JPS63289874A - 光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子Info
- Publication number
- JPS63289874A JPS63289874A JP62125257A JP12525787A JPS63289874A JP S63289874 A JPS63289874 A JP S63289874A JP 62125257 A JP62125257 A JP 62125257A JP 12525787 A JP12525787 A JP 12525787A JP S63289874 A JPS63289874 A JP S63289874A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shaped
- photoelectric conversion
- electrodes
- mesh
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 26
- 230000002463 transducing effect Effects 0.000 abstract 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoroethene Chemical group FC=C(F)F MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJEYSFABYSGQBG-UHFFFAOYSA-M Patent blue Chemical compound [Na+].C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C(C=1C(=CC(=CC=1)S([O-])(=O)=O)S([O-])(=O)=O)=C1C=CC(=[N+](CC)CC)C=C1 SJEYSFABYSGQBG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000980 acid dye Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
攬亙充災
本発明は光電変換素子（太陽電池）に関するものであり
、特に変換効率の改良された光電変換素子に関するもの
であり、電子写真感光体、イメージセンサ−等の分野に
応用される。
、特に変換効率の改良された光電変換素子に関するもの
であり、電子写真感光体、イメージセンサ−等の分野に
応用される。
従来技術
従来から単結晶Ｓｉ、多結晶Ｓｉ、アモルファスＳｉな
どを用いた、太陽電池（光起電力素子）の開発がなされ
ているが、これらの製造には高価な素材を用いたり、高
温や真空を必要とするため、安価なものができず、これ
らの理由がこのものの普及をさまたげている。
どを用いた、太陽電池（光起電力素子）の開発がなされ
ているが、これらの製造には高価な素材を用いたり、高
温や真空を必要とするため、安価なものができず、これ
らの理由がこのものの普及をさまたげている。
上記無機タイプの半導体を使用した場合の欠点を克服す
るため、安価で容易に大面積化が可能な有機光導電材料
を用いた光起電力素子の研究がなされてきでいる。
るため、安価で容易に大面積化が可能な有機光導電材料
を用いた光起電力素子の研究がなされてきでいる。
これらの素子形態としては２つの電極間に光導電層をは
さみ、一方の電極と光導電層との界面に生じるショット
キー接合で光起電力を生成させるものが最も簡単な形態
である。 ・その場合、該接合電極としては、光導電性
有機層の種類の制約から仕事関数の小さな金属、たとえ
ばＡΩ等が使用されるが、これらは透明ではない、これ
らの金属を電極として用い、その金属層を光導電層の全
面に設けた素子において、該金属層側から光照射すると
、該金属層の光吸収、反射により光導電層に到達する光
量が減少し、１０％以下になってしまう。逆に反対の電
極を透明にしくＩＴＯ等を使用）、そこから光照射する
と、光電変換効率が低いものしか得られない。
さみ、一方の電極と光導電層との界面に生じるショット
キー接合で光起電力を生成させるものが最も簡単な形態
である。 ・その場合、該接合電極としては、光導電性
有機層の種類の制約から仕事関数の小さな金属、たとえ
ばＡΩ等が使用されるが、これらは透明ではない、これ
らの金属を電極として用い、その金属層を光導電層の全
面に設けた素子において、該金属層側から光照射すると
、該金属層の光吸収、反射により光導電層に到達する光
量が減少し、１０％以下になってしまう。逆に反対の電
極を透明にしくＩＴＯ等を使用）、そこから光照射する
と、光電変換効率が低いものしか得られない。
目 的
本発明は従来の欠点を克服した変換効率の優れた光電変
換素子を提供することを目的とする。
換素子を提供することを目的とする。
４−一氏
本発明者は前記目的を達成するために、鋭意研究した結
果、２つの金属電極及び前記２電極間にはさまれた光電
変換層からなり、前記２つの金属電極のうちの一方がス
トライプあるいはメツシュ状に形成されていることを特
徴とする光電変換素子を提供することによって前記目的
が達成できることを見出した。
果、２つの金属電極及び前記２電極間にはさまれた光電
変換層からなり、前記２つの金属電極のうちの一方がス
トライプあるいはメツシュ状に形成されていることを特
徴とする光電変換素子を提供することによって前記目的
が達成できることを見出した。
すなわち、本発明者は前記ショットキー接合型有機太陽
電池の変換効率の低さを改良すべく研究した結果、ショ
ットキー接合形成の電極をストライプ状、あるいはメツ
シュ状に形成し、この面から光照射をすると、光導電層
に入射する光量を増加させることができ、入射光量に対
する取り呂し電力の割合（以下エンジニアリング効率と
称す）が向上することを発見した。
電池の変換効率の低さを改良すべく研究した結果、ショ
ットキー接合形成の電極をストライプ状、あるいはメツ
シュ状に形成し、この面から光照射をすると、光導電層
に入射する光量を増加させることができ、入射光量に対
する取り呂し電力の割合（以下エンジニアリング効率と
称す）が向上することを発見した。
接合電極が有機光導電層の全面に半透明状に設けられた
形態の光な変換素子よりも不発明の素子の方がエンジニ
アリング効率が増大するのは光電流が本素子の方が多く
とれることによる。
形態の光な変換素子よりも不発明の素子の方がエンジニ
アリング効率が増大するのは光電流が本素子の方が多く
とれることによる。
光電流の生成は、有機光導電層中の接合金属との界面に
生じるショットキー型の接合層で行われる。この接合層
は電極がメツシュ状、ストライプ状になってもその周囲
に生じる。接合層に入射する光量は半透明金属より本素
子の方が多量に採取できるため、光電流も大きくなる。
生じるショットキー型の接合層で行われる。この接合層
は電極がメツシュ状、ストライプ状になってもその周囲
に生じる。接合層に入射する光量は半透明金属より本素
子の方が多量に採取できるため、光電流も大きくなる。
本発明の光電変換素子の構造例を第１図及び第２図に示
す。
す。
図中、１はストライプまたはメツシュ状電極を示し、そ
の材料としてはＡＱまたはそれと同等の仕事関数を有す
る金属である。この様な金属の例としてはＡＱ、Ｉｎ、
Ｐｂ、Ｍｇ等が挙げられる。これらの金属電極は従来公
知の蒸着等の手段によって必要に応じてマスキングなど
をして形成される。
の材料としてはＡＱまたはそれと同等の仕事関数を有す
る金属である。この様な金属の例としてはＡＱ、Ｉｎ、
Ｐｂ、Ｍｇ等が挙げられる。これらの金属電極は従来公
知の蒸着等の手段によって必要に応じてマスキングなど
をして形成される。
２は上記ストライプまたはメツシュ状金屈電極層１とシ
ョットキー型の接合を形成する有機光導電層を示す、こ
の様な材料として、ビスアゾ顔料、トリスアゾ顔料等の
アゾ顔料、フタロシアニン顔料、キナクリドン顔料、ス
クエアリンク酸染料、メロシアニン染料等が挙げられる
。
ョットキー型の接合を形成する有機光導電層を示す、こ
の様な材料として、ビスアゾ顔料、トリスアゾ顔料等の
アゾ顔料、フタロシアニン顔料、キナクリドン顔料、ス
クエアリンク酸染料、メロシアニン染料等が挙げられる
。
これらは単独に用いられてもよいし、樹脂結着剤等と組
合わせて使用しても良い。
合わせて使用しても良い。
３は背面電極を示し、はとんどの金属が背面電極として
使用できる。４は支持体を示し、ガラス、透明プラスチ
ック等が使用される。
使用できる。４は支持体を示し、ガラス、透明プラスチ
ック等が使用される。
本発明の実施例を比較例とともに下記に示すが、本発明
はこれらに限定されるものではない。
はこれらに限定されるものではない。
なお、光電変換効率（η）は次式に従って決定される。
（Ｖｏｃ＝開放電圧、Ｊｓｃ＝短絡電流、ｆｆ＝フィル
ファクター、Ｐｉｎ＝入射光エネルギー）実施例１ 下記の構造のアゾ顔料１．８ｇをブチラール樹脂（ＸＹ
ＨＬ、ＵＣＣ社製）の５％のテトラヒドロフラン（ＴＨ
Ｆ）溶液１８ｇ、ＴＨＦ７．２ｇとともに１昼夜ボール
ミリングして均一なスラリーを作製した。
ファクター、Ｐｉｎ＝入射光エネルギー）実施例１ 下記の構造のアゾ顔料１．８ｇをブチラール樹脂（ＸＹ
ＨＬ、ＵＣＣ社製）の５％のテトラヒドロフラン（ＴＨ
Ｆ）溶液１８ｇ、ＴＨＦ７．２ｇとともに１昼夜ボール
ミリングして均一なスラリーを作製した。
この液を更に希釈して４重量％の液を作製した。
この液を板ガラス（コーニング社７０５９）に設けたメ
ツシュ状Ａｌ２（線幅５０μｍ、開口部幅５０μｍで厚
さは約０．１μｍ）上に浸漬法にて塗布し、６０℃で３
０分間乾燥した。膜厚は約０．４μｍであった。更にこ
の上にマスクを介してＡｕを真空蒸着し、ＡＱ及びＡｕ
電極に導電ペーストにてリード線をとりつけた。
ツシュ状Ａｌ２（線幅５０μｍ、開口部幅５０μｍで厚
さは約０．１μｍ）上に浸漬法にて塗布し、６０℃で３
０分間乾燥した。膜厚は約０．４μｍであった。更にこ
の上にマスクを介してＡｕを真空蒸着し、ＡＱ及びＡｕ
電極に導電ペーストにてリード線をとりつけた。
この試料に対し、ＡＩ２電極画から５６０ｎｍの単色光
（強度５０μＷ／ｃ＋Ｊ）を照射しながら両電極間に６
ｍＶ／秒で掃引されるランプ波を印加して光電変換効率
（η）を求めた。
（強度５０μＷ／ｃ＋Ｊ）を照射しながら両電極間に６
ｍＶ／秒で掃引されるランプ波を印加して光電変換効率
（η）を求めた。
その結果
Ｖｏｃ−０，９２Ｖ
Ｊ ｓｃ ＝６５ｎＡ／ ｃｌ
ｆｆ ＝０．２１
゛ η ＝０．０２５％
であった。
比較例１
塗布基板を、均一に蒸着された半透明ＡＱが設けられた
ガラス板に変えた以外は実施例１と同様に光電変換素子
を作製した。 ５６０ｎｍにおける基板の透過率を１０
％、２０％、５０％の３種とした。 これらの試料に対
し、実施例１と同様に光電変換効率を求めた。その結果
を下記に示す。
ガラス板に変えた以外は実施例１と同様に光電変換素子
を作製した。 ５６０ｎｍにおける基板の透過率を１０
％、２０％、５０％の３種とした。 これらの試料に対
し、実施例１と同様に光電変換効率を求めた。その結果
を下記に示す。
０透過率１０％ ０透過率２０％ ０透過率５０
％Ｖｏｃ＝０．９１Ｖ Ｖｏｃ＝０．９１Ｖ
ＡＱの導通Ｊｓｃ＝２８ｎＡ／ａＪ Ｊｓｃ＝３
７ｎＡ／ｃｄ が失われる。
％Ｖｏｃ＝０．９１Ｖ Ｖｏｃ＝０．９１Ｖ
ＡＱの導通Ｊｓｃ＝２８ｎＡ／ａＪ Ｊｓｃ＝３
７ｎＡ／ｃｄ が失われる。
ｆｆ＝０．２０ ｆｆ＝０．１８η＝０．０
１％ η＝０．０１２％実施例２ 実施例１のアゾ顔料を下記の構造のものに、ブチラール
樹脂をビニリデンフルオライド（ＶＤＦ）とトリフルオ
ロエチレン（ＴｒＦＥ）の共重合体（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ
＝８５／ Ｉｓ、 ＦＤ−１０５５，呉羽化学社製）
に、そして溶剤をＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミドに変え
た以外は実施例１と同様に光電変換素子を作製し、光電
変換効率を求めた。（入射光７００ｎｍ、４０μＷ／ａ
ｉ） その結果を下記に示す。
１％ η＝０．０１２％実施例２ 実施例１のアゾ顔料を下記の構造のものに、ブチラール
樹脂をビニリデンフルオライド（ＶＤＦ）とトリフルオ
ロエチレン（ＴｒＦＥ）の共重合体（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ
＝８５／ Ｉｓ、 ＦＤ−１０５５，呉羽化学社製）
に、そして溶剤をＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミドに変え
た以外は実施例１と同様に光電変換素子を作製し、光電
変換効率を求めた。（入射光７００ｎｍ、４０μＷ／ａ
ｉ） その結果を下記に示す。
Ｖｏｃ＝０．８７Ｖ
Ｊｓｃ ＝７４ｎＡ／ａｌ
ｆｆ ＝０．２８
η ＝ ０．０４５％
であっ−た。
比較例２
メツシュ状ＡＱ電極層を設けたガラス板の代わりに比較
例１の半透明ＡＱ基板を用いた他は、実施例２と同様に
光電変換素子を作製し、光電変換効率を求めた。
例１の半透明ＡＱ基板を用いた他は、実施例２と同様に
光電変換素子を作製し、光電変換効率を求めた。
その結果を下記に示す。
０透過率１０％ ０透過率２０％ ０透過率５ｏ
％Ｖｏｃ＝０．９０Ｖ Ｖｏｃ＝０．９１Ｖ
Ａ２（７）導通Ｊｓｃ＝５０ｎＡ／ａ＃ Ｊｓｃ＝
５９ｎＡ／Ｌ：ｉ が失われるｆｆ＝ｏ、２ｓ
ｆｆ＝０．２３η＝０．０２８％ η＝０．０３
１％効 果 以上述べたように、本発明によれば、変換効率の高い光
電変換素子が得られる。
％Ｖｏｃ＝０．９０Ｖ Ｖｏｃ＝０．９１Ｖ
Ａ２（７）導通Ｊｓｃ＝５０ｎＡ／ａ＃ Ｊｓｃ＝
５９ｎＡ／Ｌ：ｉ が失われるｆｆ＝ｏ、２ｓ
ｆｆ＝０．２３η＝０．０２８％ η＝０．０３
１％効 果 以上述べたように、本発明によれば、変換効率の高い光
電変換素子が得られる。
第１図及び第２図は本発明の光電変換素子の構造例を示
す概略図である。 １・・・メツシュまたはストライプ状金属電極暦２・・
・有機光導電層 ３・・・背面電極４・・・支持体
す概略図である。 １・・・メツシュまたはストライプ状金属電極暦２・・
・有機光導電層 ３・・・背面電極４・・・支持体
Claims (1)
- １、２つの金属電極及び前記２電極間にはさまれた光電
変換層からなり、前記２つの金属電極のうちの一方がス
トライプあるいはメッシュ状に形成されていることを特
徴とする光電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62125257A JPS63289874A (ja) | 1987-05-21 | 1987-05-21 | 光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62125257A JPS63289874A (ja) | 1987-05-21 | 1987-05-21 | 光電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63289874A true JPS63289874A (ja) | 1988-11-28 |
Family
ID=14905621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62125257A Pending JPS63289874A (ja) | 1987-05-21 | 1987-05-21 | 光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63289874A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006508538A (ja) * | 2002-11-29 | 2006-03-09 | コナルカ テクノロジーズ インコーポレイテッド | 光起電性構成部材とその製造方法 |
| JP2006521700A (ja) * | 2003-03-24 | 2006-09-21 | コナルカ テクノロジーズ インコーポレイテッド | メッシュ電極を備える光電セル |
| WO2010064709A1 (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-10 | 大日本印刷株式会社 | 有機薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| JP2011205149A (ja) * | 2003-03-24 | 2011-10-13 | Konarka Technologies Inc | メッシュ電極を備える光電セル |
| US9184317B2 (en) | 2007-04-02 | 2015-11-10 | Merck Patent Gmbh | Electrode containing a polymer and an additive |
-
1987
- 1987-05-21 JP JP62125257A patent/JPS63289874A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006508538A (ja) * | 2002-11-29 | 2006-03-09 | コナルカ テクノロジーズ インコーポレイテッド | 光起電性構成部材とその製造方法 |
| JP2006521700A (ja) * | 2003-03-24 | 2006-09-21 | コナルカ テクノロジーズ インコーポレイテッド | メッシュ電極を備える光電セル |
| JP2011205149A (ja) * | 2003-03-24 | 2011-10-13 | Konarka Technologies Inc | メッシュ電極を備える光電セル |
| JP2013093328A (ja) * | 2003-03-24 | 2013-05-16 | Merck Patent Gmbh | メッシュ電極を利用した光電セル |
| US9184317B2 (en) | 2007-04-02 | 2015-11-10 | Merck Patent Gmbh | Electrode containing a polymer and an additive |
| WO2010064709A1 (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-10 | 大日本印刷株式会社 | 有機薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| JP2010157681A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-07-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| CN102217112A (zh) * | 2008-12-04 | 2011-10-12 | 大日本印刷株式会社 | 有机薄膜太阳能电池及其制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Akhil et al. | Review on perovskite silicon tandem solar cells: Status and prospects 2T, 3T and 4T for real world conditions | |
| TWI446555B (zh) | 太陽能電池之背電極模組 | |
| US6784361B2 (en) | Amorphous silicon photovoltaic devices | |
| AU779449B2 (en) | Solid state heterojunction and solid state sensitized photovoltaic cell | |
| Kanda et al. | Effect of silicon surface for perovskite/silicon tandem solar cells: flat or textured? | |
| Ko et al. | Recent progress in interconnection layer for hybrid photovoltaic tandems | |
| WO2012055302A1 (zh) | 电极及其制造方法 | |
| JP2002231324A (ja) | 複合型太陽電池 | |
| JP2005011841A (ja) | 垂直接合型有機光起電力装置及びその製造方法 | |
| JPH0644638B2 (ja) | 異質単位セル同士のスタック形光起電力素子 | |
| Samantaray et al. | Four-terminal perovskite/silicon tandem solar cells based on large-area perovskite solar cells utilizing low-cost copper semi-transparent electrode | |
| CN101488532A (zh) | 太阳能电池的背电极模块 | |
| JPS63289874A (ja) | 光電変換素子 | |
| Meier et al. | High-efficiency amorphous and" micromorph" silicon solar cells | |
| WO2023029613A1 (zh) | 一种叠层太阳能电池及光伏组件 | |
| Mahesh et al. | TiO2 microstructure, fabrication of thin film solar cells and introduction to dye sensitized solar cells | |
| KR20080107181A (ko) | 고효율 태양전지 | |
| KR20090110048A (ko) | 투명 도전막, 이를 이용한 태양전지 및 이의 제조 방법 | |
| KR101303863B1 (ko) | 나노 구조체를 이용한 태양 전지 및 이의 제조 방법 | |
| JPH11220147A (ja) | アモルファスシリコン太陽電池 | |
| JPH01208873A (ja) | 光電変換素子 | |
| TWI812265B (zh) | 熱載子太陽能電池及疊層太陽能電池 | |
| Davidson | Strategies for high efficiency silicon solar cells | |
| Malmstrom et al. | Potential for light trapping in Cu (In, Ga) Se/sub 2/solar cells | |
| Boukortt et al. | Photogeneration losses from interface trap density in Passivated Ultrathin CIGS Solar Cell |