JP2000286479A - 機能素子および多成分多相系高分子成形体 - Google Patents

機能素子および多成分多相系高分子成形体

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 応答速度が速く、耐久性に優れた素子構造を
得る。 【解決手段】 ドメインが小さくて界面面積が大きな、
また界面が化学的に接着されているホールあるいは電子
輸送性相の相分離体を一対の電極で挟む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は共役性高分子および
導電性高分子を用いた機能素子、この機能素子を用いた
多成分多相系高分子成形体に関する。具体的には共役性
高分子等を用いた太陽電池、光電変換素子、発光素子、
ディスプレイ、光変調素子、有機ＦＥＴ素子、キャパシ
タ、あるいは各種センサー素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】共役性高分子などの半導体性あるいは導
電性高分子は、容易に薄膜状に出来るなど成形性に優れ
ることから、光電変換素子、ＦＥＴ素子、発光素子など
種々の機能素子への応用が期待されている。こうした機
能素子においては、半導体−半導体間、半導体−導体
間、などの種々の界面が存在し、これら界面をホールや
エレクトロンといったキャリアーが通過したり、界面に
おいて相互作用することによって機能を発現する。こう
した界面は大面積で、かつ密着していることが重要であ
る。しかしながら界面の面積を大きくすることは難し
く、更に界面には多くの場合、大きな電界や応力がかか
るため、劣化したり剥離したりしやすい。このため上述
したような機能素子において、界面の劣化に起因する耐
久性の低下や、界面の面積が十分に大きくないことによ
る応答速度の低下や出力の低下などを招いている。米国
特許５５６３４２４号明細書には界面面積を増大するた
めに、ポリマをブレンドした組成物の三次元共連続相分
離構造を利用する技術が開示されている。この技術を用
いると確かに界面面積の増大をある程度は図れるもの
の、ブレンド系であるために界面は単に二相が接触して
いるだけで化学結合によって接着されていない。そのた
め界面の剥離は起こりやすく、やはり耐久性の低下など
の性能の劣化を招いていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、さま
ざまな機能素子において、素子中に形成される界面の面
積が充分大きくなく耐久性も低いため、界面が剥離しや
すく、充分な性能を発揮することが難しかった。
【０００４】こうした状況に鑑み、本発明の目的は、界
面面積が充分大きく、かつ界面が化学的結合によって接
着されている、界面の耐久性が非常に高い素子構造を有
する機能素子、およびこの機能素子に用いる多成分多相
系高分子成形体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の機能素子は、 少なくとも、それぞれホール伝導性あるいは電子伝導
性高分子鎖からなるＡ鎖およびＢ鎖からなり、Ａ鎖が凝
集して形成されるところのＡ相と、Ｂ鎖が凝集して形成
されるところのＢ相が、三次元共連続ナノ相分離構造を
形成しており、かつＡ相とＢ相の界面において、Ａ相と
Ｂ相が化学結合によって接着されているところの多成分
多相系高分子成形体から構成され、かつＡ相、Ｂ相それ
ぞれに電極端子が接続されている素子構造を有するもの
である。
【０００６】また、 少なくとも、それぞれホール伝導性あるいは電子伝導
性高分子鎖からなるＡ鎖およびＢ鎖からなるＡ−Ｂ型ジ
ブロック共重合体あるいは、Ａ−Ｂ−Ａ型またはＢ−Ａ
−Ｂ型トリブロック共重合体よりなり、Ａ鎖が凝集して
形成されるところのＡ相と、Ｂ鎖が凝集して形成される
ところのＢ相が、三次元共連続ナノ相分離構造を形成し
ているところの多成分多相系高分子成形体から構成さ
れ、かつＡ相、Ｂ相それぞれに電極端子が接続されてい
る素子構造を有するものである。
【０００７】さらに、 少なくとも、それぞれホール伝導性あるいは電子伝導
性であるＡ相およびＢ相からなり、Ａ相およびＢ相が、
ＯＢＤＤ構造、Ｇｙｒｏｉｄ構造から選択される少なく
とも一つの三次元共連続ナノ相分離構造を形成してお
り、かつＡ相、Ｂ相それぞれに電極端子が接続されてい
ることを特徴とするものである。
【０００８】あるいは、 ホール伝導性あるいは電子伝導性あるいはイオン伝導
性であるシート状のＡ相およびＢ相が交互に積層した積
層構造体と、この交互積層体に４ケ所以上で貫入し、か
つ積層面を貫通するように設置された少なくとも１対の
電極からなることを特徴とするものである。
【０００９】本発明の多成分多相系高分子成形体は、少
なくとも、それぞれホール伝導性あるいは電子伝導性高
分子鎖からなるＡ鎖およびＢ鎖からなり、Ａ鎖が凝集し
て形成されるところのＡ相と、Ｂ鎖が凝集して形成され
るところのＢ相が、三次元共連続ナノ相分離構造を形成
しており、かつＡ相とＢ相の界面において、Ａ相とＢ相
が化学結合によって接着されていることを特徴とするも
のである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
【００１１】ホール伝導性あるいは電子伝導性有機高分
子鎖としては、ポリエチレン鎖、ポリシロキサン鎖、ポ
リエーテル鎖、ポリエステル鎖、ポリアミド鎖、ポリイ
ミド鎖などの通常の電気的に不活性な高分子鎖の主鎖中
にあるいは、側鎖として、ペンダント状にたとえば以下
に示すような、光電荷発生性、あるいはホール輸送性や
電子輸送性の分子構造が結合したものが用いられる。
【００１２】例えば、フタロシアニン系誘導体、ナフタ
ロシアニン系誘導体、アゾ化合物系誘導体、ペリレン系
誘導体、インジゴ系誘導体、キナクリドン系誘導体、ア
ントラキノン類などの多環キノン系誘導体、シアニン系
誘導体、フラーレン類誘導体、あるいは、インドール、
カルバゾール、オキサゾール、インオキサゾール、チア
ゾール、イミダゾール、ピラゾール、オキサアジアゾー
ル、ピラゾリン、チアチアゾール、トリアゾールなどの
含窒素環式化合物誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェ
ニルアミン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、スチル
ベン類、アンドラキノンジフェノキノン等のキノン化合
物誘導体、アントラセン、ピレン、フェナントレン、コ
ロネンなどの多環芳香族化合物誘導体などが挙げられ
る。また側鎖などにペリレンテトラカルボン酸誘導体構
造を導入したポリマーを熱処理することによって、縮環
させラダー状の半導体性あるいは導電性ポリマー鎖を形
成しても良い。
【００１３】これらの側鎖を有するポリマー鎖は、上述
した側鎖構造を有するモノマーを重合して合成しても良
いし、たとえば水酸基、カルボキシル基などの結合性の
官能基を有するポリマー鎖を用い、この官能基に上述の
側鎖構造を化学反応によって結合させて合成しても良
い。
【００１４】また更には、ホール伝導性あるいは電子伝
導性有機高分子鎖として、共役性高分子鎖も用いられ
る。共役性高分子鎖としては、ポリパラフェニレン等の
芳香族系共役性高分子、ポリアセチレン等の脂肪族系共
役性高分子、ポリピロールやポリチオフェン等の複素環
式共役性高分子、ポリアニリン類やポリフェニレンサル
ファイド等の含ヘテロ原子共役性高分子、ポリ（フェニ
レンビニレン）やポリ（アリ−レンビニレン）、ポリ
（チエニレンビニレン）等の上記共役性高分子の構成単
位が交互に結合した構造を有する複合型共役系高分子等
の炭素系共役性高分子が好適に用いられる。さらにはポ
リシラン類や、ジシラニレンアリレンポリマー類、（ジ
シラニレン）エテニレンポリマー類、（ジシラニレン）
エチニレンポリマー類といったジシラニレン−炭素系共
役性ポリマー構造などのオリゴシラン類と炭素系共役性
構造が交互に連鎖した高分子類が好適に用いられる。こ
うした主鎖型の共役性高分子鎖の方がキャリア輸送性が
優れていることから、先のペンダント型よりも好まし
い。とくにリビング重合法などにより分子量制御が容易
な、ポリシラン類やポリパラフェニレン類（後述する前
駆体から変換する）が好ましい。またポリアクリロニト
リルなどシアノ基を有するポリエチレン誘導体を熱処理
して得られるラダー型芳香族縮環系ポリマーも、ポリア
クリロニトリル類の分子量制御が容易で、かつラダー化
を調整することにより、キャリア輸送性を容易に制御で
きるため良好に用いることができる。
【００１５】他にもリン系、窒素系などの無機高分子鎖
も用いられる。また更にはフタロシアナートポリシロキ
サンなどの高分子鎖に芳香族系配位子が配位して積層し
た高分子鎖も用いられる。
【００１６】上述したような高分子鎖からなるブロック
共重合体あるいはグラフト共重合体を用いて本発明の機
能性素子を構成する三次元共連続ナノ相分離構造の多成
分多相系高分子成形体を形成することが出来る。
【００１７】ブロック共重合体は、Ａ−Ｂ型ジブロック
共重合体、あるいはＡ−Ｂ−Ａ型トリブロック共重合体
や、スター型の分子鎖形態をとっていても良い。スター
型としては、ブロック共重合体ポリマー鎖が中心から放
射状に生えたものでも良いし、中心から、それぞれ異な
ったポリマー鎖が生えたものでも良い。またグラフト型
の共重合体であっても良い。またブロックが４つ以上の
（Ａ−Ｂ）ｎ型あるいは（Ａ−Ｂ−Ａ）ｎ型などのブロ
ック共重合体を用いても良い。
【００１８】こうしたブロック共重合体はさまざまな重
合法が用いられ、対応するモノマーを逐次的に添加して
行くことによってブロック共重合体を合成できる。最も
好ましくはリビング重合法によって合成することが出来
る。ビニル化合物やブタジエン類などの二重結合を有す
るモノマーやエチレンオキシド類などの環状エーテルモ
ノマーや環状オリゴシロキサン類モノマーのリビングア
ニオン重合やリビングカチオン重合などによって、分子
量分布の狭い、分子量や共重合体比を精密に制御したブ
ロック共重合体を合成することが出来る。またリビング
ラジカル重合法を用いても良い。こうしたリビング重合
法を用いる際には、溶媒は金属ナトリウムなどの乾燥剤
で十分乾燥し、凍結乾燥や不活性ガスなどのバブリング
などの方法によって酸素ガスを脱気することが良い。ま
た反応は減圧条件下などで行うことも出来るが、不活性
ガス気流下、好ましくは２気圧以上の加圧条件下で行う
ことが好ましい。加圧条件下で行うことによって、反応
容器外からの水分や酸素などの侵入を効果的に防止する
ことが出来、かつこうした脱水、脱気条件下の反応プロ
セスを比較的低コストで行うことが可能であり良い。
【００１９】またリビング重合法などの他にテレケリッ
クポリマーなどのマクロマー同士の反応やマクロマーの
分子端を重合開始点としてブロック共重合体を合成して
も良い。
【００２０】グラフト共重合体も様々な手法によって合
成され、例えばポリマー主鎖あるいは側鎖から第二のポ
リマー主鎖を成長させていも良いし、低分子モノマーと
末端に重合性基を導入したマクロマーとを共重合させて
合成しても良い。
【００２１】このようなブロック共重合体やグラフト共
重合体を用いて相分離構造を形成すると、多くの場合数
ｎｍ―数十ｎｍオーダーの単位胞を有する相分離構造を
自己発展的に形成することが出来る。さらに単なる混合
物からの相分離と異なり、これらの微細構造を非常に規
則的な形状で形成することが出来る。本発明の三次元共
連続相分離構造の場合、多くの場合ＯＢＤＤ（ｏｒｄｅ
ｒｅｄ−ｂｉｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ ｄｏｕｂｌｅ−ｄ
ｉａｍｏｎｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）構造またはテトラ
ポッド構造と称される、結晶構造にも似た非常に規則的
な相分離構造となる。ＯＢＤＤ構造などの三次元網目状
の相分離構造を形成した際の、三次元網目状の各相の網
目の開口部の平均径は１００ｎｍ以下、好ましくは５０
ｎｍ以下、さらには２０ｎｍ以下であることが好まし
い。一般に１０ｎｍ−１００ｎｍ程度の範囲に形成され
る。こうした微細な相分離構造によって、界面の面積は
数ｍ ２／ｇ―場合によっては１０００ｍ２／ｇ程度の非
常に大きな界面面積を得ることが出来る。本発明の機能
素子においては通常１０ｍ２／ｇ以上のものが良好に用
いられる。このような大きな界面面積は、単なる混合系
の相分離では比較的難しいが、ブロック共重合体やグラ
フト共重合体を用いることによって容易に実現できる。
なお平均径はブロック共重合やグラフト共重合体の分子
量や高分子鎖の組み合わせによって変化し、分子量を大
きくすることによって、平均径を増大させ、逆に分子量
を小さくすることによって平均系を小さくすることが出
来る。さらに構造も、ＯＢＤＤ構造のほか、Ｇｙｒｏｉ
ｄ構造、ラメラカテノイド構造、Ｔ―サーフェイス構
造、ディスオーダード構造などの種々の構造が形成可能
であり、機能素子の性能を様々に変化させることが出来
る。こうした様々な構造は、ブロック共重合体あるいは
グラフト共重合体の共重合体比や、各ブロックの相溶性
を変化させることにより形成できる。またこうした構造
は非常に規則的に均質に形成されるため、単なるブレン
ドによる相分離構造体と比較して欠陥などが出来にくく
特性が良好である。また海島構造、シリンダー構造、ラ
メラ構造など他の相分離形態と比較しても、それぞれの
相が連続で、互いに貫入した三次元網目構造であるた
め、良好なキャリア輸送性、大きな界面面積の点で本発
明の素子の三次元共連続相分離構造は優れている。
【００２２】種々の三次元共連続構造（バイコンティニ
ュアス構造）の中では、構造的なトラップが少なく、キ
ャリアの輸送性が優れているＯＢＤＤ構造、Ｇｙｒｏｉ
ｄ構造が良く、特にＯＢＤＤ構造が最も望ましい。Ｇｙ
ｒｏｉｄ構造やＯＢＤＤ構造を形成するには、Ａ−Ｂ型
ジブロック共重合体やＡ−Ｂ−Ａ型あるいはＢ−Ａ−Ｂ
型トリブロック共重合体を用いることが好ましい。
【００２３】三次元共連続相分離構造を形成するには、
共連続構造を形成する二相（それぞれＡ相、Ｂ相と称
す）の体積分率が重要であり、一方の相の体積分率は２
０〜８０％、好ましくは４５〜７５％、さらに好ましく
は５５〜７５％、望ましくは６０〜７０％の範囲に設定
することが良い。特にＯＢＤＤ構造の場合、１方の相の
体積分率を６２〜６７％に設定するのがよい。体積分率
を調整するには、ブロック共重合体あるいはグラフト共
重合体の共重合比を制御してもよいし、ポリマ鎖の分子
容を制御しても良い。ポリマ鎖の分子容を制御するのは
様々な手法が考えられるが、たとえばポリビニルピリジ
ン鎖をアルキル基で四級塩化する際に、アルキル基やカ
ウンターアニオンの分子容を変化させたり、ポリアニリ
ン鎖を酸でドーピングする際に、酸の分子容を変化させ
たりしても良い。
【００２４】また特定の相に親和性のよい物質を混合し
て膨潤し、相の体積分率を調節させてもよい。この際、
混合する物質としては、混合する相を構成するポリマ鎖
のホモポリマーなどが良い。
【００２５】またこういった共重合体を用いた相分離構
造の場合、、高分子鎖がＡ相とＢ相の界面を貫通して状
態で凝集している。結果としてＡ相とＢ相は化学的結合
によって完全に接合された状態であるため、高分子鎖が
断裂しない限り界面の剥離は起こらない。なお化学的結
合とは通常、上述した共重合体の各ブロックを接続する
化学結合であり、共有結合、イオン結合、水素結合、配
位結合から選択される少なくとも一種類の結合である。
なお共有結合であることが結合強度の面から最も好まし
く、さらには共有結合の中でも炭素―炭素結合、あるい
は炭素―ケイ素結合、エーテル結合などの炭素―酸素結
合、アミド結合、イミド結合などの炭素―窒素結合、チ
オエーテル結合などの炭素―硫黄結合、シロキサン結合
などのケイ素―酸素結合であることが望ましい。
【００２６】さらに共重合体を用いずとも、側鎖や末端
などに架橋可能な反応性基を導入した高分子を用いるこ
とによって、隣接した相間の界面が化学的に接着された
相分離構造を形成することが出来る。つまりＡ相、Ｂ相
を形成する２種の高分子材料の混合物から相分離構造を
形成する際に、反応性基を架橋することによって界面が
化学的に接着される。
【００２７】良好な三次元共連続ナノ相分離構造を形成
するためには、高分子鎖Ａと高分子鎖Ｂ、高分子鎖Ａと
高分子鎖Ｂの前駆体、高分子鎖Ａの前駆体と高分子鎖
Ｂ、あるいは高分子鎖Ａの前駆体と高分子鎖Ｂの前駆体
が互いに非相溶であることが必要である。前駆体を用い
た場合は、相分離構造を形成後、多くの場合共重合体の
ガラス転移温度以下の温度条件で、前駆体を所望の高分
子鎖に化学的反応によって変換する。こうした相互に非
相溶な高分子鎖は良好な相分離構造を形成するため、各
ブロックの分子量が１万以上、さらには２万以上である
ことが好ましい。
【００２８】また特にＯＢＤＤ構造、ＯＴＤＤ構造、Ｇ
ｙｒｏｉｄ構造などの非常に規則的な構造を形成するに
は、用いるブロック共重合体の分子量分布が狭い方が良
く、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．１５以下さらには１．１０以下で
あることが好ましい。
【００２９】本発明の共連続相分離構造は上述したよう
な、２種類以上の互いに非相溶な高分子鎖からなるブロ
ック共重合体あるいはグラフト共重合体から形成する。
こうした高分子材料を適当な溶媒に溶解し、塗布用溶液
を調製する。この塗布用溶液を適当な基板に、スピンコ
ーティング法あるいはディップコーティング法やキャス
ティング法などの方法によって塗布、乾燥し、必要に応
じて加熱処理することにより本発明の機能素子の多成分
多相系高分子成形体薄膜を作製することが出来る。
【００３０】また溶液を塗布する以外に、さらに溶液の
塗布する代わりに当該ブロック共重合体あるいはグラフ
ト共重合体共重合体を溶融し、これを適当な基板等に塗
布などして成形した後に冷却して相分離構造を形成する
ことも出来る。またホットプレス法や射出成形法、トラ
ンスファ成形法などの方法によって、溶融状態の高分子
材料を所望の形状に成形しても良い。こうした製膜ある
いは成形後、好ましくは高分子材料のガラス転移点以上
の温度で保持することによってより良好な相分離構造を
作成することができる。
【００３１】この塗布製膜過程において、互いに相分離
する高分子鎖の一方と特異的に親和性が良い、例えばド
ーパントなどの添加剤を塗布用溶液などとした共重合体
に混合しておくと、相分離構造が形成される際に、親和
性の良い相のみにドーパントを容易に偏在させることも
出来る。例えば後述するようなホール輸送相、発光相か
らなる共連続相分離構造や、ホール輸送相、発光相、電
子輸送相からなる三相共連続相分離構造からなるＥＬ素
子を形成する場合に、発光相と親和性が高い蛍光色素な
どを少量塗布溶液に混合すると、発光相に選択的に蛍光
色素がドーピングされ、発光効率を向上させることが出
来る。
【００３２】また表面を一方の相と特異的に親和性の良
く表面処理した数〜数十ｎｍ程度の超微粒子なども、同
様に塗布などの操作のみによって、親和性のよい相のみ
に偏在させることが出来る。こうした超微粒子として
は、金、銀、銅、白金、パラジウムなどの金属超微粒子
や、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｕＢｒ、シリコンなどの半導
体微粒子、ＴｉＯ２などの金属酸化物超微粒子などが用
いられる。これらの微粒子は多くの場合、界面活性剤等
によって表面処理されて用いられる。
【００３３】またドーパントはブロック共重合体あるい
はグラフト共重合体に混合するのでなくて、これら共重
合体の側鎖や主鎖中に化学的に結合させてもよい。この
際には、特定の相を形成する高分子鎖のみにこうした機
能性分子構造を修飾することによって、容易にドーパン
トを特定の相に偏在させることが出来る。
【００３４】さらには特定のドーパントと結合しやすい
構造を高分子鎖の主鎖中あるいは側鎖中に導入して、相
分離構造を形成する前あるいは後にドーパント蒸気、ド
ーパント溶液などに曝すことによってドーパントを高分
子鎖に導入しても良い。たとえは高分子主鎖中にイソプ
レンユニットやブタジエンユニットなどの二重結合を有
する構造を導入すれば、たとえば酸化オスミウムなどと
反応させることによってオスミウムを高分子中にドーピ
ングすることができる。またキレート構造を導入すれば
金属イオンなどをドーピングすることが出来る。キレー
ト構造は主鎖中に導入されても、ポリアクリル酸エステ
ルのエステル部位などに置換基として導入しても良い。
さらには例えばビリジニウム塩構造などイオン性基を有
するイオン交換樹脂構造を導入すれば、対イオン交換に
よって金属イオンなどをドーピングできる。
【００３５】さらに本発明の相分離構造を形成するのに
は、上述したようなブロック共重合体あるいはグラフト
共重合体を原料として用いる以外にも様々な方法により
作製出来る。
【００３６】例えば、２相からなる相分離構造を形成す
る際に、一方の相を形成する高分子と、もう一方の相を
形成する高分子のモノマーとを混合し、しかる後に加熱
や光照射、あるいは触媒添加などの方法によってモノマ
ーを重合させてもよい。この際、高分子材料の方に、モ
ノマーと反応して結合を形成可能な末端基あるいは側鎖
基を導入することによって、それぞれの相の高分子成分
を有するブロック共重合体あるいはグラフト共重合体が
生成され、結果的に原料としてブロック共重合体あるい
はグラフト共重合体を用いたのと同様な界面が接着され
た相分離構造を形成することが出来る。
【００３７】さらには互いに非相溶で、相補的に結合可
能な末端基をそれぞれ導入した２種のテレケリックポリ
マーを混合した後、末端基を結合して混合系中でブロッ
ク共重合体となすリアクティブプロセッシング法によっ
て、相分離構造を形成することも出来る。
【００３８】また例えはポリイソプレン鎖、ポリブタジ
エン鎖などの主鎖に二重結合を有するポリマー鎖と所望
のポリマー鎖とのブロック共重合体あるいはグラフト共
重合体ポリマーを用いて相分離構造を形成した後、主鎖
に二重結合を有するポリマ鎖をオゾン処理などの方法に
よって除去する。生じた多孔質体の空孔部内表面に重合
反応開始基を化学的に導入する。しかる後にこの多孔質
体を必要なモノマー溶液などに浸漬して、重合反応をお
こして空孔内に重合体を充填し、界面が接着された本発
明の相分離構造体を形成しても良い。またこの際、電解
重合反応を利用しても良い。
【００３９】また本発明の機能素子の相分離構造を形成
する各相の高分子成分は、必ずしも相互に非相溶である
必要は無い。というのも、上述したように、たとえばこ
れらの高分子成分の前駆体高分子が相互に非相溶であれ
さえすれば、これら前駆体高分子を用いることによって
相分離構造は形成される。こうして前駆体高分子を用い
て相分離構造を形成した後に、加熱や光照射、触媒添加
などの方法によって最終的な高分子材料に変換すればよ
い。この際、反応条件を適切に選択することによって、
前駆体高分子によって形成された相分離構造が破壊され
ることなく変換反応を行うことが出来る。相分離構造が
破壊されないように、変換反応は前駆体高分子のガラス
転移点温度以下で行うことが望ましい。このため必要に
応じて変換反応を促進する触媒を用いると良い。
【００４０】たとえば、ポリパラフェニレン類は一般式
で示されるようなシクロジエンモノマー１を重合した前
駆体ポリマーから合成することが出来る。このモノマー
（以下ＰＰＰモノマーと称す）は、ラジカル重合法など
により、容易に他のオレフィン系モノマー（たとえばア
クリル酸エステル、メタクリル酸エステル、スチレン、
ビニルアルコールなど）とのブロック共重合が可能であ
る。またエステル基の置換基部分（下式Ｒ）が異なる互
いに非相溶のＰＰＰモノマー同士のブロック共重合体あ
るいはグラフト共重合体でもよい。
【化１】 さらにはポリアクリロニトリル鎖を２００℃以上好まし
くは４００℃以上の温度で熱処理することによってピリ
ジン型のラダー状導電性ポリマを生成させてもよい。
【００４１】相分離構造を安定化するために、高分子材
料に架橋剤を添加したり、架橋性基を導入することによ
って、相分離構造形成後に高分子材料を相互に三次元的
に架橋してもよい。このような架橋によって本発明の機
能素子の熱的あるいは機械的な強度などをさらに向上さ
せることが出来、耐久性に優れた機能素子を形成するこ
とが出来る。上述の前駆体高分子から変換反応を行う際
も、架橋を行うことが好ましく、架橋によって場合によ
ってはガラス点移転温度以上で変換反応を行うことも容
易になる。
【００４２】素子の耐熱性などの耐久性を考慮すると各
相は非相溶である方が良い。しかし非相溶でない相から
構成される相分離体であっても、相を形成する高分子鎖
を相互に架橋するなどして耐久性を改善することが出来
る。
【００４３】これまで述べてきたような共連続相分離構
造は、Ａ相およびＢ相がそれぞれ三次元網目構造を形成
しており、この三次元網目構造が相互にうめ合うように
して、絡み合っている。各相はそれぞれ連続しているた
め、成形体中の各々の全ての相分離ドメインが接続され
た状態と考えることが出来る。またＡ相とＢ相は入り組
んだ三次元網目状構造なため、Ａ相とＢ相の界面の面積
は非常に大きい。すなわちＡ相、Ｂ相それぞれに電極端
子を接続した本発明の機能素子の構造は、非常に単純化
すれば、従来のＡ層とＢ層の積層構造を有する積層素子
と同様の構造であると考えられる。しかしながら本発明
の機能素子構造は、このような積層素子と比較して、Ａ
相とＢ相の接合界面の面積（各相の単位体積当たりの界
面面積）を非常に大きくすることが出来る。そのため、
Ａ相とＢ相の間のキャリアー（電子、ホールあるいはイ
オン）の交換が非常にスムーズに進行するため、従来の
薄膜を積層したタイプの機能素子と比較して、高い出力
や応答速度を得ることが出来る。
【００４４】さらに本発明の機能素子においては、既述
したようにＡ相とＢ相の界面の剥離などに対する耐久性
を飛躍的に向上させることが出来る。上述したような従
来の積層素子においては多くの場合、Ａ層とＢ層の界面
が剥離したり、大きな電界などが印可されることによる
変性による劣化が起こりやすく、素子の耐久性を高くす
ることが非常に難しかった。しかしながら本発明の機能
素子においては、Ａ相、Ｂ相各々の成分を高分子鎖とし
て有するブロック共重合体あるいはグラフト共重合体か
ら形成され、高分子鎖が界面を貫通している。つまり界
面は、もともと高分子鎖を構成する化学結合によって完
全に接着されている。そのため剥離や劣化が非常に起こ
りにくく、耐久性に優れる上に、キャリアーの移動がス
ムーズに行われる。こうした特性は従来の単なるブレン
ドによる相分離構造素子では実現することができない。
【００４５】上述したような界面が接着することによっ
て発現される耐久性や機能の向上は、界面において化学
結合を形成する高分子鎖が多い程良好に発現される。界
面が接着された相分離体は、特定の１相を構成する高分
子鎖のホモポリマーのみを溶解する溶媒でそれぞれ洗浄
しても、高分子鎖が溶出しない。ブロック共重合体ある
いはグラフト共重合体、特に分子量分布Ｍｗ／Ｍｎが
１．１以下と狭い共重合体から形成される相分離体にお
いてはこの傾向が顕著である。そこで界面における接着
の度合いは、特定の１相（以下被抽出相と称す）を構成
する物質（ブロック共重合体からなる相分離体の場合に
は特定のブロック鎖と、グラフト共重合体の場合にはグ
ラフト鎖と同程度（重量平均分子量が±５０％以内）の
分子量のホモポリマー）を良好に溶解する（このましく
は１０ｗｔ％以上溶解する）十分な量の溶媒で相分離体
を洗浄した際の、洗浄後の被抽出相の残存率が高い程良
い。残存率は好ましくは被抽出相の内、２０ｗｔ％以
上、さらに好ましくは５０ｗｔ％以上、望ましくは９０
ｗｔ％以上であることが良い。洗浄に用いる溶媒には、
被抽出相を構成する物質の溶解度が、その他の相を構成
する物質の溶解度の５倍以上であるものを用いる。洗浄
は好ましくは膜厚１μｍ以下のフィルム状として、相分
離体を溶媒中に好ましくは攪拌しながら浸漬して、溶媒
中に溶出してくる被抽出相の量が飽和するまで行う。
【００４６】高分子鎖Ａと高分子鎖Ｂからなるブロック
共重合体あるいはグラフト共重合体を用いた相分離構造
においては、Ａ相とＢ相の界面は、高分子鎖Ａと高分子
鎖Ｂとの結合点がシート状に配列して形成されている。
つまり結合点に各種機能性分子を導入すると、界面にこ
の機能性分子の薄層からなる第３の連続相であるＣ相を
形成することができる。たとえば機能性分子として光電
荷発生分子を用い、高分子鎖としてそれぞれ電子輸送性
高分子鎖とホール輸送性高分子鎖を用いると、非常に高
効率な光電変換素子を形成することが出来る。また例え
ば機能性分子の代わりに非共役性の絶縁性の分子を用
い、高分子鎖として両方とも共役性高分子鎖を用いる
と、非常に薄い絶縁層で分離された半導体あるいは導体
の接合界面を形成することが出来る。Ｃ相は高分子鎖の
凝集体でも良く、Ａ鎖―Ｃ鎖―Ｂ鎖からなるトリブロッ
ク共重合体ポリマを用いることによって、共連続構造を
形成するＡ相とＢ相の界面にＣ相の連続相が形成された
構造が形成できる。この場合、たとえばＡ相、Ｂ相それ
ぞれが別々のダイヤモンド骨格を持ち、それらをつなぐ
空間がＣ相となっているＯＴＤＤ構造（ｏｒｄｅｒｅｄ
−ｔｒｉｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ ｄｏｕｂｌｅ−ｄｉａ
ｍｏｎｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）などを形成出来る。Ｏ
ＴＤＤ構造を形成する場合、Ｃ相の体積分率は共に４０
〜７０％好ましくは４５〜５５％に設定することが望ま
しい。またこの際、Ａ相とＢ相の体積分率の比＝Ａ相の
体積分率／Ｂ相の体積分率が０．７〜１．３、好ましく
は０．９〜１．１であることが良く、１であることが望
ましい。
【００４７】こうしたトリブロック共重合体ポリマーの
相分離を用いる場合には、Ａ鎖、Ｂ鎖、Ｃ鎖をそれぞれ
親水性ポリマー鎖、疎水性ポリマー鎖、フッ素系ポリマ
ー鎖の３種の組み合わせ（順不同）とすると良好な相分
離構造を形成することができる。
【００４８】この際、オリゴあるいはポリシロキサン類
たとえばポリ（ジｔ―ブトキシシロキサン）、ポリ（ジ
ｉ−プロポキシシロキサン）などのオリゴアルコキシシ
ロキサン、あるいはポリアルコキシシロキサンを共役性
高分子鎖Ａ，Ｂの結合部分の高分子鎖Ｃとして用いたト
リブロック共重合体を用いると、Ａ，Ｂ相の界面にシリ
コン酸化膜を形成することが出来る。なぜならたとえば
オリゴ（ジｔ―ブトキシシロキサン）がシート状に凝集
した後に、好ましくは酸触媒を作用させながら加熱する
ことによって、ｔ―ブトキシ基の脱離および生成したシ
ラノール基の脱水縮合反応が起こり、シリコン酸化膜が
生成するからである。こうした界面に形成される薄膜は
非常に薄くすることが可能で、しかも原理的に欠陥が生
じにくいため、例えばコンデンサーや有機ＦＥＴ素子を
形成する際などに非常に有用である。
【００４９】またポリシロキサン代わりにポリシランを
用い、相分離構造形成後に光酸化や熱酸化などによって
酸化して、シリコン酸化膜を形成しても良い。例えばポ
リ（メチルフェニルシリレン）やポリ（フェニルシリレ
ン）などが良好に用いられる。
【００５０】さらにはＰＯＳＳ（Ｐｏｌｙｈｅｄｒａｌ
Ｏｌｉｇｏｍｅｒｉｃ Ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎ
ｅ：ポリシロキサンＴ８立方体）などのシロキサンクラ
スターなどを主鎖中あるいは側鎖に有する高分子を用い
て、シリコン酸化膜を形成してもよい。例えば、下記化
学式に示されるようなメタクリレートＴ８立方体２など
を重合したものが良い。
【化２】 複数のＣ相が存在しても良い。たとえば高分子鎖Ａ，Ｂ
の間に存在するＣ部分が複数、複数種の機能分子の連鎖
を用いても良いし、例えばＣ部分が複数種のブロックか
ら構成されるブロック共重合ポリマ鎖からなっていても
良い。例えばＣ部分がジブロック共重合ポリマ鎖の場合
は全体としてテトラブロック共重合体ポリマを用意して
相分離体を形成すれば良い。こうした相分離体は後述す
るように、発光素子、光電変換素子、トランジスタ、コ
ンデンサなどに良好に用いることができ、界面面積の増
大などによる性能向上のみならず、ポリマーを塗布など
するだけで複雑な積層構造と同等の構造を実現できるた
め、製造工程を簡略化することができる。
【００５１】さらにＣ相をポリシロキサンなどの気体透
過性の良いポリマーとしたり、ポリエチレンオキサイド
のように吸湿性の良いポリマーなどの物質透過性の相と
すると、ガスセンサーやｐＨセンサーなどに用いること
ができる。
【００５２】グラフト共重合体の場合も、Ａ鎖を主鎖と
した場合、枝別れ鎖がＢ鎖とＣ鎖のジブロック共重合体
であり、かつＢ鎖がＣ鎖を介してＡ鎖に結合した構造と
することによって、同様な３相の連続相からなる相分離
構造を形成することが出来る。
【００５３】Ａ相およびＢ相の親和性の差を利用するこ
とによってＡ相のみあるいはＢ相のみに電極端子のコン
タクトを採ることが出来る。つまり、たとえば電極端子
表面がＡ相と親和性が良く、Ｂ相とは親和性が悪い場
合、Ａ相、Ｂ相を形成する高分子混合物あるいはブロッ
ク共重合体を電極端子上に塗布あるいは電極端子上で溶
融成形するだけで、電極端子をＡ相のみと接触すること
が出来る。つまり相分離の過程で、電極端子表面との接
触面ではＡ相が選択的に凝集するからである。一方の電
極表面をＡ相と、他方の電極表面はＢ相と親和性が良い
ものとすると、それぞれの相に選択的に電極を接続する
ことが出来る。例えば相分離膜が二枚の平行平板電極間
にサンドイッチされた構造の素子の場合、相分離膜ある
は相分離する前の組成物膜を二枚の電極ではさんで密着
させ、しかる後に膜を形成する各相のガラス転移点温度
以上に保持することによって、上述したような選択的な
電極の接続を行うことが出来る。電極端子表面に特定の
相との親和性を持たせるためには、最も簡単には電極端
子表面にその相と同じ高分子成分を製膜すればよい。ブ
ロック共重合体を用いて相分離構造を形成する際にも、
一方のブロックを形成するところの高分子鎖からなるホ
モポリマーを製膜すればよい。本手法は、ＯＴＤＤ相分
離構造など三相以上の相からなる相分離体の各相へ選択
的に電極を接続する際に特に有効である。Ａ相、Ｂ相の
二相からなる相分離構造の場合、各電極表面がそれぞれ
Ａ相、Ｂ相と同じ物質で被覆されていれば、この電極と
相分離体を密着させることによって容易に各相への選択
的な接続を形成することが出来る。
【００５４】このように電極表面を一方の相と親和性の
高いものとすることで容易に各相への選択的な接続を形
成することが出来る。しかしこうした親和性の高い電極
面の影響を受けて、電極との界面近傍がバイコンティニ
ュアス構造から電極表面に平行に層状構造が形成された
ラメラ相に変化してしまうことがある。このため電極を
接触する前にあらかじめバイコンティニュアス相分離構
造を形成し、しかる後に電極を接触させて、電極表面近
傍のみを選択的にアニーリングして再相分離させるのが
良い。この際、再相分離させる領域は、バイコンティニ
ュアス構造の網目構造の開口径以下さらに好ましくは開
口径の１／２以下であることが望まれる。さらにはバイ
コンティニュアス構造の相分離体と電極表面との界面に
接続用の接続層を挿入しても良い。接続層はバイコンテ
ィニュアス構造を形成しているブロック共重合体あるい
はグラフト共重合体ポリマーと同じブロック共重合体あ
るいはグラフト共重合体ポリマー、あるいはそれぞれの
ブロックポリマー鎖のホモポリマーの混合物、あるいは
バイコンティニュアス構造を形成している各相とそれぞ
れ親和性の良いポリマー鎖からなるブロック共重合体あ
るいはグラフト共重合体や、バイコンティニュアス構造
を形成している各相とそれぞれ親和性の良いポリマーあ
るいはアモルファス有機化合物の混合物から形成する。
こうした接続層はバイコンティニュアス相分離体を相分
離させるのに必要な熱処理温度以下の温度で熱処理させ
て相分離させるのが好ましい。またこの際、バイコンテ
ィニュアス相分離体を架橋などして相分離構造を固定し
てしまうのが良い。
【００５５】電極への選択的な接続を行うには、上述し
たような電極表面と各相の親和性の差を利用する以外
に、例えば無電解めっきなどで親水性相の露出面のみに
電極を析出させる方法なども用いられる。
【００５６】こうした選択的な電極への接続は、相分離
体と電極との接触面積に対して、一方の相が電極と接し
ている面積が、８０％以上、好ましくは９５％以上、よ
り好ましくは９８％以上であることが短絡等の素子性能
を低下させる要因を除去できるため良い。どの程度選択
的な接続が行われているかは透過型電子顕微鏡などの観
察によって明らかとなる。
【００５７】一般的には素子の相分離体と電極の接触界
面を電極と垂直に切り出した断面を透過型電子顕微鏡に
よって観察し、断面の界面における一方の相の接触長の
全体の界面長に対する割合が、９０％以上、好ましくは
９５％以上、より好ましくは９８％以上であることが良
い。この際、互いに直交する２つの切断面で切断した場
合の平均値を用いる。界面長は１μｍを観察することが
良い。
【００５８】もちろん上述したような選択的な接続を行
わずとも、電極の仕事関数と各相の電子親和力を勘案す
れば、電子的には選択的な接続を行ったのと等価な状態
を達成することも可能である。すなわち電極として一方
の相とはショットキー接続となり、もう一方の相とはオ
ーミック接続となるようにすれば良い。ただしこうした
場合も、あわせて選択的な接続を行った方がより良い。
【００５９】以上述べたように、ブロック共重合体ある
いはグラフト共重合体ポリマーから形成できる三次元共
連続ナノ相分離構造は非常に微細でありながら規則的で
あり、様々な機能素子に好適な構造である。そこでブロ
ック共重合体あるいはグラフト共重合体ポリマーから形
成される三次元共連続ナノ相分離構造を鋳型として用い
て、他のポリマーやポリマー以外の材料がバイコンティ
ニュアス構造、好ましくはＯＢＤＤ構造やＧｙｒｏｉｄ
構造を形成している相分離体を作製し、これに電極を接
続することによって本発明の機能素子を形成しても良
い。
【００６０】この場合、バイコンティニュアス構造の少
なくとも１つの相を除去可能な相とし、この相を相分離
後、選択的に除去することによって空隙を形成し、この
空隙に他のポリマーやポリマー以外の機能材料を充填す
れば良い。 この際、機能性ポリマー相と除去可能ポリ
マー相からなる相分離体を用いて、除去可能相を除去し
て機能性ポリマーのバイコンティニュアス構造の多孔体
を形成する。しかる後に生じた空隙に他の機能材料を充
填して、直接的に機能素子を形成してもよいし、最初に
バイコンティニュアス構造の多孔体を形成して、これを
鋳型として順次機能性材料をバイコンティニュアス構造
に成形してもよい。たとえば最初に第１の相を除去して
バイコンティニュアス構造の多孔体を形成し、この空孔
に第１の機能材料を充填する。しかる後に第二の相を選
択的に除去して、第１の機能材料の多孔体を形成する。
しかる後にこの空孔に第二の機能材料を充填して本発明
の機能素子の相分離体を形成しても良い。
【００６１】こうしたバイコンティニュアス構造の多孔
体は、一方の相を溶媒抽出や反応性プラズマエッチング
などの気相エッチングなどの手法によって選択的に除去
することによって形成することが出来る。
【００６２】たとえばポリイソプレンやポリブタジエン
のような主鎖に二重結合を有するポリマー鎖はオゾン分
解などの手法によって容易に主鎖切断反応を起こすた
め、溶剤抽出などの手法によってこれらの相を選択的に
除去することが出来る。この際生じた空隙にたとえば電
鋳や無電解めっきなどの手法によって金属や金属酸化
物、導電性ポリマーなどを充填すればよい。
【００６３】主鎖切断を起こすポリマーとしては上述の
ようにオゾンのような主鎖切断剤との反応によって主鎖
切断するものでも良いし、熱反応あるいは光反応によっ
て主鎖切断させても良い。例えばポリエチレンオキシド
鎖などは容易に熱分解させることが出来るし、ポリ（フ
ェニルイソプロペニルケトン）のように光照射するとＮ
ｏｒｒｉｓｈ Ｔｙｐｅ １反応を起して主鎖切断反応
を起こすものを用いても良い。ポリシラン鎖も光照射に
よって主鎖切断反応を起こしやすいため良い。
【００６４】またポリ（メチルメタクリレート）、ポリ
（トリフルオロメチル−α−クロロアクリレート）、ポ
リ（フルオロアルキルメタクリレート）などの電子線照
射（またはβ線照射）によって主鎖開裂反応を起すポリ
マーを一方の相とすれば、相分離体を電子線照射後、適
当な溶媒で洗浄するなどすることによって除去すること
が出来る。この際、もう一方の相を側鎖にグリシジル基
などのエポキシ基や二重結合、あるいは三重結合など電
子戦照射によって架橋しやすいポリマーとすれば、溶媒
洗浄による除去操作の選択性が向上し好ましい。照射量
は１グレイ以上が良い。
【００６５】これらの主鎖切断反応を促進する光酸発生
剤などの触媒や、光増感剤などを添加しても良い。この
際、分解しようとする相との親和性が良い添加剤を選択
することによって、添加剤を分解しようとする相へ選択
的にドーピングすることができ、分解反応を有効に促進
することが可能となるばかりでなく、もう一方の相への
副反応などの好ましくない影響を抑制することができ
る。
【００６６】こうした光照射や電子線照射などのエネル
ギー線によるバイコンティニュアス構造の多孔体の製造
工程は、 少なくとも１相がエネルギー線の照射によって主鎖切
断反応を起すポリマー鎖の凝集相（これを以下、分解性
相と称す）であることを特徴とするブロック共重合体あ
るいはグラフト共重合体高分子からなるバイコンティニ
ュアス相分離構造体にエネルギー線を照射する工程と、 照射後、分解性相を湿式あるいは乾式のエッチング手
法によって除去する工程を包含することを特徴とする。
こうした工程はバイコンティニュアス相分離構造体をシ
ート状にして、ロールｔｏロールの連続工程で行うこと
が好ましい。またエネルギー線としては可視光あるいは
紫外光などの光照射、電子線（β線）の他に、α線、γ
線、Ｘ線、重粒子線などを用いることが出来る。電子
線、γ線などのエネルギー線照射は紫外線照射などの光
照射と比較して、より相分離体内部深くまで入射するこ
とが可能なため、適用可能な相分離体の形状や膜厚など
の範囲が広く好ましい。
【００６７】また特定の相を除去するのに、かならずし
もその相のポリマーの主鎖切断を行う必要はない。相分
離構造を形成しているブロック共重合体のブロック間、
あるいはグラフト共重合体の主鎖と側鎖の連結部分を切
断すれば、溶媒抽出などの方法によって所望の相のポリ
マーを除去することが出来る。こうした場合、Ａ−Ｃ−
Ｂ型のトリブロック共重合体、あるいはＡ鎖からなる主
鎖に側鎖としてＢ−Ｃ型ジブロック共重合体鎖がＣ鎖を
介してＡ鎖の結合したグラフと共重合体を用いて共連続
構造を形成したのちに、Ｃポリマー鎖の主鎖切断反応を
起こし、Ａポリマーが不溶あるいは難溶でＣポリマーの
分解物およびＢポリマーを溶解する溶媒によってＢ相を
抽出し除去しても良い。Ｃポリマーとしては、たとえば
上述したような主鎖に二重結合を有するポリジエン類や
ポリシラン類など、あるいはポリメチルメタクリレート
など電子線照射で主鎖開裂するポリマー類などが良好に
用いられる。
【００６８】またはＣポリマー鎖の代わりに低分子の化
学結合構造であってもよい。この化学結合構造も熱や光
あるいは酸などの触媒などによって開裂するものが好ま
しく、例えば二重結合やエステル結合などが良好に用い
られる。
【００６９】以上の方法において、溶媒抽出の際に用い
る溶媒は特に限定されず、さまざまな溶媒を用いること
ができ、除去する相を良好に溶解できる溶媒を用いれば
良い。しかしながら酢酸イソアミル、プロピオン酸ベン
ジル、酪酸エチルなどのエステル類やα−ピネン、β−
ピネン、γ−テルピネン、δ−３−カレン、リモネン、
テルピレンなどのテルペン類などを用いると、低毒性で
ある上に廃液処理などの工程を簡略化することが出来良
い。特にｄ―リモネンは人体、環境に対する安全性の点
などから特に好ましい。これらの溶媒は共重合体ポリマ
ーの塗布溶媒としても好適に用いられる。
【００７０】また例えばＡ−Ｃ−Ｂ型のトリブロック共
重合体やから形成されるＯＴＤＤ構造や、Ａ鎖からなる
主鎖に側鎖としてＢ−Ｃ型ジブロック共重合体鎖がＣ鎖
を介してＡ鎖の結合したグラフト共重合体から形成され
る、Ａ相とＢ相の界面にＣ相が形成されるところのＯＴ
ＤＤ構造などの三相の連続相からなる共連続構造におい
て、Ａ相とＢ相を除去して、生じた空隙に金属や金属酸
化物などの導電材料や半導体材料を充填しても良い。例
えばＣ相をポリシリコーン相、特にポリジアルコキシシ
ロキサンの様な三次元架橋可能な絶縁層とし、Ａ相、Ｂ
相を除去した空隙に金や銅などの金属を電鋳や無電解め
っきなどの手法で充填すると、高容量のコンデンサーが
形成できる。この際、陰極側、陽極側それぞれをＡ相、
Ｂ相それぞれと親和性の良い表面で被覆するなどして、
陽極にはＡ相のみが、陰極にはＢ相のみが接触した状態
に相分離させておくことは言うまでもない。
【００７１】またこうして電鋳などの手法で金属や金属
酸化物などを充填した後、溶剤洗浄などの湿式エッチン
グやリアクティブプラズマエッチングなどの気相エッチ
ングなどによって、高分子相を除去して、金属や金属酸
化物などの三次元網目状のバイコンティニュアス構造の
多孔体を形成する。しかる後に、この多孔体に所望のホ
ール伝導性あるいは電子伝導性の物質を含浸して充填し
てもよい。充填する最には、例えばスターバースト型の
有機アモルファス低分子などの場合は、溶融して含浸す
れば良いし、有機高分子の場合は、溶液を含浸してもよ
い。また金属酸化物半導体や化合物半導体などの場合は
ゾル液を含浸するなどすればよい。
【００７２】電極端子の形状は特には限定されず、平板
状、薄膜状、多孔質膜状、棒状、繊維状、網目状、点
状、チューブ状の無機または有機の導体または半導体を
用いることが出来、櫛形電極のようなバターン電極を用
いても良い。また上述したようなバイコンティニュアス
構造の三次元網目状多孔体を用いることも出来る。
【００７３】さて、およびの形態を有する機能素子
構造は例えば、光電変換素子、太陽電池、発光素子、有
機ＦＥＴ素子、コンデンサ、エレクトロクロミック素
子、ポリマー二次電池などに用いることが出来る。以下
に各用途に適した素子構造および相分離構造の詳細につ
いて述べる。なお以下の説明にはブロック共重合体を用
いた例を中心として述べるが、これまで述べてきたよう
に、同様のことがグラフト共重合体によっても可能であ
ることは言うまでもない。 光電変換素子および太陽電池 光電変換素子あるいは太陽電池においては、一般的には
相分離構造体が平行平板電極に挟まれて配置される。な
お櫛形電極上に相分離構造体膜が形成されているもので
も良い。電極材料は特に限定されないが、平行平板電極
である場合、少なくとも一方の電極はＩＴＯ電極、フッ
素をドーピングした酸化スズなどの透明電極であること
が好ましい。またＡ相、Ｂ相がそれぞれ異なる片一方の
電極のみに接触していることが好ましい。このためそれ
ぞれの電極表面と相分離構造体の間にＡ相、Ｂ相それぞ
れの高分子成分の薄膜が形成されていることが好まし
い。この薄膜は多くの場合、高分子鎖Ａ，Ｂそれぞれの
ホモポリマーを塗布するなどして形成する。この薄膜の
膜厚は後述する相分離構造の網目の開口部の平均径より
小さいことが好ましい。Ａ相はＰ型半導体性あるいはホ
ール輸送性高分子鎖Ａより、Ｂ相はｎ型半導体性あるい
は電子輸送性高分子鎖Ｂよりなる。具体的にはたとえば
Ａ相はポリビニルカルバゾール類、トリアリルアミン類
やオリゴチオフェン類、オリゴピロール類などを側鎖に
有するポリアクリル酸エステルやポリメタクリル酸エス
テルなど、あるいはポリパラフェニレンビニレン類やポ
リパラフェニレン類、ポリアセチレン類などが、Ｂ相と
しては主鎖中あるいは側鎖としてペリレン類やフラーレ
ン類あるいはオキサジアゾール類やトリアゾール類など
の含窒素複素環化合物類などを導入した高分子鎖が用い
られる。またＡ相、Ｂ相としてｐ型およびｎ型ドープし
たポリアセチレンやｐ型ドープしたポリピロール誘導体
とｎ型ドープしたポリチオフェン誘導体などの組み合わ
せの共役性高分子鎖を用いてもよい。また例えばＣ相と
してＨＯＭＯ（最高被占価電子帯）準位がホール輸送性
高分子鎖ＡのＨＯＭＯ準位よりも低く、ＬＵＭＯ（最低
非占価電子帯）準位が電子輸送性高分子鎖ＢのＬＵＭＯ
準位よりも高い光増感色素分子構造を導入すると、さら
に効率が向上する。さらにはＡ鎖、Ｂ鎖を導電性の共役
性高分子鎖とし、Ｃ相を光励起電子移動が可能なＣ１
部、Ｃ２部の二つのブロックから構成される分子構造の
凝集構造とすることによって（たとえばＡ鎖―Ｃ１鎖―
Ｃ２鎖―Ｂ鎖からなるテトラブロック共重合体ポリマか
ら形成できる）、チャージアップによる光電変換効率の
低下を起こしにくい素子を形成することができる。この
際たとえばそれぞれＡ鎖、Ｂ鎖をポリチアナフテン誘導
体からなるポリマ鎖とし、Ｂｒ−などでドーピングした
ものをＡ相、Ｂ相として用いると、Ａ相、Ｂ相は可視光
に対してほぼ透明となりたとえば太陽電池などとして用
いる場合、高効率な発電を行うことができる。
【００７４】相分離形態はＯＢＤＤ構造の共連続相分離
構造であることが好ましい。また光の散乱を押さえ、十
分な透過率を確保し、かつ界面面積を増大するために、
網目の開口部の平均径は２００ｎｍ以下が好ましく、よ
り好ましくは１００ｎｍ以下、更に好ましくは３０ｎｍ
以下であることが好ましい。理想的には５〜１０ｎｍで
あるとよい。
【００７５】さらには同様にＡ鎖―Ｃ鎖―Ｂ鎖（ただし
Ｃ鎖の分子量はＡ鎖、Ｂ鎖と比較して充分小さい。Ａ鎖
とＢ鎖は非相溶）のトリブロック共重合体を用い、Ａ
鎖、Ｂ鎖をそれぞれ電子伝導性、ホール伝導性高分子
鎖、Ｃ鎖をイオン導電性高分子鎖とする。相分離体を形
成する際、たとえば溶液からキャストなどする際に、可
逆的に酸化還元可能な電解質塩を溶解した溶液からキャ
ストするなどして、Ｃ相に可逆的に酸化還元可能な電解
質塩が溶解したトリコンティニュアス構造を形成すれ
ば、電気化学光電変換素子を形成することが出来る。こ
の際、電解質塩の酸化還元準位は、Ａ鎖が光励起される
場合、Ａ鎖のＬＵＭＯよりも高く、Ｂ鎖のＬＵＭＯより
も低いものを、Ｂ鎖が光励起される場合、Ａ鎖のＨＯＭ
Ｏよりも高く、Ｂ鎖のＨＯＭＯよりも低いものを、Ａ
鎖、Ｂ鎖いずれも光励起される場合、Ａ鎖のＬＵＭＯよ
りも高く、Ｂ鎖のＨＯＭＯよりも低く設定されることが
良い。また必要に応じてＡ相、Ｂ相に光増感色素をドー
ピングしても良いし、Ａ相、Ｂ相とＣ相との界面に選択
的にドーピングしても良い。この場合、Ａ鎖、Ｂ鎖とＣ
鎖との結合部位に光増感色素構造を導入すれば良い。 発光素子 発光素子においても、多くの場合、平行平板電極に挟ま
れて本発明の相分離構造体が配置された構造を成す。以
下に代表的な構造を図示する。構造１、２は両電極から
注入された正負のキャリアーの再結合効率を向上させ
る。構造３、４、５、６、７は電極と発光層あるいは電
荷輸送層との接触界面の面積を増大させ、電極からのキ
ャリアー注入効率を増大させる。導電性高分子鎖として
はポリアニリン類、ポリチオフェン類、ポリピロール類
などが用いられ多くの場合、十分なドーピングが行われ
る。またポリアクリロニトリルを熱処理したラダーポリ
マーなども用いることが出来る。
【００７６】また光電変換素子の項で述べたようなトリ
ブロック共重合体あるいはテトラブロック共重合体など
を用いて、三相あるいは四相が連続した共連続構造を用
いても良い。例えばＡ鎖―Ｃ鎖―Ｂ鎖（ただしＣ鎖の分
子量はＡ鎖、Ｂ鎖と比較して充分小さい）のトリブロッ
ク共重合体を用いてＡ相、Ｂ相が三次元共連続相分離構
造を形成し、しかもＡ相とＢ相の界面にシート状のＣ相
の連続相が形成された相分離構造体を形成する。この際
例えばＡ相を電子伝導性相、Ｂ相をホール伝導性相、Ｃ
相を発光相とすれば、三層からなる積層構造素子と同等
な構成を形成することが出来る。同様にテトラブロック
共重合体を用いれば四層の積層構造と同等な構成とな
る。このように本発明の素子においては、一層が数〜数
十ｎｍオーダの積層構造と等価な構造を媒体中に自己発
展的に形成することができる。そのため例えばＡ鎖−Ｃ
１鎖−Ｃ２鎖−Ｂ鎖（各ブロックの分子量：Ａ鎖、Ｂ鎖
＞＞Ｃ１鎖、Ｃ２鎖）からなるテトラブロック共重合体
を用いて、連続な４相からなる共連続構造を形成し、か
つＡ相（Ａ鎖が凝集した相。）、Ｂ相（Ｂ鎖が凝集した
相）を導電相、Ｃ１鎖をホール輸送相、Ｃ２鎖を電子輸
送および発光相とする。この素子は薄層のＣ１相とＣ２
相を積層した２層積層ＥＬ素子と等価な構造となる。し
かもこの相分離構造体をいかような形態に成形しても、
この関係は変化しない。つまり本発明の相分離構造体素
子を用いれば、プロセスが煩雑であった薄膜積層型の素
子と等価な素子を簡便に製造することが可能であるばか
りでなく、素子形態の自由度がます。例えば繊維状にす
ることも出来る。また電極構造も一般的な平行平板電極
でなく櫛形電極を用いても十分な性能を発現することが
可能となる。しかも相間の界面面積は増大し、かつナノ
構造により電界の集中効果のためにキャリアの相間の注
入効率が増大するなどの効果があるため大幅な性能向上
も可能となる。 有機トランジスタ素子 たとえばトリブロック共重合体を用いて、三相が連続し
た共連続構造を用いて形成される。例えばＡ鎖―Ｃ鎖―
Ｂ鎖（ただしＣ鎖の分子量はＡ鎖、Ｂ鎖と比較して充分
小さい）のトリブロック共重合体を用いてＡ相、Ｂ相が
三次元共連続相分離構造を形成し、しかもＡ相とＢ相の
界面にシート状のＣ相の連続相が形成された相分離構造
体を形成する。この際Ａ相を導電相とし、Ｂ相を半導体
相、Ｃ相を絶縁相とする。この相分離構造体にゲート電
極と一対のソース電極、ドレイン電極を設置すれば絶縁
ゲート型のトランジスタ素子を形成することが出来る。
【００７７】この際、ゲート電極表面はＡ鎖のホモポリ
マなどを塗布するなどしてＡ相と親和性を高くし、ソー
ス電極、ドレイン電極表面はＢ鎖のホモポリマを塗布す
るなどしてＢ層との親和性を高くすれば、ゲート電極は
Ａ相と、ソース電極、ドレイン電極はＢ相と選択的に接
触することとなる。こうした三相共連続構造体のトラン
ジスタは、ゲート電極が三次元網目状に半導体層に侵入
した構造となっているため、ゲート長にたいして実効的
なゲート幅を増大させることが出来るため、大きなＯＮ
電流が得られる。
【００７８】またＡ鎖―Ｂ鎖からなるジブロック共重合
体から形成されたＡ相、Ｂ相からなる共連続構造体にお
いて、Ａ相とＢ相界面をショットキー接合とすれば、シ
ョットキーゲート型トランジスタ素子を形成することも
出来る。
【００７９】この際、１対のかみ合った櫛形電極とこの
櫛形電極と対向するシート状電極を配置し、櫛形電極と
シート状電極との間の空隙に相分離体が充填した構造と
するのがよい。この際、櫛形電極の１方は、導電相と絶
縁相とのみ接触させ、これをゲート電極とし、櫛形電極
の他方とシート状電極は半導体相と絶縁相とのみ接触さ
せて、それぞれソース電極とドレイン電極とするのが良
い。 コンデンサ たとえばトリブロック共重合体を用いて、三相が連続し
た共連続構造を用いて形成される。例えばＡ鎖―Ｃ鎖―
Ｂ鎖（ただしＣ鎖の分子量はＡ鎖、Ｂ鎖と比較して充分
小さい。Ａ鎖とＢ鎖は非相溶）のトリブロック共重合体
を用いてＡ相、Ｂ相が三次元共連続相分離構造を形成
し、しかもＡ相とＢ相の界面にシート状のＣ相の連続相
が形成された相分離構造体を形成する。この際Ａ相、Ｂ
相を導電相あるいは半導体相、Ｃ相を絶縁相とする。こ
の相分離体に陽極と陰極を設置する。この際、陽極表面
はＡ鎖のホモポリマなどを塗布するなどしてＡ相と親和
性を高くし、陰極表面はＢ鎖のホモポリマを塗布するな
どしてＢ層との親和性を高くして、陽極はＡ相と、陰極
はＢ相と選択的に接触させるＡ相としてはドープしたポ
リアニリン類、ポリピロール類、ポリチオフェン類、あ
るいはこれらのオリゴマーを側鎖とするポリビニル類な
どのホールコンダクタが、Ｂ相としてはポリー２―ビニ
ルピリジンやポリビニルカルバゾールなどの電子供与性
高分子や高分子ポリカチオンとのＴＣＮＱとのＣＴ錯体
や錯塩などが用いられる。絶縁相としてはポリシロキサ
ン類やポリイミド類、アルミニウム錯体などの金属錯体
や金属キレート構造を主鎖や側鎖に導入した金属錯体ポ
リマなどが用いられる。
【００８０】さらには同様にＡ鎖―Ｃ鎖―Ｂ鎖（ただし
Ｃ鎖の分子量はＡ鎖、Ｂ鎖と比較して充分小さい。Ａ鎖
とＢ鎖は非相溶）のトリブロック共重合体を用い、Ａ
鎖、Ｂ鎖を導電性高分子鎖、Ｃ鎖をポリエチレンオキシ
ドやポリビニルアルコールの様なイオン導電性高分子鎖
とする。相分離体を形成する際、たとえば溶液からキャ
ストなどする際に、支持電解質塩を溶解した溶液からキ
ャストするなどして、Ｃ相に支持電解質塩が溶解したト
リコンティニュアス構造を形成すれば、Ａ相、Ｂ相を多
孔質電極とする電気二重層コンデンサを形成することが
出来る。この際、イオン導電性高分子鎖としてはポリエ
チレンオキシドの様な非プロトン性のポリマとした方が
コンデンサの耐電圧を高く出来良い。またＣ相は支持電
解質塩が溶解しているのみでなく、水やエチレンカーボ
ネートなどの炭酸エステルなどのエステル類や、エチレ
ングリコールなどのエーテル類、スルホラン、塩化メチ
レンなどといった非水極性溶媒が膨潤していると、イオ
ン伝導度が向上して良い。この様なコンデンサは容量を
低下させることなく電極部位の内部抵抗を低減すること
が出来て、充電あるいは放電時の電流を大きくすること
が出来る。
【００８１】またＰ型半導体相とＮ型半導体相の共連続
相分離構造体を形成し、逆バイアスの電極配置としても
よい。またＡ鎖をホール輸送性あるいは電子輸送性高分
子鎖とし、Ｂ鎖をイオン伝導性の高分子鎖として、電気
二重層コンデンサや電気化学光電変換素子を形成しても
良いが、上述のようにトリコンティニュアス構造とする
ほうが、素子の内部抵抗を低減でき、出力電流を大きく
することができ良い。 エレクトロクロミック素子 Ａ鎖―Ｃ鎖―Ｂ鎖（ただしＣ鎖の分子量はＡ鎖、Ｂ鎖と
比較して充分小さい。Ａ鎖とＢ鎖は非相溶）のトリブロ
ック共重合体を用い、Ａ鎖、Ｂ鎖の少なくとも一方をそ
れぞれ可逆的な酸化還元反応によって変色する半導体性
高分子鎖とし、残りを導電性高分子鎖、Ｃ鎖をイオン導
電性高分子鎖とする。相分離体を形成する際、たとえば
溶液からキャストなどする際に、支持電解質塩を溶解し
た溶液からキャストするなどして、Ｃ相に支持電解質塩
が溶解したトリコンティニュアス構造を形成すれば、高
速応答可能なエレクトロクロミック素子を形成すること
が出来る。これは例えばＡ鎖―Ｂ鎖（Ａ鎖は可逆的な酸
化還元反応によって変色する半導体性高分子鎖、Ｂ鎖は
イオン伝導性高分子鎖、Ａ鎖とＢ鎖は非相溶）からなる
バイコンティニュアス相分離体に一対の電極を接続させ
た半導体相―イオン伝導相バイコンティニュアス構造素
子と比較して応答速度を向上させることが出来る。つま
り半導体相―イオン伝導相バイコンティニュアス構造素
子では、確かに半導体相とイオン伝導相との界面面積は
トリコンティニュアス構造同様大きいが、界面とイオン
伝導相に接続された電極までの距離が長く、内部抵抗の
増大や応答速度の低下を招いてしまう。ところがトリコ
ンティニュアス構造においては、半導体相と導電相の界
面に形成されたイオン伝導相は厚さが数十ｎｍ程度であ
るために、応答速度を充分早くすることが可能となる。
またＡ鎖、Ｂ鎖を一方をｎ型にドーピング可能な高分子
鎖、もう一方をｐ型にドーピング可能な高分子鎖とする
か、両者をいずれもｎ型およびｐ型双方にドーピング可
能な高分子鎖で形成することによって、プッシュプル型
のエレクトロクロミック素子となり、多色表示などが可
能となる上、応答性やコントラストを向上させることが
可能となる。またこのようなプッシュプル型の素子構造
はポリマー二次電池としても用いることが出来、高容
量、低内部抵抗の二次電池を提供できる。
【００８２】このようにブロック共重合体を用いること
によって、バイコンティニュアス相分離構造、あるいは
トリコンティニュアス相分離構造を有する各種の機能素
子を形成することが出来る。これらの素子、とくにバイ
コンティニュアス構造を有する素子は、グラフト共重合
体やスター型のブロック共重合体などをもちいても形成
することが可能であるのは言うまでもない。またかなら
ずしもポリマー由来の材料から形成する必要も無いが、
製造の簡便さ、相分離構造制御の容易さなどから、ポリ
マーを用いて形成するのが好ましい。
【００８３】以上のように本発明によれば界面面積が大
きく、かつ界面の剥離が起こりにくい高耐久性の機能素
子を提供することができる。また本発明の機能素子は単
にポリマ材料を塗布などするだけで形成することが可能
で、三相の連続相からなる相分離構造体からなる機能素
子など多層の積層構造を持った従来にない素子構造を提
供することができる。これは従来のポリマー材料のブレ
ンド系などでは形成することが不可能な構造である。さ
らに電子あるいはホールをキャリアとする導電相あるい
は半導体相を用いているため、イオン伝導相を用いた同
様の素子と比較して、素子の応答速度が速い。またイオ
ン伝導相を用いるものであっても、トリコンティニュア
ス構造であれば、イオンの輸送距離を短くすることが可
能であり、やはり応答速度を著しく向上させることが出
来る。
【００８４】さて本発明の第３の形態の、導電性、半導
体性あるいはイオン伝導性であるシート状のＡ相および
Ｂ相が交互に積層した積層構造体と、この交互積層体に
４ケ所以上で貫入し、かつ積層面を貫通するように設置
された少なくとも１対の電極からなることを特徴とする
機能素子は、通常、これまで述べてきたようなバイコン
ティニュアス構造を有する素子と同様にブロック共重合
体、グラフト共重合体等の高分子の相分離を利用して良
好に形成することが出来る。一方の相の体積分率を４０
〜６０％、好ましくは４５〜５５％に設定することによ
って、ラメラ型に相分離させることが可能となり、本発
明の機能素子の積層構造を形成することができる。積層
構造に貫入する電極もバイコンティニュアス構造を有す
る素子と同様に、電極表面を特定の相と親和性を良くす
ることによって各相への選択的な電極の接続を実現する
ことが出来る。
【００８５】こうした積層構造において例えば、Ａ相を
ｎ型半導体相、Ｂ相をｐ型半導体相とすれば発光素子、
光電変換素子などに利用できる。またＡ相、Ｂ相を導電
性相あるいは半導体相、Ｃ相をイオン導電相とすれば、
エレクトロクロミック素子、二次電池などを形成でき
る。さらにはＣ相を絶縁相とすればコンデンサなどを形
成できる。
【００８６】電極は例えば繊維状の電極を織り合わせた
メッシュ状やクロス状のものなどが良好に用いられる。
このメッシュ状やクロス状の電極と積層体を複合化さ
せ、多くはシート状に成形して本発明の積層構造を有す
る素子が形成される。ブロック共重合体ポリマーやグラ
フト共重合体ポリマーからなるポリマー材料を用いる際
には、これらのポリマー材料の溶液をメッシュ状やクロ
ス状の電極に含浸させても良いし、または電極を二枚の
シート状に成形したポリマー材料でサンドイッチした
後、ホットプレスなどして複合化させても良い。複合化
した後、好ましくはポリマー材料のガラス転移点以上の
温度で加熱処理してアニーリングすることによって、良
好な相分離形状および必要に応じて電極との選択的な接
続構造を形成することが出来る。
【００８７】また例えば導電性あるいは半導体性の好ま
しくは針状あるいは線状の微粒子を積層体中に分散さ
せ、かつこれらの微粒子を相互にパーコレーションさせ
ることによって電極を形成しても良い。こうした微粒子
としては、例えば針状カーボンやカーボンナノチューブ
などのカーボン微粒子、インジウムチンオキサイド（以
下ＩＴＯと称す）などの透明導電性微粒子、金属微粒子
などが良好に用いられる。さらには積層体中にめっきな
どの手法によってこのましくはデンドライト状やフラク
タル状の電極を析出させても良い。発光素子や光電変換
素子などに用いる際は特に紫外〜可視領域の光の散乱を
防ぐために、大きさが数十ｎｍオーダーの超微粒子を用
いるのが良い。
【００８８】それぞれの電極は、積層体を構成する層の
内、２０％以上、好ましくは５０％以上、より好ましく
は８０％以上、望ましくは９５％以上の層を貫通してい
ることが良い。また少なくとも１つの積層界面をそれぞ
れの電極が４カ所以上貫通している。貫通個所は好まし
くは１０カ所以上、より好ましくは１００カ所以上、望
ましくは１０００カ所以上貫通していることが良い。
【００８９】さらに貫通個所間の平均距離は、Ａ層、Ｂ
層の層厚の平均値の好ましくは１００００倍以下、さら
に好ましくは１０００倍以下、より望ましくは１００倍
以下、さらに望ましくは１０倍以下であることが良い。
【００９０】このように電極が複雑に積層体中に貫入す
ることによって、素子の内部抵抗の低減や応答速度の増
大を実現することが可能となる。
【００９１】積層構造の各相の膜厚は特に限定されない
が、好ましくは２〜１００ｎｍ、より好ましくは５〜５
０ｎｍ、さらに望ましくは１０〜２０ｎｍであることが
よい。膜厚が厚すぎると素子の応答速度の低下や内部抵
抗の増大などの素子性能の低下を招き良くない。また薄
すぎると良好な相分離構造を形成することが困難とな
る。
【００９２】また積層構造の層数は界面面積を十分確保
するため４層以上、好ましくは１００層以上、さらに好
ましくは５００層以上、望ましくは１０００層以上であ
るのが良い。
【００９３】以上詳述したように本発明によれば従来に
ない素子構造によって素子の性能を著しく向上させるこ
とが可能であり、またこうした素子構造を簡便に低コス
トで作製することが可能となり、工業的価値は非常に大
きい。 （実施例）以下に本発明を実施例に基づいて具体的に説
明する。しかしながら本発明がこれらの実施例のみに限
定されるものではない。
【００９４】なお以下の実施例において、リビング重合
とラジカル重合にもちいた溶媒は、いずれも金属ナトリ
ウムなどの乾燥剤を入れてリフラックスした後、蒸留し
た脱水溶媒を用いた。』また凍結脱気を行い酸素ガスの
脱気を行ってから用いた。またリビング重合およびラジ
カル重合は、アルゴンガス雰囲気下、４気圧の加圧条件
下で反応を行った。実施例１ ：発光素子 ・ジブロック共重合体ポリマーの合成 リビングアニオン重合法により下記化学式に示されるジ
ブロック共重合体ポリマー３を合成した。モノマーとし
てそれぞれ下記化学式に示されるマスクトジシレン４お
よびメタクリル酸エステル５を用い、開始剤としてｓｅ
ｃ−ブチルリチウムを用い、ＴＨＦ溶媒中、反応温度―
７８℃でモノマを順次添加して合成した。重量平均分子
量Ｍｗ＝３７６００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．１、ポリシラン
ユニット分子量＝２６０００、ポリメタクリル酸エステ
ル５ユニット分子量＝１１６００であった。
【化３】 ・発光素子の作製 ガラス基板の一表面に、陽極として１０ｍｍ×１０ｍｍ
のＩＴＯ電極（表面抵抗率１５Ω／□）を形成した。ジ
ブロック共重合体ポリマー３のトルエン溶液をＩＴＯ電
極上に塗布し膜厚１００ｎｍのジブロック共重合体ポリ
マー３層を形成した。
【００９５】アルゴン気流下、１５０℃で８時間加熱し
てこのジブロック共重合体ポリマー３層を相分離させ
た。加熱後、ジブロック共重合体ポリマー３層上に、１
×１０ ―６ｔｏｒｒの減圧雰囲気下でアルミニウムを蒸
着して膜厚５０ｎｍ、面積８×８ｍｍのアルミニウム陰
極を形成して発光素子を作製した。加熱処理後のジブロ
ック共重合体ポリマー３層をＴＥＭ観察したところ、開
口径１６ｎｍのＯＢＤＤ相分離構造が形成されていた。比較例１ ガラス基板の一表面に、陽極として１０×１０ｍｍのＩ
ＴＯ電極（表面抵抗率１５Ω／□）を形成した。マスク
トジシレン４を単独重合させたポリシラン６（Ｍｗ＝２
６０００）およびメタクリル酸エステル５を単独重合し
たポリメタクリル酸エステル７（Ｍｗ＝１２０００）を
重量比１３：６で混合した混合物のトルエン溶液をＩＴ
Ｏ電極上に膜厚１００ｎｍとなるように塗布した。
【００９６】さらにこのポリマー層上に、１×１０―６
ｔｏｒｒの減圧雰囲気下でアルミニウムを蒸着して膜厚
５０ｎｍ、面積８×８ｍｍのアルミニウム陰極を形成し
た。陰極形成後、アルゴン気流下、１５０℃で８時間加
熱してポリマー層を相分離させ、発光素子を作製した。実施例２ ・トリブロック共重合体ポリマーの合成 リビングアニオン重合法を用いて下記化学式に示される
トリブロック共重合体ポリマー８を合成した。モノマー
としてそれぞれ下記化学式に示されるメタクリル酸エス
テル９、およびエチレンオキシド１０、１１を用い、塩
化リチウム共存下、ジフェニルメチルリチウムを開始剤
として用い、ＴＨＦ溶媒中、反応温度―７８℃でモノマ
を順次添加して合成した。重量平均分子量Ｍｗ＝４４７
００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．２、ポリ（メタクリル酸エステ
ル９）ユニット分子量＝１１０００、ポリ（エチレンオ
キシド１０）ユニット分子量＝２２８００、ポリ（エチ
レンオキシド１１）ユニット分子量＝１０９００であっ
た。
【化４】 ・発光素子の作製 ガラス基板の一表面に、陽極として１０ｍｍ×１０ｍｍ
のＩＴＯ電極（表面抵抗率１５Ω／□）を形成した。ト
リブロック共重合体ポリマー８のトルエン溶液をＩＴＯ
電極上に塗布し膜厚１００ｎｍのトリブロック共重合体
ポリマー８層を形成した。
【００９７】このトリブロック共重合体ポリマー８層上
に、１×１０―６ｔｏｒｒの減圧雰囲気下でアルミニウ
ムを蒸着して膜厚５０ｎｍ、面積８×８ｍｍのアルミニ
ウム陰極を形成した。陰極形成後、アルゴン気流下、１
５０℃で８時間加熱してトリブロック共重合体ポリマー
８層を相分離させ、発光素子を作製した。加熱処理後の
トリブロック共重合体ポリマー８層をＴＥＭ観察したと
ころ、開口径１７ｎｍのＯＴＤＤ相分離構造が形成され
ていた。比較例２ ガラス基板の一表面に、陽極として１０×１０ｍｍのＩ
ＴＯ電極（表面抵抗率１５Ω／□）を形成した。メタク
リル酸エステル９、およびエチレンオキシド１０、１１
をそれぞれ単独重合したポリメタクリル酸エステル１
２、ポリエチレンオキシド１３、１４を実施例２のトリ
ブロック共重合体ポリマー８の共重合体比と同じ重量比
で混合した混合物溶液をＩＴＯ電極上に塗布して膜厚１
００ｎｍのポリマー層を形成した。
【００９８】さらにこのポリマー層上に、１×１０―６
ｔｏｒｒの減圧雰囲気下でアルミニウムを蒸着して膜厚
５０ｎｍ、面積８×８ｍｍのアルミニウム陰極を形成し
た。陰極形成後、アルゴン気流下、１５０℃で８時間加
熱してポリマー層を相分離させ、発光素子を作製した。
【００９９】以上のようにして作製されたそれぞれの発
光素子について、７Ｖの直流電圧を印可して、定電圧駆
動した際の電流値Ｉ（ｍＡ／ｃｍ２）、および素子外部
で検出されるフォトン数を素子を流れたキャリア数で割
ることにより得られる外部量子収率Ψを測定した。その
結果を表１に示す。
【表１】 表１の通り、本発明のバイコンティニュアス構造、およ
びトリコンティニュアス構造を有する発光素子構造にす
ることによって発光効率を向上させることが出来た。実施例３ ：発光素子 ・グラフト共重合体の合成 下記化学式に示されるシクロジエン誘導体１５と、マク
ロマー１６のＴＨＦ混合溶液にラジカル開始剤としてＡ
ＩＢＮを加え、アルゴン雰囲気下、６０度、１２０時間
加熱して、下記化学式に示されるグラフト共重合体ポリ
マー１７をラジカル共重合により合成した。重量平均分
子量Ｍｗ＝２１０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．１、ポリシク
ロジエンユニット分子量＝５９００、マクロマー１６ユ
ニット分子量＝１５１００であった。
【化５】 ・発光素子の作製 ガラス基板の一表面に、陽極として１０ｍｍ×１０ｍｍ
のＩＴＯ電極（表面抵抗率１５Ω／□）を形成した。グ
ラフト共重合体ポリマー１７の溶液をＩＴＯ電極上に塗
布し膜厚２００ｎｍのグラフト共重合体ポリマー１７層
を形成した。
【０１００】１×１０―８ｔｏｒｒの真空下、１５０℃
で８時間、さらに２００度で２時間加熱して、ポリシク
ロジエン鎖をポリパラフェニレン鎖に変換した。加熱処
理後のグラフト共重合体ポリマー１７層をＴＥＭ観察し
たところ、平均開口径８ｎｍのバイコンティニュアス相
分離構造が形成されていた。
【０１０１】熱処理後、グラフト共重合体ポリマー１７
層上に、１×１０―６ｔｏｒｒの減圧雰囲気下でアルミ
ニウムを蒸着して膜厚５０ｎｍ、面積８×８ｍｍのアル
ミニウム陰極を形成して発光素子を作製した。この発光
素子の外部量子収率Ψは０．１％と良好な値を示した。実施例４ ： 発光素子 ・リアクディブプロセッシングによる発光素子の作製 下記化学式に示される２種のテレケリックポリマー１８
および１９を官能性連鎖移動剤を用いたラジカル重合に
より合成した。カルボキシル基末端テレケリックポリマ
ー１８重量平均分子量Ｍｗ＝１２１００、Ｍｗ／Ｍｎ＝
１．９、カルボキシル基末端テレケリックポリマー１９
重量平均分子量Ｍｗ＝４７００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．８で
あった。
【化６】 ガラス基板の一表面に、陽極として１０ｍｍ×１０ｍｍ
のＩＴＯ電極（表面抵抗率１５Ω／□）を形成した。ア
ミノ基末端テレケリックポリマー１８とカルボン酸末端
テレケリックポリマー１９の等モル混合溶液をＩＴＯ電
極上に塗布し膜厚２００ｎｍの混合ポリマー層を形成し
た。
【０１０２】アルゴン気流下、１５０℃で２４時間加熱
して、混合ポリマー層を相分離させた。加熱処理後の混
合ポリマー層をＴＥＭ観察したところ、平均開口径６ｎ
ｍのＧｙｒｏｉｄ型のバイコンティニュアス相分離構造
が形成されていた。
【０１０３】熱処理後、混合ポリマー層上に、１×１０
―６ｔｏｒｒの減圧雰囲気下でアルミニウムを蒸着して
膜厚５０ｎｍ、面積８×８ｍｍのアルミニウム陰極を形
成して発光素子を作製した。この発光素子の外部量子収
率Ψは０．２％と良好な値を示した。実施例５ ：エレクトロクロミック素子 ・トリブロック共重合体ポリマーの合成 リビングアニオン重合法を用いて下記化学式に示される
ジブロック共重合体ポリマー２０を合成した。モノマー
として下記化学式に示されるトリチオフェン誘導体２１
およびエチレンオキシドを用い、塩化リチウム共存下、
α−スチリルリチウムを開始剤として用い、ＴＨＦ溶媒
中、反応温度―７８℃でモノマを順次添加して合成し
た。
【化７】 このジブロック共重合体ポリマー２０と過剰の４―アミ
ノ安息香酸を反応させてポリオキシエチレン鎖末端の水
酸基を４―アミノ安息香酸エステルにした。この末端エ
ステル化ジブロック共重合体ポリマーと塩化鉄（III）
をクロロホルムに溶解した。この溶液にアニリンのクロ
ロホルム溶液を滴下して、末端エステル部位のアミノ基
からポリアニリン鎖を成長させ、トリチオフェン誘導体
ポリマーポリエチレンオキシドーポリアニリントリブロ
ック共重合体ポリマー２２を沈殿として得た。重量平均
分子量Ｍｗ＝７０４００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．６、ポリト
リチオフェン誘導体分子量＝１８４００、ポリオキシエ
チレンユニット分子量＝３３８００、ポリアニリンユニ
ット分子量＝１８２００。得られたトリブロック共重合
体ポリマー２２を脱ドープ処理後、Ｎ−メチルー２―ピ
ロリドン溶液とした。キャスティング法により膜厚５０
μｍで２０ｍｍ角のトリブロック共重合体ポリマー２２
膜を作製した。
【０１０４】次に表面をそれぞれ電解重合法によってポ
リチオフェンでコーティングしたＩＴＯ基板およびポリ
アニリンでコーティングした銅メッシュ電極（２０ｍｍ
角）を用意し、このＩＴＯ基板と銅メッシュ電極で先の
トリブロック共重合体ポリマー２２膜をサンドイッチし
てホットプレスした後、アルゴン気流下１５０度、８時
間加熱処理した。
【０１０５】加熱処理後、１Ｍ硫酸水溶液に２時間浸漬
後、ＰＥＴフィルムで封止して、本発明のエレクトロク
ロミック素子を作製した。この素子のトリブロック共重
合体ポリマー２２膜の断面をＴＥＭ観察したところ、ト
リチオフェン誘導体ポリマー相、ポリアニリン相それぞ
れが平均開口径が約３０ｎｍの三次元網目状の連続相で
あり、両相の界面にポリエチレンオキシド相が形成され
たトリコンティニュアス構造であることが確認された。
またトリチオフェン誘導体ポリマー相、ポリアニリン相
はそれぞれＩＴＯ電極表面、銅メッシュ電極表面にコー
ティングされたトリチオフェン誘導体層、ポリアニリン
層のみと接触していて、両相はポリエチレンオキシド相
によって分離され、直接接触している状態は観察されな
かった。
【０１０６】このエレクトロクロミック素子を作動電圧
−１．５〜１．５Ｖで駆動したところ、可逆的なエレク
トロクロミズムを示した。応答速度は約２００μｓｅｃ
と従来の薄膜積層型の素子と比較して高速であった。ま
たこの条件で色調変化のコントラストが、初期コントラ
ストの５０％となるまでに、３×１０８サイクル以上の
駆動が可能であり良好な耐久性を有することがわかっ
た。実施例６ ：ポリマー電池 ・トリブロック共重合体ポリマーの合成 下記化学式に示される末端修飾型ポリエチレンオキシド
２３と２−アミノアニソール−４−スルホン酸をアンモ
ニア水溶液に攪拌溶解し、室温でペルオキソ二硫酸アン
モニウム水溶液を滴下した。滴下後、室温で１５時間攪
拌した後、反応生成物を濾別洗浄後乾燥してジブロック
共重合体を得た。
【化８】 このジブロック共重合体と過剰の４―アミノ安息香酸を
反応させてポリオキシエチレン鎖末端の水酸基を４―ア
ミノ安息香酸エステルにして、アミノ基末端ジブロック
共重合体を合成した。
【０１０７】次にこのアミノ基末端ジブロック共重合体
と過硫酸アンモニウムを水に攪拌溶解し、―５度でアニ
リンの塩酸水溶液を１時間かけて滴下した。滴下後、１
０時間―５度で攪拌した。生成した固形物を濾別して５
％アンモニア水で脱ドープ処理した。処理後、クロロホ
ルムによって抽出して（ポリ（２―アミノアニソールー
４―スルホン酸））―（ポリエチレンオキシド）―（ポ
リアニリン）型のトリブロック共重合体ポリマー２４を
得た。重量平均分子量Ｍｗ＝１８００００、Ｍｗ／Ｍｎ
＝１．７、ポリ（２−アミノアニソール−４−スルホン
酸）ユニット分子量＝４４０００、ポリ（エチレンオキ
シド）ユニット分子量＝９００００、ポリ（アニリン）
ユニット分子量＝４６０００であった。
【０１０８】得られたトリブロック共重合体ポリマー２
４をＮ−メチルー２―ピロリドン溶液とし、キャスティ
ング法により膜厚５０μｍで２０ｍｍ角のトリブロック
共重合体ポリマー２４膜を作製した。
【０１０９】次にそれぞれ表面をポリ（２−アミノアニ
ソール−４−スルホン酸）およびポリアニリンでコーテ
ィングした一対の銅メッシュ電極（２０ｍｍ角）を用意
し、この一対の銅メッシュ電極で先のトリブロック共重
合体ポリマー２４膜をサンドイッチしてホットプレスし
た後、アルゴン気流下１５０度、８時間加熱処理した。
【０１１０】加熱処理後、１Ｍ硫酸水溶液に２時間浸漬
した。浸漬後、アルミニウムラミネートフィルムで封止
して本発明のポリマー電池を作製した。この素子のトリ
ブロック共重合体ポリマー２４膜の断面をＴＥＭ観察し
たところ、ポリ（２−アミノアニソール−４−スルホン
酸）相、ポリアニリン相それぞれが平均開口径が約７０
ｎｍの三次元網目状の連続相であり、両相の界面にポリ
エチレンオキシド相が形成されたトリコンティニュアス
構造であることが確認された。またポリ（２−アミノア
ニソール−４−スルホン酸）相、ポリアニリン相はそれ
ぞれ銅メッシュ電極表面にコーティングされたポリ（２
−アミノアニソール−４−スルホン酸）層、ポリアニリ
ン層のみと接触していて、かつ両相はポリエチレンオキ
シド相によって分離され、直接接触している状態は観察
されなかった。またこのポリマー電池を駆動したとこ
ろ、可逆的に充放電可能であることが確認された。実施例７ ：コンデンサ ・トリブロック共重合体ポリマーの合成 下記化学式に示される末端修飾型ポリシロキサン２５と
２−アミノアニソール−４−スルホン酸をアンモニア水
溶液とジメチルホルムアミドの混合溶液に攪拌溶解し、
室温でペルオキソ二硫酸アンモニウム水溶液を滴下し
た。滴下後、室温で１５時間攪拌した後、反応液を過剰
のエタノール中に滴下し攪拌した。再沈した反応生成物
を濾別洗浄後乾燥して下記化学式のジブロック共重合体
ポリマー２６を得た（ただし式中ではポリアニリン部分
がフェニレンジアミン構造のみで構成されているが、実
際にはキノジイミン構造が混在していることは言うまで
もない）。
【化９】 このジブロック共重合体ポリマー２６と過剰の４―アミ
ノ安息香酸を反応させてポリシロキサン鎖末端の水酸基
を４―アミノ安息香酸エステルにして、アミノ基末端ジ
ブロック共重合体ポリマーを合成した。
【０１１１】得られたアミノ基末端ジブロック共重合体
ポリマーと過硫酸アンモニウムを水に攪拌溶解し、―５
度でアニリンの塩酸水溶液を１時間かけて滴下した。滴
下後、２０時間―５度で攪拌した。生成した固形物を濾
別して５％アンモニア水で脱ドープ処理した。処理後、
クロロホルムによって抽出して（ポリアニリン）―（ポ
リジメチルシロキサン）―（ポリ（２―アミノアニソー
ルー４―スルホン酸））構造のトリブロック共重合体ポ
リマー２７を得た。重量平均分子量Ｍｗ＝２７６００
０、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．５、ポリ（２−アミノアニソール
−４−スルホン酸）ユニット分子量＝５６４００、ポリ
（ジメチルシロキサン）ユニット分子量＝１６５６０
０、ポリ（アニリン）ユニット分子量＝５４０００であ
った。
【０１１２】得られたトリブロック共重合体ポリマー２
７をＮ−メチルー２―ピロリドン溶液とし、キャスティ
ング法により膜厚５０μｍで２０ｍｍ角のトリブロック
共重合体ポリマー２７膜を作製した。
【０１１３】次にそれぞれ表面をポリ（２−アミノアニ
ソール−４−スルホン酸）およびポリアニリンでコーテ
ィングした一対の銅メッシュ電極（２０ｍｍ角）を用意
し、この一対の銅メッシュ電極で先のトリブロック共重
合体ポリマー２７膜をサンドイッチしてホットプレスし
た後、アルゴン気流下１５０度、８時間加熱処理した。
【０１１４】加熱処理後、１Ｍ硫酸水溶液に２時間浸漬
後、アルミニウムラミネートフィルムで封止して、本発
明のコンデンサー素子を作製した。この素子のトリブロ
ック共重合体ポリマー２７膜の断面をＴＥＭ観察したと
ころ、ポリ（２−アミノアニソール−４−スルホン酸）
相、ポリアニリン相それぞれが網目の平均開口径が約１
００ｎｍの三次元網目状の連続相であり、両相の界面に
ポリジメチルシロキサン相が形成されたトリコンティニ
ュアス構造であることが確認された。またポリ（２−ア
ミノアニソール−４−スルホン酸）相、ポリアニリン相
はそれぞれ銅メッシュ電極表面にコーティングされたポ
リ（２−アミノアニソール−４−スルホン酸）層、ポリ
アニリン層のみと接触していて、かつ両相はポリジメチ
ルシロキサン相によって分離され、直接接触している状
態は観察されなかった。
【０１１５】またこのコンデンサー素子の静電容量をイ
ンピーダンスアナライザーを用いて測定したところ、１
２０Ｈｚで２１６μＦと良好な値を示した。また３Ｖま
で１０―８Ａ以下の漏れ電流値であり、絶縁膜として機
能しているポリジメチルシロキサン相が電気的に極めて
欠陥が少ないことが分かった。実施例８ ：コンデンサ ・トリブロック共重合体ポリマーの合成 下記化学式に示される末端修飾型ポリシロキサン２５と
過硫酸アンモニウムをジメチルホルムアミドに攪拌溶解
し、０度でアニリンの塩酸水溶液を１時間かけて滴下し
た。滴下後、１０時間０度で攪拌した。攪拌後、反応液
を過剰の水に滴下攪拌した。沈殿した固形物を濾別して
５％アンモニア水で脱ドープ処理した。得られたエメラ
ルディン誘導体ポリマーをＤＭＰＵ溶液とし、水素化ナ
トリウムを加えてエメラルディン誘導体ポリマーのＮ位
をナトリウム化した。続いて大過剰の１―ヘキシルブロ
マイドを加えて１週間反応して、下記のジブロック共重
合体ポリマー２８を得た（ただし式中ではポリアニリン
部分がフェニレンジアミン構造のみで構成されている
が、実際にはヘキシル基が導入されていないキノジイミ
ン構造が混在していることは言うまでもない）。
【化１０】 このジブロック共重合体ポリマー２８と過剰の４―アミ
ノ安息香酸を反応させてポリシロキサン鎖末端の水酸基
を４―アミノ安息香酸エステルにして、アミノ基末端ジ
ブロック共重合体ポリマーを合成した。
【０１１６】得られたアミノ基末端ジブロック共重合体
ポリマーと過硫酸アンモニウムを水に攪拌溶解し、―５
度でアニリンの塩酸水溶液を１時間かけて滴下した。滴
下後、１０時間―５度で攪拌した。生成した固形物を濾
別して５％アンモニア水で脱ドープ処理した。処理後、
クロロホルムによって抽出して（ポリアニリン）−（ポ
リジメチルシロキサン）−（ポリ（Ｎ−ヘキシルポリア
ニリン））型のトリブロック共重合体ポリマー２９を得
た。重量平均分子量Ｍｗ＝９６０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝
１．８、ポリ（Ｎ―ヘキシルアニリン）ユニット分子量
＝１８２００、ポリ（ジメチルシロキサン）ユニット分
子量＝５９５００、ポリ（アニリン）ユニット分子量＝
１８３００であった。
【０１１７】得られたトリブロック共重合体ポリマー２
９をＮ−メチルー２―ピロリドン溶液とし、キャスティ
ング法により膜厚５０μｍで２０ｍｍ角のトリブロック
共重合体ポリマー２９膜を作製した。
【０１１８】次にそれぞれ表面をポリ（Ｎ−ヘキシルア
ニリン）およびポリアニリンでコーティングした一対の
銅メッシュ電極（２０ｍｍ角）を用意し、この一対の銅
メッシュ電極で先のトリブロック共重合体ポリマー２９
膜をサンドイッチしてホットプレスした後、アルゴン気
流下１５０度、８時間加熱処理した。
【０１１９】加熱処理後、１Ｍ硫酸水溶液に２時間浸漬
後、アルミニウムラミネートフィルムで封止して、本発
明のコンデンサー素子を作製した。この素子のトリブロ
ック共重合体２９膜の断面をＴＥＭ観察したところ、ポ
リ（Ｎ−ヘキシルアニリン）相、ポリアニリン相それぞ
れが網目の平均開口径が約４０ｎｍの三次元網目状の連
続相であり、両相の界面にポリジメチルシロキサン相が
形成されたトリコンティニュアス構造であることが確認
された。またポリ（Ｎ−ヘキシルアニリン）相、ポリア
ニリン相はそれぞれ銅メッシュ電極表面にコーティング
されたポリ（Ｎ−ヘキシルアニリン）層、ポリアニリン
層のみと接触していて、かつ両相はポリジメチルシロキ
サン相によって分離され、直接接触している状態は観察
されなかった。
【０１２０】またこのコンデンサー素子の静電容量をイ
ンピーダンスアナライザーを用いて測定したところ、１
２０Ｈｚで２２３μＦと良好な値を示した。また３Ｖま
で１０―８Ａ以下の漏れ電流値であり、絶縁膜として機
能しているポリジメチルシロキサン相が電気的に極めて
欠陥が少ないことが分かった。実施例９ ：光電変換素子 ・グラフト共重合体ポリマーの合成 下記化学式に示されるメタクリル酸エステル３０および
アクリル酸アミド３１とペリレンマクロマー３２のＴＨ
Ｆ混合溶液にラジカル開始剤としてＡＩＢＮを加え、ア
ルゴン雰囲気下、６０度、６０時間加熱して、下記化学
式に示されるグラフト共重合体ポリマー３３をラジカル
共重合により合成した。重量平均分子量Ｍｗ＝３０４０
０、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．１、３０と３１のコポリマー鎖の
分子量＝２１２００、ペリレンマクロマーユニット分子
量＝９２００であった。
【化１１】 ・光電変換素子の作製 １０ｍｍ×１０ｍｍのＩＴＯ電極（表面抵抗率１５Ω／
□）を形成したガラス基板上にグラフト共重合体ポリマ
ー３３溶液をＩＴＯ電極上に塗布し、膜厚２００ｎｍの
グラフト共重合体ポリマー３３層を形成した。
【０１２１】このグラフト共重合体ポリマー３３層上
に、１×１０―６ｔｏｒｒの減圧雰囲気下でアルミニウ
ムを蒸着して膜厚５０ｎｍ、面積１０×１０ｍｍのアル
ミニウム陰極を形成し、光電変換素子を作製した。グラ
フト共重合体ポリマー３３層をＴＥＭ観察したところ、
開口径１３ｎｍ程度のバイコンティニュアス相分離構造
が形成されていた。
【０１２２】この光電変換素子をＡＭ１（１００ｍＷｃ
ｍ―２）で光照射したところ、エネルギー変換効率０．
５％と比較的良好な値を示した。実施例１０ ：トランジスタ ・トリブロック共重合体ポリマーの合成 下記化学式に示される末端修飾型ポリシロキサン２５と
２−アミノアニソール−４−スルホン酸をアンモニア水
溶液とＮ，Ｎ‘―ジメチルホルムアミドの混合溶液に攪
拌溶解し、室温でペルオキソ二硫酸アンモニウム水溶液
を滴下した。滴下後、室温で１５時間攪拌した後、反応
液を過剰のエタノール中に滴下し攪拌した。再沈した反
応生成物を濾別洗浄後乾燥して下記化学式のジブロック
共重合体ポリマー２６を得た（ただし式中ではポリアニ
リン部分がフェニレンジアミン構造のみで構成されてい
るが、実際にはキノジイミン構造が混在していることは
言うまでもない）。
【化１２】 このジブロック共重合体ポリマー２６と過剰の４―アミ
ノ安息香酸を反応させてポリシロキサン鎖末端の水酸基
を４―アミノ安息香酸エステルにして、アミノ基末端ジ
ブロック共重合体ポリマー３４を合成した。重量平均分
子量Ｍｗ＝１１９０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．５、ポリ
（２−アミノアニソール−４−スルホン酸）ユニット分
子量＝３４５００、ポリ（ジメチルシロキサン）ユニッ
ト分子量＝８４５００であった。 ・トランジスタ素子の作製 ガラス基板上に厚さ５０ｎｍの白金膜をスパッタリング
法により積層し、次に白金膜上に所定のパターンのレジ
ストを形成して、これをマスクとして用いて、反応性イ
オンエッチング（ＲＩＥ）により白金膜をエッチング
し、１対の櫛形電極を作製した。１対の櫛形電極は１０
０μｍ間隔で互い違いにならんだそれぞれ幅１００μ
ｍ、長さ１０ｍｍの２５本ずつの櫛歯を有する。この櫛
形電極の１方（以下櫛形ゲート電極と称す）の上にのみ
ポリスチレンスルホン酸存在下、アニリンを電解重合す
ることにより、この櫛形ゲート電極上にポリアンリンと
ポリスチレンスルホン酸の複合膜を形成した。
【０１２３】次に櫛形電極上、全面に先に合成したアミ
ノ基末端ジブロック共重合体ポリマー３４と下記化学式
で示されるカルボン酸末端テレケリックポリマー３５
（重量平均分子量Ｍｗ＝３４６００）の混合溶媒を塗布
して、室温で風乾した後、８０度で１時間、さらにアル
ゴン気流下、１５０度で８時間加熱して、膜厚３００ｎ
ｍのポリマー混合層を形成した。このポリマー混合層上
に膜厚１０ｎｍで下記化学式のポリパラフェニレン前駆
体３６膜を塗布し、１×１０―８ｔｏｒｒの真空下、２
００度で２時間加熱処理した。加熱処理後、櫛形電極パ
ターンと重なるように１０×１０ｍｍの正方形の金電極
（以下ドレイン電極と称す）を蒸着して形成して、本発
明のトランジスタ素子を作製した。加熱処理後のポリマ
ー混合層をＴＥＭ観察したところ、平均開口径７０ｎｍ
のトリコンティニュアス相分離構造が形成されていた。
【化１３】 １対の櫛形電極の内、ゲート電極でない方をソース電極
として、トランジスタ素子を駆動した。その結果、ソー
ス電極およびドレイン電極間電流のオン・オフ比（Ｉ
ＯＮ／ＩＯＦＦ）が１０４以上、オン時のドレイン電極
の出力電流密度が０．１Ａ／ｃｍ２と優れた性能を示し
た。実施例１１ ：ラメラ構造キャパシタ ・トリブロック共重合体ポリマーの合成 実施例８と同様にして（ポリアニリン）−（ポリジメチ
ルシロキサン）−（ポリ（Ｎ−ヘキシルアニリン））型
のトリブロック共重合体ポリマー３７を合成した。重量
平均分子量Ｍｗ＝６１０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．８、ポ
リ（アニリン）ユニット分子量＝２５０００、ポリ（ジ
メチルシロキサン）ユニット分子量＝１２０００、ポリ
（Ｎ−ヘキシルアニリン）ユニット分子量＝２４０００
であった。
【０１２４】直径３０μｍの銅線の表面に厚さ０．５μ
ｍで金めっきし、さらに電解重合法によって、それぞれ
ポリアニリン、ポリ（Ｎ−ヘキシルアニリン）を膜厚
０．１μｍでコーティングした２種の銅線を作製した。
ポリアニリンをコーティングした銅線に平均粒子径が約
１μｍのＳｉＯ２微粒子を２０ｗｔ％分散したトリブロ
ック共重合体ポリマー３７のＮ−メチルー２―ピロリド
ン溶液を塗布して、膜厚約５μｍのトリブロック共重合
体ポリマー３７層を形成した。
【０１２５】この２種の銅線をそれぞれ縦糸、横糸とし
てクロス状の銅メッシュを得た。縦糸、横糸をそれぞれ
別個にまとめて端子を形成し、２０ｍｍ角の２端子の銅
メッシュ電極を形成した。この銅メッシュ電極に、トリ
ブロック共重合体ポリマー３７のＮ−メチルー２―ピロ
リドン溶液を含浸後、風乾して、厚さ約１５０μｍの銅
メッシュ含浸トリブロック共重合体ポリマー３７膜を作
製した。これをアルゴン気流下１５０度、８時間加熱処
理した。加熱処理後、１Ｍ硫酸水溶液に２時間浸漬後、
１００度、３０分間真空加熱乾燥した。乾燥後、アルミ
ニウムラミネートフィルムで封止して、本発明のキャパ
シタを作製した。この素子の断面をＴＥＭ観察したとこ
ろ、ポリ（Ｎ−ヘキシルアニリン）相、ポリアニリン相
がラメラ相を形成しており、両相の界面にポリジメチル
シロキサン相が形成されていることが確認された。ポリ
（Ｎ−ヘキシルアニリン）相およびポリアニリン相の層
厚はいずれも約５０ｎｍであった。また光学顕微鏡によ
る観察を併用することによって、銅メッシュ電極の銅線
が少なくとも２０個所以上でポリ（Ｎ−ヘキシルアニリ
ン）相、ポリアニリン相それぞれを貫通していることが
確認された。またポリ（Ｎ−ヘキシルアニリン）相、ポ
リアニリン相はそれぞれ銅線表面にコーティングされた
ポリ（Ｎ−ヘキシルアニリン）層、ポリアニリン層のみ
と接触していて、かつ両相はポリジメチルシロキサン相
によって分離されていた。
【０１２６】またこのキャパシタの静電容量をインピー
ダンスアナライザーを用いて測定したところ、１２０Ｈ
ｚで１８０μＦと良好な値を示した。また３Ｖまで１０
―８Ａ以下の漏れ電流値であり、絶縁膜として機能して
いるポリジメチルシロキサン相が電気的に極めて欠陥が
少ないことが分かった。実施例１２ ：相分離体 ・トリブロック共重合体ポリマーの合成 塩化リチウム共存下、α―スチリルリチウムを開始剤と
して、下記化学式に示されるスチレン誘導体３８、シル
セスキオキサン誘導体３９、アクリロニトリルを順次添
加して、下記化学式に示されるトリブロック共重合体ポ
リマー４０を合成した。重量平均分子量Ｍｗ＝３０００
０、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．３、ポリ（スチレン誘導体３８）
ユニット分子量＝７５００、ポリ（シルセスキオキサン
誘導体３９）ユニット分子量＝１５０００、ポリ（アク
リロニトリル）ユニット分子量＝７６００であった。
【化１４】 ・相分離体の作製 溶液を室温で１週間かけて風乾してキャスティング法に
よりトリブロック共重合体ポリマー４０膜を得た。得ら
れたポリマー４０膜にβ線を１グレイ照射した。β線照
射後、空気中で２００度、１時間、アルゴン気流下で５
時間、加熱処理した後、さらにアルゴン気流下、４００
度で５時間加熱処理した。
【０１２７】加熱処理後のポリマー４０膜中のポリ（ス
チレン誘導体３８）相、ポリ（アクリロニトリル）相は
いずれも、半導体性のラダーポリマー化しており、かつ
ポリ（シルセスキオキサン誘導体３９）相はＳｉＯ２類
似構造となっていた。またＴＥＭ観察より、ポリ３８
相、およびポリアクリロニトリル相由来のラダーポリマ
ー相がそれぞれ三次元網目状構造であり、両相の界面に
ポリ（シルセスキオキサン誘導体３９）相由来のＳｉＯ
２類似構造相が形成されたＯＴＤＤ構造であることがわ
かった。
【０１２８】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
ドメインが小さくて界面面積が大きな、また界面が化学
的に接着されているホールあるいは電子輸送性相の相分
離体を機能素子に用いることによって、応答速度が速
く、耐久性に優れた機能素子を提供することが出来る。
また薄膜の積層構造と等価な構造を有する素子構造を、
ブロック共重合体あるいはグラフト共重合体からなるポ
リマー材料の自己発展的な構造形成によって作製するこ
とが出来るため、機能素子の作製工程が簡略化され、コ
ストの低減に有効である。またホールあるいは電子輸送
性相を用いるため、イオン伝導性相を用いた従来の相分
離型機能素子と比較しても、応答速度を向上することが
出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る発光素子の概略断面
図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J026 AA12 AA16 AA45 AA47 AA59 AA60 AA62 AA64 AA66 AA67 AA70 AA74 AA76 AB07 AB19 AB20 AB28 AB34 AB44 AC17 AC18 AC19 BA05 BA13 BA27 BA50 BB02 CA02 CA03 CA04 DB06 DB09 FA04 FA05 FA09 HA03 HA06 HA10 HA11 HA13 HA14 HA38 HA39 HA40 HC11 HE01 HE02 HE05 5F041 CA45 CA87 CA88 5F051 AA11 FA04 FA06

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも、それぞれホール伝導性ある
    いは電子伝導性高分子鎖からなるＡ鎖およびＢ鎖からな
    り、Ａ鎖が凝集して形成されるところのＡ相と、Ｂ鎖が
    凝集して形成されるところのＢ相が、三次元共連続ナノ
    相分離構造を形成しており、かつＡ相とＢ相の界面にお
    いて、Ａ相とＢ相が化学結合によって接着されていると
    ころの多成分多相系高分子成形体から構成され、かつＡ
    相、Ｂ相それぞれに電極端子が接続されていることを特
    徴とする機能素子。
  2. 【請求項２】 少なくとも、それぞれホール伝導性ある
    いは電子伝導性有機高分子鎖からなるＡ鎖およびＢ鎖か
    らなるＡ−Ｂ型ジブロック共重合体あるいは、Ａ−Ｂ−
    Ａ型またはＢ−Ａ−Ｂ型トリブロック共重合体よりな
    り、Ａ鎖が凝集して形成されるところのＡ相と、Ｂ鎖が
    凝集して形成されるところのＢ相が、三次元共連続ナノ
    相分離構造を形成しているところの多成分多相系高分子
    成形体から構成され、かつＡ相、Ｂ相それぞれに電極端
    子が接続されていることを特徴とする機能素子。
  3. 【請求項３】 Ａ相とＢ相の界面に、Ａ鎖およびＢ鎖い
    ずれとも異なる高分子鎖Ｃが凝集して形成されるところ
    の連続相Ｃ相が挿入されていることを特徴とする請求項
    １〜２記載の機能素子。
  4. 【請求項４】 Ａ相、Ｂ相それぞれに接続された電極端
    子において、Ａ相に接続された電極端子はＢ相とはＡ相
    を介してのみ接続され、かつＢ相に接続された電極端子
    もＡ相とはＢ相を介してのみ接続されていることを特徴
    とする請求項１〜３記載の機能素子。
  5. 【請求項５】 三次元共連続ナノ相分離構造の網目の開
    口の平均径が０．１μｍ以下であることを特徴とする請
    求項１〜３記載の機能素子。
  6. 【請求項６】 三次元共連続ナノ相分離構造がＯＢＤＤ
    構造、Ｇｙｒｏｉｄ構造、ラメラカテノイド構造、Ｔ−
    サーフェイス構造から選択される１つの構造であること
    を特徴とする請求項１〜３記載の機能素子。
  7. 【請求項７】 少なくとも、それぞれホール伝導性ある
    いは電子伝導性であるＡ相およびＢ相からなり、Ａ相お
    よびＢ相が、ＯＢＤＤ構造、Ｇｙｒｏｉｄ構造から選択
    される少なくとも一つの三次元共連続ナノ相分離構造を
    形成しており、かつＡ相、Ｂ相それぞれに電極端子が接
    続されていることを特徴とする機能素子。
  8. 【請求項８】 Ａ相とＢ相の界面に，絶縁性あるいはホ
    ール伝導性あるいは電子伝導性あるいはイオン伝導性で
    あるＣ相が挿入されており、Ａ相、Ｂ相およびＣ相が、
    ＯＴＤＤ構造を形成していることを特徴とする請求項７
    記載の機能素子。
  9. 【請求項９】 少なくとも、それぞれホール伝導性ある
    いは電子伝導性高分子鎖からなるＡ鎖およびＢ鎖からな
    り、Ａ鎖が凝集して形成されるところのＡ相と、Ｂ鎖が
    凝集して形成されるところのＢ相が、三次元共連続ナノ
    相分離構造を形成しており、かつＡ相とＢ相の界面にお
    いて、Ａ相とＢ相が化学結合によって接着されていると
    ころの多成分多相系高分子成形体。
  10. 【請求項１０】 三次元共連続ナノ相分離構造がＯＢＤ
    Ｄ構造、Ｇｙｒｏｉｄ構造、ラメラカテノイド構造、Ｔ
    −サーフェイス構造から選択される１つの構造であるこ
    とを特徴とする請求項９記載の多成分多相系高分子成形
    体。
  11. 【請求項１１】 Ａ相とＢ相の界面に，絶縁性あるいは
    ホール伝導性あるいは電子伝導性あるいはイオン伝導性
    であるＣ相が挿入されており、Ａ相、Ｂ相およびＢ相
    が、ＯＴＤＤ構造を形成していることを特徴とする請求
    項９記載の多成分多相系高分子成形体。
  12. 【請求項１２】 ホール伝導性あるいは電子伝導性ある
    いはイオン伝導性であるシート状のＡ相およびＢ相が交
    互に積層した積層構造体と、この交互積層体に貫入し、
    かつ積層面を貫通するように設置され、すくなくとも一
    つの積層界面をそれぞれ４カ所以上で貫通した少なくと
    も１対の電極からなることを特徴とする機能素子。
  13. 【請求項１３】 Ａ相とＢ相の界面に，絶縁性あるいは
    ホール伝導性あるいは電子伝導性あるいはイオン伝導性
    であるＣ相が挿入されていることを特徴とする請求項１
    ２記載の機能素子。
  14. 【請求項１４】 積層構造が５００層以上積層されてい
    ることを特徴とする請求項１２〜１３記載の機能素子。
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Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001067823A1 (fr) * 2000-03-06 2001-09-13 Mitsubishi Chemical Corporation Element electroluminescent organique et polymere photosensible
WO2002052654A1 (fr) * 2000-12-26 2002-07-04 Kabushiki Kaisha Hayashibara Seibutsu Kagaku Kenkyujo Cellule solaire
JP2003347565A (ja) * 2002-05-29 2003-12-05 Toray Ind Inc 光起電力素子
JP2005032917A (ja) * 2003-07-10 2005-02-03 Dainippon Printing Co Ltd 有機薄膜太陽電池の製造方法および転写シート
JP2005142055A (ja) * 2003-11-07 2005-06-02 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器
JP2005158520A (ja) * 2003-11-26 2005-06-16 Kyocera Corp 有機電界発光素子
JPWO2003075364A1 (ja) * 2002-03-07 2005-06-30 新日本石油株式会社 光電変換素子
JP2006073900A (ja) * 2004-09-03 2006-03-16 Nippon Oil Corp 光電変換素子
JP2006196797A (ja) * 2005-01-14 2006-07-27 Seiko Epson Corp 発光素子、表示装置および電子機器
JP2006216544A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Samsung Sdi Co Ltd 伝導性高分子パターン膜及びそのパターニング方法、並びにそれを利用する有機電界発光素子及びその製造方法
JP2006303453A (ja) * 2005-03-25 2006-11-02 Osaka Univ 両極性有機電界効果薄層トランジスター及びその製造方法
JP2007214465A (ja) * 2006-02-10 2007-08-23 Seiko Epson Corp 発光素子、発光素子の製造方法、発光材料の製造方法、発光装置および電子機器
JP2007525010A (ja) * 2003-06-25 2007-08-30 ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ 改良型太陽電池
JP2007531285A (ja) * 2004-03-26 2007-11-01 松下電器産業株式会社 ブロック・コポリマーの自己集合から形成される絶縁体と有機半導体との結合構成
JP2007531995A (ja) * 2004-04-03 2007-11-08 ユニヴァーシティ・オヴ・ハル 液晶相互貫入性ポリマーネットワーク
JP2009010102A (ja) * 2007-06-27 2009-01-15 Gunze Ltd 半導体素子
JP2009027208A (ja) * 2001-04-12 2009-02-05 Cambridge Enterprise Ltd 光電子素子及びその製造方法
JP2010506417A (ja) * 2006-10-10 2010-02-25 シーディーティー オックスフォード リミテッド 光電気素子及びその製造方法
JP2010135799A (ja) * 2001-06-21 2010-06-17 Showa Denko Kk 有機発光素子および発光材料
US7745015B2 (en) 2003-03-31 2010-06-29 Sanyo Electric Co., Ltd. Organic electroluminescent device and method for manufacturing same
JP2010177615A (ja) * 2009-02-02 2010-08-12 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロニクス素子および有機エレクトロニクス素子の製造方法
JP2011205149A (ja) * 2003-03-24 2011-10-13 Konarka Technologies Inc メッシュ電極を備える光電セル
JP2012066536A (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 Hitachi Ltd シルセスキオキサンを有する高分子薄膜、微細構造体及びこれらの製造方法
JP2013026483A (ja) * 2011-07-22 2013-02-04 Konica Minolta Holdings Inc 有機光電変換素子、有機光電変換素子の製造方法及び太陽電池
JP2017135179A (ja) * 2016-01-26 2017-08-03 株式会社ジャパンディスプレイ フレキシブル表示装置及びフレキシブル表示装置の製造方法
JP2018189427A (ja) * 2017-04-28 2018-11-29 富士通株式会社 ガスセンサデバイス、ガスセンサシステム、及びガスセンサデバイスの製造方法
JP2019099584A (ja) * 2017-11-28 2019-06-24 Dic株式会社 ランダム共重合体及びこれを含有する負極

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3940546B2 (ja) 1999-06-07 2007-07-04 株式会社東芝 パターン形成方法およびパターン形成材料
US7008749B2 (en) * 2001-03-12 2006-03-07 The University Of North Carolina At Charlotte High resolution resists for next generation lithographies
US7498084B2 (en) * 2001-09-05 2009-03-03 Sharp Kabushiki Kaisha Macromolecular structure, functional device having the same, transistor, and display apparatus using the same
US6835889B2 (en) 2001-09-21 2004-12-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Passive element component and substrate with built-in passive element
US7776505B2 (en) * 2001-11-05 2010-08-17 The University Of North Carolina At Charlotte High resolution resists for next generation lithographies
JP2003187983A (ja) * 2001-12-17 2003-07-04 Ricoh Co Ltd 有機ｅｌトランジスタ
CA2381833C (en) * 2002-04-16 2011-02-15 American Dye Source, Inc. Hybrid organic-inorganic light emitting polymers
JP3599042B2 (ja) * 2002-05-28 2004-12-08 株式会社村田製作所 ３次元周期構造体およびその製造方法
GR1004403B (el) * 2002-05-30 2003-12-19 "����������", ���������� ����������������� Υλικα λιθογραφιας με βαση πολυμερη που περιεχουν πολυεδρικες ολιγομερεις σιλεναμισοξανες
JP4288895B2 (ja) * 2002-06-04 2009-07-01 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンスの製造方法
EP1439388A1 (fr) * 2003-01-20 2004-07-21 Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) Dispositif de mesure de la qualité et/ou de la dégradation d'un fluide; notamment d'une huile alimentaire
WO2004099373A2 (en) * 2003-05-02 2004-11-18 University Of North Carolina At Charlotte Biocompatible resists
US20050039792A1 (en) * 2003-08-22 2005-02-24 National University Corporation Kanazawa University Organic solar cell and its production process
RU2261890C2 (ru) * 2003-11-21 2005-10-10 Самсунг Электроникс Ко., Лтд. Электролюминесцентный полимерный нанокомпозитный материал
DE10359173B4 (de) * 2003-12-17 2006-11-09 Robert Bosch Gmbh Messvorrichtung mit mehreren auf einem Substrat angeordneten potentiometrischen Elektrodenpaaren
US8383226B2 (en) * 2004-03-12 2013-02-26 University Of Maryland Structures and methods for increasing the speed of electroactive polymers
JP4432683B2 (ja) * 2004-09-02 2010-03-17 セイコーエプソン株式会社 導電性材料用組成物、電子デバイスおよび電子機器
DE102004043305A1 (de) * 2004-09-08 2006-03-09 Insko Tec E.K. Selbstorganisierende Formulierungen und ihre Verwendung als Bausteine in funktionalen Bauteilen
JP5024979B2 (ja) * 2004-11-01 2012-09-12 国立大学法人京都大学 多層構造の有機薄膜を有する光電素子、その製造方法、及び太陽電池
US7947772B2 (en) * 2004-11-10 2011-05-24 The Regents Of The University Of Michigan Multiphasic nano-components comprising colorants
EP1809719B1 (en) * 2004-11-10 2013-01-16 The Regents of The University of Michigan Multi-phasic nanoparticles
US8043480B2 (en) * 2004-11-10 2011-10-25 The Regents Of The University Of Michigan Methods for forming biodegradable nanocomponents with controlled shapes and sizes via electrified jetting
US8187708B2 (en) * 2004-11-10 2012-05-29 The Regents Of The University Of Michigan Microphasic micro-components and methods for controlling morphology via electrified jetting
JP4450207B2 (ja) * 2005-01-14 2010-04-14 セイコーエプソン株式会社 発光素子の製造方法
JP2007081137A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Fujifilm Corp 光電変換素子及び固体撮像素子
WO2007149310A2 (en) * 2006-06-16 2007-12-27 The Regents Of The University Of Michigan Multiphasic biofunctional nano-components and methods for use thereof
JP2008269900A (ja) * 2007-04-18 2008-11-06 National Univ Corp Shizuoka Univ 高分子電解質材料及びこれを用いた燃料電池用膜・電極接合体
US8197650B2 (en) 2007-06-07 2012-06-12 Sensor Innovations, Inc. Silicon electrochemical sensors
EP2243804B1 (en) 2008-02-22 2013-01-16 Sanc Salaam Corporation Polymer composition and molded article produced from the composition
US8685616B2 (en) * 2008-06-10 2014-04-01 University Of North Carolina At Charlotte Photoacid generators and lithographic resists comprising the same
WO2010101620A2 (en) 2009-03-02 2010-09-10 Seventh Sense Biosystems, Inc. Systems and methods for creating and using suction blisters or other pooled regions of fluid within the skin
US9041541B2 (en) 2010-01-28 2015-05-26 Seventh Sense Biosystems, Inc. Monitoring or feedback systems and methods
US9033898B2 (en) 2010-06-23 2015-05-19 Seventh Sense Biosystems, Inc. Sampling devices and methods involving relatively little pain
CN103068308B (zh) 2010-07-16 2016-03-16 第七感生物系统有限公司 用于流体传输装置的低压环境
US20130158482A1 (en) 2010-07-26 2013-06-20 Seventh Sense Biosystems, Inc. Rapid delivery and/or receiving of fluids
WO2012021801A2 (en) 2010-08-13 2012-02-16 Seventh Sense Biosystems, Inc. Systems and techniques for monitoring subjects
US9482861B2 (en) 2010-10-22 2016-11-01 The Regents Of The University Of Michigan Optical devices with switchable particles
CN103370007B (zh) 2010-11-09 2018-12-18 第七感生物系统有限公司 用于采血的系统和界面
WO2012083258A2 (en) 2010-12-16 2012-06-21 Sensor Innovations, Inc. Electrochemical sensors
US20130158468A1 (en) 2011-12-19 2013-06-20 Seventh Sense Biosystems, Inc. Delivering and/or receiving material with respect to a subject surface
CA2833175A1 (en) 2011-04-29 2012-11-01 Seventh Sense Biosystems, Inc. Devices and methods for collection and/or manipulation of blood spots or other bodily fluids
ES2597081T3 (es) 2011-04-29 2017-01-13 Seventh Sense Biosystems, Inc. Entrega y/o recepción de fluidos
EP2701598A1 (en) 2011-04-29 2014-03-05 Seventh Sense Biosystems, Inc. Systems and methods for collecting fluid from a subject
CN103755847B (zh) 2013-12-31 2015-09-16 京东方科技集团股份有限公司 聚丙烯酸酯分散剂、颜料分散液、彩色光刻胶、彩膜基板和显示装置
KR20200125035A (ko) * 2019-04-25 2020-11-04 현대자동차주식회사 무기전계발광소자 및 그 제조방법

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5563424A (en) 1994-03-24 1996-10-08 Uniax Corporation Polymer grid triodes

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001067823A1 (fr) * 2000-03-06 2001-09-13 Mitsubishi Chemical Corporation Element electroluminescent organique et polymere photosensible
WO2002052654A1 (fr) * 2000-12-26 2002-07-04 Kabushiki Kaisha Hayashibara Seibutsu Kagaku Kenkyujo Cellule solaire
JP2009027208A (ja) * 2001-04-12 2009-02-05 Cambridge Enterprise Ltd 光電子素子及びその製造方法
JP2010135799A (ja) * 2001-06-21 2010-06-17 Showa Denko Kk 有機発光素子および発光材料
JPWO2003075364A1 (ja) * 2002-03-07 2005-06-30 新日本石油株式会社 光電変換素子
JP2003347565A (ja) * 2002-05-29 2003-12-05 Toray Ind Inc 光起電力素子
JP2013093328A (ja) * 2003-03-24 2013-05-16 Merck Patent Gmbh メッシュ電極を利用した光電セル
JP2011205149A (ja) * 2003-03-24 2011-10-13 Konarka Technologies Inc メッシュ電極を備える光電セル
US7745015B2 (en) 2003-03-31 2010-06-29 Sanyo Electric Co., Ltd. Organic electroluminescent device and method for manufacturing same
JP2007525010A (ja) * 2003-06-25 2007-08-30 ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ 改良型太陽電池
JP2015179870A (ja) * 2003-06-25 2015-10-08 ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ 有機感光性オプトエレクトロニックデバイス
JP2012134524A (ja) * 2003-06-25 2012-07-12 Trustees Of Princeton Univ 改良型太陽電池
JP2005032917A (ja) * 2003-07-10 2005-02-03 Dainippon Printing Co Ltd 有機薄膜太陽電池の製造方法および転写シート
JP2005142055A (ja) * 2003-11-07 2005-06-02 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器
JP4539078B2 (ja) * 2003-11-07 2010-09-08 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP2005158520A (ja) * 2003-11-26 2005-06-16 Kyocera Corp 有機電界発光素子
JP2007531285A (ja) * 2004-03-26 2007-11-01 松下電器産業株式会社 ブロック・コポリマーの自己集合から形成される絶縁体と有機半導体との結合構成
JP2007531995A (ja) * 2004-04-03 2007-11-08 ユニヴァーシティ・オヴ・ハル 液晶相互貫入性ポリマーネットワーク
JP2006073900A (ja) * 2004-09-03 2006-03-16 Nippon Oil Corp 光電変換素子
JP2006196797A (ja) * 2005-01-14 2006-07-27 Seiko Epson Corp 発光素子、表示装置および電子機器
JP4548121B2 (ja) * 2005-01-14 2010-09-22 セイコーエプソン株式会社 発光素子の製造方法
JP2006216544A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Samsung Sdi Co Ltd 伝導性高分子パターン膜及びそのパターニング方法、並びにそれを利用する有機電界発光素子及びその製造方法
JP2006303453A (ja) * 2005-03-25 2006-11-02 Osaka Univ 両極性有機電界効果薄層トランジスター及びその製造方法
JP2007214465A (ja) * 2006-02-10 2007-08-23 Seiko Epson Corp 発光素子、発光素子の製造方法、発光材料の製造方法、発光装置および電子機器
JP2010506417A (ja) * 2006-10-10 2010-02-25 シーディーティー オックスフォード リミテッド 光電気素子及びその製造方法
JP2009010102A (ja) * 2007-06-27 2009-01-15 Gunze Ltd 半導体素子
JP2010177615A (ja) * 2009-02-02 2010-08-12 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロニクス素子および有機エレクトロニクス素子の製造方法
JP2012066536A (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 Hitachi Ltd シルセスキオキサンを有する高分子薄膜、微細構造体及びこれらの製造方法
WO2012043114A1 (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 株式会社日立製作所 シルセスキオキサンを有する高分子薄膜、微細構造体及びこれらの製造方法
JP2013026483A (ja) * 2011-07-22 2013-02-04 Konica Minolta Holdings Inc 有機光電変換素子、有機光電変換素子の製造方法及び太陽電池
JP2017135179A (ja) * 2016-01-26 2017-08-03 株式会社ジャパンディスプレイ フレキシブル表示装置及びフレキシブル表示装置の製造方法
JP2018189427A (ja) * 2017-04-28 2018-11-29 富士通株式会社 ガスセンサデバイス、ガスセンサシステム、及びガスセンサデバイスの製造方法
JP2019099584A (ja) * 2017-11-28 2019-06-24 Dic株式会社 ランダム共重合体及びこれを含有する負極
JP7024355B2 (ja) 2017-11-28 2022-02-24 Dic株式会社 ランダム共重合体及びこれを含有する負極

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