 (2006), se describe un metodo para dispositivos fotovoltaicos organicos que usan gradientes termicos para proporcionar un desarrollo de grano exagerado de dominios cristalinos C60.
Sumario
La presente invenci6n proporciona un metodo para producir una capa de material compuesto que comprende:
dispersar una fase de nanoparticulas en una fase polimerica; y
conformar al menos una grano nanocristalino exagerado en la fase polimerica, en el que la conformaci6n de al menos un grano nanocristalino comprende colocar la capa organica de material compuesto en un campo electrico y atemperar la capa de material compuesto en un gradiente termico.
El grano nanocristalino exagerado, como se usa en la presente memoria, se refiere a una nanoparticula cristalina formada a partir de una pluralidad de nanoparticulas, tales como nanoparticulas de carbono, durante el desarrollo de grano exagerado o anormal. En algunas realizaciones, las fases de nanoparticula de las capas organicas de material compuesto comprenden una pluralidad de granos de nanocristal exagerados. En una realizaci6n, la capa organica de material compuesto comprende una pelicula fina organica.
Otras caracteristicas de la invenci6n resultaran evidentes a partir de las reivindicaciones adjuntas y de la siguiente descripci6n.
Breve descripci6n de las figuras
La Figura 1 ilustra una capa organica de material compuesto apta para ser formada por parte del metodo de la presente invenci6n.
La Figura 2 ilustra un metodo para la formaci6n de al menos un grano nanocristalino en la fase polimerica de acuerdo con la presente invenci6n.
Descripci6n detallada
La presente invenci6n proporciona metodos para formar los materiales organicos compuestos.
En cuanto a los componentes que se pueden incluir en las capas organicas de material compuesto, las capas organicas de material compuesto comprenden una fase polimerica. La fase polimerica de la capa organica de material compuesto puede comprender uno o mas polimeros conjugados. Polimeros conjugados apropiados para su uso en la fase polimerica, pueden comprender politiofenos, polifenilenos, polifluorenos o sus combinaciones. Los polimeros conjugados pueden comprender poli(3-hexiltiofeno) (P3HT), poli(3-octiltiofeno) (P3OT) o politiofeno (PTh).
La base polimerica de la capa organica de material compuesto puede comprender uno o mas polimeros semiconductores. Polimeros semiconductores apropiados para su uso en la fase polimerica, pueden comprender fenilen vinilenos, tales como poli(fenilen vinileno), poli(p-fenil vinileno) (PPV) o sus derivados. Polimeros semi-conductores apropiados pueden comprender polifluorenos, naftalenos y sus derivados. Polimeros semi-conductores para su uso en la fase polimerica pueden comprender poli(2-vinilpiridina) (P2VP), poliamidas, poli(N-vinilcarbazol) (PVCZ), polipirrol (PPy) o polianilina (Pan). Polimeros semi-conductores pueden comprender polimeros conjugados.
Ademas de la fase polimerica, las capas organicas de material compuesto pueden comprender una fase de nanoparticulas dispersa en la fase polimerica. La fase de nanoparticulas comprende al menos un grano nanocristalino exagerado. La fase de nanoparticulas puede comprender una pluralidad de granos de nanoparticulas exagerados.
Los granos nanocristalinos exagerados comprenden una pluralidad de nanoparticulas. Las nanoparticulas de un
grano nanocristalino exagerado pueden comprender nanoparticulas de carbono. Las nanoparticulas de carbono, pueden comprender nanotubos de carbono de pared multiple (MWNT), nanotubos de carbono de pared sencilla (SWNT), nanotubos de corte, nanotubos que comprenden convertidores de frecuencia, nanotubos impurificados o sus mezclas. Los nanotubos impurificados pueden comprender nanotubos de carbono de pared sencilla y multiple impurificados con nitr6geno y/o boro. Las nanoparticulas de carbono de granos nanocristalinos exagerados pueden comprender fluorenos, incluyendo conjugados de fulereno tales como 1-(3-metoxicarbonil)propil-1-fenil-(6,6)C61 (PCBM), fulerenos de orden superior (C70 y superiores) y endometalofulerenos (fulerenos que tienen al menos un atomos de metal en su interior). El grano nanocristalino exagerado puede comprender una pluralidad de tipos diferentes de nanoparticulas de carbono. El grano nanocristalino exagerado puede comprender nanotubos de carbono impurificados o no.
Las nanoparticulas de granos nanocristalinos exagerados pueden comprender nanoparticulas de metal tales como nanoparticulas de oro, nanoparticulas de plata, nanoparticulas de cobre, nanoparticulas de niquel y otras nanoparticulas de metales de transici6n. Las nanoparticulas de granos nanocristalinos exagerados pueden comprender nanoparticulas de semi-conductor tales como nanoparticulas de semi-conductor del grupo III/V y II/VI, incluyendo nanoparticulas de seleniuro de cadmio (CdSe), nanoparticulas de telururo de cadmio (CdTe), nanoparticulas de nitruro de galio (GaN), nanoparticulas de arseniuro de galio (GaAs) y nanoparticulas de fosfuro de indio (InP).
Los granos nanocristalinos exagerados pueden mostrar proporciones de aspecto elevadas. Una grano nanocristalino exagerado puede presentar una longitud que varia de aproximadamente 10 nm a aproximadamente 1 Im. Un grano nanocristalino exagerado puede presentar una longitud que varia de aproximadamente 100 nm a aproximadamente 800 nm. El grano nanocristalino exagerado puede presentar una longitud que varia de aproximadamente 200 nm a aproximadamente 600 nm o de aproximadamente 250 nm a aproximadamente 500 nm. El grano nanocristalino exagerado puede presentar una longitud mayor que aproximadamente 500 nm. El grano nanocristalino exagerado puede presentar una longitud que varia de aproximadamente 50 nm a aproximadamente 100 nm o de aproximadamente 100 nm a aproximadamente 150 nm.
El grano nanocristalino exagerado puede tener un diametro que varia de aproximadamente 1 nm a aproximadamente 300 nm. El grano nanocristalino exagerado puede presentar un diametro que varia de aproximadamente 10 nm a 150 nm. El grano nanocristalino exagerado puede presentar un diametro que varia de aproximadamente 20 nm a aproximadamente 80 nm o de aproximadamente 30 nm a aproximadamente 70 nm. El grano nanocristalino exagerado pueden presentar un diametro mayor que aproximadamente 50 nm.
Ademas de los granos nanocristalinos exagerados, la fase de nanoparticulas de la capa organica de material compuesto puede tambien comprender una pluralidad de nanoparticulas individuales, que incluyen nanotubos de carbono, fulerenos y conjugados y sus derivados.
La capa organica de material compuesto puede presentar una proporci6n en peso de fase polimerica con respecto a fase de nanoparticulas que varia de aproximadamente 1:2 a aproximadamente 1:0,3. La capa organica de material compuesto pueden presentar una proporci6n de fase polimerica con respecto a fase de nanoparticulas que varia de aproximadamente 1:1 a aproximadamente 1:0,6. La proporci6n de poli(3-hexiltiofeno) con respecto a PCBM varia de aproximadamente 1:1 a aproximadamente 1:0,4.
Las capas organicas de material compuesto pueden comprender ademas uno o mas sobreconversores y/o subconversores. Los sobreconversores apropiados para su uso en la presente invenci6n pueden absorber radiaci6n infrarroja y emitir radiaci6n visible a longitudes de onda aptas para ser absorbidas por las capas organicas de material compuesto. Por el contrario, los subconversores apropiados para su uso en la presente invenci6n pueden absorber radiaci6n ultravioleta y emitir radiaci6n visible a longitudes de onda aptas para ser absorbidas por las capas organicas de material compuesto. Los materiales de sobreconversor y/o subconversor se pueden dispersar a lo largo de toda la fase polimerica de las capas organicas de material compuesto.
Los sobreconversores pueden incluir materiales que comprenden al menos un elemente de la serie de los lantanidos. Los materiales de sobreconversores pueden comprender nanoparticulas que comprenden al menos un elemento de la series de los lantanidos. Los elementos de las series de los lantanidos apropiados para su uso en los materiales de sobreconversores pueden comprender erbio, iterbio, disprosio, holmio o sus mezclas. Los materiales de sobreconversores pueden comprender 6xidos de metales y sulfuros de metal impurificados con iones de erbio, iterbio, disprosio holmio o sus mezclas.
Los materiales de sobreconversores pueden comprender especies quimicas organicas. Los materiales de sobreconversores organicos pueden comprender H2C6N y 4-dialquilamino-1,8-naftalimidas asi como tambien derivados de 1,8-naftalimida y compuestos, tales como derivados de naftalimida con ramificaciones multiples TPA-NA1, TPA-NA2 y TPA-NA3. Los materiales de sobreconversor pueden tambien comprender 4(dimetilamino)cinamonitrilo (cis y trans), yoduro de trans-4-[4-(dimetilamino)estiril]-1-metilpiridinio, 4-[4(dimetilamino)estiril]piridina, 4-(dietilamino)benzaldehido difenilhidrazona, p-toluensulfonato de trans-4-[4(dimetilamino)estiril]-1-metilpiridinio, 2-[etil[4-[2-(4-nitrofenil)etenil]fenil]amino]etanol, 4-dimetilamino-4"-nitrosilbeno, Naranja Oisperso 25, Naranja Oisperso 3 y Rojo Oisperso 1.
Los materiales de sobreconversor y subconversor pueden comprender puntos cuanticos. Los puntos cuanticos pueden comprender materiales semi-conductores III/V y II/VI, tales como seleniuro de cadmio (CdSe), telururo de cadmio (CdTe) y seleniuro de cinc (ZnSe). Los materiales de sobreconversor pueden comprender tambien estructuras de nucleo-cubierta de puntos cuanticos. La inclusi6n de materiales de semiconductor III/V y II/VI como sobreconversores en la capa organica de material compuesto se separa de su uso en un grano nanocristalino exagerado tal como se contempla en el presente documento.
Los sobreconvesores para su uso en la presente invenci6n pueden comprender materiales de nanof6sforo, que incluyen 6xidos de itrio intercalados con elementos de las series de los lantanidos tales como Y2O3:Eu3+, Y2O3:Tb3+ e Y2O3:Ce3+. Los materiales de nanof6sforo tambien pueden comprender 6xidos de cinc y/o 6xidos de aluminio intercalados con metales, incluyendo elementos de las series de los lantanidos, asi como tambien metales de transici6n.
La capa organica de material compuesto puede ademas comprender moleculas pequeras. Las moleculas pequeras apropiadas para su uso en la capa organica de material compuesto pueden comprender cumarina 6, cumarina 30, cumarina 102, cumarina 110, cumarina 153 y cumarina 540. Moleculas pequeras apropiadas para su uso en la capa organica de material compuesto pueden comprender 9,10-dihidrobenzo[a]pireno-7(8H)-ona, 7-metilbenzo[a]pireno, pireno, benzo[e]pireno, 3,4-dihidroxi-3-ciclobuten-1,2-diona y dihidr6xido de 1,3-bis[4-(dimetilamino)fenil-2,4dihidroxiciclobutendiilio.
La capa organica de material compuesto pueden presentar un espesor que varia de aproximadamente 30 nm a aproximadamente 1 Im. La capa organica de material compuesto pueden presentar un espesor que varia de aproximadamente 80 nm a aproximadamente 800 nm. La capa organica de material compuesto puede presentar un espesor que varia de aproximadamente 100 nm a aproximadamente 500 nm o de aproximadamente 150 nm a aproximadamente 450 nm. La capa organica de material compuesto puede presentar un espesor que varia de aproximadamente 50 nm a aproximadamente 300 nm o de aproximadamente 40 nm a aproximadamente 125 nm. La capa organica de material compuesto puede tener un espesor que varia de aproximadamente 80 nm a aproximadamente 150 nm.
La Figura 1 ilustra una capa organica de material compuesto que se puede formar por medio del metodo de la presente invenci6n. Como se muestra en la Figura 1, la capa (100) organica de material compuesto comprende una fase polimerica (102) y una fase de nanoparticulas que comprende una pluralidad de granos (104) nanocristalinos exagerados dispersos a lo largo de la fase polimerica (102).
La colocaci6n de la capa organica de material compuesto en un campo electrico aplicado puede comprender aplicar un voltaje a traves de la capa organica de material compuesto. Los electrodos se pueden unir a la capa organica de material compuesto y se pueden conectar al suministro de energia OC que se opera para suministrar amperios de corriente y establecer mas que 100 V. El voltaje aplicado a la capa organica de material compuesto puede variar de aproximadamente 50 V a aproximadamente 200 V, dependiendo del espesor de la capa organica de material compuesto.
El atemperado puede comprender producir un gradiente termico a traves de la capa organica de material compuesto. Se puede establecer el gradiente termico calentando un lado de la capa organica de material compuesto al tiempo que se mantiene el lado opuesto de la capa organica de material compuesto a temperatura constante o enfriando el lado opuesto.
Por ejemplo, se pueden exponer un lado de la capa organica de material compuesto y/o calentar hasta una temperatura dentro de aproximadamente 5 % a aproximadamente 30 % de la temperatura de transici6n vitrea (Tg) de la fase polimerica, mientras que el lado opuesto se mantiene o se enfria hasta temperatura ambiente. Se puede exponer y/o calentar un lado de la capa organica de material compuesto hasta una temperatura de aproximadamente 10 % a aproximadamente 20 % de la temperatura de transici6n vitrea de la fase polimerica, mientras que el lado opuesto se mantiene o se enfria hasta temperatura ambiente. Un lado de la capa organica de material compuesto se puede exponer y/o calentar hasta una temperatura igual a o mayor que la temperatura de transici6n vitrea de la fase polimerica, mientras que el lado opuesto se mantiene o se enfria hasta temperatura ambiente.
Un lado de la capa organica de material compuesto se puede exponer y/o calentar hasta una temperatura dentro de aproximadamente 5 % a aproximadamente 30 % de la temperatura de transici6n vitrea de la fase polimerica, mientras que el lado opuesto se mantiene o se enfria hasta una temperatura que varia de aproximadamente temperatura ambiente a aproximadamente la temperatura de nitr6geno liquido. Un lado de la capa organica de material compuesto se puede exponer y/o calentar hasta una temperatura dentro de aproximadamente 10 % a aproximadamente 20 % de la temperatura de transici6n vitrea de la fase polimerica, mientras que el lado opuesto se mantiene o se enfria hasta una temperatura que varia de aproximadamente temperatura ambiente a aproximadamente la temperatura de nitr6geno liquido. Un lado de la capa organica de material compuesto se puede exponer y/o calentar hasta una temperatura igual o mayor que la temperatura de transici6n vitrea de la fase polimerica, mientras que el lado opuesto se mantiene o se enfria hasta una temperatura que varia de aproximadamente temperatura ambiente a aproximadamente la temperatura de nitr6geno liquido. La diferencia de
temperatura entre el lado caliente de la capa organica de material compuesto y el lado sin calentar opuesto puede variar dependiendo de factores tales como el espesor de la capa organica de material compuesto, la carga de la fase de nanoparticulas de la fase polimerica, y los tiempos de calentamiento.
La capa organica de material compuesto se puede atemperar en un gradiente termico durante un periodo de tiempo que varia de aproximadamente 30 segundos a aproximadamente una hora. La capa organica de material compuesto se puede atemperar durante un periodo de tiempo que varia de aproximadamente 45 segundos a aproximadamente 30 minutos, de aproximadamente 1 minuto a aproximadamente 10 minutos, o de aproximadamente 2 minutos a aproximadamente 7 minutos. La capa organica de material compuesto se puede atemperar durante un periodo de tiempo menor o igual que aproximadamente 5 minutos. La capa organica de material compuesto se puede atemperar durante un periodo que varia de aproximadamente 2 minutos a aproximadamente 3 minutos. La capa organica de material compuesto se puede atemperar durante un periodo de tiempo mayor que aproximadamente 30 minutos.
Por ejemplo, se puede calentar un lado de la fase polimerica que comprende P3HT a 158 oC durante 8-10 minutos. Se puede calentar un lado de la fase polimerica que comprende P3HT a 158 oC durante 5-7 minutos.
La Figura 2 ilustra un metodo de formaci6n de al menos un grano nanocristalino en la fase polimerica de acuerdo con la presente invenci6n. Se aplica un voltaje (400) a traves de la capa (402) organica de material compuesto que comprende una fase polimerica y una fase de nanoparticulas para producir un campo electrico. Se establece un gradiente termico (404) a traves de la capa (402) organica de material compuesto durante el proceso de atemperado de acuerdo con las realizaciones descritas anteriormente. Los granos (406) nanocristalinos exagerados se forman durante el proceso de atemperado. Los granos nanocristalinos exagerados se alinean al menos parcialmente con la fase polimerica. Los granos nanocristalinos exagerados pueden estar alineados considerablemente verticales u orientados en la fase polimerica, mejorando de este modo la movilidad de los electrones.
Sin pretender quedar ligado a teoria alguna, se piensa que tienen lugar varios procesos cuando una capa organica de material compuesto que comprende una fase polimerica y una fase de nanoparticulas se dispone en un campo electrico y se atempera en un gradiente termico que se aproxima a la temperatura de transici6n vitrea de la fase polimerica. En primer lugar, la fase polimerica experimenta al menos algo de cristalizaci6n, mejorando de este modo las movilidades de los orificios en el interior de la fase polimerica. En segundo lugar, los granos nanocristalinos exagerados que comprenden una pluralidad de nanoparticulas se forman en la fase polimerica como resultado de procesos de desarrollo de grano exagerados o anormales, y los granos nanocristalinos exagerados se alinean al menos parcialmente con el campo electrico aplicado.

Claims (8)

  1. REIVINDICACIONES
    1.-Un metodo para producir una capa organica de material compuesto que comprende: dispersar una fase de nanoparticulas en una fase polimerica; y conformar al menos un grano nanocristalino exagerado en la fase polimerica.
    en el que la conformaci6n de al menos un grano nanocristalino comprende colocar la capa organica de material compuesto en un campo electrico y atemperar la capa organica de material compuesto en un gradiente de temperatura.
  2. 2.-El metodo de la reivindicaci6n 1, en el que la fase polimerica comprende un polimero conjugado.
  3. 3.-El metodo de la reivindicaci6n 2, en el que el polimero conjugado comprende poli(3-hexiltiofeno), poli(octiltiofeno), politiofeno o sus combinaciones. 4.-El metodo de la reivindicaci6n 1, en el que la fase polimerica comprende un polimero semi-conductor. 5.-El metodo de la reivindicaci6n 4, en el que el polimero semi-conductor comprende poli(fenilen vinileno), poli(p
    fenilen vinileno), polifluorenos, poli(2-vinilpiridina), poliamidas, poli(N-vinilcarbazol), polipirrol, polianilina o sus
    combinaciones. 6.-El metodo de la reivindicaci6n 1, en el que se forman una pluralidad de granos nanocristalinos exagerados en la fase polimerica.
  4. 7.-El metodo de la reivindicaci6n 1, en el que al menos un grano nanocristalino exagerado comprende
    nanoparticulas de carbono, nanoparticulas de metal o nanoparticulas de semi-conductor. 8.-El metodo de acuerdo con la reivindicaci6n 7, en el que las nanoparticulas de carbono comprenden nanotubos de carbono, fulerenos o sus combinaciones.
  5. 9.-El metodo de la reivindicaci6n 8, en el que los nanotubos de carbono comprenden nanotubos de carbono de pared sencilla, nanotubos de carbono de pared multiple, nanotubos impurificados, nanotubos de corte o sus combinaciones.
  6. 10.-El metodo de acuerdo con la reivindicaci6n 1, que ademas comprende colocar un material de sobreconversor,
    un material de subconversor o sus combinaciones en la fase polimerica. 11.-El metodo de la reivindicaci6n 1, en el que la capa organica de material compuesto presenta un espesor que varia de aproximadamente 30 nm a aproximadamente 1 Im.
  7. 12.-El metodo de la reivindicaci6n 1, en el que la capa organica de material compuesto presenta un espesor que
    varia de aproximadamente 100 nm a aproximadamente 500 nm. 13.-El metodo de la reivindicaci6n 1, en el que la colocaci6n de la capa organica de material compuesto en el campo electrico comprende aplicar un voltaje sobre la capa organica de material compuesto.
  8. 14.-El metodo de la reivindicaci6n 13, en el que el voltaje varia de aproximadamente 50 V a aproximadamente 200
    V.
    FIGURA 1
    FIGURA 2
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